TW201804555A - 作為半導體與機械處理中的工件載體的頂板的處理晶圓 - Google Patents

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Abstract

描述了可作為半導體和機械處理中的工件載體的處理晶圓。在一些實例中，工件載體包括：基板；電極，形成在基板上，以攜帶電荷，以夾持工件；通孔，穿過基板並連接到電極；及介電層，在基板之上，以隔離電極與工件。

Description

作為半導體與機械處理中的工件載體的頂板的處理晶圓
本發明關於用於半導體和機械處理的工件載體，且特別關於作為工件載體的處理晶圓。
在微機械和半導體晶片的製造中，工件(諸如矽晶圓或其它基板)在不同的處理腔室中曝露於各種不同的製程。這些腔室可將晶圓曝露於許多不同的化學和物理製程，由此在基板上產生微小的積體電路和微機械結構。構成積體電路的材料層由包括化學氣相沉積、物理氣相沉積、磊晶生長及類似者的製程所製成。使用光阻遮罩和濕式或乾式蝕刻技術將一些材料層圖案化。基板可為矽，砷化鎵，磷化銦，玻璃或其它合適的材料。
在這些製程中所使用的處理腔室通常包括在處理期間用以支撐基板的基板支撐件，基座或卡盤。在一些製程中，基座可包括嵌入式加熱器，用以控制基板的溫度，且在一些情況下，用以提供可在該製程中使用的升高的溫度。靜電卡盤（ESC）具有一或多個嵌入的導電電極，以產生使用靜電將晶圓保持在卡盤上的電場。
ESC將具有稱為圓盤的頂板，稱為基座的底板或底座，及將兩者保持在一起的界面或接合。圓盤的頂表面具有保持工件的接觸表面，接觸表面可由各種材料所製成，如，矽、聚合物，陶瓷或組合，且可在其上全部具有塗層，或在選擇性的位置上具有塗層等。各種部件嵌入到圓盤中，包括用於保持或夾持晶圓的電子部件和用於加熱晶圓的熱部件。
存在有使積體電路晶片更小的恆定驅勢。這種趨勢的一部分包括在電路部件構建在晶圓的前側之前和之後使晶圓的背側變薄。薄的晶圓小得多，但是很脆，所以它用黏著帶接合到圓盤上。這有助於防止變薄的晶圓若從圓盤上掉落時受到損壞。雖然這樣使晶圓牢固地固定，但是比使用靜電卡盤更難以附接和移除晶圓。此外，黏著劑會作為在晶圓和ESC的圓盤之間的電絕緣體和熱絕緣體。
描述了可作為半導體和機械處理中的工件載體的處理晶圓。在一些實例中，工件載體包括：基板；電極，形成在基板上，以攜帶電荷，以夾持工件；通孔，穿過基板並連接到電極；及介電層，在基板之上，以隔離電極與工件。
如於此所述，一般的矽晶圓可用作晶圓載體的基板，且ESC可藉由使用半導體製造製程以非常小的附加厚度構建在載體晶圓上。可將薄的工件晶圓靜電夾持到矽載體晶圓上。使用靠近矽載體晶圓頂部的電極，附接和分離是快速和簡單的。保護薄的工件晶圓不受載體晶圓的物理應力，且載體晶圓和工件晶圓一起為約與傳統厚晶圓相同的尺寸。因此，工件和載體的夾持組件與現有的工具和製造製程良好地運作。
這種載體被稱為轉移ESC。薄的晶圓可藉由將電引線連接到載體上的接點並將電荷施加到載體電極而靜電附接到載體上。當組件移動到不同的製程和位置時，載體晶圓接著將電荷和它的夾持力維持在薄的晶圓上。當適合時，藉由以相反的極性連接電引線來釋放靜電電荷。
例如，使用PVD（電漿氣相沉積）工具將用以靜電保持工件晶圓的電極沉積在載體晶圓上。這允許非常薄和高品質的電極。介電層可使用(例如)CVD（化學氣相沉積）工具而沉積在晶圓上。這允許高靜電力所需的高品質介電層。較舊的電漿處理設備的精確度足以形成電極來保持工件。
第1圖是附接在一起的載體晶圓2和變薄的工件晶圓4的橫截面側視圖。載體晶圓基於矽基板6。這可為與工件晶圓相同類型的基板。使用相同的材料避免了由熱膨脹和收縮所引起的任何應力。正如工件晶圓可由不同材料所製成的那樣，載體晶圓也可由任何相同的材料所製成。替代地，可使用具有與工件晶圓相似的熱膨脹係數的不同材料。
一組孔8被鑽鑿，蝕刻或鑽孔穿過基板。所示的孔是接觸孔。可存在有用於升降銷，後側氣體，真空配件或其他目的的附加孔。在一些實施例中，在釋放靜電電荷之後，可使用孔來釋放工件。可將銷或空氣壓力施加到孔，以將薄的晶圓的背側推離載體晶圓。這些孔可被電鍍或填充鉭，銅，鋁或其它導電材料，使得孔的壁或填充物可用作電引線的接點或接觸點或焊墊。
將電極10作為層施加在基板上。這個層或另一層可延伸到孔8中，使得孔在內側被電鍍。以這種方式，電鍍孔可用作與相對側的電極電連接。當電極被工件晶圓覆蓋時，這允許對電極的電氣接入。電極可由鉭、銅、鋁所形成，或由各種其它導電材料的任一種所製成。
可使用傳統的矽圖案化和遮罩技術將電極製成圖案。可使用各種不同圖案的任一種，包括偶極子、同心和星形圖案等。下面描述並顯示了額外的圖案。
因為載體晶圓由矽所形成，所以可應用各種矽處理技術的任何一種。在一些實施例中，使用PVD（電漿氣相沉積）將約1μm厚的鉭層施加到載體晶圓的頂部和孔的內壁。替代地，可使用多種其它製程的任一種來將銅，鋁，鉭或其它導電材料或材料的組合施加到矽。
電極接著被介電層12包封和覆蓋。可根據需要藉由CVD（化學氣相沉積）或以任何其它方式施加介電層。介電層允許在導電電極和工件晶圓之間維持靜電電荷，因為當工件載體使用時，介電層在電極和工件載體之間。
在一些實施例中，在施加介電質之後，工件載體被翻轉，且介電層14也施加到工件晶圓的背側。孔可蝕刻到介電質中以曝露載體中的孔108，並允許進入電接點、氣體配件和任何其它部件。在這個實例中，背側介電質與基板接觸而沒有中間金屬層。在前側上的金屬層10用作電極，且通孔8允許與電極電接觸，使得不需要在背側上的金屬層。
第2圖是載體晶圓的頂部平面圖，顯示了在施加介電層之前施加電極。矽載體晶圓222具有同心雙極電極配置，具有內部中心電極234和外部周邊電極236。可向兩個電極施加不同的電荷極性，以提供更安全的靜電夾持。可在基板的背側上設置不同的通孔作為兩個不同電極的電接點。為了附加工件，以兩個不同的極性施加電流，一個極性被施加到用於內部電極的接點，且另一個極性被施加作為外部電極的接點。為了釋放工件，連接被反轉以反轉極性，直到電荷被移除。替代地，兩個接點連接在一起以允許相反的電荷均衡，釋放工件。
第3圖是在沉積電極234、236之前施加遮罩224的矽載體晶圓222的等距視圖。遮罩由PEEK（聚醚醚酮）或任何其它合適的半剛性材料所形成，其承受電極的沉積製程。可使用以熱或溶劑釋放的黏著劑將遮罩施加到基板上。
這個遮罩適合於同心設計。當電極作為薄層沉積在基板之上時，遮罩將導致層中的圓形斷裂，從而導致如第2圖所示的兩個同心和未連接的圓形金屬圖案。接著可移除遮罩，留下之間有斷裂的兩個導電電極。除了遮罩之外，已經透過載體晶圓鑽鑿或蝕刻接觸孔226。每個電極(內部和外部)存在有至少一個接觸孔。當金屬沉積在孔之上或穿過孔時，這些將與金屬接觸。
第4圖是具有模板或遮罩224的晶圓222的橫截面側視圖。此外，存在具有塞子228的孔226。塞子可為導電的，使得其如上所述與所施加的電極層電接觸並為後表面提供接點。額外的接點（未顯示）可施加到與塞子228電接觸的晶圓的背側。這種額外的接點可使得更容易與塞子接觸。
模板可用黏著劑223附加。黏著劑可為黏著性背襯，諸如PSA（丙烯酸，矽酮等的壓敏性黏著劑）。黏著劑可替代地是被選擇性地施加的噴塗，刷塗或類似地分配的黏著劑，使得基板的前側的其餘部分不受影響。在電極沉積之後且在電極被介電質封裝之前移除模板。在一些實施例中，模板由合適的介電材料所形成，且在電極沉積之後留在原位。在這種情況下，模板被封裝並用作介電質的一部分。
第5圖是在施加介電層之前具有另一電極配置的載體晶圓的頂部平面圖。在這個實例中，載體242具有內部電極246和外部電極248，其間具有絕緣空間250。這些電極與雙極電極交錯。換句話說，中心電極的指向在外部電極的兩個指之間的周邊延伸出來。這種形狀可使用不同的模板或遮罩設計，並應用如第3圖和第4圖所建議的相同製程而容易地形成。
第6圖是具有施加到表面的不同遮罩264的矽載體晶圓262的等距視圖。這個遮罩將為雙極電極配置提供不同的交錯設計。提供第2、5和6圖的實例以顯示不同的可能性。取決於特定實施方式，可使用許多其它形狀和配置來提供所欲的夾持特性。
晶圓還具有複數個真空孔266。孔經調整尺寸為直徑大於電極電鍍層的厚度。結果，當藉由電鍍或沉積而施加電極時，它們不被填充。這些孔可用以施加真空以保持工件，並提供正的空氣壓力以將工件從載體推出，用於去夾持，或用於任何其它所欲的目的。還可提供用於升降銷等的孔。另一組孔268的直徑更小並藉由電極層沉積而填充。替代地，如第4圖所示，可在這些孔上施加塞子228，使得可從晶圓的背側與電極進行電接觸。在每個塞子之上施加電極之後，塞子將與電極接觸，且可從孔的背側接近。
第7圖是工件載體的一部分的橫截面側視圖，顯示了可與本工件載體一起使用的兩種類型的孔的實例。基板272(諸如如上所述的矽晶圓)具有延伸穿過基板的大的通孔270。在形成通孔之後，將電極層274施加在基板之上。在基板的頂部上的沉積金屬274用作電極。沉積的金屬276延伸到大的通孔中，並對通孔的側面作襯套或電鍍。在某些情況下，這個襯套可用以提供與電極的電連接。如圖所示，襯套與電極成一體並與電極電連接。可在沉積電極的同時形成通孔電鍍層276。這個較大的孔也可用於真空埠，升降銷和其他目的。
孔278的另一種類型較小，且完全填充有金屬層。在這種情況下，導電材料或金屬不像較大的孔那樣是襯套，而是填充物。類似於較大的孔，填充金屬的穿孔也從基板的背側提供與基板的前側上的電極的電連接。這個較小的孔足夠小，使得開口被頂部電極金屬層274覆蓋。可執行額外的操作以確保孔被導電材料填充。因此，金屬孔提供對電極的電氣接入。在這個實例中，如在金屬層之間的基板材料272所示，存在有相鄰的兩個較小的孔。
可藉由翻轉基板並在一或多個孔之上形成接合焊墊280來改善背側電氣接入。在這個實例中，接合焊墊覆蓋兩個所示的填充孔。接合焊墊可藉由另一金屬層沉積步驟，藉由印刷或以各種其它方式的任一種而形成。接合焊墊為電氣引線提供安全和方便的連接。如上所述，引線可以向電極施加電流，以對電極靜電充電並將工件保持到載體。
將介電層282施加在電極274之上，以維持靜電電荷。介電層可能很薄，使得它不會填充大孔270，否則當施加介電層時，孔可能被遮罩或堵塞。替代地，可填充孔，並接著在施加介電質之後重新打開。
第8圖是如上所述生產基板載體的製程流程圖。操作開始於302，具有大塊的載體基板。這個基板可為任何所欲形狀或尺寸的標準矽晶圓，諸如圓形300mm晶圓。替代地，其也可由其他材料所製成，諸如玻璃，多晶矽，砷化鎵等。也可使用AlN或Al2 O3 或任何其它陶瓷材料。這些材料堅固，且易於機械加工。為了用於承載矽晶圓，矽基板良好地運作，因為它的行為和性質模仿標準晶圓的行為和性質。這允許載體與現有的晶圓處理工具一起使用。
可藉由薄化或藉由鑽鑿或蝕刻以上所述的通孔來製備基板。在一些情況下，一些孔填充有塞子228。可執行其他製程以製備表面，諸如拋光，施加塗層等。
在304處，遮罩基板以施加電極。遮罩可為由金屬或塑料材料所製成的預先形成的模板。這種模板可與模板分開，並接著使用黏著劑附接。替代地，可使用光微影，噴墨或其它製程在基板上直接形成模板。這個圖案位於要面向工件的表面上的晶圓的前側。
作為進一步的替代，聚醚醚酮（PEEK）或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）可作為模板而施加在圖案中。對於特別精細的電極圖案，可使用光微影。
存在有可使用的各種不同的模板形狀和圖案。當化學機械拋光（CMP）應用於工件時，同心圓形設計對於使轉盤使用長久是有用的。同心交叉設計為非導電目標提供了改進的夾持。
在306處，電極沉積在模板之上並進到孔中或穿過孔，以形成接點。可使用PVD在基板的前側或頂表面上施加Ti或Ta。取決於特定的的實施方式，Ti塞子可首先插入到孔中，以從背側提供電連接。替代地，在電極的PVD施加期間可對孔作襯套。在一些實施例中，基板的側面或邊緣被曝露，使得PVD Ti或Ta層纏繞在基板的側面。這允許從基板的背側更容易地進行電連接。纏繞電極設計消除了使用通孔或填充孔在晶圓的背側上的機械接點的需要。使用PVD進行電極沉積允許生產許多不同的電極設計。如上所述，表面上可能存在單獨的電極，以允許不同的極性越過載體的頂表面而儲存。PVD膜允許更廣泛地選擇不同的電極材料以適應不同的應用。
在308處，介電層沉積在電極之上。介電層保護電極並提供絕緣層，以當工件被靜電保持在載體上時維持靜電電荷。介電質可以各種不同的方式沉積。SiN的薄PVD應用為預期的靜電電荷提供了良好的隔離。替代地，可使用氧化鋁或氧化釔的電漿噴塗。
在310處，封裝基板。封裝被顯示為在基板的前側和背側。聚合物膠帶或聚合物塗層可用於此目的。可替代地使用其它類型的介電質。
在312處，孔可穿過基板從後側到前側而形成。如上所述，可在304處或在該製程中的任何其他時間施加圖案之前形成孔。孔可藉由鑽鑿蝕刻，機械加工或以各種其它方式的任一種而形成。可添加額外的淨化或真空孔或兩者，以提供雙重的夾持能力。因此，與ESC一樣，可使用靜電電荷來保持工件(諸如晶圓)。此外，對於一些操作而言，穿過基板的真空孔可用於真空夾持，以在工件上提供更堅固的夾持。孔也可或替代地用於淨化薄晶圓或用於真空去夾持
在314處，接點可任選地施加到基板的背側。如上所示，一或多個通孔可製成有導電沉積在孔或固體穿孔的壁上。其他通孔可能具有插入到孔中的固體接觸塞子。當沉積僅在孔的內壁上且不填充孔時，這提供了孔之上的閉合和接觸。在任一者或這兩種情況下，金屬接合焊墊可從基板的背側沉積，以形成充電接點。
第9圖是基於基板的工件載體的替代實施方案的實例的側面橫截面圖。在這個實例中，基板402(諸如矽或玻璃基板)提供載體的結構。這可為如以上的實例中的300mm矽晶圓或另一種類型的基板。在這個實例中，代替在基板上直接形成電極並接著在基板之上形成介電質，電極形成在介電質內。介電片404(諸如300mm聚酰亞胺片)圍繞並封裝電極410，電極410為導電的且可為以上所示的任何圖案或任何其它所欲的圖案。
介電片用任何合適的黏著劑附接到基板上。基板和聚酰亞胺接著從背側鑽孔。穿過背側的孔406到達在介電質404內的電極410，以允許對電極的電連接。這些孔允許電極被充電和放電。另外的孔408可一直被鑽鑿或蝕刻穿過基板和介電片，以進行真空、去夾持和其它目的。
第10圖是第9圖的基於基板的工件載體的變型的側視橫截面圖。在這個實例中，基板422承載具有嵌入電極430的聚酰亞胺片424，以靜電夾持工件(未顯示）。在這個實例中，基板還具有聚酰亞胺434的背側層，其繞基板的側面延伸到頂部的片。這允許基板被完全封裝，使得整個載體完全地絕緣。可提供與第9圖中相同類型的孔426、428，以對電極充電並允許穿過載體的背側對工件進行其它接入。
第11圖是承載以上所述的工件載體的組裝的靜電卡盤的等距視圖。支撐軸212透過隔離件216而支撐底座板210。中間隔離板208和上部冷卻板206由底座板所承載。頂部冷卻板206在冷卻板的頂表面上承載介電圓盤205。圓盤具有上圓形平台，以支撐工件204。圓盤205可具有內部電極，以靜電附接工件。可以另一種方式將工件替代地夾緊，抽真空或附接。在圓盤205和頂部冷卻板206之間存在黏著性接合，以將頂板的陶瓷保持到冷卻板的金屬。加熱器可形成在頂板或中間板208中。
ESC能夠使用圓盤中的電阻加熱器，冷卻板中的冷卻劑流體或兩者來控制工件的溫度。電功率、冷卻劑、氣體等透過支撐軸212而提供到冷卻板206和圓盤205。ESC也可使用支撐軸進行操縱並保持定位。
這個圖式的工件204包括第1圖的工件4和工件載體2。兩者使用靜電力而夾緊在一起，且接著可被視為單個部件。組合的載體和工件使用各種不同的方法的任一種而保持在卡盤上。提供第11圖的ESC作為實例，組合的工件4和載體2可被承載在各種不同的基座，載體，轉移卡盤或其他夾具的任何一個中，這取決於待應用於工件的處理。
第12圖是根據於此所述的實施例的具有基座128或ESC的電漿系統100的局部橫截面圖，基座128或ESC能承載工件和載體。基座128具有主動冷卻系統，其允許在寬的溫度範圍內主動地控制位於基座上的工件的溫度，同時工件經受許多製程和腔室條件。電漿系統100包括具有側壁112和底壁116的處理腔室主體102，側壁112和底壁116界定處理區域120。
基座，載體，卡盤或ESC 128穿過形成在系統100中的底壁116中的通道122而設置在處理區域120中。基座128適以將工件（未顯示）支撐在其上表面。工件可為用於藉由各種不同材料的任一種製成的腔室100所施加的處理的各種不同工件的任一種。基座128可任選地包括加熱元件（未顯示）(例如電阻元件)，以在所欲的製程溫度下加熱和控制工件溫度。替代地，基座128可藉由遠端加熱元件(諸如燈組件)而加熱。
基座128藉由軸126而耦接到功率插座或功率盒103，功率插座或功率盒103可包括控制基座128在處理區域120內的升高和移動的驅動系統。軸126還含有電功率介面，以向基座128提供電功率。功率盒103還包括用於電功率和溫度指示器（諸如熱電偶介面）的介面。軸126還包括適合用以可拆卸地耦接到功率盒103的底座組件129。在功率盒103之上方顯示了圓周環135。在一個實施例中，圓周環135是適於作為機械止擋件或檯面的肩部，經配置以在底座組件129和功率盒103的上表面之間提供機械介面。
桿130穿過形成在底壁116中的通道124而設置，且用於致動穿過基座128而設置的基板升降銷161。基板升降銷161將工件從基座頂部表面提起，以允許工件通常使用機器人（未顯示）穿過工件傳送埠160而被移除並且攜進和攜出腔室。
腔室蓋104耦接到腔室主體102的頂部。蓋104容納與其耦接的一或多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包括氣體入口通道140，其將反應劑和清潔氣體透過噴頭組件142而輸送到處理區域120B中。噴頭組件142包括環形底座板148，具有設置在面板146中間的阻擋板144。
射頻（RF）源165耦接到噴頭組件142。RF源165為噴頭組件142供電以促進在噴頭組件142的面板146和加熱的基座128之間產生電漿。在一個實施例中，RF源165可為高頻射頻（HFRF）功率源，諸如13.56MHz RF產生器。在另一個實施例中，RF源165可包括HFRF功率源和低頻射頻（LFRF）功率源，諸如300kHz RF產生器。替代地，RF源可耦接到處理腔室主體102的其他部分，諸如基座128，以促進電漿產生。介電隔離器158設置在蓋104和噴頭組件142之間，以防止向蓋104傳導RF功率。陰影環106可設置在基座128的周邊上，基座128的周邊在基座128的所欲高度處嚙合基板。
任選地，在氣體分配系統108的環形底座板148中形成冷卻通道147，以在操作期間冷卻環形底座板148。傳熱流體(諸如水，乙二醇，氣體或類似者)可循環穿過冷卻通道147，使得底座板148保持在預定溫度。
腔室襯套組件127設置在處理區域120內非常接近腔室主體102的側壁101、112，以防止側壁101、112曝露於處理區域120內的處理環境。襯套組件127包括圓周泵送凹穴125，圓周泵送凹穴125耦接到經配置以從處理區域120排出氣體和副產物並控制處理區域120內的壓力的泵送系統164。複數個排氣埠131可形成在腔室襯套組件127上。排氣埠131經配置以允許以促進系統100內的處理的方式而從處理區域120將氣體流動到圓周泵送凹穴125。
系統控制器170耦接到各種不同的系統，以控制腔室中的製造製程。控制器170可包括用以執行溫度控制演算法（如，溫度反饋控制）的溫度控制器175，且可為軟體或硬體任一者，或軟體和硬體的組合。系統控制器170還包括中央處理單元172、記憶體173和輸入/輸出介面174。溫度控制器從基座上的感測器（未顯示）接收溫度讀數143。溫度感測器可靠近晶圓附近的冷卻劑通道，或放置在基座的介電材料中。溫度控制器175使用所感測的溫度或多個溫度，以輸出影響在基座組件142和在電漿腔室105外部的熱源及/或散熱器(諸如熱交換器177)之間的熱傳遞速率的控制信號。
系統還可包括受控的傳熱流體迴路141，其具有基於溫度反饋迴路的流量控制。在示例性實施例中，溫度控制器175耦接到熱交換器（HTX）/冷卻器177。傳熱流體藉由穿過傳熱流體迴路141的閥所控制的速率而流動穿過閥（未顯示）。閥可結合到熱交換器中或結合到熱交換器內側或外側的泵中，以控制熱流體的流速。傳熱流體流動穿過基座組件142中的導管，並接著返回到HTX 177。傳熱流體的溫度藉由HTX而增加或減小，且接著流體穿過迴路而返回到基座組件。
HTX包括加熱器186，用以加熱傳熱流體，且從而加熱基板。加熱器可使用圍繞在熱交換器內的管道的電阻線圈或具有熱交換器而形成，其中加熱的流體將熱量透過交換器而傳導到含有熱流體的導管。HTX還包括從熱流體吸取熱量的冷卻器188。這可使用輻射器來將熱量放入環境空氣或冷卻劑流體中或以各種其它方式的任一種來進行。加熱器和冷卻器可組合，使得溫度受控流體首先被加熱或冷卻，並接著將控制流體的熱量與傳熱流體迴路中的熱流體的熱量進行交換。
在HTX 177和基座組件142中的流體導管之間的閥（或其它流量控制裝置）可藉由溫度控制器175而控制，以控制傳熱流體流向流體迴路的流速。可組合溫度控制器175、溫度感測器和閥，以便於簡化結構和操作。在實施例中，熱交換器感測傳熱流體從流體導管返回之後的溫度，並基於流體的溫度和腔室102的操作狀態的所欲溫度來加熱或冷卻傳熱流體。
電加熱器（未顯示）也可在ESC中使用，以將熱量施加到工件組件。通常以電阻元件形式的電加熱器耦接到由溫度控制系統175所控制的電源供應器179，以充能加熱器元件，以獲得所欲的溫度。
傳熱流體可為液體，諸如(但不限於)去離子水/乙二醇，氟化冷卻劑(諸如來自3M的Fluorinert®或來自Solvay Solexis, Inc的Galden®)，或任何其它合適的介電流體(諸如含有全氟化惰性聚醚的那些介電流體)。雖然本說明書在上下文中描述了PECVD處理腔室的基座，但是於此所述的基座可在各種不同的腔室中使用以及用於各種不同的製程。
背側氣體源178(諸如加壓氣體供應器或泵和氣體儲存器)透過質流計185或其它類型的閥而耦接到卡盤組件142。背側氣體可為氦氣，氬氣或在晶圓和圓盤之間提供熱對流而不影響腔室的製程的任何氣體。在系統連接到的系統控制器170的控制下，氣體源將氣體透過下面更詳細描述的基座組件的氣體出口而泵送到晶圓的背側。
處理系統100還可包括在第4圖中未具體顯示的其他系統，諸如電漿源、真空泵系統、存取門、微機械處理、雷射系統和自動化處理系統等。提供所示的腔室作為實例，且取決於工件的本質和所欲的製程，各種其它腔室的任一個可與本發明一起使用。所描述的基座和熱流體控制系統可適於與不同的物理腔室和製程一起使用。
在操作中，工件移動穿過腔室的開口並且附接到載體的圓盤以用於製造製程。組合的工件和工件載體可像處理單一晶圓那樣被處理。載體保護承載的薄晶圓免於斷裂，且組合尺寸接近尚未變薄的標準晶圓。各種不同的製造製程的任何一種可在工件在處理腔室中並附接到載體時被應用到工件上。在該製程期間和任選地在該製程之前，將乾燥氣體在壓力下供應到底座板的乾燥氣體入口。壓力將乾燥氣體推入在底座板和冷卻板之間的空間。氣流從在底座板和冷卻板之間驅動環境空氣。
如在這份說明書和附隨的申請專利範圍中所使用的，單數形式「一(a)」、「一(an)」和「該」也意欲包括複數形式，除非上下文另有明確指出。還將理解於此所用的術語「及/或」是指並包括一個或多個相關列出的項目的任何和所有可能的組合。
於此可使用術語「耦接」和「連接」以及它們的衍生物來描述部件之間的功能或結構關係。應當理解這些術語不意欲作為彼此的同義詞。相反地，在特定實施例中，「連接」可用以指示兩或更多個元件彼此直接物理，光學或電接觸。「耦接」我用以表示兩或更多個元件是彼此直接或間接的（在它們之間具有其他中間元件）物理，光學或電接觸，及/或兩或更多個元件彼此合作或交互作用（如，因為效果關係）。
如於此所使用的，術語「之上(over)」，「之下(under)」，「之間(between)」和「上(on)」是指相對於其它部件或層的一個部件或材料層的相對位置，其中這些物理關係值得注意的。例如，在材料層的背景中，設置在另一層之上或之下的一層可與另一層直接接觸或可具有一或多個中間層。此外，設置在兩個層之間的一個層可直接與個兩層接觸，或可具有一或多個中間層。相比之下，第二層「上」的第一層與那個第二層直接接觸。在部件組件的背景中將做出類似的區別。
應當理解，上述描述意欲為說明性的而不是限制性的。例如，雖然圖式中的流程圖顯示了由本發明的某些實施例所執行的操作的特定順序，但是應當理解不需要此類順序（如，替代實施例可以不同的順序執行操作、組合某些操作、重疊某些操作等）。此外，一旦閱讀和理解上述描述之後，許多其他實施例對於熟悉該領域者將是顯而易見的。雖然已經參考特定的示例性實施例而描述了本發明，但是將認識到本發明不限於所描述的實施例，而是可在附隨的申請專利範圍的精神和範圍內進行修改和變更來實施。因此，本發明的範圍應當參照附隨的申請專利範圍，以及這些申請專利範圍所賦予的等效元件的全部範圍來確定。
2‧‧‧載體晶圓
4‧‧‧工件晶圓
6‧‧‧矽基板
8‧‧‧孔
10‧‧‧電極/金屬層
12‧‧‧介電層
14‧‧‧介電層
100‧‧‧系統/腔室
101‧‧‧側壁
102‧‧‧腔室主體/腔室
103‧‧‧功率盒
104‧‧‧蓋
105‧‧‧電漿腔室
106‧‧‧陰影環
108‧‧‧氣體分配系統
112‧‧‧側壁
116‧‧‧底壁
120‧‧‧處理區域
122‧‧‧通道
124‧‧‧通道
125‧‧‧圓周泵送凹穴
126‧‧‧軸
127‧‧‧襯套組件
128‧‧‧基座/載體/ESC
129‧‧‧底座組件
130‧‧‧桿
131‧‧‧排氣埠
135‧‧‧圓周環
140‧‧‧氣體入口通道
141‧‧‧傳熱流體迴路
142‧‧‧噴頭組件/基座組件/卡盤組件
143‧‧‧溫度讀數
144‧‧‧阻擋板
146‧‧‧面板
147‧‧‧冷卻通道
148‧‧‧底座板
158‧‧‧介電隔離器
160‧‧‧基板傳送埠
161‧‧‧基板升降銷
164‧‧‧泵送系統
165‧‧‧射頻（RF）源
170‧‧‧控制器
172‧‧‧中央處理單元
173‧‧‧記憶體
174‧‧‧輸入/輸出接口
175‧‧‧溫度控制器/溫度控制系統
177‧‧‧熱交換器（HTX）/冷卻器
178‧‧‧背側氣體源
179‧‧‧功率源
185‧‧‧質流計
186‧‧‧加熱器
188‧‧‧冷卻器
204‧‧‧支撐工件
205‧‧‧介電圓盤
206‧‧‧冷卻板
208‧‧‧隔離板
210‧‧‧底座板
212‧‧‧支撐軸
216‧‧‧隔離件
222‧‧‧晶圓
223‧‧‧黏著劑
224‧‧‧遮罩
226‧‧‧孔
228‧‧‧插頭
234‧‧‧電極
236‧‧‧電極
242‧‧‧載體
246‧‧‧電極
248‧‧‧電極
250‧‧‧絕緣空間
262‧‧‧矽載體晶圓
264‧‧‧遮罩
266‧‧‧孔
268‧‧‧孔
270‧‧‧孔
272‧‧‧基板/基板材料
274‧‧‧電極層/沉積金屬/金屬層/電極
276‧‧‧金屬/電鍍層
278‧‧‧孔
280‧‧‧接合焊墊
282‧‧‧介電層
302 304 306 308 310 312 314 402‧‧‧基板
404‧‧‧介電片/介電片
406‧‧‧孔
408‧‧‧孔
410‧‧‧電極
422‧‧‧基板
424‧‧‧聚酰亞胺片
426‧‧‧孔
428‧‧‧孔
430‧‧‧嵌入電極
434‧‧‧聚酰亞胺
藉由實例而非限制的方式，在附隨的圖式的圖中顯示本發明的實施例，其中：
第1圖是根據實施例的附接在一起的載體晶圓和薄化的工件晶圓的橫截面側視圖；
第2圖是根據實施例的在施加介電層之前施加電極的載體晶圓的頂部平面圖；
第3圖是根據實施例的在電極沉積之前施加遮罩的載體晶圓的等距視圖；
第4圖是根據實施例的第3圖的載體晶圓的側視橫截面圖；
第5圖是根據實施例的載體晶圓的頂部平面圖，顯示了在施加介電層之前施加替代的電極配置；
第6圖是根據實施例的在施加介電層之前具有用於施加進一步的替代的電極配置的模板的載體晶圓的等距視圖；
第7圖是根據實施例的兩種類型的孔的載體的一部分的橫截面側視圖；
第8圖是根據實施例的製造載體的製程流程圖；
第9圖是根據實施例的替代載體的側視橫截面圖；
第10圖是根據實施例的第9圖的載體的變型的側視橫截面圖；
第11圖是根據實施例的攜帶載體的組裝的靜電卡盤的等距視圖；
第12圖是根據實施例的具有能夠承載工件和載體的基座或ESC的電漿系統的局部橫截面圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
2‧‧‧載體晶圓
4‧‧‧工件晶圓
6‧‧‧矽基板
8‧‧‧孔
10‧‧‧電極/金屬層
12‧‧‧介電層
14‧‧‧介電層

Claims (20)

  1. 一種工件載體，包含： 一基板；一電極，形成在該基板上，以攜帶一電荷，以夾持一工件；一通孔，穿過該基板並連接到該電極；及一介電層，在該基板之上，以隔離該電極與該工件。
  2. 如請求項1所述之工件載體，其中該基板包含一矽晶圓。
  3. 如請求項1所述之工件載體，其中該電極包含圖案化的鉭。
  4. 如請求項1所述之工件載體，其中該電極藉由電漿氣相沉積而施加到該基板。
  5. 如請求項1所述之工件載體，其中該通孔包含一導電材料，以提供電耦接到該電極的一電接點。
  6. 如請求項1所述之工件載體，進一步包含一導電塞子，在該通孔之上，其中該電極在該塞子之上。
  7. 如請求項1所述之工件載體，進一步包含一接合焊墊，在與該電極相對的該基板的一側上的該通孔之上，該接合焊墊從相對側提供對該電極的一電連接。
  8. 如請求項1所述之工件載體，其中該電極在該基板的一前側上，該工件載體進一步包含在該基板的該背側上的一附加介電層。
  9. 如請求項8所述之工件載體，其中該背側介電質與該基板接觸，而沒有中間金屬層。
  10. 如請求項1所述之工件載體，進一步包含複數個通孔，從該基板的一背側延伸穿過該介電層，以提供對該工件的一背側的接入。
  11. 如請求項1所述之工件載體，其中該基板由玻璃、多晶矽和陶瓷的至少一種所構成。
  12. 一種方法，包含以下步驟： 在一基板中形成一通孔，該通孔在該基板的一第一側和該基板的一第二側之間延伸，作為可從該基板的該第二側接入的一電接觸；在該基板的該第一側上施加一導電層，該導電層作為一靜電載體的一電極與該通孔接觸；及將一介電質施加在該基板之上且所施加的該層上作為一表面，在該表面上靜電地承載藉由該電極保持定位的一工件。
  13. 如請求項12所述之方法，其中施加該導電層的步驟包含以下步驟：用電漿氣相沉積在該基板之上施加一金屬。
  14. 如請求項12所述之方法，其中施加該導電層的步驟包含以下步驟：在該基板之上施加一遮罩並在該基板之上沉積如由該遮罩所界定的一圖案化電極。
  15. 如請求項12所述之方法，其中施加該介電層的步驟包含以下步驟：藉由化學氣相沉積而施加一氧化物。
  16. 如請求項12所述之方法，進一步包含以下步驟：在施加該導電層以提供該電接點之前，將一導電塞子放置在該基板的該第一側上的該通孔之上，其中該導電層被施加在該塞子之上。
  17. 如請求項12所述之方法，進一步包含以下步驟：用耦接到所施加的該導電層的一導電襯裡電鍍該通孔。
  18. 一種電漿處理系統，包含： 一電漿腔室；一電漿源，用以在該電漿腔室中產生含有多個氣體離子的一電漿；及一工件保持器，在該腔室中，具有：一圓盤，用於承載用於多個製造製程的該工件；一頂板，與該圓盤熱耦合；及一冷卻板，緊固到該頂板並熱耦合到該頂板，該冷卻板具有一冷卻通道，以從該冷卻板承載一傳熱流體以傳送熱量，該工件是由工件載體所承載的一薄化矽晶圓，使得該載體由該圓盤所承載，該工件載體包括：一基板；一電極，形成在該基板上，以承載一電荷，以夾持該薄化矽晶圓；一通孔，穿過該基板並連接到該電極；一介電層，在該基板之上，以隔離該電極與該薄化矽晶圓。
  19. 如請求項18所述之系統，進一步包含一第二通孔，在該基板中，延伸在該介電層和該基板的該第二側之間，作為該薄化矽晶圓的一接入埠。
  20. 如請求項19所述之系統，進一步包含在該第二通孔上形成一真空配件。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10254214B1 (en) 2018-02-20 2019-04-09 Nanotronics Imaging, Inc. Systems, devices, and methods for combined wafer and photomask inspection
WO2019222320A1 (en) 2018-05-16 2019-11-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer self aligned substrate processing and integrated toolset
US11456203B2 (en) * 2018-07-13 2022-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Wafer release mechanism
US11094573B2 (en) * 2018-11-21 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for thin wafer carrier

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
GB9711273D0 (en) * 1997-06-03 1997-07-30 Trikon Equip Ltd Electrostatic chucks
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JP4387563B2 (ja) * 2000-06-05 2009-12-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ及びサセプタの製造方法
US6606234B1 (en) * 2000-09-05 2003-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US6946403B2 (en) * 2003-10-28 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Method of making a MEMS electrostatic chuck
FR2875054B1 (fr) * 2004-09-08 2006-12-01 Cit Alcatel Support de substrats minces
TWI271815B (en) * 2004-11-30 2007-01-21 Sanyo Electric Co Method for processing stuck object and electrostatic sticking method
DE202005011367U1 (de) * 2005-07-18 2005-09-29 Retzlaff, Udo, Dr. Transfer-ESC auf Wafer-Basis
DE102005056364B3 (de) * 2005-11-25 2007-08-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bipolarer Trägerwafer und mobile, bipolare, elektrostatische Waferanordnung
US8422193B2 (en) * 2006-12-19 2013-04-16 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
JPWO2008108146A1 (ja) 2007-03-01 2010-06-10 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック
CN102782827B (zh) * 2009-12-30 2014-08-06 速力斯公司 用于薄晶片的可移动静电载具
JP5351316B1 (ja) * 2012-08-15 2013-11-27 株式会社アドバンテスト 試料保持具及びこれを用いた電子ビーム露光方法
CN103647012B (zh) * 2013-12-20 2017-05-31 中国科学院半导体研究所 一种用于led的晶圆级封装的芯片转移方法
US9740111B2 (en) * 2014-05-16 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic carrier for handling substrates for processing

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