JPH07305168A

JPH07305168A - 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法

Info

Publication number: JPH07305168A
Application number: JP5931995A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Shirai; 泰幸白井; Tomoaki Osada; 智明長田
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1994-03-18
Filing date: 1995-03-17
Publication date: 1995-11-21
Anticipated expiration: 2020-01-05
Also published as: JP3608121B2

Abstract

(57)【要約】【目的】基板を台から完全に脱離でき、かつ基板を水
平に修正する機械的脱離機構を提供することを目的とし
ている。【構成】昇降可能の円形台３に対して、基板１の下面
中央部と対向するピン２を設けると共に、下面外縁と対
向するリング９を設ける。支柱６を降下させると、ピン
２が円形台３の上面から突出し、次いでリング９が基板
１の下面外縁に作用して円形台３から離すように構成し
てある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ベースに保持された
基板を機械的に脱離する機構に関する。より詳細には、
この発明は、残留電荷によって電極にクランプされたま
まの基板を機械的に脱離する機構に関する。さらに、こ
の発明は、基板機械的脱離機構を用いた脱離方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、プラズマ処理装置、例えばドライ
エッチング装置において処理される基板、例えば半導体
ウエハを電極に保持するために、図９に示したような静
電チャック（または静電クランプ）が知られている。

【０００３】図９において、１０１が円盤状の基板、１
０２が基板１０１の中央部に対向させた基板上下用ピ
ン、１０３が台、１０４が電極、１０５が処理室、１０
６が電極１０４を上下方向に昇降させるための支柱、１
０７がフレームである。また、１２５は電極１０４の上
面周縁部のカバーである。

【０００４】台１０３は、誘電体製あるいは誘電体の薄
膜をコーディングした金属製台である。従って誘電体に
蓄積した静電気による静電吸着力を利用して基板１０１
を電極１０４にクランプさせる。もし、基板１０１の裏
側に誘電体膜、例えばＳｉＯ₂膜が形成されているなら
ば、台１０３は金属製であっても静電吸着力によって基
板１０１を電極１０４にクランプできる。

【０００５】支柱１０６を介して電極１０４を降下させ
ていくと、ピン１０２に連結した軸１０６ａの下端にあ
るストッパ１０８がフレーム１０７に当る。さらに電極
１０４を降下させると、ピン１０２が台１０３の保持面
（図中上面）より突出するので、ピン１０２の突き上げ
によって基板１０１を台１０３から脱離させることがで
きる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記の従来の基板脱離
機構においては、台１０３に残留した静電気のために、
ピン１０２で基板１０１を少し持ち上げると、基板１０
１でピン１０２があたる部分は台１０３から少し離れ
る。しかし、ピン１０２の当たっていない部分、とくに
基板１０１のへりはいまだに台１０３にくっついてい
る。さらに、基板１０１を持ち上げると、図１０に示し
たように基板１０１のへりの一部が台１０３にくっつい
たままで、基板１０１が上がる。いわゆる基板１０１が
片上りする。基板１０１を処理室１０５から取り出すた
めに、ピン１０２の突き上げを止めると基板１０１は斜
めに傾いたままとなる。基板１０１が斜めに傾いた状態
で、搬送ロボットのハンド３０が基板１０１と台１０３
の間に入って、基板１０１をハンド３０に乗せようとす
ると、４つのつめ３１、３１に沿って基板１０１が収ま
らない（点線で記した位置）。このようなアクシデント
によって基板１０１の受け渡しに支障が生じるという問
題点があった。もし、基板１０１の受け渡しの際に、基
板１０１が水平の体勢ならば、このようなアクシデント
は生じないであろう。

【０００７】この発明は、前記の如くの問題点に鑑みて
なされたもので、基板１０１を台１０３から完全に離脱
しかつ水平の体勢に修正できるようにした基板の機械的
脱離機構及びその機構を用いた脱離方法を提供すること
を目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成したこ
の発明は、ベースと、基板を保持するためにそのベース
上に配置された基板より小さい台と、その台から突き出
てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの
裏面と対向し昇降するリングとからなる基板の脱離機構
において、基板のへりと対向するリングの部分の厚み
は、台の厚みより薄くしてあり、さらに、ピンが基板を
持ち上げた後にリングが基板のへりを持ち上げるための
駆動手段を有している基板の機械的脱離機構である。

【０００９】駆動手段は、ベースを昇降させるかまた
は、ピンとリングを一緒に昇降させる。ベースを昇降さ
せる駆動手段は、ベースを支える支柱につながったナッ
トと、そのナットと螺合しているネジと、そのネジを回
転させるモータと、フレームに当たってピンを持ち上げ
るためのストッパと、さらにリングを持ち上げるために
ベースの周囲に固定されたストッパを有する。ピンとリ
ングを一緒に昇降させる駆動手段は、ピンを持ち上げる
ためのストッパと、リングを持ち上げるためのストッパ
と、それらのストッパを持ち上げるプレートと、そのプ
レートのつながっているナットと、そのナットに螺合し
ているネジと、さらに、そのネジを回転させるモータを
有する。

【００１０】また、別に前記の目的を達成したこの発明
は、ベースと、基板を保持するためにそのベース上に配
置された基板より小さい台と、その台から突き出てくる
ピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの裏面と
対向し昇降するリングと、ここにおいて、基板のへりと
対向するリングの部分の厚みは、台の厚みより薄くして
あり、ピンを持ち上げるための駆動手段と、さらに、リ
ングを持ち上げるための駆動手段を有する基板の機械的
脱離機構である。

【００１１】ピンの駆動手段は、ピンを持ち上げるため
のストッパと、そのストッパを持ち上げる円形プレート
と、そのプレートのつながっているナットと、そのナッ
トに結合しているネジと、さらに、そのネジを回転させ
るモータを有する。リングの駆動手段は、リングを持ち
上げるためのストッパと、そのストッパを持ち上げる馬
蹄形プレートと、そのプレートのつながっているナット
と、そのナットに結合しているネジと、さらに、そのネ
ジを回転させるモータを有する。

【００１２】プラズマ処理用の基板の機械的脱離機構の
ベースは、電極である。さらに、静電吸着で基板を保持
する機構を備えた機械的脱離機構の台は、誘電体製また
は誘電体の薄膜をコーディングした金属製台である。

【００１３】この機械的脱離機構のピンは、基板の中央
部を突き上げられるような位置にベース内に配置されて
いる。

【００１４】さらに、前記の目的を達成したこの発明
は、ベースの台に保持された基板をピンで突き上げて、
基板を斜めに傾かせ、そして、ピンで基板を持ち上げな
がらリングで基板のへりを持ち上げていく脱離方法であ
る。

【００１５】また、さらに、前記の目的を達成したこの
発明は、ベースの台に保持された基板をピンで突き上げ
て、基板を斜めに傾かせ、そして、ピンを固定しながら
リングで基板のへりを持ち上げていく脱離方法である。

【００１６】この脱離方法では基板をピンで約１mm突き
上げるようにしてある。

【００１７】

【作用】この発明の機械的脱離機構によれば、基板が置
かれた台のかどにくっついている基板のへりを離するた
めの力を、基板のへりに与えることができる。図１１
は、ピン２で静電吸着された基板１を持ち上げて、基板
１が斜めに傾いた後に、上に持ち上げられているリング
９が基板１のへりに接触した状態を示す。この状態のも
とで、基板１に作用している力は、リング９の環状段部
９ａと接触しているａ点では、リング９が基板１のへり
を上に持ち上げる力Ｆ１、台３のかどと接触しているｂ
点では、台３に残留する静電気による静電吸着力Ｆ２、
ピン２と接触しているｃ点では、ピン２が基板１を上に
持ち上げる力Ｆ３、さらに、基板１の重心ｄで基板１の
重さＷがある。これらの力が、基板１の脱離を通じて、
どのように基板１に作用するかということを、図１２を
用いて説明する。

【００１８】図１２中（１）の段階では、ｃ点でＦ３に
よって基板１を持ち上げているが、ｂ点でＦ２の作用に
よって基板１は斜めに傾いている。ただし、この段階で
は、環状段部９ａが基板１のへりと接触していないため
（図１１）、ａ点でＦ１は、まだ、作用していない。こ
の段階で注目すべきことは、基板全体に作用していた静
電吸着力が、ｂ点のみにしか作用していないことであ
る。ｂ点のみに作用している静電吸着力Ｆ２を基板１か
ら取り除くことによって、基板１の脱離が達成される。

【００１９】（２）の段階では、環状段部９ａが基板１
のへりと接触して、ａ点でＦ１が作用する。ここで、こ
の発明にとって、基板１にＦ３が作用した後にａ点でＦ
１が作用することが重要である。いいかえれば、基板１
の脱離には、ピン２で基板１を持ち上げた後にリング９
で基板１のへりを持ち上げることが重要である。なぜな
ら、図１２に示すように、基板全体に均一に静電吸着が
作用している状態で、短時間に、ピン２とリング９が同
時に基板１を持ち上げると、基板１は飛び跳ねてしまう
からである。飛び跳ねた基板１が落下して、台３に衝突
して、基板１が割れてしまうことがある。また、（１）
の段階で、基板１が斜めに傾かせるために、台３の厚み
を環状段部９ａの厚みよりも薄くすることが必要であ
る。台３の厚みと環状段部９ａの厚みが同じだと、リン
グ９で基板１のへりを持ち上げなくとも、ピン２で基板
１を持ち上げると同じように基板１は飛び跳ねてしま
う。図１４に示すように、ピン２で基板１を持ち上げる
と同時に、基板１のへりが環状段部９ａに当たるため、
見かけ上、基板１のへりを環状段部９ａで持ち上げるよ
うになるからである。したがって、基板１の飛びはねを
防止するために、環状段差の厚みは、台３の厚みよりも
薄くしなければならない。

【００２０】（３）の段階で、ｂ点で基板１にかかる静
電吸着力Ｆ２に抗して、Ｆ１とＦ３を基板１に作用させ
ながら、基板１を持ち上げていく（矢示３５の方向）。
基板１を持ち上げていく間は、リング９（Ｆ１）とピン
２（Ｆ２）が同時に持ち上げ、さらにリング９（Ｆ１）
の持ち上げる速度とピン２（Ｆ２）の持ち上げる速度が
同じであるため、基板１は斜めに傾いたまま持ち上がっ
てくる。基板１のへりが台３のかど、すなわちｂ点を離
れた瞬間、基板１に作用していた静電吸着力Ｆ２は消滅
する。

【００２１】（４）の段階で、基板１の重心ｄ点に作用
していた基板１の重さＷによって、斜めに傾いていた基
板１は、自然に、矢示３６の方向に動く。この動きによ
って、基板１はすべてのピン２上に乗るため、基板１は
水平となる。基板１が水平になるとき、リング９から基
板１のへりが離れるため、基板１にＦ１は作用しない。

【００２２】（３）の段階で別な方法にしたがって、基
板を台３から離脱させ、さらに、水平にすることができ
る。すなわち、ピン２の持ち上げを停止して、リング９
のみで基板１のへりを持ち上げていく方法である。この
方法によれば、ｃ点が支点、ａ点が力点、そして、ｂ点
が作用点としてはたらく、てこの原理によって、斜めに
傾いた基板１は、矢示３６の方向に動き、そして、基板
１はすべてのピンに乗って水平となる。

【００２３】

【実施例】以下、この発明を静電チャックで電極に保持
された基板を離脱させる実施例を図を参照して説明す
る。図１が好適な第一実施例の機械的脱離機構を示した
断面図である。この機械的脱離機構は、日電アネルバ社
製マルチチャンバドライエッチングシステム「ＡＮＥＬ
ＶＡ−４１００」の平行平板形エッチング処理用チャン
バ５に組み込まれている。チャンバ５には、図示してい
ないエッチングガスをチャンバ５に導入するための管と
チャンバ５内を真空にするための真空ポンプの他に、半
導体ウエハ１を設置する電極４とそれに対向する電極４
０が供えつけられている。半導体ウエハ１を乗せる誘電
体製の円形台３が円形の電極４の上に配置されている。
円形台３は半導体ウエハ１よりも小さいので、半導体ウ
エハ１のへりが円形台３から飛び出している。円形台３
の周囲にはリング９が配置してある。リング９は、内側
に環状段部９ａが形成されている。その環状段部９ａの
一部は、円形台３から飛び出した半導体ウエハ１のへり
の裏面と対向している。リング９の外側に環状鍔９ｂが
形成されている。図２に示すように、その環状鍔９ｂの
裏面と電極４の外側に設けたストッパ１０のヘッドの一
部が対向する。４本のストッパ１０は、電極４の外側に
等間隔で配置されている。電極４には、プラズマを発生
するためのｒｆ電源４１と、可変直流電源４２とｒｆ電
源をカットするためのフィルタ４４で成り立つ静電吸着
用電源４５がつながっている。

【００２４】円形台３の中央部に等間隔で４つの孔３ａ
が形成されている。この孔３ａを通してピン２が電極４
から突出または没入する。ピン２で半導体ウエハを持ち
上げるためには、少なくとも３本のピンが必要である。
しかし、本実施例では、４本のピン２で基板１を持ち上
げる。４本のピン２は、孔３ａに合わせて円形の支持プ
レート１２上に立っている。支持プレート１２の下側に
接続された軸６ａは軸受１１ａ、１１ｂによって、上下
方向に摺動できるよう保持されている。軸６ａの下端に
は、シリンダ１４内のピストン３３と接続している。加
圧流体（油または空気）をシリンダ１４内に流出入させ
ることで、軸６ａを、後述する支柱６の上下の動きとは
別に、独自に上下に動かすことができる。シリンダ１４
の下端にはストッパ８が配置されている。ストッパ８
が、フレーム７に突き当たることで、軸６ａが下がるの
を止める。

【００２５】電極４の下側に支柱６が設けられている。
支柱６はチャンバ５の外側に突きで出いる。チャンバ５
の壁面と支柱６が接触する部分では、グリース４６を介
して２つのＯリング４３、４３が備え付けられているた
め、チャンバ５内を気密に保てると共に、支柱６は摺動
することができる。電極４の下側に設けた支柱６の側壁
には腕１５が設けられている。腕１５の先端にはナット
１６が設けられている。ナット１６は、フレーム７内に
設置したネジ１７と螺合している。ネジ１７をモータ１
８で回転することによって、支柱６が矢示１９のように
昇降し、同時に電極４も支柱６と同方向に昇降する。

【００２６】半導体ウエハ１を円形台３にクランプする
場合、ピン２の先端が円形台３の上面（クランプ面）を
出ないよう電極４の中央凹所４ａ内に没入させるてお
く。半導体ウエハ１をクランプしている状態では、スト
ッパ８はフレーム７に当たっていない。それとともに、
シリンダー１４内のピストン３３は、もっとも下側に移
動している。さらに、リング９の環状鍔９ｂの下面もス
トッパ１０に当たっていない（図１）。

【００２７】次に半導体ウエハ１の脱離の際の支柱６、
ピン２とリング９の動作を説明する。

【００２８】（１）最初にモータ１８を駆動させること
によって支柱６を降下させる。支柱６を降下させると、
ストッパ８がフレーム７に当たり、支柱６と同時に降下
していた軸６ａの降下が停止する。さらに支柱６を降下
させると、相対的に軸６ａが上昇する。軸６ａの相対的
な上昇によって、ピン２は孔３ａを通して円形台３の上
面に突出する。ピン２の先端の面と円形台３の上面が面
一の時、環状鍔９ｂとストッパ１０との距離は約１mmで
ある。とくに、環状鍔９ｂとストッパ１０との距離は１
mmに限定されない。しかし、この距離が０．５〜１０mm
の範囲であっても、半導体半導体ウエハ１を水平の体勢
で完全に台３から離脱することができる。

【００２９】（２）つぎに、さらに、支柱６を降下させ
ると環状鍔９ｂとストッパ１０が接触する。このとき、
ピン２は円形台３の上面より約１mm突出している。この
時、円形台３に残留する静電気により半導体ウエハ１の
へりの一部が円形台３のかどにくっついたままとなって
いる。半導体ウエハ１は、図３に示すように斜めに傾い
た体勢となっている。

【００３０】（３）また、さらに支柱６を降下させる
と、ピン２が１mmを越えて突出する。それとともに、図
３に示すように、ストッパ１０に当たったリング９が浮
き上がってくる。浮き上がってくるリング９の環状段部
９ａが、円形台３のがとにくっついていた半導体ウエハ
１のへりにぶつかる。さらに、リング９が浮き上がって
くると、円形台３のかどから半導体ウエハ１を引き離
し、持ち上げ、そして、半導体ウエハ１をすべてのピン
２に乗せる。半導体ウエハ１は図４に示したように円形
台３から完全に脱離し、水平の状態で保持される。

【００３１】（４）続いて、図５に示すように、シリン
ダー１４に加圧流体を矢印３４の方向から供給して、軸
６ａを矢示２０の方向に持ち上げる。軸６ａが持ち上げ
られると、ピン２が浮き上がっているリング９を越えて
突き出して、半導体ウエハ１はリング９の上に持ち上げ
られる。半導体ウエハ１とリング９の間に搬送ロボット
のハンド３０が入り、半導体ウエハ１を４つのつめ３１
の沿って収める。

【００３２】残留電荷以外の原因でも、例えば振動でピ
ン２で持ち上げられた半導体ウエハ１がピン２から滑り
落ちたり、または、振動で台３からずれた半導体ウエハ
１が持ち上げられると半導体ウエハ１が斜めに傾くこと
がある。このようなトラブルでも、上記の方法で斜めに
傾いたウエハ１を水平の体勢に戻すことができる。

【００３３】リング９は、金属製または絶縁材製でもよ
い。半導体ウエハ１に接する部分とストッパ１０に接触
する部分の材質を異なるようにするために、図６（ａ）
に示したように、内周リング２１ａと外周リング２１ｂ
の別々の部材としてもよい。また、ピン２は、図６
（ｂ）および（ｃ）に示したように、先端に円形プレー
ト２２を設けることもできる。

【００３４】また、環状段部９ａは、必ずしも環状であ
る必要はない。リング９の内側に少なくとも３個の突片
を等間隔で設けるようにしてもよい。環状段部９ａで半
導体ウエハ１と接触する表面に凹凸を形成して、半導体
ウエハ１との接触面積を可及的に小さくしてもよい。

【００３５】環状鍔９ｂは、必ずしも環状である必要は
ない。例えば、図７に示すようにリング９に４個（少な
くとも３個）の突片を外側に形成してもよい。この場
合、これらの各突片と対向させてストッパ１０を設け
る。ストッパ１０は、上記実施例ではチャンバー５の底
壁に立てたが、チャンバー５の側壁に設けてもよい。ま
た、ストッパ１０は図６に示したように、円筒２３であ
ってもよい。

【００３６】第一実施例では、電極４を降下させて、相
対的にピン２およびリング９を上昇させていた。しか
し、電極４を固定して、ピン２およびリング９を上昇さ
せることもできる。

【００３７】図７は、円形台３側をチャンバ５内に固定
し、ピン２およびリング９が昇降できるようにした好適
な第二実施例である。

【００３８】ナット１６につながったプレート２６が、
ストッパ８と、ストッパ１０に接続した昇降軸２４の下
端に設けてある。ストッパ８、ストッパ１０、プレート
２６、ナット１６、ネジ１７およびモータ１８で構成さ
れる駆動機構でピン２とリング９が昇降する。

【００３９】モータ１８を駆動してプレート２６を上昇
させると、最初にストッパ８に当たり、ストッパ８を持
ち上げる。ストッパ８が持ち上がることで、ピン２が円
形台３より突出する。その途中で、プレート２６は、昇
降軸２４に当たり、昇降軸２４を持ち上げている。ピン
２が円形台３より約１mm突出した時点で、持ち上げられ
ている昇降軸２４につながっているストッパ１０がリン
グ９の環状鍔９ｂに当たる。さらに、プレート２６が上
昇すると、ピン２が突き当るとともに、リング９が浮き
上がる。引き続きプレート２６の上昇を続行すると、リ
ング９の環状段部９ａが傾いた半導体ウエハ１のへりに
当たり、そのへりを持ち上げ、そして半導体ウエハ１を
すべてのピン２に乗せる。このようにして、斜めに傾い
た半導体ウエハ１を水平の状態とすることができる。半
導体ウエハ１が水平になった後、第一実施例の（４）と
同様に、シリンダー１４に加圧流体を供給して、半導体
ウエハ１をリング９の上に持ち上げる。昇降軸２４のう
ちでチャンバ５の内側に円形ストッパ２７が取り付けら
れている。このストッパ２７は、プレート２６が上昇す
るばあい、プレート２６がストッパ８に当たった後に、
昇降軸２４がプレート６に当たるようにするための役割
をはたす。

【００４０】図１５は、ピン２およびリング９が別々に
昇降できるようにした好適な第三実施例である。リング
９を持ち上げる独自の駆動機構が、第三実施例には追加
されている。その駆動機構は、ストッパ１０、梅蹄形プ
レート５２、ナット５０、ネジ５３およびモータ５１で
構成されるている。ナット５０につながった馬蹄形プレ
ート５２が、ストッパ１０に接続した昇降軸２４の下端
に設けてある。図１６に示されるように、円形プレート
２６はストッパ８につながったピン２を、馬蹄形プレー
ト５２はストッパ１０を通してリング９をそれぞれ別個
に持ち上げることができる。

【００４１】この第三実施例によれば、上記の方法で基
板を離脱することができるが、さらに別な離脱方法で
も、基板を離脱することができる。この別な離脱方法
は、リング９で半導体ウエハ１を持ち上げる際に、ピン
２は固定されていることが特徴である。この別な脱離
方法によるピン２とリング９の動作を説明する。

【００４２】（１）モータ１８を駆動させて、ピン２を
円形台３の上面から約１mmほど突出させる。ピン２の突
出で、半導体ウエハ１のへりの一部が円形台３のかどに
くっついたまま、半導体ウエハ１は斜めに傾く。その
後、モータ１８の駆動を停止して、ピン２の上昇を停止
する。

【００４３】（２）つぎに、モータ５１を駆動させて、
リング９を持ち上げる。持ち上げられている９の環状段
部９ａが半導体ウエハ１のへりにあたり、半導体ウエハ
１のへりを円形台のかどから引き離す。さらに、環状段
部９ａが半導体ウエハ１を持ち上げることで、半導体ウ
エハ１と接触しているピン２を支点として、斜めに傾い
ていた半導体ウエハ１が水平となる。半導体ウエハ１が
水平となった時点で、モータ５１の駆動を停止して、リ
ング９の上昇を停止する。

【００４４】（３）半導体ウエハ１をチャンバ５から取
り出すために、モータ１８を駆動させて、半導体ウエハ
１をさらに持ち上げる。

【００４５】この発明において、以上説明したきた作
用、すなわちピンが基板を持ち上げた後にリングが基板
のへりを持ち上げる作用が基板脱離に適用できる限りに
おいては、その他の条件はどのようなものであってもよ
い。静電吸着方式以外の基板保持方式、例えば真空吸着
方式であっても、または、米国特許４，９９０，２２９
および５，１２２，２５１に記載されているヘリコン波
プラズマ処理用チャンバであっても、この発明は応用で
きる。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板を台から完全に離脱でき、かつ基板の受け渡し
前に基板を水平に修正できる効果がある。この結果、基
板の受け渡し時の支障をなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施例の一部を省略した断面図
である。

【図２】同じく第一実施例の一部を省略した平面図であ
る。

【図３】同じく第一実施例で、ピンを上昇開始した状態
の一部を省略した断面図である。

【図４】同じく第一実施例で、リングが作用した状態の
一部を省略した断面図である。

【図５】同じく第一実施例で、基板の受け渡し時の状態
の一部を省略した断面図である。

【図６】この発明の他の実施例の図で、（ａ）リングの
一部断面図、（ｂ）ピン部分の断面図、（ｃ）同じく平
面図である。

【図７】この発明の他の実施例の、リングとストッパの
一部を省略した平面図である。

【図８】この発明の第二実施例の一部を省略した断面図
である。

【図９】従来の基板脱離機構の構成図である。

【図１０】同じく従来の基板脱離機構の図で、ピンが作
用した状態の図である。

【図１１】この発明の機械的脱離機構で、基板にピンと
リングが作用したときの基板に及ぼされる力の状態を示
す説明図である。

【図１２】同じく基板が脱離するまでの基板に作用する
力を示す説明図である。

【図１３】ピンとリングが同時に基板を持ち上げたとき
の基板に作用する力を示す説明図である。

【図１４】台とリングの環状段部との厚さが同じもと
で、ピンで基板を持ち上げたときに基板に作用する力を
示す説明図である。

【図１５】この発明の第三実施例の一部を省略した断面
図である。

【図１６】この発明の第三実施例で図１５中Ａ−Ａで切
られた断面図である。

【符号の説明】１基板２ピン３円形台３ａ孔４電極４ａ凹所５チャンバ６支柱６ａ軸７フレーム８ストッパ９リング９ａ環状段部９ｂ環状鍔１０ストッパ１１ａ、１１ｂ軸受１２プレート１４シリンダー１５腕１６ナット１７ネジ１８モータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベースと、基板を保持するためにそのベ
ース上に配置された基板より小さい台と、その台の下か
ら突き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板
のへりの裏面と対向し昇降するリングとからなる基板の
脱離機構において、基板のへりと対向するリング部分の
厚みは、台の厚みより薄くしてあり、さらに、ピンが基
板を持ち上げた後にリングが基板のへりを持ち上げるた
めの駆動手段を備えたことを特徴とする基板の機械的脱
離機構。
【請求項２】駆動手段は、ベースを昇降させることを
特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項３】駆動手段は、ピンとリングを一緒に昇降
させることを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱
離機構。
【請求項４】駆動手段は、ベースを支える支柱につな
がったナットと、そのナットと螺合しているネジと、そ
のネジを回転させるモータと、フレームに当たってピン
を持ち上げるためのストッパと、リングを持ち上げるた
めにベースの周囲に固定されたストッパを有することを
特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項５】駆動手段は、ピンを持ち上げるためのス
トッパと、リングを持ち上げるためのストッパと、それ
らのストッパを持ち上げるプレートと、そのプレートの
つながっているナットと、そのナットに螺合しているネ
ジと、さらに、そのネジを回転させるモータを有するこ
とを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項６】ベースと、基板を保持するためにそのベ
ース上に配置された基板より小さい台と、その台から突
き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへ
りの裏面と対向し昇降するリングと、前記、基板のへり
と対向するリングの部分の厚みは、台の厚みより薄くし
てあり、ピンを持ち上げるための駆動手段と、リングを
持ち上げるための駆動手段を備えたことを特徴とする基
板の機械的脱離機構。
【請求項７】ピンの駆動手段は、ピンを持ち上げるた
めのストッパと、そのストッパを持ち上げる円形プレー
トと、そのプレートのつながっているナットと、そのナ
ットに螺合しているネジと、そのネジを回転させるモー
タとよりなることを特徴とした請求項６記載の基板の機
械的脱離機構。
【請求項８】リングの駆動手段は、リングを持ち上げ
るためのストッパと、そのストッパを持ち上げる馬蹄形
プレートと、そのプレートのつながっているナットと、
そのナットに螺合しているネジと、そのネジを回転させ
るモータとよりなることを特徴とした請求項６記載の基
板の機械的脱離機構。
【請求項９】ベースは、電極であることを特徴とした
請求項１または６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項１０】台は、誘電体製または誘電体の薄膜を
コーディングした金属製台であることを特徴とした請求
項１または６記載の機械的脱離機構。
【請求項１１】ピンは、基板の中央部を突き上げられ
るような位置にベース内に配置されていることを特徴と
した請求項１または６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項１２】ベース上の台に保持された基板をピン
で突き上げて、基板を斜めに傾かせ、ついでピンで基板
を持ち上げながらリングで基板のへりを持ち上げること
を特徴とする基板の機械的脱離機構を用いた脱離方法。
【請求項１３】ベース上の台に保持された基板をピン
で突き上げて、基板を斜めに傾かせ、ついでピンを固定
しながらリングで基板のへりを持ち上げることを特徴と
する基板の機械的脱離機構を用いた脱離方法。
【請求項１４】基板をピンで約１mm突き上げることを
特徴とした請求項１２または１３記載の基板の機械的脱
離機構を用いた脱離方法。