JP2002334922A - 半導体デバイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

半導体デバイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法

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JP2002334922A
JP2002334922A JP2001140002A JP2001140002A JP2002334922A JP 2002334922 A JP2002334922 A JP 2002334922A JP 2001140002 A JP2001140002 A JP 2001140002A JP 2001140002 A JP2001140002 A JP 2001140002A JP 2002334922 A JP2002334922 A JP 2002334922A
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holding table
semiconductor device
jump
preventing
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JP2001140002A
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Taketoshi Ikeda
剛敏 池田
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を基板保持台上に載置して所定の処理を
行った後、基板を基板保持台から離脱する際に、基板の
跳ね上がりによる基板の位置ずれや基板の脱落を防ぐ。 【解決手段】 基板11を基板保持台12上に載置する
載置手段18と、この載置手段18により基板保持台1
2に載置された基板11に所定の処理を施す処理手段
と、この処理手段により所定の処理が施された基板11
を基板保持台12から離脱する離脱手段18と、この離
脱手段18により基板11を基板保持台12から離脱す
る際に基板11の表面の端部を覆い基板11の跳ね上が
りを防止する跳ね上がり防止手段19と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造装置及び半導体デバイスの製造方法に関するもの
であり、特に基板を基板保持台上に載置して所定の処理
を行った後、基板を基板保持台から離脱する際に、基板
の位置ずれを防ぎ、基板の搬送不良が生じない信頼性の
高い半導体デバイスの製造装置及び半導体デバイスの製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、プラズマエッチング装置などの半
導体製造装置において、基板の裏面と基板保持台間を静
電気力によって吸着させて固定する静電チャックが用い
られている。この静電チャックでは、基板にプラズマエ
ッチングなどの所定の処理を施した後、吸着保持を解除
し、リフトピンを用いて基板を基板保持台の保持面から
離脱する際に、残留吸着力によって、円滑な離脱ができ
ない場合があった。このため、基板離脱時に基板が跳ね
上がり、リフトピンから脱落したり、基板離脱時の基板
の位置ずれによって、基板の搬送中に基板の破損や搬送
不良を引き起こすという問題があった。
【0003】このため、この問題を解決する方法の一例
として、特開平9−148419号公報には、基板であ
るウエハの周辺部を均等に僅かずつ突き上げてウエハを
基板保持台から離脱する方法が開示されている。
【0004】また、特開平8−340683号公報に
は、吸着力が低下した場合に基板の脱落を防止する静電
チャックが開示されている。この静電チャックは、静電
チャック本体の外周近傍に、複数の脱落防止機構が設け
られており、静電チャック本体が基板を吸着していると
きに、脱落防止機構の爪部の上方突端部が基板の外縁の
上方に基板とは非接触状態で張り出すように構成されて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た基板の周辺部を均等に僅かずつ突き上げて基板を基板
保持台から離脱する方法の場合には、基板の離脱に時間
を要するという問題がある。また、残留吸着力による基
板の位置ずれやリフトピンからの脱落の発生を完全には
防ぐことができないという問題がある。このため、基板
搬送が正常に行われないことによる基板割れ、基板への
傷発生による歩留まりの低下や基板搬送不良によって装
置が停止してしまい、装置復帰に時間を要し、装置の稼
働率が低下するという問題は依然として残っている。
【0006】また、静電チャック本体が基板を吸着して
いるときに、脱落防止機構の爪部の上方突端部が基板の
外縁の上方に基板とは非接触状態で張り出すように構成
する場合には、たとえ非接触であっても、処理中に爪部
がプラズマに曝されると、爪部が帯電し、異常放電や異
物を発生させる原因となるという問題がある。また、基
板上に張り出した爪部の影響により、爪部の周辺領域に
広がる広い範囲にわたってプロセス処理の不均一性が生
じるという問題もある。
【0007】また、静電チャックを用いない場合におい
ても、基板保持台から基板を離脱する際に、基板の位置
ずれや基板の脱落が問題となる場合がある。特に、半導
体デバイスが液晶表示デバイスである場合には、基板と
してガラス基板が用いられるが、処理によってガラス基
板が帯電し、ガラス基板と基板保持台とが吸着し、基板
の位置ずれや基板の脱落が問題となる場合がある。特に
ドライエッチングプロセスにおいては、リフトピンの部
分でプロセスの不均一性が生じるためリフトピンを基板
の外縁部に設ける必要があり、しかも大面積の薄いガラ
ス基板が用いられるため、その中央部がたわむため、僅
かな位置ずれであっても、リフトピンから基板が脱落す
るという問題が生じる。
【0008】本発明は、上述のような課題を解決するた
めになされたもので、基板を基板保持台上に載置して所
定の処理を行った後、基板を基板保持台から離脱する際
に、基板の跳ね上がりによる基板の位置ずれや基板の脱
落を防ぎ、基板の搬送不良による基板の割れ、傷の発生
による歩留まり低下を防ぐとともに、装置停止による稼
動率の低下も防ぐことができ、信頼性の高い、半導体デ
バイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法を得る
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体デ
バイスの製造装置は、基板を基板保持台上に載置する載
置手段と、この載置手段により基板保持台に載置された
基板に所定の処理を施す処理手段と、この処理手段によ
り所定の処理が施された基板を基板保持台から離脱する
離脱手段と、この離脱手段により基板を基板保持台から
離脱する際に基板の表面の端部を覆い基板の跳ね上がり
を防止する跳ね上がり防止手段と、を備えるものであ
る。
【0010】また、離脱手段と、跳ね上がり防止手段と
が一体形成されるものである。
【0011】また、跳ね上がり防止手段が、基板の表面
の端部を覆う跳ね上がり防止位置と基板上を開放する退
避位置との間を移動可能であり、基板に所定の処理を施
す際に、退避位置に保持され、且つその表面が、基板の
表面に対して非突出となる位置で保持されるように構成
されるものである。
【0012】この発明に係る半導体デバイスの製造方法
は、基板を基板保持台上に載置する工程と、基板保持台
に載置された基板に所定の処理を施す工程と、この所定
の処理が施された基板の表面の端部を基板の跳ね上がり
を防止する跳ね上がり防止手段で覆う工程と、この跳ね
上がり防止手段により基板の表面の端部が覆われた状態
で基板を基板保持台から離脱する離脱工程と、を備える
ものである。
【0013】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、この発明
の実施の形態1の半導体デバイスの製造装置の要部の構
成を説明する断面説明図である。また、図2は、この発
明の実施の形態1の半導体デバイスの製造装置の要部の
構成を説明する平面説明図である。図1において、11
は基板であり、ウエハ等が用いられる。12は基板11
を載置して保持する基板保持台であり、静電チャック機
構を備えている。13は基板保持台12の周囲に設けら
れる絶縁のためのサセプタであり、通常セラミック製の
ものが用いられる。14は基板11に対し垂直方向に昇
降動作する昇降ピン、15は複数の昇降ピン14に接続
され、複数の昇降ピンを同時に昇降駆動する昇降ピン昇
降機構である。
【0014】図2は、図1中に示される昇降ピンの詳細
を示す図である。図2において、16は昇降ピン本体で
あり、その内部は中空になっている。17は昇降ピン本
体16の上端に設けられた昇降ピンヘッド、18は昇降
ピンヘッド17に一体形成された基板保持部、19は昇
降ピンヘッド17の上部に設けられた跳ね上がり防止手
段、20は昇降ピン本体16の下端に設けられた回転機
構、21は昇降ピン本体16の内部に設けられ、跳ね上
がり防止手段19と回転機構20とを接続する回転軸で
ある。22は基板の表面と対向する跳ね上がり防止面、
23は基板の端面と対向する位置ずれ防止面である。
【0015】このように昇降ピン14は、昇降ピン本体
16、昇降ピンヘッド17、基板保持部18、跳ね上が
り防止手段19、回転機構20、回転軸21を備えてい
る。回転機構20の動作によって、回転軸21が回転
し、回転軸21を軸として跳ね上がり防止手段19を回
転させることができる。これによって、跳ね上がり防止
手段は、基板の表面の端部を覆う跳ね上がり防止位置と
基板上を開放する退避位置(一点鎖線)との間を移動さ
せることができる。
【0016】また、図1のように昇降ピン14の昇降ピ
ンヘッド17に一体形成された基板保持部18が上下に
移動できるように昇降ピン14の近傍では基板保持台1
2はくり貫かれている。基板保持部18は、基板11を
基板保持台12に載置する載置手段と基板11を基板保
持台12から離脱する離脱手段の両方の機能を備える。
昇降ピン14は基板保持台12とサセプタ13の間に設
けられ、円形の基板を処理する場合には、通常、基板1
1の周縁部に同心円状に4ヶ所に設けられる。図3は、
この発明の実施の形態1の半導体デバイスの製造装置の
要部の構成を説明する部分平面図である。
【0017】次に動作について説明する。図4は、この
発明の実施の形態1の半導体デバイス製造装置における
昇降ピンの動作を説明する図であり、その(a)が所定
の処理を施すときの昇降ピンの状態を示す図であり、そ
の(b)は基板離脱時の昇降ピンの状態を示す図であ
る。最初、跳ね上がり防止手段19は、基板11上を開
放した退避位置にあり、昇降ピン14は下降した状態に
ある。基板搬送装置(図示せず)などにより基板保持台
12上に運ばれてきた基板11は、昇降ピン14を上昇
することによって、昇降ピン14の基板保持部18に基
板が載置され、受け取られ、下降することによっての基
板保持台12に載置される。基板保持台12に載置され
た基板11は、基板保持台12の静電チャック機構によ
り静電吸着により基板保持台12に固定される。その時
昇降ピン14は、図4(a)のように、基板保持部18
が基板11の裏面から離間し、且つ跳ね上がり防止手段
19の表面が基板11の表面より上方にならないような
位置、即ち非突出となる位置に保持される。
【0018】この状態で、基板11に処理手段(図示せ
ず)により所定の処理が施される。所定の処理とは、例
えば、エッチング処理であり、この場合の処理手段と
は、ガス導入部や電力印加部などから構成されるもので
ある。尚、所定の処理としては、エッチング処理に限ら
ず、薄膜を形成する処理やフォトレジスト形成する処理
など、基板を基板保持台に載置して行う種々の処理であ
ってもよい。所定の処理が施されている間は図4(a)
に示すように基板保持部18が基板11の裏面の下方に
離間した位置にとどまっている昇降ピン14は、処理終
了後に図4(b)に示すように基板保持部18が基板1
1の裏面に接触するぎりぎり手前の位置まで上昇させ
る。次に回転機構20により回転軸21を介して跳ね上
がり防止手段19を回転させて、基板11上を開放する
退避位置から基板11の表面の端部を覆う跳ね上がり防
止位置に移動させる。通常、基板11の周辺のデバイス
が形成されていない領域である、基板11の端部から2
〜3mm程度を跳ね上がり防止手段19で覆う。これによ
って、デバイスに悪影響を及ぼすのを防ぐことができ
る。
【0019】その後昇降ピン14をさらに上昇させ基板
11を基板保持台12から離脱させる。このとき、基板
11が跳ね上がろうとしても、基板11の表面の端部を
覆う跳ね上がり防止手段19の基板11の表面と対向す
る跳ね上がり防止面22により基板11の表面に対し垂
直方向の動きが制限されるため、基板11が基板保持部
18から外れて落下するのを防ぐことができる。また、
昇降ピンヘッド17の基板11の端面と対向する位置ず
れ防止面23により、基板11の表面に対し水平方向の
動きが制限されるため、基板11の位置ずれを抑制する
こともできる。このように、跳ね上がり防止手段19と
昇降ピンヘッド17が、基板位置ずれ防止手段として機
能する。
【0020】昇降ピン14により基板11を基板搬送機
構に受渡す位置まで上昇させた後、跳ね上がり防止手段
19を退避位置に戻し、基板保持台と基板間に基板搬送
機構(図示せず)を挿入し、昇降ピン14を下降させる
ことにより、基板11は基板搬送機構に受渡され、搬出
される。
【0021】このように、基板11を静電チャック機構
を備える基板保持台12から離脱する際に、基板11の
表面の端部を跳ね上がり防止手段19で覆うことによ
り、基板11と基板保持台12との間の残留吸着力があ
っても、基板11が基板保持台12表面から上方に跳ね
上がることにより生じる基板11の位置ずれや昇降ピン
14の基板保持部18からの脱落を防ぐことができる。
このため、基板11の割れ、傷の発生による歩留まり低
下を防ぐとともに、装置停止による稼動率の低下も防ぐ
ことができ、信頼性の高い、半導体デバイスの製造装置
及び半導体デバイスの製造方法を得ることができる。
【0022】また、基板の帯電を防止するための装置を
付加する必要がないので、半導体製造装置を簡略化する
ことができる。
【0023】また、上記のように、基板保持部18と跳
ね上がり防止手段19を一体化することにより、昇降機
構は1つでよく、装置構造を簡略化することができる。
【0024】尚、半導体デバイスとしては、液晶表示デ
バイスであってもよい。液晶表示デバイスの場合は、基
板11として通常ガラス基板が用いられるが、特にガラ
ス基板にドライエッチング処理を施す場合には、デバイ
ス形成された部分の裏面に基板保持部を設けると、その
部分でプロセスが不均一になるため、実施の形態1のよ
うに、基板の端部付近でのみ基板を保持する方法が望ま
しい。
【0025】尚、上記の説明では、基板保持部18は、
基板11を基板保持台12に載置する載置手段と基板1
1を基板保持台12から離脱する離脱手段の両方の機能
を兼ねるものについて説明したが、基板保持部18を基
板11を基板保持台12から離脱するときにのみ用い
て、基板11を基板保持台12に載置するための載置手
段としてリフトピンなどを別途設けてもよい。
【0026】尚、上記の説明では、基板を静電チャック
により保持する場合について説明したが、基板を静電チ
ャックで保持しない場合にも基板を基板保持台から離脱
する際に生じる位置ずれを防ぐことができるのは言うま
でもない。特に、基板としてガラス基板を用いる場合に
は、処理中などに基板が帯電することにより、基板と基
板保持台が吸着する現象が生じ、このために発生してい
た位置ずれを、同様にして、防ぐことができ、装置の信
頼性と歩留まりを大きく改善することができる。
【0027】実施の形態.2 図5及び図6は、この発明の実施の形態2の半導体デバ
イスの製造装置の要部の構成を説明する断面説明図であ
り、図5及び図6は、それぞれ、基板に所定の処理を施
す時の状態、基板を基板保持台から離脱する時の状態を
説明する図である。この実施の形態2が実施の形態1と
異なるのは、実施の形態1では、跳ね上がり防止手段が
設けられた昇降ピンに、基板保持部が一体形成されてい
るのに対し、跳ね上がり防止手段が設けられた昇降ピン
に、基板保持部が一体形成されずに、基板の基板保持台
への載置、基板保持台からの離脱を行うためのリフトピ
ンを別個に設ける点である。
【0028】図5及び図6において、30は基板保持
台、31はリフトピン、32はリフトピン昇降機構、4
0は昇降ピン、41は昇降ピン本体、42は昇降ピンヘ
ッド、43は跳ね上がり防止手段、44は回転機構、4
5は昇降ピン昇降機構である。図5及び図6に示す符号
のうち、図1に示す符号と同一のものは、同じまたは相
当品を示し、その説明を省略する。
【0029】リフトピン31は基板保持台30の半径の
おおよそ半分の位置で同心円状に4本、該基板保持台3
0を貫くように取り付けられている。このリフトピン3
1は、複数のリフトピンに接続され、複数のリフトピン
を同時に昇降駆動するリフトピン昇降機構32により、
昇降ピン40と独立して上昇・下降させることができ
る。
【0030】一方、昇降ピン40は、実施の形態1と同
様に、昇降ピン本体41、昇降ピンヘッド42、跳ね上
がり防止手段43、回転機構44、回転軸(図示せず)
を備えており、回転機構44により跳ね上がり防止手段
43を基板の表面の端部を覆う跳ね上がり防止位置と基
板上を開放する退避位置との間を移動させることができ
る。但し、実施の形態1とは異なり、昇降ピンヘッド4
2は基板11の基板保持台12への載置及び基板保持台
30からの離脱を行う基板保持部は備えていない。実施
の形態2においては、リフトピン31が、基板保持部に
相当する。
【0031】次に動作について説明する。基板搬送機構
(図示せず)によって搬送されてきた基板は、リフトピ
ン31を上昇させることで受取られ、下降する事によっ
て基板保持台30上に載置される。その間、昇降ピン4
0は動作させなくてもよい。エッチング処理などの所定
の処理を施す間は、図5に示すように、上記実施の形態
1と同様に跳ね上がり防止手段43の表面が基板11の
表面に対し、非突出となる位置で待機し、処理に影響を
与えないようにする。所定の処理が終了後、基板11を
基板保持台30から離脱させる際には、昇降ピン40を
跳ね上がり防止手段43の下面が基板11の表面より若
干高い位置となるように上昇させ、リフトピン31を基
板11の裏面に接触するぎりぎり手前まで上昇させ、回
転機構44を用いて、昇降ピン本体41内に設けられた
回転軸(図示せず)を回転し、これによって、跳ね上が
り防止手段43を基板11の表面の端部を覆う跳ね上が
り防止位置に移動させる。その後、図6に示すような状
態で、リフトピン31と昇降ピン40とを同じ速度で上
昇させ、基板11を基板保持台30から離脱させる。こ
のような方法により、残留吸着力の影響などで、基板1
1が片上がりなどの異常離脱をしようとしても、跳ね上
がり防止手段43が基板11の表面に対し垂直方向への
動きを制限しており、また水平方向の動きを昇降ピンヘ
ッド42の基板11の端面に対向する面が制限している
ので、基板11を安定した状態で基板保持台30から離
脱することができる。リフトピン31により、基板11
を基板受渡し位置まで上昇させ、基板11と基板保持台
30間に基板搬送機構を挿入し、跳ね上がり防止手段4
3を元の退避位置に戻し、リフトピン31を下降させる
ことにより、基板11を基板搬送機構(図示せず)に受
け渡し、搬出する。
【0032】以上のように、昇降ピンに基板保持部を設
けるのではなく、リフトピンを昇降ピンとは別個に設け
ることによっても、実施の形態1と同様に、基板を基板
保持台から離脱する際に生じる基板の位置ずれや基板の
脱落を防止することができ、基板の割れ、傷の発生によ
る歩留まり低下を防ぐとともに、装置停止による稼動率
の低下も防ぐことができ、信頼性の高い、半導体デバイ
スの製造装置及び半導体デバイスの製造方法を得ること
ができる。
【0033】さらに、実施の形態2のように、リフトピ
ンを昇降ピンとは別個に設けることにより、基板の周縁
部ではなく、最適な位置で基板を載置、離脱することが
できる。
【0034】実施の形態.3 図7は、この発明の実施の形態3の半導体デバイスの製
造装置の要部の構成を説明する断面説明図であり、その
(a)が跳ね上がり防止手段が跳ね上がり防止位置にあ
る状態、その(b)が跳ね上がり防止手段が退避位置に
ある状態を説明する図である。実施の形態3が実施の形
態1及び2と異なるのは、跳ね上がり防止手段の跳ね上
がり防止位置と退避位置との間の移動を昇降ピンに近接
して設けられたシリンダの上下駆動により昇降ピンと跳
ね上がり防止手段との接続部を軸とする回転により行う
点である。
【0035】図7において、50は昇降ピン、51は基
板保持部、52は跳ね上がり防止手段、53,54は接
続部、55はコネクティングロッド、56はシリンダ、
57は接続部である。図7に示す符号のうち、図1に示
す符号と同一のものは、同じまたは相当品を示し、その
説明を省略する。昇降ピン50の先端付近には基板保持
部51が設けられ、さらにその先端側に跳ね上がり防止
手段52が設けられる。跳ね上がり防止手段52は、昇
降ピン50及びコネクティングロッド55の先端と、そ
れぞれ接続部53、54で接続されており、昇降ピン5
0、跳ね上がり防止手段52、コネクティングロッド5
5により、リンクが形成される。コネクティングロッド
55の他端にはシリンダ56が接続されており、シリン
ダ56は、シリンダ56を上下駆動する駆動部(図示せ
ず)に接続部57を介して接続されている。このような
構成により、シリンダ56の昇降動作によって、跳ね上
がり防止手段52は、跳ね上がり防止面として機能する
基板と対向する面が基板表面に対し平行な位置(図7
(a))から、垂直な位置(図7(b))まで接続部5
3を軸として回転可能なように構成されている。
【0036】昇降ピン50は、実施の形態1と同様に、
複数の昇降ピンに接続され、複数の昇降ピンを同時に昇
降駆動する昇降ピン昇降機構(図示せず)により、昇降
動作される。
【0037】次に動作について説明する。まず、実施の
形態1と同様に、昇降ピン50を上昇させることによ
り、基板搬送手段から昇降ピン50の基板保持部51で
基板11を受け取る。このとき、シリンダ56によりコ
ネクティングロッド55は下方に引かれ、跳ね上がり防
止手段52は退避位置にある。その後昇降ピン50を下
降することにより、基板保持台12に基板11を載置す
る。退避位置にある跳ね上がり防止手段52の上面58
が、基板11の表面に対して非突出となる位置まで、昇
降ピン50を下降させる。この状態で基板11に所定の
処理を施す。所定の処理が施された後は、昇降ピン50
を基板保持部51が基板11の裏面のぎりぎり手前の位
置まで上昇させる。次に、シリンダ56によりコネクテ
ィングロッド55を上昇させて、跳ね上がり防止手段5
2を接続部53を軸として回転させて、基板上を開放す
る退避位置から基板の表面の端部を覆う跳ね上がり防止
位置に移動させる(図7(a))。この状態で、さらに
昇降ピン50を上昇させることによって、基板11を基
板保持台12から離脱させる。
【0038】以上のように、跳ね上がり防止手段の跳ね
上がり防止位置と退避位置との間の移動を昇降ピンに近
接して設けられたシリンダの上下駆動により昇降ピンと
跳ね上がり防止手段との接続部を軸とする回転により行
うことによっても、実施の形態1と同様に、基板を基板
保持台から離脱する際に生じる基板の位置ずれや基板の
脱落を防止することができ、基板の基板割れ、傷の発生
による歩留まり低下を防ぐとともに、装置停止による稼
動率の低下も防ぐことができ、信頼性の高い、半導体デ
バイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法を得る
ことができる。
【0039】
【発明の効果】この発明に係る半導体デバイスの製造装
置は、基板を基板保持台から離脱する際に基板の表面の
端部を覆い基板の跳ね上がりを防止する跳ね上がり防止
手段を備えるので、基板を基板保持台から離脱する際に
生じる基板の跳ね上がりによる基板の位置ずれや基板の
脱落を防ぐことができ、基板割れ、基板への傷発生によ
る歩留まり低下、装置停止による稼働率低下を防ぐこと
ができ、信頼性が高い。
【0040】また、離脱手段と、跳ね上がり防止手段と
が一体形成されるので、装置構造を簡略化することがで
きる。
【0041】また、跳ね上がり防止手段が、基板の表面
の端部を覆う跳ね上がり防止位置と基板上を開放する退
避位置との間を移動可能であり、基板に所定の処理を施
す際に、退避位置に保持され、且つその表面が、基板の
表面に対して非突出となる位置で保持されるように構成
されるので、跳ね上がり防止手段により基板に所定の処
理を施す際に生じる種々の悪影響を防ぐことができる。
【0042】この発明に係る半導体デバイスの製造方法
は、基板の跳ね上がりを防止する跳ね上がり防止手段に
より基板の表面の端部が覆われた状態で基板を基板保持
台から離脱する工程を備えるので、基板を基板保持台か
ら離脱する際に生じる基板の跳ね上がりによる基板の位
置ずれや基板の脱落を防ぐことができ、基板割れ、基板
への傷発生による歩留まり低下、装置停止による稼働率
低下を防ぐことができ、信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1の半導体デバイスの
製造装置の要部の構成を説明する断面説明図である。
【図2】 この発明の実施の形態1の半導体デバイスの
製造装置の昇降ピンの詳細を説明する図である。
【図3】 この発明の実施の形態1の半導体デバイスの
製造装置の要部の構成を説明する部分平面図である。
【図4】 この発明の実施の形態1の半導体デバイスの
製造装置の昇降ピンの動作を説明する図であり、その
(a)が所定の処理を施すときの昇降ピンの状態を示す
図であり、その(b)は基板離脱時の昇降ピンの状態を
示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態2の半導体デバイスの
製造装置の要部の構成を説明する断面説明図であり、基
板に所定の処理を施す時の状態を説明する図である。
【図6】 この発明の実施の形態2の半導体デバイスの
製造装置の要部の構成を説明する断面説明図であり、基
板を基板保持台から離脱する時の状態を説明する図であ
る。
【図7】 この発明の実施の形態3の半導体デバイスの
製造装置の要部の構成を説明する断面説明図であり、そ
の(a)が跳ね上がり防止手段が跳ね上がり防止位置に
ある状態、その(b)が跳ね上がり防止手段が退避位置
にある状態を示す図である。
【符号の説明】
11 基板 12,30 基板保持台 18,51 基板保持部(離脱手段、載置手段) 31 リフトピン(離脱手段、載置手段) 19,43,52 跳ね上がり防止手段

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を基板保持台上に載置する載置手段
    と、この載置手段により上記基板保持台に載置された上
    記基板に所定の処理を施す処理手段と、この処理手段に
    より所定の処理が施された上記基板を上記基板保持台か
    ら離脱する離脱手段と、この離脱手段により上記基板を
    上記基板保持台から離脱する際に上記基板の表面の端部
    を覆い上記基板の跳ね上がりを防止する跳ね上がり防止
    手段と、を備えてなる半導体デバイスの製造装置。
  2. 【請求項2】 離脱手段と、跳ね上がり防止手段とが一
    体形成されてなる請求項1記載の半導体デバイスの製造
    装置。
  3. 【請求項3】 跳ね上がり防止手段が、基板の表面の端
    部を覆う跳ね上がり防止位置と基板上を開放する退避位
    置との間を移動可能であり、上記基板に所定の処理を施
    す際に、上記退避位置に保持され、且つその表面が、上
    記基板の表面に対して非突出となる位置で保持されるよ
    うに構成されてなる請求項1記載の半導体デバイスの製
    造装置。
  4. 【請求項4】 基板を基板保持台上に載置する工程と、
    上記基板保持台に載置された上記基板に所定の処理を施
    す工程と、この所定の処理が施された基板の表面の端部
    を上記基板の跳ね上がりを防止する跳ね上がり防止手段
    で覆う工程と、この跳ね上がり防止手段により上記基板
    の表面の端部が覆われた状態で上記基板を上記基板保持
    台から離脱する工程と、を備えてなる半導体デバイスの
    製造方法。
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