CN116669523A - 一种热释电复合薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种热释电复合薄膜的制备方法，具体为向薄膜晶圆的一面依次注入剥离气体离子和导电金属离子，使薄膜晶圆中依次形成薄膜层、损伤层和余质层；使薄膜晶圆注入片的薄膜层与衬底晶圆的隔离层键合，得到键合体；对键合体进行热处理，损伤层中剥离离子形成气泡分离层将薄膜晶圆分离成两部分，带有薄膜层的衬底晶圆即为热释电复合薄膜。本发明通过先注入剥离离子、再向损伤层中注入导电金属离子形成薄膜层、损伤层和余质层，在离子注入和热处理的作用下，剥离离子在损伤层形成分离气泡层，使得薄膜晶圆断裂，导电金属离子使薄膜层两侧的正负电荷抵消，减小了热释电效益，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种热释电复合薄膜的制备方法。
背景技术
铌酸锂或钽酸锂等薄膜晶圆由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点，而被广泛的应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域。目前，用于制备铌酸锂或钽酸锂薄膜的方法主要包括外延生长法、离子注入和键合分离法、离子注入和研磨抛光法。铌酸锂等热释电材料的智能剥离技术是通过向铌酸锂等热释电材料注入氢/氦等离子制备复合薄膜的技术，是国际上复合薄膜材料的主流制备技术。主要工艺步骤有：(1)利用入氢/氦等离子注入在铌酸锂等热释电材料中形成薄膜层和损伤层；(2)将注氢片与另一支承片键合；(3)经适当的热处理使注入片从损伤层处完整裂开，形成复合薄膜结构；(4)对表面进行化学机械抛光，去掉残留损伤，为器件制备提供光滑表面。如申请号为CN201310109350.7的专利公开了薄膜和制造薄膜的方法、申请号为CN 202111452356.5的专利公开了一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件等，上述专利都是通过离子注入法制备得到复合薄膜。
在进行热处理时，铌酸锂等热释电材料在薄膜层和余质层的两侧会因温度变化而释放电子，在薄膜层靠近损伤层表面形成正电荷，而余质层在靠近损伤层的表面形成负电荷，正负电荷相互吸引，加剧了热释电效应。因为损伤层不是平滑的，余质层和薄膜层距离越近的地方这种热释电效应约容易积累电荷，在靠近损伤层的薄膜层表面形成的正电荷和在靠近功能层薄膜层表面的负电荷最终会使薄膜层材料极化，导致该点的相位出现变化。薄膜在后续制作波导时，极化可能引起较大损耗；制作周期极化时，增加展宽比，从而影响其在电器元件中的使用。
发明内容
针对上述现有技术，本发明的目的是提供一种热释电复合薄膜的制备方法。本发明通过先注入剥离离子、再向损伤层中注入导电金属离子形成薄膜层、损伤层和余质层，在后续热处理时剥离离子在损伤层形成分离气泡层，使得薄膜层与余质层分离。热处理时，导电金属离子使薄膜层两侧的正负电荷抵消，减小了热释电效果，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面，提供一种热释电复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)向薄膜晶圆的一面依次注入剥离气体离子和导电金属离子，使薄膜晶圆中依次形成薄膜层、损伤层和余质层，得到薄膜晶圆注入片；
(2)将薄膜晶圆注入片与衬底晶圆键合，得到键合体；
(3)对键合体进行热处理，键合体在损伤层分离成两部分，得到带有薄膜层的衬底晶圆即为热释电复合薄膜。
优选的，步骤(1)中，所述薄膜晶圆为热释电材料；
更为优选的，所述热释电材料为钽酸锂、铌酸锂、硫酸三甘肽、铌酸锶钡、钛酸铅和聚偏氟乙烯或锗酸铅。
优选的，步骤(1)中，所述剥离气体离子为氦离子、氢离子、氮离子、氧离子或氩离子；所述剥离气体离子的注入剂量为1×1014ions/cm2-1×1017ions/cm2。
注入氢离子时，注入剂量可以为3×1016ions/cm2～8×1016ions/cm2，注入能量可以为100KeV～400KeV；注入氦离子时，注入剂量可以为1×1016ions/cm2～1×1017ions/cm2，注入能量可以为50KeV～1000KeV。
优选的，步骤(1)中，所述导电金属离子为铝离子、铜离子、锌离子、镁离子或镉离子；所述导电金属离子的注入剂量为1×1014ions/cm2-1×1017ions/cm2。
离子注入的温度为130～190℃。
优选的，步骤(1)中，导电金属离子注入薄膜晶圆后扩散宽度的半高宽覆盖剥离气体离子注入薄膜晶圆后扩散宽度的半高宽。
导电金属离子注入的深度与剥离气体离子注入的深度要一致。
离子注入深度为薄膜层的厚度，可以通过调整离子注入深度来调整薄膜层的厚度：离子注入的深度越大，制备的薄膜层的厚度越大；相反，离子注入的深度越小，制备的薄膜层的厚度越小。离子注入剂量决定损伤层的厚度，可以通过调整离子注入剂量来调整离子损伤层的扩散宽度：离子注入的剂量越大，离子损伤层的扩散宽度越宽；相反，离子注入的剂量越小，离子损伤层的扩散宽度越窄。薄膜层和损伤层以外的部分为余质层。
薄膜层的厚度为0～1μm，损伤层的厚度为1～1.3μm。
优选的，步骤(2)中，所述衬底晶圆的材质为硅、蓝宝石、石英、碳化硅、氮化硅、铌酸锂、钽酸锂、石英玻璃、陶瓷中的至少一种。
更为优选的，所述衬底晶圆上设有隔离层；所述薄膜晶圆的薄膜层与衬底晶圆的隔离层键合，得到键合体；
所述隔离层的材质为二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅中的至少一种。
更为优选的，所述衬底晶圆与隔离层之间设有介质层；所述介质层的材质为多晶硅、非晶硅、多晶碳化硅、非晶碳化硅、多晶氮化硅、非晶氮化硅、多晶锗、非晶锗中的至少一者。
所述隔离层的厚度为200～3000nm，所述介质层的厚度为300～5000nm。
介质层可以位于衬底晶圆的一面或者两面，制作方法可以为沉积法沉积多晶硅或者单晶硅、腐蚀法在单晶硅表面产生腐蚀损伤层、注入法产生注入损伤层；然后再在介质层上制作隔离层。制备隔离层的方式可以为沉积或氧化，沉积的方式不作限定，可以为化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、磁控溅射等，化学气相沉积包括PECVD、LPCVD或者MOCVD等。
介质层中存在一定密度的晶格缺陷，可以捕获存在于隔离层和衬底基板之间的载流子，避免这些载流子引起第一隔离层与衬底基板界面处的载流子聚集，降低复合薄膜的损耗。
优选的，步骤(3)中，所述热处理包括第一次退火和第二次退火；所述第一次退火的温度为180-300℃，时间为1～100h；所述第二次退火的温度为300-600℃，时间为1～100h。
优选的，热处理后还包括磨边、抛光、清洗处理。
本发明的第二方面，提供上述制备方法制备得到的热释电复合薄膜。
本发明的第三方面，提供上述制备方法在降低热释电复合薄膜的薄膜层极化中的用途。
本发明的有益效果：
(1)本发明利用入剥离气体离子注入在铌酸锂等热释电材料中形成一次损伤，在注入导电金属离子形成二次损伤，使热释电材料分成了薄膜层、损伤层以及余质层的三层结构。导电金属离子注入后在损伤层中形成导电结构，能够将损伤层两侧的正负电荷导通，特别是在后续热处理时，损伤层的两侧电荷正负电荷抵消，减小了热释电效益，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。
(2)本发明通过两次注入不同的离子，可在后续的二次热处理，使损伤层的两侧电荷正负电荷抵消，减小了热释电效益，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。该方法简单、高效，制备得到的复合薄膜可以在非线性光学、铁电、压电、电光等领域推广应用。
附图说明
图1：本发明的制备过程示意图，其中，1-薄膜晶圆，101-余质层，102-损伤层，103-薄膜层，2-衬底晶圆，201-介质层，202-隔离层；
图2：实施例1注入剥离气体离子(a)和注入导电金属离子(b)后的注入能量图；
图3：实施例2注入剥离气体离子(a)和注入导电金属离子(b)后的注入能量图；
图4：实施例3注入剥离气体离子(a)和注入导电金属离子(b)后的注入能量图；
图5：实施例4注入剥离气体离子(a)和注入导电金属离子(b)后的注入能量图；
图6：实施例5注入剥离气体离子(a)和注入导电金属离子(b)后的注入能量图；
图7：实施例1制备的复合薄膜放大50倍的显微镜照片；
图8：对比例1制备的复合薄膜放大50倍的显微镜照片。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
正如背景技术部分介绍的，在进行热处理时，铌酸锂等热释电材料在薄膜层和余质层的两侧会因温度变化而释放电子，在薄膜层靠近损伤层表面形成正电荷，而余质层在靠近损伤层的表面形成负电荷，正负电荷相互吸引，加剧了热释电效应。因为损伤层不是平滑的，余质层和薄膜层距离越近的地方这种热释电效应约容易积累电荷，在靠近损伤层的薄膜层表面形成的正电荷和在靠近功能层薄膜层表面的负电荷最终会使薄膜层材料极化，导致该点的相位出现变化。
基于此，本发明的目的是提供一种复合薄膜的制备方法。如图1所示，本发明通过向薄膜晶圆中两次注入不同的离子：剥离气体离子和导电金属离子，第一次注入剥离气体离子、第二次注入的导电金属离子使得薄膜晶圆沿注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层。然后再进行两次退火：第一次退火温度范围在180-300℃，目的是使键合体在损伤层处由剥离离子形成分离气泡层，键合体在分离气泡层断裂，剥离掉余质层，剩余薄膜层键合到衬底晶圆上得到复合薄膜剥离掉余质层，使得薄膜层和余质层分离；第二次退火温度范围在300℃-600℃，目的是消除注入损伤，将位于损伤层两侧的正负电荷导通，使得损伤层的两侧电荷相互，减少热释电。在热处理过程中，第一次退火中损伤层内形成分离气泡层，例如，H离子形成氢气，He离子形成氦气等，随着热处理进展，损伤层内的气泡连成一片，最后损伤层裂开，将余质层与薄膜层分离，从而使余质层由键合体上剥离下来，在处理后的衬底顶表面形成薄膜层；第二次注入的金属导电离子在损伤层中形成导电结构，将位于损伤层两侧的正负电荷导通，使得损伤层的两侧电荷正负电荷抵消，减少热释电。之后对薄膜层进行抛光减薄至50-3000nm，得到热释电复合薄膜。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合具体的实施例详细说明本申请的技术方案。
说明：本发明对薄膜晶圆与衬底晶圆(带介质层和隔离层)键合的方式不做特别限定，可以采用现有技术中任意一种薄膜晶圆与衬底晶圆(带介质层和隔离层)键合的方式，例如，将薄膜晶圆的键合面进行表面活化，将衬底晶圆(带介质层和隔离层)的键合面也进行表面活化，再将两个活化后的表面进行键合，获得键合体。具体的对二氧化硅面(隔离层)和薄膜晶圆薄膜层面进行清洗，采用等离子体键合的方法将清洗后的薄膜晶圆的薄膜层与二氧化硅层进行键合，形成键合体；然后将键合体放入加热设备内在高温下进行保温，直至余质层从键合体上分离下来形成铌酸锂单晶薄膜。
本发明对衬底晶圆上制作介质层、介质层上制作隔离层的方法不做特别限定，均可以采用现有技术中的沉积法、腐蚀法、注入法在衬底晶圆上制备介质层，可采用化学气相沉积(CVD，包括PECVD、LPCVD或者MOCVD)、物理气相沉积(PVD)、磁控溅射或氧化法等在介质层上制备隔离层。
本发明实施例中所用的试验材料均为本领域常规的试验材料，均可通过商业渠道购买得到。
实施例1
1、提供一片200μm硅晶圆和一片200μm铌酸锂晶圆，将硅晶圆或者铌酸锂分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的铌酸锂晶圆进行第一次离子注入氦离子He+，如图2所示，第一次离子注入的深度为262nm，注入的能量为50kev，注入的剂量为2×1016ions/cm2，然后进行第二次离子注入Cu+，第二次离子注入的深度为265nm，注入的能量为500kev，注入的剂量为2×1016ions/cm2，使铌酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片。
3、在清洗后的硅晶圆上用LPCVD法制作二氧化硅层，然后进行化学机械抛光至厚度为100nm，获得光滑表面，RCA清洗得到洁净表面；
4、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
5、将键合体放入退火炉中，160℃下保温18小时，然后进行第二次退火，第二次退火的温度为600℃，时间为10h。键合体在第一次注入非金属气体离子形成损伤层，第二次注入的金属导电离子在损伤层中形成导电结构，将位于损伤层两侧的正负电荷导通，使得损伤层的两侧电荷正负电荷抵消，减少热释电。第一次退火使得键合体在损伤层形成分离气泡层，键合体在分离气泡层裂开，剥离掉余质层，剩余薄膜层键合到衬底晶圆上得到复合薄膜。第二次退火目的是消除注入产生的损伤。
6、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至600nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
实施例2
1、提供一片200μm硅晶圆和一片250μm钽酸锂晶圆，将氮化硅晶圆或者钽酸锂晶圆分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的钽酸锂晶圆采用剥离离子注入法注入氢离子H+，如图3所示，第一次离子注入的深度为589nm，注入的能量为100kev，注入的剂量为3×1016ions/cm2，然后进行第二次离子注入Al+，第二次离子注入的深度为583nm，注入的能量为690kev，注入的剂量为3×1016ions/cm2，使钽酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片；
3、在清洗后的氮化硅晶圆上用PECVD法制作多晶硅，厚度为1μm，即为介质层；
4、在介质层上用热氧化法制作二氧化硅层(隔离层)，然后进行化学机械抛光获得光滑表面，厚度为1μm，RCA清洗得到洁净表面；
5、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
6、将键合体放入退火炉中，在200℃下保温13小时，然后进行第二次退火，第二次退火的温度为500℃，时间为13h。
7、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至600nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
实施例3
1、提供一片500μm碳化硅晶圆和一片500μm钽酸锂晶圆，将碳化硅晶圆或者钽酸锂晶圆分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的钽酸锂晶圆采用剥离离子注入法注入氮离子N+，如图4所示，第一次离子注入的深度为214nm，注入的能量为150kev，注入的剂量为4×1016ions/cm2，然后进行第二次离子注入Zn+。第二次离子注入的深度为212nm，注入的能量为550kev，注入的剂量为4×1016ions/cm2，使铌酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片；
3、在清洗后的碳化硅晶圆上用PVD法制作厚度为10μm的非晶硅，作为介质层；
4、在介质层上用PVD法制作二氧化硅层(隔离层)，然后进行化学机械抛光获得光滑表面，厚度为10μm，RCA清洗得到洁净表面；
5、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
6、将键合体放入退火炉中，150℃下保温20小时，然后进行第二次退火，第二次退火的温度为400℃，时间为20h。
7、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至800nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
实施例4
1、提供一片200μm氮化硅晶圆和一片250μm铌酸锂晶圆，将氮化硅晶圆或者铌酸锂晶圆分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的铌酸锂晶圆采用剥离离子注入法注入氧离子O-，如图5所示，第一次离子注入的深度为163nm，注入的能量为100kev，注入的剂量为1×1016ions/cm2，然后进行第二次离子注入Cd+，第二次离子注入的深度为163nm，注入的能量为550kev，注入的剂量为1×1016ions/cm2，使铌酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片；
3、在清洗后的氮化硅晶圆上用PECVD法制作多晶硅，厚度为1μm，即为介质层；
4、在介质层上用热氧化法制作二氧化硅层(隔离层)，然后进行化学机械抛光获得光滑表面，厚度为1μm，RCA清洗得到洁净表面；
5、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
6、将键合体放入退火炉中，在180℃下保温14小时，然后进行第二次退火，第二次退火温度为450℃，时间为14h。
7、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至600nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
实施例5
1、提供一片300μm硅晶圆和一片400μm钽酸锂晶圆，将硅晶圆或者钽酸锂晶圆分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的铌酸锂晶圆采用剥离离子注入法注入氩离子Ar+，如图6所示，第一次离子注入的深度为233nm，注入的能量为400kev，注入的剂量为2×1016ions/cm2，然后进行第二次离子注入Mg+，第二次离子注入的深度为244nm，注入的能量为230kev，注入的剂量为2×1016ions/cm2，使铌酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片。
3、在清洗后的硅晶圆上用PVD法制作非晶硅，厚度为500nm，即为介质层；
4、在介质层上用PECVD法制作二氧化硅层，厚度为5μm，然后进行化学机械抛光获得光滑表面，RCA清洗得到洁净表面；
5、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
6、将键合体放入退火炉中，210℃下保温12小时，然后进行第二次退火，第二次退火温度为550℃，时间为12h。
7、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至600nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
对比例1
与实施例1的区别在于，不注入导电金属离子，退火只执行第一次退火，具体过程为：
1、提供一片200μm硅晶圆和一片200μm铌酸锂晶圆，将硅晶圆或者铌酸锂分别固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，进行化学机械抛光处理获得光滑表面，然后对两种晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净表面；
2、对步骤1处理后的铌酸锂晶圆进行离子注入氦离子He+，离子注入的深度为262nm，注入的能量为50kev，注入的剂量为2×1016ions/cm2，使铌酸锂晶圆从注入面依次形成薄膜层、损伤层、余质层，得到薄膜晶圆注入片。
3、在清洗后的硅晶圆上用LPCVD法制作二氧化硅层，然后进行化学机械抛光至厚度为100nm，获得光滑表面，RCA清洗得到洁净表面；
4、将薄膜晶圆注入片的薄膜层与二氧化硅层接触，采用直接键合法键合，得到键合体；
5、将键合体放入退火炉中，160℃下保温18小时，键合体在损伤层中形成分离气泡层，键合体在分离气泡层处剥离掉余质层。
6、将复合薄膜固定在抛光设备的多孔陶瓷吸盘上，对薄膜层进行化学机械抛光处理直至600nm，然后进行RCA清洗，获得洁净表面。
实施例1制备的复合薄膜的显微镜照片如图7所示，对比例1制备的复合薄膜的显微镜照片如图8所示，可以看出，实施例1制备的复合薄膜中的缺陷显著少于对比例1制备的复合薄膜。经显微镜观察缺陷测算，实施例1制备的复合薄膜与对比例1制备的复合薄膜相比，薄膜片的缺陷极化点降低了90％以上。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种热释电复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)向薄膜晶圆的一面依次注入剥离气体离子和导电金属离子，使薄膜晶圆中依次形成薄膜层、损伤层和余质层，得到薄膜晶圆注入片；
(2)将薄膜晶圆注入片与衬底晶圆键合，得到键合体；
(3)对键合体进行热处理，键合体在损伤层分离成两部分，得到带有薄膜层的衬底晶圆即为热释电复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述薄膜晶圆为热释电材料；
优选的，所述热释电材料为钽酸锂、铌酸锂、硫酸三甘肽、铌酸锶钡、钛酸铅和聚偏氟乙烯或锗酸铅。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述剥离气体离子为氦离子、氢离子、氮离子、氧离子或氩离子；所述剥离气体离子的注入剂量为1×1014ions/cm2-1×1017ions/cm2。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述导电金属离子为铝离子、铜离子、锌离子、镁离子或镉离子；所述导电金属离子的注入剂量为1×1014ons/cm2-1×1017ions/cm2。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，导电金属离子注入薄膜晶圆后扩散宽度的半高宽覆盖剥离气体离子注入薄膜晶圆后扩散宽度的半高宽。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述衬底晶圆的材质为硅、蓝宝石、石英、碳化硅、氮化硅、铌酸锂、钽酸锂、石英玻璃、陶瓷中的至少一种；
优选的，所述衬底晶圆上还设有隔离层；所述薄膜晶圆的薄膜层与衬底晶圆的隔离层键合，得到键合体；
所述隔离层的材质为二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述衬底晶圆与隔离层之间设有介质层；所述介质层的材质为多晶硅、非晶硅、多晶碳化硅、非晶碳化硅、多晶氮化硅、非晶氮化硅、多晶锗、非晶锗中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述热处理包括第一次退火和第二次退火；所述第一次退火的温度为180-300℃，时间为1～100h；所述第二次退火的温度为300-600℃，时间为1～100h。
9.权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到的热释电复合薄膜。
10.权利要求1～8任一项所述的制备方法在降低热释电复合薄膜的薄膜层极化中的用途。
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| CN202310771788.5A CN116669523A (zh) | 2023-06-28 | 2023-06-28 | 一种热释电复合薄膜的制备方法 |
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