JPH10214569A

JPH10214569A - プラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JPH10214569A
Application number: JP9018877A
Authority: JP
Inventors: Akio Yamaguchi; 明雄山口; Masaharu Kamiyama; 當治神山; Tatsuro Kawamura; 達郎河村; Hideo Tanabe; 英夫田辺; Hiroshi Kawasaki; 浩川崎; Yuichi Kijima; 勇一木島
Original assignee: Hitachi Device Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1997-01-31
Filing date: 1997-01-31
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】装置の大型化を図った場合でも高い輝度特性
を有し、表示駆動回路が複雑でなく、装置の寿命が短く
ならないプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】管１内に、中間絶縁層９を介して重ね合
わせたメモリー素子６₁、６₂、平行配置の複数本のア
ノード電極４、アノード電極４と直交して平行配置の複
数本のカソード電極５を設け、メモリー素子６₁、６₂
は、メモリー電極７₁、７₂、電極７₁、７₂を内封し
て電極７₁、７₂間にマトリクス状に複数の貫通孔
８_1H、８_2Hを有する絶縁膜８₁、８₂からなり、中間絶
縁層９は、貫通孔８_1H、８_2Hと同数の貫通孔９_Hを有
し、メモリー素子６₁、６₂と中間絶縁層９とを重ね合
わせた際、貫通孔８_1H、８_2Hと対応する貫通孔９_Hを各
別に連通させた複数の連通部に、アノード電極４とカソ
ード電極５を結合させて複数の放電セル１０を形成し、
中間絶縁層９の厚さを０．３乃至２．０ｍｍの範囲に選
んだ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ装置に係わり、特に、プラズマディスプレイ管内に
設けられる一対のメモリー素子間に存在する静電容量を
低減し、プラズマディスプレイ装置の形状の大型化を図
るとともに、高輝度発光特性を持たせているプラズマデ
ィスプレイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プラズマディスプレイ装置は、大
別すると、交流型プラズマディスプレイ装置と、直流型
プラズマディスプレイ装置と、ハイブリッド型プラズマ
ディスプレイ装置とがある。

【０００３】この場合、既知の交流型プラズマディスプ
レイ装置としては、その構成の一例を挙げると、前面ガ
ラス板と背面ガラス板とを離間対向配置させたプラズマ
ディスプレイ管内に放電用気体を封入し、前面ガラス板
の内側に平行配置した複数本の透明表示電極を形成し、
複数本の透明表示電極の表面に誘電体層及び保護膜を被
覆し、また、背面ガラス板の内側に複数本の透明表示電
極に直交するように平行配置した複数本のアドレス電極
を形成し、複数本のアドレス電極の表面に誘電体層を被
覆するとともに、隣接するアドレス電極間にそれぞれ放
電の拡がりを防ぐためのバリアリブを配置し、バリアリ
ブ内側に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の螢光体を形成
したものである。

【０００４】かかる既知の交流型プラズマディスプレイ
装置は、表示を行う場合、アドレス電極と１表示画素内
の１つの表示電極との間でアドレス放電が行われ、その
後で、２つの表示電極間で表示放電が行われる。

【０００５】また、既知の直流型プラズマディスプレイ
装置としては、その構成の一例を挙げると、前面ガラス
板と背面ガラス板とを離間対向配置させたプラズマディ
スプレイ管内に放電用気体を封入し、前面ガラス板の内
側に平行配置した複数本のカソードを被着形成し、背面
ガラス板の内側に、複数本のカソードに直交するように
平行配置した複数本のアノードバスラインを被着形成す
るとともに、複数本のカソードに対向する位置に島状の
複数個のアノードと、複数個のアノードと対応する複数
本のアノードバスラインにそれぞれ接続する複数個の抵
抗を被着形成する。また、背面ガラス板の内側の複数個
のアノード形成部分を除いて絶縁層を形成し、複数個の
アノード形成部分を囲むように田の字形の隔壁及び補助
空間用隔壁を形成し、田の字形の隔壁の内側に一定の配
列順序で赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の螢光体を設け
たものである。

【０００６】かかる直流型プラズマディスプレイ装置
は、表示を行う場合、複数本のアノードバスラインのい
ずれかと複数本のカソードのいずれかの間に駆動電圧を
供給することにより、１つのアノードとそれに対応する
カソード間において表示放電が行われる。

【０００７】さらに、ハイブリッド型プラズマディスプ
レイ装置としては、その構成の一例を挙げると、特公平
３−７６４６８号に開示されたプラズマディスプレイ装
置または特公平７−７０２８９号に開示されたプラズマ
ディスプレイ装置等がある。

【０００８】ここで、図４は、前記特公平３−７６４６
８号に開示されたプラズマディスプレイ装置における要
部構成の一部分を示す断面図である。

【０００９】図４に図示されるように、このハイブリッ
ド型プラズマディスプレイ装置は、前面ガラス板４１と
背面ガラス板４２とを離間対向配置させたプラズマディ
スプレイ管４０内に放電用気体を封入し、背面ガラス板
４２の内側に、それぞれ、平行配置された複数本の第１
アドレス電極４３を形成し、複数本のアドレス電極４３
に直交し、かつ、離間するように平行配置した複数本の
第２アドレス電極４４を配置形成するとともに、複数本
の第１アドレス電極４３と複数本の第２アドレス電極４
４との各交差部分にマトリクス状に設けられた複数個の
貫通孔４７を有する比較的肉厚の絶縁体層４６を配置し
ている。前面ガラス板４１の内側に、全面にわたって透
明電極４５を形成し、透明電極４５上に絶縁膜４８を形
成している。また、プラズマディスプレイ管４０内の中
央部分に、複数個の貫通孔４７にそれぞれ連通する貫通
孔５０を有する有孔金属板４９が配置され、有孔金属板
４９と絶縁体層４６間及び有孔金属板４９と絶縁膜４８
間に設けられた複数本の柱状隔壁５１、５２によって、
有孔金属板４９が保持されている。

【００１０】前記構成によるこのハイブリッド型プラズ
マディスプレイ装置は、表示を行う場合、第１アドレス
電極４３と第２アドレス電極４４にそれぞれ互いに逆極
性のパルス電圧を供給して複数個の貫通孔４７内に放電
を生じさせ、このときに発生した電子が透明電極４５と
有孔金属板４９との間に供給された電圧によって引き出
され、透明電極４５と有孔金属板４９との間で行われる
メモリー機能によって交流放電が維持されるものであ
る。

【００１１】また、図５は、前記特公平７−７０２８９
号に開示されたプラズマディスプレイ装置における要部
構成の一部分を示す断面図である。

【００１２】図５に図示されるように、このハイブリッ
ド型プラズマディスプレイ装置は、前面ガラス板５４と
背面ガラス板５５とを離間対向配置させたプラズマディ
スプレイ管５３内に放電用気体を封入し、前面ガラス板
５４の内側に平行配置された複数本のアノード電極５６
を形成し、背面ガラス板５５の内側に複数本のアノード
電極５６に直交し、かつ、離間するように平行配置した
複数本のカソード電極５７を配置形成している。また、
プラズマディスプレイ管５３の内部の複数本のアノード
電極５６と複数本のカソード電極５７との間に、重なり
合った一対のメモリー素子５８が配置され、これら一対
のメモリー素子５８は、平行配置された複数本のメモリ
ー電極５９（１）、６０（１）と、これらメモリー電極
５９（１）、６０（１）の表面を全面にわたって覆う絶
縁層５９（２）、６０（２）とからなっており、絶縁層
５９（２）、６０（２）は、アノード電極５６と複数本
のカソード電極５７との各交差部分にマトリクス状に複
数個の貫通孔６１を設けられているものである。

【００１３】前記構成によるこのハイブリッド型プラズ
マディスプレイ装置は、表示を行う場合、複数本のアノ
ード電極５６の所定のものに駆動電圧、複数本のカソー
ド電極５７に接地電圧をそれぞれ与えることにより、複
数個の貫通孔６１を通してアノード電極５６の所定のも
のとそれに対応するカソード電極５７間に放電を生じさ
せ、前記アノード電極５６とカソード電極５７との間の
放電を利用して、前記一対のメモリー電極５９（１）、
６０（１）に互いに逆極性のパルス電圧を供給し、表示
を行なう。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記既知の
交流型プラズマディスプレイ装置は、表示電極及びアド
レス電極をそれぞれ覆っている誘電体層に電荷が蓄積さ
れ、壁電荷に基づくメモリー機能を有しているので、表
示画像の解像度を高めたときに、輝度特性の劣化を伴わ
ないという利点がある反面で、動作時に、表示電極及び
アドレス電極間に、書込信号やメモリー信号それに消去
信号を適宜印加する必要があることから、表示駆動回路
が複雑になるという問題がある。

【００１５】また、前記既知の直流型プラズマディスプ
レイ装置は、放電の補助空間を備えているために、高い
コントラストの輝度特性を得ることができる反面で、構
造が比較的複雑になるので、装置を製造組立する際に高
い組立精度が要求されるとともに、動作時に、カソード
やアノードがイオン衝撃を受け、スパッタリング現象を
生じることにより、寿命に対する対策が不可欠になる。

【００１６】さらに、前記既知のハイブリッド型プラズ
マディスプレイ装置は、装置を大型化しようとした場合
に、重ね合わせた一対のメモリー電極間に存在する静電
容量が大きくなることから、駆動が難しくなるという問
題がある。

【００１７】本発明は、これらの問題点を全て解決する
もので、その目的は、装置の大型化を図った場合でも高
い輝度特性を備え、表示駆動回路が複雑でなく、装置の
寿命が短くならないプラズマディスプレイ装置を提供す
ることにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマデ
ィスプレイ管内に中間絶縁層を介して重ね合わせた一対
のメモリー素子を配置する際に、一対のメモリー素子に
設けた複数の貫通孔と中間絶縁層に設けた対応する複数
の貫通孔とを各別に連通させた複数の連通部に、第１ア
ドレス電極及び第２アドレス電極とを結合させて複数の
放電セルを構成させ、かつ、中間絶縁層の厚さを０．３
乃至２．０ｍｍの範囲内に選んだ手段を具備する。

【００１９】前記手段によれば、重ね合わせた一対のメ
モリー素子間に、厚さが０．３ｍｍ乃至２．０ｍｍの範
囲内の中間絶縁層を介在させたことにより、一対のメモ
リー素子間に存在する固有の静電容量の値が低減し、一
対のメモリー素子間に陽光柱を生じさせて多くの紫外線
を発生させ、それにより高効率、かつ、高輝度の表示を
行うことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態において、プ
ラズマディスプレイ装置は、放電気体を封入したプラズ
マディスプレイ管内に、中間絶縁層を介して重ね合わせ
た一対のメモリー素子と、平行配置された複数本の第１
アドレス電極と、第１アドレス電極と直交するように平
行配置された複数本の第２アドレス電極とを設け、一対
のメモリー素子は、平行配置されたメモリー電極と、メ
モリー電極を内封するとともにメモリー電極とともにマ
トリクス状に複数の貫通孔を有する絶縁膜とからなり、
中間絶縁層は、一対のメモリー素子の複数の貫通孔と同
数の複数の貫通孔を有し、一対のメモリー素子と中間絶
縁層とを重ね合わせた際に、一対のメモリー素子の複数
の貫通孔と対応する中間絶縁層の複数の貫通孔を各別に
連通させた複数の連通部に、第１アドレス電極及び第２
アドレス電極とを結合させて複数の放電セルを形成し、
中間絶縁層の厚さを０．３乃至２．０ｍｍの範囲内に選
んだものである。

【００２１】本発明の１つの実施の形態において、中間
絶縁層はガラスまたはセラミックあるいはそれらのグリ
ーンシートからなっている。

【００２２】本発明の他の実施の形態において、複数の
放電セルは内面に螢光体が塗布されている。

【００２３】本発明のさらに別の実施の形態において、
一対のメモリー素子及び中間絶縁層は一体構成されてい
る。

【００２４】本発明の実施の形態において、中間絶縁層
の複数の貫通孔を形成する場合の一例は、平行配置され
たメモリー電極または複数の貫通孔を有するメモリー素
子のいずれかをマスクに用いているものである。

【００２５】本発明の実施の形態において、第１アドレ
ス電極及び前記第２アドレス電極を形成する場合の一例
は、平行配置されたメモリー電極またはメモリー素子の
いずれかをマスクに用いているものである。

【００２６】これらの本発明の実施の形態によれば、プ
ラズマディスプレイ管内に、一対のメモリー素子と中間
絶縁層とを重ね合わせた状態で配置し、一対のメモリー
素子の間に介在させた中間絶縁層の厚さを、既知のこの
種の中間絶縁層の代表的な厚さである０．１ｍｍよりも
３倍乃至２０倍程度厚い０．３ｍｍ乃至２．０ｍｍの範
囲内に選び、一対のメモリー素子間に存在する固有の静
電容量の値を大幅に低減させるようにしたので、かかる
静電容量の値によって一対のメモリー素子における壁電
荷の形成機能を損なうことがなくなり、その結果、一対
のメモリー素子間に陽光柱を生じて多くの紫外線が発生
し、高効率、かつ、高輝度の表示を行うことが可能なプ
ラズマディスプレイ装置を得ることができる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００２８】図１は、本発明に係るプラズマディスプレ
イ装置の第１実施例における要部構成を示すもので、そ
の一部分の断面図であり、図２は、図１に図示された第
１実施例に用いられるメモリー素子の一部の構成を示す
斜視図である。

【００２９】図１及び図２において、１はプラズマディ
スプレイ管、２は前面ガラス板、３は背面ガラス板、４
はアノード電極（第１アドレス電極）、５はカソード電
極（第２アドレス電極）、６₁は第１メモリー素子、６
₂は第２メモリー素子、７₁は第１メモリー電極、７₂
は第２メモリー電極、８₁は第１絶縁膜、８_1Hは第１絶
縁膜８₁の貫通孔、８₂は第２絶縁膜、８_2Hは第２絶縁
膜８₂の貫通孔、９は中間絶縁層、９_Hは中間絶縁層９
の貫通孔、１０は放電セル、１１は螢光膜、１２は絶縁
柱である。

【００３０】そして、プラズマディスプレイ管１は、対
向離間配置された前面ガラス板２及び背面ガラス板３
と、前面及び背面ガラス板２、３の周縁部を封止するフ
リットガラス（図示なし）とによって構成され、真空排
気された管１内に、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎ
ｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）等の放電用
ガス（放電気体）が封入されている。前面ガラス板２
は、内側に平行配置された複数本のアノード電極４（図
１には１本だけが図示されている）が被着形成され、背
面ガラス板３は、内側に複数本のアノード電極４に直交
するように平行配置された複数本のカソード電極５が被
着形成されている。第１メモリー素子６₁は、第１メモ
リー電極７₁と、第１メモリー電極７₁を全面被覆する
第１絶縁膜８₁とからなり、第２メモリー素子６₂は、
第２メモリー電極７₂と、第２メモリー電極７₂を全面
被覆する第２絶縁膜８₂とからなっている。第１メモリ
ー素子６₁と中間絶縁層９と第２メモリー素子６₂は、
この順序で重ね合わせて一体構成され、上下方向に配置
された絶縁柱１２によりプラズマディスプレイ管１内に
保持されている。この場合、第１実施例においては、中
間絶縁層９として１．０ｍｍの厚さのものを用いてい
る。

【００３１】第１メモリー素子６₁は、第１メモリー電
極７₁が第１絶縁膜８₁に覆われた構造であり、第１メ
モリー電極７₁とともにマトリクス状に形成された複数
個の貫通孔８_1Hを有し、中間絶縁層９もマトリクス状に
形成された複数個の貫通孔９_Hを有し、同じように、第
２メモリー素子６₂も、第２メモリー電極７₂が第２絶
縁膜８₂に覆われた構造であり、第２メモリー電極７₂
とともにマトリクス状に形成された複数個の貫通孔８_2H
を有している。そして、第１メモリー素子６₁と中間絶
縁層９と第２メモリー素子６₂とを重ね合わせた際に、
対応する各貫通孔８_1H、９_H、８_2Hの各配置位置を一致
させるとともに、それらの配置位置をアノード電極４及
びカソード電極５の配置位置にも一致させ、連通した複
数個の放電セル１０を構成している。また、複数個の放
電セル１０は、それぞれ中間絶縁層９の壁面部分に螢光
膜１１を塗布している。なお、螢光膜１１は壁面部分だ
けでなく、前面ガラス板１や背面ガラス板２の内側に塗
布するようにしてもよい。

【００３２】この場合、第１メモリー電極７₁及び第２
メモリー電極７₂は、前面ガラス板２及び背面ガラス板
３と同程度の熱膨張係数を有する金属材料によって構成
し、第１絶縁膜８₁及び第２絶縁膜８₂は、ペースト状
のガラス粉末を第１メモリー電極７₁及び第２メモリー
電極７₂に吹き付け、浸漬等によって塗布した後、この
塗布膜を高温で焼成することにより構成しているもの
で、場合によっては、第１絶縁膜８₁及び第２絶縁膜８
₂上にさらに酸化マグネシウム等からなる保護膜を被覆
している。同様に、中間絶縁層９は、ガラス材やセラミ
ック材もしくはそれらのグリーンシートであって、前面
ガラス板２及び背面ガラス板３と同程度の熱膨張係数を
有するこれらの材料により構成している。この他に、ア
ノード電極４及びカソード電極５は、銀（Ａｇ）や金
（Ａｕ）、あるいはニッケル（Ｎｉ）やアルミニウム
（Ａｌ）等の導電金属材料によって構成する。

【００３３】前記構成による第１実施例のプラズマディ
スプレイ装置は、次のように動作する。

【００３４】始めに、複数本のアノード電極４の中の選
択されたアノード電極４と複数本のカソード電極５の中
の選択されたカソード電極５との間に直流書込み電圧を
供給し、選択されたアノード電極４と選択されたカソー
ド電極５に結合された放電セル１０に直流放電を励起
し、その放電セル１０を書込み状態にする。このとき、
書込み状態になった放電セル１０内のイオンや電子等の
荷電粒子は、第１メモリー素子６₁の第１メモリー電極
７₁と、第２メモリー素子６₂の第２メモリー電極７₂
との間に供給される交流電圧の極性に対応して、第１メ
モリー電極７₁または第２メモリー電極７₂側に引き寄
せられ、第１絶縁膜８₁の貫通孔８_1Hまたは第２絶縁膜
８₂の貫通孔８_2Hの壁面に付着し、そこで壁電荷を形成
する。その後、第１メモリー電極７₁と第２メモリー電
極７₂との間に供給される交流電圧の極性が反転する
と、第１メモリー電極７₁と第２メモリー電極７₂との
間に供給される交流電圧に壁電荷による電圧が重畳さ
れ、実質的に高い交流電圧が供給されたことになるの
で、書込みが行われた放電セル１０の貫通孔８_1H、８_2H
間に放電が生じ、その後も、前述のような動作状態が繰
り返し実行され、放電状態が維持される。

【００３５】ところで、第１メモリー素子６₁と第２メ
モリー素子６₂との間に存在する静電容量の値は、第１
メモリー素子６₁及び第２メモリー素子６₂間の配置間
隔、即ち、第１メモリー素子６₁と第２メモリー素子６
₂との間に介在する中間絶縁層９の厚さに略反比例す
る。この場合、第１実施例においては、中間絶縁層９の
厚さを１．０ｍｍに選んでおり、代表的な中間絶縁層の
厚さが０．１ｍｍである既知のプラズマディスプレイ装
置における第１メモリー素子と第２メモリー素子との間
の静電容量の値に比べて、略１／１０になるように低減
させているので、かかる静電容量の値に何等制限される
ことなく、第１絶縁膜８₁の貫通孔８_1H及び第２絶縁膜
８₂の貫通孔８_2Hの各壁面に壁電荷が形成され、それに
よってこれらの貫通孔８_1H及び貫通孔８_2Hの間に有効的
に高い交流電圧が印加されるようになる。その結果、こ
れらの貫通孔８_1H及び貫通孔８_2Hを含んだ放電セル１０
内に放電に伴う陽光柱が形成され、紫外線の発生が多く
なって、第１実施例におけるプラズマディスプレイ装置
の表示輝度を高めることができる。

【００３６】第１実施例においては、中間絶縁層９の厚
さを１．０ｍｍに選んだ例を挙げて説明したが、本発明
に適用可能な中間絶縁層９の厚さは、１．０ｍｍである
場合に限られるものでなく、０．３ｍｍ以上であり、か
つ、２．０ｍｍ以下であれば、どのような厚さのものを
選んでもよい。この場合、中間絶縁層９の厚さが０．３
ｍｍ未満であれば、第１メモリー素子６₁と第２メモリ
ー素子６₂との間に存在する静電容量の値をあまり低減
することができないだけでなく、中間絶縁層９の製造工
程が難しいものになって、高解像度の表示画像を得るこ
とができないものであり、一方、中間絶縁層９の厚さが
２．０ｍｍを超えると、第１メモリー素子６₁及び第２
メモリー素子６₂間に供給する交流電圧の振幅を大幅に
増大しなければならず、その分、表示駆動回路の構成が
複雑になってしまうためである。

【００３７】なお、第１実施例において、複数個の放電
セル１０は、その断面形状を、略４角形状になるように
形成してもよく、または、略円形状になるように形成し
てもよい。

【００３８】このように、第１実施例のよるプラズマデ
ィスプレイ装置によれば、重ね合わせた第１メモリー素
子６₁及び第２メモリー素子６₂間に、厚さが０．３ｍ
ｍ乃至２．０ｍｍの範囲内の中間絶縁層９を介在させて
いるので、第１メモリー素子６₁及び第２メモリー素子
６₂間に存在する固有の静電容量の値が低減し、第１絶
縁膜８₁の貫通孔８_1H及び第２絶縁膜８₂の貫通孔８_2H
を含んだ放電セル１０内に陽光柱を生じさせて多くの紫
外線を発生させることができ、高効率で、高輝度の表示
が行えるものである。

【００３９】次に、図３は、本発明に係るプラズマディ
スプレイ装置の第２実施例における要部構成を示すもの
で、その一部分の断面図である。

【００４０】図３において、４’はアノード電極、１
２’は絶縁柱であり、その他、図１に示された構成要素
と同じ構成要素については同じ符号を付けている。

【００４１】図３に示されるように、第２実施例におい
ては、重なり合わせた第１メモリー素子６₁、中間絶縁
層９、第２メモリー素子６₂をプラズマディスプレイ管
１内に保持するための複数個の絶縁柱１２’を背面ガラ
ス板３の内面側に設置し、これらの絶縁柱１２’の幅を
第２メモリー素子６₂の幅よりもやや幅広にするととも
に、複数個の絶縁柱１２’における第２メモリー素子６
₂の接触面の余剰部分にそれぞれにアノード電極４’を
載置形成している。

【００４２】即ち、この第２実施例と前述の第１実施例
との構成の違いは、第１実施例が並列配置された複数本
のアノード電極４を前面ガラス板２に被着形成している
のに対して、第２実施例が複数個の絶縁柱１２’の余剰
面に載置形成している点だけであって、その他に、第２
実施例と第１実施例との間に構成の違いはない。このた
め、第２実施例における構成については、これ以上の説
明は省略する。

【００４３】また、第２実施例の動作は、本質的に前述
の第１実施例の動作と同じであるので、第２実施例に対
する動作については、これ以上の説明は省略する。

【００４４】さらに、第２実施例の作用効果は、第１実
施例の動作と同じ動作であることから、本質的に第１実
施例の作用効果と同じであるが、第２実施例は、複数本
のアノード電極４’の中の選択されたアノード電極４と
複数本のカソード電極５の中の選択されたカソード電極
５との間に直流書込み電圧を供給し、選択されたアノー
ド電極４’と選択されたカソード電極５に結合された放
電セル１０に直流放電を励起し、その放電セル１０を書
込み状態にする場合に、アノード電極４’とカソード電
極５とが比較的近接配置されているため、直流書込み電
圧が第１実施例に比べて小さい振幅のもので足りるとい
う利点を有している。

【００４５】なお、前記第１実施例及び第２実施例にお
いては、それぞれ絶縁柱１２、１２’を設けている例を
挙げて説明したが、いずれの例においても、これを設け
なくても、本発明の作用上いっこうに差し支えない。

【００４６】ところで、前述の第１実施例及び第２実施
例においては、重なり合わせた第１メモリー素子６₁、
中間絶縁層９、第２メモリー素子６₂を、図２に示され
るように、一体構成された一構成部品として取り扱って
いるものであるが、この構成部品を製造する際の一例を
挙げると、予め製造してある第１メモリー素子６₁と第
２メモリー素子６₂との間に中間絶縁層９を構成する層
状材を挾んで溶着し、その後、第１メモリー素子６₁及
び第２メモリー素子６₂を層状材に対するパターン形成
用マスクとして層状材に貫通孔９_Hを形成し、貫通孔９
_Hを備えた中間絶縁層９を、第１メモリー素子６₁や第
２メモリー素子６₂とともに一体構成している。

【００４７】具体的には、層状材として、例えば板厚が
１ｍｍのガラス板を用い、第１メモリー電極７₁及び第
２メモリー電極７₂の構成材料として、例えば板厚が
０．２ｍｍの４２６合金を用い、化学エッチング等によ
り第１メモリー電極７₁及び第２メモリー電極７₂を形
成する。形成した第１メモリー電極７₁及び第２メモリ
ー電極７₂をパターン形成用のレジストマスクあるいは
露光用のマスクとして、層状材に貫通孔９_Hを形成す
る。この場合、層状材に貫通孔９_Hを形成する方法とし
ては、第１メモリー電極７₁や第２メモリー電極７₂を
直接レジストマスクとしてサンドブラスト法によりエッ
チングする方法や、第１メモリー電極７₁や第２メモリ
ー電極７₂を露光用のマスクとして層状材表面に形成し
たレジストをパターン形成し、その後化学エッチングす
る方法等がある。層状材に貫通孔９_Hを形成した後、第
１メモリー電極７₁及び第２メモリー電極７₂それに層
状材表面に、ガラス電着等によって絶縁層を被覆させ、
貫通孔９_Hを備えた中間絶縁層９を、第１メモリー素子
６₁や第２メモリー素子６₂とともに一体構成してい
る。

【００４８】なお、第１メモリー素子６₁の貫通孔８_1H
及び第２メモリー素子６₂の貫通孔８_2Hそれに中間絶縁
層９の貫通孔９_Hは、必ずしも同じ形状のものでなくて
もよく、最低限、それらの中心位置が概ね一致していれ
ばよい。

【００４９】また、前述の第１実施例及び第２実施例に
おいては、アノード電極（第１アドレス電極）４及びカ
ソード電極（第２アドレス電極）５を製造する場合の一
例として、第１メモリー電極７₁または第２メモリー電
極７₂自体を、あるいは、メモリー素子６₁や第２メモ
リー素子６₂自体をフォトエッチングプロセスにおける
パターン形成用のマスクとして用い、かつ、光源を揺動
させることによって製造することができる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラズ
マディスプレイ管内に、一対のメモリー素子と中間絶縁
層とを重ね合わせた状態で配置し、一対のメモリー素子
の間に介在させた中間絶縁層の厚さを、既知のこの種の
中間絶縁層の代表的な厚さである０．１ｍｍよりも厚い
０．３ｍｍ乃至２．０ｍｍの範囲内に選び、一対のメモ
リー素子間に存在する固有の静電容量の値を大幅に低減
させるようにしたので、かかる静電容量の値によって一
対のメモリー素子における壁電荷の形成機能を損なうこ
とがなく、その結果、一対のメモリー素子間に陽光柱を
生じて多くの紫外線が発生し、高効率で、高輝度の表示
を行うことが可能なプラズマディスプレイ装置が得られ
るだけでなく、プラズマディスプレイ装置の大型化を図
った場合においても、高輝度の表示を行うことができ、
その上に、簡単な構成の表示駆動回路を用いて、寿命の
短くならないプラズマディスプレイ装置が得られるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第１
実施例における要部構成を示すもので、その要部構成の
一部分の断面図である。

【図２】図１に図示された第１実施例に用いられる一対
のメモリー素子及び中間絶縁層の一部分の構成を示す斜
視図である。

【図３】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第２
実施例における要部構成を示すもので、その一部分の断
面図である。

【図４】既知の１つのハイブリッド型プラズマディスプ
レイ装置における要部構成の一部分を示す断面図であ
る。

【図５】既知の他の１つのハイブリッド型プラズマディ
スプレイ装置における要部構成の一部分を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１プラズマディスプレイ管２前面ガラス板３背面ガラス板４アノード電極（第１アドレス電極）５カソード電極（第２アドレス電極）６メモリー素子７₁ 第１メモリー電極７_1H 第１メモリー電極７₁の貫通孔７₂ 第２メモリー電極７_2H 第２メモリー電極７₂の貫通孔８₁ 第１絶縁膜８_1H 第１絶縁膜８₁の貫通孔８₂ 第２絶縁膜８_2H 第２絶縁膜８₂の貫通孔９中間絶縁層９_H 中間絶縁層９の貫通孔１０放電セル１１螢光膜１２絶縁柱

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者河村達郎千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者田辺英夫千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者川崎浩千葉県茂原市早野3681番地日立デバイスエンジニアリング株式会社内 (72)発明者木島勇一千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放電気体を封入したプラズマディスプレ
イ管内に、中間絶縁層を介して重ね合わせた一対のメモ
リー素子と、平行配置された複数本の第１アドレス電極
と、前記第１アドレス電極と直交するように平行配置さ
れた複数本の第２アドレス電極とを設け、前記一対のメ
モリー素子は、平行配置されたメモリー電極と、前記メ
モリー電極を内封するとともに前記メモリー電極ととも
にマトリクス状に複数の貫通孔を有する絶縁膜とからな
り、前記中間絶縁層は、前記一対のメモリー素子の前記
複数の貫通孔と同数の複数の貫通孔を有し、前記一対の
メモリー素子と前記中間絶縁層とを重ね合わせた際に、
前記一対のメモリー素子の複数の貫通孔と対応する前記
中間絶縁層の複数の貫通孔を各別に連通させた複数の連
通部に、前記第１アドレス電極及び前記第２アドレス電
極とを結合させて複数の放電セルを形成し、前記中間絶
縁層の厚さを０．３乃至２．０ｍｍの範囲内に選んだこ
とを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】前記中間絶縁層は、ガラスまたはセラミ
ックあるいはそれらのグリーンシートであることを特徴
とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】前記複数の放電セルは、内面に螢光体が
塗布されていることを特徴とする請求項１に記載のプラ
ズマディスプレイ装置。
【請求項４】前記一対のメモリー素子と前記中間絶縁
層とは、一体構成されたものであることを特徴とする請
求項１乃至３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】前記中間絶縁層の複数の貫通孔は、前記
平行配置されたメモリー電極または前記複数の貫通孔を
有するメモリー素子のいずれかをマスクにして形成した
ものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
ディスプレイ装置。
【請求項６】前記第１アドレス電極及び前記第２アド
レス電極は、平行配置されたメモリー電極またはメモリ
ー素子のいずれかをマスクにして形成したものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ
装置。