JPH10253935A

JPH10253935A - 液晶表示装置の製法

Info

Publication number: JPH10253935A
Application number: JP5272097A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Kitabayashi; 宏佳北林; Haruhisa Fujii; 治久藤井; Takayuki Oishi; 貴之大石
Original assignee: Advanced Display Inc; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Advanced Display Inc; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-03-07
Filing date: 1997-03-07
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】静電気の発生自体を安定して長期間防止する
ことができる液晶表示装置の製法を提供することを目的
とする。【解決手段】絶縁性基板たるガラス基板１上に液晶素
子を形成する工程を含む液晶表示装置の製法であって、
ガラス基板上に液晶素子を形成する工程においてガラス
基板に接触する部材たるＯリング３の材料として、ガラ
ス基板の組成と等しい組成を有する物質、およびガラス
基板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方
を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電気の発生を防
止することができる液晶表示装置の製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、２枚の絶縁性基板と、
該２枚の絶縁性基板表面に形成された液晶素子と、２枚
の絶縁性基板が貼り合わされたのちに該２枚の絶縁性基
板のうちの一方の絶縁性基板表面に貼りつけられる１枚
の偏光板とからなる。前記液晶素子は、たとえば、液晶
材料と、該液晶材料を挟持する２種類の電極と、該２種
類の電極にそれぞれ所定の電圧を印加するための配線
と、ＲＧＢの３原色からなるカラーフィルタとを含んで
なる。

【０００３】前記液晶表示装置を製造する際には、通
常、液晶表示装置を構成する部品を移載および搬送する
ための装置（以下、単に「移載および搬送装置」とい
う）が用いられる。液晶表示装置の製造工程において
は、液晶表示装置を構成する部品であるたとえば絶縁性
基板と、移載および搬送装置との剥離や摩擦などによっ
て、絶縁性基板が静電気を帯びるばあいが多々ある。同
時に、移載および搬送装置の絶縁性基板に接触していた
部材は、絶縁性基板に帯電した静電気と逆の極性の静電
気を帯びる。前記静電気によって周囲の塵埃が絶縁性基
板に引き寄せられ、絶縁性基板に塵埃が付着すると、液
晶表示装置の製造工程の歩留まりが低下するという問題
が生じる。また、絶縁性基板に帯電した静電気の量によ
っては、絶縁性基板と外部とのあいだで放電が発生し、
絶縁性基板表面上に形成された液晶素子が損傷を受け、
液晶素子が不良となるばあいがある。したがって、静電
気の発生を防止したり、発生した静電気を絶縁性基板か
ら速やかに逃がすことができる方策を講じることは、歩
留まりの向上を図るために極めて重要なことである。

【０００４】前述のような観点にもとづく、発生した静
電気を速やかにリークさせる（逃がす）ことができる装
置の一例として特開平７−３７９６２号公報に開示され
た移載および搬送装置があり、図６を用いて説明する。
図６は、従来の移載および搬送装置の一例を示す説明図
である。図６において、１０１はアーム、１０２はアー
ム１０１の先端に取り付けられたチャック、１０３はチ
ャック１０２の先端の吸引部、１０４は半導体ウエハ
（想像線を用いて示される）、１０５は接地点を示す。
アーム１０１およびチャック１０２は、アルミニウムま
たはアルミニウム合金と、該アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金の表面に形成され多数の微細な孔を有する陽
極酸化被膜（アルマイト被膜）と、陽極酸化被膜表面に
塗布されたフッ素系樹脂とからなる。

【０００５】前記陽極酸化被膜およびフッ素系樹脂から
なる処理層の厚さは４０μｍ以下である。また、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなるアーム１０１お
よびチャック１０２から、接地点１０５までのあいだは
絶縁性の部材を一切介していない。

【０００６】前記フッ素系樹脂は薄いので、フッ素系樹
脂の表面に静電気が帯電することはない。さらに、半導
体ウエハ１０４に接触する部分、すなわち吸引部１０３
から接地点１０５に至るまで絶縁性の部材が介在しな
い。したがって、移載および搬送装置および半導体ウエ
ハ１０４のあいだで発生した静電気を効率的に、かつ完
全に接地点１０５から移載および搬送装置外部に逃がす
ことができる。また、フッ素系樹脂が表面に塗布されて
いるので、移載および搬送装置の摺接部の耐磨耗性も高
めることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の移載および搬送
装置を用いた液晶表示装置の製法では、絶縁性基板と該
絶縁性基板に接触する部材との接触や磨耗により移載お
よび搬送装置側で発生した静電気を効率的に逃がすこと
ができるが、絶縁性基板の絶縁性のため、絶縁性基板表
面側で発生した静電気を効率よく接地点に逃がすことが
できないばあいがある。さらに、移載および搬送装置の
表面に陽極酸化被膜を形成することが必要であるため、
移載および搬送装置の作製に手間がかかる。また、フッ
素系樹脂が非常に薄いために、該フッ素系樹脂が短期間
で磨耗し、フッ素系樹脂の下の層が露出して効果がえら
れなくなるという問題がある。

【０００８】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたもので、静電気の発生自体を安定して長期間防止す
ることができ、したがって、剥離や摩擦によって、発生
していた静電気を逃がすための方策を考慮する必要がな
い液晶表示装置の製法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】絶縁性基板での静電気の
発生を防止するためには、液晶表示装置を製造するとき
に絶縁性基板に接触する部材の材質に着目する必要があ
る。すなわち、物質Ａ、Ｂの剥離により生じる帯電（以
下、単に「剥離帯電」という）や物質Ａ、Ｂの摩擦によ
り生じる帯電（以下、単に「摩擦帯電」という）などの
静電気は、互いに電気的な特性が違う物質Ａ、Ｂが接触
することによって起こる現象であり、つぎのように解釈
することができる。

【００１０】まずはじめに、剥離帯電では、物質Ａ、Ｂ
が密着している際に、たとえば物質Ａから物質Ｂへマイ
ナスの電荷が移動し、物質Ａがプラスの電気（静電気）
を帯び、物質Ｂがマイナスの電気（静電気）を帯びる。
しかし、この時点では物質Ａ、Ｂが密着しているため、
物質Ａ、Ｂ間の静電容量が極めて大きく、物質Ａ、Ｂの
外部から帯電現象は観察されない。そののち、プラスの
電気を帯びた物質Ａと、マイナスの電気を帯びた物質Ｂ
とが引き離され（剥離され）距離が生じると、物質Ａ、
Ｂ間の静電容量が有限の値になる。したがって、物質
Ａ、Ｂ間で電位が発生し、物質Ａ、Ｂの外部から帯電現
象が観察される。前述のように、剥離という動作により
はじめて帯電現象が観察されるが、該帯電現象は物質
Ａ、Ｂが接触しているあいだに生じる。

【００１１】つぎに、摩擦帯電について説明する。物質
Ａ、Ｂの接触界面を微視的に見れば、物質Ａ、Ｂ表面に
は凹凸があり、該凹凸の形状に応じて物質Ａ、Ｂは部分
的に接触している。接触した状態で摩擦という動作を行
うことにより物質Ａ、Ｂのあいだで接触する部分が増加
する。その結果、物質Ａ、Ｂ間を移動する電荷が増え、
物質Ａ、Ｂそれぞれの帯電量が増大する。したがって、
摩擦帯電も物質Ａ、Ｂが接触することが直接の要因とな
って生じる。

【００１２】前記剥離帯電や摩擦帯電により生じる静電
気は、基本的には電気的な特性が異なる２つの物質Ａ、
Ｂが接触することによって引き起こされる現象であると
考えることができる。また、静電気による液晶表示装置
の不良を防ぐには、静電気の発生を防止する方法と、発
生した静電気を除去する方法とが考えられる。後者のば
あい、液晶表示装置を製造する際に絶縁性基板に接触す
る液晶表示装置を製造するための装置（以下、単に「製
造装置」という）側において、接地を行ったり、絶縁性
基板に接触する部材から接地点へ電荷を逃がすための手
段を講じたりする。しかし、かかる方策により除去でき
るのは製造装置側に帯電した電荷であり、絶縁性基板側
に帯電した電荷は除去できないので、絶縁性基板側に静
電気は発生する。したがって、静電気による液晶表示装
置の不良を防ぐには、静電気の発生を抑制する必要があ
る。本発明ではかかる点に着目した。

【００１３】つぎに、絶縁性基板に接触する物質の材質
の違いによる絶縁性基板の帯電量の違いについて説明す
る。図５は、材質の異なる数種類のプレートを接触させ
たばあいの絶縁性基板の帯電量を示すグラフである。図
５において、縦軸は絶縁性基板の帯電量として電位（Ｖ
（ボルト））、横軸は絶縁性基板とプレートとの総接触
時間（Ｓ（秒））を示す。なお、絶縁性基板としてはガ
ラス基板が用いられ、材質の異なる数種類のプレートと
しては、アルミニウム（Ａｌ）からなるプレートと、酸
化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）からなるプレートと、酸化
シリコン（ＳｉＯ₂）からなるプレートと、チッ化シリ
コン（ＳｉＮｘ、ｘは正数である）からなるプレートと
が用いられた。なお、前記チッ化シリコンからなるプレ
ートの一例として、Ｓｉ₃Ｎ₄からなるプレートが用いら
れた。図中、アルミニウムからなるプレートと接触させ
たときの絶縁性基板の電位は、白抜きの丸形を用いて示
され、酸化アルミニウムからなるプレートと接触させた
ときの絶縁性基板の電位は、白抜きの四角形を用いて示
され、酸化シリコンからなるプレートと接触させたとき
の絶縁性基板の電位は、黒塗りの丸形を用いて示され、
チッ化シリコンからなるプレートと接触させたときの絶
縁性基板の電位は、黒塗りの四角形を用いて示されてい
る。

【００１４】図５に示されるように、接触する材質によ
って絶縁性基板の電位が異なる理由は、プレートの材質
の組成の違いで説明できる。組成の異なる物質は互いの
電気的な特性が異なり、組成の異なる２つの物質を接触
させたばあい、ある物質から別の物質のほうへ電荷が移
動しやすく、すなわち接触時の帯電が発生しやすい。一
方、組成がほぼ等しい２つの物質を接触させたばあい、
電荷の移動量が少なく、すなわち帯電しにくい。図５に
示されているように、ガラス基板にも含まれているＳｉ
を含む物質（以下、「Ｓｉ系物質」という）、ＳｉＯ₂
またはＳｉ₃Ｎ₄をプレートの材料として用いた方が帯電
しにくいことが分かる。

【００１５】さらに、図５において、ＳｉＯ₂とＳｉ₃Ｎ
₄とを比較したばあい、帯電量（電位）が異なる原因
は、ＳｉＯ₂からなるプレートとＳｉ₃Ｎ₄からなるプレ
ートとの比誘電率の差で説明できる。すなわち、ガラス
基板の比誘電率は６．５であるのに対し、ＳｉＯ₂の比
誘電率は４であり、Ｓｉ₃Ｎ₄の比誘電率は７である。し
たがって、ガラス基板の比誘電率により近い誘電率を有
するＳｉ₃Ｎ₄の方がガラス基板は帯電しにくい。

【００１６】このことから、絶縁性基板での静電気の発
生を防止するためには、液晶表示装置を製造する際に、
液晶表示装置を構成する部品の１つである絶縁性基板に
接触する部材の材料として、絶縁性基板の組成と等しい
組成を有する物質、または絶縁性基板の組成とほぼ等し
い組成を有する物質を選べばよく、もしくは、絶縁性基
板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、または絶
縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物
質を選べばよい。このような条件にもとづき絶縁性基板
に接触する部材の材料を選択することによって、絶縁性
基板と該絶縁性基板に接触する部材とのあいだでの静電
気の発生自体を防止できる。同時に、静電気が発生しな
いので、絶縁性基板や該絶縁性基板に接触する部材で発
生した電荷を逃がすことや除電することを考慮する必要
がなく、そのための方策を講じる必要もない。

【００１７】本発明の液晶表示装置の製法は、絶縁性基
板上に液晶素子を形成する工程を含む液晶表示装置の製
法であって、前記絶縁性基板上に液晶素子を形成する工
程において前記絶縁性基板に接触する部材の材料とし
て、前記絶縁性基板の組成と等しい組成を有する物質、
および前記絶縁性基板の組成とほぼ等しい組成を有する
物質のうちの一方を用いるものである。

【００１８】また、前記部材の全体が、前記絶縁性基板
の組成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基
板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方か
らなるものである。

【００１９】また、前記部材の表面が、前記絶縁性基板
の組成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基
板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方か
らなるものである。

【００２０】また、前記物質がシリコンを含む化合物で
ある。

【００２１】また、前記シリコンを含む化合物が、チッ
化シリコン、酸化シリコンおよび炭化シリコンのうちの
１つである。

【００２２】本発明の液晶表示装置の製法は、絶縁性基
板上に液晶素子を形成する工程を含む液晶表示装置の製
法であって、前記絶縁性基板上に液晶素子を形成する工
程において前記絶縁性基板に接触する部材の材料とし
て、前記絶縁性基板の比誘電率と等しい比誘電率を有す
る物質、および前記絶縁性基板の比誘電率との差が小さ
い比誘電率を有する物質のうちの一方を用いるものであ
る。

【００２３】また、前記部材の全体が、前記絶縁性基板
の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記
絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する
物質のうちの一方からなるものである。

【００２４】また、前記部材の表面が、前記絶縁性基板
の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記
絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する
物質のうちの一方からなるものである。

【００２５】また、前記物質がチッ化シリコンである。

【００２６】本発明の液晶表示装置の製法は、２枚の絶
縁性基板上にそれぞれ液晶素子を形成する工程と、前記
２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工程と、該２枚の絶縁
性基板のうちの一方の絶縁性基板の表面に偏光板を貼り
付ける工程とからなる液晶表示装置の製法であって、前
記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以降に実施さ
れる工程において前記偏光板に接触する部材の材料とし
て、前記偏光板の組成と等しい組成を有する物質、およ
び前記偏光板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のう
ちの一方を用いるものである。

【００２７】また、前記部材の全体が、前記偏光板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成
とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなるも
のである。

【００２８】また、前記部材の表面が、前記偏光板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成
とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなるも
のである。

【００２９】本発明の液晶表示装置の製法は、２枚の絶
縁性基板上にそれぞれ液晶素子を形成する工程と、前記
２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工程と、該２枚の絶縁
性基板のうちの一方の絶縁性基板の表面に偏光板を貼り
付ける工程とからなる液晶表示装置の製法であって、前
記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以降に実施さ
れる工程において前記偏光板に接触する部材の材料とし
て、前記偏光板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物
質、および前記偏光板の比誘電率との差が小さい比誘電
率を有する物質のうちの一方を用いるものである。

【００３０】また、前記部材の全体が、前記偏光板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光
板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のう
ちの一方からなるものである。

【００３１】また、前記部材の表面が、前記偏光板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光
板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のう
ちの一方からなるものである。

【００３２】

【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
の液晶表示装置の製法の実施の形態について説明する。

【００３３】実施の形態１．本発明の液晶表示装置の製
法の実施の形態１について説明する。

【００３４】本実施の形態においては、本発明の液晶表
示装置の製法を、液晶表示装置の製造工程中に絶縁性基
板を搬送アームで搬送する際に実施したばあいについて
説明する。図１は、本発明の液晶表示装置の製法の一実
施の形態において用いられる搬送アームを示す説明図で
ある。図１（ａ）は搬送アームを示す上面説明図であ
り、図１（ｂ）は搬送アームを示す側面説明図である。
図１において、１は搬送される絶縁性基板たるガラス基
板、２は、洗浄または乾燥などの処理が終了したガラス
基板１を搬送するための搬送アーム、３は、搬送アーム
２表面上の４箇所に設置され、Ｓｉ₃Ｎ₄でコーティング
されたＯリングを示す。さらに、４は、ガラス基板１を
真空吸着するために設けられた孔を示し、搬送アーム２
の、Ｏリング３の中央の位置に設けられる。

【００３５】洗浄または乾燥などの処理が終了したガラ
ス基板１は、搬送アーム２によって保持され搬送される
が、その際にガラス基板１と接触する部材はＯリング３
のみである。ガラス基板１は、真空吸着によりＯリング
３に密着しているので、滑ることはない。本実施の形態
においては、ガラス基板１に唯一接触するＯリング３は
Ｓｉ₃Ｎ₄でコーティングされているので、ガラス基板１
とＯリング３とが接触しても、ガラス基板１およびＯリ
ング３間での電荷の移動はほとんど生じず、ガラス基板
１にもＯリング３にも静電気が発生することがない。し
たがって、発生した静電気を逃がしたり除電したりする
方策を講じる必要がない。

【００３６】本実施の形態では、ガラス基板１を真空吸
着したばあいを示したが、Ｏリング３上をガラス基板１
が滑ることがないばあい、または滑ってもよいばあいに
は、真空吸着を行わなくてもよく、そのばあいも前述の
効果が損なわれることはない。また、Ｏリング３を４箇
所に設置し、孔４の数も４個としたが、ガラス基板１を
確実に保持でき、さらにガラス基板１がＳｉ₃Ｎ₄でコー
ティングされたＯリング３以外の物質と接触しないよう
になっていればよく、４箇所および４個に限定されず、
かかるばあいも同様の効果がえられる。

【００３７】実施の形態２．つぎに、本発明の液晶表示
装置の製法の実施の形態２について説明する。

【００３８】本実施の形態においては、本発明の液晶表
示装置の製法を、絶縁性基板表面にレジスト液や現像液
を塗布する工程で実施したばあいについて説明する。図
２は、本発明の液晶表示装置の製法の他の実施の形態に
おいて用いられる固定チャックを示す説明図である。図
２（ａ）は固定チャックを示す上面説明図であり、図２
（ｂ）は固定チャックを示す側面説明図である。図２に
おいて、１は固定される絶縁性基板たるガラス基板、５
は、ガラス基板１を真空吸着によって固定する、たとえ
ばアルミニウムからなる部材（以下、「Ａｌ製部材」と
いう）、６は、Ａｌ製部材５の表面に蒸着により設けら
れたＳｉ₃Ｎ₄膜であり、厚さはたとえば１μｍである。
さらに、１４は、ガラス基板１を真空吸着するために設
けられた孔および溝である。孔は、固定チャックの中心
部にガラス基板１表面に対して垂直な方向に沿って設け
られる。溝は、孔を中心部としてガラス基板１表面に対
して水平な方向に沿って放射線状に設けられる。さら
に、図示されていないが、互いに直径の異なる複数のリ
ング状の溝をさらに設け、所定の吸着力をうるようにし
てもよい。

【００３９】ガラス基板１表面にレジスト液や現像液を
塗布する際、ガラス基板１がＳｉ₃Ｎ₄膜６に接触した状
態で、ガラス基板１表面にレジスト液または現像液を塗
布し、そののち、ガラス基板１を固定チャックに真空吸
着させた状態で回転させ、ガラス基板１表面に均一な厚
さのレジスト液または現像液の膜を設ける。

【００４０】かかるばあい、ガラス基板１に接触する部
材がＳｉ₃Ｎ₄膜６であるため、ガラス基板１は帯電する
ことがない。したがって、ガラス基板１から電荷を逃が
したり除電したりすることを考慮する必要がない。ま
た、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６の厚さが１μｍと厚いので、短期間
で、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６が磨耗して下地のＡｌ製部材５が露出
し、ガラス基板１とＡｌ製部材５とが接触するようにな
ることがなく（ガラス基板１とＡｌ製部材５とが接触す
ると帯電が生じやすい）、長期間安定して静電気の発生
を防止することができる。

【００４１】実施の形態３．つぎに、本発明の液晶表示
装置の製法の実施の形態３について説明する。

【００４２】本実施の形態においては、本発明の液晶表
示装置の製法を、絶縁性基板を加熱プレート上で加熱す
る工程で実施したばあいについて説明する。図３は、本
発明の液晶表示装置の製法のさらに他の実施の形態にお
いて用いられる加熱プレートを示す説明図である。図３
において、１は加熱される絶縁性基板たるガラス基板、
７は加熱プレート素材を示し、ＳＵＳ製である。加熱プ
レート素材７のガラス基板１と接触する面は、たとえば
厚さ１μｍのＳｉ₃Ｎ₄膜６でコーティングされている。
加熱プレート素材７の内部には図示されていないがヒー
タが設けられており、加熱プレートを所望の温度に設定
できる。

【００４３】ガラス基板１を加熱する際、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６
に接触するようにガラス基板１を加熱プレート上に載置
する。このとき、ガラス基板１に接触する部材はＳｉ₃
Ｎ₄膜６のみであるため、ガラス基板１が帯電すること
がない。したがって、ガラス基板１から電荷を逃がした
り除電したりすることを考慮する必要がない。また、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄膜６の厚さが１μｍと厚いので、短期間で、Ｓｉ
₃Ｎ₄膜６が磨耗して下地の加熱プレート素材７が露出
し、ガラス基板１とＳＵＳ製の加熱プレート素材７とが
接触するようになることがなく（ガラス基板１とＳＵＳ
製の加熱プレート素材７とが接触すると帯電が生じやす
い）、長期間安定して静電気の発生を防止することがで
きる。

【００４４】前述の実施の形態１〜３において、絶縁性
基板に接触する部材の表面をコーティングするときの材
料としてＳｉ₃Ｎ₄を示したが、これに限定されず、絶縁
性基板の組成と等しい組成を有する物質、または前記絶
縁性基板の組成とほぼ等しい組成を有する物質（酸化シ
リコンおよび炭化シリコンなどのＳｉ系物質）、もしく
は絶縁性基板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物
質、または絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電
率を有する物質を用いても、絶縁性基板での静電気の発
生を防止できるので、静電気の放電により絶縁性基板上
に形成された液晶素子が不良になるのを防止することが
でき、液晶表示装置の製造工程の歩留まりを向上させる
ことができる。また、強度および耐熱性の点で問題がな
ければ、絶縁性基板に接触する部材全体を、絶縁性基板
の組成と等しい組成を有する物質、または前記絶縁性基
板の組成とほぼ等しい組成を有する物質、もしくは絶縁
性基板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、また
は絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有す
る物質を用いて形成してもよい。

【００４５】実施の形態４．つぎに、本発明の液晶表示
装置の製法の実施の形態４について説明する。

【００４６】本実施の形態においては、本発明の液晶表
示装置の製法を、液晶素子が形成された２枚の絶縁性基
板を貼り合わせたのち、さらに偏光板を絶縁性基板の表
面に貼り付ける工程で実施したばあいについて説明す
る。図４は、本発明の液晶表示装置の製法のさらに他の
実施の形態において用いられるローラを示す説明図であ
る。図４（ａ）は、２つのローラで絶縁性基板と偏光板
とを挟み込んでいるところを示す説明図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）に示されるローラを示す拡大説明図
である。図４において、８は、２枚の絶縁性基板が貼り
合わされてなるパネル、９は、パネル８の表面に貼り付
けられる偏光板を示す。さらに、１０は、偏光板９をパ
ネル８の表面に貼り付けるための２つのローラを示す。
図４（ｂ）に示されるように、ローラ１０は、ゴム製の
ローラ素材１０ａと、該ローラ素材１０ａ表面にコーテ
ィングされたＳｉ₃Ｎ₄膜１０ｂとからなる。

【００４７】パネル８に偏光板９を貼り付ける際、２つ
のローラ１０のあいだにパネル８と偏光板９とを挟み、
図中、ＡおよびＢで示される方向にローラ１０を回転さ
せることによって、図中、Ｃで示される方向にパネル８
と偏光板９とが送られ、パネル８に偏光板９が貼り付け
られる。このとき、偏光板９と接触するのはローラ１０
表面のＳｉ₃Ｎ₄膜１０ｂであり、ガラス基板と同様に、
偏光板９とＳｉ₃Ｎ₄膜１０ｂとの接触では電荷の移動は
ほとんど発生しないので、偏光板９が帯電することはな
い。

【００４８】本実施の形態においても、前述の実施の形
態１〜３と同様な効果がえられる。また、前述したＳｉ
₃Ｎ₄膜以外でも、偏光板の組成と等しい組成を有する物
質、または偏光板の組成とほぼ等しい組成を有する物
質、もしくは、偏光板の比誘電率と等しい比誘電率を有
する物質、または偏光板の比誘電率との差が小さい比誘
電率を有する物質からなる膜を用いても、偏光板での静
電気の発生を防止できるので、静電気の放電によりパネ
ルの液晶素子が不良になるのを防止することができ、液
晶表示装置の製造工程の歩留まりを向上させることがで
きる。また、強度の点において問題がなければ、ローラ
全体を偏光板の組成と等しい組成を有する物質、または
偏光板の組成とほぼ等しい組成を有する物質、もしく
は、偏光板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、
または偏光板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有す
る物質を用いて形成してもよい。

【００４９】また、前述の実施の形態１〜４において
は、チッ化シリコンとしてＳｉ₃Ｎ₄が用いられたがこれ
に限定されず、ＳｉＮｘ（ｘは正の整数である）で表現
しうる物質であればよい。

【００５０】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製法は、絶縁性
基板上に液晶素子を形成する工程を含む液晶表示装置の
製法であって、前記絶縁性基板上に液晶素子を形成する
工程において前記絶縁性基板に接触する部材の材料とし
て、前記絶縁性基板の組成と等しい組成を有する物質、
および前記絶縁性基板の組成とほぼ等しい組成を有する
物質のうちの一方を用いるものであるので、絶縁性基板
での静電気の発生を防止できる。

【００５１】また、前記部材の全体が、前記絶縁性基板
の組成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基
板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方か
らなるものであるので、絶縁性基板での静電気の発生を
防止できる。

【００５２】また、前記部材の表面が、前記絶縁性基板
の組成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基
板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方か
らなるものであるので、絶縁性基板での静電気の発生を
防止できる。

【００５３】また、前記物質がシリコンを含む化合物で
あるので、絶縁性基板での静電気の発生を防止できる。

【００５４】また、前記シリコンを含む化合物が、チッ
化シリコン、酸化シリコンおよび炭化シリコンのうちの
１つであるので、絶縁性基板での静電気の発生を防止で
きる。

【００５５】本発明の液晶表示装置の製法は、絶縁性基
板上に液晶素子を形成する工程を含む液晶表示装置の製
法であって、前記絶縁性基板上に液晶素子を形成する工
程において前記絶縁性基板に接触する部材の材料とし
て、前記絶縁性基板の比誘電率と等しい比誘電率を有す
る物質、および前記絶縁性基板の比誘電率との差が小さ
い比誘電率を有する物質のうちの一方を用いるものであ
るので、絶縁性基板での静電気の発生を防止できる。

【００５６】また、前記部材の全体が、前記絶縁性基板
の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記
絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する
物質のうちの一方からなるものであるので、絶縁性基板
での静電気の発生を防止できる。

【００５７】また、前記部材の表面が、前記絶縁性基板
の比誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記
絶縁性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する
物質のうちの一方からなるものであるので、絶縁性基板
での静電気の発生を防止できる。

【００５８】また、前記物質がチッ化シリコンであるの
で、絶縁性基板での静電気の発生を防止できる。

【００５９】本発明の液晶表示装置の製法は、２枚の絶
縁性基板上にそれぞれ液晶素子を形成する工程と、前記
２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工程と、該２枚の絶縁
性基板のうちの一方の絶縁性基板の表面に偏光板を貼り
付ける工程とからなる液晶表示装置の製法であって、前
記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以降に実施さ
れる工程において前記偏光板に接触する部材の材料とし
て、前記偏光板の組成と等しい組成を有する物質、およ
び前記偏光板の組成とほぼ等しい組成を有する物質のう
ちの一方を用いるものであるので、偏光板での静電気の
発生を防止できる。

【００６０】また、前記部材の全体が、前記偏光板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成
とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなるも
のであるので、偏光板での静電気の発生を防止できる。

【００６１】また、前記部材の表面が、前記偏光板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成
とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなるも
のであるので、偏光板での静電気の発生を防止できる。

【００６２】本発明の液晶表示装置の製法は、２枚の絶
縁性基板上にそれぞれ液晶素子を形成する工程と、前記
２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工程と、該２枚の絶縁
性基板のうちの一方の絶縁性基板の表面に偏光板を貼り
付ける工程とからなる液晶表示装置の製法であって、前
記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以降に実施さ
れる工程において前記偏光板に接触する部材の材料とし
て、前記偏光板の比誘電率と等しい比誘電率を有する物
質、および前記偏光板の比誘電率との差が小さい比誘電
率を有する物質のうちの一方を用いるものであるので、
偏光板での静電気の発生を防止できる。

【００６３】また、前記部材の全体が、前記偏光板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光
板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のう
ちの一方からなるものであるので、偏光板での静電気の
発生を防止できる。

【００６４】また、前記部材の表面が、前記偏光板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光
板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のう
ちの一方からなるものであるので、偏光板での静電気の
発生を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の製法の一実施の形態
において用いられる搬送アームを示す説明図である。

【図２】本発明の液晶表示装置の製法の他の実施の形
態において用いられる固定チャックを示す説明図であ
る。

【図３】本発明の液晶表示装置の製法のさらに他の実
施の形態において用いられる加熱プレートを示す説明図
である。

【図４】本発明の液晶表示装置の製法のさらに他の実
施の形態において用いられるローラを示す説明図であ
る。

【図５】絶縁性基板の帯電量を示すグラフである。

【図６】従来の移載および搬送装置の一例を示す説明
図である。

【符号の説明】

１ガラス基板、３Ｏリング、６Ｓｉ₃Ｎ₄膜、８
パネル、９偏光板、１０ローラ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大石貴之熊本県菊池郡西合志町御代志997番地株式会社アドバンスト・ディスプレイ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に液晶素子を形成する工程
を含む液晶表示装置の製法であって、前記絶縁性基板上
に液晶素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接
触する部材の材料として、前記絶縁性基板の組成と等し
い組成を有する物質、および前記絶縁性基板の組成とほ
ぼ等しい組成を有する物質のうちの一方を用いる液晶表
示装置の製法。
【請求項２】前記部材の全体が、前記絶縁性基板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基板の
組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からな
る請求項１記載の液晶表示装置の製法。
【請求項３】前記部材の表面が、前記絶縁性基板の組
成と等しい組成を有する物質、および前記絶縁性基板の
組成とほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からな
る請求項１記載の液晶表示装置の製法。
【請求項４】前記物質がシリコンを含む化合物である
請求項１、２または３記載の液晶表示装置の製法。
【請求項５】前記シリコンを含む化合物が、チッ化シ
リコン、酸化シリコンおよび炭化シリコンのうちの１つ
である請求項４記載の液晶表示装置の製法。
【請求項６】絶縁性基板上に液晶素子を形成する工程
を含む液晶表示装置の製法であって、前記絶縁性基板上
に液晶素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接
触する部材の材料として、前記絶縁性基板の比誘電率と
等しい比誘電率を有する物質、および前記絶縁性基板の
比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のうちの
一方を用いる液晶表示装置の製法。
【請求項７】前記部材の全体が、前記絶縁性基板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記絶縁
性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質
のうちの一方からなる請求項６記載の液晶表示装置の製
法。
【請求項８】前記部材の表面が、前記絶縁性基板の比
誘電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記絶縁
性基板の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質
のうちの一方からなる請求項６記載の液晶表示装置の製
法。
【請求項９】前記物質がチッ化シリコンである請求項
６、７または８記載の液晶表示装置の製法。
【請求項１０】２枚の絶縁性基板上にそれぞれ液晶素
子を形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わ
せる工程と、該２枚の絶縁性基板のうちの一方の絶縁性
基板の表面に偏光板を貼り付ける工程とからなる液晶表
示装置の製法であって、前記偏光板を貼り付ける工程お
よび当該工程以降に実施される工程において前記偏光板
に接触する部材の材料として、前記偏光板の組成と等し
い組成を有する物質、および前記偏光板の組成とほぼ等
しい組成を有する物質のうちの一方を用いる液晶表示装
置の製法。
【請求項１１】前記部材の全体が、前記偏光板の組成
と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成と
ほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなる請求
項１０記載の液晶表示装置の製法。
【請求項１２】前記部材の表面が、前記偏光板の組成
と等しい組成を有する物質、および前記偏光板の組成と
ほぼ等しい組成を有する物質のうちの一方からなる請求
項１０記載の液晶表示装置の製法。
【請求項１３】２枚の絶縁性基板上にそれぞれ液晶素
子を形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わ
せる工程と、該２枚の絶縁性基板のうちの一方の絶縁性
基板の表面に偏光板を貼り付ける工程とからなる液晶表
示装置の製法であって、前記偏光板を貼り付ける工程お
よび当該工程以降に実施される工程において前記偏光板
に接触する部材の材料として、前記偏光板の比誘電率と
等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光板の比誘
電率との差が小さい比誘電率を有する物質のうちの一方
を用いる液晶表示装置の製法。
【請求項１４】前記部材の全体が、前記偏光板の比誘
電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光板
の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のうち
の一方からなる請求項１３記載の液晶表示装置の製法。
【請求項１５】前記部材の表面が、前記偏光板の比誘
電率と等しい比誘電率を有する物質、および前記偏光板
の比誘電率との差が小さい比誘電率を有する物質のうち
の一方からなる請求項１３記載の液晶表示装置の製法。