CN101802998B - 静电夹具 - Google Patents
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Abstract
一种静电夹具(8)包括电介质板(14)、在电介质板(14)内形成的电极(15)、和向电极(15)施加电压的外部电源(15),所述电介质板(14)具有其上形成有用于在顶表面上支撑基板的多个凸起(17a)和包围所述凸起(17a)的凹陷(17b)的上表面。电介质板(14)包含至少在各凸起(17a)的顶表面上形成的导体膜(19),并具有在向电极(15)施加电压时导致导体膜(19)在基板(9)和导体膜(19)之间产生约翰逊-拉别克力的三维结构。
Description
技术领域
本发明涉及用于当在半导体制造步骤中或在制造磁头等并具有与半导体制造步骤类似的步骤的电子部件制造步骤中处理基板时在支撑构件上保持基板的静电夹具。
背景技术
常规上,作为静电夹具(chuck),在例如专利文献1中公开的静电夹具是已知的。该静电夹具包含具有通过压印(emboss)在上表面上形成的凸起和凹陷的电介质板、在电介质板内形成的电极和用于向电极施加电压的外部电源。并且,各凸起的顶表面(基板支撑表面)覆盖有导体线。该导体线与凸起的基板支撑表面电连接,并且静电夹具具有用于使导体线接地或浮动(float)的开关。并且,以与凸起一一对应地去除接近各单个凸起的电极的这些部分。
上述的静电夹具的主要目的是,防止由于基板和凸起之间的摩擦产生粒子并防止静电夹紧(chucking)力在凸起的基板支撑表面和基板之间起作用。即,当通过向电极施加电压保持基板时,通过使电荷穿过导体线将各凸起的基板支撑表面和与基板支撑表面接触的基板的下表面设为相同的电势,由此防止约翰逊-拉别克(Johnson-Rahbeck)力在它们之间起作用(参见专利文献1的段落[0022])。通过电介质板的上表面的凹陷和基板的下表面之间的空间库仑力保持基板(参见专利文献1的段落[0040])。并且,当卸载基板时,可通过使导体线接地而使电荷迅速移动,以将基板分开(参见专利文献1的段落[0023])。
并且,在专利文献2公开的静电夹具中,公开了分离掩模具有诸如金刚石的绝缘材料和由诸如钛的金属或氮化钛制成的掩模的配置。
专利文献1:日本专利公开No.2004-22889
专利文献2:日本专利公开No.10-70180
发明内容
本发明要解决的问题
但是,在专利文献1中,在各凸起的基板支撑表面和与基板支撑表面接触的基板的下表面之间起作用的约翰逊-拉别克力是非常大的夹紧力。因此,在没有约翰逊-拉别克力起作用的常规的静电夹具中,夹紧力常常是不够的。可通过去除覆盖凸起的基板支撑表面的导体线允许约翰逊-拉别克力起作用解决该问题。但是,当去除覆盖凸起的基板支撑表面的导体线时,不再能通过开关使导体线接地而迅速移动电荷。因此,残留的电荷延迟可分离基板的时间。另外,为了去除卸载基板时的电荷,常规的静电夹具必须具有特定的布线结构,其中形成有覆盖并且电连接凸起的基板支撑表面的导体线,并且导体线与开关连接。这使结构复杂化。
并且,当如专利文献2公开的那样使用与静电夹具的材料不同的材料作为绝缘材料时,基板的下表面上的电荷被捕获,结果,在基板上保持残留的夹紧力。这使得基板从静电夹具的分离不稳定。
解决问题的手段
考虑以上的常规的问题,提出了本发明,并且,其目的是,通过简单的结构获得足够的静电夹紧力并实现基板从静电夹具的迅速卸载(改善基板分离的稳定性)。
实现以上目的的根据本发明的静电夹具包括电介质板和在电介质板内形成的并且接受来自外部电源的电压的电极,所述电介质板具有其上形成有用于在顶表面上支撑基板的多个凸起和包围凸起的凹陷的上表面,其中,电介质板包含导体膜,所述导体膜至少在各凸起的顶表面上被形成,并且,所述导体膜由选自由作为具有不大于400μΩ·cm的电阻率的电导体的金属、金属氧化物和金属氮化物组成的组的一种材料制成,并且,分别具有导体膜的凸起的顶表面具有其Ry(最大表面粗糙度)不大于2.5μm且Ra(中心线平均粗糙度)不大于0.25μm的三维结构,形成在每个凸起的顶表面上的所述导体膜与其它导体膜电学隔开,所述导体膜的表面被形成为与所述基板的下表面接触,以及,所述基板是覆盖有高k氮化硅膜的基板。
本发明的效果
在电介质板的上表面上的凸起周围的凹陷和基板的下表面之间形成间隙。因此,当通过向电极施加电压在电介质板的上表面和基板的下表面上蓄积(store)不同的电荷时,空间库仑力在电介质板的上表面的凹陷和基板的下表面之间起作用。并且,在导体膜的上表面上蓄积与电介质板的上表面上的电荷相同的电荷。在凸起的顶表面上的导体膜和基板的下表面之间,顶表面的细微三维结构在微观上形成接触点和细微的间隙。因此,约翰逊-拉别克力在导体膜和基板之间的该细微间隙中起作用。即,在本发明中,同时通过在电介质板的上表面的凹陷和基板的下表面之间起作用的空间库仑力以及在电介质板的上表面的凸起上的导体膜和基板的下表面之间起作用的约翰逊-拉别克力夹紧基板。结果,在本发明中获得足够的基板保持力。
另一方面,当停止向电极施加电压时,基板的下表面和多个凸起的顶表面上的导体膜将通过导体膜和基板的下表面之间的接触点具有相同的电势,由此去除电荷。这使得能够消除基板上的残留夹紧力,并在停止向电极施加电压之后迅速卸载基板。为了能够实现迅速的电荷去除,增加基板和导体膜之间的接触点的数量是有利的,并且,导体膜优选尽可能地平滑。即使当导体膜被平滑化时,在微观上导体膜和基板的下表面之间的间隙也不消失,但间隙的宽度进一步减小,并且,在该间隙中起作用的约翰逊-拉别克力增大。
并且,通过选择具有高的耐磨性的膜作为导体膜,可以抑制粒子的产生。
附图说明
被包含于说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是包含根据本发明的实施例的静电夹具的溅射装置的示例性截面图。
图2是根据本发明的实施例的静电夹具的部分放大示例性截面图。
图3是根据本发明的另一实施例的静电夹具的部分放大示例性截面图。
图4A是表示基板被夹紧时的图2所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。
图4B是表示基板被分开时的图2所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。
图5A是表示基板被夹紧时的图3所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。
图5B是表示基板被分开时的图3所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。
图6是表示形成和不形成导体膜时的支撑力(夹紧力)的状态的示图。
图7是绘出基于本实施例的静电夹具中的凸起和凹陷的夹紧力的计算结果的示图。
图8是表示可通过在紧挨着关断外部电源之前向静电夹具施加预定时间的反向电压而分开基板之前的时间的测量结果的示图。
具体实施方式
以下详细解释本发明的实施例。但是,在实施例中描述的构成要素仅是例子,并且,本发明的技术范围由所附的权利要求的范围确定,不受以下的各实施例的限制。
以下,将以将静电夹具应用于溅射装置的情况为例,解释本发明的静电夹具。
图1是包含根据本发明的实施例的静电夹具的溅射装置的示例性截面图。图2是根据本发明的实施例的静电夹具的部分放大示例性截面图。图3是根据本发明的另一实施例的静电夹具的部分放大示例性截面图。图4A是表示基板被夹紧时的图2所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。图4B是表示基板被分开时的图2所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上 的电荷的状态的示图。图5A是表示基板被夹紧时的图3所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。图5B是表示基板被分开时的图3所示的静电夹具的导体膜的上表面和基板的下表面上的电荷的状态的示图。
首先,参照图1解释溅射装置的概况。图1所示的溅射装置包含可通过外部排气机构(未示出)排气的容器1和被附着到容器1的顶板上的靶子3,环状绝缘构件2被夹在靶子3和容器1的顶板之间。被固定到轭板4上的磁体5被配置为面对靶子3的下表面。并且,用于施加电压的溅射电源6与靶子3连接。
在与靶子3相对的位置,静电夹具8被安装在基板温度调整单元7上,基板温度调整单元7被固定到容器1的底部,并且,基板9位于静电夹具8上。另外,沿靶子3和静电夹具8之间的容器1的圆周壁的内表面形成圆筒遮蔽构件10。
基板温度调整单元7是通过静电夹具8控制基板9的温度的构件,并且包含与温度控制电源机构11连接的热电偶12和加热/冷却部分13。在基板温度调整单元7中,温度控制电源机构11基于由热电偶12检测的温度操作加热/冷却部分13,由此加热或冷却静电夹具8。
安装在基板温度调整单元7上的静电夹具8包含具有压印表面(上表面)的电介质板14、在电介质板14内形成的电极15、和用于向电极15施加预定的电压的外部电源16。
电介质板14的上表面具有通过压印形成的多个凸起17a和周围的凹陷17b。在电介质板14的上表面的边缘上,外缘突起部分18形成为包围形成凸起17a和凹陷17b的区域。凸起17a和外缘突起部分18具有其上放置基板9的顶表面,并具有几乎相同的高度。
除了凹陷17b,导体膜19形成为至少覆盖各凸起17a的顶表面。各导体膜19具有当向电极15施加电压时在基板9和导体膜19之间产生约翰逊-拉别克力的三维结构(在后面描述)。该三维结构用作约翰逊-拉别克力产生部分。各导体膜19不仅可覆盖凸起17a的顶表面,而且覆盖其周边表面。但是,各导体膜19不在凹陷17b中形成,并且 与其它的导体膜19电学隔开(isolated)。
在图1所示的例子中,还在外缘突起部分18的顶表面上形成导体膜19。优选形成外缘突起部分18上的导体膜19,以促进外缘突起部分18和凸起17a的总体高度相等,但也可省略导体膜19。
电极15是单极电极并且通过开关20与作为DC电源的外部电源16连接。通过接通开关20向电极15施加预定的负电压。虽然图1所示的电极15是单极电极,但也可以在电介质板14的内缘和外缘上形成双极电极,并且,向一个电极施加负电压并向另一电极施加正电压。并且,电极15的直径比外缘突起部分18的直径小。因此,仅在形成凸起17a和凹陷17b的区域下面存在电极15,并且,不在外缘突起部分18正下方的部分附近存在电极15。由于在外缘突起部分18下面不存在电极15,因此,外缘突起部分18无助于基板9的夹紧。
如上所述,基板9被放在凸起17a和外缘突起部分18的顶表面上。因此,在基板9和电介质板14之间,凹陷17b在由外缘突起部分18包围的区域中形成间隙。气体供给源22通过气体供给路径21与该间隙连接,因此,可以向间隙供给气体(例如,氩气)。通过由此向间隙供给气体,能够通过静电夹具8和间隙中的气体的热传导向基板9传导基板温度调整单元7的热量,由此使基板9维持在预定的温度。
以下,将参照图1~3更加详细地解释静电夹具8。凸起17a通常为圆柱形,并优选具有0.7mm或更小的直径。下限由例如凸起17a的必要的机械强度和加工上的限制确定,并且一般为约0.3mm。如果凸起17a的直径增大,那么,变得难以在分开基板9时迅速去除电荷。虽然不知道细节,但假定这是由于基板9和在凸起17a的顶表面上形成的导体膜19之间的许多接触点实现迅速的电荷去除。当凸起17a的直径小时,从概率的观点看,凸起17a的顶表面的用作约翰逊-拉别克力产生部分的显微三维结构的最大表面粗糙度(Ry)降低,并且,导体膜19的上表面平滑度增加。这可能增加基板9和导体膜19之间的接触点的数量。当导体膜19的平滑度增加时,通过用作约翰逊-拉别克力产生部分的显微三维结构形成的间隙的宽度减小,并且,在基板9和导体膜19之间起作用的约翰逊-拉别克力增大。
为了获得有利的夹紧和分离作用,凸起17a的顶表面优选具有平滑的表面,并且优选具有2.5μm或更小的Ry(最大表面粗糙度)和0.25μm或更小的Ra(中心线平均粗糙度)。由于实际上不可能形成完全平滑的表面,因此不特别限制下限。但是,根据实际的平滑化的极限的观点,Ry为0.2μm或更大,并且,Ra为0.02μm或更大。
假如夹紧的基板9不与凹陷17b接触,那么凸起17a和外缘突起部分18的高度优选为15μm或更小。可通过减小凸起17a和外缘突起部分18的高度增大在基板9和凹陷17b之间起作用的库仑力。高度的下限一般为约6.5μm。
为了获得适当的夹紧力并实现迅速的电荷去除,凸起17a优选被形成为使得凸起17a的顶表面的总面积为电介质板14的总平面面积的1%~2%。
导体膜19由例如作为导电体的金属、金属氧化物或金属氮化物制成,并且,所述电阻率优选为400μΩ·cm或更小、特别优选为350μΩ·cm或更小。根据本实施例的静电夹具形成为块体(板)。因此,与上面描述的专利文献2的分离掩模中不同,不必使用任何不同的(dissimilar)绝缘材料。静电夹具的材料具有能够实现约翰逊-拉别克力的E+8~E+10Ω·cm的体积电阻率。通常能够在静电夹具的上表面上没有任何导体膜的情况下通过约翰逊-拉别克力和空间库仑力维持预定的夹紧力(后侧压力=30~50托)。导体膜蓄积与静电夹具的电介质表面上的电荷相同的电荷,并且在没有导体膜时确保夹紧力。另外,在从静电夹具卸载基板的基板分离过程中,通过将基板下表面和导体膜设为相同的电势消除基板的残留夹紧力。通过由此消除基板的残留夹紧力,能够平稳地从静电夹具卸载基板,即,增加基板分离的稳定性。
将导体膜的电阻率设为例如350μΩ·cm或更小有利于将基板的下表面和静电夹具的上表面上的导体膜设为相同的电势。因此,能够消除从其去除电荷的基板的残留夹紧力,并且平稳地从静电夹具卸载(分离)基板。
相反,如果电阻率高,那么基板下表面上的电荷被捕获,作为结果,在基板上保持残留的夹紧力。这使得基板与静电夹具的分离不稳定。
导体膜19的材料的例子是诸如钛和钨的金属和这些金属的氧化物或氮化物。诸如钛和钨的材料与其它金属相比具有强的热应变抗力,并且,由于具有高的耐磨性因此几乎不变形。因此,这些材料可抑制由例如基板和静电夹具的导体膜之间的接触或由线膨胀差异导致的摩擦产生的粒子,并且增加耐磨性。
导体膜19可以是图2所示的单层膜,并且也可以是图3所示的多层膜(第一层19a和第二层19b)。当如图3所示的那样沉积多层膜(第一层19a和第二层19b)时,作为内层的第一层19a优选由诸如钛或钨的金属制成,并且,在第一层19a上形成的第二层19b优选由诸如钛或钨的金属的氧化物或氮化物制成。通过使用具有高的耐磨性的金属氧化物或金属氮化物作为第二层19b,能够抑制当加载和卸载基板9时的粒子的产生,并且增加耐磨性。
可通过诸如溅射或离子镀的成膜方法形成导体膜19。为了将导体膜19沿膜厚方向的电阻减小到约10Ω,导体膜19的厚度优选为1.5μm或更小。如果导体膜19的厚度超过1.5μm,那么导体膜的电阻增大,并且,容易由于膜应力出现膜剥离。实际的下限为约0.5μm。
导体膜19仅需要至少形成于除了凹陷17b以外的凸起17a的上表面上,但是,如上所述,也可形成到凸起17a的外周表面。当导体膜19形成到外周表面时,沉积状态可被稳定化。也可在外缘突起部分18的顶表面和侧面上形成导体膜19。
注意,图1没有示出基板传送机器人、加载/卸载门、用于向和从静电夹具8加载和卸载基板9的升降销钉(lift pin)、与放电有关的机构和放电气体供给机构等。
在图1所示的溅射装置中,基板传送机器人将基板9从加载/卸载门加载到容器1中的静电夹具8上。当容器1被设置在预定的真空环 境中、并且通过接通开关20向电极15施加电压时,在电介质板14和导体膜19的上表面和基板9的下表面上蓄积不同的电荷。图4A和图5A示出开关20被接通时的导体膜19的上表面和基板9的下表面上的电荷的状态。在这些状态中,空间库仑力在电介质板14的上表面的凹陷17b和基板9的下表面之间起作用,并且,约翰逊-拉别克力在凸起17a的顶表面上的导体膜19和基板9的下表面之间的微细间隙中起作用。通过空间库仑力和约翰逊-拉别克力,基板9被强力夹紧于静电夹具上。
在基板9被夹紧于静电夹具8上之后,气体供给源22向静电夹具8和基板9之间的间隙供给必要的量的气体。同时,温度控制电源机构11操作加热/冷却部分13以使基板9的温度保持恒定,向容器1供给放电气体,并且,通过打开溅射电源6执行溅射。
当完成该溅射时,关断溅射电源6,并且通过关断开关20停止向电极15的电压施加。因此,基板9的下表面和多个凸起17a的顶表面上的导体膜19将通过导体膜19和基板9的下表面之间的接触点具有相同的电势,由此去除电荷。因此,可以在停止向电极15施加电压之后迅速卸载基板9。图4B和图5B示出当开关20被关断时的导体膜19的上表面和基板9的下表面上的电荷的状态。
通过上述的电荷去除作用,可以在开关20被关断之后的短时间内从静电夹具8卸载基板9。基板传送机器人将卸载的基板9从加载/卸载门携载到容器1的外面。
下面,将解释静电夹具的更加实际的实施例。
在本实施例中,为了保持300mm的基板9(硅基片),在静电夹具8的电介质板14的上表面上形成384个直径为0.4mm±0.15mm并且高度为8.5μm±2μm的圆柱形凸起17a和高度与凸起17a相同并且宽度为1mm±0.3mm的外缘突起部分18。凸起17a的顶表面的总面积被设为电介质板14的总平面面积的1.5%。
在本实施例中,为了获得适当的保持力,静电夹具8的电极15没有被放在外缘突起部分18的正下方。
各凸起17a的顶表面的Ry和Ra分别被调整为2.5μm或更小和0.25μm或更小。
仅在凸起17a和外缘突起部分18的顶表面附近依次形成钛膜和氮化钛膜作为导体膜19。钛膜的厚度为1.0μm,并且氮化钛膜的厚度为0.3μm。
以下,将参照图6所示的示图解释以上的实施例的实际结果。
以下将参照图6解释在凸起17a和外缘突起部分18的顶表面上形成导体膜19和不形成导体膜19时的支撑力(夹紧力)的状态。图6所示的示图表示向图1所示的溅射装置的静电夹具8的电极15施加的电压即夹紧电压(V)与在静电夹具8和基板9之间密封的气体(氩气)的压力(Pa)之间的关系即夹紧力。基板9是覆盖有氮化硅的300mm硅基板。
图6揭示,在具有和没有导体膜19的情况下可以获得几乎相同的支撑力。在一些测量点中,在具有导体膜19时获得较大的支撑力。支撑力与静电夹具8和基板9之间的距离的平方成反比。在本实施例中,在高度为8.5μm的凸起17a的顶表面上形成1.3μm厚的导体膜19,并且距离为9.8μm。因此,在计算上静电夹具8的凹陷17b的支撑力(通过空间库仑力获得)F大概从1.59E2(N)下降到1.19E2(N)。
以下将参照图7所示的示图描述该实验结果。
图7是绘出基于本实施例的静电夹具8的凸起17a和凹陷17b的夹紧力的计算结果的示图。凸起17a和凹陷17b的夹紧力的比较表明,当距离即精微形成的间隙减小时,凸起17a的夹紧力突然增大。注意,夹紧力(F)是从F=E(V2/L2)A/2(E=间隙的介电常数,V=电压,L=间隙(距离),A=电极面积)获得的值,并且单位是牛顿(N)。
如已经解释的那样,凸起17a的上表面粗糙度对于凸起17a的夹紧力具有大的影响。该结果表明,在凸起17a上形成的导体膜19改善上表面粗糙度并且增大凸起17a的夹紧力。即,导体膜19不通过其厚度降低夹紧力,而是具有增大夹紧力的效果。
本发明的发明人从实验结果发现,即使当在凸起17a上形成导体 膜19时,夹紧力也保持不变,因此,本发明的静电夹具8即使在具有凸起17a时也实现夹紧力。导体膜19大概通过改善凸起17a的上表面粗糙度(即,缩短基板9和凸起17a的上表面上的导体膜19之间的实际距离)增大夹紧力。另外,基板9和导体膜19具有许多接触点。这可能使得在关断外部电源16时能够使接触点附近的电荷向静电夹具8移动。
图8所示的示图表示作为本发明的效果的改善分离的效果,并且解释在凸起17a的顶表面上形成导体膜19和不形成导体膜19时的分离的状态。
在本实验中,使用单极静电夹具8,并且,使用具有覆盖有氮化硅的下表面的300mm硅晶片作为基板9。在紧挨着关断外部电源16之前向静电夹具8施加预定时间的反向电压,并测量分离基板9之前的时间。
当不形成导体膜19时,随着反向电压增大到150V,分离时间缩短,但即使当施加150V或更大的反向电压时,也必需约5秒的分离时间。另一方面,当形成导体膜19时,不管条件如何,都能够在关断外部电源16之后立即分离基板9。并且,即使在体积电阻率增大的20℃~-30℃下也观察到容易的分离。如上所述,这表明,凸起17a的对于夹紧具有大的影响的残留电荷迅速减少,即,迅速执行了电荷去除。
如上所述,本发明的静电夹具控制使用具有适当地低的体积电阻率的电介质材料的Johnson-Rahpeck型静电夹具的压印凸起上的残留电荷,并且适用于单极夹具和双极夹具。静电夹具不仅适用于溅射装置,而且适用于用于在基板上沉积薄膜的CVD装置或用于处理薄膜的蚀刻装置。并且,由于静电夹具对于覆盖有高k氮化硅膜的基板的分离具有效果,因此静电夹具还适用于诸如由具有高k上表面的材料制成的玻璃基板以及硅基板的基板。
上面已经参照附图解释了本发明的优选实施例。但是,本发明不限于这些实施例,并且,在从所附的权利要求的范围的描述把握的技 术范围内,这些实施例可变成各种形式。
本发明不限于以上的实施例,并且,在不背离本发明的精神和范围的条件下,可以作出各种变化和修改。因此,为了告知公众本发明的范围,附加以下的权利要求。
本申请要求在2007年9月11日提交的日本专利申请No.2007-234968的权益,在此通过引用并入其全部内容。
Claims (9)
1.一种静电夹具,该静电夹具包括电介质板和在所述电介质板内形成并接收来自外部电源的电压的电极,所述电介质板具有上表面,在所述上表面上,形成有用于在顶表面上支撑基板的多个凸起和包围所述凸起的凹陷,
其中,所述电介质板包含导体膜,所述导体膜至少在各凸起的顶表面上被形成,并且,所述导体膜由选自由作为具有不大于400μΩ·cm的电阻率的电导体的金属、金属氧化物和金属氮化物组成的组的一种材料制成,
分别具有所述导体膜的凸起的顶表面具有其最大表面粗糙度Ry不大于2.5μm且中心线平均粗糙度Ra不大于0.25μm的三维结构,
形成在每个凸起的顶表面上的所述导体膜与其它导体膜电学隔开,
所述导体膜的表面被形成为与所述基板的下表面接触,以及
所述基板是覆盖有高k氮化硅膜的基板。
2.根据权利要求1的静电夹具,其中,所述导体膜的电阻率不大于350μΩ·cm。
3.根据权利要求1或2的静电夹具,其中,所述导体膜是由从由钛和钨组成的组选择的材料制成的膜。
4.根据权利要求1或2的静电夹具,其中,所述导体膜包含第一层和第二层,所述第一层是由从由钛和钨组成的组选择的材料制成的膜,所述第二层形成在所述第一层上、并且由选自由钛和钨组成的组的材料的氮化物和氧化物中的一种制成。
5.根据权利要求1的静电夹具,其中,分别具有所述导体膜的凸起的顶表面具有其最大表面粗糙度Ry不小于0.2μm且不大于2.5μm并且中心线平均粗糙度Ra不小于0.02μm且不大于0.25μm的三维结构。
6.根据权利要求1或5的静电夹具,其中,用于在顶表面上支撑 基板的所述多个凸起是直径不大于0.7mm的圆柱体。
7.根据权利要求1或5的静电夹具,其中,用于在顶表面上支撑基板的所述多个凸起被形成为使得高度不大于15μm,并且顶表面的总面积为所述电介质板的总平面面积的1%~2%。
8.根据权利要求1或5的静电夹具,其中,所述导体膜的厚度不大于1.5μm。
9.根据权利要求1或5的静电夹具,其中,用于在顶表面上支撑基板的所述多个凸起是直径为0.4mm±0.15mm且高度为8.5μm±2μm的圆柱体。
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