JP2000012643A - 電子デバイスの製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接触摩擦によって発生していた静電気を逃す
方策を考慮する必要がなく、かつ、長期間使用すること
が可能な電子デバイスの製造方法および製造装置を提供
する。 【解決手段】 本発明の電子デバイスの製造方法は、絶
縁性基板上に素子を形成する工程を含む電子デバイスの
製造方法であって、前記絶縁性基板上に素子を形成する
工程において前記絶縁性基板に接触する部材の材料とし
て、前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕事関数を有す
る金属単体、および前記絶縁性基板の仕事関数との差が
小さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方を用い
る。また、本発明の電子デバイスの製造装置は、前記部
材を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電気の発生を防
止することができる電子デバイスの製造方法および製造
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置、カラーフィルタ、半導体
装置またはプラズマディスプレイパネル（plasma displ
ay panel、以下、ＰＤＰという）などの電子デバイスを
製造する方法および装置においては、しばしば静電気の
発生が問題となる。特に液晶表示装置は、２枚の絶縁性
基板と、該２枚の絶縁性基板表面に形成された液晶素子
と、２枚の絶縁性基板が貼り合わされたのちに該２枚の
絶縁性基板表面に貼りつけられる２枚の偏光板とからな
る。前記液晶素子が、たとえば、液晶材料と、該液晶材
料を挟持する２種類の電極と、該２種類の電極にそれぞ
れ所定の電圧を印加するための配線と、ＲＧＢ（赤緑
青）の３原色からなるカラーフィルタとを含んでいる。
したがって静電気を発生しやすい構造となっている。

【０００３】電子デバイスを製造する際には、通常、電
子デバイスを構成する部分を移載および搬送するための
装置（以下、単に「移載および搬送装置」という）が用
いられる。電子デバイスを製造する工程においては、電
子デバイスを構成する部品であるたとえば絶縁性基板
と、移載および搬送装置との剥離や摩擦などによって、
絶縁性基板が静電気を帯びる場合が多々ある。同時に、
移載および搬送装置の絶縁性基板に接触していた部材
は、絶縁性基板に帯電した静電気と逆の極性の静電気を
帯びる。前記静電気によって周囲の塵埃が絶縁性基板に
引き寄せられ、絶縁性基板に塵埃が付着すると、電子デ
バイスの製造工程の歩留まりが低下する問題が生じる。
また絶縁性基板に帯電した静電気の量によっては、絶縁
性基板と外部との間で放電が発生し、絶縁性基板表面上
に形成された電子デバイスが損傷を受け、電子デバイス
が不良となる場合がある。したがって、静電気の発生を
防止したり、発生した静電気を速やかに逃がすことがで
きるような方策を講じることは、歩留向上を図る上で極
めて有用である。

【０００４】前述のような観点にもとづく、発生した静
電気を速やかにリークさせることができる装置の一例と
して、特開平７−３７９６２号公報で開示された移載お
よび搬送装置がある。かかる移載および搬送装置につい
て、図６を用いて説明する。図６は、従来の移載および
搬送装置の一例を示す説明図である。図６において、１
０１はアーム、１０２はアーム１０１の先端に取り付け
られたチャック、１０３はチャック１０２の先端の吸引
部、１０４は半導体ウエハ、１０５は接地点を示す。ア
ーム１０１およびチャック１０２は、アルミニウムまた
はアルミニウム合金と、該アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の表面に形成された多孔性の陽極酸化被膜（ア
ルマイト被膜）、陽極酸化被膜表面に塗布されたフッ素
系樹脂とからなる。

【０００５】前記陽極酸化被膜およびフッ素系樹脂とか
らなる処理層の厚さは４０μｍ以下である。また、アル
ミニウムまたはアルミニウム合金からなるアーム１０１
およびチャック１０２から、接地点１０５までのあいだ
は絶縁性の部材を一切介していない。

【０００６】前記フッ素系樹脂は薄いので、フッ素系樹
脂の表面に静電気が帯電することはない。さらに、半導
体ウエハ１０４に接触する部分、すなわち吸引部１０３
から接地点１０５に至るまで絶縁性の部材が介在しな
い。したがって、移載および移送装置および半導体ウエ
ハ１０４のあいだで発生した静電気を効率的に、かつ完
全に接地点１０５から移載および搬送装置外部に逃がす
ことができる。また、フッ素樹脂が表面に塗布されてい
るので、移載および搬送装置の摺接部の耐摩耗性も高め
ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の移載および搬送
装置を用いた電子デバイスの製造方法では、絶縁性基板
と該絶縁性基板に接触する部材との接触や摩擦により移
載および搬送装置側で発生した静電気を効率的に逃がす
ことができるが、絶縁性基板が絶縁性であるため、絶縁
性基板表面側で発生した静電気を効率良く接地点に逃が
すことができない可能性がある。また、ウエハ処理を繰
り返すにしたがって、絶縁物である陽極酸化被膜によ
り、電荷が蓄積し、帯電が増加する可能性もある。さら
に、移載および搬送装置の表面に陽極酸化被膜を形成す
ることが必要であるため、移載および搬送装置の製作に
手間がかかる。またフッ素系樹脂が非常に薄いために、
該フッ素系樹脂が短期間で摩耗し、フッ素系樹脂の下の
層が露出して効果がえられなくなるという問題があっ
た。

【０００８】本発明は前述した問題点を解消するために
なされたものであり、静電気の発生自体を安定して長期
間防止することができる。したがって、接触摩擦によっ
て発生していた静電気を逃がす方策を考慮する必要がな
く、かつ、長期間使用することが可能な電子デバイスの
製造方法および電子デバイスの製造装置を提供すること
を目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】絶縁性基板での静電気の
発生を防止するためには、電子デバイスを製造するとき
に絶縁性基板に接触する部材の材質に着目する必要があ
る。すなわち、２つの接触している物質ＡおよびＢの剥
離により生じる帯電（以下、「単に「剥離帯電」とい
う）や物質ＡおよびＢの摩擦により生じる帯電（以下、
単に「摩擦帯電」という）などの静電気は、互いに電気
的な特性が違う物質ＡおよびＢが接触することによって
起こる現象であり、つぎのように解釈することができ
る。

【００１０】まずはじめに、剥離帯電では、物質Ａおよ
びＢが密着している際に、たとえば物質Ａから物質Ｂへ
マイナスの電荷が移動し、物質Ａがプラスの電気（静電
気）を帯び、物質Ｂがマイナスの電気（静電気）を帯び
る。しかし、この時点では物質ＡおよびＢが密着してい
るため、物質ＡおよびＢ間の静電容量が極めて大きく、
電位としてはほとんど観測されない。そののち、プラス
の電気（静電気）を帯びた物質Ａと、マイナスの電気
（静電気）を帯びた物質Ｂとが引き離され（剥離され）
距離が生じると、物質ＡおよびＢ間の静電気容量が有限
の値になる。したがって、物質ＡおよびＢ間で電位が発
生し、物質ＡおよびＢの外部から帯電現象が観察され
る。前述のように、剥離という動作によりはじめて帯電
現象が観察されるが、該帯電現象は物質ＡおよびＢが接
触している間に生じる。

【００１１】つぎに、摩擦帯電について説明する。物質
ＡおよびＢの接触界面を微視的に見れば、物質Ａおよび
Ｂのそれぞれの表面に凹凸があり、該凹凸の形状に応じ
て物質ＡおよびＢは互いに部分的に接触している。接触
した状態で摩擦という動作を行うことにより物質Ａおよ
びＢのあいだで接触する部分が増加する。その結果、物
質ＡおよびＢ間を移動する電荷が増え、物質ＡおよびＢ
それぞれの帯電量が増大する。したがって、摩擦帯電も
物質ＡおよびＢが接触することが直接の要因となって生
じる。

【００１２】前記剥離帯電や摩擦帯電により生じる静電
気は、基本的には電気的な特性が異なる２つ物質Ａおよ
びＢが接触することによって引き起こされる現象である
と考えることができる。また、静電気による電子デバイ
スの不良を防ぐには、静電気の発生を防止する方法と、
発生した静電気を逃がす方法が考えられる。後者の場
合、電子デバイスを製造する際に絶縁性基板に接触する
電子デバイスを製造するための装置（以下、単に「製造
装置」という）側において、接地を行ったり、絶縁性基
板に接触する部材から接地点へ電荷を逃がすための手段
を講じたりする。接地は有効な手段である。また、接地
の効果として、絶縁性基板のみかけ上の電位をさげる。
つまり、接地から絶縁性基板との距離が短いことは、静
電容量が大きくなり、絶縁性基板の電位が下がる。した
がって、加工時に薬液などを通じて新たな電荷を基板に
与えることがないし、絶縁性基板に対する放電などの静
電気障害を防止するが可能である。しかし、かかる方策
により除去できるのは製造装置側に帯電した電荷であ
り、絶縁性基板側に帯電した電荷は除去できないので、
絶縁性基板に静電気は発生する。したがって、静電気に
よる電子デバイスの不良を防ぐためには、静電気の発生
を抑制する必要がある。本発明ではかかる点に重点をお
いた。

【００１３】つぎに、絶縁性基板に接触する物質の材質
の違いによる絶縁性基板の帯電量の違いについて説明す
る。図５は、材質の異なる３種類の金属プレートの仕事
関数と、これら金属プレートと接触させた場合の絶縁性
基板の帯電量を示すグラフである。仕事関数とは、物理
学的には、固体内で平衡状態にある電子のうち、一番高
いエネルギーをもつ電子を真空中で静止した電子のエネ
ルギーまで引き上げるために要するエネルギーのことで
ある。図５において、縦軸は絶縁性基板の帯電量として
電位（Ｖ（ボルト））、横軸は金属プレートの仕事関数
（ｅＶ（エレクトロンボルト））を示す。なお、絶縁性
基板としてはガラス基板が用いられ、金属プレート材質
としては、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、
金（Ａｕ）からなるプレートが用いられた。図中、ガラ
スとプレート材とを接触させた場合の電位をすべてプロ
ットし、白抜きの四角形は平均値を示す。仕事関数とガ
ラスの電位は比例していることが確認できる。

【００１４】図５に示されるように、接触する材料によ
って絶縁性基板の電位が異なる理由は、プレート材質の
仕事関数の違いで説明できる。すなわち、異なる２つの
物質を接触させた場合、仕事関数の差だけ、ある物質か
ら別の物質へ電荷が移動しやすく、すなわち接触時の帯
電が発生しやすい。一方、仕事関数が近い２つの物質を
接触させた場合、電荷の移動量が少なく、すなわち帯電
しにくい。ガラス基板の仕事関数は図５から４．８５ｅ
Ｖであると確認できる。図５に示されているように、ガ
ラス基板の仕事関数と差が小さい仕事関数をもつ金属を
プレート金属に用いた方が、帯電しにくいことがわか
る。

【００１５】さらに、図５において、プレート金属とし
てのＡｌ、ＮｉまたはＡｕの比較で、帯電量が異なる原
因は、ガラス基板の仕事関数とプレート金属の仕事関数
との差で説明できる。すなわち、ガラス基板の仕事関数
は４．８５ｅＶであるのに対し、Ａｌの仕事関数は４．
０ｌｅＶ、Ｎｉの仕事関数は４．７０ｅＶであり、Ａｕ
の仕事関数は４．９７ｅＶである。つまり、ガラスの仕
事関数より小さい仕事関数のプレート材質では、接触さ
せた場合に、ガラスはマイナスに帯電し、ガラスの仕事
関数より大きな仕事関数のプレート材質では、接触させ
た場合に、ガラスはプラスに帯電する。接触材料間の仕
事関数差が大きいほど、絶対値の帯電量が大きくなるこ
とがわかる。このとき、たとえばガラス基板の仕事関数
とプレート金属の仕事関数との差が小さいというのは、
絶縁性基板の仕事関数に対して±０．２ｅＶ以内が望ま
しいことをいう。この範囲であれば電子の移動が小さい
からである。

【００１６】このことから、絶縁性基板での静電気発生
を防止するためには、電子デバイスを製造する際に、電
子デバイスを構成する部品の１つである絶縁性基板に接
触する部材の材料として、絶縁性基板の仕事関数と等し
い仕事関数を有する金属、または絶縁性基板の仕事関数
の差が小さい仕事関数を有する金属を選べばよく、もし
くは、絶縁性基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する
合金、または絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事
関数を有する合金を選べばよい。このような条件にもと
づき絶縁性基板に接触する部材の材料を選択することに
よって、絶縁性基板と該絶縁性基板に接触する部材との
あいだでの静電気の発生自体が防止できる。同時に、静
電気が発生しないので、絶縁性基板や該絶縁性基板に接
触する部材で発生した電荷を逃がすことや除電すること
を考慮する必要がなく、そのための手段を講じる必要も
なくなる。たとえ、絶縁性基板に少しの静電気が発生し
たとしても、接触部材は金属であり、移載および搬送装
置側から発生した静電気は効率的に逃がすことができ
る。さらに、絶縁性基板のみかけの電位を下げる効果も
ある。

【００１７】本発明の請求項１にかかわる電子デバイス
の製造方法は、絶縁性基板上に素子を形成する工程を含
む電子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上
に素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触す
る部材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等し
い仕事関数を有する金属単体、および前記絶縁性基板の
仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属単体のう
ちの一方を用いるものである。

【００１８】請求項２にかかわる電子デバイスの製造方
法においては、前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
である。

【００１９】また、請求項３にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記部材の全体が、前記絶縁性基
板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、およ
び前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を
有する金属単体のうちの一方からなるものである。

【００２０】また、請求項４にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記部材の表面が、前記絶縁性基
板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、およ
び前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を
有する金属単体のうちの一方からなるものである。

【００２１】また、請求項５にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体としてＢｅ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐ
ｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか１つの
金属を用いる。

【００２２】また、請求項６にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体は接地されている。

【００２３】また、請求項７にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体は薬液または環境に
よる腐食および摩耗を受けにくい。

【００２４】本発明の請求項８にかかわる電子デバイス
製造方法は絶縁性基板上に素子を形成する工程を含む電
子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上に素
子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触する部
材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕
事関数を有する金属合金、および前記絶縁性基板の仕事
関数との差が小さい仕事関数を有する金属合金のうちの
一方を用いるものである。

【００２５】請求項９にかかわる電子デバイスの製造方
法においては、前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
である。

【００２６】また、請求項１０にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記絶縁性
基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、お
よび前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数
を有する金属合金のうちの一方からなるものである。

【００２７】また、請求項１１にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記絶縁性
基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、お
よび前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数
を有する金属合金のうちの一方からなるものである。

【００２８】また、請求項１２にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕの少なくとも２つ
の金属を合金して用いる。

【００２９】また、請求項１３にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は接地されてい
る。

【００３０】また、請求項１４にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくい。

【００３１】本発明の請求項１５にかかわる電子デバイ
スの製造方法は、２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を
形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わせる
工程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光
板を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法
であって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程
以降に実施される工程において前記偏光板に接触する部
材の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関
数を有する金属、および前記偏光板の仕事関数との差が
小さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方を用いる
ものである。

【００３２】また、請求項１６にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属単体のうちの一方を用いるものである。

【００３３】また、請求項１７にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属単体のうちの一方を用いるものである。

【００３４】また、請求項１８にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか
１つの金属である。

【００３５】また、請求項１９にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体は接地されてい
る。

【００３６】また、請求項２０にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくい。

【００３７】本発明の請求項２１にかかわる電子デバイ
ス製造方法は、２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を形
成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工
程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光板
を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法で
あって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以
降に実施される工程において前記偏光板に接触する部材
の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関数
を有する金属合金、および前記偏光板の仕事関数との差
が小さい仕事関数を有する金属合金のうちの一方を用い
るものである。

【００３８】また、請求項２２にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属合金のうちの一方を用いるものである。

【００３９】また、請求項２３にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属合金のうちの一方を用いるものである。

【００４０】また、請求項２４にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうち少なくとも
２つの金属を合金して用いる。

【００４１】また、請求項２５にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は接地されてい
る。

【００４２】また、請求項２６にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくい。

【００４３】本発明の請求項２７にかかわる電子デバイ
スの製造装置は、絶縁性基板上に素子を形成する電子デ
バイスの製造装置であって、該電子デバイスの製造装置
が前記絶縁性基板に接触する部材を含んでおり、該部材
が前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する
金属単体、および前記絶縁性基板の仕事関数との差が小
さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方からなる。

【００４４】

【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
の電子デバイスの製造方法および電子デバイスの製造装
置の実施の形態について説明する。

【００４５】実施の形態１ 本発明の電子デバイスの実施の形態１について説明す
る。

【００４６】本実施の形態においては、本発明の電子デ
バイスの製造方法を絶縁性基板表面に素子を形成するた
めにレジスト液や現像液を塗布する工程で実施した場合
について説明する。図１は、本発明の電子デバイスの製
造方法の一実施の形態において用いられる固定チャック
を示す説明図である。図１（ａ）は固定チャックを示す
上面説明図であり、図１（ｂ）は固定チャックを示す側
面説明図である。図１において、１は絶縁性基板の一例
としての、たとえば、ガラス基板である（図１（ａ）に
おいては、ガラス基板の位置を二点鎖線で示した）。５
はガラス基板１を真空吸着することで固定し、たとえ
ば、Ａｌ製部材である。６はアルミ製部材５の表面にめ
っきされたＮｉとＡｕの合金めっきコーティングであ
り、たとえば厚さ１μｍである。４はガラス基板を真空
引きするための穴で、チャック中心部に設けられ、放射
状に広がった溝により、ガラス基板１を固定する。ガラ
ス基板１はＮｉとＡｕの合金めっきコーティング６に接
触して、ガラス基板表面に液が塗布され、その後回転す
る。この場合、ガラス基板１と接触する部材の材質がＮ
ｉとＡｕの合金めっきであるため、ガラス基板１は帯電
することがなく、したがって、発生した電荷を逃がした
り除電したりすることを考慮する必要がない。たとえ、
絶縁性基板に少しの静電気が発生したとしても、接触部
材は金属であり、移載および搬送装置側から発生した静
電気は効率的に逃がすことができる。さらに、絶縁性基
板のみかけの電位を下げる効果もある。また、合金めっ
きであるので、そのコーティング厚さも１μｍ以上と厚
いので、短期間でＮｉとＡｕの合金めっきコーティング
６が薬液または環境による腐食および摩耗を受けること
なく、下地のＡｌが露出してガラス基板１とＡｌが接触
するようになることがなく（ガラス基板１とＡｌとの接
触では帯電が生じやすい）、長時間安定して静電気の発
生を防止することができる。本実施の形態においては、
絶縁性基板に接触する部材の一例として固定チャックの
場合を説明したが、これに限定されない。

【００４７】実施の形態２ つぎに、本発明の電子デバイスの製造方法の実施の形態
２について説明する。

【００４８】本実験の形態においては、本発明の電子デ
バイスの製法を、電子デバイスの製造工程中に絶縁性基
板を搬送アームで搬送する際に実施した場合について説
明する。図２は、本発明の電子デバイスの製法の他の実
施の形態において用いられる搬送アームを示す説明図で
ある。図２（ａ）は搬送アームを示す上面説明図であ
り、図２（ｂ）はその側面説明図である。図２におい
て、１は絶縁性基板の一例としての、たとえば、ガラス
基板である。２は処理が終了したガラス基板１を搬送す
るための搬送アーム、３は搬送アーム２上の４ケ所に設
置されたＮｉとＡｕの合金めっきコーティング製のＯリ
ングである。４はガラス基板１を真空吸着するための孔
で、搬送アーム２の、Ｏリング３の中央の位置に設けら
れている。処理が終了したガラス基板１は、搬送アーム
２によって保持されて搬送されるが、その際ガラス基板
１と接触する部材はＯリング３のみである、ガラス基板
１は真空吸着によりＯリング３に密着しているので、滑
ることはない。ここで、ガラス基板１と唯一接触するＯ
リング３をＮｉとＡｕの合金めっきコーティングとして
おり、ガラス基板１とＮｉとＡｕの合金めっきとの接触
では両者間の電荷移動はほとんど生じないので、ガラス
基板１にもＯリング３にも静電気が発生することがな
い。したがって、発生した静電気を逃がしたり除電した
りする方策を考慮する必要がない。本実施の形態では、
ガラス基板１を真空吸着した場合を示したが、Ｏリング
３上をガラス基板１が滑ることがない場合、あるいは滑
ってもよい場合には、真空吸着を行なわなくてもよく、
その場合前述した効果が損なわれることはない。また、
Ｏリング３の数を４箇所としたが、ガラス基板１を確実
に保持でき、しかもガラス基板１がＮｉとＡｕの合金め
っきコーティングＯリング以外の材質と接触しないよう
になっていれば、４箇所でなくてもよく、同様の効果が
得られる。搬送アームは接地されており、Ｏリングの電
荷が逃げやすくなっているのは言うまでもない。本実施
の形態においては、絶縁性基板に接触部材の一例として
真空吸着のためのＯリングの場合を説明したが、これに
限定されない。

【００４９】実施の形態３ つぎに、本発明の電子デバイスの製造方法の実施の形態
３について説明する。

【００５０】本実施の形態においては、本発明の電子デ
バイスの製法を、絶縁性基板を加熱プレート上で加熱す
る工程で実施した場合について説明する。図３は、本発
明の電子デバイスの製法のさらに他の実施の形態におい
て用いられる加熱するためのプレートを示す説明図であ
る。図３において、７は加熱プレートであり、たとえば
ＳＵＳ製である。６は加熱プレート７の表面にコーティ
ングされたＮｉとＡｕの合金めっきコーティングであ
り、たとえば厚さ１μｍである。加熱プレート７の内部
には図示しないヒータが設けられており、所望の温度に
設定できるようになっている。さらに加熱プレート７は
設置されている。加熱すべきガラス基板１はＮｉとＡｕ
の合金めっきコーティング６に接触して、加熱される。
この場合、ガラス基板１と接触する材質がＮｉとＡｕの
合金めっきであるため、ガラス基板１は帯電することが
なく、したがって、発生した電荷を逃がしたり除電した
りすることを考慮する必要がない。たとえ、絶縁性基板
に少しの静電気が発生したとしても、接触部材は金属合
金であり、移載および搬送装置側から発生した静電気は
効率的に逃がすことができる。さらに、絶縁性基板のみ
かけの電位を下げる効果もある。また、コーティング厚
さが１μｍと厚いので、短期間でＮｉとＡｕの合金めっ
きコーティング６が摩耗して下地のＳＵＳ（ステンレス
鋼）が露出してガラス基板１とＳＵＳが接触するように
なることがなく（ガラス基板１とＳＵＳとの接触では帯
電が生じやすい）、長時間安定して静電気の発生を防止
することができる。

【００５１】前述の実施の形態１、２および３において
は、絶縁性基板に接触する部材の材質としてＮｉとＡｕ
の合金めっきを用いた例を示したが、これに限定され
ず、絶縁性基板の仕事関数と等しい、または、絶縁性基
板の仕事関数と差が小さい金属（Ｂｅ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐｄ、Ｗ、
Ｒｅ、ＯｓまたはＡｕ）、もしくは、絶縁性基板の仕事
関数と等しい、または、絶縁性基板の仕事関数と差が小
さい金属合金の（Ｂｅ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓま
たはＡｕうちの少なくとも２つの金属の合金）による部
材、または表面のコーティングを用いても絶縁性基板で
の静電気の発生を防止することができ、電子デバイスの
製造工程の歩留りを向上させることができる。

【００５２】実施の形態４ つぎに、本発明の電子デバイスの製造方法の実施の形態
４について説明する。

【００５３】本実施の形態においては、本発明の電子デ
バイスの製造方法を、液晶素子が形成された２枚の絶縁
性基板を貼り合わせた後、さらに偏光板を絶縁性基板の
表面に貼り付ける工程で実施した場合について説明す
る。図４は、本発明の電子デバイスの製造方法のさらに
他の実施の形態において用いられるローラを示す説明図
である。図４（ａ）は、２つのローラで絶縁性基板と偏
向板とを挟みこんでいるところを示す説明図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）に示されるローラを拡大した図で
ある。このローラが偏光板に接触する部材である。図４
において、８は表面に素子が形成された２枚のガスラ基
板を貼り合わせることにより作成されたパネル、９は偏
光板であり、偏光板９はパネル８の表面に貼り付けられ
る。１０は偏光板９をパネル８に貼り付けるためのロー
ラである。ローラの詳細説明図を図４（ｂ）に示す。図
中、１０ａはローラの素材で、ゴム製である。１０ｂは
ゴム製ローラ１０ａの表面にコーティングされたＮｉと
Ａｕの合金めっきである。２つのローラ１０の間にパネ
ル８と偏光板９をはさみ、ローラ１０が回転することに
よってパネル８と偏光板が送られ、両者同士が貼り付け
られる。このとき、偏光板９と接触するのはローラ表面
のＮｉとＡｕの合金めっきコーティング１０ｂであり、
実施の形態１〜３におけるガラス基板の場合と同様に、
偏光板９と、ＮｉとＡｕの合金めっきコーティング１０
ｂとの接触では電荷移動はほとんど発生しないために偏
光板９が帯電することはない。この場合、前述した実施
の形態１、２および３と同様な効果がある。また、実施
の形態１〜３の場合と同様に前述したＮｉとＡｕの合金
めっき以外でも、偏光板表面と等しい仕事関数を有する
金属単体、または、偏光板表面との仕事関数が小さい金
属単体、もしくは偏光板表面と等しい仕事関数を有する
金属合金、または、偏光板表面との仕事関数差が小さい
金属合金を用いて形成してもよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明の電子デバイスの製造方法におけ
る、移載および搬送装置の構成素材として、前述した材
質を用いることによって、静電気の発生が防止でき、発
生した電荷を逃がすことや除電することを考慮する必要
がなく、そのための手段を講じる必要もなくなる。その
結果、静電気の放電により絶縁性基板の表面に形成され
た素子や配線が不良になるのを防止することができ、電
子デバイスの歩留りを向上させることができる。

【００５５】本発明の請求項１にかかわる電子デバイス
の製造方法は、絶縁性基板上に素子を形成する工程を含
む電子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上
に素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触す
る部材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等し
い仕事関数を有する金属単体、および前記絶縁性基板の
仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属単体のう
ちの一方を用いるものであるので、絶縁性基板と前記部
材とのあいだでの静電気の発生自体が防止できる効果を
奏する。

【００５６】請求項２にかかわる電子デバイスの製造方
法においては、前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
であるので、静電気の発生自体が防止できる効果を奏す
る。

【００５７】また、請求項３にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記部材の全体が、前記絶縁性基
板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、およ
び前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を
有する金属単体のうちの一方からなるものであるので、
静電気の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００５８】また、請求項４にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記部材の表面が、前記絶縁性基
板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、およ
び前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を
有する金属単体のうちの一方からなるものであるので、
静電気の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００５９】また、請求項５にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体としてＢｅ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐ
ｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか１つの
金属を用いるので、静電気の発生自体が防止できる効果
を奏する。

【００６０】また、請求項６にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体は接地されているの
で、発生した静電気を効率的に逃すことができる効果を
奏する。

【００６１】また、請求項７にかかわる電子デバイスの
製造方法においては、前記金属単体は薬液または環境に
よる腐食および摩耗を受けにくいので、長期間安定して
静電気の発生を防止できる。

【００６２】本発明の請求項８にかかわる電子デバイス
製造方法は絶縁性基板上に素子を形成する工程を含む電
子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上に素
子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触する部
材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕
事関数を有する金属合金、および前記絶縁性基板の仕事
関数との差が小さい仕事関数を有する金属合金のうちの
一方を用いるものであるので、絶縁性基板と前記部材と
のあいだでの静電気の発生自体が防止できる効果を奏す
る。

【００６３】請求項９にかかわる電子デバイスの製造方
法においては、前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
であるので、静電気の発生自体が防止できる効果ととも
に、合金を用いると柔らかい金属を混ぜることで、傷が
つきにくくできる効果も奏する。

【００６４】また、請求項１０にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記絶縁性
基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、お
よび前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数
を有する金属合金のうちの一方からなるものであるの
で、静電気の発生自体が防止できる効果とともに、合金
を用いると柔らかい金属を混ぜることで、傷がつきにく
くできる効果も奏する。

【００６５】また、請求項１１にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記絶縁性
基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、お
よび前記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数
を有する金属合金のうちの一方からなるものであるの
で、静電気の発生自体が防止できる効果とともに、合金
を用いると柔らかい金属を混ぜることで、傷がつきにく
くできる効果も奏する。

【００６６】また、請求項１２にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕの少なくとも２つ
の金属を合金して用いるので、静電気の発生自体が防止
できる効果とともに、合金を用いると柔らかい金属を混
ぜることで、傷がつきにくくできる効果も奏する。

【００６７】また、請求項１３にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は接地されている
ので、発生した静電気を効率的に逃すことができる効果
を奏する。

【００６８】また、請求項１４にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくいので、長期間安定し
て静電気の発生を防止できる効果を奏する。

【００６９】本発明の請求項１５にかかわる電子デバイ
スの製造方法は、２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を
形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わせる
工程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光
板を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法
であって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程
以降に実施される工程において前記偏光板に接触する部
材の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関
数を有する金属、および前記偏光板の仕事関数との差が
小さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方を用いる
ものであるので、絶縁性基板と前記部材とのあいだでの
静電気の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００７０】また、請求項１６にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属単体のうちの一方を用いるものであるので、静電気
の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００７１】また、請求項１７にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属単体のうちの一方を用いるものであるので、静電気
の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００７２】また、請求項１８にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか
１つの金属であるので、静電気の発生自体が防止できる
効果を奏する。

【００７３】また、請求項１９にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体は接地されている
ので、発生した静電気を効率的に逃すことができる効果
を奏する。

【００７４】また、請求項２０にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属単体は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくいので、長期間安定し
て静電気の発生を防止できる効果を奏する。

【００７５】本発明の請求項２１にかかわる電子デバイ
ス製造方法は、２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を形
成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わせる工
程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光板
を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法で
あって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以
降に実施される工程において前記偏光板に接触する部材
の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関数
を有する金属合金、および前記偏光板の仕事関数との差
が小さい仕事関数を有する金属合金のうちの一方を用い
るものであるので、絶縁性基板と前記部材とのあいだで
の静電気の発生自体が防止できる効果を奏する。

【００７６】また、請求項２２にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の全体が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属合金のうちの一方を用いるものであるので、静電気
の発生自体が防止できる効果とともに、合金を用いると
柔らかい金属を混ぜることで、傷がつきにくくできる効
果を奏する。

【００７７】また、請求項２３にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記部材の表面が、前記偏光板
の仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および
前記偏光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
金属合金のうちの一方を用いるものであるので、静電気
の発生自体が防止できる効果とともに、合金を用いると
柔らかい金属を混ぜることで、傷がつきにくくできる効
果を奏する。

【００７８】また、請求項２４にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金としてＢｅ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｂ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうち少なくとも
２つの金属を合金して用いるので、静電気の発生自体が
防止できる効果とともに、合金を用いると柔らかい金属
を混ぜることで、傷がつきにくくできる効果を奏する。

【００７９】また、請求項２５にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は接地されている
ので、発生した静電気を効率的に逃すことができる効果
を奏する。

【００８０】また、請求項２６にかかわる電子デバイス
の製造方法においては、前記金属合金は薬液または環境
による腐食および摩耗を受けにくいので、長期間安定し
て静電気の発生を防止できる効果を奏する。

【００８１】本発明の請求項２７にかかわる電子デバイ
スの製造装置は、絶縁性基板上に素子を形成する電子デ
バイスの製造装置であって、該電子デバイスの製造装置
が前記絶縁性基板に接触する部材を含んでおり、該部材
が前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する
金属単体、および前記絶縁性基板の仕事関数との差が小
さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方からなるの
で、絶縁性基板と前記部材とのあいだでの静電気の発生
自体が防止できる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電子デバイスの製造方法の一実施の
形態において用いられる固定チャックを示す説明図であ
る。

【図２】 本発明の電子デバイスの製造方法の他の実施
の形態において用いられる搬送アームを示す説明図であ
る。

【図３】 本発明の電子デバイスの製造方法のさらに他
の実施の形態において用いられる加熱プレートを示す説
明図である。

【図４】 本発明の電子デバイスの製造方法のさらに他
の実施の形態において用いられるローラを示す説明図で
ある。

【図５】 各々のプレート材質の仕事関数とガラス基板
の接触帯電量の関係を示す説明図である。

【図６】 従来の移載および搬送装置の一例を示す説明
図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板、３ Ｏリング、６ ＮｉとＡｕの合金
めっきコーティング、８ パネル、９ 偏光板、１０
ローラ。

フロントページの続き (72)発明者 塚崎 尚 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 高橋 勝徳 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 窄口 哲也 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 大石 貴之 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 Ｆターム(参考） 5F031 BB09 BC01 CC12 FF01 KK06 MM06

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に素子を形成する工程を含
   む電子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上
   に素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触す
   る部材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等し
   い仕事関数を有する金属単体、および前記絶縁性基板の
   仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属単体のう
   ちの一方を用いる電子デバイスの製造方法。
2. 【請求項２】 前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
   ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
   である請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
3. 【請求項３】 前記部材の全体が、前記絶縁性基板の仕
   事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および前記
   絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
   金属単体のうちの一方からなる請求項１記載の電子デバ
   イスの製造方法。
4. 【請求項４】 前記部材の表面が、前記絶縁性基板の仕
   事関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および前記
   絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する
   金属単体のうちの一方からなる請求項１記載の電子デバ
   イスの製造方法。
5. 【請求項５】 前記金属単体としてＢｅ、Ｃｒ、Ｆｅ、
   Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐｄ、
   Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか１つの金属
   を用いる請求項１、３または４記載の電子デバイスの製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記金属単体は接地されていることを特
   徴とする、請求項１、３または４記載の電子デバイスの
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記金属単体は薬液または環境による腐
   食および摩耗を受けにくい請求項１、３または４記載の
   電子デバイスの製造方法。
8. 【請求項８】 絶縁性基板上に素子を形成する工程を含
   む電子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性基板上
   に素子を形成する工程において前記絶縁性基板に接触す
   る部材の材料として、前記絶縁性基板の仕事関数と等し
   い仕事関数を有する金属合金、および前記絶縁性基板の
   仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属合金のう
   ちの一方を用いる電子デバイスの製造方法。
9. 【請求項９】 前記電子デバイスが液晶表示装置、カラ
   ーフィルタ、半導体およびＰＤＰのうちのいずれか１つ
   である請求項８記載の電子デバイスの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記部材の全体が、前記絶縁性基板の
    仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および前
    記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有す
    る金属合金のうちの一方からなる請求項８記載の電子デ
    バイスの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記部材の表面が、前記絶縁性基板の
    仕事関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および前
    記絶縁性基板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有す
    る金属合金のうちの一方からなる請求項８記載の電子デ
    バイスの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記金属合金としてＢｅ、Ｃｒ、Ｆ
    ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐ
    ｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちの少なくとも２つ
    の金属を合金して用いる請求項８、１０または１１記載
    の電子デバイスの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記金属合金は接地されていることを
    特徴とする、請求項８、１０または１１記載の電子デバ
    イス装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記金属合金は薬液または環境による
    腐食および摩耗を受けにくい請求項８、１０または１１
    記載の電子デバイスの製造方法。
15. 【請求項１５】 ２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を
    形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わる工
    程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光板
    を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法で
    あって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以
    降に実施される工程において前記偏光板に接触する部材
    の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関数
    を有する金属単体、および前記偏光板の仕事関数との差
    が小さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方を用い
    る電子デバイスの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記部材の全体が、前記偏光板の仕事
    関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および前記偏
    光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属単
    体のうち一方からなる請求項１５記載の電子デバイスの
    製造方法。
17. 【請求項１７】 前記部材の表面が、前記偏光板の仕事
    関数と等しい仕事関数を有する金属単体、および前記偏
    光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属単
    体のうち一方からなる請求項１５記載の電子デバイスの
    製造方法。
18. 【請求項１８】 前記金属単体としてＢｅ、Ｃｒ、Ｆ
    ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐ
    ｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちのいずれか１つの
    金属を用いる請求項１５、１６または１７記載の電子デ
    バイスの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記金属単体は接地されていることを
    特徴とする、請求項１５、１６または１７記載の電子デ
    バイスの製造方法。
20. 【請求項２０】 前記金属単体は薬液または環境による
    腐食および摩耗を受けにくい請求項１５、１６または１
    ７記載の電子デバイスの製造方法。
21. 【請求項２１】 ２枚の絶縁性基板上にそれぞれ素子を
    形成する工程と、前記２枚の絶縁性基板を貼り合わる工
    程と、前記２枚の絶縁性基板のそれぞれの表面に偏光板
    を貼り付ける工程とからなる電子デバイスの製造方法で
    あって、前記偏光板を貼り付ける工程および当該工程以
    降に実施される工程において前記偏光板に接触する部材
    の材料として、前記偏光板の仕事関数と等しい仕事関数
    を有する金属合金、および前記偏光板の仕事関数との差
    が小さい仕事関数を有する金属合金のうちの一方を用い
    る電子デバイスの製造方法。
22. 【請求項２２】 前記部材の全体が、前記偏光板の仕事
    関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および前記偏
    光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属合
    金のうちの一方からなる請求項２１記載の電子デバイス
    の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記部材の表面が、前記偏光板の仕事
    関数と等しい仕事関数を有する金属合金、および前記偏
    光板の仕事関数との差が小さい仕事関数を有する金属合
    金のうちの一方からなる請求項２１記載の電子デバイス
    の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記金属合金としてＢｅ、Ｃｒ、Ｆ
    ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｐ
    ｄ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＡｕのうちの少なくとも２つ
    の金属を合金して用いる請求項２１、２２または２３記
    載の電子デバイスの製造方法。
25. 【請求項２５】 前記金属合金は接地されていることを
    特徴とする請求項１９、２０または２１記載の電子デバ
    イスの製造方法。
26. 【請求項２６】 前記金属合金は薬液または環境による
    腐食および摩耗を受けにくい請求項１９、２０または２
    １記載の電子デバイスの製造方法。
27. 【請求項２７】 絶縁性基板上に素子を形成する電子デ
    バイスの製造装置であって、該電子デバイスの製造装置
    が前記絶縁性基板に接触する部材を含んでおり、該部材
    が前記絶縁性基板の仕事関数と等しい仕事関数を有する
    金属単体、および前記絶縁性基板の仕事関数との差が小
    さい仕事関数を有する金属単体のうちの一方からなる電
    子デバイスの製造装置。