JP4414099B2 - 真空プロセッサのワークピースのチャック解除方法および装置 - Google Patents
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Description
(発明の分野)
本発明は、一般に処理中にワークピースを適所に保持するためのチャックを含む真空プラズマプロセッサに関し、より詳しくは、チャック解除を容易にする方法およびチャック解除を容易にするための装置に関し、そこでは処理中にワークピースを保持するためにチャックによってかけられる力が効果的にモニタリングされ、制御される。
【0002】
本発明の別の態様は、静電チャックに印加される電圧が、前に処理されたワークピースがチャックから取り外されたときにチャックを通って流れる電流に応えて、チャックと電圧源の間を流れる電流に応えて制御されるこのようなプロセッサに関する。
【0003】
(背景技術)
真空プラズマプロセッサは、ワークピース保持具を備える真空チャンバ、つまりプラズマがエッチングする、および/またはプラズマが材料を付着させる露呈面を有するワークピースを運ぶためのチャックを含む。エッチングおよび付着は、チャンバの中に1つまたは複数の適切な気体を入れること、および無線周波数(r.f.)フィールドを気体に適用することから生じるチャンバ内での低いインピーダンスプラズマの中のイオンによってとりわけ達成される。
【0004】
ワークピース温度は、ヘリウムなどの不活性熱伝達気体をワークピースの背面に適用することにより制御される。熱伝達気体は、ワークピースと水によって冷却されるチャックの間の熱接触を改善する。典型的には、ワークピースとは、電気伝導性材料(つまり金属)、半導体または誘電ガラスシートから作られている相対的に薄い基板プレートである。ワークピースは、ワークピース背面で押す熱伝達気体の圧力に逆らってワークピースを適所に保持するためにチャックに締め付けられなければならない。
【0005】
一定のワークピースを静電チャックから取り除くことは、特に、低い抵抗性の誘電ワークピースおよび中間抵抗性の誘電ワークピース(つまり、約1×1015Ωm未満の抵抗性を備える誘電ワークピース)だけではなく、半導体ワークピースにとっての問題である。Birangらの第5,612,850号と同じ開示を有すると考えられるBirangらの第5,459,632号は、半導体ウェハチャック解除方法を開示し、そこではモノポールチャック電極に印加されるチャック解除電圧が、チャックされた位置にワークピースを維持するために使用される電圧の極性と同じ極性を有する。チャック解除電圧は、チャックとワークピース間の静電引力を最小限に抑えるためにチャック電圧とは異なる大きさを有する。チャック解除電圧に「最適な」値は、経験的に、あるいはワークピースがチャックの上に当初取り付けられているときに生じる電流パルスの振幅をモニタリングすることによって求められる。
【0006】
ワークピースが最初にチャックに適用されるときにワークピースおよび静電チャックを通って流れる電流パルスの振幅をモニタリングすることは、ガラス、誘電ワークピースの処理には適用できない。これは、ワークピースが当初チャックの上に置かれるときには静電チャックと誘電ワークピースの間には電流が流れないためである。ガラスパネルの場合、新しいパネルが最初に静電チャックの上に引き下げられるとき電流パルスはない。これは、前に処理された誘電ワークピース上の残留粘着電荷が、ワークピースが静電チャックから取り外されたときに、その誘電ワークピースとともに離れたためである。
【0007】
Birangらの、米国特許第5,491,603号に指摘されたように、他の2つのBirangらの特許に開示された方法は、非常に短い期間の電気的なパルスの精密な測定を必要とする。このような精密な測定手順を回避するために、第’603号特許は、静電電位をチャックに適用してから、ウェハとチャック間に気体を入れ、それからウェハとチャック間の気体漏れの速度を観察しつつ、チャックの静電電位を削減することによって「最適」電圧を計算するといういくぶん複雑な方法を開示する。最適チャック解除電圧は、漏れ速度が所定閾値を超えるときに発生する静電電位の値としてメモリ内に記録される。計算された最適電圧が、プラズマがオフにされるときに、あるいはオフにされた後にチャックに適用されるのは明らかである。プラズマがオフにされた後、ウェハはチャックから持ち上げられる。第’603号特許には、下降中にチャックを介してワークピースに適用されるガスの流量に応えて、ウェハ処理中、チャックに印加されるチャック電圧を制御するという開示はない。第’603号特許には、チャックによってウェハにかけられる力を、プラズマによるウェハ処理中に実質的に一定に維持するという開示もない。
【0008】
Watanabeらの米国特許第5,117,121号は、バイポーラ静電チャックから半導体ウェハを解放する方法を開示する。半導体ウェハワークピースをバイポーラチャックに締め付けるには、所定の振幅および極性を有する第1DC電圧が、2つのチャック電極の間にかけられる。第1DC電圧によって締め付けられた後、およびワークピースがチャックから取り除かれる前、第1電圧の極性と反対の極性を有する第2DC電圧が、チャックが半導体ワークピースに適用している残留引力を排除するためにチャック電極に印加される。第2電圧は、第1極性の電圧の振幅より1.5倍から2倍高い振幅を有する。第2電圧は、第2電圧の振幅に逆比例する時間期間の間、バイポーラ電極に連続的に印加される。見かけ上、第1電圧および第2電圧は経験的に求められる。とにかく、第1電圧および第2電圧の振幅は、ワークピース処理中に行われる測定に応えて求められない。
【0009】
したがって、本発明の目的は、真空プラズマプロセッサ内でワークピースを静電的にチャックするおよびチャック解除するための新規の改善された方法および装置を提供することである。
【0010】
本発明の追加の目的とは、処理完了時に静電チャックからのワークピースの取外しを容易にするために、ワークピース処理中に静電チャックによってワークピースに対しかけられる力を効果的に、測定、制御し、それによってウェハのスループットを高める、および高めるための新規の改善された方法および装置を提供することである。
【0011】
別の目的とは、処理完了時に静電チャックからのワークピースの取外しを容易にするためにワークピース処理完了時に静電チャックによってワークピースに印加される逆の極性の電圧を制御し、それによってウェハのスループットを高め、および高めるための新規の改善された方法および装置を提供することである。
【0012】
(発明の概要)
本発明の1つの態様に従って、真空プロセッサのチャックからワークピースをチャック解除することは、ワークピース処理中にチャックによってワークピースにかけられるチャック力を効果的にモニタリングし、ワークピース処理中にワークピースにかけられるチャック力をモニタリングされた力に応えて制御することによって容易化される。
【0013】
好ましくは、チャックは、静電チャックであり、チャック力はチャックの電極に印加される電圧を制御することによって制御される。力は、好ましくは、ワークピースにチャックを通して流体を流すことによってモニタリングされる。流体は、チャックに対してワークピースを移動させる傾向がある。チャックによってワークピースにかけられる力は、ワークピースに対して流体によってかけられる力とチャックがワークピースに適用する静電チャック力の組み合わせを含む。力は、ワークピースに作用する流体の流量を測定することによって効果的にモニタリングされる。好ましい実施形態においては、流体とは、ワークピースのための熱伝達流体である。
【0014】
静電チャックおよびワークピースは、電圧が一定である場合に時間が進行するにつれて増加する傾向を有するそのようなものである。この傾向は、好ましくは、ワークピース処理中に静電力を実質的に一定のままとさせるような方法でチャック電圧を減少させることによって克服される。
【0015】
本発明はチャックがワークピース処理中にワークピースに適用する力をモニタリングし、制御するので、第’603号特許の複雑かつ面倒な手順が回避される。さらに、本発明は、チャックがワークピースにかける力が、ワークピース処理中に実質的に一定となることができるようにする。ワークピース処理中にチャック力を実質的に一定に維持することは、とりわけ、それが(1)ワークピースに対するクーラントの流れがさらに正確に制御できる、例えば実質的に一定に維持することができるため、ワークピース温度のさらに正確な制御を可能とする、および(2)チャックからのワークピースの急速な取り外し、および高いワークピースのスループットを達成するためにワークピース処理が完了するときに、正しい時間間隔の間、正しい逆の電圧規模のチャックへの適用を可能にするためにきわめて有利である。
【0016】
静電チャックからのワークピースの取外しを容易にするためには、静電チャックに印加される電圧の極性は、ワークピースの処理が完了するときに(つまり処理が完了する直前、または処理が完了するときに)逆転される。逆の電圧は、ワークピースへ印加されるチャック力を実質的に除去する。次にワークピースは、実質的にチャックから除去される。逆の電圧は、好ましくは、過去に処理されたワークピースがチャックから取り外されるときにチャックの中を流れている電流をモニタリングすることによって制御される。このように電流がモニタされた後、続いて処理される少なくとも1つのワークピースがチャックから取外される間にチャックがこの様なワークピースに加えるクランプ力を制御する。
【0017】
逆電圧規模および期間は、好ましくはモニタリングされた電流に応えて制御される。逆電圧規模および期間は、チャックからチャック解除され、それによってチャックし直されないほどである。1つの実施形態においては、電流のモニタリングされたピーク値は、逆電圧を制御する。別の実施形態においては、所定の時間期間中モニタリングされた電流の積分値が逆の電圧を制御する。
【0018】
本発明の前記のおよび追加の目的、特徴および利点は、特に添付図面と関係して解釈されるときに、その特定の実施形態の以下の詳細な説明を考慮するときに明らかになるだろう。
【0019】
(発明を実施するための最良の形態)
いま、図面の図1が参照され、そこでは誘電基板をエッチングする、あるいは誘電基板上にフィルムを付着させるために使用できるプラズマプロセッサが、矩形の金属、好ましくは陽極酸化されたアルミニウム側壁12によって形成されている電気的に接地され、密封された外面を有する右側の平行なパイプ配管として好ましくは構成されている真空チャンバ10を含むとして示されている。真空チャンバ10は、矩形の金属、好ましくは陽極酸化されたアルミニウムの底部端板16、および誘電ウィンドウ構造19を含む矩形上部端板構造18も含む。チャンバ10のこれらの外面の密封は、従来のガスケット(図示せず)によって実現される。
【0020】
プラズマに対し励起できる適切な気体が、線路15、ポート20、および弁21を介して気体源(図示せず)からチャンバ10の内部に供給される。チャンバ10の内部は、側壁12内のポート22に繋がれている真空ポンプ(図示せず)によって、典型的には0.5から100ミリトルの範囲の圧力で、真空状態で維持される。真空チャンバ10の中の気体は、実質的には、窓19のすぐ上に取り付けられ、自動制御されているリアクタンス(図示せず)を含む整合ネットワーク28を介してr.f.源26によって励起される平面状のコイル24などの適切な電源によってプラズマ状態に励起される。しかしながら、プラズマ生成の任意の適切な方法が利用できることが理解されなければならない。
【0021】
静電チャック30は、電気的に絶縁するシート29によってチャックから電気的に減結合される接地金属ベース27を含むサポート構造でチャンバ10の中に固定して取り付けられている。ベース27は、底部端板16に固定される。チャック30は、プラスチックではない誘電基板、典型的にはフラットパネルディスプレイを形成するために使用される平らなガラス基板シートを含むワークピース32を選択的に保持するように特に設計されている。ガラスは、受動的な電気特性を決定した、例えば、誘電定数および抵抗性を決定した複数の異なる種類の内の任意であってよい。ガラス抵抗性は、低抵抗性が約1×108と約1×1011オームメータ(Ωm)の間であり、中間抵抗性が約2×1011と約1×1015Ωmの間であり、高抵抗性が約1×1015Ωmを超えるように低範囲、中間範囲、または高範囲の1つを有することによって特徴付けられる。
【0022】
抵抗性は、ガラス化学組成および温度に依存し、抵抗性は温度が上昇するにつれて低下する。ガラスワークピースのすべては、温度が10℃上昇するたびに約2.5倍、抵抗性が低下する。ガラスワークピースの誘電定数は約5.6と7.7の間の範囲、つまり約6と2分の1である。低抵抗性範囲、中間抵抗性範囲および高抵抗性範囲での3つの例示的な種類のガラスの誘電定数および抵抗性は、表1の3行にそれぞれ述べられている。
【0023】
【表1】
【0024】
ガラスシートは、典型的には、1.1mmという名目厚さ、±0.1mmという厚さ公差、および非常に滑らかな表面を有し、最大ピーク間荒さは0.02ミクロンである。ガラスシートは、生産時、わずかに曲がっていたり、波状になっている場合がある。多様なプロセスステップ、特に付着を経過した後に、ガラスシートは大幅にさらに曲がったり、波状となり、チャンバ10内でのそのプラズマ処理中に基板シート32を平らにするさらに大きな必要性を生じさせる。
【0025】
ワークピース32の温度は、典型的には、チャック30を通して導管34と弁35を介して適切な源(図示せず)からワークピース背面に、つまり処理チャンバ19内のイオンに露呈されないガラス基板の面にヘリウムガスを供給することによって、および水とエチレングリコールの混合物などのクーラント液体を、導管37および弁39を介してチャック30に適切な源(図示せず)から供給することによって、25°と100℃の間であるように制御される。典型的には、ワークピース32の背面に適用されるヘリウムガスの圧力は5から15トル範囲にあり、導管34を通るヘリウム流量は5から70sccm範囲にある。ヘリウムは、圧力変換器を通って導管34の中に、弁棒およびその他方のアームがポンプへの制御された開放を有するオリフィスを通して繋がれている「T」接続部の一方のアームを介して源から流れる。すべての実施形態において、ワークピース背面に適用されるヘリウムの圧力は、導管34内の流量制御装置によって実質的に一定に維持される。すべてのクーラント流量に関し、ワークピース32の背面にかけられる気体の圧力は、チャック30から離してガラスシート32を押す、つまりチャックがワークピースに静電力をかけない場合に、チャックを基準にしてガラスシートを移動させるほど十分である。ヘリウムガスは、ワークピースとチャック30間で熱を伝達することによって、つまり伝導によってワークピース32を冷却する。チャック30は、導管34を介してそれに流れる液体クーラントのため、相対的に冷たいヒートシンクとして動作する。
【0026】
チャック30は、高い熱伝導率経路が、チャックを通って、導管37を通って流れる冷却液から基板32に提供されるように構築される。
【0027】
ワークピース32の背面は、溝がつけられているチャック表面の部分内を除き、チャック30の平らな平面状の平面に当接する。チャック30は、ワークピースの露呈面が平らであり、チャックの平らな平面状の面に実質的に平行な面内にあるように、ワークピースに力をかける。この結果は、ワークピース32がチャック上に置かれたときに曲がったり、波状になる可能性があるとしても、および導管34を通って流れるヘリウムガスがチャック30の平らな平面状の面から離れてチャンバ10の中に上方にワークピースを曲げる傾向にも関わらず達成される。また、チャック30は、ワークピースの背面がチャック30の平らな平面状の面の溝が付いていない部分に当接するとしても、ワークピース32の背面のかなりの部分に接するように構築される。
【0028】
図2および図3に示されているように、静電チャック30は、低域無線周波数拒絶フィルタ(図示せず)を含む、プログラムされたDC源38の電圧端子40に繋がれている高い伝導性の金属(好ましくはアルミニウム)プレートとして形成されている唯一の電極を有するモノポール素子である。チャンバ10内でのプラズマによるワークピース32の初期処理の間、端子40での電圧は、ハウジング10の金属壁に繋がれている接地端子42における源38の電圧を基準にして、典型的には数千ボルト、例えば5000ボルトである。端子42、チャンバ10、およびチャンバ内のプラズマは、すべてほぼ同じDC接地(つまり基準)電位である。電圧源38は、端子40が、接地端子42での電圧を基準にして負または正どちらかの電圧であるように構築することができる。チャンバ10内でのプラズマによるワークピース32の処理の間、端子40での電圧は、好ましくは、ワークピース32の露呈面に対し相対的に低い移動度の正のイオンを引き付けるために端子42に関して負である。負の極性は、それが、電源38に対する有害な影響の尤度を削減するため有利である。
【0029】
無線周波数バイアス電圧は、イオンエネルギー制御用のチャック30に供給される。この目的のため、r.f.源60は、整合ネットワーク62をおよび直列DC阻止コンデンサ164を介して、チャック30のプレート36に繋がれる。きわめて可動性のプラズマ電子が、低い移動度の重いプラズマイオンよりはるかに大きな範囲までチャックに引き付けられるため、ACバイアス電圧により、チャック30は、負のDC電圧まで充電されるようになる。
【0030】
プレート36の前部、つまりガラスワークピース32に最も近いプレートの面は、好ましくはプレート36の前面を完全に覆う陽極酸化された、除気しない層として形成される、保護電気絶縁物59によって覆われている。絶縁物層59の厚さは、典型的には約0.1mmであり、決定された受動的な電気パラメータ、例えば、決定されたキャパシタンスおよび抵抗性につながる、求められた誘電定数および抵抗性を有する。
【0031】
プレート36の残りは、やはり除気しない(通常、プラスチックではなく、好ましくはセラミックである)材料から作られている、誘電電気絶縁体本体44によって取り囲まれる。本体44は、電極とチャンバ内のイオンの間に多大なDC電位差があるように、電極プレート36が、チャンバ10内のイオンに電気的に接触するのを妨げる。この目的のため、絶縁体本体44は、その中に凹部46を有するプレートの形状をしている。金属プレート36は、プレートの周辺端縁が本体44のフランジ48の内壁47に接するように凹部46の中に位置し、ワークピース32は、基板がプレート36の上面を完全に覆うようにプレート36を基準にした寸法で作られる。
【0032】
導管34を通って流れるヘリウムガスが、ガラスワークピース32の背面の多大な部分に接触することができるためには、プレート36の滑らかな平面状の上面53には、そのすべてが互いに及び導管34と流体が流れる関係にある、間隔をあけて配置され、相互接続された溝54(図3)が具備される。導管34は、その導管及び溝が接続された中央穴55を含むチャックにより、効果的にチャック30を通して伸びる。ワークピース32がチャック30の上の適所に締め付けられると、ワークピースの露呈される平面状の上面が、上面53に平行な平面の中で伸びる。絶縁物本体44は、クーラント液体が通路を通って流れるように、導管37との流体流量関係で通路65を含む。絶縁物本体44および金属プレート36は、高い熱伝導率を有し、通路とワークピース32の間には短い距離があるため、ワークピース32から通路65内のクーラントへ容易に伝達される。
【0033】
動作中、前述された種類のガラス誘電基板ワークピース32は、電極36に繋がれているDC源38の電圧が、その付勢電源(図示せず)から切り離されているDC源のためにゼロであるときに、絶縁層59に置かれる。ワークピース32が絶縁物44によって完全に取り囲まれている層59の上に置かれた後に、源38は、その付勢電源に繋がれる。それから、冷却気体が、弁35を開くことによって導管34に供給される。
【0034】
ワークピース32は、チャック電極36に電気的に繋がれ、チャックを通って垂直に延び、チャック上面の上に持ち上げられる一式の垂直に駆動される金属の持ち上げピン(図示せず)にワークピースを届けるロボットアーム(図示せず)によってチャック30の上に置かれる。ワークピース32がガラスであるため、ワークピース底面は電極36および持ち上げピンの電圧とは無関係の電圧である。ピンが引き下げられると、ワークピース32は絶縁物59の上に載り、ピンから間隔をあけ置かれる。処理が完了した後、小さい締め付け力がチャック30によってワークピース32にかけられている間、ときどき、ワークピースはピンをワークピースに対して持ち上げることによってチャックから取り外される。それから、ピンは、処理されたワークピースをロボットアームへ戻す。
【0035】
露呈された面は実質的にはチャンバ10内の基準電位でイオンに接触するため、電荷層58は、ガラスワークピース32の露呈された上面の上に形成される。その結果、層58は、チャンバ10の接地電圧に近い基準電位である。源38がオンにされ、開閉器61が閉じられると、電流が端子40から電極36に流れ、変位電流が絶縁層59およびガラスワークピース32を通って電極36から流れ、電流はチャンバ10内のプラズマを通してワークピース32の露呈上面からチャンバ壁部に、それから源38の接地端子42へ、流れ、回路を完了する。この電流の流れは、電極36とワークピース32の上面の間に形成されるコンデンサの誘電体の充電を生じさせる。源38の電圧は、電極36とワークピース32の上面の間に形成されるコンデンサの誘電体上の電荷がワークピース32と電極36の間に、ワークピースをチャック30に締め付けるほど十分な引力を生じさせるほど高い。
【0036】
源38の電圧は、ワークピース32の厚さ全体の電荷がワークピース(つまり基板)を絶縁層59の上面53に締め付けるためにワークピース全体で引力を生じさせるほど十分に高い。ガラス誘電ワークピース32を締め付けるために必要とされる源38の電圧の値(典型的には約5000ボルト)は、モノポール静電クランプに半導体または金属ワークピースを締め付けるために必要とされる電圧よりはるかに高い。高い電圧は、ワークピース32および絶縁層59の厚さ全体で電極プレート36からワークピースの露呈面上の電荷層への締め付け圧力を確立するために必要である。通常、ワークピース32にかけられる締め付け力は、導管34を通って流れるHeによってワークピースの背面にかけられる力の約2倍である。
【0037】
低抵抗性および中間抵抗性のガラスワークピースの場合、処理完了時に電荷および電圧が、ワークピース32上に留まる傾向がある。ピンがワークピースをチャック30から持ち上げるに時に、電荷および電圧がガラスワークピース上に残っている。ガラスワークピース32はチャック30から完全に解放されず、処理プラズマが前記電気回路を完了するように存在するときには、電荷はガラスワークピースの底部で閉じ込められ、イメージ電荷が上部および電極36の上で形成する。イメージ電荷は、イメージ電荷がワークピース32の底面上で閉じ込められている電荷に引き付けられるために電極36上にある。
【0038】
プラズマがワークピース上面を基準電圧に維持するようにチャンバ10内にある間に、ワークピース32がチャック30から持ち上げられる時に、電極とワークピース底面間のキャパシタンスが低下するために、電荷は電極36とワークピース上面の間で伝達される。その結果、ピンがガラスワークピースをチャック30から持ち上げるにつれて、電流パルスが電極36とガラスワークピース32の底面の間で流れる。
【0039】
電流パルスの振幅は、プレート36と源38の端子40の間で繋がれる電流計によってモニタリングされる。メータ61のピーク読取り値は、ピンがチャック30からワークピースを持ち上げる時、残留電圧およびワークピース32上の電荷に正比例する。代わりに、メータ61によって感知される電流の瞬時の振幅は、ピンがワークピース32を持ち上げ始めてから数マイクロ秒後に開始し、パルスが終了する前に終了する所定の期間検出される。前記メータ61の瞬時の出力は前記期間中に積分される。コンピュータシステム64が、ピーク振幅を決定するか、あるいはメータ61によって感知される電流の値を積分する。後述されるように、続いて処理される少なくとも1つのガラスワークピース32がチャック30から取外される間にチャック30がこの様なワークピースに加えるクランプ力を制御するために、コンピュータシステム64はメータ61の読みに応答する。
【0040】
マイクロプロセッサ66、ランダムアクセスメモリ(RAM)67、および読取専用メモリ(ROM)68を含むコンピュータシステム64が、r.f.源26および整合ネットワーク28の反応インピーダンスをオン、オフすることだけではなく、源38によって引き出される時間変化電圧の振幅、弁21、35、および39の開閉も制御する。マイクロプロセッサ66は、ROM68に記憶されているプログラムに対して、RAM67に記憶されている信号値に対して、および弁21,35、39、高電圧源38、およびr.f.源26を制御するために電流計61によって感知されるパルス内の電流の振幅に対して応答する。さらに、マイクロプロセッサ66は、整合ネットワーク69のリアクタンスを制御するために、適切な変換器(図示せず)から引き出されるように、(1)源26の出力電力および(2)源に反射し直される電力の値に呼応する。源26の付勢だけではなく源38、弁21、35および39を制御するためにROM68の中に記憶されている動作も前述されている。整合ネットワーク28のリアクタンスの制御を除く、マイクロプロセッサ66によって実行される動作も手動で実行することができる。
【0041】
フラットパネルディスプレイに使用されるさまざまな種類のガラスワークピースは、チャック30からのガラス基板32のチャック解除に影響を及ぼす、抵抗性およびキャパシタンスなどの異なる受動的な電気特性を有する。高抵抗性ガラス誘電基板32は、チャック30に締め付けられるとき、源38によってチャックにかけられる電圧がゼロに削減されると基板から容易に解放される。前述されたように、私達は、低抵抗性誘電ワークピースおよび中間抵抗性誘電ワークピース32が、チャックに印加される高電圧がゼロに削減されるときにチャック30から解放されないことに気付いた。特に、異なる抵抗性は、ガラス誘電ワークピースの中に蓄積される電荷に影響を及ぼし、チャック30からワークピースを迅速に取り外す能力に悪影響を及ぼすことがある。
【0042】
図4a、図4bおよび図4cは、それぞれ(a)(金属プレート36および絶縁物層59を含む)チャック30および締め付けられたガラス誘電ワークピース32の断面図、(b)図4aの構造のほぼ同等な回路図、および(c)図4aの構造の近似回路図である。金属プレート36とガラス32間の絶縁物59を備えることに加えて、図4aに示されている構造は、絶縁物上面とガラスワークピース32底面の間の真空隙間を含む。隙間は、多くの場合ジョンセン−ローベック(Johnsen−Rahbek)隙間と呼ばれる。絶縁物59、隙間およびガラスワークピース32は、それぞれdA、dJRおよびdGという既知の近似厚さを有する。絶縁物59、隙間およびガラスワークピース32のそれぞれのDC源38に対するインピーダンスは、抵抗器と平行のコンデンサとして表すことができる。キャパシタおよび抵抗は、それぞれ、電極プレート36の上面と絶縁物層59の上面の間のキャパシタンスおよび抵抗の場合CA、RA、絶縁物層59の上面とガラスワークピース38の、つまりジョンセン−ローベック隙間の底面の間のキャパシタンスおよび抵抗の場合、CJR、RJR、およびガラスワークピース32の上面と底面の間のキャパシタンスおよび抵抗の場合CG,RGによって図4bに表されている。絶縁物59、ジョンセン−ローバック隙間およびガラスワークピース32の平行な同等な受動回路構成部品は、互いにとって直列接続されている。隙間ワークピース32の上面は、チャンバ10内のプラズマのほぼ基準(つまり、接地)電圧である。絶縁層59の底面は、源の抵抗に等しい、電極プレート36と抵抗器R0を通して、DC源38の電源電圧(VESC)に接続される。ワークピース32の底面は、処理中、源38の電圧とワークピースの露呈面との間のいくらかの電圧になっている。
【0043】
表1に関して前述されたように、中間ガラスワークピースおよび低抵抗性ガラスワークピースの場合、ジョンセン−ローベック隙間抵抗は、絶縁物層59の抵抗よりはるかに大きく、絶縁物層59は、順に、誘電ガラスワークピース32の抵抗より大きい。チャック30から低抵抗性ガラス誘電ワークピースおよび中間抵抗性ガラス誘電ワークピースをチャック解除する上で関連する重要な時間尺度の場合、絶縁物層59とジョンセン−ローべック隙間30の組み合わせは、絶縁物抵抗(RA)および絶縁物キャパシタンス(CA)にほぼ等しい抵抗およびキャパシタンスを有する単一層として処理することができる。
【0044】
これは、図4cに示されているほぼ同等な回路につながり、そこでは絶縁物59のキャパシタンスCAと抵抗RAの平行組み合わせは、ガラスワークピース32のキャパシタンスCGおよび抵抗RGの平行な組み合わせと直列である。図4cの直列組み合わせ、つまりRAと平行なCAおよびRGと平行なCGは、抵抗器R0、源38の抵抗と直列である。(図4Cの回路構成要素および結果として生じる計算は、実際には当てはまらないオーム(Ohmic)としてワークピース32および絶縁物59の抵抗を処理するため近似である。しかしながら、図4Cの回路構成要素および結果として生じる計算は、それらが、源38の電圧がチャック30に印加されなくなったときに高速と低速の時間定数および電圧極性逆転があることを示すため、有効であるほど十分に正確である)。
【0045】
源38からの電流が、それぞれ(1)抵抗器R0 に亘る、(2)金属プレート36の上面とガラスワークピース32の底面の間(つまり、絶縁物層59に亘る)、および(3)ガラスワークピース32に亘るものである時間変化電圧V0、VA、およびVGを確立する。源38によってプレート36を含む静電チャック、絶縁物59およびガラス誘電ワークピース32に印加される電圧は、
VESC=(V0+VG+VA+Vplasma)
であり、この場合Vplasmaは、プラズマがガラス絶縁基板32の上部露呈面に加える電圧である。
【0046】
ガラスワークピース32にかけられる締め付け力は、
F=εoK2 AV2 A(t)A/2d2 A …… (1)
であり、この場合kAは絶縁物層59の誘電定数であり、εoは自由空間の誘電率であり、Aは絶縁物層59の上面の面積に実質的に等しいガラスワークピース32の底面の面積である。
【0047】
VESCのステップ電圧遷移を引き起こす源36のステップ電圧変更に応えて、VA(t)の値は、
VA(t)=CA +exp(−A+t)+CA -exp(−A-t)+VA ∞ …(2)
であり、この場合、
A±=(fGrG+fArA±s)/2
CA ±=[A±(VA ∞−VAo)+fA(rAVAo+VGo−VESC+Vplasma)]/(±s)
fG=1/(CGRo)、fA=1/(CARo)、rG=(1+Ro/RG)、rA=(1+Ro/RA)
s=sqrt((fGrG−fArA)2+4fGfA) (sqrtは、平方根を示す。)
VA ∞=V2(t→∞)、VAo=VA(t=0)、VGo=VG(t=0)
時間定数τ+=1/A+は、典型的には1秒未満であり、外部抵抗R0を通して直列組み合わせキャパシタンス(CG×CA)/(CG+CA)を充電することに対応する。時間定数τ+は、(VG+VA)によって定められる同等な回路の総電圧の変化を支配し、ワークピース32に対するチャック30の適切なオン時間である。時間定数τ+に伴い発生する変化は、キャパシタンスCAとCGの両方を通した変位電荷の等しい量の動きを含む。
【0048】
静電チャック30および誘電ワークピースの放電時間定数、τ-=a/A-は、抵抗器R0、RA、およびRGを通る直列コンデンサCGおよびCAの上への電荷の自由な流れのためである。放電時間定数τ-は、(1)絶縁物59またはガラスワークピース32の抵抗の小さい方、および(2)絶縁物59またはワークピース32のキャパシタンスの大きい方の積にほぼ等しい。小さい方の抵抗および大きい方のキャパシタンスは、それぞれRGおよびCAである。中間抵抗ワークピースの積RGCAは、典型的にはτ+より数桁大きい。τ-は、通常、ガラス基板32の静電チャックに対する締め付け力の漸次的な増加、およびソース38の電圧がゼロに低下した後にチャック30によってワークピース32にかけられる残留締め付け力の消失を支配する時間定数である。
【0049】
2個の時間定数τ+およびτ-の影響は、図5の波形、正のステップ変化の後の0<t<120秒の場合、VESC=0VからVESC=800Vへ、および120秒後のVESC=800からVESC=0へのステップ変化の時間の関数としての電圧VGおよびVAの分析解によって示されている。図5の場合、CAはCGより20倍大きく、RAはRGより数桁大きく、時間定数τ+は0.04秒であり、時間定数τ-は20秒である。これらの構成要素および時間定数の値は、市販されているフラットパネルディスプレイに使用されるある特定の中間抵抗性ガラスの場合の40℃という温度用である。ワークピース32の露呈面が接地している間に800Vレベルが絶縁物59に印加されると、電圧総計(VG+VA)は時間定数τ+に伴い急激に800Vまで上昇する。VGとVA間の初期の電圧分割は、容量性分圧器比率によって確立される。800Vソースの初期の投入後、Vcは低下し、締め付け電力VAは、時間定数τ-に伴いガラスワークピースおよび絶縁物の分圧器値値に向かって上昇する。t=120秒のとき、ESC電圧はオフ、つまりESC=0にされ、総計電圧は時間定数τ+に伴いゼロに急速に減少する。小さい方の積CA×RAまたはCG×RGのあるコンデンサCAまたはCGでの電圧は、小さい方の時間定数τ+とともに極性を変更し、それから両方のコンデンサでの電圧が長い方の時間定数τ-に伴い消失する。
【0050】
フラットパネルディスプレイの製造で使用されるさまざまなガラスの抵抗性は(表1に示すように)5桁以上変化するので、時間定数τ-もきわめて可変であり、すべての種類のガラスに対して1つのチャック解除手順が有効なわけではない。
【0051】
チャック30に締め付けられている低抵抗性ガラスワークピースおよび中間抵抗性ガラスワークピースの場合RACA>RGCGであるため、電極36によって絶縁物59を通ってこのようなワークピースの底面に印加される締め付け電圧VAは、チャック30が源38によって一定の振幅DC電圧を供給された後に時間とともに上昇する。適切なチャック解除時間を達成するためには、プラズマによるワークピース処理中に、導管37を通って流れる冷却流体の力に逆らってワークピース32を元の場所に膠着したままとするのに十分なほぼ一定の値で締め付け電圧VAを維持することが望ましい。これは、ワークピースが締め付けられた後に源38によってチャック30に適用される電圧の値を、時間の関数として削減することによって達成することができる。
【0052】
理想的には、誘電ガラスワークピース32の処理中にチャック電圧V A およびチャック力を実質的に一定に保つために、源38によって得られるV ESC の値は指数関数的に低減することが好ましい。しかしながら、指数関数をROM38にプログラムすることは幾分難しく、高圧源の振幅を時間とともに指数関数的に低減する関数のように制御することも幾分難しい。指数関数的に減少する電圧およびそれによって達成される効果は、源が、ガラス誘電ワークピース32のチャンバ10内でのプラズマによる処理中に時間で分けられた低下するステップ電圧を導出するように、マイクロプロセッサ66に源38を制御させるプログラムを記憶するROM68によって大部分近似することができる。例えば、処理中に急激に低下する電圧は、ガラス誘電ワークピース32処理の最初の15秒間にプレート36に−1500ボルトという電圧を初期に印加する源38によって近似することができる。それから、ROM68は、ワークピース処理の15秒と45秒の間に存在する期間、−800ボルトまで源38の出力電圧を低下させるためにマイクロプロセッサ64を制御する。それからROM68は、処理時間の45秒から75秒の間隔中に源38の電圧が−600ボルトに低下するように、マイクロプロセッサ66を制御する。処理時間の75秒後、ROM68により、マイクロプロセッサ66は、源38の出力電圧を−500ボルトに低下させる。約60秒の期間を有する相対的に短いプロセスを使用して、このような処理シーケンスは、絶縁物59内の溜められている締め付け電荷を、ガラスワークピース32を損傷なく絶縁物から持ち上げることができるほど十分に低くすることができる。このプロセスは、特に、中間抵抗性ガラスワークピースに適用できる。高い抵抗性のガラスワークピースは、プログラムされた電圧源を利用する必要はなく、従来の技術による定電圧技法がチャック解除の目的に適している。
【0053】
追加実施形態に従って、源38の電圧は、チャック30がワークピースに加えるクランピング力がほぼ一定となるように、ワークピース32が処理中である間、連続して制御される。このような結果は、ワークピース32の背面に対する導管34を通って流れるヘリウムクーラントの流量を一定に、設定されたポイント値に維持するために源38の電圧を制御することによって達成され、それによって締め付け力は、ワークピース処理中実質的に一定である。
【0054】
この目的のため、流量センサー70が、バルブ35と穴55の間のヘリウム導管34で接続される。センサー70は、例えば、数秒などの相対的に長い時間間隔で平均化されるようなヘリウム流量に比例する信号を作成する。センサー70の平均化された出力は、実際上、チャック30がワークピース32に印加するチャック力を示す。信号は、それがROM68に記憶されている事前設定流量信号値と比較されるマイクロプロセッサ66の入力に供給される。比較の結果、ワークピース処理中にワークピース32に適用される締め付け力チャック30をほぼ一定に維持するために電源電圧が変えられるように、マイクロプロセッサ66が源38に連続して適用する相対的に長い時間定数制御が生じる。マイクロプロセッサ66は、比較から生じる誤差(差異)信号を比例積分微分(PID)制御装置に適用することによって、好ましくは、源38の電圧を制御するためにプログラムされる。短い時間定数制御は、基板32の背面上でヘリウムガスによって実行されるガス圧力に呼応して従来の圧力センサー(図示せず)によって提供される。マイクロプロセッサ66と組み合わされる圧力センサーは、弁35および線路34に供給されるヘリウムガスの圧力を制御する。
【0055】
センサー70の出力信号に応えた源38の電圧の制御は、ヘリウム流量が(1)ワークピース32でのチャック30による締め付け力の増加に応えて減少し、(2)ワークピース32でのチャック30による締め付け力の低下に応えて増加するという理解に基づいている。源38が、チャック30に一定DC電圧を初期に印加するとすぐに、ワークピース32にかけられる締め付け力が急激に高まり始め、導管34を通るクーラントの流量を低下させる。低下した流量は、センサー70によって検出され、マイクロプロセッサ66に、ソース38が、締め付け力がほぼ一定のままとなるようにチャック30に適用するDC電圧を低下させる。動作は、ワークピースが処理される時間中、このようにして続行される。
【0056】
多くの中間抵抗性ガラスワークピースおよび低抵抗性ガラスワークピース、特にプラズマによって1分より長く処理されるワークピースの場合、処理間隔の完了時にワークピースに蓄積される電荷は、たとえ源36によってワークピースに供給される電圧が時間の関数として低下したとしても、ワークピースがピンによってチャック30から取り外されるのを防ぐほど十分に大きいらしい。これらの状況においては、ワークピースの処理が完了した後、およびワークピース露呈面での電圧がほぼゼロとなるように、低い電力プラズマがチャンバ10内にある間に、ROM68はマイクロプロセッサ66を起動し、源38に、端子40に供給された電圧の極性に反対の極性を有するDC電圧を供給させる。反対の、つまり逆の極性電圧は、源36の電圧が処理中に削減された後に印加される。
【0057】
第2実施形態に従って、源38によって端子40に供給される逆の極性電圧の振幅は、+4000ボルトなどの相対的に高い値で事前に決定される。+4000ボルトという値は、源36の電圧が処理中、実質的には−1500V、−800V、−600Vおよび−500Vである状況に適用可能である。逆の極性の電圧規模は、VA(電極36の上面とガラスワークピース32の底面の間の電圧)がゼロとなり、それによりVG(ガラスワークピース32の上面と底面の間の電圧)の多大な上昇を引き起こすように選択される。
【0058】
逆の極性電圧の規模は、絶縁物59およびガラスワークピース32の相対的なインピーダンスが、源38の電圧の5%から10%だけがコンデンサCA全体で作成されるようであることを念頭に置いて、この結果を達成するほど十分でなければならない。このチャック解除方法は、定期的なチャック解除時間定数τ-が非常に長いときのケース用である。非常に長い時間定数τ-は、例えば、ガラスワークピースが高温処理中に膠着する場合に発生できる。高温はワークピース抵抗を削減し、このようにして、膠着/チャック解除時間定数をさらに低い温度での場合よりさらに速くする。しかしながら、処理後、チャック解除を、はるかにゆっくりとした時間定数を生じさせるさらに低い温度で発生させるプラズマは消される。例えすべてのコンデンサでのすべての電荷が時間定数τ-に伴いゼロまで消失するのに非常に長い時間を要するとしても、任意の1つの特定のコンデンサでの電圧は、依然としてその他のコンデンサでの電圧を上昇させるという犠牲を払って、高速時間定数τ+でゼロに削減することができる。しかしながら、この方法は、(この同等回路モデル内での)電圧VAだけが直接膠着力に関係するため、膠着したワークピースを解放するために使用することができる。このチャック解除方法にとって、τ+より長い時間以外に、逆の極性電圧が印加されなければならない任意の特定の時間の長さはない。
【0059】
コンデンサCA全体での電圧がゼロに低下した後、チャンバ10のプラズマはマイクロプロセッサ66閉鎖弁21およびオフ切り替えr.f.源によってオフにされる。それから、マイクロプロセッサ66は、電極36が依然として電圧源38に接続されている間に、1ミリトル未満(好ましくは、少なくとも約1ミリトル未満)の圧力までチャンバ10を吸引するためにポンプ(図示せず)を起動する。これにより、プラズマを通ってチャンバ壁12までの回路が破壊される。それから、マイクロプロセッサ66は、源38の電圧にゼロに削減されるように命令する。電圧VAの値はゼロのままとなり、電圧VGの値は相対的に大きいままとなる。
【0060】
それから、マイクロプロセッサ66は、持ち上げ装置ピンに、チャック30からガラスワークピース32を取り外すように命令する。電圧VG(ガラスワークピース32の上面と底面間の電圧)は、ピンがチャック30からワークピースを持ち上げた後までもきわめて高いままとなる。それから、マイクロプロセッサ66は、チャンバ10での不活性プラズマの形成を引き起こすことによって電圧VGの値を実質的にゼロまで削減させる動作を実行する。プラズマは、好ましくは、例えばアルゴンなどの不活性イオン化可能ガスをチャンバ10の中に入れ、整合ネットワーク28およびコイル24を介して源26から気体に対しr.f.フィールドを適用することによって形成される。代わりに、持ち上げられたワークピース32での電荷は、チャンバ10内でのDCタウンゼント放電に点火することによって除去される。
【0061】
ステップは、ワークピース36が、電極32に印加される源36のチャック電圧がゼロに削減される前に、チャック30から取り外されるように整理することができる。それから、ピンが、逆の極性電圧が、コンデンサCAの電圧をほぼゼロにさせるのに十分な長さの時間の間オンであったときに、チャック30からガラス基板32を持ち上げる。源38の電圧が過去にゼロまで削減されなかった場合には、源の電圧はそれからゼロに削減される。
【0062】
第1の逆の極性実施形態においては、逆の極性の電圧が、実質的に等しい電荷がコンデンサCAとCGに存在する、つまり(絶縁物59の底面とワークピース36の底面の間の体積によって定められる)コンデンサCAと(ワークピース32の底面と上面の間の体積によって定められる)コンデンサCGの間に電荷の均衡状態が存在するまで源38によってプレート36に供給される。コンデンサCAおよびCG全体でほぼ等しい電荷があるとき、コンデンサCA全体での電圧はVA=VGCG/CAである。ROM68は、VA=VGCG/CAのときに、マイクロプロセッサ66が、端子40での源38の電圧を端子42での接地電位まで削減するようにプログラムされている。端子40での電圧がゼロに削減された後に、電圧VAおよびVCは、短い時間定数τ+で迅速に消失する。
【0063】
RG、RA,CG、およびCAの求められた値に基づき、VAの値は、異なる抵抗性およびキャパシタンスを有するガラスワークピースに関して計算される。VAの計算値から、時間期間は、ワークピース処理完了時に、端子40での逆の極性電圧40のさまざまな値に関して均衡のとれた電荷状態に到達するために計算される。これらの時間はROM68に記憶され、逆の電圧が源38によって端子40を介してプレート36に印加される時間の長さを制御するためにマイクロプロセッサ66に供給される。例えば、印加された逆の電圧が4,000ボルトという大きさを有する場合、CGおよびCAの電荷の等化はある特定のガラスワークピースの場合53秒で達成される。53秒では、このようなワークピース32の上部面と下部面間の電圧は約−3,830ボルトであるが、絶縁物59の下部面とワークピースの下部面の間の締め付け電力は約−170ボルトである。電荷の等化が発生すると,マイクロプロセッサ66は、源36の電圧をゼロに削減し、締め付け電圧VAは迅速にゼロまで放電する。それから、持ち上げピンがチャック30からワークピース32を取り外す。
【0064】
電荷均衡実施形態は、特に低抵抗性ガラスワークピースに適用可能である。逆の極性の電圧は,ワークピースが膠着するのを妨げるほど十分に長い時間の間持ち上げられる。電荷均衡逆極性実施形態は、充電時間定数τ-に関連する。
【0065】
電荷均衡実施形態においては、電圧は、逆の極性プロセスの開始時に、電圧の比率|VESC|/VAにほぼ等しい。比率|VESC|/VAは、キャパシタンス比率CA/CGほど高い場合がある。したがって、電荷均衡逆極性プロセスは、チャック解除動作の時間の長さを10倍または20倍という係数で低下させる。低抵抗性ガラスワークピースの場合、これは、ワークピースが、ほぼ1,000秒の代わりに、約50秒以内に解放されることを意味する。しかしながら、電荷均衡逆極性プロセスは、中間抵抗性を有するガラスワークピースにとっては過剰に長い。
【0066】
第1の逆極性実施形態での逆の極性の電圧は、好ましくは、ワークピース32がチャック30から持ち上げられるにつれて、(絶縁物59の下部面とワークピース32の下部面の間の)コンデンサCAでの締め付け電荷の量によって制御される大きさを有する。ある特定のバッチ内でのガラスワークピースの受動的な電気パラメータが類似しており、抵抗性がワークピース温度の関数であるため、ワークピースがチャック30から持ち上げられる時点でのある特定のワークピースのコンデンサCAでの電荷量は、好ましくは、次に処理されるワークピースのためにチャック30に源38によって印加される逆の極性の電圧の振幅を制御する。事実上、ある特定のワークピースがチャック30から取り外される時点でのコンデンサCAでの電荷は、次の複数の(例えば、約10までの)ワークピース32のチャック30からの取外しの間の逆の極性の電圧の大きさおよび/または期間を制御するために使用することができる。
【0067】
ある特定のワークピース32がチャック30から持ち上げられる時点でのコンデンサCAの電荷をモニタリングするため、不活性r.f.プラズマがチャンバ10にある間に持ち上げピンがチャック30から該特定のワークピース32を取り外す一方で、電流計61は、端子40およびチャック30のプレート36を通って流れる電流パルスに応える。不活性r.f.プラズマは、プラズマ処理が完了し、処理プラズマが消えた後に、チャンバに適用される。マイクロプロセッサ66は、1つまたは複数のそれ以降の逆の極性の電圧ステップの間に印加される帯電量を制御するために、メータ61によって検出されるピーク電流パルス振幅または統合電流に応える。メータ61が逆の電圧電荷を制御した前回を基準にした逆の極性の電圧によって適用される電荷差異の量は、メータ61が、メータ61の前に検出された読取り値を基準にして検出する電流に反比例する。
【0068】
第1実施形態においては、メータ61の読取り値が、逆の極性の電圧の振幅および/または逆の極性の電圧がソース38によってチャック30に印加される時間の長さを制御する。理想的には、基板が完全にチャック解除されたのであれば電流は流れない。最も最近のピーク電流が、直前のピーク電流を基準にして振幅を増加すると、マイクロプロセッサ66は適用される逆の電圧の振幅および/または逆の電圧が印加される時間の長さを増加する。しかしながら、最も最近のピーク電流が、直前のピーク電流を基準にして振幅で負である場合には、マイクロプロセッサ66は、印加された逆の極性の電圧の振幅、および/または逆の極性の電圧がチャック30に印加される時間の長さを低下させる。
【0069】
低抵抗性誘電ガラスワークピースおよび中間抵抗性誘電ガラスワークピースの電気抵抗性は、表1(前記)に示されるようなワークピース温度に強く依存する。図6は、温度の関数としての典型的な中間抵抗性ガラスの放電時間定数τ-のプロットである。抵抗性は、ガラスワークピース温度が10℃上昇するたびに約2.5倍低下するため、暖かいガラスワークピースは、チャックに対する同じ初期力によって膠着されている冷たいガラスワークピースよりさらに迅速にチャック解除する傾向がある。この現象を利用するために、ワークピース温度は、チャック解除が完了するまで、高レベルでほぼ一定に維持されるか、あるいはワークピース処理の完了時でいくぶん高められる。
【0070】
ワークピース32の処理中、プラズマはワークピース温度を、80℃などの相対的に高い値に上昇させる。80℃では、ガラスワークピース32は、ガラスが20度などのさらに低い温度で有するより著しく低い抵抗性を有する。しかしながら、ワークピース32の処理の完了には、ROM68が、マイクロプロセッサ66に、チャンバ10内でのプラズマを消すために、処理ガス供給導管での弁21の閉鎖およびr.f.源26の遮断が伴う。プラズマが消されるため、ワークピース32の温度は低下する傾向がある。
【0071】
ワークピース処理が完了した後に、ワークピース32を高められた温度で維持するために、ROM68は、マイクロプロセッサ66に、マイクロプロセッサに、プラズマ消火と実質的に同時にヘリウム冷却線路34の弁35を閉鎖させる信号を供給する。ヘリウムがチャックの中に流れ込まないときには、ワークピース32とチャック30の間の熱接触は不十分であるため、ワークピースは、それが処理の終了時に有していた相対的に高い温度および低い電気抵抗性のままとなる。低い電気抵抗性は、逆極性手順中のチャック30からのワークピース32のチャック解除を改善する。
【0072】
逆の極性手順が第2実施形態に関して完了した後、およびピンがワークピース32をチャック30の上に配置する間、ワークピース32の上面と底面間の電荷は、前述されたように、数秒間低い電力不活性プラズマをオンにすることによって除去される。ワークピース32全体での電荷も、数ミリトルという圧力でのアルゴンまたは酸素などのイオン化可能な気体を弁21を解してチャンバ10内に入れることによって、ガラスワークピースの表面全体でDCタウンゼント放電を確立することによって、このようにして消失することができる。第1の逆の電圧実施形態の場合、ピンが、ワークピース上面と底面の間の電荷を除去するためにワークピースを持ち上げる間、プラズマはオンである。
【0073】
説明され、示された本発明の特定の実施形態があったが、特に示され、説明される実施形態の詳細での変化が、添付クレームに定められるように本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく加えられてよいことは明らかだろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ガラス誘電シートワークピースを所定の場所に保持するための静電チャックを含む真空プラズマプロセッサの概略図である。
【図2】 ガラス誘電シートワークピースと組み合わされて、図1のプロセッサで使用されるように特に適応されるモノポール静電チャック実施形態の側面断面図である。
【図3】 ガラス、静電シートワークピースが所定の場所にない図2に示されている構造の平面図である。
【図4】 それぞれ、ガラス誘電ワークピースを締め付けるモノポール静電チャック、ワークピースを締め付けるチャックの同等な回路、およびワークピースを締め付けるチャックのほぼ同等な回路の断面図である。
【図5】 中間抵抗性ガラスワークピースを締め付けることを含む、本発明のある実施形態を説明する上で有効な波形である。
【図6】 典型的な中間抵抗性ガラスワークピースの温度の関数としての放電時間定数(τ-)の近似同等プロットである。
【図7】 本発明の追加実施形態の部分概略図であり、そこでは処理中にチャックに印加される電圧は、クーラントの流量定数を維持するために制御される。
Claims (15)
- 電極(36)付きの静電チャック(30)を有する真空プラズマプロセッサチャンバ(10)でワークピース(32)を処理する方法であって、ワークピースをチャックに適用すること、DCチャック電圧(38)を前記電極に適用することによってチャック上にワークピースを保持すること、(a)DCチャック電圧が前記電極に印加され、且つ(b)ワークピースがチャック上にある間にチャンバ内のプラズマでワークピースを処理すること、ワークピースの処理が完了した後、およびチャックがワークピースに実質的に力をかけない間にチャックからワークピースを取り外すこと、ワークピースがチャックから取り外されるときにチャック内を流れるチャック電流(61)をモニタリングすること、前記モニタリングの際に処理されたワークピースに続いて処理される少なくとも1つのワークピースのために、前記モニタリングされた電流に応じてチャックの前記電極に印加される逆極性のDC電圧を制御することを備える。
- 前記チャックに印加されるDCチャック電圧(38)が、第1極性を有し、前記チャックに印加されるDCチャック電圧が、前記取外しステップ前に第2極性に逆転される請求項1に記載の方法。
- 前記制御ステップが、前記逆極性のDC電圧の大きさを制御することを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記制御ステップが、前記逆極性のDC電圧を印加する時間を制御することを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記モニタリングされる電流が、ワークピースがチャックから取外されるときにチャックを流れる電流パルスのピーク値である、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記モニタリングされる電流が、ワークピースのチャックからの取り外しの間の所定期間中にチャック内を流れる電流の積分値である、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記逆の電圧が、ワークピースがチャックからチャック解除され、再びチャックされないようになっている、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- チャックがワークピースにかける静電力がDC電圧が一定である場合に時間が進むにつれて増加する傾向を有し、静電力がワークピース処理中に実質的に一定のままとなるようにワークピース処理中にDCチャック電圧が低下するように、チャックおよびワークピースが構成されている請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- ワークピース処理中にチャックを通して流体(34)をワークピースに対し作用させることをさらに含み、流体がチャックを基準にしてワークピースを移動させる方向に作用し、チャックによってワークピースに印加される正味の力が流体力と静電力の組み合わせであり、ワークピースに作用する流体の流量をモニタリングすることにより前記正味力をモニタリングすることを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記流体が、ワークピース温度を制御する熱交換流体である、請求項9に記載の方法。
- 前記DCチャック電圧が、ワークピース処理中に値の全範囲に亘って低下する、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- 前記時間が進むにつれて値の全範囲に亘って低下するDCチャック電圧が、連続して低下するとともに所定の底を有する指数関数に近似している、請求項11に記載の方法。
- 前記時間が進むにつれて値の全範囲に亘って低下するDCチャック電圧の値が、所定の底を有する指数関数に近似して段階的に低下するようになっている、請求項11に記載の方法。
- ワークピース処理中にチャックがワークピースにかける力をモニタリングすること(70、64)、およびモニタリングされる力に応じて、前記値の全範囲に亘って低下するDCチャック電圧を導出する(64,38)ことをさらに含む、請求項11から13のいずれかに記載の方法。
- 請求項1から14の何れかの方法を実行するための装置。
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US20070211402A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate attracting method, and storage medium |
US9275887B2 (en) * | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
US7728697B2 (en) * | 2006-09-26 | 2010-06-01 | Mg Materials Corporation | Systems and methods for electrically reducing ferroelectric materials to increase bulk conductivity |
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TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
TW201005825A (en) * | 2008-05-30 | 2010-02-01 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and method |
WO2010030718A2 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for monitoring and controlling a plasma process with an ion mobility spectrometer |
KR100903306B1 (ko) * | 2008-10-08 | 2009-06-16 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치 |
US8313612B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
CN101872733B (zh) * | 2009-04-24 | 2012-06-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法 |
CN102449754B (zh) | 2009-05-15 | 2015-10-21 | 恩特格林斯公司 | 具有聚合物突出物的静电吸盘 |
US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
KR20120073227A (ko) * | 2009-09-10 | 2012-07-04 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 위치 및 포텐셜에 대한 플라즈마 시그널링의 커플링에 기초한 플라즈마 디척킹 최적화를 위한 방법 및 장치 |
US20110060442A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Valcore Jr John C | Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber |
US8797705B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-08-05 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential |
US9025305B2 (en) | 2010-05-28 | 2015-05-05 | Entegris, Inc. | High surface resistivity electrostatic chuck |
US8906164B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-12-09 | Lam Research Corporation | Methods for stabilizing contact surfaces of electrostatic chucks |
US8580693B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Temperature enhanced electrostatic chucking in plasma processing apparatus |
US8832916B2 (en) * | 2011-07-12 | 2014-09-16 | Lam Research Corporation | Methods of dechucking and system thereof |
US8520360B2 (en) | 2011-07-19 | 2013-08-27 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
US10069443B2 (en) * | 2011-12-20 | 2018-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dechuck control method and plasma processing apparatus |
US9101038B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-08-04 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping |
US10002782B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough |
CN105590890B (zh) * | 2014-10-21 | 2019-03-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电夹盘表层电荷的中和方法 |
CN107534002A (zh) | 2015-02-25 | 2018-01-02 | 康宁股份有限公司 | 用于将衬底静电地卡紧到移动载体的装置和方法 |
CN106571317A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种晶片粘片处理方法和装置 |
CN106571316A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种晶片粘片处理方法和装置 |
JP7138418B2 (ja) * | 2017-09-04 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 脱離制御方法及びプラズマ処理装置 |
US10546731B1 (en) | 2018-10-05 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Method, apparatus and system for wafer dechucking using dynamic voltage sweeping |
WO2022168368A1 (ja) * | 2021-02-04 | 2022-08-11 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びその製法 |
JP7060771B1 (ja) * | 2021-02-04 | 2022-04-26 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
WO2023049012A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | Lam Research Corporation | Remote plasma deposition with electrostatic clamping |
CN114400174B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-10-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4724621A (en) | 1986-04-17 | 1988-02-16 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing chuck using slanted clamping pins |
US5103367A (en) | 1987-05-06 | 1992-04-07 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck using A.C. field excitation |
JP2779950B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US5179498A (en) | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
JPH06103683B2 (ja) | 1990-08-07 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 静電吸着方法 |
US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
US5539609A (en) | 1992-12-02 | 1996-07-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
US5684669A (en) | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US5444597A (en) | 1993-01-15 | 1995-08-22 | Blake; Julian G. | Wafer release method and apparatus |
KR100290748B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
US5366002A (en) | 1993-05-05 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing |
US5557215A (en) | 1993-05-12 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus |
JPH0774231A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその使用方法 |
JP3257180B2 (ja) | 1993-09-21 | 2002-02-18 | ソニー株式会社 | 成膜方法 |
US5463525A (en) | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
TW288253B (ja) | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
US5459632A (en) | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
TW293231B (ja) | 1994-04-27 | 1996-12-11 | Aneruba Kk | |
US5491603A (en) * | 1994-04-28 | 1996-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method of determining a dechucking voltage which nullifies a residual electrostatic force between an electrostatic chuck and a wafer |
US5507874A (en) | 1994-06-03 | 1996-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors |
US5474614A (en) | 1994-06-10 | 1995-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for releasing a semiconductor wafer from an electrostatic clamp |
US5540824A (en) | 1994-07-18 | 1996-07-30 | Applied Materials | Plasma reactor with multi-section RF coil and isolated conducting lid |
JP2976861B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1999-11-10 | 日本電気株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
GB2293689A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-03 | Nec Corp | Electrostatic chuck |
US5708556A (en) | 1995-07-10 | 1998-01-13 | Watkins Johnson Company | Electrostatic chuck assembly |
US5847918A (en) | 1995-09-29 | 1998-12-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
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US5708250A (en) | 1996-03-29 | 1998-01-13 | Lam Resarch Corporation | Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors |
US5764471A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck |
US5793192A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
US5818682A (en) | 1996-08-13 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for optimizing a dechucking period used to dechuck a workpiece from an electrostatic chuck |
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US5894400A (en) | 1997-05-29 | 1999-04-13 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Method and apparatus for clamping a substrate |
US5933314A (en) | 1997-06-27 | 1999-08-03 | Lam Research Corp. | Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks |
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US5880924A (en) | 1997-12-01 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
US5886865A (en) * | 1998-03-17 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck |
US6005376A (en) * | 1998-04-03 | 1999-12-21 | Applied Materials, Inc. | DC power supply |
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US6125025A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
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