CN115084352A - 一种单晶压电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种单晶压电薄膜及其制备方法，包括对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在加工表面形成钝化层；单晶压电衬底为铌酸锂；从加工表面对单晶压电衬底进行离子注入处理，使得单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括压电薄膜层的单晶压电衬底；采用清洗剂进行清洗处理，得到清洗后的单晶压电衬底；将清洗后的单晶压电衬底沿加工表面与支撑衬底键合，得到键合结构；对键合结构进行剥离处理，使键合结构沿损伤层分离，得到单晶压电薄膜。本申请通过在单晶压电衬底表面形成钝化层，能够有效避免压电薄膜层在制备过程中被腐蚀，降低制备工艺的复杂度，提升产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率。

Description

一种单晶压电薄膜及其制备方法

技术领域

本申请涉及功能材料技术领域，尤其涉及一种单晶压电薄膜及其制备方法。

背景技术

铌酸锂具有优良的电光、压电与非线性性能，是一种性能优良的功能材料；相比于传统铌酸锂体材料，铌酸锂薄膜在器件性能、器件小型化以及集成度上具有巨大优势，受到学界和产业界的广泛关注。

当前，铌酸锂薄膜的制备通常是通过离子注入加键合转移的技术制备而成的，即首先在铌酸锂材料中注入He离子形成损伤层，然后将铌酸锂与带氧化层的硅衬底键合形成键合结构，再对键合结构进行处理使铌酸锂剥离形成铌酸锂薄膜结构，最终的铌酸锂薄膜产品需要通过高温退火和化学机械抛光去除表面离子注入所形成的损伤层；在该制备过程中，为实现铌酸锂与硅衬底的良好键合，需要对离子注入完的铌酸锂薄膜进行清洗以去除铌酸锂薄膜表面的颗粒；而现有工艺过程中，常规去除颗粒的清洗试剂(标准SC1：NH₃·H₂O+H₂O₂)会对铌酸锂薄膜造成一定的腐蚀，且随药液浓度变化腐蚀速率会有较大的变化，导致铌酸锂在键合剥离后，各个铌酸锂晶圆产品的厚度具有一定的偏差，增加了后续化学机械抛光(CMP抛光)的复杂度，降低了生产的良率。

因此，需要一种单晶压电薄膜及其制备方法，在制备过程中能够有效保护铌酸锂薄膜不被腐蚀，保证最终产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题，本申请提供了一种单晶压电薄膜及其制备方法，在制备过程中能够有效保护铌酸锂薄膜不被腐蚀，保证最终产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率。所述技术方案如下：

本申请提供了一种单晶压电薄膜的制备方法，包括：

S1，对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在所述加工表面形成钝化层；其中，所述单晶压电衬底的材质为单晶铌酸锂；

S2，从所述加工表面对所述单晶压电衬底进行离子注入处理，使得所述单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底；其中，所述压电薄膜层位于所述钝化层与所述损伤层之间；

S3，采用清洗剂对包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底进行清洗处理，得到清洗后的所述单晶压电衬底；

S4，将清洗后的所述单晶压电衬底沿所述加工表面与支撑衬底进行键合处理，得到键合结构；

S5，对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜。

进一步地，所述钝化层的元素组分与所述压电薄膜层的元素组分相同，所述钝化层中元素的化学计量比与所述压电薄膜层中元素的化学计量比不同。

进一步地，所述钝化层中锂元素、氧元素与铌元素的化学计量比为(0.1-0.8)：(2.5-3)：1。

进一步地，所述第一退火处理的第一退火温度为200～500℃，所述第一退火处理的退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种。

进一步地，所述离子注入处理的注入离子为He离子或者H离子，注入能量为200～300KeV，注入剂量为1х10¹⁶～5х10¹⁶/cm²。

进一步地，所述清洗处理的清洗时间为3～30min，所述清洗剂由去离子水、过氧化氢与氨组成，所述清洗剂中去离子水、过氧化氢与氨的质量比为(0-10)：1:1。

进一步地，所述钝化层和所述压电薄膜层在所述清洗剂中的腐蚀速率比小于1：10。

进一步地，所述剥离处理为第二退火处理，所述第二退火处理的第二退火温度为100～300℃，退火时间为3～100h；所述第二退火处理的退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种。

进一步地，在所述对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜之后，所述制备方法还包括：

对所述单晶压电薄膜进行表面处理，以去除所述损伤层。

本申请还提供一种单晶压电薄膜，所述单晶压电薄膜由以上所述的单晶压电薄膜的制备方法得到，包括支撑衬底、钝化层与压电薄膜层，所述钝化层位于所述支撑衬底与所述压电薄膜层之间，所述钝化层的厚度为2～20nm。

进一步地，所述钝化层的厚度偏差小于0.5nm。

进一步地，所述支撑衬底为硅、碳化硅、蓝宝石与石英中的至少一种。进一步地，所述支撑衬底包括支撑层与隔离层，所述隔离层位于所述支撑层与所述钝化层之间。

实施本申请，具有如下有益效果：

本申请通过在单晶压电衬底表面形成钝化层，实现对压电薄膜层的覆盖，能够有效避免压电薄膜层在进行清洗处理的过程中被腐蚀，提升产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率；同时，避免压电薄膜层被腐蚀还能够在一定程度上降低后续进行表面处理的复杂度，进一步有利于提升产品良率，并且能够降低制备工艺的复杂度，使得制备工艺更加简单易行，降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所使用的附图作简单的介绍，其中相同的零部件用相同的附图标记表示。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1为本申请的一种可能的实施方式中单晶压电薄膜的制备方法的逻辑图；

图2为本申请的一种可能的实施方式中单晶压电薄膜的制备方法的流程图；

图3为本申请的实施例2中单晶压电薄膜的制备方法的流程图；

图4为实施例2中单晶压电薄膜的结构示意图；

图5为本申请的实施例3中单晶压电薄膜的制备方法的流程图；

图6为实施例3中单晶压电薄膜的结构示意图；

图7为本申请制备得到的单晶压电薄膜与对比例中单晶压电薄膜的厚度分布示意图。

其中，图中附图标记对应为：1-单晶压电衬底，11-钝化层，12-压电薄膜层，13-损伤层，2-支撑衬底，21-支撑层，22-缺陷层，23-隔离层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例，因此不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了下述图示或下述描述以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或服务器不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

实施例1

为了克服现有技术中铌酸锂薄膜的表面在清洗时被腐蚀的问题，本申请提供一种单晶压电薄膜的制备方法，如附图1与附图2所示，该制备方法包括：

S1，对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在所述加工表面形成钝化层；其中，所述单晶压电衬底的材质为单晶铌酸锂；

S2，从所述加工表面对所述单晶压电衬底进行离子注入处理，使得所述单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底；其中，所述压电薄膜层位于所述钝化层与所述损伤层之间；

S3，采用清洗剂对包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底进行清洗处理，得到清洗后的所述单晶压电衬底；

S4，将清洗后的所述单晶压电衬底沿所述加工表面与支撑衬底进行键合处理，得到键合结构；

S5，对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜。

具体地，在一个可能的实施方式中，S1步骤中第一退火处理的第一退火温度为200～500℃，退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种；则在S1步骤中，单晶压电衬底的一侧表面为加工表面，将该加工表面置于N₂、O₂与或者Ar的氛围中进行第一退火处理，使得加工表面的位置形成一层钝化层，该钝化层覆盖下方的单晶压电衬底材料，起到保护作用，避免下方的单晶压电衬底材料在后续制备过程中受到腐蚀。

具体地，在一个可选的实施方式中，该钝化层的厚度为2～20nm，在抗腐蚀方面实现了特别令人满意的效果，单晶压电薄膜各处厚度均匀性也得到明显提升；在一个优选的实施方式中，该钝化层的厚度为2～10nm，具有该厚度的钝化层可起到良好的抗腐蚀作用，使得单晶压电薄膜具备期望的厚度均匀性，还能够避免铌酸锂原材料的浪费以及对最终产品性能可能造成的不良影响。。

具体地，在本实施例中，单晶压电衬底的材质为单晶铌酸锂，具有优良的电光、压电与非线性性能；而钝化层是通过退火处理单晶铌酸锂原材料得到的，钝化层的元素组分与初始的单晶压电衬底、即单晶铌酸锂的元素组分相同；同时，钝化层中元素的化学计量比与初始的单晶压电衬底中元素的化学计量比不同。

具体地，在一个可能的实施方式中，钝化层中锂元素、氧元素与铌元素的化学计量比为(0.1-0.8)：(2.5-3)：1。

具体地，S2步骤中从加工表面对单晶压电衬底进行离子注入，如附图2所示，此时，加工表面的位置已经形成了钝化层，则离子注入是越过了钝化层，在钝化层下方的一定深度处，形成了一定厚度的损伤层；而在损伤层形成的同时，损伤层与钝化层之间的一层即成为压电薄膜层，该压电薄膜层与初始的单晶压电衬底在元素组分与化学计量比上均相同，两者是相同的材质，该压电薄膜层即为单晶铌酸锂薄膜层，是最终产品单晶压电薄膜的功能材料层。

具体地，在一个可能的实施方式中，S2步骤中进行离子注入处理的注入离子为He离子或者H离子，注入能量为200～300KeV，注入剂量为1х10¹⁶～5х10¹⁶/cm²。

具体地，S3步骤中进行清洗处理，是对S2步骤中包括压电薄膜层的单晶压电衬底进行清洗，从而去除其表面的颗粒，使得后续步骤中铌酸锂与支撑衬底之间进行等离子体激活键合反应时，能够实现良好键合，避免出现杂质，也避免结构的不稳定，提升最终产品单晶压电薄膜的良率。

在一个可能的实施方式中，清洗处理的清洗时间为3～30min，能够满足后续制备过程对包括压电薄膜层的单晶压电衬底(即铌酸锂)表面清洁度的要求；该清洗处理所采用的清洗剂可以选择由去离子水、过氧化氢与氨组成的清洗剂，其中，去离子水、过氧化氢与氨的质量比可以根据实际需求选择为(0-10)：1:1，清洗效果好，清洗效率高；在另一个可能的实施方式中，该清洗剂可以为SC1清洗液，SC1清洗液是氨水、双氧水以及水的混合物，在常温下能够与单晶压电衬底表面发生反应，去除包括压电薄膜层的单晶压电衬底表面的微粒杂质以及聚合物。

具体地，钝化层与压电薄膜层在清洗剂中的腐蚀速率比小于1:10，钝化层的腐蚀速率远远慢于压电薄膜层，能够大大降低钝化层的腐蚀量，减小钝化层在制备过程中产生的厚度偏差，有利于使最终产品的厚度更加贴近预期厚度；并且，在相同的清洗时间下，钝化层的腐蚀量远小于压电薄膜层的腐蚀量，既能够使清洗剂停留足够的时间以达到清洗目的，又能够避免钝化层出现腐蚀穿孔，影响压电薄膜层的性能。

具体地，S5步骤中进行剥离处理是为了能够将键合结构沿损伤层分离，从而暴露出压电薄膜层；在一个可能的实施方式中，剥离处理可以选择为第二退火处理，该第二退火处理在100～300℃的第二退火温度下进行，退火时间为3～100h，退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种，使得损伤层能够充分分离，同时又不会对损伤层以外的结构造成损坏，保证单晶压电薄膜最终产品结构的稳定性以及性能的优异性，提升最终产品良率。

具体地，在所述对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜之后，即在S5步骤之后，所述制备方法还包括：

对所述单晶压电薄膜进行表面处理，以去除所述损伤层。

S5步骤中，沿损伤层分离时，压电薄膜层的表面可能还残留有一定量的损伤层，并且剥离处理后的表面并不平整，对单晶压电薄膜的性能会造成不良影响；表面处理能够去除剩余的损伤层，增加压电薄膜层表面的平整度与光滑性，有利于提升产品性能；而在本说明书的一个可能的实施方式中，表面处理可以包括高温退火处理与化学机械抛光处理，去除效率高，表面平整度好；其中，高温退火处理的退火温度可以为300～1000℃，退火氛围可以选择N₂、O₂与Ar中的至少一种。

本实施例还提供一种单晶压电薄膜，由以上所述的单晶压电薄膜的制备方法得到，如图2所示，该单晶压电薄膜包括支撑衬底2、钝化层11与压电薄膜层12，其中，钝化层11位于支撑衬底2与压电薄膜层12之间，钝化层的厚度为2～20nm，优选为2～10nm，在清洗处理的过程中能够有效保护压电薄膜层12，防止压电薄膜层12被清洗剂腐蚀，使得生产出的单晶压电薄膜的厚度与预期厚度之间偏差较小，且各处厚度较为均匀，从而提升产品良率，保证产品性能优异。

具体地，清洗剂对钝化层11的腐蚀速率低，则在整个制备过程中，钝化层11的总体腐蚀量也相应降低，有利于维持钝化层11厚度在预期厚度之内；在本实施例中，钝化层11的厚度偏差小于0.5nm，该厚度偏差极小，甚至可以忽略不计，有利于减少单晶压电薄膜厚度与预期厚度之间的偏差，提升产品性能。

具体地，在本说明书的一个可能的实施方式中，支撑衬底2可以选择硅材质的支撑衬底，也可以选择碳化硅、蓝宝石或者石英材质，性质稳定，支撑也稳定。

实施例2

如附图3与附图4所示，本实施例与实施例1的不同之处在于，支撑衬底2包括支撑层21与隔离层23，其中，隔离层23位于支撑层21与钝化层11之间，支撑层21起到支撑作用，而隔离层23起到光学隔离的作用，即该单晶压电薄膜的结构由下至上为支撑层21、隔离层23、钝化层11与压电薄膜层12；在本说明书的一个可能的实施方式中，支撑层21的材质可以选择为硅、碳化硅、蓝宝石与石英中的至少一种；在本说明书的另一个可能的实施方式中，隔离层23的材质可以选择SiO₂与AlN等，通过物理气相沉积或者化学气相沉积形成于支撑层21上方。

则在S4步骤中进行键合处理时，是将清洗后的单晶压电衬底沿加工表面与支撑衬底中隔离层的表面进行键合处理，得到键合结构。

在本实施例的一个具体实施方式中，该单晶压电薄膜的制备方法可以包括以下步骤：

在300℃的第一退火温度下，对铌酸锂衬底的加工表面进行第一退火处理，以在加工表面形成钝化层；

从加工表面对铌酸锂衬底进行离子注入处理，注入离子为He离子，注入能量为240KeV，注入剂量为4х10¹⁶/cm²，使得铌酸锂衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括压电薄膜层的铌酸锂衬底；

采用浓度为H₂O₂:NH₃:H₂O＝1:1:8的清洗剂将上述包括压电薄膜层的铌酸锂衬底清洗3min，得到清洗后的铌酸锂衬底；

取包括氧化硅隔离层与硅支撑层的支撑衬底，将清洗后的铌酸锂衬底沿加工表面与支撑衬底中隔离层的表面进行键合处理，得到键合结构；

在250℃的第二退火温度下，对键合结构进行第二退火处理，退火3h，使得键合结构沿损伤层分离，得到表面为压电薄膜层的单晶压电薄膜；

通过高温退火和化学机械抛光，去除单晶压电薄膜表面的损伤层，得到单晶压电薄膜的最终产品，该单晶压电薄膜的最终产品厚度与预期厚度之间的偏差较小，并且各处厚度较为均匀。

实施例3

如附图5与附图6所示，本实施例与实施例1的不同之处在于，支撑衬底2包括支撑层21、缺陷层22与隔离层23，缺陷层22位于支撑层21与隔离层23之间，而隔离层与钝化层11相接，则该单晶压电薄膜的结构由下至上为支撑层21、缺陷层22、隔离层23、钝化层11与压电薄膜层12；其中，缺陷层22与支撑层21的晶体结构相同，元素成分也相同；在本说明书的一个可能的实施方式中，该缺陷层22可以选择为多晶材料层或者多孔材料层，可以通过对支撑衬底2进行离子注入形成，也可以通过物理气相沉积或者化学气相沉积得到。

在本实施例的一个具体实施方式中，该单晶压电薄膜的制备方法可以包括以下步骤：

在350℃的第一退火温度下，对铌酸锂衬底的加工表面进行第一退火处理，以在加工表面形成钝化层；

从加工表面对铌酸锂衬底进行离子注入处理，注入离子为He离子，注入能量为280KeV，注入剂量为4.5х10¹⁶/cm²，使得铌酸锂衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括压电薄膜层的铌酸锂衬底；

采用浓度为H₂O₂:NH₃:H₂O＝1:1:6的清洗剂将上述包括压电薄膜层的铌酸锂衬底清洗10min，得到清洗后的铌酸锂衬底；

取包括氧化硅隔离层、缺陷层与硅支撑层的支撑衬底，将清洗后的铌酸锂衬底沿加工表面与支撑衬底中隔离层的表面进行键合处理，得到键合结构；

在250℃的第二退火温度下，对键合结构进行第二退火处理，退火6h，使得键合结构沿损伤层分离，得到表面为压电薄膜层的单晶压电薄膜；

通过高温退火和化学机械抛光，去除单晶压电薄膜表面的损伤层，得到单晶压电薄膜的最终产品，该单晶压电薄膜的最终产品厚度与预期厚度之间的偏差较小，并且各处厚度较为均匀。

对比例1

该对比例不进行S1步骤的第一退火处理，也不进行S3步骤的清洗处理，其余步骤与实施例1相同。

对比例2

该对比例不进行S1步骤的第一退火处理，其余步骤与实施例1相同。

检测本申请与上述对比例所制备的单晶压电薄膜的厚度分布，如附图7所示，图中左侧图a)为对比例1中制备得到的单晶压电薄膜的厚度分布示意图，中间图b)为本申请制备得到的单晶压电薄膜的厚度分布示意图，右侧图c)为对比例2中制备得到的单晶压电薄膜的厚度分布示意图；则通过对比例1与对比例2的对比，图c)中显示各处厚度分布十分不均匀，并且与图a)中显示的厚度分布相比，明显比未进行清洗处理的单晶压电薄膜要薄很多，即对比例1与对比例2所制备的单晶压电薄膜之间厚度偏差较大，说明S3步骤中的清洗处理在很大程度上会使得单晶压电薄膜变薄，并且会造成单晶压电薄膜厚度的不均匀；而本申请制备得到的单晶压电薄膜的厚度与对比例1中单晶压电薄膜的厚度偏差极小，代表S1步骤中形成的钝化层对压电薄膜层起到了十分有效的保护作用，极大地避免了清洗处理对压电薄膜层造成的腐蚀，并且，与对比例2相比，图b)中也显示本申请的单晶压电薄膜各处厚度较为均匀，说明钝化层的保护还能够有利于提升产品厚度的均匀性，从而使得产品良率也得到极大的提升。

以上所描述的仅为本申请的一些实施例而已，并不用于限制本申请，本行业的技术人员应当了解，本申请还会有各种变化和改进，任何依照本申请所做的修改、等同替换和改进都落入本申请所要求的保护的范围内。

Claims (13)

1.一种单晶压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

S1，对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在所述加工表面形成钝化层；其中，所述单晶压电衬底的材质为单晶铌酸锂；

S2，从所述加工表面对所述单晶压电衬底进行离子注入处理，使得所述单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底；其中，所述压电薄膜层位于所述钝化层与所述损伤层之间；

S3，采用清洗剂对包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底进行清洗处理，得到清洗后的所述单晶压电衬底；

S4，将清洗后的所述单晶压电衬底沿所述加工表面与支撑衬底进行键合处理，得到键合结构；

S5，对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层的元素组分与所述压电薄膜层的元素组分相同，所述钝化层中元素的化学计量比与所述压电薄膜层中元素的化学计量比不同。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层中锂元素、氧元素与铌元素的化学计量比为(0.1-0.8)：(2.5-3)：1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理的第一退火温度为200～500℃，所述第一退火处理的退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理的注入离子为He离子或者H离子，注入能量为200～300KeV，注入剂量为1х10¹⁶～5х10¹⁶/cm²。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述清洗处理的清洗时间为3～30min，所述清洗剂由去离子水、过氧化氢与氨组成，所述清洗剂中去离子水、过氧化氢与氨的配质量比为(0-10)：1:1。

7.根据权力要求6所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层和所述压电薄膜层在所述清洗剂中的腐蚀速率比小于1：10。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述剥离处理为第二退火处理，所述第二退火处理的第二退火温度为100～300℃，退火时间为3～100h；所述第二退火处理的退火环境为N₂、O₂与Ar中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜之后，所述制备方法还包括：

对所述单晶压电薄膜进行表面处理，以去除所述损伤层。

10.一种单晶压电薄膜，其特征在于，所述单晶压电薄膜由如权利要求1-8任一项所述的单晶压电薄膜的制备方法得到，包括支撑衬底、钝化层与压电薄膜层，所述钝化层位于所述支撑衬底与所述压电薄膜层之间，所述钝化层的厚度为2～20nm。

11.根据权力要求10所述的单晶压电薄膜，其特征在于，所述钝化层的厚度偏差小于0.5nm。

12.根据权力要求10所述的单晶压电薄膜，其特征在于，所述支撑衬底为硅、碳化硅、蓝宝石与石英中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的单晶压电薄膜，其特征在于，所述支撑衬底包括支撑层与隔离层，所述隔离层位于所述支撑层与所述钝化层之间。

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