KR101765091B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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함용현
남신우
김정동
한규영
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛을 포함하되, 적어도 하나의 상기 리프트 핀은, 기판에 접촉되는 접촉부와; 상기 접촉부를 일정 온도로 가열하는 가열부와; 상기 접촉부를 접지시키는 접지부;를 포함하고, 상기 접촉부는 온도에 따라 저항값이 달라지는 재질로 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 내부에서 이러한 공정들이 수행되는 챔버 내에서는 공정 처리 대상인 기판을 지지하는 지지 유닛(3)이 제공된다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛을 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 기판(1)은 복수개의 리프트 핀(2)에 의해 챔버 내에 위치한 지지 유닛(3)으로 안착되거나 기판 지지 유닛(3)으로부터 들어올려진다. 지지 유닛(3)은 기판에 정전기력을 인가하는 정전 전극(4)을 포함할 수 있다. 지지 유닛(3)은 기판 안착 시 정전기력을 이용해 기판(1)을 정전 흡착한다. 또한, 지지 유닛(3) 내에는 기판(1)을 냉각시키는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(5)가 제공될 수 있다. 정전 전극(4)에 의한 기판(1)에 대한 정전기력이 인가 또는 잔류되고 있는 상태 또는 냉각 유로(5)를 흐르는 냉각 유체의 흐름에 의해 발생된 정전기가 기판(1)에 대해 잔류되고 있는 상태에서 리프트 핀(2) 등을 이용해 기판(1)을 들어올리는 경우, 기판(1)이 휘어지거나 깨짐 현상이 발생될 수 있다.
본 발명은 기판에 잔류하는 정전기를 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 휨 또는 깨짐을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛을 포함하되, 적어도 하나의 상기 리프트 핀은, 기판에 접촉되는 접촉부와; 상기 접촉부를 일정 온도로 가열하는 가열부와; 상기 접촉부를 접지시키는 접지부;를 포함하고, 상기 접촉부는 온도에 따라 저항값이 달라지는 재질로 제공된다.
상기 접촉부는 온도가 높아질수록 저항값이 낮아지는 재질로 제공된다.
상기 일정 온도는 50℃ 이상 70℃ 이하일 수 있다.
상기 접촉부는 상기 일정 온도에서의 저항값이 100Ω 이하일 수 있다.
상기 가열부는 상기 접촉부의 내부에 제공될 수 있다.
상기 접지부는 상기 가열부에 연결되고, 상기 접촉부는 상기 가열부를 통해 접지될 수 있다.
상기 접촉부는 바나듐 옥사이드(VO2)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
상기 지지 유닛은 정전척으로 제공된다.
상기 지지 유닛에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성된다.
또한, 본 발명은 상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른, 기판 처리 방법은 상기 처리 공간에서 상기 접촉부를 제 1 온도로 제공하여 기판을 처리하는 처리 단계와; 이 후, 상기 접촉부를 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열하는 가열 단계와; 이 후, 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 상기 리프트 핀을 상승시키는 상승 단계;를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판에 잔류하는 정전기를 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판의 휨 또는 깨짐을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 리프트 핀을 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 4는 도 2의 지지 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 유도 결합형 플라스마(ICP: Inductive Coupled Plasma) 소스를 가지는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량 결합형 플라스마(CCP: Capacitive Coupled Plasma) 소스를 가지는 기판 처리 장치, 증착을 수행하는 기판 처리 장치 등 정전 척 및 리프트 핀(Lift Pin)이 제공되고, 기판에 대한 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 그리고 배기 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 제공된다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착할 수 있는 정전척으로 제공된다.
지지 유닛(200)은 지지판(220), 정전 전극(223), 히터(225), 유로 형성판(230), 포커스 링(240), 절연 플레이트(250), 하부 커버(270) 및 리프트 핀(280)을 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 지지판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 지지판(220) 내에는 정전 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.
정전 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 정전 전극(223)은 지지판(220)에 놓인 기판(W)에 정전기력을 인가한다. 예를 들면, 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 지지판(220)의 하부에는 유로 형성판(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 유로 형성판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
유로 형성판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(232)로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 유로 형성판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 유로 형성판(230)을 냉각한다. 유로 형성판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 유로 형성판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 유로 형성판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 리프트 핀(280)을 상하 방향으로 구동시키는 구동부(284) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
도 3은 도 2의 리프트 핀(280)을 개략적으로 나타낸 정면도이다. 도 4는 도 2의 지지 유닛(200)을 나타낸 평면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 리프트 핀(280)은 챔버(100)의 처리 공간 내로 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 이송 받아 지지판(220)으로 이동시킨다. 리프트 핀(280)은 지지판(220)으로 기판(W)을 안착하거나 지지판(220)으로부터 기판을 들어올리도록 제공된다. 리프트 핀(280)은 복수개가 제공된다. 리프트 핀(280)은 바(Bar) 형상으로 제공된다. 리프트 핀(280)은 길이 방향이 상하 방향을 따라 제공된다. 각각의 리프트 핀(280)은 지지 유닛(200)에 형성된 각각의 핀홀(미도시)을 관통하여 상하 방향으로 이동 가능하도록 제공된다. 복수개의 리프트 핀(280) 중 적어도 하나의 리프트 핀(280)은 접촉부(281), 가열부(282), 접지부(283) 및 구동부(284)를 포함한다. 예를 들면, 제공된 모든 리프트 핀(280)은 접촉부(281), 가열부(282), 접지부(283) 및 구동부(284)를 포함할 수 있다.
접촉부(281)는 기판(W)에 접촉된다. 접촉부(281)는 온도에 따라 저항값이 달라지는 재질로 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 접촉부(281)는 온도가 높아질수록 저항값이 낮아지는 재질로 제공된다. 접촉부(281)는 일정 온도까지 상승한 상태에서 기판(W)에 잔류되는 정전전하가 접촉부(281)를 통해 접지부(283)로 용이하게 흘러갈 수 있는 저항값을 가질 수 있는 재질로 제공된다. 예를 들면, 접촉부(281)는 상기 일정 온도에서 저항값이 100Ω 이하가 되는 재질로 제공된다. 접촉부(281)의 저항값이 100Ω 이하가 되는 일정 온도는 50℃ 이상일 수 있다. 예를 들면, 접촉부(281)는 바나듐 옥사이드(VO2)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
가열부(282)는 접촉부(281)를 기판(W)에 잔류되는 정전전하가 접촉부(281)를 통해 접지부(283)로 용이하게 흘러갈 수 있는 저항값을 가지는 일정 온도로 가열한다. 예를 들면, 가열부(282)는 50℃ 이상 70℃ 온도 범위 내의 일정 온도로 접지부(283)를 가열한다. 가열부(282)는 접촉부(281)의 내부에 제공될 수 있다. 예를 들면, 가열부(282)의 상부 및 측면의 일부는 접촉부(281)에 의해 둘러 싸이게 제공된다. 가열부(282)에는 전력을 인가하는 전원(285)이 제공된다.
접지부(283)는 접촉부(281)를 접지시킨다. 일 실시 예에 의하면, 접지부(283)는 가열부(282)에 연결되고, 접촉부(281)는 가열부(282)를 통해 접지될 수 있다.
구동부(284)는 리프트 핀(280)을 상하 방향으로 이동시킨다.
기판 처리 장치(10)는 제어기(600)를 더 포함할 수 있다. 제어기(600)는 기판을 처리하는 공정 단계에 따라 리프트 핀(280)을 제어한다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
이하, 도 2의 기판 처리 장치(10)을 이용하여 기판을 처리하는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2, 도 3 및 도 5를 참고하면, 기판 처리 방법은 처리 단계(S10), 가열 단계(S20) 및 상승 단계(S30)를 포함한다.
처리 단계(S10)에서는 챔버(100) 내의 처리 공간에서 접촉부(281)를 제 1 온도로 제공하여 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)을 처리한다. 제 1 온도는 접촉부(281)의 저항값이 전하가 용이하게 흐를 수 있는 저항값이 되는 온도보다 낮은 온도이다. 처리 단계(S10)에서 접촉부(281)의 온도가 접촉부(281)의 저항값이 전하가 용이하게 흐를 수 있는 저항값이 되는 온도 이상인 경우, 접촉부(281)는 도체의 성질을 가지므로, 플라스마 공정 수행 시, 플라스마 이온이 접촉부(281)로 집중되어 접촉부(281)에 아크(arc)가 발생될 가능성이 있다. 따라서, 아크 발생을 방지하기 위해, 처리 단계(S10)에서는 챔버(100) 내의 처리 공간에서 접촉부(281)를 제 1 온도로 제공하여 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)을 처리한다.
가열 단계(S20)는 처리 단계(S10)가 완료된 후 수행된다. 가열 단계(S20)에서는 접촉부(281)를 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열한다. 제 2 온도는 접촉부(281)의 저항값이 전하가 용이하게 흐를 수 있는 저항값이 되는 온도이다. 제 2 온도의 범위의 예는 상기 기판 처리 장치(10)에 대한 설명에 기재하였다. 따라서, 가열 단계(S20)가 완료되면, 접촉부(281)의 저항 값은 전하가 용이하게 흐를 수 있는 저항값이 된다. 일 실시 예에 따르면, 제어기(600)는 가열 단계(S20)를 수행하도록 전원(285)을 제어한다.
상승 단계(S30)는 가열 단계(S20)가 완료된 후 수행된다. 상승 단계(S30)는 지지판(220)으로부터 기판(W)을 들어올리도록 리프트 핀(280)을 상승시킨다. 이 때, 기판(W)에 잔류하는 정전전하가 존재하는 경우, 잔류 정전 전하는 제 2 온도로 가열된 접촉부(281)를 통해 접지부(283)로 흘러가게 된다. 일 실시 예에 따르면, 제어기(600)는 상승 단계(S30)를 수행하도록 구동부(284)를 제어한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 리프트 핀(280)에 온도에 따라 저항값이 가변하는 접촉부(281)를 제공함으로써, 정전 전극(223)에 의해 또는 냉각 유체에 의해 기판에 잔류하는 정전기를 제거할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 지지 유닛(200)으로부터 들어올릴 때, 잔류 정전기에 의해 기판이 지지 유닛(200) 방향으로 힘이 가해지는 것을 방지함으로써, 기판의 휨 또는 깨짐을 방지할 수 있다.
10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
220: 지지판 223: 정전 전극
280: 리프트 핀 281: 접촉부
282: 가열부 283: 접지부
300: 가스 공급 유닛 400: 플라스마 소스
500: 배기 유닛

Claims (10)

  1. 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛을 포함하되,
    적어도 하나의 상기 리프트 핀은,
    기판에 접촉되는 접촉부와;
    상기 접촉부를 일정 온도로 가열하는 가열부와;
    상기 접촉부를 접지시키는 접지부;를 포함하고,
    상기 접촉부는 온도에 따라 저항값이 달라지는 재질로 제공된 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 처리 공간에서 상기 접촉부를 제 1 온도로 제공하여 기판을 처리하는 처리 단계와;
    이 후, 상기 접촉부를 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열하는 가열 단계와;
    이 후, 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 상기 리프트 핀을 상승시키는 상승 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉부는 온도가 높아질수록 저항값이 낮아지는 재질로 제공된 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 일정 온도는 50℃ 이상 70℃ 이하인 기판 처리 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉부는 상기 일정 온도에서의 저항값이 100Ω 이하인 기판 처리 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 접촉부의 내부에 제공되는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 접지부는 상기 가열부에 연결되고,
    상기 접촉부는 상기 가열부를 통해 접지되는 기판 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 유닛은 정전척으로 제공되는 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 유닛에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성되는 기판 처리 방법.
  10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛을 포함하되,
    적어도 하나의 상기 리프트 핀은,
    기판에 접촉되는 접촉부와;
    상기 접촉부를 일정 온도로 가열하는 가열부와;
    상기 접촉부를 접지시키는 접지부;를 포함하고,
    상기 접촉부는 바나듐 옥사이드(VO2)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
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