JP3073675B2 - 半導体薄膜製造装置用トレイ - Google Patents
半導体薄膜製造装置用トレイInfo
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- JP3073675B2 JP3073675B2 JP07241225A JP24122595A JP3073675B2 JP 3073675 B2 JP3073675 B2 JP 3073675B2 JP 07241225 A JP07241225 A JP 07241225A JP 24122595 A JP24122595 A JP 24122595A JP 3073675 B2 JP3073675 B2 JP 3073675B2
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- thin film
- substrate
- semiconductor thin
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池などに
用いられる非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記す
る。）などの半導体薄膜を製造する装置に用いられるト
レイに関し、特に基板周囲のトレイに付着した薄膜のク
リーニングに関する。
用いられる非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記す
る。）などの半導体薄膜を製造する装置に用いられるト
レイに関し、特に基板周囲のトレイに付着した薄膜のク
リーニングに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、クリーンなエネルギーとして、太
陽光発電が注目されている。その中でも特にａ−Ｓｉ太
陽電池は、低コスト化に有望であることから、研究開発
が積極的に進められている。
陽光発電が注目されている。その中でも特にａ−Ｓｉ太
陽電池は、低コスト化に有望であることから、研究開発
が積極的に進められている。
【０００３】ａ−Ｓｉ薄膜は、通常プラズマＣＶＤ法を
用いて基板上に形成される。この薄膜を製造する半導体
薄膜の製造装置は、一般に図７に示すように構成されて
いる。
用いて基板上に形成される。この薄膜を製造する半導体
薄膜の製造装置は、一般に図７に示すように構成されて
いる。
【０００４】この装置は、仕込室１、反応室２、３、４
及び取り出し室５の各真空チャンバを備え、各真空チャ
ンバーには、それぞれ真空ポンプ１１、１２、１３、１
４、１５及び基板を加熱する基板加熱ヒータ２１、２
２、２３、２４が設けられている。そして、反応室２、
３、４には、原料ガスを導入するガス導入系３２、３
３、３４とＲＦパワー等のガス分解系４２、４３、４４
が設けられている。さらに、図示はしないが、基板を保
持するトレイ７を搬送する機構と、チャンバ間にはトレ
イ７の通過できるスリットとそのスリットをふさぐこと
ができるシャッタが具備されている。
及び取り出し室５の各真空チャンバを備え、各真空チャ
ンバーには、それぞれ真空ポンプ１１、１２、１３、１
４、１５及び基板を加熱する基板加熱ヒータ２１、２
２、２３、２４が設けられている。そして、反応室２、
３、４には、原料ガスを導入するガス導入系３２、３
３、３４とＲＦパワー等のガス分解系４２、４３、４４
が設けられている。さらに、図示はしないが、基板を保
持するトレイ７を搬送する機構と、チャンバ間にはトレ
イ７の通過できるスリットとそのスリットをふさぐこと
ができるシャッタが具備されている。
【０００５】この製造装置を用いて、ａ−Ｓｉ薄膜を形
成する手順を次に説明する。
成する手順を次に説明する。
【０００６】まず、基板６をトレイ７にセットしたもの
を、大気圧にした仕込室１に挿入し、真空ポンプ１１で
真空引きする。そして、基板加熱ヒータ２１で基板を加
熱しながら高真空に達すると、真空状態のまま基板６の
セットされたトレイ７が反応室２に搬送される。反応室
２では原料ガス導入系３２より反応室２に導入されたＳ
ｉＨ4 等の原料ガスを、ガス分解系４２により分解し、
基板６上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する。このように、反応
室２、反応室３及び反応室４にて順次所望の導電型のａ
−Ｓｉ薄膜を形成した後、取り出し室５を大気圧にして
トレイ７とともに基板６が取り出される。
を、大気圧にした仕込室１に挿入し、真空ポンプ１１で
真空引きする。そして、基板加熱ヒータ２１で基板を加
熱しながら高真空に達すると、真空状態のまま基板６の
セットされたトレイ７が反応室２に搬送される。反応室
２では原料ガス導入系３２より反応室２に導入されたＳ
ｉＨ4 等の原料ガスを、ガス分解系４２により分解し、
基板６上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する。このように、反応
室２、反応室３及び反応室４にて順次所望の導電型のａ
−Ｓｉ薄膜を形成した後、取り出し室５を大気圧にして
トレイ７とともに基板６が取り出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した製
造装置においては、反応室でのａ−Ｓｉ薄膜形成時に基
板６周囲のトレイ７等にもａ−Ｓｉ薄膜が付着する。こ
のトレイ７に付着した薄膜は、反応室でａ−Ｓｉ薄膜を
形成する際に剥離し、基板表面に取り込まれ、膜中の欠
陥の発生やセル間の電極間のリークを発生させるなど問
題があった。
造装置においては、反応室でのａ−Ｓｉ薄膜形成時に基
板６周囲のトレイ７等にもａ−Ｓｉ薄膜が付着する。こ
のトレイ７に付着した薄膜は、反応室でａ−Ｓｉ薄膜を
形成する際に剥離し、基板表面に取り込まれ、膜中の欠
陥の発生やセル間の電極間のリークを発生させるなど問
題があった。
【０００８】このため、トレイ７に付着した薄膜を定期
的にクリーニングする必要があった。従来、このトレイ
７のクリーニング方法としては、フッ酸などを用いた化
学的な方法や、サンドブラッシュ法などの物理的な方法
がある。
的にクリーニングする必要があった。従来、このトレイ
７のクリーニング方法としては、フッ酸などを用いた化
学的な方法や、サンドブラッシュ法などの物理的な方法
がある。
【０００９】また、トレイ７の余分な薄膜が付着する部
分に予め多層のフィルムを設けておき、成膜後に最表面
のフィルムを剥がし、クリーニングを行う方法なども知
られている。
分に予め多層のフィルムを設けておき、成膜後に最表面
のフィルムを剥がし、クリーニングを行う方法なども知
られている。
【００１０】しかしながら、フッ酸は非常に毒性が強い
こと、またサンドブラッシュ法では薄膜自体に毒性があ
った場合の処理が困難であるなどの問題があった。
こと、またサンドブラッシュ法では薄膜自体に毒性があ
った場合の処理が困難であるなどの問題があった。
【００１１】更に、余分な薄膜の付着したフィルムを剥
がす方法については、フィルム同士を付着する物質から
の脱ガスやコストがかかるなどの問題があった。
がす方法については、フィルム同士を付着する物質から
の脱ガスやコストがかかるなどの問題があった。
【００１２】この発明は、上述した従来の問題点を解消
するためになされたものにして、トレイに付着した薄膜
を容易にクリーニングすることができ、歩留まりを向上
させることができる半導体薄膜の製造装置に用いられる
トレイを提供することを目的とする。
するためになされたものにして、トレイに付着した薄膜
を容易にクリーニングすることができ、歩留まりを向上
させることができる半導体薄膜の製造装置に用いられる
トレイを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、保持した基
板上に反応室で半導体薄膜が形成される半導体薄膜製造
装置用トレイであって、前記トレイは駆動電極を備えた
圧電体で構成され、前記駆動電極に交流電圧が印加され
ることにより、トレイに付着した半導体薄膜が除去され
ることを特徴とする。
板上に反応室で半導体薄膜が形成される半導体薄膜製造
装置用トレイであって、前記トレイは駆動電極を備えた
圧電体で構成され、前記駆動電極に交流電圧が印加され
ることにより、トレイに付着した半導体薄膜が除去され
ることを特徴とする。
【００１４】上記トレイの材質はＰＺＴ（チタンジルコ
ン酸鉛）等に代表される圧電セラミックスであり、厚み
は０．５ｍｍ〜５ｍｍ程度が好ましい。
ン酸鉛）等に代表される圧電セラミックスであり、厚み
は０．５ｍｍ〜５ｍｍ程度が好ましい。
【００１５】また、駆動電極としては、銀等の金属や、
ＩＴＯ、酸化亜鉛等の導電性酸化物などが用いられる。
ＩＴＯ、酸化亜鉛等の導電性酸化物などが用いられる。
【００１６】この発明によれば、トレイの駆動電極に交
流電圧を印加することにより、薄膜の付着したトレイ自
体に局所的な伸縮もしくは歪みを伴う振動が生じ、その
表面に付着した薄膜が剥離する。
流電圧を印加することにより、薄膜の付着したトレイ自
体に局所的な伸縮もしくは歪みを伴う振動が生じ、その
表面に付着した薄膜が剥離する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
１ないし図４に従い説明する。図１は、この発明の特徴
とするトレイを示す平面図、図２は図１のＢ−Ｃ線断面
図、図３は図１のＢ−Ｄ線断面図、図４は駆動電極の結
線状態を示す図である。
１ないし図４に従い説明する。図１は、この発明の特徴
とするトレイを示す平面図、図２は図１のＢ−Ｃ線断面
図、図３は図１のＢ−Ｄ線断面図、図４は駆動電極の結
線状態を示す図である。
【００１８】この実施の形態におけるトレイは、図７に
示したａ−Ｓｉ薄膜を製造する半導体薄膜の製造装置に
用いられるものである。
示したａ−Ｓｉ薄膜を製造する半導体薄膜の製造装置に
用いられるものである。
【００１９】この実施の形態にかかるトレイ７は、１０
０×１００ｍｍの基板上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する場合
に用いられるものであり、中央部に基板が収納される１
００×１００ｍｍの矩形孔部７１とこの孔部７１を囲む
ようにして幅５０ｍｍの枠体７３とからなる。矩形孔部
７１の４隅には基板を支持するための平面形状が三角形
の段部７２が設けられている。従って、このトレイ７の
外周は２００×２００ｍｍである。
０×１００ｍｍの基板上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する場合
に用いられるものであり、中央部に基板が収納される１
００×１００ｍｍの矩形孔部７１とこの孔部７１を囲む
ようにして幅５０ｍｍの枠体７３とからなる。矩形孔部
７１の４隅には基板を支持するための平面形状が三角形
の段部７２が設けられている。従って、このトレイ７の
外周は２００×２００ｍｍである。
【００２０】この発明では、このトレイ７をＰＺＴセラ
ミックからなる圧電材料で構成し、枠体７３のセル形成
面とは反対側の面にスクリーン印刷法により、銀等の金
属からなる駆動電極７４ａ（７４ｂ）を同心状に設けて
いる。
ミックからなる圧電材料で構成し、枠体７３のセル形成
面とは反対側の面にスクリーン印刷法により、銀等の金
属からなる駆動電極７４ａ（７４ｂ）を同心状に設けて
いる。
【００２１】トレイ７の厚み（ｔ１）は、この実施例で
は、４ｍｍとし、電極７４ａ（７４ｂ）の厚み（ｔ２）
は０．５ｍｍとした。そして、トレイ７の孔部７１の端
から電極７４までの距離（ａ）は１ｍｍ、電極７４の幅
は１ｍｍ、電極７４ａ、７４ｂ間の間隔は１ｍｍとし
た。また、段部７２の長さは３．５ｍｍ、厚さ（ｔ２）
は２ｍｍ（ｔ１／２）とした。
は、４ｍｍとし、電極７４ａ（７４ｂ）の厚み（ｔ２）
は０．５ｍｍとした。そして、トレイ７の孔部７１の端
から電極７４までの距離（ａ）は１ｍｍ、電極７４の幅
は１ｍｍ、電極７４ａ、７４ｂ間の間隔は１ｍｍとし
た。また、段部７２の長さは３．５ｍｍ、厚さ（ｔ２）
は２ｍｍ（ｔ１／２）とした。
【００２２】これらの各サイズは、それぞれ、０＜ａ＜
１０ｍｍ、０＜ｂ＜１０ｍｍ、０＜ｃ＜１０ｍｍの範囲
で本発明の効果が確認できた。また、段部７２の厚み
（ｔ２）に関しては特に制限はない。
１０ｍｍ、０＜ｂ＜１０ｍｍ、０＜ｃ＜１０ｍｍの範囲
で本発明の効果が確認できた。また、段部７２の厚み
（ｔ２）に関しては特に制限はない。
【００２３】上記トレイ７の電極７４ａ（７４ｂ）が形
成されていない面をセル形成面とし、表面にＳｎＯ2を
形成したガラス基板上に図７に示す装置を用いて、ＲＦ
プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ太陽電池を作成した。
この太陽電池の標準的な形成条件を表１に示す。これら
太陽電池の光吸収層（ｉ層）の膜厚は３０００オングス
トロームである。
成されていない面をセル形成面とし、表面にＳｎＯ2を
形成したガラス基板上に図７に示す装置を用いて、ＲＦ
プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ太陽電池を作成した。
この太陽電池の標準的な形成条件を表１に示す。これら
太陽電池の光吸収層（ｉ層）の膜厚は３０００オングス
トロームである。
【００２４】
【表１】
【００２５】トレイ７をクリーニングせずに、セルを作
り続けた際の作製回数と剥離したａ−Ｓｉ片密度及びセ
ルの歩留まりを図５及び図６に示す。剥離の度合いはＲ
ＦプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ薄膜を形成後に製造
装置より取り出したトレイ７を成膜面が下向きになるよ
うに水平に保ち、その下５ｃｍの位置にトレイ７に平行
に方眼紙を置き、トレイ７の中心付近の１ｃｍ2以内に
３０分以内に落ちたａ−Ｓｉ膜片の数を目視で測定し、
剥離片密度とした。セルの歩留まりは特性が標準的なセ
ル特性の９０％を下回ったセルを除いた割合で算出し
た。
り続けた際の作製回数と剥離したａ−Ｓｉ片密度及びセ
ルの歩留まりを図５及び図６に示す。剥離の度合いはＲ
ＦプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ薄膜を形成後に製造
装置より取り出したトレイ７を成膜面が下向きになるよ
うに水平に保ち、その下５ｃｍの位置にトレイ７に平行
に方眼紙を置き、トレイ７の中心付近の１ｃｍ2以内に
３０分以内に落ちたａ−Ｓｉ膜片の数を目視で測定し、
剥離片密度とした。セルの歩留まりは特性が標準的なセ
ル特性の９０％を下回ったセルを除いた割合で算出し
た。
【００２６】図５に示すように、剥離片密度は１０回形
成後より増え始め、３０回を越える辺りでほぼ飽和し
た。セルの歩留まりは図６に示すように、１０回形成後
より増え始め、３０回を越える辺りでほぼ飽和した。こ
の歩留まりを下げているのは主にセルの両電極間のリー
ク成分であり、剥離片が大きく影響していると考えられ
る。剥離片の関与するリークのメカニズムは、基板を仕
込む際に剥離片が基板表面に吸着し、半導体層形成後且
つ裏面電極形成前に剥がれることでセルの両電極がショ
ートもしくはリークすると考えられる。
成後より増え始め、３０回を越える辺りでほぼ飽和し
た。セルの歩留まりは図６に示すように、１０回形成後
より増え始め、３０回を越える辺りでほぼ飽和した。こ
の歩留まりを下げているのは主にセルの両電極間のリー
ク成分であり、剥離片が大きく影響していると考えられ
る。剥離片の関与するリークのメカニズムは、基板を仕
込む際に剥離片が基板表面に吸着し、半導体層形成後且
つ裏面電極形成前に剥がれることでセルの両電極がショ
ートもしくはリークすると考えられる。
【００２７】そこで、この実施の形態の例においては、
トレイ７のクリーニングをセルの歩留まりが下がり始め
る２０回形成後に行った。前述したように、トレイ７の
材料として、ＰＺＴセラミックスを用いているので、ク
リーニングに先立って分極の向きを揃えるポーリングと
呼ばれる操作を施した。ＰＺＴセラミックスは２００℃
程度に加熱すると、自発分極が消え、圧電性も失われ
る。そのため、クリーニングを行う直前に自発分極の方
向を備える必要がある。この処理がポーリングである。
トレイ７のクリーニングをセルの歩留まりが下がり始め
る２０回形成後に行った。前述したように、トレイ７の
材料として、ＰＺＴセラミックスを用いているので、ク
リーニングに先立って分極の向きを揃えるポーリングと
呼ばれる操作を施した。ＰＺＴセラミックスは２００℃
程度に加熱すると、自発分極が消え、圧電性も失われ
る。そのため、クリーニングを行う直前に自発分極の方
向を備える必要がある。この処理がポーリングである。
【００２８】今回の実験では、図中Ｘの電極７４ａを正
極とし、Ｙの電極７４ｂを負極として、空気中で表２に
示す条件にてポーリングを行った。
極とし、Ｙの電極７４ｂを負極として、空気中で表２に
示す条件にてポーリングを行った。
【００２９】
【表２】
【００３０】電圧はトレイ７を加熱し始めた直後より室
温近くまで温度が下がるまで印加し続けた。トレイ７に
流れた電流は０．０５Ａ以下であり、電圧はほぼ設定通
りトレイ７に加わった。
温近くまで温度が下がるまで印加し続けた。トレイ７に
流れた電流は０．０５Ａ以下であり、電圧はほぼ設定通
りトレイ７に加わった。
【００３１】このポーリング処理が終わった後、図４に
示すように、Ｘの電極７４ａ、Ｙの電極７４ｂに交流電
極を印加すると、Ｘ−Ｙ間が伸縮するように、即ち図中
の矢印方向に振動が発生する。この実施例では、６０Ｈ
ｚ、５０Ｖの交流電圧を用いたところ、トレイ７に付着
していたａ−Ｓｉ膜が５分程度でほぼ剥離し、クリーニ
ング効果が確認できた。
示すように、Ｘの電極７４ａ、Ｙの電極７４ｂに交流電
極を印加すると、Ｘ−Ｙ間が伸縮するように、即ち図中
の矢印方向に振動が発生する。この実施例では、６０Ｈ
ｚ、５０Ｖの交流電圧を用いたところ、トレイ７に付着
していたａ−Ｓｉ膜が５分程度でほぼ剥離し、クリーニ
ング効果が確認できた。
【００３２】更に、このトレイ７を用いてクリーニング
効果を調べたところ、２Ｖ付近からａ−Ｓｉ膜の剥離が
始まった。また、交流電圧の周波数を変化させた場合で
は１Ｈｚ〜１ＧＨｚの範囲で効果が認められた。原理的
には自発分極を発振させることが可能なＴＨｚオーダー
まで効果が期待できる。
効果を調べたところ、２Ｖ付近からａ−Ｓｉ膜の剥離が
始まった。また、交流電圧の周波数を変化させた場合で
は１Ｈｚ〜１ＧＨｚの範囲で効果が認められた。原理的
には自発分極を発振させることが可能なＴＨｚオーダー
まで効果が期待できる。
【００３３】このクリーニングされたトレイ７を用いて
図７に示す装置により、太陽電池を作製したところ、歩
留まりはほぼ１００％ととなり、クリーニング後も初期
と同じ状態で使用できることを確認している。
図７に示す装置により、太陽電池を作製したところ、歩
留まりはほぼ１００％ととなり、クリーニング後も初期
と同じ状態で使用できることを確認している。
【００３４】また、トレイの駆動電極としてＩＴＯやＺ
ｎＯ等の導電性酸化物を用いた場合も全く同じ効果を得
ることができる。
ｎＯ等の導電性酸化物を用いた場合も全く同じ効果を得
ることができる。
【００３５】更に、このトレイ７は、太陽電池の作製の
みに留まらず、トレイ７上に基板を保持して、この基板
上に薄膜を形成するものに対して適用することができ、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造などトレイをクリー
ニングする必要のある半導体薄膜の製造装置に適用する
ことができる。
みに留まらず、トレイ７上に基板を保持して、この基板
上に薄膜を形成するものに対して適用することができ、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造などトレイをクリー
ニングする必要のある半導体薄膜の製造装置に適用する
ことができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、トレイの駆動電極に印加された交流電圧により薄膜
の付着したトレイ自体に局所的な伸縮もしくは歪みを伴
う振動が生じ、その表面に付着した薄膜が剥離する。
ば、トレイの駆動電極に印加された交流電圧により薄膜
の付着したトレイ自体に局所的な伸縮もしくは歪みを伴
う振動が生じ、その表面に付着した薄膜が剥離する。
【図１】この発明の特徴とするトレイを示す平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＢ−Ｃ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｄ線断面図である。
【図４】駆動電極の結線状態を示す図である。
【図５】トレイをクリーニングせずに、セルを作り続け
た際の作製回数と剥離したａ−Ｓｉ片密度との関係を示
す図である。
た際の作製回数と剥離したａ−Ｓｉ片密度との関係を示
す図である。
【図６】トレイをクリーニングせずに、セルを作り続け
た際の作製回数とセルの歩留まりとの関係を示す図であ
る。
た際の作製回数とセルの歩留まりとの関係を示す図であ
る。
【図７】半導体薄膜の製造装置を示す概略構成図であ
る。
る。
１ 仕込室 ２、３、４ 反応室 ５ 取り出し室 ６ 基板 ７ トレイ １１、１２、１３、１４、１５ 真空ポンプ ２１、２２、２３、２４ 基板加熱ヒータ ３２、３３、３４ 原料ガス導入系 ４２、４３、４４ ガス分解系 ７４ａ、７４ｂ 駆動電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−27011（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−165320（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−10224（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−161639（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−365349（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196416（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−236456（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項１】 保持した基板上に反応室で半導体薄膜が
形成される半導体薄膜製造装置用トレイであって、前記
トレイは駆動電極を備えた圧電体で構成され、前記駆動
電極に交流電圧が印加されることにより、トレイに付着
した半導体薄膜が除去されることを特徴とする半導体薄
膜製造装置用トレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07241225A JP3073675B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体薄膜製造装置用トレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07241225A JP3073675B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体薄膜製造装置用トレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982647A JPH0982647A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3073675B2 true JP3073675B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17071070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07241225A Expired - Fee Related JP3073675B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体薄膜製造装置用トレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073675B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011127168A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP07241225A patent/JP3073675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0982647A (ja) | 1997-03-28 |
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