JP2000332091A - 静電チャックおよび処理装置 - Google Patents

静電チャックおよび処理装置

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JP2000332091A JP11145507A JP14550799A JP2000332091A JP 2000332091 A JP2000332091 A JP 2000332091A JP 11145507 A JP11145507 A JP 11145507A JP 14550799 A JP14550799 A JP 14550799A JP 2000332091 A JP2000332091 A JP 2000332091A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の静電チャックは導体、半導体しか吸着
できなかったため被処理体が電気絶縁性の場合、吸着固
定することができずプロセスの高精度な温度管理は不可
能であった。そこで、ガラス基板などの絶縁性基板を静
電吸着することができる静電チャック、その静電チャッ
クを用いた絶縁性基板加熱加熱冷却装置および絶縁性基
板の温度制御方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板の温度制御方法、静電チャッ
クを構成する誘電体の形状、物性、電極の形状を規定し
絶縁性基板吸着用静電チャックを開示した。前記静電チ
ャックに加熱冷却用のプレート、ガス供給配管、温度制
御システムを規定し絶縁性基板加熱冷却装置を開示し
た。更に前記絶縁性基板加熱冷却装置を組み込んだ絶縁
性基板処理装置を開示した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＰＤＰ（プラズマデ
ィスプレー）製造装置、ＤＶＤ（デジタルビデオディス
ク）マスタライタ製造装置、ハードディスク製造装置に
使用される基板処理装置及びＥＢ（エレクトロンビー
ム）露光装置におけるレチクル固定装置、更にＳＯＳ
（シリコンオンサファイア）やＳＯＩ（シリコンオンイ
ンシュレータ）ウェハ上に形成される素子を製造するＣ
ＶＤ、エッチング装置やスパッタリング装置に使用され
る絶縁性基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＤＶＤやＰＤＰ製造装置等においては、
被処理体がガラス基板であり電気絶縁性を示す。そのた
め従来はこれらの基板を真空中で静電吸着することがで
きずその製造装置においてステージ上に平置きされた
り、機械的な機構により固定され処理されていた。ＥＢ
露光機のレチクルは石英製であり同様に電気絶縁性を示
す。そのため真空下でレチクルを固定するために従来は
機械的な機構により固定されていた。シリコンウェハの
次世代代替品として注目されているＳＯＳ基板やＳＯＩ
基板はステージ載置面が電気絶縁性を示す。そのため従
来はこれらのウェハ上に素子を形成する製造装置におい
てシリコンウェハの場合のような静電チャックを用いた
固定方法を採用することができなかった。シリコンウェ
ハを静電吸着する手段および原理は特開平５−６３０６
２に開示されているがその原理によると絶縁性基板は静
電吸着することができない。また静電プロッタのように
紙を静電気的に吸引する装置があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＤＶＤ、ＰＤＰ、ハー
ドディスク用の基板上やＳＯＳ、ＳＯＩ上に形成される
素子等のプロセスの高度化、高集積化にともないこれら
のプロセスの温度管理が非常に重要になってきた。従来
から用いられているシリコンウェハ上に形成する素子の
プロセスには静電チャックを用いたプロセスの温度管理
が実施されている。しかし従来の静電チャックは導体、
半導体しか吸着できなかったため被処理体が電気絶縁性
の場合、静電吸着固定することができずプロセスの高精
度な温度管理は不可能であった。
【０００４】そこで、絶縁性基板をも静電吸着できる静
電チャック及び静電チャックを用いた絶縁性基板処理装
置が要望されている。ＥＢ露光機のレチクル固定につい
ても機械式固定より簡単な構造でパーティクル発塵の問
題も少ない静電チャック方式が要望されている。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、本発明の目的は、ガラス基板などの絶縁性
基板を静電吸着することができる静電チャック、その静
電チャックを用いた絶縁性基板加熱冷却装置および絶縁
性基板の温度制御方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の静電チャック
は、静電チャックを構成する誘電体の一方の側にある複
数の電極間の距離を小さく誘電体の厚さを薄くした。そ
して電極間に電位差を与え誘電体の吸着面上に不均一電
界を形成させた。その不均一電界に存在する被処理体で
ある絶縁体は一部分極し、電界強度の強い方向へ引き寄
せられるGradient力（グラジエント力）を発生する。Gr
adient力はＦ∝α・gradＥ2（ＦはGradient力、αは誘導
分極電荷、Ｅは電界）となり本発明はこの効果を利用し
たものである。
【０００７】上記の効果を発揮させるために請求項１〜
１０は、誘電体の形状、物性、電極の形状を規定し絶縁
性基板吸着用静電チャックを開示した。
【０００８】請求項１１〜１３は前記静電チャックを用
いた減圧下での絶縁性基板の処理方法を開示した。
【０００９】請求項１４〜１５は前記静電チャックにプ
ロセスによって発生する熱や、絶縁性基板に供給する熱
を媒体によって供給または放散させるための流路を設け
たプレートと、絶縁性基板と誘電体吸着面間の隙間の熱
伝達を調整するために封止するガスを供給するためのガ
ス供給配管、及び絶縁性基板の温度によって前記の封止
するガス圧力を調整し予め設定した温度に調節が可能に
なる絶縁性基板加熱冷却装置及び温度制御システムを開
示した。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施例を図を用い
て説明する。図１は本発明に係る静電チャックの一例を
示す平面図であり、図２はその断面図である。
【００１１】図３は絶縁性支持基盤１ｂを誘電体基板１
ａと同質の材料とし積層構造にすることで一体化した実
施例であり、静電チャック１に絶縁性基板１０を吸着し
た状態を示す断面図である。同図において電圧印可用導
線１２を通じて電極７に電圧を印可することで、絶縁性
基板１０と静電チャック１との間に吸着力を発生させ、
ドット２及び外周シールリング３（以下、まとめて固体
接触部と記す）において絶縁性基板１０を吸着する。ま
た静電チャック１は接合部１１を通じて金属製プレート
６と接合されており、金属製プレート６内部に設けられ
た媒体流路８に媒体を流すことで静電チャック１の加熱
冷却を行う。
【００１２】図４〜図６は前記実施例に代表される誘電
体の一方の面に形成される電極７のパターンの一例であ
る。電極７を複数の対にすることにより、ＳＯＳやＳＯ
Ｉウェハのプラズマプロセスにおいて使用される高周波
電流を各々の電極に分散させ導電性端子等１ケあたりの
負荷を減じることができる。ガス供給配管１３を通じて
ガス供給口５からガスが供給され、ガス封入部９に封入
される。このときにガスを素早く均一に封入するために
静電チャック１の表面に溝４が設けられている。このガ
ス封入部９及び固体接触部を通じて絶縁性基板１０と静
電チャック１の間の熱伝達が行われる。ガス供給配管近
傍にガス圧力計１６が設置され圧力によって信号電圧を
０〜１０Ｖの範囲で出力する。ガス配管には圧力コント
ロールバルブ１７が設置され、ガス圧力計１６の信号電
圧と設定値を比較しバルブの開閉を行うことでガスの圧
力を設定値に調節することができる。
【００１３】以下表１に誘電体の特性を変えたときの静
電吸着力を測定した結果を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】尚、静電吸着力の測定は面積が５ｃｍ2の
被吸着体を用意し、静電チャックにＤＣ電圧を３〜１０
ＫＶ印可した。そのときに被吸着体を横方向から力を加
え被吸着体が静電吸着力に抗して動き出すときの力をバ
ネばかりで計測した。バネばかりの最大荷重が３００ｇ
であったためそれ以上の力は計測できなかったが、誘電
体と被吸着体の静止摩擦係数を０．２としても計測値の
約５倍の抗力に相当する静電吸着力が現していることに
なる。よって計測値３００ｇ／５ｃｍ2で約３００ｇ／
ｃｍ2の引張り強度に相当する。この値は約３０ＫＰａ
に相当し真空チャンバ内で被吸着体を吸着するには十分
な力である。誘電体の形状は一定にするため表1の試験
は全て電極巾１ｍｍ、電極間隔１ｍｍ、誘電体厚さ０．
５ｍｍとした。
【００１６】１Ａ〜１Ｄ、２は誘電体基板の抵抗率を変
えたときの静電吸着力の関係である。抵抗率はあまり静
電力に影響を受けないようであるが１０13Ωｃｍ以下で
あるほうが大きい静電吸着力が発現するようであり使用
しやすいといえる。
【００１７】１Ｆ、１Ｇは絶縁性基板の表面粗さを変え
たときの静電吸着力である。１Ｂと比較すると表面粗さ
はＲａ０．２５μｍ以下が望ましいことがわかった。本
実施例で使用した絶縁性基板の表面粗さは１Ｐの多結晶
アルミナ基板を除きＲａ０．１μｍ以下であった。
【００１８】１Ｂ、２〜６は誘電体の材料を変えたとき
の静電吸着力の関係である。誘電体の物性として比誘電
率よりも抵抗率と関連が大きいようであった。材料はア
ルミナに酸化クロム、酸化チタンを添加したセラミック
ス焼結体およびそれに焼結助材を加えた材料が最も安定
し大きな吸着力が得られた。
【００１９】１Ｂ、１Ｈ〜１Ｎは被吸着体の種類を変え
て静電吸着力を測定した。その結果、他の絶縁性材料で
あっても静電吸着できることが確認され、比誘電率の大
きな被吸着体ほど大きな力が発現した。
【００２０】１Ｏ、１Ｐは被吸着体を多結晶アルミナ基
板にし、表面粗さを変えたときの静電吸着力を測定し
た。その結果、被吸着体の表面粗さがＲａ０．４μｍ程
度であるならば吸着力が十分得られることがわかった。
被吸着体の比誘電率が大きくなるほど被吸着体の表面粗
さが粗くできることがわかった。
【００２１】誘電体の材料をかえたときの静電吸着力を
２〜７に示した。アルミナに酸化クロム、酸化チタンを
添加したセラミックス焼結体以外でも静電吸着すること
が示された。被吸着体がＰＤＰ用ガラスの場合は、その
視認性の点からもガラスに傷が入りにくいゴム系の材料
が有効である。本実施例ではシリコンゴムを用いたが天
然ゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ニトリルゴ
ム、フッ素ゴム更にポリウレタン、ＰＴＦＥ等の樹脂で
あっても良い。この場合体積抵抗率が１０13Ωｃｍ以下
が望ましい。
【００２２】表２は、アルミナに酸化クロム、酸化チタ
ンを添加したセラミックス焼結体からなる材料を用い、
本発明にかかる静電チャックの電極パターンを変えたと
きのガラス基板の静電吸着力と印可電圧（１０ＫＶ印
可）との関係である。
【００２３】
【表２】
【００２４】同一の電極巾、電極間距離のパターンでは
誘電体の厚さは０．３ｍｍがもっとも静電吸着力が大き
く、薄くすれば静電吸着力が大きくなる傾向にある。電
極巾、間隔とも０．５ｍｍ以上であれば静電吸着力が可
能であることがわかったが、電極間隔が０．５ｍｍより
狭い場合は電極間の絶縁が十分得られなくなり結果とし
て静電吸着できない場合もあった。
【００２５】同一誘電体厚さで比較すると電極巾が狭い
ほど大きな静電吸着力が得られた。
【００２６】電極間距離が２ｍｍより大きい場合はほと
んど静電吸着力が得られなかった。今回の試験では印可
電圧を１０ＫＶまで印可したが更に大きな電圧を印可す
れば電極間距離２ｍｍでも静電吸着力が発現することが
期待される。
【００２７】同一誘電体厚さ、同一電極巾で比較すると
電極間隔が誘電体の厚さより大きくなると静電吸着力が
小さくなる傾向にあった。
【００２８】以上をまとめると、誘電体の厚さは薄く、
電極の巾は狭く、電極間は電極の巾と同程度である場合
に大きな静電吸着力が得られることがわかった。
【００２９】被吸着体としてガラス基板を静電吸着する
場合は誘電体厚さは０．３ｍｍ〜２．０ｍｍ、電極間隔
が０．５〜１ｍｍ以下、電極巾は０．５ｍｍ〜４ｍｍ、
誘電体の抵抗率１０13Ωｃｍ以下で実用化できるが、更
により好ましくは誘電体厚さは０．３ｍｍ〜１．０ｍ
ｍ、電極間隔が０．５〜１ｍｍ以下、電極巾は０．５ｍ
ｍ〜１ｍｍ、誘電体の抵抗率１０13Ωｃｍ以下が望まし
い。
【００３０】次に基板加熱冷却装置の実施例について記
載する。図７〜９は各種熱吸着試験データおよび絶縁性
基板冷却試験特性の実験データを示すグラフであり、各
グラフの説明を以下に示す。絶縁性基板１０は、ガラス
基板（低アルカリガラス）を用いた。
【００３１】図７は真空チャンバ内に設置した基板加熱
冷却装置に絶縁性ガラス基板を設置し、絶縁性基板の温
度と絶縁性基板と誘電体吸着面の間隙に供給される加熱
冷却用ガスの圧力との関係である。絶縁性基板１０の上
面から２W/cm2の熱流を与えたときの熱特性を、横軸に
上記ガスの圧力、縦軸に絶縁性基板１０の表面温度とし
て表した。ガス封入部９のガス圧力を変化させることで
絶縁性基板１０の温度を制御できる様子が確認できる。
本実験では主にＨｅガスをもちいたがＡｒやＮ 2を用い
ても同様の加熱冷却効果が発揮される。
【００３２】より高い圧力を供給し加熱冷却の効率を大
きくするにはガスの圧力を分子流領域とするため、誘電
体吸着面１９のドット２の高さを低く設定する必要があ
る。例えば上記ガスにおいて０〜１００Torrまで分子流
領域とするにはドット２の高さを５μｍ以下にすればよ
い。このとき上記ガスを素早く均一に封入するためにド
ット２と同時に溝４の形成が重要となる。
【００３３】静電チャック表面に凸状のドットのみが設
けられた場合は、ドットの高さによっては隙間空間内の
圧力が均一になるまでに時間がかかる。そこでガス供給
口から溝を掘ることによって隙間空間内の圧力が均一に
なるまでの時間を低減させている。溝の形状、パターン
はガス供給口から放射状であり巾１ｍｍ以上、深さは５
０μｍ以上で効果を奏する。好ましくは巾１．５ｍｍ以
上、深さ２５０μｍ以上でありこの場合隙間の圧力分布
が均一になるまで５秒以下となる。溝のパターンは放射
状と同心円状を組み合わせることにより更に効果が増加
する。
【００３４】印可電圧を変化させると絶縁性基板１０の
温度を変化させられる。このとき静電チャックの表面粗
さを変化させることによって図８のように絶縁性基板温
度を調節できる。
【００３５】更に、接触面積比率を変えることで絶縁性
基板１０の温度が変化することを確認した実験結果を図
９に示した。接触面積比率をかえるにはドットの数及び
ドットの直径をかえる必要がある。本実施例に用いたド
ットの直径は５ｍｍで、シールリング巾は４ｍｍであっ
た。ドットの数は接触面積比率から換算した。ドットは
静電チャック表面上に概略等分散に配置した。
【００３６】本実施例により、ガス封入部９に５０Torr
という高いガス圧力を封入することで絶縁性基板１０に
対する大きな加熱冷却効果を得られることがわかった
が、そのためには強い吸着力を発生する静電チャックが
必要である。例えば、接触面積比率を２０％にして１０
Torrのガス圧力を封入するには、理論上、１３g/cm2の
吸着力、が最低限必要である。よって吸着力が非常に大
きい静電チャックが必要となる。ここでは静電チャック
の絶縁層の材料としてアルミナを主成分とし、酸化クロ
ム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および焼結助
材を適量添加したセラミック焼結体を用いた。この材料
の吸着力は１Ａ〜１Ｃと同じく１０ＫＶ印可で約３００
g/５cm2であり垂直方向の引張り強度が３００ｇ／cm2と
推定される。接触面積比率が２０％であっても６０g/cm
2以上が確保でき十分に絶縁性基板を吸着できる。
【００３７】本実施例では、絶縁性基板１０として、低
アルカリガラス基板を用いたが、本発明の静電チャック
は、電気絶縁性基板およびフィルム一般に適用できる。
【００３８】また絶縁性基板加熱冷却装置の絶縁性支持
基盤内にヒーターを設け、被吸着体を測温する手段とし
て光温度計、熱電対、その他非接触温度計を設けその計
測器から出力される信号と予め設定した値とを比較する
ことにより被吸着体の温度制御が容易になる。また絶縁
性基板を直接測温できない場合は予め蓄積されたガス圧
力、印可電圧、固体接触面積比率、入射熱エネルギー、
媒体流量、媒体温度等の関連を記載されたデータベース
に基づき絶縁性基板の温度を一定に保つ調整が可能にな
る。
【００３９】本実施例で開示した絶縁性基板加熱冷却装
置を反応チャンバ内に設置することにより、ＳＯＳやＳ
ＯＩウェハのプラズマＣＶＤ、プラズマエッチングやス
パッタリング等の半導体製造プロセスでの温度管理が非
常に容易になる。
【００４０】
【発明の効果】以上に説明した如く本発明によれば、被
処理体が絶縁体である場合も静電チャックを用いて吸着
することができるため、静電チャックを組み込んだ加熱
冷却装置を用いれば絶縁性基板の加熱、冷却が容易にな
り絶縁性基板を所定の温度に制御することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電チャックの一例を示す平面図である。
【図２】Ａ−Ａに沿った図１の断面図である。
【図３】静電チャックにより絶縁性基板を吸着した別実
施例の断面図である。
【図４】誘電体に設けられた電極のパターン例である。
【図５】誘電体に設けられた電極のパターン例である。
【図６】誘電体に設けられた電極のパターン例である。
【図７】加熱冷却ガス圧力と絶縁性基板の温度との関係
を示すグラフである。
【図８】静電チャックの印可電圧と絶縁性基板の温度と
の関係を示すグラフである。
【図９】静電チャックの固体接触部の面積比率と絶縁性
基板の温度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】 １…静電チャック １a…誘電体基板 １b…絶縁性支持基盤 ２…ドット ３…外周シールリング ４…溝 ５…ガス供給口 ６…金属製プレート ７…電極 ８…媒体流路 ９…ガス封入部 １０…絶縁性基板 １１…プレート接合部 １２…電圧印可用導線 １３…ガス供給配管 １４…媒体供給口 １５…媒体排出口 １６…ガス圧力計 １７…圧力コントロールバルブ １８…コンダクタンスバルブ １９…吸着面 ２０…導電性端子 ２１…高圧電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内村 健志 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内 (72)発明者 建野 範昭 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内 (72)発明者 不破 耕 神奈川県茅ケ崎市萩園2500 日本真空技術 株式会社内 (72)発明者 前平 謙 神奈川県茅ケ崎市萩園2500 日本真空技術 株式会社内 Ｆターム(参考） 3C016 GA10 5F031 HA02 HA08 HA10 HA17 HA18 HA38 MA28 MA29 MA32 PA26

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方の面が絶縁体基板を吸着する吸着面
    とし、もう一方の面に複数の電極が設けられた誘電体基
    板と、該誘電体基板を固定する絶縁性支持基盤と、該絶
    縁性支持基盤に設けられた複数の導電性端子と、前記誘
    電体基板に設けられた電極と、前記導電性端子を電気的
    に接続する手段と、からなる絶縁性基板吸着用静電チャ
    ック。
  2. 【請求項２】 前記誘電体基板の抵抗率は室温で１０13
    Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の静
    電チャック。
  3. 【請求項３】 前記誘電体基板の厚さは２ｍｍ以下であ
    ることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャ
    ック。
  4. 【請求項４】 前記誘電体基板の材料はアルミナを主原
    料とし、クロミア、チタニアを添加して焼成し得られた
    セラミックスであることを特徴とする請求項１〜３のい
    ずれか１項に記載の静電チャック。
  5. 【請求項５】 前記誘電体基板の吸着面には溝と、凸状
    のドットと、外周シールリングを有することを特徴とす
    る請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック。
  6. 【請求項６】 前記誘電体基板のもう一方の面に設けら
    れた複数の電極は、１対をなし、各々の電極の巾は４ｍ
    ｍ以下であり、電極間の間隔２ｍｍ以下であり、各々の
    電極が櫛歯状に入り組んでいることを特徴とする請求項
    １〜５のいずれか１項に記載の静電チャック。
  7. 【請求項７】 前記誘電体基板のもう一方の面に設けら
    れた複数の電極は、複数の対をなし、各々の電極の巾は
    ４ｍｍ以下であり、電極間の間隔は２ｍｍ以下であり、
    各々の電極が櫛歯状に入り組んでいることを特徴とする
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電チャック。
  8. 【請求項８】 前記絶縁性支持基盤の材料は、前記誘電
    体基板の材料の抵抗率より大きいことを特徴とする請求
    項１〜７のいずれか１項に記載の静電チャック。
  9. 【請求項９】 前記導電性端子は、前記絶縁性支持基盤
    にロウ付け、はんだ付け、導電性接着剤のいずれかによ
    る接着により設けられていることを特徴とする請求項１
    〜８のいずれか１項に記載の静電チャック。
  10. 【請求項１０】 前記電気的接続手段は、導電性ワイヤ
    ー、導電性棒、導電性樹脂充填、ハンダ充填のいずれか
    によることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に
    記載の静電チャック。
  11. 【請求項１１】 一方の面が絶縁体基板を吸着する吸着
    面とし、もう一方の面に複数の電極が設けられた誘電体
    基板と、前記誘電体基板を固定する前記絶縁性支持基盤
    と、該絶縁性支持基盤に設けられた複数の導電性端子
    と、前記誘電体基板に設けられた複数の電極と、前記導
    電性端子とを各別々に電気的に接続する手段と、高圧電
    源と、高圧電源と前記複数の導電性端子とを電気的に接
    続する手段と、を有し、前記吸着面に載置された絶縁性
    基板を静電吸着することを特徴とする絶縁性基板静電吸
    着処理方法。
  12. 【請求項１２】 真空減圧下で処理することを特徴とす
    る請求項１１記載の絶縁性基板静電吸着処理方法。
  13. 【請求項１３】 絶縁体である被処理基板を静電吸着
    し、被処理基板と誘電体吸着面との間に形成された隙間
    空間内に、被処理基板の加熱・冷却を行うガスを封入
    し、該ガスの圧力領域が、分子流領域であることを特徴
    とする請求項１１または１２に記載の絶縁性基板静電吸
    着処理方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１〜１０のいずれかに記載の静
    電チャックと、該静電チャックを支持するための媒体流
    路が内蔵されているプレートと、該静電チャックと該プ
    レートとを接着する手段と、からなる絶縁性基板加熱冷
    却処理装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１〜１０のいずれかに記載の静
    電チャックと、該静電チャックを支持するための媒体流
    路が内蔵されているプレートと、静電チャックと該プレ
    ートとを接着する手段と、誘電体および絶縁性支持基盤
    およびプレートを貫くガス供給配管と、ガスの圧力を計
    測する圧力計と、ガスの圧力計が出力する電気信号を入
    力し、予め設定した圧力に制御するようにバルブを開閉
    する機能を有する圧力コントロールバルブと、絶縁性基
    板の温度を計測する計測器または、絶縁性基板の温度と
    ガス圧力の関係を記録したデータベースと、を有し、真
    空減圧下で、絶縁性基板の温度を設定した温度に調節す
    ることができる絶縁性基板加熱冷却処理装置。
  16. 【請求項１６】 絶縁性基板はガラスであることを特徴
    とする請求項１〜１０いずれかに記載の静電チャック、
    または、請求項１１〜１３いずれかに記載の絶縁性基板
    処理方法、または、請求項１４〜１５いずれかに記載の
    処理装置。
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