JP2003249543A - 静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法 - Google Patents
静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法Info
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- JP2003249543A JP2003249543A JP2002049031A JP2002049031A JP2003249543A JP 2003249543 A JP2003249543 A JP 2003249543A JP 2002049031 A JP2002049031 A JP 2002049031A JP 2002049031 A JP2002049031 A JP 2002049031A JP 2003249543 A JP2003249543 A JP 2003249543A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 昇降ピンの構成は変えずに残留静電気で載置
台に吸着している基板を速やかに、且つ正確に離脱させ
る静電チャック装置及びその吸着離脱方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハなどの基板を静電吸着に
より保持する静電チャック装置において、この静電チャ
ック装置は前記基板を吸着保持する載置台を貫通するリ
フトピンと、このリフトピンによる前記基板の持ち上げ
に先だって前記基板周縁を持ち上げる補助リフト部材と
を備え、この補助リフト部材は前記載置台の外周面に沿
って昇降動すると共に、その上端部には内方に屈曲した
フランジ部が設けられ、このフランジ部の幅は前記基板
周縁の下側に１〜５ｍｍの範囲で入り込める寸法とされ
ている。
台に吸着している基板を速やかに、且つ正確に離脱させ
る静電チャック装置及びその吸着離脱方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハなどの基板を静電吸着に
より保持する静電チャック装置において、この静電チャ
ック装置は前記基板を吸着保持する載置台を貫通するリ
フトピンと、このリフトピンによる前記基板の持ち上げ
に先だって前記基板周縁を持ち上げる補助リフト部材と
を備え、この補助リフト部材は前記載置台の外周面に沿
って昇降動すると共に、その上端部には内方に屈曲した
フランジ部が設けられ、このフランジ部の幅は前記基板
周縁の下側に１〜５ｍｍの範囲で入り込める寸法とされ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハなど
の基板（以下「基板」という。）を静電吸着により保持
する静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱
方法に関する。
の基板（以下「基板」という。）を静電吸着により保持
する静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来基板に対して成膜処理やエッチング
などの処理を行う場合には、載置台から基板への熱伝達
を確実に行うため等の理由から、基板を載置台へ押し付
けた状態で保持させる必要がある。この保持方法として
は、基板を真空吸引により保持する方法、基板周辺部を
クランプによって機械的に押さえる方法、及び基板の裏
面を静電吸着させる方法がある。
などの処理を行う場合には、載置台から基板への熱伝達
を確実に行うため等の理由から、基板を載置台へ押し付
けた状態で保持させる必要がある。この保持方法として
は、基板を真空吸引により保持する方法、基板周辺部を
クランプによって機械的に押さえる方法、及び基板の裏
面を静電吸着させる方法がある。
【０００３】基板を真空中で処理する場合には、真空チ
ャックを使用できないので機械的方法又は静電吸着法が
用いられるが、特に静電吸着法は、基板と載置台間の密
着性が高いため基板の反りを矯正でき、熱伝導性が良く
なり、基板の温度制御も容易になるという利点から、広
く採用されている。
ャックを使用できないので機械的方法又は静電吸着法が
用いられるが、特に静電吸着法は、基板と載置台間の密
着性が高いため基板の反りを矯正でき、熱伝導性が良く
なり、基板の温度制御も容易になるという利点から、広
く採用されている。
【０００４】静電吸着法を採用する静電チャック装置
は、基板を吸着保持する載置台と、基板を載置台に載置
したり離脱させたりするための昇降ピンとを備えてい
る。
は、基板を吸着保持する載置台と、基板を載置台に載置
したり離脱させたりするための昇降ピンとを備えてい
る。
【０００５】静電チャックは、載置台として強誘電体セ
ラミックスを使用しており、その内部に設けた金属電極
に電圧を印加し、基板と静電チャックの表面に正・負の
電荷を発生させ、この間に働くジャンセン・ラーベック
力によって半導体ウェーハなどの基板を固定するもの
で、単極型および双極型の２種類のタイプがあり、単極
型は静電チャック内部の電極と基板に電位差を与えて使
用し、双極型は静電チャックの内部における２つ以上の
電極に電位差を与えて使用する。
ラミックスを使用しており、その内部に設けた金属電極
に電圧を印加し、基板と静電チャックの表面に正・負の
電荷を発生させ、この間に働くジャンセン・ラーベック
力によって半導体ウェーハなどの基板を固定するもの
で、単極型および双極型の２種類のタイプがあり、単極
型は静電チャック内部の電極と基板に電位差を与えて使
用し、双極型は静電チャックの内部における２つ以上の
電極に電位差を与えて使用する。
【０００６】通常、この静電チャックで保持された基板
を載置台から離脱させるときに静電気は除去される。し
かし、除去しきれなかった静電気が少しづつ蓄積され残
留静電気となり、基板が昇降ピンで上昇する時に一部が
吸着されたままの状態になり基板が昇降ピンや搬送アー
ムから落下して破損するという問題が生じる。
を載置台から離脱させるときに静電気は除去される。し
かし、除去しきれなかった静電気が少しづつ蓄積され残
留静電気となり、基板が昇降ピンで上昇する時に一部が
吸着されたままの状態になり基板が昇降ピンや搬送アー
ムから落下して破損するという問題が生じる。
【０００７】上記の問題を解決するために、基板を載置
台から離脱させるときに、昇降ピンで少しだけ基板の一
部を上昇させ、静電気を逃がしてから基板全体を持ち上
げるという方法が用いられてきた。例えば、特開平１０
−１５００９９号公報には、ウェーハ等の被処理体を静
電チャックから離脱させて搬送工程に移る前に、被処理
体に対する残留吸着の強弱を把握する判断工程が設けら
れ、被処理体が静電チャックに残留吸着しているとして
も、被処理体が破壊されない程度の力を被処理体に対し
て静電チャックから離れる方向に加えることが開示され
ている。
台から離脱させるときに、昇降ピンで少しだけ基板の一
部を上昇させ、静電気を逃がしてから基板全体を持ち上
げるという方法が用いられてきた。例えば、特開平１０
−１５００９９号公報には、ウェーハ等の被処理体を静
電チャックから離脱させて搬送工程に移る前に、被処理
体に対する残留吸着の強弱を把握する判断工程が設けら
れ、被処理体が静電チャックに残留吸着しているとして
も、被処理体が破壊されない程度の力を被処理体に対し
て静電チャックから離れる方向に加えることが開示され
ている。
【０００８】また、特開平０６−２５２０６２号公報に
は、圧力の調節により離脱力と反対方向の引張力を離脱
手段に与え、つまり限界離脱力よりも小さな離脱力を離
脱手段に与え、被処理物の吸着力の減少を待たずに離脱
力を被処理物に加えることで、被処理物の離脱ミスを発
生させない方法が開示されている。
は、圧力の調節により離脱力と反対方向の引張力を離脱
手段に与え、つまり限界離脱力よりも小さな離脱力を離
脱手段に与え、被処理物の吸着力の減少を待たずに離脱
力を被処理物に加えることで、被処理物の離脱ミスを発
生させない方法が開示されている。
【０００９】更に、特開平０９−１４８４１９号公報に
は、リフトピンの外側に複数の離脱用ピンを設け、離脱
駆動機構により上記離脱用ピンを半導体基板の弾性変形
許容範囲内で突き上げてから、昇降ピンで半導体基板を
上昇させることが開示されている。
は、リフトピンの外側に複数の離脱用ピンを設け、離脱
駆動機構により上記離脱用ピンを半導体基板の弾性変形
許容範囲内で突き上げてから、昇降ピンで半導体基板を
上昇させることが開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体ウェーハなどの基板のサイズが２００ｍｍから３
００ｍｍへの大口径化するに伴い、半導体ウェーハなど
の基板自身も重くなり、吸着される面積も大きくなって
いる。そこで、リフトピンの強度が弱ければピンは曲が
ってしまい、基板が持ち上がらず、ピンの本数を増やす
と載置台の構造が複雑化し部品数も増える。
半導体ウェーハなどの基板のサイズが２００ｍｍから３
００ｍｍへの大口径化するに伴い、半導体ウェーハなど
の基板自身も重くなり、吸着される面積も大きくなって
いる。そこで、リフトピンの強度が弱ければピンは曲が
ってしまい、基板が持ち上がらず、ピンの本数を増やす
と載置台の構造が複雑化し部品数も増える。
【００１１】一方ピンの強度を増すためにピンそのもの
を太くすると、ピン孔も大きくなり基板と載置台の密着
性が悪くなり効率的に温度制御がしにくくなるという問
題点が生じる。また、基板の周辺部に複数の離脱ピンを
設置する場合でも、基板を均等に持ち上げるのは困難
で、その位置ずれや、搬送不良等の問題がやはり生じて
いた。
を太くすると、ピン孔も大きくなり基板と載置台の密着
性が悪くなり効率的に温度制御がしにくくなるという問
題点が生じる。また、基板の周辺部に複数の離脱ピンを
設置する場合でも、基板を均等に持ち上げるのは困難
で、その位置ずれや、搬送不良等の問題がやはり生じて
いた。
【００１２】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、リフトピンの構成は変えずに残留静電気で載
置台に吸着されている基板を速やかに、且つ正確に離脱
させる静電チャック装置及びその吸着離脱方法を提供す
ることを目的とする。
のであり、リフトピンの構成は変えずに残留静電気で載
置台に吸着されている基板を速やかに、且つ正確に離脱
させる静電チャック装置及びその吸着離脱方法を提供す
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明の静電チャック装置は、半導体ウェーハなどの基板
を静電吸着により保持する静電チャック装置において、
この静電チャック装置は前記基板を吸着保持する載置台
を貫通するリフトピンと、このリフトピンによる前記基
板の持ち上げに先だって前記基板周縁を持ち上げる補助
リフト部材とを備えた構成とした。前記補助リフト部材
の具体的な構造としては、例えば、前記載置台の外周面
に沿って昇降動すると共に、その上端部には内方に屈曲
したフランジ部が設けられ、このフランジ部の幅は前記
基板周縁の下側に少なくとも１〜５ｍｍの範囲で入り込
める寸法としたものが考えられる。
発明の静電チャック装置は、半導体ウェーハなどの基板
を静電吸着により保持する静電チャック装置において、
この静電チャック装置は前記基板を吸着保持する載置台
を貫通するリフトピンと、このリフトピンによる前記基
板の持ち上げに先だって前記基板周縁を持ち上げる補助
リフト部材とを備えた構成とした。前記補助リフト部材
の具体的な構造としては、例えば、前記載置台の外周面
に沿って昇降動すると共に、その上端部には内方に屈曲
したフランジ部が設けられ、このフランジ部の幅は前記
基板周縁の下側に少なくとも１〜５ｍｍの範囲で入り込
める寸法としたものが考えられる。
【００１４】補助リフト部材が載置台を囲むように設置
されることで、ピンと異なり、基板の周辺部を一度に持
ち上げているので、残留静電気の影響をほとんど受けず
に、基板を正確に離脱することができる。また、この補
助リフト部材はピンのように載置台の内部に設けていな
いので、載置台の複雑化を避けることができる。
されることで、ピンと異なり、基板の周辺部を一度に持
ち上げているので、残留静電気の影響をほとんど受けず
に、基板を正確に離脱することができる。また、この補
助リフト部材はピンのように載置台の内部に設けていな
いので、載置台の複雑化を避けることができる。
【００１５】また、前記補助リフト部材のフランジ部の
基板保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条
部がリング状に又は断続的に設けられていることで、基
板を離脱させるときに生じる位置ずれを確実に防止する
ことができる。
基板保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条
部がリング状に又は断続的に設けられていることで、基
板を離脱させるときに生じる位置ずれを確実に防止する
ことができる。
【００１６】また、前記フランジ部の基板保持面は、そ
の最下降位置で前記載置台の載置面と面一となる又は低
くなるように設定されていることで、補助リフト部材を
持ち上げない場合に、基板と載置台との密着性を向上さ
せることができる。
の最下降位置で前記載置台の載置面と面一となる又は低
くなるように設定されていることで、補助リフト部材を
持ち上げない場合に、基板と載置台との密着性を向上さ
せることができる。
【００１７】更に、前記補助リフト部材を持ち上げるた
めのシャフトを中空状とし、この中空状シャフト内に前
記リフトピンを昇降させるためのシャフトを設置するこ
とで、静電チャック装置のコンパクト化を図ることがで
きる。
めのシャフトを中空状とし、この中空状シャフト内に前
記リフトピンを昇降させるためのシャフトを設置するこ
とで、静電チャック装置のコンパクト化を図ることがで
きる。
【００１８】また本発明に係る上記の静電チャック装置
を用いた離脱方法は、前記補助リフト部材を持ち上げて
前記基板の周辺底部を持ち上げた後、前記リフトピンを
上昇させ前記基板全体を持ち上げて前記載置台から離脱
させる。
を用いた離脱方法は、前記補助リフト部材を持ち上げて
前記基板の周辺底部を持ち上げた後、前記リフトピンを
上昇させ前記基板全体を持ち上げて前記載置台から離脱
させる。
【００１９】即ち、補助リフト部材によって基板を持ち
上げた後に、リフトピンを上昇させて基板全体を静電チ
ャック装置から離脱させることで、残留静電気の影響を
ほとんど受けずに大口径の半導体ウェーハなどの基板で
も位置ずれを起こすことなく確実に離脱することができ
る。
上げた後に、リフトピンを上昇させて基板全体を静電チ
ャック装置から離脱させることで、残留静電気の影響を
ほとんど受けずに大口径の半導体ウェーハなどの基板で
も位置ずれを起こすことなく確実に離脱することができ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。図１は本発明に係る静電チャック装置の断面図で
ある。図中１は静電チャック装置のベースであり、ベー
ス１の両側にそれぞれ柱２及びシリンダー３が配置され
ている。柱２に支持される底壁４の外周部を囲むように
側壁５が設置され、その側壁５に窓５ａが設けられてい
る。この窓５ａは、半導体基板を出し入れのために開閉
できるようになっている。さらにチャンバーＣがその側
壁５の頂上部に被るように気密に設けられている。
する。図１は本発明に係る静電チャック装置の断面図で
ある。図中１は静電チャック装置のベースであり、ベー
ス１の両側にそれぞれ柱２及びシリンダー３が配置され
ている。柱２に支持される底壁４の外周部を囲むように
側壁５が設置され、その側壁５に窓５ａが設けられてい
る。この窓５ａは、半導体基板を出し入れのために開閉
できるようになっている。さらにチャンバーＣがその側
壁５の頂上部に被るように気密に設けられている。
【００２１】また、図１に示すように、底壁４の中央部
に開口部が開き、その開口部に中空状の支持筒６が設置
され、この支持筒６の上に支持ブロック７を設置し、さ
らにこの支持ブロック７の上に保持台８が設置されてい
る。この保持台８の上に半導体ウェーハやガラス基板な
どの基板９を静電吸着する誘電体材料からなる載置台１
０がボルト１１にて固定されている。さらに、底壁４と
保持台８との間はベローズ２４により気密性が保たれ、
この空間内に前記支持筒６が配置される。なお、支持筒
６、支持ブロック７、保持台８及び載置台１０はシリン
ダー３により昇降動する。
に開口部が開き、その開口部に中空状の支持筒６が設置
され、この支持筒６の上に支持ブロック７を設置し、さ
らにこの支持ブロック７の上に保持台８が設置されてい
る。この保持台８の上に半導体ウェーハやガラス基板な
どの基板９を静電吸着する誘電体材料からなる載置台１
０がボルト１１にて固定されている。さらに、底壁４と
保持台８との間はベローズ２４により気密性が保たれ、
この空間内に前記支持筒６が配置される。なお、支持筒
６、支持ブロック７、保持台８及び載置台１０はシリン
ダー３により昇降動する。
【００２２】また、基板９を持ち上げる補助リフト部材
１２が載置台１０の外周部を囲むように配置されてい
る。この補助リフト部材１２のフランジ部の基板保持面
１２ａ上に円環状の突条部１３が設けられている。な
お、この円環状の突条部１３は、リング状又は断続的に
設けることが可能である。本装置をプラズマ処理装置に
適用する場合、補助リフト部材１２の材質はプラズマの
影響を受けにくいセラミックスであることが好ましい。
１２が載置台１０の外周部を囲むように配置されてい
る。この補助リフト部材１２のフランジ部の基板保持面
１２ａ上に円環状の突条部１３が設けられている。な
お、この円環状の突条部１３は、リング状又は断続的に
設けることが可能である。本装置をプラズマ処理装置に
適用する場合、補助リフト部材１２の材質はプラズマの
影響を受けにくいセラミックスであることが好ましい。
【００２３】図２は本発明に係る静電チャック装置の離
脱機構概略図、図３はリフトピンの部分斜視図、図４は
図１に示す静電チャック装置の平面図である。図２及び
図３に示すように、載置台１０の中心部位に三つの貫通
孔が設けられ、これらの貫通孔を通して、３本のリフト
ピン１４が設置されている。また、これらのリフトピン
１４は、１つのシャフト１５を通じて昇降体１６に固定
され、この昇降体１６はシリンダー１７により駆動され
る。なお、シャフト１５はベローズ１８により気密性を
保たれた空間内に配置される。
脱機構概略図、図３はリフトピンの部分斜視図、図４は
図１に示す静電チャック装置の平面図である。図２及び
図３に示すように、載置台１０の中心部位に三つの貫通
孔が設けられ、これらの貫通孔を通して、３本のリフト
ピン１４が設置されている。また、これらのリフトピン
１４は、１つのシャフト１５を通じて昇降体１６に固定
され、この昇降体１６はシリンダー１７により駆動され
る。なお、シャフト１５はベローズ１８により気密性を
保たれた空間内に配置される。
【００２４】図４に示すように、載置台１０のうち誘電
体セラミックス１０ａは点線、アルミニウム台１０ｂは
２点鎖線で示す。また、図５に示すように、補助リフト
部材１２の基板９とオーバラップする幅は１〜５ｍｍ範
囲であり、好ましくは２〜３ｍｍとなるように基板を保
持するためのフランジ部を設ける。さらに、補助リフト
部材１２の基板保持面１２ａは載置台１０の載置面と面
一となるか、又はその載置面より０．１〜０．２ｍｍほ
ど低く設けられている。また、誘電体セラミックス１０
ａは薄くすることが好ましいが、電極を埋め込む必要性
から約３ｍｍの厚さとなる。
体セラミックス１０ａは点線、アルミニウム台１０ｂは
２点鎖線で示す。また、図５に示すように、補助リフト
部材１２の基板９とオーバラップする幅は１〜５ｍｍ範
囲であり、好ましくは２〜３ｍｍとなるように基板を保
持するためのフランジ部を設ける。さらに、補助リフト
部材１２の基板保持面１２ａは載置台１０の載置面と面
一となるか、又はその載置面より０．１〜０．２ｍｍほ
ど低く設けられている。また、誘電体セラミックス１０
ａは薄くすることが好ましいが、電極を埋め込む必要性
から約３ｍｍの厚さとなる。
【００２５】更に、補助リフト部材１２を持ち上げる爪
の部分斜視図である図６において、補助リフト部材１２
を持ち上げるのに、３本の持ち上げ爪１９が用いられ
る。これら持ち上げ爪１９は１つの中空状シャフト２０
に繋がっている。中空状シャフト２０は支持ブロック７
を貫通し、支持筒６の中を通って、ベローズ２１により
気密性を保持された昇降体２２に固定され、この昇降体
２２はシリンダー２３により駆動される。なお、昇降体
２２はシリンダー１７とシリンダー２３と一体に連結さ
れているので、昇降体１６は昇降体２２の上昇とともに
上昇する。
の部分斜視図である図６において、補助リフト部材１２
を持ち上げるのに、３本の持ち上げ爪１９が用いられ
る。これら持ち上げ爪１９は１つの中空状シャフト２０
に繋がっている。中空状シャフト２０は支持ブロック７
を貫通し、支持筒６の中を通って、ベローズ２１により
気密性を保持された昇降体２２に固定され、この昇降体
２２はシリンダー２３により駆動される。なお、昇降体
２２はシリンダー１７とシリンダー２３と一体に連結さ
れているので、昇降体１６は昇降体２２の上昇とともに
上昇する。
【００２６】以下に補助リフト部材１２とリフトピン１
４との動作について説明する。まず、図７に示すよう
に、シリンダー３を適宜に下降させる。すると、昇降体
２７が支持筒６と一体化しているので、ベローズ２４が
縮まって載置台１０が連動されて窓２５と一致する高さ
まで下降する。そして、カセットから取り出された半導
体ウェーハなどの基板９はハンドラーによって載置台１
０の真上に位置する。その後、リフトピン１４が上昇し
てきて基板９を保持すると、ハンドラーは元の位置に後
退する。最後に、リフトピン１４は下降し、基板９は載
置台１０上に載置される。
４との動作について説明する。まず、図７に示すよう
に、シリンダー３を適宜に下降させる。すると、昇降体
２７が支持筒６と一体化しているので、ベローズ２４が
縮まって載置台１０が連動されて窓２５と一致する高さ
まで下降する。そして、カセットから取り出された半導
体ウェーハなどの基板９はハンドラーによって載置台１
０の真上に位置する。その後、リフトピン１４が上昇し
てきて基板９を保持すると、ハンドラーは元の位置に後
退する。最後に、リフトピン１４は下降し、基板９は載
置台１０上に載置される。
【００２７】図８（ａ）に示すように、基板９が静電気
により吸着され、図示しない基板を覆うチャンバーＣ内
でプラズマ処理がなされ、処理終了後、基板９と載置台
１０の間にある残留静電気の影響を受けずに基板９を載
置台１０から離脱させるために、図８（ｂ）に示すよう
に、昇降体２２をシリンダー２３により昇降させると、
中空状シャフト２０及びリング持ち上げ爪１９を通っ
て、補助リフト部材１２が上昇して基板９の周辺部（外
周縁から中心に向って１〜５ｍｍ以内、好ましくは２〜
３ｍｍ）を４〜６ｍｍ程度上昇させる。
により吸着され、図示しない基板を覆うチャンバーＣ内
でプラズマ処理がなされ、処理終了後、基板９と載置台
１０の間にある残留静電気の影響を受けずに基板９を載
置台１０から離脱させるために、図８（ｂ）に示すよう
に、昇降体２２をシリンダー２３により昇降させると、
中空状シャフト２０及びリング持ち上げ爪１９を通っ
て、補助リフト部材１２が上昇して基板９の周辺部（外
周縁から中心に向って１〜５ｍｍ以内、好ましくは２〜
３ｍｍ）を４〜６ｍｍ程度上昇させる。
【００２８】同時に、昇降体２２がシリンダー２３とシ
リンダー１７とを繋がっているので、昇降体２２の上昇
とともに、昇降体１６も上昇し、その結果、リフトピン
１４も補助リフト部材１２と同じ位、４〜６ｍｍ程度上
昇する。
リンダー１７とを繋がっているので、昇降体２２の上昇
とともに、昇降体１６も上昇し、その結果、リフトピン
１４も補助リフト部材１２と同じ位、４〜６ｍｍ程度上
昇する。
【００２９】ここで、補助リフト部材１２は、載置台１
０の周囲に設けられているので、載置台１０は装置構成
が複雑化せずに済み、さらに補助リフト部材１２が基板
９の周辺部を持ち上げるので、基板９が大口径化しても
リフトピン１４にかかる負担は大きくならない。また、
補助リフト部材１２の保持面１２ａには基板９がずれた
り、落下したりするのを防止するための突条部１３が設
けられている。この突条部１３の形状は、基板９と同心
円状であり、基板９の周囲を一周するようにリング状な
どの形状でもよいし、切欠部を設けて断続的にしてもよ
い。
０の周囲に設けられているので、載置台１０は装置構成
が複雑化せずに済み、さらに補助リフト部材１２が基板
９の周辺部を持ち上げるので、基板９が大口径化しても
リフトピン１４にかかる負担は大きくならない。また、
補助リフト部材１２の保持面１２ａには基板９がずれた
り、落下したりするのを防止するための突条部１３が設
けられている。この突条部１３の形状は、基板９と同心
円状であり、基板９の周囲を一周するようにリング状な
どの形状でもよいし、切欠部を設けて断続的にしてもよ
い。
【００３０】このように、基板９の周辺部を持ち上げる
ことで、残留静電気の影響をあまり気にせずに基板９を
載置台１０から離脱させることができ、図８（ｃ）に示
すように、次にリフトピン１４を上昇させることで、基
板９は速やかに載置台１０から離れる。この後、補助リ
フト部材１２は基板を受け取りにきたハンドラーと接触
するのを防止するために、速やかに下降し載置台１０と
面一か若干低めの位置で待機する。なお、リフトピン１
４で上昇させた基板９は再びハンドラーに載置され、次
の工程に進むか或いはカセットに戻される。図９は補助
リフト部材１２で半導体基板９の周辺部を持ち上げた時
の部分断面図である。
ことで、残留静電気の影響をあまり気にせずに基板９を
載置台１０から離脱させることができ、図８（ｃ）に示
すように、次にリフトピン１４を上昇させることで、基
板９は速やかに載置台１０から離れる。この後、補助リ
フト部材１２は基板を受け取りにきたハンドラーと接触
するのを防止するために、速やかに下降し載置台１０と
面一か若干低めの位置で待機する。なお、リフトピン１
４で上昇させた基板９は再びハンドラーに載置され、次
の工程に進むか或いはカセットに戻される。図９は補助
リフト部材１２で半導体基板９の周辺部を持ち上げた時
の部分断面図である。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、補助リフト部材が載置台を囲むように設置されるこ
とで、ピンと異なり、基板の周辺部を一度に持ち上げて
いるので、残留静電気の影響を受けずに、基板を正確に
離脱することができる。また、この補助リフト部材がピ
ンのように載置台の内部に設けていないので、載置台の
複雑化を避けることができる。
ば、補助リフト部材が載置台を囲むように設置されるこ
とで、ピンと異なり、基板の周辺部を一度に持ち上げて
いるので、残留静電気の影響を受けずに、基板を正確に
離脱することができる。また、この補助リフト部材がピ
ンのように載置台の内部に設けていないので、載置台の
複雑化を避けることができる。
【００３２】また、前記補助リフト部材のフランジ部の
基板保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条
部がリング状に又は断続的に設けられていることで、基
板を離脱させるときに生じる位置ずれを確実に防止する
ことができる。
基板保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条
部がリング状に又は断続的に設けられていることで、基
板を離脱させるときに生じる位置ずれを確実に防止する
ことができる。
【００３３】また、前記フランジ部の保持面は、その最
下降位置で前記載置台の載置面と面一となる又は低くな
るように設定されていることで、補助リフト部材を持ち
上げない場合に、基板と載置台との密着性を向上させる
ことができる。
下降位置で前記載置台の載置面と面一となる又は低くな
るように設定されていることで、補助リフト部材を持ち
上げない場合に、基板と載置台との密着性を向上させる
ことができる。
【００３４】また、前記補助リフト部材を持ち上げるた
めのシャフトを中空状とし、この中空状シャフト内に前
記リフトピンを昇降させるためのシャフトを設置するこ
とで、静電チャック装置のコンパクト化を図ることがで
きる。
めのシャフトを中空状とし、この中空状シャフト内に前
記リフトピンを昇降させるためのシャフトを設置するこ
とで、静電チャック装置のコンパクト化を図ることがで
きる。
【００３５】更に、補助リフト部材によって半導体ウェ
ーハなどの基板を持ち上げた後に、リフトピンを上昇さ
せて基板全体を静電チャック装置から離脱させること
で、残留静電気の影響をほとんど受けずに大口径の基板
でも位置ずれを起こすことなく確実に離脱することがで
きる。即ち、静電チャック装置の離脱機構と搬送用のリ
フトピンを別々に設け、離脱機構を補助リフト部材とし
たことで、基板の大口径化にも十分に対応でき、基板と
載置台の間に帯電している残留静電気の影響を受けずに
且つ基板を破損させずに速やかに静電チャック装置から
基板を離脱・搬送することができる。
ーハなどの基板を持ち上げた後に、リフトピンを上昇さ
せて基板全体を静電チャック装置から離脱させること
で、残留静電気の影響をほとんど受けずに大口径の基板
でも位置ずれを起こすことなく確実に離脱することがで
きる。即ち、静電チャック装置の離脱機構と搬送用のリ
フトピンを別々に設け、離脱機構を補助リフト部材とし
たことで、基板の大口径化にも十分に対応でき、基板と
載置台の間に帯電している残留静電気の影響を受けずに
且つ基板を破損させずに速やかに静電チャック装置から
基板を離脱・搬送することができる。
【図１】本発明に係る静電チャック装置の断面図
【図２】本発明に係る静電チャック装置の離脱機構概略
図
図
【図３】リフトピンの部分斜視図
【図４】図１に示す静電チャック装置の平面図
【図５】図１に示す補助リフト部材の一部拡大図
【図６】補助リフト部材持ち上げ爪の部分斜視図
【図７】基板を出し入れする時の断面図
【図８】基板を持ち上げる動作を示す説明図
【図９】補助リフト部材で半導体基板の周辺部を持ち上
げた時の部分断面図
げた時の部分断面図
１…ベース、 ２…柱、 ３、１７、２３…シリンダ
ー、 ４…底壁、 ５…側壁、 ５ａ…窓、 ６…支持
筒、 ７…支持ブロック、 ８…保持台、 ９…基板、
１０…載置台、 １０ａ…誘電体セラミックス、 １
０ｂ…アルミニウム台、 １２…補助リフト部材、 １
３…突条部、 １４…リフトピン、 １５、２０…シャ
フト、 １６、２２、２７…昇降体、 １８、２１、２
４…ベローズ、 １９…持ち上げ爪、 Ｃ…チャンバ
ー。
ー、 ４…底壁、 ５…側壁、 ５ａ…窓、 ６…支持
筒、 ７…支持ブロック、 ８…保持台、 ９…基板、
１０…載置台、 １０ａ…誘電体セラミックス、 １
０ｂ…アルミニウム台、 １２…補助リフト部材、 １
３…突条部、 １４…リフトピン、 １５、２０…シャ
フト、 １６、２２、２７…昇降体、 １８、２１、２
４…ベローズ、 １９…持ち上げ爪、 Ｃ…チャンバ
ー。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 HA02 HA07 HA16
HA32 HA33 HA58 LA15 MA28
MA32 NA05 PA18
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウェーハなどの基板を静電吸着に
より保持する静電チャック装置において、この静電チャ
ック装置は前記基板を吸着保持する載置台を貫通するリ
フトピンと、このリフトピンによる前記基板の持ち上げ
に先だって前記基板周縁を持ち上げる補助リフト部材と
を備えることを特徴とする静電チャック装置。 - 【請求項２】 前記補助リフト部材は前記載置台の外周
面に沿って昇降動すると共に、その上端部には内方に屈
曲したフランジ部が設けられ、このフランジ部の幅は少
なくとも前記基板周縁の下側に１〜５ｍｍの範囲で入り
込める寸法とされていることを特徴とする請求項１に記
載の静電チャック装置。 - 【請求項３】 前記補助リフト部材のフランジ部の基板
保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条部が
リング状に設けられていることを特徴とする請求項１又
は２に記載の静電チャック装置。 - 【請求項４】 前記補助リフト部材のフランジ部の基板
保持面上には、前記基板の外周部を囲むように突条部が
断続的に設けられていることを特徴とする請求項１又は
２に記載の静電チャック装置。 - 【請求項５】 前記フランジ部の基板保持面は、その最
下降位置で前記載置台の載置面と面一となるか、低くな
るように設定されていることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか１項に記載の静電チャック装置。 - 【請求項６】 前記補助リフト部材を持ち上げるための
シャフトが中空状をなし、この中空状シャフト内に前記
リフトピンを昇降させるためのシャフトが設置されてい
ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記
載の静電チャック装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
静電チャック装置を用いた離脱方法であって、前記補助
リフト部材を持ち上げて前記基板の周辺底部を持ち上げ
た後、前記リフトピンを上昇させ前記基板全体を持ち上
げて前記載置台から離脱させることを特徴とする静電チ
ャック装置からの離脱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049031A JP3910081B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049031A JP3910081B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249543A true JP2003249543A (ja) | 2003-09-05 |
| JP3910081B2 JP3910081B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=28661651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002049031A Expired - Fee Related JP3910081B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3910081B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103839859A (zh) * | 2012-11-20 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 升降装置及具有其的半导体设备 |
| JP2015092632A (ja) * | 2008-04-07 | 2015-05-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 強誘電体基板を使用した転写方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305168A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-11-21 | Anelva Corp | 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法 |
| JPH08274150A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 静電吸着ステージ |
| JPH09148419A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | 静電チャック |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049031A patent/JP3910081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305168A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-11-21 | Anelva Corp | 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法 |
| JPH08274150A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 静電吸着ステージ |
| JPH09148419A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | 静電チャック |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015092632A (ja) * | 2008-04-07 | 2015-05-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 強誘電体基板を使用した転写方法 |
| CN103839859A (zh) * | 2012-11-20 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 升降装置及具有其的半导体设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3910081B2 (ja) | 2007-04-25 |
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