JP2007510310A - Mems静電チャックの製造方法 - Google Patents
Mems静電チャックの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007510310A JP2007510310A JP2006538273A JP2006538273A JP2007510310A JP 2007510310 A JP2007510310 A JP 2007510310A JP 2006538273 A JP2006538273 A JP 2006538273A JP 2006538273 A JP2006538273 A JP 2006538273A JP 2007510310 A JP2007510310 A JP 2007510310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrically conductive
- conductive layer
- forming
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
Description
たとえば、突起に対する基板105の熱の運動158は、突起140によって基板105上に力Fを作り出すことができる。この力Fは、少なくとも部分的に、突起140の形状によって変化する。たとえば、図3に示すように、鋭いエッジ156は、より大きな力Fを作り出すように見え、基板105は、突起140の鋭いエッジで横方向への動きが拘束される。力Fが基板の降伏強さを超えると、基板105にストレスによる破壊が生じる。これにより、基板に対して電位の変動と基板の損傷の1つまたは両方を生じさせることになる。
255A−255B、ガス供給源265、電源240、及び1つ以上のバルブ255A−250Cに連結されて作動できる。本発明の例において、静電チャック100に加えられる真空を有効に制御して、冷却ガスを介した熱伝導量を制御する。たとえば、約250トル以下の低い圧力で、かつ5ミクロン以下の図3に示すギャップ距離D1で、HTCは、主にガス圧力によって指示される。それゆえ、背面側圧力を制御するバルブ250Aは、静電チャック100の状態を迅速に変化させることができる(たとえば、加熱状態から冷却状態に)。コントローラ235は、1つ以上の自動弁250を制御して、基板105と静電チャック100との間のガス圧力を制御するのに使用することができる。
図17の動作305から始めて、例えば、酸化物が、シリコン半導体プラットフォーム等の半導体基板上に形成される。図18Aに図示するように、酸化物層402は、半導体基板410(たとえば、両面仕上げされた300mmシリコンウエハ上に成長された2ミクロンのSiO2層)の前面404、背面406、および側壁408上に形成される。図17の動作310では、伝導層(例えば、ポリフィルム)が、基板上に形成される。図18Bに図示するように、たとえば、伝導層412は、約1ミクロンのドープしたポリシリコンフィルムからなり、基板410の前面404、背面406及び側壁408上に形成される。図17の動作315において、酸化物層は、図18Cに図示するように、基板410の背面406に形成される。酸化物414は、たとえば、SiO2層の2ミクロン蒸着を含み、この酸化物414は、基板410の側壁408を部分的に覆うとともに、基板410の背面406を覆う。
図19の動作505が開始されると、たとえば、酸化物が、シリコンプラットフォーム等の半導体基板上に形成される。図20Aに示すように、酸化物層602は、例えば、半導体プラットフォームまたは基板610(たとえば、両面仕上げされた300mmシリコンウエハ上に成長された2ミクロンのSiO2層)の前面604、背面606、および側壁608上に形成される。図19の動作510では、基板がマスクされ、この中に、マスクされた領域のいずれかの面上にチャックの電極領域を形成する。例えば、半導体プラットフォームがテーパー形状となり、あるいは、チャックの電極を形成するためにマスクされる。動作515では、第1電気伝導層(例えば、0.1ミクロンのTiフィルム)が、基板上に形成される。例えば、図20Bに示すように、第1電気伝導層612が、基板610の前面604、背面606、および側壁608上に形成される(例えば、CVDまたはPVDによって)。ここで、マスクされた領域614は、2つ以上の電極領域616A、616Bを電気的に分離する。
Claims (49)
- 多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法であって、
半導体プラットフォーム上に第1電気伝導層を形成するとともに、この第1電気伝導層の複数の部分を互いに電気的に分離するように形成する段階と、
前記第1電気伝導層上に、第1距離だけ伸びる複数のMEMS突起を有する頂部表面を含む第1電気絶縁層を形成する段階と、
前記第1電気伝導層の複数の部分にそれぞれ電気接続される複数の極を形成する段階とを含み、
前記複数の極間に印加される電圧が、前記クランププレートに静電力を誘導するように作動可能であることを特徴とする方法。 - 前記第1電気伝導層を形成する段階は、前記半導体プラットフォーム上にポリシリコン層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記第1電気伝導層を形成する段階は、さらに、ポリシリコン層上に金属層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 第1電気伝導層は、半導体プラットフォームの頂部表面上に形成され、さらに、前記半導体プラットフォームの底部表面上に第2電気伝導層を形成するステップを含み、前記第2電気伝導層の複数の部分は、電気的に互いに絶縁されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記第1電気伝導層および第2電気伝導層は、同時に形成されることを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記第1電気伝導層の複数の部分を前記第2電気伝導層の複数の部分に電気接続する複数の垂直な電気接続部を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記複数の垂直な電気接続部を形成するステップは、前記半導体プラットフォームの側壁上に複数の側壁接点を形成し、該複数の側壁接点は、互いに電気的に分離されかつ前記第1電気導電層および第2電気伝導層の複数の部分のそれぞれに電気接続することを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記複数の側壁接点は、半導体プラットフォーム上に導電材料の蒸着で構成されることを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記複数の側壁接点は、ポリシリコン、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの1つまたはそれ以上を蒸着することを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記第1電気伝導層、第2電気伝導層、および複数の側壁接点の形成は、ほぼ同時に形成されることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記第2電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの1つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項4記載の方法。
- 前記第2電気伝導層上にベースプレートを形成するステップをさらに含み、前記ベースプレートは、前記半導体プラットフォームを介して基板から前記ベースプレートに熱エネルギーを伝達するように作動可能であることを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記ベースプレートを形成するステップは、互いに電気的に分離した複数の部分を有する第3電気伝導層を形成することを含み、前記第3電気伝導層の複数の部分のそれぞれに第3電気伝導層の複数の部分を電気接続することを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記複数の極を形成する段階は、前記第3電気伝導層の複数の部分に複数の電極を接着することを含んでいる請求項13記載の方法。
- 前記ベースプレートは、アモルファスシリコンプレートからなり、このプレートは、その上に酸化物層を形成し、前記第3電気伝導層が前記酸化物層上に形成されていることを特徴とする請求項13記載の方法。
- 前記第3電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの1つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項13記載の方法。
- 前記ベースプレートを形成するステップは、前記第2電気伝導層の複数の部分上に1つ以上の金属を蒸着することを含んでいる請求項12記載の方法。
- 前記ベースプレートを形成するステップは、前記第2電気伝導層に前記ベースプレートを真空ろう付けすることを含んでいる請求項12記載の方法。
- 前記ベースプレートを形成するステップは、前記ベースプレートおよび第2電気伝導層との間に電気伝導性エポキシを付加することを含んでいる請求項12記載の方法。
- 前記ベースプレートを貫通する1つ以上の流体導管を形成するステップをさらに含み、冷却流体がベースプレートを介して冷却流体が流れるように作動可能であることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記ベースプレート内に熱源を形成するステップをさらに含み、前記熱源は、クランププレートを選択的に加熱するように作動可能であることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記第1電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの1つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項1記載の方法。
- 前記半導体プラットフォームは、シリコン基板からなることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記第1電気伝導層は、二酸化けい素からなることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記第1電気絶縁層、前記第1電気伝導層および前記半導体プラットフォームに、1つ以上のガス分配溝を形成するステップをさらに含み、ことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記1つ以上のガス分配溝を形成するステップは、前記第1電気絶縁層、前記第1電気伝導層、および半導体プラットフォームをエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記半導体プラットフォーム、前記第1電気伝導層、および前記第1電気絶縁層を貫通する1つ以上のガス分配穴を形成するステップをさらに含み、前記1つ以上のガス分配穴の少なくとも1つは、前記1つ以上のガス分配溝の少なくとも1つを貫通して形成されることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記1つ以上のガス分配穴を形成するステップは、前記第1電気絶縁層、前記第1電気伝導層、および半導体プラットフォームを反応性イオンエッチングすることからなる請求項27記載の方法。
- 前記複数のMEMS突起を形成するステップは、
半導体基板の頂部表面上に複数の谷部を形成するためのマスクを前記第1電気絶縁層上に形成し、
前記複数の谷部間内に前記第1電気絶縁層をエッチングし、
前記マスクを取り除き、前記谷部間に前記複数のMEMS突起を形成する、各ステップを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記第1電気絶縁層をエッチングするステップは、エッチング停止用として前記第1電気伝導層を用いることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記第1電気絶縁層を半導体プラットフォーム上に形成した後、この半導体プラットフォーム上に保護層をさらに形成し、前記保護層をエッチング停止用として用いて前記第1電気絶縁層をエッチングすることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記保護層を形成するステップは、前記第1電気伝導層および半導体プラットフォーム上に窒化層を蒸着するステップを含んでいることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 前記半導体プラットフォームの底部表面上の前記保護層を取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記第1電気伝導層を形成するステップは、前記半導体基板上にポリシリコンを形成するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記複数のMEMS突起は、基板がこれらの突起に接触できるように形成されて、突起接触領域を形成し、基板の表面領域に対する突起接触領域の比が、約0.02〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基板の表面領域に対する前記突起接触領域の比が約0.10であることを特徴とする請求項35記載の方法。
- 第1距離が約1ミクロンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- クランププレートを貫通する温度センサ穴を形成し、温度センサを前記温度センサ穴内に挿入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記半導体プラットフォームは、複数の半導体セグメントのモザイクからなることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 複数の前記半導体セグメントのモザイクは、ドーパントされたシリコンから構成されることを特徴とする請求項39記載の方法。
- 前記複数の半導体セグメント上に前記第1電気伝導層を形成するステップは、前記第1電気伝導層を前記複数の半導体セグメント上に形成し、前記第1電気伝導層の複数の部分のそれぞれが、1つ以上の前記複数の半導体セグメント上に形成されることを特徴とする請求項39記載の方法。
- 前記複数の半導体セグメント上に形成された前記第1電気伝導層の複数の部分のそれぞれの間に、電気絶縁体を挿入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項39記載の方法。
- 前記電気絶縁体は、セラミックスペーサからなることを特徴とする請求項42記載の方法。
- 前記第1電気絶縁体層が前記半導体プラットフォーム上に形成した後に、前記半導体プラットフォーム上に保護層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記保護層を形成するステップは、前記第1電気伝導層および半導体プラットフォーム上に窒化層を蒸着するステップを含んでいることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記半導体プラットフォームの底部表面上の前記保護層を取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項44記載の方法。
- 前記第1電気伝導層を形成するステップは、電気伝導材料の化学蒸着からなることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記第1電気伝導層を形成するステップは、タングステンシリサイドの化学蒸着からなることを特徴とする請求項47記載の方法。
- 前記半導体プラットフォームは、このプラットフォーム上に形成された酸化物を有するシリコン基板からなることを特徴とする請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/695,153 | 2003-10-28 | ||
US10/695,153 US6946403B2 (en) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | Method of making a MEMS electrostatic chuck |
PCT/US2004/035891 WO2005045921A1 (en) | 2003-10-28 | 2004-10-28 | Method of making a mems electrostatic chuck |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007510310A true JP2007510310A (ja) | 2007-04-19 |
JP2007510310A5 JP2007510310A5 (ja) | 2007-12-06 |
JP4725740B2 JP4725740B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=34549968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006538273A Expired - Fee Related JP4725740B2 (ja) | 2003-10-28 | 2004-10-28 | Mems静電チャックの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6946403B2 (ja) |
EP (1) | EP1678752B1 (ja) |
JP (1) | JP4725740B2 (ja) |
KR (1) | KR20060092245A (ja) |
CN (1) | CN100524683C (ja) |
DE (1) | DE602004006639T2 (ja) |
TW (1) | TWI360856B (ja) |
WO (1) | WO2005045921A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011104767A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-06-02 | Honeywell Internatl Inc | ウェーハ・レベル・パッケージに関するシリコン・タブ・エッジ・マウント |
JP2014524664A (ja) * | 2011-08-08 | 2014-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ヒータを有する基板支持体 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7072166B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-07-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage |
US7663860B2 (en) * | 2003-12-05 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck |
US7457097B2 (en) * | 2004-07-27 | 2008-11-25 | International Business Machines Corporation | Pressure assisted wafer holding apparatus and control method |
US20070081880A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Riordon Benjamin B | Wafer-handling method, system, and apparatus |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US8557295B2 (en) | 2006-05-11 | 2013-10-15 | Regenics As | Use of cellular extracts for skin rejuvenation |
US8075920B2 (en) | 2006-05-11 | 2011-12-13 | Regenics A/S | Administration of cells and cellular extracts for rejuvenation |
WO2008051369A2 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Low-cost electrostatic clamp with fast declamp time and the manufacture |
US20090115060A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
DK2296676T3 (en) | 2008-05-09 | 2016-12-19 | Regenics As | cellular extracts |
DE102008054982A1 (de) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Wafer-Chuck für die EUV-Lithographie |
WO2011082371A2 (en) | 2009-12-30 | 2011-07-07 | Solexel, Inc. | Mobile electrostatic carriers for thin wafer processing |
WO2012033922A2 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Entegris, Inc. | High conductivity electrostatic chuck |
NL2009874A (en) | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Asml Netherlands Bv | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP6359236B2 (ja) * | 2012-05-07 | 2018-07-18 | トーカロ株式会社 | 静電チャック |
CN104471698B (zh) * | 2012-07-06 | 2016-12-07 | 苹果公司 | 具有硅电极的顺应性双极微型器件转移头 |
US8569115B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-10-29 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes |
JP5441021B1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-12 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US11007385B2 (en) | 2012-12-10 | 2021-05-18 | Regenics As | Use of cellular extracts for skin rejuvenation |
US10001713B2 (en) * | 2013-02-07 | 2018-06-19 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and method |
US9878901B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-01-30 | Analog Devices, Inc. | Fabrication of tungsten MEMS structures |
US20160230269A1 (en) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Applied Materials, Inc. | Radially outward pad design for electrostatic chuck surface |
US10763142B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter |
US10381248B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity |
US10386821B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values |
US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
US20180025931A1 (en) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Applied Materials, Inc. | Processed wafer as top plate of a workpiece carrier in semiconductor and mechanical processing |
US20180102247A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US10535505B2 (en) * | 2016-11-11 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Plasma light up suppression |
US10943808B2 (en) * | 2016-11-25 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Ceramic electrostatic chuck having a V-shape seal band |
WO2020106521A1 (en) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with charge dissipation coating |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000332091A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Toto Ltd | 静電チャックおよび処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988009054A1 (en) * | 1987-05-06 | 1988-11-17 | Labtam Limited | Electrostatic chuck using ac field excitation |
JP2779950B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US5452177A (en) * | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
US5444597A (en) * | 1993-01-15 | 1995-08-22 | Blake; Julian G. | Wafer release method and apparatus |
US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
US5583736A (en) * | 1994-11-17 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Micromachined silicon electrostatic chuck |
US5792562A (en) * | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
US5838529A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-17 | Lam Research Corporation | Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
US5958813A (en) * | 1996-11-26 | 1999-09-28 | Kyocera Corporation | Semi-insulating aluminum nitride sintered body |
US6117246A (en) * | 1997-01-31 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck |
JPH10284583A (ja) | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャック除電方法及び半導体製造装置 |
US6138745A (en) * | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
US5969934A (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-19 | Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. | Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers |
US6149774A (en) * | 1998-06-10 | 2000-11-21 | Delsys Pharmaceutical Corporation | AC waveforms biasing for bead manipulating chucks |
JP3323135B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2002-09-09 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
TW432453B (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-01 | Applied Materials Inc | Apparatus for protecting a substrate support surface and method of fabricating same |
US6067222A (en) * | 1998-11-25 | 2000-05-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate support apparatus and method for fabricating same |
US6236555B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle |
JP2002009139A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nikon Corp | 静電チャック |
-
2003
- 2003-10-28 US US10/695,153 patent/US6946403B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-27 TW TW093132546A patent/TWI360856B/zh active
- 2004-10-28 JP JP2006538273A patent/JP4725740B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-28 KR KR1020067007513A patent/KR20060092245A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-10-28 EP EP04796693A patent/EP1678752B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-28 CN CNB200480032031XA patent/CN100524683C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-28 WO PCT/US2004/035891 patent/WO2005045921A1/en active IP Right Grant
- 2004-10-28 DE DE602004006639T patent/DE602004006639T2/de active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000332091A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Toto Ltd | 静電チャックおよび処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011104767A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-06-02 | Honeywell Internatl Inc | ウェーハ・レベル・パッケージに関するシリコン・タブ・エッジ・マウント |
JP2014524664A (ja) * | 2011-08-08 | 2014-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ヒータを有する基板支持体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1678752A1 (en) | 2006-07-12 |
TW200518144A (en) | 2005-06-01 |
EP1678752B1 (en) | 2007-05-23 |
DE602004006639D1 (de) | 2007-07-05 |
CN100524683C (zh) | 2009-08-05 |
TWI360856B (en) | 2012-03-21 |
US20050099758A1 (en) | 2005-05-12 |
JP4725740B2 (ja) | 2011-07-13 |
KR20060092245A (ko) | 2006-08-22 |
US6946403B2 (en) | 2005-09-20 |
DE602004006639T2 (de) | 2008-01-31 |
WO2005045921A1 (en) | 2005-05-19 |
CN1894788A (zh) | 2007-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4725740B2 (ja) | Mems静電チャックの製造方法 | |
JP4692847B2 (ja) | 多極静電チャック | |
JP5067530B2 (ja) | Memsベースの接触伝導型静電チャックによる処理用基板のクランプ方法 | |
KR102430454B1 (ko) | 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 높은 온도들로 압축 또는 인장 응력을 갖는 웨이퍼들을 프로세싱하는 방법 및 장치 | |
US5548470A (en) | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity | |
US6490145B1 (en) | Substrate support pedestal | |
JP2021525454A (ja) | 極めて均一性が高い加熱基板支持アセンブリ | |
US20030010292A1 (en) | Electrostatic chuck with dielectric coating | |
JPH09260474A (ja) | 静電チャックおよびウエハステージ | |
JP2007510310A5 (ja) | ||
US11880052B2 (en) | Structure and method of mirror grounding in LCoS devices | |
KR20140095031A (ko) | 다중-층 필름 스택에서 자기-정렬 비아 및 트렌치를 에칭하는 방법 | |
JPH09298192A (ja) | 半導体装置の製造装置および静電チャックからのウエハ脱着方法 | |
TW201804555A (zh) | 作為半導體與機械處理中的工件載體的頂板的處理晶圓 | |
KR20040098548A (ko) | 웨이퍼 받침대 커버 | |
KR100787384B1 (ko) | 정전척 | |
KR20040098550A (ko) | 집적 회로 디바이스용 [111] 방위 알루미늄 필름의 제조장치 및 방법 | |
KR20020065670A (ko) | 정전 척 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100630 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100928 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101005 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101026 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101102 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101122 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |