JPH09260475A - 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 - Google Patents

半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法

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JPH09260475A JP7033996A JP7033996A JPH09260475A JP H09260475 A JPH09260475 A JP H09260475A JP 7033996 A JP7033996 A JP 7033996A JP 7033996 A JP7033996 A JP 7033996A JP H09260475 A JPH09260475 A JP H09260475A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空容器内のウエハ載置台に静電吸着された
ウエハを位置ずれや跳ねを起こすことなく脱離し、かつ
ウエハ処理の面内均一性の悪化を防止する。 【解決手段】 真空容器８内のウエハ載置台１上に静電
吸着したウエハ２の外周の一部を片上げ用リフトピン４
で剥離し、真空容器８内に導入された不活性ガスをＵＶ
光照射装置６によりイオン化し、片上げ用リフトピン４
によりウエハ２の外周の一部をウエハ載置台１から脱離
させた状態で、ＵＶ光照射装置６によりイオン化した不
活性ガスをウエハ２とウエハ載置台１の間に供給するこ
とでウエハ２の裏面及びウエハ載置台１の表面に分布す
る電荷を中和し、残留吸着力を低減し、容易にウエハ２
をウエハ載置台１から脱離させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを静
電吸着し、かつ剥離する半導体ウエハ・チャック装置及
び半導体ウエハの剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造プロセスのドライ処理
化や、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の大口径化
に伴い均一性の高い加工が要求されており、そのために
はウエハを確実にウエハ載置台に固定保持することが必
要となる。
【０００３】例えば、高周波印加電極上にウエハを置い
てドライエッチングする反応性イオンエッチング（以
下、ＲＩＥという）装置において、ウエハはプラズマに
よって容易に加熱され、ウエハ温度が上昇してエッチン
グマスクのフォトレジストが熱損傷を受けたり、エッチ
ング形状が悪化したりするため、エッチング中のウエハ
を所要の温度に冷却する必要がある。そのために、所要
の温度に制御された高周波印加電極上にウエハを密着保
持させる必要がある。
【０００４】このようなウエハ保持手段として、機械
式，真空式のものの他に、ウエハ載置部の下方に誘電体
を介して直流電極を埋め込み、ウエハを静電力によって
高周波印加電極のウエハ載置面に密着させる静電チャッ
クが用いられている。静電チャックは、ウエハの平坦度
を良くする、真空室内での使用が可能である、ウエハ表
面全面の処理ができるという利点があるのは既知の事実
である。
【０００５】ところが、強い吸着力によりウエハは効率
良く冷却できたものの、エッチング終了後にウエハをウ
エハ載置面より脱離する際に、誘電体膜に残留する電荷
により残留吸着力が働き、ウエハを簡単に脱離できない
ため、脱離のための種々の方法が実用化されている（例
えば、特開平２−１５９７４４号，特開平４−２７１２
８６号，特開平５−２９１１９４号）。
【０００６】次に具体的に従来例を挙げて説明する。図
５は従来の枚葉処理式平行平板ＲＩＥ装置処理室の断面
図である。図５に示す装置は、接地された真空容器８
と、真空容器８内に所要容量の反応性ガスおよび不活性
ガスを供給するガス供給口７と、ウエハ２を載置した状
態で高周波電力が印加されるウエハ載置台１と、接地さ
れかつ反応性ガス及び不活性ガスを吹き出す小孔を複数
設けた対向電極１０と、ウエハ載置台１に高周波電力を
供給し、ウエハ載置台１と対向電極１０の間にプラズマ
を生成させる高周波電源５と、ウエハ載置台１のウエハ
２を脱離させ真空容器８から運び出すための搬送位置ま
で上昇させ、かつ同時に接地されるウエハリフトピン３
と、ウエハ載置台１上のウエハ２を静電吸着により固定
するためウエハ載置台１に、高周波に重畳した所定の直
流電圧を印加するＥＳＣ電源９を有している。
【０００７】ウエハ載置台１は図６に示すように、内部
にＥＳＣ電極１６が埋め込まれており、ＥＳＣ電極１６
に直流電圧がＥＳＣ電源９によって印加される。
【０００８】次に動作について説明する。ウエハリフト
ピン３が上死点にある状態で真空搬送ロボット等により
ウエハ２を真空容器８外からウエハリフトピン３上の所
定の位置に載置する。そこでウエハリフトピン３を下死
点まで下降させることにより、ウエハ２は、所定の温度
に制御されたウエハ載置台１のウエハ載置面の中心にセ
ットされる。
【０００９】この状態で、真空容器８内を所定の圧力に
保ちながらガス供給口７から所定の流量の反応性ガスを
供給し、ＥＳＣ電源９と高周波電源５を作動させると、
ウエハ載置台１と対向電極１０間にプラズマが生成され
る。この状態をある時間保持することにより所定のＲＩ
Ｅ処理が完了する。
【００１０】ＲＩＥ処理完了後、ＥＳＣ電源９を停止さ
せ、真空容器８内の反応性ガス雰囲気を不活性ガスに置
換してウエハ２とウエハ載置台１の間に生じる残留吸着
力を低減，除去する手段を講じてウエハリフトピン３に
よりウエハ２をウエハ載置台１のウエハ載置面から搬送
位置まで移動させ、真空搬送ロボット等によりウエハ２
を真空容器８外へ運び出すことにより一連の動作が完了
する。
【００１１】次に静電吸着によりウエハ載置台１のウエ
ハ載置面に吸着したウエハ２を所要のＲＩＥ処理完了後
にウエハ載置面から脱離させる手段について図７を参照
して説明する。図７はウエハ脱離時の動作フローチャー
トである。
【００１２】ＲＩＥ処理完了（ステップ２０１）と同時
にＥＳＣ電源９を停止させ（ステップ２０２）、真空容
器８内に供給するガスを反応性ガスから不活性ガスら切
り替え（ステップ２０３）、更に高周波電源５の供給電
力をプラズマ生成が可能な必要最低限電力値に下げて数
秒間放電させ（以下、除電プラズマという）（ステップ
２０４）、高周波電源５を停止させる（ステップ２０
５）。これによりウエハ２に発生していた負のセルフバ
イアス電圧が低下し、余剰なエッチングを最低限に抑え
て残留静電吸着力を低減できる。
【００１３】そこで、ウエハリフトピン３を上死点まで
移動させて（ステップ２０６）ウエハ載置面からウエハ
２を無理なく脱離させ（ステップ２０７）、搬送位置ま
で上昇させる（ステップ２０９）。また、その動作時の
みウエハリフトピン３を接地することにより（ステップ
２０８）ＲＩＥ処理中の高周波電力を損失することな
く、ウエハ２の裏面とウエハ載置台１の残留電荷を接地
側に放出することにより、更に残留吸着力が低減でき、
信頼性の高いウエハ２の脱離が実現できるというもので
あった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の特
開平２−１５９７４４号，特開平４−２７１２８６号，
特開平５−２９１１９４号の各公報に開示されたウエハ
脱離方式においては、脱離動作中にウエハリフトピン９
上のウエハ２が傾いたり、ウエハリフトピン９上からウ
エハ２が跳ねたりすることにより、ウエハリフトピン３
上の所定の位置にウエハ２が存在しなくなる可能性があ
り、その結果ウエハの破損を引き起こすことがある。
【００１５】その理由を各従来例について述べる。特開
平２−１５９７４４号に記載のウエハ脱離方式では、ウ
エハ載置台１に吸着されたウエハ２に対し、ウエハ載置
台１の中央部に配置されたウエハリフトピン３と、ウエ
ハ載置台１の外周部に配置されたウエハリフトピン３の
突き上げ動作と連動してウエハ２を外周部から持ち上げ
るスイングカムを用いてウエハをウエハ載置台から強制
的に脱離するものであり、特開平４−２７１２８６号記
載のウエハ脱離方式では、ウエハ載置台１の外周部にウ
エハリフトピン３または加圧気体噴出口を配置し、小さ
な力でウエハ２をウエハ載置台１から脱離するものであ
り、いずれの方式もウエハ２とウエハ載置台１の間に生
じている残留吸着力を低減させることなく強制的にウエ
ハ２を脱離させるため、ウエハ裏面に酸化膜などが存在
して残留電荷が大きい場合には、脱離中にウエハ２の一
部がウエハ載置台１に吸着されたままとなり、ウエハリ
フトピン３上のウエハ２が傾く、またはウエハ載置台１
に吸着していたウエハ２の一部が残留電荷に打勝つ時点
でウエハ載置台１から脱離して、その反発力によりウエ
ハが跳ねる可能性があるからである。
【００１６】また、特開平５−２９１１９４号に記載の
ウエハ脱離方式においては、所要のエッチング処理完了
後に、高周波電源５を作動させた状態でＥＳＣ電源９の
みを停止させて、ＥＳＣ電源９の供給電圧に相当する残
留電荷を高周波電力供給による除電プラズマから得られ
るセルフバイアス電圧に相当する残留電荷まで低減させ
ることにより、残留吸着力を低減し、ウエハ２がウエハ
載置台１から容易に脱離できるものであるが、所要のエ
ッチング処理を行うための高周波電力が高い場合は、セ
ルフバイアス電圧がＥＳＣ電源電圧９と同等以上にな
り、残留吸着力低減効果がなくなるからである。
【００１７】また、特開平５−２９１１９４号および前
記従来例記載のウエハ脱離方式においては、ウエハリフ
トピン３によりウエハ載置台１からウエハ２を持ち上げ
る過程において、ウエハリフトピン３がウエハ２に接触
している間は、ウエハ２がウエハリフトピン３を介して
接地されているため、ウエハ２とウエハ載置台１に残留
する電荷は、ウエハリフトピン３を通じて接地側へ放出
されることにより、更に残留吸着力を低減させてウエハ
２の脱離性を向上させることが可能であるが、ＲＩＥ処
理時に生じる絶縁体の反応生成物が時間と共にウエハリ
フトピン３のウエハ２に接触する部分に付着すると、そ
の堆積物によりウエハ２とウエハリフトピン３との間が
絶縁されて接地されなくなるために、ウエハ２とウエハ
載置台１に残留する電荷が接地側へ放出されず、残留吸
着力の低減ができなくなるからである。
【００１８】また前記従来例及び特開平５−２９１１９
４号に記載のウエハ脱離方式においては、エッチングの
面内均一性が悪化することがある。その理由は、いずれ
の従来技術においても、所定のエッチング処理完了後に
高周波電源を作動させた状態でＥＳＣ電源９のみを停止
させて高周波電力供給による除電プラズマを生成するた
めに除電プラズマによる、余剰でかつウエハ面内均一性
の悪いエッチングが進行してしまうからである。
【００１９】本発明の目的は、真空容器内のウエハ載置
台に静電吸着されたウエハを脱離する際に、ウエハの位
置ずれや跳ねをなくしてウエハの破損を防止し、かつ、
その際に講じる手段によりスループット低下，エッチン
グ処理のウエハ面内均一性の低下を防止した半導体ウエ
ハ・チャック装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体ウエハ・チャック装置は、ウエ
ハ載置台と、不活性ガス供給手段と、イオン化ガス発生
手段と、片上げ用リフトピンとを有する半導体ウエハ・
チャック装置であって、ウエハ載置台は、真空容器内に
設置され、半導体ウエハを静電力により吸着するもので
あり、不活性ガス供給手段は、前記真空容器内に不活性
ガスを供給するものであり、イオン化ガス発生手段は、
真空容器内の不活性ガスを励起させ、半導体ウエハ及び
ウエハ載置台に帯電する電荷を中和するイオン化ガスを
生成するものであり、 片上げ用リフトピンは、前記ウ
エハ載置台に静電吸着された半導体ウエハの一部をウエ
ハ載置台から剥離させ、イオン化ガス発生手段によりイ
オン化された不活性ガスを剥離された半導体ウエハの裏
面とウエハ載置台の表面に接触させるものである。
【００２１】またウエハリフトピンを有し、該ウエハリ
フトピンは、除電処理された半導体ウエハをウエハ載置
台から持ち上げて、これを真空容器内のウエハ搬出入高
さ位置に移送するものであり、前記片上げ用リフトピン
とウエハリフトピンは、別個独立に設けたものである。
【００２２】また前記片上げ用リフトピンは、ウエハリ
フトピンを兼用したものであり、半導体ウエハを斜めに
傾けたままで真空容器内のウエハ搬出入高さ位置に移送
するものである。
【００２３】また前記イオン化ガス発生手段は、不活性
ガスに紫外線を照射してイオン化するものである。
【００２４】また前記イオン化ガス発生手段は、紫外線
を前記片上げ用リフトピン側からウエハ裏面とウエハ載
置台表面に向けて照射するようにしたものである。
【００２５】また本発明に係る半導体ウエハの剥離方法
は、ウエハ載置台に静電吸着させた半導体ウエハを除電
して剥離する半導体ウエハの剥離方法であって、ウエハ
載置台が設置された真空容器内に導入した不活性ガスを
励起させて、半導体ウエハ及びウエハ載置台に帯電する
電荷を中和させるイオン化ガスを生成し、その雰囲気中
で半導体ウエハの一部をウエハ載置台から剥離し、その
隙間に通してイオン化ガスを半導体ウエハの裏面及びウ
エハ載置台の表面に接触させることにより、半導体ウエ
ハ及びウエハ載置台に帯電する電荷を中和し、ウエハ載
置台と半導体ウエハの間の静電力を除電するものであ
る。
【００２６】
【作用】ウエハ載置台１からウエハ２を脱離する際に、
真空容器８内に不活性ガスを供給し、イオン化ガス発生
手段により、イオン化不活性ガス雰囲気にしておき、片
上げ用リフトピン４がウエハリフトピン３より早くウエ
ハ裏面を突き上げることにより、ウエハ２の外周の一部
だけがウエハ載置台１から脱離される。この状態でウエ
ハ２の裏面とウエハ載置台１の隙間がイオン化不活性ガ
ス雰囲気に曝されることにより、残留電荷を中和・結合
するため、残留吸着力が低減される。
【００２７】このため、ウエハリフトピン３によるウエ
ハ裏面突き上げ動作のみで容易にウエハ２をウエハ載置
台１から脱離できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て詳細に説明する。
【００２９】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る半導体ウエハ・チャック装置を用いたＲＩＥ装
置を示す。
【００３０】図１に示すＲＩＥ装置は、真空容器８内に
ウエハ載置台１と対向電極１０が対向して設置され、真
空容器８及び対向電極１０が接地され、ウエハ載置台１
には高周波電源５から高周波電力が供給されるようにな
っている。また対向電極１０には小孔が設けられ、ガス
供給口７から反応ガスが導入され、プラズマが発生され
るようになっている。以上の構成がＲＩＥ装置の主要部
をなすものである。
【００３１】本発明に係る半導体ウエハ・チャック装置
は、接地された真空容器８内にウエハ２を載置するため
のウエハ載置台１と、ウエハ２をウエハ載置台１に静電
吸着により固定するための直流電圧をウエハ載置台１に
印加するＥＳＣ電源９と、ウエハ２を搬送位置（真空容
器８のウエハ搬入口８ａの高さ位置）まで上昇させるた
めのウエハリフトピン３と、ウエハ２を脱離する際にウ
エハ２の外周の一部をウエハ載置台１から脱離させるた
めの片上げ用リフトピン４と、片上り状態のウエハ２の
裏面近傍にＵＶ（紫外線）光を照射するためのＵＶ光照
射装置（イオン化ガス発生手段）６と、真空容器８内に
反応性ガスに代えて不活性ガスを導入するためのガス吹
出口７とを有している。
【００３２】次に本発明の実施形態１に係る動作につい
て図２を参照して説明する。図２はウエハ脱離シーケン
スを示すフローチャートである。まず、ＲＩＥ処理終了
（ステップ１０１）と同時に高周波電源５，ＥＳＣ電源
９を停止させる（ステップ１０２）。このとき、ウエハ
２は残留電荷による吸着力によりウエハ載置台１の表面
に吸着している。
【００３３】この状態でガス吹出口７より真空容器８内
に不活性ガスを導入し（ステップ１０３）、真空容器８
内を不活性ガス雰囲気とする。このとき、ＵＶ光照射装
置６より真空容器８内にＵＶ光を照射すると（ステップ
１０４）、不活性ガスがＵＶ光のエネルギーを吸収する
ことによって励起され、イオン化する。
【００３４】次にウエハ２の裏面側より片上げ用リフト
ピンでウエハ２を突き上げる（ステップ１０５）。この
ときウエハ２は片上げ用リフトピン４の存在する側の一
部が脱離され、逆側はウエハ載置台１の外周部に残る残
留吸着力のため、吸着されている状態となる（ステップ
１０６）。ＵＶ光によりイオン化されていた不活性ガス
がウエハ２の裏面およびウエハ載置台１の表面に存在す
る電荷に作用し、これを中和するため、ウエハ２の裏面
およびウエハ載置台１の表面に存在する残留吸着力が速
やかに低減される（ステップ１０７）。ここで、イオン
化ガスによって除電できるメカニズムについて図３を用
いて補足説明する。
【００３５】片上がり状態となったウエハ２の裏面には
正電荷１１，ウエハ載置台１の表面にはＥＳＣ電極１６
で印加された負電圧による負電荷１２がそれぞれ存在
し、これがウエハ脱離の際に問題となる残留吸着力の原
因となっている。
【００３６】ウエハ２とウエハ載置台１の間を事前にＮ
2ガス等のような不活性ガス分子１３で満たしておき、
これにＵＶ光照射装置６よりＵＶ光を照射すると、エネ
ルギーを吸収したＮ2ガス分子１３が励起され、Ｎ+イオ
ン１４と電子１５に分離される。このＮ+イオン１４は
極性の異なるウエハ載置台１の負電荷１２に引き寄せら
れて電気的に結合し、電子１５は正電荷１１と結合し、
共に中和されることにより残留電荷が除去される。
【００３７】以上の手順によりウエハ２とウエハ載置台
１の間の残留吸着力が充分に低減されているので、ウエ
ハリフトピン３を上昇させることにより（ステップ１０
８，１０９）位置ずれや跳ねを起こすことなく、容易に
ウエハ２を脱離することができる（ステップ１１０）。
また、残留吸着力を低減するために要する時間は１秒程
度であり、従来技術である除電プラズマに要する時間
（５〜１０秒程度）と比較して充分に短い。したがっ
て、ウエハ脱離律速でスループットを低下させることも
ない。更に、所要のエッチング処理完了後にエッチング
が進行する処理を行わずにウエハ脱離が可能であるた
め、エッチング処理のウエハ面内均一性を悪化させるこ
ともない。
【００３８】（実施形態２）次に本発明の実施形態２を
図４を参照して説明する。図４は、本発明の実施形態２
に係る半導体ウエハ・チャック装置を用いたＲＩＥ装置
を示す断面図である。
【００３９】図において本発明の実施形態２は、実施形
態１とは、片上げ用リフトピン４ａが複数のウエハリフ
トピン３のうちの１本を用いて構成されている点が相違
している。ウエハリフトピン３よりピン先端の高い片上
げ用リフトピン４ａは、ＵＶ光照射装置６に対面する高
さ位置でウエハ２の下方に待機しており、ウエハ２をウ
エハ載置台１より脱離する際に残りのウエハリフトピン
３よりも先に上昇し、ウエハ２の一部を剥離させる。ウ
エハ２とウエハ載置台１の間の残留吸着力を低減させる
原理は、実施形態１と同じである。
【００４０】本実施形態の動作については基本的には実
施形態１と同じである。本実施形態ではウエハリフトピ
ン３と片上げ用リフトピン４ａが同期して動くものであ
るが、ウエハ２の脱離の開始から終了まで、片上げ用リ
フトピン４ａとリフトピン３の高さの関係が変わらない
ため、脱離後のウエハ２が傾くこととなる。しかしなが
ら、実際は片上げ用リフトピン４ａの高さは、リフトピ
ン３の高さに較べて１ｍｍ程度高ければ充分であるた
め、脱離後のウエハ２の傾きは問題にならない。したが
って本実施例は、実施形態１と同等の性能を持ち、かつ
構造を簡素化することができるという利点を有する。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
エハとウエハ載置台の間に残留する静電気による吸着力
を除去してウエハを脱離するため、ウエハの水平方向へ
の位置ずれ，跳ねなどをなくしてウエハの破損を防止す
ることができる。またウエハの水平方向への位置ずれを
なくすことができるため、ウエハの搬出入を確実に行な
うことができる。
【００４２】さらに本発明は、ウエハの脱離のための特
別な動作が必要ないため、ウエハ脱離に要する時間を短
縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体ウエハ・チャ
ック装置を用いたＲＩＥ装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１におけるウエハ脱離の動作
を示すフローチャートである。
【図３】イオン化ガスによる除電の原理を示す図であ
る。
【図４】本発明の実施形態２に係る半導体ウエハ・チャ
ック装置を用いたＲＩＥ装置を示す断面図である。
【図５】従来のＲＩＥ装置を示す断面図である。
【図６】従来のウエハ載置台を示す断面図である。
【図７】従来の反応性イオンエッチング装置におけるウ
エハ脱離の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】 １ ウエハ載置台 ２ ウエハ ３ ウエハリフトピン ４，４ａ 片上げ用リフトピン ５ 高周波電源 ６ ＵＶ光照射装置 ７ ガス吹出口 ８ 真空容器 ９ ＥＳＣ電源 １０ 対向電極 １１ 正電荷 １２ 負電荷 １３ Ｎ2ガス分 １４ Ｎ+イオン １５ 電子 １６ ＥＳＣ電極

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハ載置台と、不活性ガス供給手段
    と、イオン化ガス発生手段と、片上げ用リフトピンとを
    有する半導体ウエハ・チャック装置であって、 ウエハ載置台は、真空容器内に設置され、半導体ウエハ
    を静電力により吸着するものであり、 不活性ガス供給手段は、前記真空容器内に不活性ガスを
    供給するものであり、 イオン化ガス発生手段は、真空容器内の不活性ガスを励
    起させ、半導体ウエハ及びウエハ載置台に帯電する電荷
    を中和するイオン化ガスを生成するものであり、 片上げ用リフトピンは、前記ウエハ載置台に静電吸着さ
    れた半導体ウエハの一部をウエハ載置台から剥離させ、
    イオン化ガス発生手段によりイオン化された不活性ガス
    を剥離された半導体ウエハの裏面とウエハ載置台の表面
    に接触させるものであることを特徴とする半導体ウエハ
    ・チャック装置。
  2. 【請求項２】 ウエハリフトピンを有し、 該ウエハリフトピンは、除電処理された半導体ウエハを
    ウエハ載置台から持ち上げて、これを真空容器内のウエ
    ハ搬出入高さ位置に移送するものであり、 前記片上げ用リフトピンとウエハリフトピンは、別個独
    立に設けたものであることを特徴とする請求項１に記載
    の半導体ウエハ・チャック装置。
  3. 【請求項３】 前記片上げ用リフトピンは、ウエハリフ
    トピンを兼用したものであり、半導体ウエハを斜めに傾
    けたままで真空容器内のウエハ搬出入高さ位置に移送す
    るものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体
    ウエハ・チャック装置。
  4. 【請求項４】 前記イオン化ガス発生手段は、不活性ガ
    スに紫外線を照射してイオン化するものであることを特
    徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ・チャック装
    置。
  5. 【請求項５】 前記イオン化ガス発生手段は、紫外線を
    前記片上げ用リフトピン側からウエハ裏面とウエハ載置
    台表面に向けて照射するようにしたことを特徴とする請
    求項１又は４に記載の半導体ウエハ・チャック装置。
  6. 【請求項６】 ウエハ載置台に静電吸着させた半導体ウ
    エハを除電して剥離する半導体ウエハの剥離方法であっ
    て、 ウエハ載置台が設置された真空容器内に導入した不活性
    ガスを励起させて、半導体ウエハ及びウエハ載置台に帯
    電する電荷を中和させるイオン化ガスを生成し、 その雰囲気中で半導体ウエハの一部をウエハ載置台から
    剥離し、その隙間に通してイオン化ガスを半導体ウエハ
    の裏面及びウエハ載置台の表面に接触させることによ
    り、半導体ウエハ及びウエハ載置台に帯電する電荷を中
    和し、ウエハ載置台と半導体ウエハの間の静電力を除電
    することを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。
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