JP3325522B2 - 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 - Google Patents
金属膜の形成方法及び電極の形成方法Info
- Publication number
- JP3325522B2 JP3325522B2 JP20802298A JP20802298A JP3325522B2 JP 3325522 B2 JP3325522 B2 JP 3325522B2 JP 20802298 A JP20802298 A JP 20802298A JP 20802298 A JP20802298 A JP 20802298A JP 3325522 B2 JP3325522 B2 JP 3325522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- inorganic substrate
- electrode
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、金属膜の形成方法
及び電極の形成方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、無機基板との密着性を向上させることができるメッ
キ法による金属膜及び電極の形成方法に関する。
及び電極の形成方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、無機基板との密着性を向上させることができるメッ
キ法による金属膜及び電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板等の無機基板に金属膜及び電
極を形成する方法として、メッキ法、蒸着法、スパッタ
法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、陽極接合法等が知られ
ている。これら方法の内、蒸着法、スパッタ法、化学気
相成長（ＣＶＤ）法及び陽極接合法は、製造装置が高価
であり、かつ製造工程が複雑なため製造コストが高いと
いう欠点がある。これに対して、メッキ法は、製造装置
が比較的安価で、製造工程も単純で製造コストが安いと
いう利点がある。
極を形成する方法として、メッキ法、蒸着法、スパッタ
法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、陽極接合法等が知られ
ている。これら方法の内、蒸着法、スパッタ法、化学気
相成長（ＣＶＤ）法及び陽極接合法は、製造装置が高価
であり、かつ製造工程が複雑なため製造コストが高いと
いう欠点がある。これに対して、メッキ法は、製造装置
が比較的安価で、製造工程も単純で製造コストが安いと
いう利点がある。
【０００３】しかしながら、無機基板にメッキ法により
金属膜を形成した場合、一般に無機基板と金属膜との密
着性は分子間力によるため、非常に弱いことが知られて
いる。従って、メッキ金属膜は基板から剥離しやすい欠
点がある。メッキ金属膜の弱い密着性を改善するため
に、無機基板の表面をエッチング等の手法で粗面化した
後、メッキ法により金属膜を形成する方法が知られてい
る。無機基板の表面を粗面化することにより密着性が改
善される理由は、金属膜が応力等により剥がれようとす
るときに、金属膜がエッチングにより形成された無機基
板の凸部で引っ掛かり、剥がれにくくなること（所謂、
アンカー効果）による。
金属膜を形成した場合、一般に無機基板と金属膜との密
着性は分子間力によるため、非常に弱いことが知られて
いる。従って、メッキ金属膜は基板から剥離しやすい欠
点がある。メッキ金属膜の弱い密着性を改善するため
に、無機基板の表面をエッチング等の手法で粗面化した
後、メッキ法により金属膜を形成する方法が知られてい
る。無機基板の表面を粗面化することにより密着性が改
善される理由は、金属膜が応力等により剥がれようとす
るときに、金属膜がエッチングにより形成された無機基
板の凸部で引っ掛かり、剥がれにくくなること（所謂、
アンカー効果）による。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無機基
板の表面を粗面化する方法では、粗面化された無機基板
は光を散乱するため、この方法をＰＤＰ、ＬＣＤ等のフ
ラットディスプレイに適用した場合、コントラストが低
下する問題がある。本発明は、コントラストを低下する
ことなく、また簡単なプロセスによって、メッキ金属膜
の密着力を強化することができる金属膜及び電極の形成
方法を提供することも目的としている。
板の表面を粗面化する方法では、粗面化された無機基板
は光を散乱するため、この方法をＰＤＰ、ＬＣＤ等のフ
ラットディスプレイに適用した場合、コントラストが低
下する問題がある。本発明は、コントラストを低下する
ことなく、また簡単なプロセスによって、メッキ金属膜
の密着力を強化することができる金属膜及び電極の形成
方法を提供することも目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、陽
極接合法に着目し、その技術を無機基板上に形成したメ
ッキ金属膜の密着力を強化する手段として利用すること
により上記課題を解決することができることを確認し本
発明に至った。かくして本発明によれば、無機基板上に
メッキ法により金属膜を形成した後、該金属膜に正電
圧、無機基板に負電圧を印加して、金属膜と無機基板の
界面に静電引力を生成させることで金属膜を無機基板に
強固に密着させることを特徴とする金属膜の形成方法が
提供される。
極接合法に着目し、その技術を無機基板上に形成したメ
ッキ金属膜の密着力を強化する手段として利用すること
により上記課題を解決することができることを確認し本
発明に至った。かくして本発明によれば、無機基板上に
メッキ法により金属膜を形成した後、該金属膜に正電
圧、無機基板に負電圧を印加して、金属膜と無機基板の
界面に静電引力を生成させることで金属膜を無機基板に
強固に密着させることを特徴とする金属膜の形成方法が
提供される。
【０００６】更に、本発明によれば、無機基板上に金属
膜をメッキした後、該金属膜に正電圧、無機基板に負電
圧を印加して、金属膜と無機基板の界面に静電引力を生
成させることで金属膜を無機基板に強固に密着させ、該
無機基板に密着した金属膜を所定の形状にパターニング
して電極を形成することを特徴とする電極の形成方法が
提供される。
膜をメッキした後、該金属膜に正電圧、無機基板に負電
圧を印加して、金属膜と無機基板の界面に静電引力を生
成させることで金属膜を無機基板に強固に密着させ、該
無機基板に密着した金属膜を所定の形状にパターニング
して電極を形成することを特徴とする電極の形成方法が
提供される。
【０００７】また、本発明によれば、無機基板上に所定
パターンの金属膜をメッキした後、該金属膜に正電圧、
無機基板に負電圧を印加して、金属膜と無機基板の界面
に静電引力を生成させることで金属膜を無機基板に強固
に密着させ、該無機基板に密着した金属膜を所定の形状
にパターニングして電極を形成することを特徴とする電
極の形成方法が提供される。
パターンの金属膜をメッキした後、該金属膜に正電圧、
無機基板に負電圧を印加して、金属膜と無機基板の界面
に静電引力を生成させることで金属膜を無機基板に強固
に密着させ、該無機基板に密着した金属膜を所定の形状
にパターニングして電極を形成することを特徴とする電
極の形成方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に使用することができる無
機基板としては、特に限定されず、パイレックスガラス
基板、ソーダライムガラス基板、セラミックス基板等の
無機絶縁性基板、表面に無機絶縁性膜が形成されたシリ
コン基板等の無機半導体基板が挙げられる。この内、無
機絶縁性基板を使用することが好ましい。
機基板としては、特に限定されず、パイレックスガラス
基板、ソーダライムガラス基板、セラミックス基板等の
無機絶縁性基板、表面に無機絶縁性膜が形成されたシリ
コン基板等の無機半導体基板が挙げられる。この内、無
機絶縁性基板を使用することが好ましい。
【０００９】次に、無機基板上にメッキ形成される金属
膜を構成する材料は、酸化されやすい材料であれば特に
限定されない。そのような材料として、ニッケル、コバ
ルト、銅、亜鉛、クロム、鉄等の金属や、それら金属の
合金が挙げられる。メッキ金属膜（以下、金属膜と記
す）の形状は、無機基板の全面に形成された金属膜、ス
トライプ状、格子状等の金属膜パターンが挙げられる。
膜を構成する材料は、酸化されやすい材料であれば特に
限定されない。そのような材料として、ニッケル、コバ
ルト、銅、亜鉛、クロム、鉄等の金属や、それら金属の
合金が挙げられる。メッキ金属膜（以下、金属膜と記
す）の形状は、無機基板の全面に形成された金属膜、ス
トライプ状、格子状等の金属膜パターンが挙げられる。
【００１０】上記の金属膜を無機基板に強固に密着させ
る密着力強化法は、図１に示すように、負電圧印加用電
極３を介して無機基板１に負電圧を印加し、無機基板１
上の金属膜２に正電圧を印加し、無機基板１と金属膜２
との界面に静電引力を生成させる方法である。ここで、
周知の陽極接合法と対比してみると、陽極接合法は、金
属膜の接合面が露出しているために、当該接合面には１
０〜１００Å程度の自然酸化膜が既に形成されてしまっ
ている。これに対して、本発明の方法は、無機基板にメ
ッキした金属膜であるため、それらの界面に自然酸化膜
は形成されていない。この差は接合する又は密着させる
ために必要な蓄積電荷量に影響する。即ち、陽極接合法
では、一般に０．０１Ｃ／ｃｍ2 程度の蓄積電荷量を必
要としており、この蓄積電荷量は、界面において、金属
が無機基板の表面に露出するための陰性元素の電荷量の
数十〜数百倍である。この理由は、上記のように蓄積し
た電荷が、それにより空間を埋めることの他に、自然酸
化膜を金属イオン又は陰性元素が通過できるだけの電界
を形成するために使用されているためであると考えられ
る。しかし、本発明では、界面に自然酸化膜が形成され
ていないため、陽極接合法の１／１００００〜１／１０
倍程度（即ち、１×１０-6〜１×１０-3Ｃ／ｃｍ2 ）の
蓄積電荷量で十分な密着力を得ることができる。また、
接合前又は接合中に行われる加熱温度を低くすることが
でき、接合後の冷却時間の短縮、スループットの向上、
コストの低減を実現することができる。
る密着力強化法は、図１に示すように、負電圧印加用電
極３を介して無機基板１に負電圧を印加し、無機基板１
上の金属膜２に正電圧を印加し、無機基板１と金属膜２
との界面に静電引力を生成させる方法である。ここで、
周知の陽極接合法と対比してみると、陽極接合法は、金
属膜の接合面が露出しているために、当該接合面には１
０〜１００Å程度の自然酸化膜が既に形成されてしまっ
ている。これに対して、本発明の方法は、無機基板にメ
ッキした金属膜であるため、それらの界面に自然酸化膜
は形成されていない。この差は接合する又は密着させる
ために必要な蓄積電荷量に影響する。即ち、陽極接合法
では、一般に０．０１Ｃ／ｃｍ2 程度の蓄積電荷量を必
要としており、この蓄積電荷量は、界面において、金属
が無機基板の表面に露出するための陰性元素の電荷量の
数十〜数百倍である。この理由は、上記のように蓄積し
た電荷が、それにより空間を埋めることの他に、自然酸
化膜を金属イオン又は陰性元素が通過できるだけの電界
を形成するために使用されているためであると考えられ
る。しかし、本発明では、界面に自然酸化膜が形成され
ていないため、陽極接合法の１／１００００〜１／１０
倍程度（即ち、１×１０-6〜１×１０-3Ｃ／ｃｍ2 ）の
蓄積電荷量で十分な密着力を得ることができる。また、
接合前又は接合中に行われる加熱温度を低くすることが
でき、接合後の冷却時間の短縮、スループットの向上、
コストの低減を実現することができる。
【００１１】即ち、接合時に金属膜と無機基板の界面に
蓄積する電荷量は、無機基板に存在する陰性元素による
表面電荷密度の１／１０００〜１０倍程度であることが
好ましく、特に１／１００〜１倍であることが好まし
い。１／１０００より少ない場合、密着力が十分向上し
ないため好ましくなく、１０倍より大きい場合、金属の
酸化が進み、界面に応力が形成され密着性が低下するた
め好ましくない。本発明において、陰性元素とは、酸
素、窒素等の無機基板を構成する元素の内、電気陰性度
の大きい元素を意味する。この陰性元素は、密着力強化
時に金属膜と電気化学的に結合するので、金属膜と無機
基板との界面に静電引力を生成させ強固な密着力を実現
することができる。
蓄積する電荷量は、無機基板に存在する陰性元素による
表面電荷密度の１／１０００〜１０倍程度であることが
好ましく、特に１／１００〜１倍であることが好まし
い。１／１０００より少ない場合、密着力が十分向上し
ないため好ましくなく、１０倍より大きい場合、金属の
酸化が進み、界面に応力が形成され密着性が低下するた
め好ましくない。本発明において、陰性元素とは、酸
素、窒素等の無機基板を構成する元素の内、電気陰性度
の大きい元素を意味する。この陰性元素は、密着力強化
時に金属膜と電気化学的に結合するので、金属膜と無機
基板との界面に静電引力を生成させ強固な密着力を実現
することができる。
【００１２】上記本発明の密着力強化の条件は、温度、
印加電圧、印加時間、無機基板の材質（抵抗率）、厚み
に関連している。いま、印加電圧をＶ（Ｖ）、印加時間
をｔ（秒）、無機基板の厚みをｄ（ｃｍ）、温度をＴ
（℃）、無機基板の抵抗率をρ（Ｔ）（Ω・ｃｍ）とし
て、目標とする電荷蓄積量をＣ（Ｃ／ｃｍ2 ）とする
と、これらには Ｖｔ／ρ（Ｔ）ｄ＝Ｃ の関係が成り立つ（但し、上記式は界面での空間電荷形
成が無視できる領域において成り立つ）。ここで例え
ば、Ｖ＝１０００Ｖ、ｔ＝３００秒、ｄ＝０．３ｃｍ、
Ｃ＝１×１０-5Ｃ／ｃｍ2 とすると、ρ（Ｔ）＝１０10
Ω・ｃｍとなる。この値中、ρとＴは無機基板の材質に
より決まる値である。例えば、ソーダライムガラスから
なる無機基板の場合、Ｔ＝８７℃で、ρ＝１０10Ω・ｃ
ｍになる。また、パイレックスガラスからなる無機基板
の場合、Ｔ＝１６４℃で、ρ＝１０10Ω・ｃｍになる。
上記条件は、金属膜と無機基板との電気化学的な接合に
必要な条件である。従って、上記温度以上で密着力強化
を行うと、電気化学的な密着力に加えて、界面で純粋な
化学反応による結合効果（所謂、アニール効果）による
密着力の向上も得られる。但し、温度を上げ過ぎると、
密着力強化時の雰囲気中に含まれる酸素により、金属膜
が酸化されてしまう恐れがある。しかしながら、本発明
の方法では、陽極接合法では困難であった低温領域にお
いて、電気化学的な密着力強化を得ることができるた
め、温度を上げ過ぎることによる金属層の表面の酸化も
陽極接合法と比較して著しく抑制することができる。
印加電圧、印加時間、無機基板の材質（抵抗率）、厚み
に関連している。いま、印加電圧をＶ（Ｖ）、印加時間
をｔ（秒）、無機基板の厚みをｄ（ｃｍ）、温度をＴ
（℃）、無機基板の抵抗率をρ（Ｔ）（Ω・ｃｍ）とし
て、目標とする電荷蓄積量をＣ（Ｃ／ｃｍ2 ）とする
と、これらには Ｖｔ／ρ（Ｔ）ｄ＝Ｃ の関係が成り立つ（但し、上記式は界面での空間電荷形
成が無視できる領域において成り立つ）。ここで例え
ば、Ｖ＝１０００Ｖ、ｔ＝３００秒、ｄ＝０．３ｃｍ、
Ｃ＝１×１０-5Ｃ／ｃｍ2 とすると、ρ（Ｔ）＝１０10
Ω・ｃｍとなる。この値中、ρとＴは無機基板の材質に
より決まる値である。例えば、ソーダライムガラスから
なる無機基板の場合、Ｔ＝８７℃で、ρ＝１０10Ω・ｃ
ｍになる。また、パイレックスガラスからなる無機基板
の場合、Ｔ＝１６４℃で、ρ＝１０10Ω・ｃｍになる。
上記条件は、金属膜と無機基板との電気化学的な接合に
必要な条件である。従って、上記温度以上で密着力強化
を行うと、電気化学的な密着力に加えて、界面で純粋な
化学反応による結合効果（所謂、アニール効果）による
密着力の向上も得られる。但し、温度を上げ過ぎると、
密着力強化時の雰囲気中に含まれる酸素により、金属膜
が酸化されてしまう恐れがある。しかしながら、本発明
の方法では、陽極接合法では困難であった低温領域にお
いて、電気化学的な密着力強化を得ることができるた
め、温度を上げ過ぎることによる金属層の表面の酸化も
陽極接合法と比較して著しく抑制することができる。
【００１３】また、本発明の密着力強化法が、陽極接合
法より少ない蓄積電荷で済むもう一つの理由として、陽
極接合法では、空間が存在する金属膜と無機基板との界
面を接合させるために大きな圧力が必要であるにもかか
わらず、クーロン力は極めて弱いため、非常に大きな電
荷の蓄積が必要となることが挙げられる。即ち、空間の
広がりに比べて変動が極めて少ない領域では、平行平板
間に電荷が蓄積しているモデルに近似できるが、このよ
うな場合、第一次近似としてクーロン力は（蓄積電荷密
度）／（ギャップ間距離）に比例すると考えられる。こ
こで、陽極接合法は空間間隔が最大約１μｍ、本発明の
密着力強化法では最大約１ｎｍであるため、同じ電荷密
度であれば、クーロン力は約１０００倍異なることとな
る。このような観点からも、本発明では、陽極接合法に
比べて必要な蓄積電荷量を少なくすることができること
が説明できる。
法より少ない蓄積電荷で済むもう一つの理由として、陽
極接合法では、空間が存在する金属膜と無機基板との界
面を接合させるために大きな圧力が必要であるにもかか
わらず、クーロン力は極めて弱いため、非常に大きな電
荷の蓄積が必要となることが挙げられる。即ち、空間の
広がりに比べて変動が極めて少ない領域では、平行平板
間に電荷が蓄積しているモデルに近似できるが、このよ
うな場合、第一次近似としてクーロン力は（蓄積電荷密
度）／（ギャップ間距離）に比例すると考えられる。こ
こで、陽極接合法は空間間隔が最大約１μｍ、本発明の
密着力強化法では最大約１ｎｍであるため、同じ電荷密
度であれば、クーロン力は約１０００倍異なることとな
る。このような観点からも、本発明では、陽極接合法に
比べて必要な蓄積電荷量を少なくすることができること
が説明できる。
【００１４】また、陽極接合法が、分離している板状又
は箔状の金属膜と無機基板とを、圧力をかけつつ接合し
ているのに対して、本発明では金属膜は無機基板に分子
間力により密着しているため、密着力強化時に圧力をか
けなくても、金属膜と無機基板との界面の気泡等による
空間を容易に排除することができる。よって、陽極接合
法で課題とされていた、気泡の発生を本発明では考慮す
る必要がない。しかも、本発明では、圧力をかける必要
がないので、無機基板の表面に傷がつくことを防ぐこと
ができる。更に、基板に凹凸がある場合でも、本発明の
方法を使用して密着力の向上した金属膜を得ることがで
きる。
は箔状の金属膜と無機基板とを、圧力をかけつつ接合し
ているのに対して、本発明では金属膜は無機基板に分子
間力により密着しているため、密着力強化時に圧力をか
けなくても、金属膜と無機基板との界面の気泡等による
空間を容易に排除することができる。よって、陽極接合
法で課題とされていた、気泡の発生を本発明では考慮す
る必要がない。しかも、本発明では、圧力をかける必要
がないので、無機基板の表面に傷がつくことを防ぐこと
ができる。更に、基板に凹凸がある場合でも、本発明の
方法を使用して密着力の向上した金属膜を得ることがで
きる。
【００１５】本発明の形成方法により得られた金属膜
は、無機基板上に金属膜を形成することが望まれる用途
全てに使用することができる。その用途としては、例え
ば、圧力センサーのような測定装置の電極、プラズマデ
ィスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置等の表示装
置の電極や電磁シールドが挙げられる。この内、表示装
置の電極の形成に使用することが好ましい。
は、無機基板上に金属膜を形成することが望まれる用途
全てに使用することができる。その用途としては、例え
ば、圧力センサーのような測定装置の電極、プラズマデ
ィスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置等の表示装
置の電極や電磁シールドが挙げられる。この内、表示装
置の電極の形成に使用することが好ましい。
【００１６】電極の形成方法としては、無機基板上にメ
ッキ法により金属膜を形成し、無機基板に負電圧、金属
膜に正電圧を印加して無機基板と金属膜との密着力を強
化した後、金属膜を所望の電極形状にパターニングして
電極を得るか、又は無機基板上にメッキ法により所望の
電極パターンを有する金属膜を形成し、無機基板に負電
圧、金属膜に正電圧を印加して無機基板と金属膜との密
着力を強化し、その金属膜を電極として形成することが
できる。
ッキ法により金属膜を形成し、無機基板に負電圧、金属
膜に正電圧を印加して無機基板と金属膜との密着力を強
化した後、金属膜を所望の電極形状にパターニングして
電極を得るか、又は無機基板上にメッキ法により所望の
電極パターンを有する金属膜を形成し、無機基板に負電
圧、金属膜に正電圧を印加して無機基板と金属膜との密
着力を強化し、その金属膜を電極として形成することが
できる。
【００１７】上記電極の形成方法をＰＤＰに適用した場
合について述べる。一般的なＰＤＰの構成を図２に示
す。なお、図２のＰＤＰ２０は、ＡＣメモリ駆動方式の
面放電型のＰＤＰであるが、本発明の方法は、他の駆動
方式及び／又は構造のＰＤＰにも使用することができ
る。ＰＤＰ２０は、表示側基板と背面基板とからなる。
表示側基板は、無機基板２７（例えば、ガラス基板）上
にバス電極となる金属膜２６（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒの積層膜、Ａｌ）と透明電極２５（例えば、ＩＴＯ、
ＮＥＳＡ（ＳｎＯ2））からなる表示電極がストライプ
状に形成され、この電極を覆うように誘電体層２４が形
成され、誘電体層２４上には保護膜２９が形成されてな
る構成を有している。ここで金属膜２６の形成に本発明
の電極の形成方法を使用することができる。一方、背面
基板は、無機基板２３（例えば、ガラス基板）上にアド
レス電極Ａがストライプ状に形成され、アドレス電極Ａ
が誘電体層２８で覆われ、誘電体層２８上に隔壁２１が
形成され、隔壁２１間の誘電体層２８上及び隔壁の壁面
にＲＧＢの三原色の蛍光体２２を覆ってなる構成を有し
ている。ここでアドレス電極Ａの形成に本発明の電極の
形成方法を使用することができる。なお、図２中、Ｄは
表示面、ＥＵは単位発光素子、ＥＧは１画素を意味す
る。
合について述べる。一般的なＰＤＰの構成を図２に示
す。なお、図２のＰＤＰ２０は、ＡＣメモリ駆動方式の
面放電型のＰＤＰであるが、本発明の方法は、他の駆動
方式及び／又は構造のＰＤＰにも使用することができ
る。ＰＤＰ２０は、表示側基板と背面基板とからなる。
表示側基板は、無機基板２７（例えば、ガラス基板）上
にバス電極となる金属膜２６（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒの積層膜、Ａｌ）と透明電極２５（例えば、ＩＴＯ、
ＮＥＳＡ（ＳｎＯ2））からなる表示電極がストライプ
状に形成され、この電極を覆うように誘電体層２４が形
成され、誘電体層２４上には保護膜２９が形成されてな
る構成を有している。ここで金属膜２６の形成に本発明
の電極の形成方法を使用することができる。一方、背面
基板は、無機基板２３（例えば、ガラス基板）上にアド
レス電極Ａがストライプ状に形成され、アドレス電極Ａ
が誘電体層２８で覆われ、誘電体層２８上に隔壁２１が
形成され、隔壁２１間の誘電体層２８上及び隔壁の壁面
にＲＧＢの三原色の蛍光体２２を覆ってなる構成を有し
ている。ここでアドレス電極Ａの形成に本発明の電極の
形成方法を使用することができる。なお、図２中、Ｄは
表示面、ＥＵは単位発光素子、ＥＧは１画素を意味す
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳しく説明
する。 実施例１ まず、ガラス基板（旭硝子社製ＰＤ−２００、歪み点５
７０℃）上に、無電解メッキ法により厚さ０．１μｍの
Ｃｏからなる金属膜を形成した。なお、無電解メッキ法
には、Ｃｏ無電解メッキ液としてワールドメタル社製の
コンバス−Ｐを使用した。得られた金属膜を、ＪＩＳ規
格番号Ｈ０２１１のスクラッチ試験により密着力を評価
した。この金属膜は、スクラッチ試験では測定すること
が困難なほど密着力が弱かった。なお、密着力は、数ｍ
Ｎ以下であると推測される。
する。 実施例１ まず、ガラス基板（旭硝子社製ＰＤ−２００、歪み点５
７０℃）上に、無電解メッキ法により厚さ０．１μｍの
Ｃｏからなる金属膜を形成した。なお、無電解メッキ法
には、Ｃｏ無電解メッキ液としてワールドメタル社製の
コンバス−Ｐを使用した。得られた金属膜を、ＪＩＳ規
格番号Ｈ０２１１のスクラッチ試験により密着力を評価
した。この金属膜は、スクラッチ試験では測定すること
が困難なほど密着力が弱かった。なお、密着力は、数ｍ
Ｎ以下であると推測される。
【００１９】ここで、メッキ法の特徴を利用して、ガラ
ス基板両面に金属膜を形成し、基板表面側の金属膜を表
示電極等の金属膜とし、基板裏面側の金属膜を以下に記
載する負電圧印加用電極として使用した。次に、温度２
７０℃で１５分間保持した後、印加電圧４００Ｖ、窒素
ガス雰囲気下で密着力強化を行い、密着力と蓄積電荷量
を測定した。結果を表１に示す。なお、温度を２００℃
にすること以外は、前記と同様にして密着力強化を行
い、得られた金属膜の密着力と蓄積電荷量を測定した。
ス基板両面に金属膜を形成し、基板表面側の金属膜を表
示電極等の金属膜とし、基板裏面側の金属膜を以下に記
載する負電圧印加用電極として使用した。次に、温度２
７０℃で１５分間保持した後、印加電圧４００Ｖ、窒素
ガス雰囲気下で密着力強化を行い、密着力と蓄積電荷量
を測定した。結果を表１に示す。なお、温度を２００℃
にすること以外は、前記と同様にして密着力強化を行
い、得られた金属膜の密着力と蓄積電荷量を測定した。
【００２０】
【表１】
【００２１】上記表１から明らかなように、密着力を格
段に向上させることができた。更に、温度２７０℃で１
５分間保持した金属膜に５×１０-4Ｃ／ｃｍ2 の電荷を
蓄積させたときの印加電圧及び金属膜−無機基板間に流
れる電流（説明の便宜上、接合電流と記す）の時間経過
を測定した。結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に、接合電流は徐々に増加し、約２０秒で電流が飽和し
ている。また、飽和時の面積当たりの蓄積電荷量は、
２．３×１０-4Ｃ／ｃｍ2 であった。
段に向上させることができた。更に、温度２７０℃で１
５分間保持した金属膜に５×１０-4Ｃ／ｃｍ2 の電荷を
蓄積させたときの印加電圧及び金属膜−無機基板間に流
れる電流（説明の便宜上、接合電流と記す）の時間経過
を測定した。結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に、接合電流は徐々に増加し、約２０秒で電流が飽和し
ている。また、飽和時の面積当たりの蓄積電荷量は、
２．３×１０-4Ｃ／ｃｍ2 であった。
【００２２】また、温度２００℃で１５分間保持した厚
さ０．２μｍの金属膜に蓄積させる電荷量を異ならせる
ことにより、蓄積電荷量と密着力との関係を調べた。そ
の結果を図４に示す。図４から、蓄積電荷量を増加させ
ることにより、密着力も向上することが判った。なお、
本実施例に使用したガラス基板は、バルク状態での抵抗
率の温度変化から計算すると、公知の陽極接合法では、
約４００℃で加熱する必要があると推測される。従っ
て、本実施例によれば、接合時の温度をより低くするこ
とができるため、冷却を短時間で行うことができる。ま
た、ソーダライム基板を使用した場合でも、約７０℃の
温度で接合することができると推測される。
さ０．２μｍの金属膜に蓄積させる電荷量を異ならせる
ことにより、蓄積電荷量と密着力との関係を調べた。そ
の結果を図４に示す。図４から、蓄積電荷量を増加させ
ることにより、密着力も向上することが判った。なお、
本実施例に使用したガラス基板は、バルク状態での抵抗
率の温度変化から計算すると、公知の陽極接合法では、
約４００℃で加熱する必要があると推測される。従っ
て、本実施例によれば、接合時の温度をより低くするこ
とができるため、冷却を短時間で行うことができる。ま
た、ソーダライム基板を使用した場合でも、約７０℃の
温度で接合することができると推測される。
【００２３】この後、上記密着力強化法により処理され
た金属膜の表面における自然酸化膜を除去し、更にＰｄ
イオンによる触媒付与工程に付した後、Ｃｕを無電解メ
ッキ法により金属膜上に０．１μｍ厚さで成膜し、続い
て電解メッキ法により４μｍの厚さのＣｕ膜を成膜し
た。得られた金属膜及びＣｕ膜に剥離は生じなかった。
た金属膜の表面における自然酸化膜を除去し、更にＰｄ
イオンによる触媒付与工程に付した後、Ｃｕを無電解メ
ッキ法により金属膜上に０．１μｍ厚さで成膜し、続い
て電解メッキ法により４μｍの厚さのＣｕ膜を成膜し
た。得られた金属膜及びＣｕ膜に剥離は生じなかった。
【００２４】実施例２ 図５（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。無機基板３１上に、１０００ÅのＣｏ層３３を無
電解メッキ法で積層し、密着力強化を施した。次いで、
Ｃｏ層３３上に、Ｃｕ層３８を電解メッキ法で２μｍの
厚さで積層した（図５（ａ）参照）。次いで、フォトレ
ジストを全面に塗布し、露光・現像することにより電極
の形成を所望する領域にのみマスク３９を形成した。こ
の後、塩化第二鉄水溶液を使用してＣｕ層３８及びＣｏ
層３３を一括にエッチングすることにより、伝導層３５
及び下地層３７を形成した（図５（ｂ）参照）。
した。無機基板３１上に、１０００ÅのＣｏ層３３を無
電解メッキ法で積層し、密着力強化を施した。次いで、
Ｃｏ層３３上に、Ｃｕ層３８を電解メッキ法で２μｍの
厚さで積層した（図５（ａ）参照）。次いで、フォトレ
ジストを全面に塗布し、露光・現像することにより電極
の形成を所望する領域にのみマスク３９を形成した。こ
の後、塩化第二鉄水溶液を使用してＣｕ層３８及びＣｏ
層３３を一括にエッチングすることにより、伝導層３５
及び下地層３７を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００２５】この後、ＮａＯＨ水溶液によりフォトレジ
ストの除去と脱脂を行い、酢酸を使用して伝導層３５の
表面の自然酸化膜を除去した。次いで、ワールドメタル
社製のコバルトメッキ液コンバス−Ｍを使用して、伝導
層３５の表面を覆うように、選択的に厚さ０．３μｍの
Ｃｏからなる保護層３６を形成した。従って、無機基板
３１上に下地層（Ｃｏ）３７、伝導層（Ｃｕ）３５及び
保護層（Ｃｏ）３６からなるバス電極が形成できた（図
５（ｃ）参照）。
ストの除去と脱脂を行い、酢酸を使用して伝導層３５の
表面の自然酸化膜を除去した。次いで、ワールドメタル
社製のコバルトメッキ液コンバス−Ｍを使用して、伝導
層３５の表面を覆うように、選択的に厚さ０．３μｍの
Ｃｏからなる保護層３６を形成した。従って、無機基板
３１上に下地層（Ｃｏ）３７、伝導層（Ｃｕ）３５及び
保護層（Ｃｏ）３６からなるバス電極が形成できた（図
５（ｃ）参照）。
【００２６】次に、バス電極を覆うように基板３１上に
厚さ０．３μｍのＩＴＯ膜３２ａを形成した（図５
（ｄ）参照）。ＩＴＯ膜３２ａは、インジウム及びスズ
の有機金属化合物を含むペーストを無機基板３１上に塗
布・焼成することにより形成した。次いで、フォトレジ
ストを全面に塗布し、露光・現像することにより透明電
極の形成を所望する領域にのみ膜厚３μｍのマスク４０
を形成した。このマスク４０を使用して塩酸水溶液によ
りＩＴＯ膜３２ａをウエットエッチングすることによ
り、透明電極３２を形成した（図５（ｅ）参照）。
厚さ０．３μｍのＩＴＯ膜３２ａを形成した（図５
（ｄ）参照）。ＩＴＯ膜３２ａは、インジウム及びスズ
の有機金属化合物を含むペーストを無機基板３１上に塗
布・焼成することにより形成した。次いで、フォトレジ
ストを全面に塗布し、露光・現像することにより透明電
極の形成を所望する領域にのみ膜厚３μｍのマスク４０
を形成した。このマスク４０を使用して塩酸水溶液によ
りＩＴＯ膜３２ａをウエットエッチングすることによ
り、透明電極３２を形成した（図５（ｅ）参照）。
【００２７】マスク４０を除去した後、無機基板３１全
面に、低融点ガラス粉末、エチルセルロース（バインダ
ー樹脂）及びα−テルピネオール（溶剤）からなる低融
点ガラスペーストを塗布した。この低融点ガラスペース
トを空気中で５００〜６００℃で焼成することにより、
誘電体層３１を形成した。この後、誘電体層３１上に蒸
着法により厚さ１μｍのＭｇＯからなる保護層４２を形
成することにより、ＰＤＰの表示側基板を製造すること
ができた（図５（ｆ）参照）。
面に、低融点ガラス粉末、エチルセルロース（バインダ
ー樹脂）及びα−テルピネオール（溶剤）からなる低融
点ガラスペーストを塗布した。この低融点ガラスペース
トを空気中で５００〜６００℃で焼成することにより、
誘電体層３１を形成した。この後、誘電体層３１上に蒸
着法により厚さ１μｍのＭｇＯからなる保護層４２を形
成することにより、ＰＤＰの表示側基板を製造すること
ができた（図５（ｆ）参照）。
【００２８】上記表示側基板とは別に、無機基板上にＮ
ｉ層をメッキ法により積層し、密着力強化を施した。Ｎ
ｉ層をエッチングすることによりアドレス電極を形成し
た。次いで、公知の手段により誘電体層、隔壁及び蛍光
体層を形成することにより背面基板を製造することがで
きた。表示側基板及び背面基板を貼り合わせて、放電空
間に放電ガスを封入することにより、図２に示す如きＰ
ＤＰを得ることができた。
ｉ層をメッキ法により積層し、密着力強化を施した。Ｎ
ｉ層をエッチングすることによりアドレス電極を形成し
た。次いで、公知の手段により誘電体層、隔壁及び蛍光
体層を形成することにより背面基板を製造することがで
きた。表示側基板及び背面基板を貼り合わせて、放電空
間に放電ガスを封入することにより、図２に示す如きＰ
ＤＰを得ることができた。
【００２９】実施例３ 厚さ２μｍのＣｕ層３８を硫酸銅と硫酸とを含む水溶液
を用いた電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層３８の形成前
に、Ｃｏ層３３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層を無電解メ
ッキ法で形成すること以外は、図５（ａ）と同様の工程
を繰り返した。なお、電解Ｃｕメッキ実施前に薄いＣｕ
層を形成することは、基板の対角線長さが数十ｃｍ以上
のような大型ガラス基板においては、望ましい状況で電
解Ｃｕメッキを行うために重要な意味を持つ。即ちＣｏ
層３３のシート抵抗は、高々数十Ω／□なので、電解メ
ッキの初期において、メッキ時のＣｏ層を流れるメッキ
電流による電圧降下によって、ガラス基板中央部のＣｏ
には電解メッキを行うのに十分な電圧が供給されないと
いう状況が発生する。
を用いた電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層３８の形成前
に、Ｃｏ層３３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層を無電解メ
ッキ法で形成すること以外は、図５（ａ）と同様の工程
を繰り返した。なお、電解Ｃｕメッキ実施前に薄いＣｕ
層を形成することは、基板の対角線長さが数十ｃｍ以上
のような大型ガラス基板においては、望ましい状況で電
解Ｃｕメッキを行うために重要な意味を持つ。即ちＣｏ
層３３のシート抵抗は、高々数十Ω／□なので、電解メ
ッキの初期において、メッキ時のＣｏ層を流れるメッキ
電流による電圧降下によって、ガラス基板中央部のＣｏ
には電解メッキを行うのに十分な電圧が供給されないと
いう状況が発生する。
【００３０】このとき、Ｃｏとメッキ液のＣｕ2+イオン
とで酸化還元反応が進行してＣｏがイオンとなって溶出
する代わりにＣｕが析出し、ある程度の膜厚のＣｕが形
成されればシート抵抗が下がり、電圧降下の問題は解決
され、それ以降は正常に電解メッキされる。この反応が
起きるおかげで、そのような電圧降下により、基板中央
部に十分な印加電圧がかからない場合でも、Ｃｏ層３３
の膜厚が十分ならば電圧降下の問題は解決される。
とで酸化還元反応が進行してＣｏがイオンとなって溶出
する代わりにＣｕが析出し、ある程度の膜厚のＣｕが形
成されればシート抵抗が下がり、電圧降下の問題は解決
され、それ以降は正常に電解メッキされる。この反応が
起きるおかげで、そのような電圧降下により、基板中央
部に十分な印加電圧がかからない場合でも、Ｃｏ層３３
の膜厚が十分ならば電圧降下の問題は解決される。
【００３１】しかしながら、Ｃｏ層３３の膜厚が少ない
場合には、ＣｕとＣｏとの置換反応が、ガラス界面まで
到って、金属膜とガラスとの密着がとれなくなり剥がれ
る。また、Ｃｕ2+イオンが電解Ｃｕメッキ液中に溶出す
ることにより、メッキ液の寿命が短くなるといった問題
点も発生する。従って、以上の２点を解決するために、
電解Ｃｕメッキ前に無電解Ｃｕメッキ膜を形成すること
は有効な方法である。上記工程以外は、図５（ｂ）〜
（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤＰの表示側基
板を製造することができた。
場合には、ＣｕとＣｏとの置換反応が、ガラス界面まで
到って、金属膜とガラスとの密着がとれなくなり剥がれ
る。また、Ｃｕ2+イオンが電解Ｃｕメッキ液中に溶出す
ることにより、メッキ液の寿命が短くなるといった問題
点も発生する。従って、以上の２点を解決するために、
電解Ｃｕメッキ前に無電解Ｃｕメッキ膜を形成すること
は有効な方法である。上記工程以外は、図５（ｂ）〜
（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤＰの表示側基
板を製造することができた。
【００３２】実施例４ 図６（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。まず、基板３１上にＣｏ層３３及びＣｕ層４３を
無電解メッキ法によりそれぞれ厚さ１０００Åで形成し
た（図６（ａ）参照）。
した。まず、基板３１上にＣｏ層３３及びＣｕ層４３を
無電解メッキ法によりそれぞれ厚さ１０００Åで形成し
た（図６（ａ）参照）。
【００３３】更に、厚さ５μｍでフォトレジストを基板
全面に塗布し、バス電極用の伝導層の形成を所望する領
域を露光・現像することにより、該領域に開口部を有す
るマスク３４を形成した。このマスク３４を使用して、
電解メッキ法により厚さ２μｍのＣｕからなる伝導層３
５を形成した（図６（ｂ）参照）。なお、メッキ条件
は、酸性硫酸銅を主成分として含む水溶液（商品名ミク
ロファブ、ＥＥＪＡ社製）をメッキ液として使用し、液
温３０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。
全面に塗布し、バス電極用の伝導層の形成を所望する領
域を露光・現像することにより、該領域に開口部を有す
るマスク３４を形成した。このマスク３４を使用して、
電解メッキ法により厚さ２μｍのＣｕからなる伝導層３
５を形成した（図６（ｂ）参照）。なお、メッキ条件
は、酸性硫酸銅を主成分として含む水溶液（商品名ミク
ロファブ、ＥＥＪＡ社製）をメッキ液として使用し、液
温３０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。
【００３４】マスク３４を除去した後、バス電極に密着
力強化を施し、次いで図５（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程
を経ることによりＰＤＰの表示側基板を製造することが
できた（図６（ｃ）〜（ｆ）参照）。
力強化を施し、次いで図５（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程
を経ることによりＰＤＰの表示側基板を製造することが
できた（図６（ｃ）〜（ｆ）参照）。
【００３５】実施例５ 図７（ａ）〜（ｅ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。図７（ａ）〜（ｅ）に示す形成方法は、透明電極
２を印刷法で形成すること（図７（ｄ）参照）以外は、
図６（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤ
Ｐの表示側基板を製造することができた。
した。図７（ａ）〜（ｅ）に示す形成方法は、透明電極
２を印刷法で形成すること（図７（ｄ）参照）以外は、
図６（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤ
Ｐの表示側基板を製造することができた。
【００３６】
【発明の効果】本発明の金属膜及び電極の形成方法によ
れば、無機基板上に密着性に優れたメッキ膜からなる金
属膜及び電極を得ることができる。また、無機基板の金
属膜形成面に密着力強化のための粗面化処理等を全く行
わないので、光透過性を損なうことがなく、表示電極へ
の適用において、コントラストを低下させることがな
い。しかも、密着力強化工程は、安価な製造設備でかつ
簡単な処理で実現することができる。
れば、無機基板上に密着性に優れたメッキ膜からなる金
属膜及び電極を得ることができる。また、無機基板の金
属膜形成面に密着力強化のための粗面化処理等を全く行
わないので、光透過性を損なうことがなく、表示電極へ
の適用において、コントラストを低下させることがな
い。しかも、密着力強化工程は、安価な製造設備でかつ
簡単な処理で実現することができる。
【図１】本発明の金属膜形成法の概念図である。
【図２】ＰＤＰの概略斜視図である。
【図３】実施例１の密着力強化のための時間に対する印
加電圧と接合電流との関係を示すグラフである。
加電圧と接合電流との関係を示すグラフである。
【図４】実施例１の密着力強化時の蓄積電荷量と密着力
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図５】実施例２及び３のＰＤＰの表示側基板の製造工
程の概略断面図である。
程の概略断面図である。
【図６】実施例４のＰＤＰの表示側基板の製造工程の概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】実施例５のＰＤＰの表示側基板の製造工程の概
略断面図である。
略断面図である。
１、３１ 無機基板 ２ 金属膜 ３ 負電圧印加用電極 ２０ ＰＤＰ ２１ 隔壁 ２２ 蛍光体 ２３、２７ 無機基板 ２４、２８、４１ 誘電体層 ２５、３２ 透明電極 ２６ 金属膜 ２９、４２ 保護膜 Ａ アドレス電極 Ｄ 表示面 ＥＵ 単位発光素子 ＥＧ １画素 ３２ａ ＩＴＯ膜 ３３ Ｃｏ層 ３４、３９、４０ マスク ３５ 伝導層 ３６ 保護層 ３７ 下地層 ３８、４３ Ｃｕ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠原 滋雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−222128（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−328372（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−123341（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−61799（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/31 C25D 5/48 C25D 11/00 301 G09F 9/30 312
Claims (9)
- 【請求項１】 無機基板上にメッキ法により金属膜を形
成した後、該金属膜に正電圧、無機基板に負電圧を印加
して、金属膜と無機基板の界面に静電引力を生成させる
ことで金属膜を無機基板に強固に密着させることを特徴
とする金属膜の形成方法。 - 【請求項２】 無機基板が、ガラス基板又はセラミック
ス基板である請求項１の金属膜の形成方法。 - 【請求項３】 無機基板が金属膜形成面と異なる面に負
電圧印加用電極を有し、その負電圧印加用電極が金属膜
と同時にメッキ法で形成される請求項１又は２の金属膜
の形成方法。 - 【請求項４】 金属膜を無機基板に強固に密着させる工
程が、無機基板の表面に存在する陰性元素の電荷量の１
／１０００〜１０倍の電荷蓄積量となるよう調整された
電圧下で行われる請求項１〜３のいずれかの金属膜の形
成方法。 - 【請求項５】 金属膜を無機基板に強固に密着させる工
程が、真空、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で行わ
れる請求項１〜４のいずれかの金属膜の形成方法。 - 【請求項６】 無機基板上に金属膜をメッキした後、該
金属膜に正電圧、無機基板に負電圧を印加して、金属膜
と無機基板の界面に静電引力を生成させることで金属膜
を無機基板に強固に密着させ、該無機基板に密着した金
属膜を所定の形状にパターニングして電極を形成するこ
とを特徴とする電極の形成方法。 - 【請求項７】 無機基板上に所定パターンの金属膜をメ
ッキした後、該金属膜に正電圧、無機基板に負電圧を印
加して、金属膜と無機基板の界面に静電引力を生成させ
ることで金属膜を無機基板に強固に密着させ、該無機基
板に密着した金属膜を所定の形状にパターニングして電
極を形成することを特徴とする電極の形成方法。 - 【請求項８】 無機基板における電極形成面と反対側の
面に、負電圧印加用の電極を金属膜のメッキ形成工程で
同時に形成する請求項６又は７の電極の形成方法。 - 【請求項９】 電極が、プラズマディスプレイパネルの
放電用電極である請求項６〜８のいずれかの電極の形成
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20802298A JP3325522B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 |
| PCT/JP1999/002423 WO2000005432A1 (fr) | 1998-07-23 | 1999-05-10 | Procede de formation d'une couche metallique et procede de formation d'une electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20802298A JP3325522B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038680A JP2000038680A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3325522B2 true JP3325522B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=16549385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20802298A Expired - Lifetime JP3325522B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325522B2 (ja) |
| WO (1) | WO2000005432A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007031741A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Alps Electric Co Ltd | 無電解銅めっき膜の密着性改善方法 |
| KR100956069B1 (ko) | 2008-11-20 | 2010-05-07 | 이동헌 | 정보 디스플레이용 유리패널의 전극제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 유리패널 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124049A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-24 | Seiko Epson Corp | 接合方法 |
| JPH08293259A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 気体放電表示パネル及びその電極の形成方法 |
| JPH09139565A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電極パターン形成方法 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20802298A patent/JP3325522B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-10 WO PCT/JP1999/002423 patent/WO2000005432A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000038680A (ja) | 2000-02-08 |
| WO2000005432A1 (fr) | 2000-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3778223B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP3462136B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 | |
| WO1999014780A1 (en) | Dual-layer metal for flat panel display | |
| JP2005202410A (ja) | フィルター組立体及びその製造方法、並びにそれを採用したプラズマディスプレイパネル | |
| KR100298403B1 (ko) | 플라즈마디스플레이패널의블랙매트릭스형성방법 | |
| JPH10214569A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP3325522B2 (ja) | 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 | |
| JP2007286527A (ja) | 表示パネルを有する表示装置およびその解体方法 | |
| JP2000113809A (ja) | プラズマディスプレイパネルのブラックマトリックス製造方法 | |
| JP2010283096A (ja) | 配線部材、その製造方法及びそれを用いた電子部品 | |
| JP3431596B2 (ja) | 電極付きプレートとその製造方法、並びにこれらを用いたガス放電パネルとその製造方法 | |
| JP3636255B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH08222128A (ja) | 表示パネルの電極形成方法 | |
| JPH08293259A (ja) | 気体放電表示パネル及びその電極の形成方法 | |
| KR100513494B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법 | |
| JPH1021837A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| KR100404840B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법 | |
| JP3946241B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| KR100335463B1 (ko) | 플라즈마 표시소자용 미세배선 보호층 제조방법 | |
| JP3444875B2 (ja) | 電極付きプレートとその製造方法、並びにこれらを用いたガス放電パネルとその製造方法 | |
| JP3846636B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPH08315740A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JP2003234068A (ja) | プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法 | |
| JP4177917B2 (ja) | ガス放電型表示装置の製造方法 | |
| JP2006024490A (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020604 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313131 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705 Year of fee payment: 8 |