JP2626539B2 - 静電吸着装置 - Google Patents

静電吸着装置

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JP2626539B2 JP34303193A JP34303193A JP2626539B2 JP 2626539 B2 JP2626539 B2 JP 2626539B2 JP 34303193 A JP34303193 A JP 34303193A JP 34303193 A JP34303193 A JP 34303193A JP 2626539 B2 JP2626539 B2 JP 2626539B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静電吸着装置に関し、
詳しくはHeガスの流量を検出し、被処理基板の吸着力
を一定に保つ静電吸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、減圧ガス雰囲気下において蒸
着、エッチング等の加工処理を行う際に、ウェーハを保
持する静電吸着装置が使用されてきた。この静電吸着装
置の一例を図5に示す。この図において、真空室13の
上部にはプロセスガスを供給するプロセスガス導入管1
2が設けられ、真空室13の側部には真空排気配管15
が設けられている。真空排気配管15は圧力調整バルブ
16を介して真空ポンプ17に接続されている。
【0003】真空室13の内部には、GNDに接地され
た上部電極14と、上部電極14に対向したステージ2
とが設けられている。半導体ウェーハ等の被処理基板1
が載置されたステージ2の内部には、被処理基板1を静
電吸着するための電極3が設けられている。この電極3
には、静電吸着用の直流電源10およびプラズマ処理用
の高周波電源9が接続されている。電極3に直流電源1
0を印加し、電極3を帯電させることにより、被処理基
板1はステージ2表面に密着する構成となっている。一
方、ステージ2は図示されていないヒータまたは冷却装
置等により一定温度に保たれている。よって、被処理基
板1をステージ2に密着させることにより、被処理基板
1はエッチング等の処理に適した温度に保たれる。
【0004】しかしながら、被処理基板1およびステー
ジ2のそれぞれの表面は必ずしも平坦ではないため、被
処理基板1とステージ2とに間隙が生じ、被処理基板1
の温度分布が不均一となってしまう。そこで、ステージ
2の上部にHe供給ライン4からHe(ヘリウム)ガス
を供給し、被処理基板1とステージ2との間隙に熱伝導
体としてHeガスを充填している。これにより、被処理
基板1とステージ2との間で熱伝導を行われ、被処理基
板1の温度分布は均一になる。He供給ライン4に設け
られた圧力計5および圧力制御装置7は、被処理基板1
とステージ2との間のHeガスの圧力を一定にし、He
ガスによる熱伝導を一定に保とうとするものである。す
なわち、圧力制御装置7は、圧力計5によって検出され
たHeガスの圧力に従い、Heの流量を制御することに
より供給ライン4における圧力を一定に保っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の静電吸着装置にあっては、Heガスの圧力を検出し、
Heガスの圧力が一定となるような制御を行っていた。
しかしながら、このような静電吸着装置にあっては、以
下のような問題が生じていた。
【0006】上述した静電吸着装置においては、直流電
源10の印加電圧は一定に保たれている。本来、印加電
圧が一定であれば吸着力も一定のはずであるが、実際に
は真空室13内のプロセスガスの種類、流量、圧力、お
よび、高周波電源9の印加電圧等に起因して、吸着力が
変動する。このため、被処理基板1の端部とステージ2
との間に隙間が生じ、この隙間からHeガスが真空室1
3へと流出する。真空室13に流出したHeガスは、真
空室13内に生じるプラズマガスの組成を変化させ、こ
の結果、被処理基板に対して所望の処理を行うことがで
きなくなってしまう。
【0007】また、被処理基板1とステージ2との間か
らHeガスが流出することにより、両者の間隙において
Heガスの流れが生じ、間隙内におけるガスの圧力が均
一でなくなる。よって、Heガスによる熱伝導が不均一
となり、被処理基板に対して所望の処理を行うことが不
可能となる。
【0008】なお、隙間の圧力変化を吸着力の変化とみ
なし、吸着力の変化により生ずる被処理基板の温度変化
(冷却状態の変化等)に対応したプロセス制御を行う静
電吸着装置が案出されている(特開平4−359539
号公報)。ところが、プロセスの各パラメータ(真空室
圧力、高周波電極等)を変更してしまうと、被処理基板
の最適処理条件を満足することができなくなる。
【0009】これらの静電吸着装置は、いずれも吸着力
を一定に制御するものではない。このため、被処理基板
1とステージ2との隙間が増大したとしても、隙間から
はHeガスが漏れた状態のままとなる。漏れたHeガス
は、真空室内13のプラズマガスに混入し、加工処理に
悪影響を与える。また、被処理基板1とステージ2との
間にHeガスが流れ、被処理基板の温度が不均一とな
る。さらには、被処理基板1に対して最適な加工処理
(スパッタリング、エッチング等)を行うことができな
くなり、製造された半導体の品質の低下を招いていた。
【0010】そこで、本発明は、静電吸着装置におい
て、Heガスの流量に基づき電極への印加電圧を変化さ
せ、吸着力を一定に保つことにより、上記問題を回避す
ることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
被処理基板が載置されるステージと、電圧を印加される
ことにより帯電し、被処理基板をステージに吸着させる
静電吸着部と、被処理基板およびステージの間隙に熱伝
導ガスを供給するガス供給部と、上記間隙に供給される
熱伝導ガスの流量を検出するガス流量検出部と、ガス流
量検出部により検出された熱伝導ガスの流量に基づき上
記静電吸着部に印加する電圧を制御する制御部とを備え
たことを特徴とする静電吸着装置である。
【0012】 請求項2記載の発明は、請求項1に記載
された要件に加え、上記間隔における熱伝導ガスの圧力
を検出する圧力検出部と、検出された圧力に基づき上記
間隔に供給する熱伝導ガスの圧力を制御する圧力制御装
置とを更に備えた静電吸着装置である。
【0013】 請求項3記載の発明は、請求項1に記載
された要件に加え、上記間隔に供給された熱伝導ガスの
一部を排出するガス排出部を更に備え、上記ガス流量検
出部は上記間隔に供給される熱伝導ガスの流量に代えて
上記間隔から排出される熱伝導ガスの流量を検出する
電吸着装置である。
【0014】 請求項4記載の発明は、被処理基板と前
記被処理基板が載置されたステージとの間を流れる熱伝
導ガスの流量を検出する手段と、所定の流量に対する前
記ガスの流量の変化分に応じて前記被処理基板と前記ス
テージ内の電極との間の吸着力を変化して前記所定の流
量に戻すように制御する手段とを有する静電吸着装置で
ある。
【0015】
【作用】請求項1記載の発明において、静電吸着部は電
圧を印加されることにより帯電し、被処理基板をステー
ジに吸着させる。ガス供給部は、被処理基板およびステ
ージの間隙に熱伝導ガスを供給する。この熱伝導ガスに
より、ステージおよび被処理基板間の熱伝導が行われ
る。ガス流量検出部は、上記間隙に供給される熱伝導ガ
スの流量を検出し、制御部は熱伝導ガスの流量に基づき
静電吸着部に印加する電圧を制御し、吸着力を一定に保
つ。
【0016】例えば、吸着力が低下したとすると、被処
理基板とステージの間の間隙が大きくなり、この間隙か
ら熱伝導ガスの一部が流出する。これにより、供給され
る熱伝導ガスの量は増加し、この増加量はガス流量検出
部によって検出される。制御部は、熱伝導ガスの流量の
増加分に応じて静電吸着部に印加する電圧を増加させ
る。この結果、吸着力が増加し、全体として吸着力は一
定に保たれる。
【0017】したがって、吸着力を一定に保つことによ
り、被処理基板とステージとの間隙を小さくできる。こ
のため、被処理基板とステージとの間から漏れる熱伝導
ガスの量を低減でき、漏れた熱伝導ガスによるプラズマ
ガスの組成変化を防止できる。また、被処理基板とステ
ージとの間に熱伝導ガスが流れることもなく、均一な熱
伝導が行われるため被処理基板の温度分布を均一にする
ことができる。よって、本発明によれば、被処理基板の
加工処理に悪影響を与えることなく、被処理基板に対し
て最適な条件での加工処理を行うことができる。
【0018】請求項2記載の発明において、静電吸着部
は電圧を印加されることにより帯電し、被処理基板をス
テージに吸着させる。ガス供給部は、被処理基板および
ステージの間隙に熱伝導ガスを供給する。この熱伝導ガ
スにより、ステージおよび被処理基板間の熱伝導が行わ
れる。ガス流量検出部は、上記間隙に供給される熱伝導
ガスの流量を検出し、制御部は熱伝導ガスの流量に基づ
き静電吸着部に印加する電圧を制御する。吸着力が一定
となるよう制御されるため、間隙からの熱伝導ガスの漏
れ等を回避できる。よって、本発明によれば、被処理基
板の加工処理に悪影響を与えることなく、被処理基板に
対して最適な条件での加工処理を行うことができる。ま
た、圧力検出部および圧力制御部により、被処理基板と
ステージとの間隙における圧力を一定にできるため、均
一な熱伝導を行うことが可能となる。
【0019】請求項3記載の発明において、静電吸着部
は電圧を印加されることにより帯電し、被処理基板をス
テージに吸着させる。ガス供給部は、被処理基板および
ステージの間隙に熱伝導ガスを供給する。この熱伝導ガ
スにより、ステージおよび被処理基板間の熱伝導が行わ
れる。ガス排出部は、間隙に供給された熱伝導ガスの一
部を排出し、ガス流量検出部は間隙から排出される熱伝
導ガスの流量を検出する。制御部は熱伝導ガスの流量に
基づき静電吸着部に印加する電圧を制御することによ
り、静電吸着部の吸着力を一定に保つ。したがって、熱
伝導ガスが間隙から漏れるのを防止でき、被処理基板に
対する加工処理に悪影響を与えることを回避することが
可能となる。
【0020】 被処理基板およびスージの間隔に供給さ
れた熱伝導ガスが被処理基板とステージとの間の熱伝導
を実施し、その流量が計測される。この流量の変化分に
応じて被処理基板とステージ内電極との間の吸着力が変
化し、熱伝導ガスの漏れを防止する。
【0021】
【実施例】以下に、本発明の実施例に係る静電吸着装置
を図面を参照しながら説明する。
【0022】図1は、本発明の第1実施例に係る静電吸
着装置を表す図である。この図において、真空室13の
上部にはプロセスガスを供給するプロセスガス導入管1
2が設けられ、真空室13の側部には真空排気配管15
が設けられている。真空排気配管15は圧力調整バルブ
16を介して真空ポンプ17に接続されている。圧力調
整バルブ16は、真空室13内の真空度を一定値に保つ
ためのものである。
【0023】真空室13の内部には、GNDに接地され
た上部電極14と、上部電極14に対向したステージ2
とが設けられている。半導体ウェーハ等の被処理基板1
が載置されたステージ2の内部には、被処理基板1を静
電吸着するための電極3が設けられている。この電極3
には、静電吸着用の直流電源10およびプラズマ処理用
の高周波電源9が接続されている。電極3に、ブロッキ
ングコンデンサを介して高周波電源9の電圧を印加する
ことにより、真空室内13内のプロセスガスが活性化さ
れ、プラズマが生じる。
【0024】直流電源10は、高域減衰用のフィルタを
介して電極3の配線8に接続されている。電極3に直流
電源10を印加すると、電極3は帯電し、帯電した電極
3は被処理基板1をステージ2表面に吸着する。一般
に、直流電源10の印加電圧を変化させることにより、
被処理基板1の吸着力は変動する。直流電源10の印加
電圧は、制御回路11により変更可能である。
【0025】ステージ2の上部には開口部が設けられ、
この開口部にはHe供給ライン4の一端が接続されてい
る。供給ライン4から供給されたHeガスは、被処理基
板1とステージ2との間隙に熱伝導体として充填され
る。He供給ライン4には、圧力計5、マスフローメー
タ6、圧力制御装置7が配設されている。圧力計5は、
He供給ライン4におけるガス圧力を検出し、検出結果
を圧力制御装置7にフィードバックしている。圧力制御
装置7は、He供給ライン4のガス圧力が一定となるよ
うHeの流量を制御するものである。これにより、被処
理基板1とステージ2との間隙における圧力を一定にで
き、熱伝導を均一に行うことができる。マスフローメー
タ6は、He供給ライン4を流れるHeガスの流量を検
出し、制御回路11にフィードバックしている。
【0026】上述したように、直流電源10の印加電圧
を一定にしたとしても、真空室13内のプロセスガスの
種類、流量、圧力、および、高周波電源9の印加電圧等
に起因して、被処理基板1の吸着力が大きく変動する。
例えば、吸着力が低下した場合には、被処理基板1とス
テージ2との間の隙間が大きくなるため真空室13内に
漏れるHeガスの量が増加する。この結果、He供給ラ
イン4を流れるHeガスの量は増加する。一方、吸着力
が増加した場合には、被処理基板1とステージ2との間
の隙間が小さくなり、真空室13内に漏れるガスの量は
減少する。よって、He供給ライン4を流れるガスの量
は減少する。すなわち、Heガスの流量をマスフローメ
ータ6を用いて検出することにより、吸着力の強さを判
断することが可能となる。
【0027】制御回路11は、マスフローメータ6によ
り検出されたHeガスの流量値に基づき直流電源10の
印加電圧を制御するものである。この制御回路11は、
PID制御を行う演算増幅器、またはマイクロコンピュ
ータ等を用いて構成することが可能である。
【0028】このようにして構成された静電吸着装置に
おいて、例えば、吸着力が低下したとすると、被処理基
板1とステージ2との間の隙間が大きくなるため真空室
13内に漏れるHeガスの量が増加する。この結果、H
e供給ライン4を流れるHeガスの量は増加する。ガス
増加量はマスフローメータ6により検出され、流量を表
す信号として制御回路11に入力される。制御回路11
は、Heガスの流量の増加分に応じて直流電源10の印
加電圧を増加させる。この結果、電極3と被処理基板1
との間の吸着力が増加し、吸着力は一定に保たれる。な
お、吸着力が増加しすぎた場合には、Heガスの流量が
減少し、制御回路11は直流電源10の印加電圧を低下
させることも可能である。
【0029】続いて、第1実施例に係る静電吸着装置の
作用を図2のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、真空室13内部にプロセスガス導入管12からプ
ロセスガスを導入し、真空ポンプ17および圧力調整バ
ルブ16により真空室13内を所定を真空度にする(S
201)。高周波電源9からブロッキングコンデンサを
介して電極3に高周波電圧を印加する(S202)。こ
れにより、真空室13内のプロセスガスはプラズマ化さ
れる。続いて、制御回路11は、直流電源10から電極
3に印加する電圧を初期値電圧V0に設定する(S20
3)。
【0030】この後、圧力制御装置7はHeガスを被処
理基板1と電極3との間に供給する(S204)。圧力
計5はHe供給ライン4におけるガス圧力Pを検出し、
圧力制御装置7はガス圧力Pが初期値P0となるようガ
スの流量を制御する(S205)。
【0031】He供給ラインを流れるHeガスの流量
は、マスフローメータ6によって検出される。制御回路
11は、Heガスの流量が基準値F0となるよう直流電
源10の印加電圧を制御する。例えば、吸着力が低下
し、He供給ライン4を流れるHeガスの量が増加した
とする(S206でNO)。この場合、Heガスの流量
が初期値F0となるまで(S206でYES)、制御回
路11はHeガスの流量の増加量に応じて直流電源10
の印加電圧を増加する(S207)。これにより、電極
3と被処理基板1との吸着力は一定に保たれ、Heガス
の漏れ等を防止することができる。上述したS206〜
S207の処理は、所定時間が経過するまで(タイマT
が初期値T0になるまで)続けられる。以上により、本
実施例に係る静電吸着装置の処理が終了する(S20
9)。なお、フローチャート中のV0、P0、F0は経験
的に求められた値である。
【0032】続いて、本発明の第2実施例に係る静電吸
着装置を説明する。
【0033】図3は、第2実施例に係る静電吸着装置を
表す図である。この図において、ステージ2には、He
排出ライン18が配設されている。このHe排出ライン
18は、被処理基板1とステージ2との隙間のHeガス
の一部を排出し、隙間のガス圧力を一定に保つためのも
のである。He排出ライン18には、圧力計5、圧力制
御装置7、マスフローメータ6、真空ポンプ17が接続
されている。圧力計5はHe排出ライン18の圧力を検
出し、検出結果を圧力制御装置7にフィードバックして
いる。圧力制御装置7は、He排出ライン18のガス圧
力が一定となるようHeの排出量を制御するものであ
る。マスフローメータ6は、He排出ライン18を流れ
るHeガスの流量を検出し、制御回路11にフィードバ
ックしている。
【0034】一方、He供給ライン4には、Heガスの
供給量を制御するマスフローコントローラ19が設けら
れている。He供給ライン4は、第1実施例と異なり、
単に一定量のHeガスを供給するにすぎない。すなわ
ち、本実施例に係る静電吸着装置は、被処理基板1とス
テージ2との間のガス圧力をHe排出ライン18により
制御している点において、第1実施例に係る静電吸着装
置と異なっている。他の構成については、第1実施例に
係る静電吸着装置と同様である。
【0035】He排出ライン18に設けられたマスフロ
ーメータ6からの流量信号は、制御回路11に入力され
ている。制御回路11は、He排出ライン18から排出
されるHeガスの流量を検出し、直流電源10の印加電
圧を制御することにより、吸着力を一定に保っている。
【0036】続いて、第2実施例に係る静電吸着装置の
作用を図4のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、真空室13内部にプロセスガス導入管12からプ
ロセスガスを導入し、真空ポンプ17および圧力調整バ
ルブ16により真空室13内を所定を真空度にする(S
401)。そして、高周波電源9からブロッキングコン
デンサを介して電極3に高周波電圧を印加し(S40
2)、真空室13内のプロセスガスをプラズマ化させ
る。続いて、制御回路11は、直流電源10から電極3
に直流電圧V0を印加する(S403)。これにより、
被処理基板1はステージ2に吸着される。
【0037】この後、He供給ライン4からHeガスを
被処理基板1と電極3との間に供給する。一方、He排
出ライン19においては、マスフローメータ6によりH
eガス排出量を検出し、Heガス排出量が初期値F'0に
達するまで、He供給ライン4からHeガスを供給する
(S404)。圧力計5はHe排出ライン18における
ガス圧力を検出し、圧力信号を圧力制御装置7に出力す
る。圧力制御装置7は検出された圧力値が初期値P0
なるよう、Heガス排出量を制御する(S405、S4
06)。
【0038】続いて、制御回路11は、マスフローメー
タ6からの信号に基づきガス排出量を検出する。例え
ば、吸着力が低下し、He排出ライン4を流れるHeガ
スの量が増加したとする(S407でNO)。この場
合、Heガスの流量が初期値F0となるまで(S407
でYES)、制御回路11はHeガスの流量の増加量に
応じて直流電源10の印加電圧を増加する。これによ
り、電極3と被処理基板1との吸着力は一定に保たれ
る。上述したS406〜S409の処理は、所定時間が
経過するまで(タイマTが初期値T0になるまで)続け
られる。以上により、本実施例に係る静電吸着装置の処
理が終了する(S410)。なお、フローチャート中の
0、F'0、P0、F0は経験的に求められた値である。
【0039】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明にあっ
ては、Heガスの流量変化に基づき吸着力の変化(低
下)を検出し、直流電源の印加電圧を制御するることに
より、吸着力を一定に保っている。
【0040】したがって、被処理基板とステージとの間
から漏れるHeガスの量を低減でき、漏れたHeガスに
よるプラズマガスの組成変化を防止できる。また、被処
理基板とステージとの間にHeガスが流れることもな
く、均一な熱伝導が行われるため被処理基板の温度分布
を均一にすることができる。よって、本発明によれば、
被処理基板の加工処理に悪影響を与えることなく、被処
理基板に対して最適な条件での加工処理を行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る静電吸着装置の構成
をを表す図である。
【図2】本発明の第1実施例に係る静電吸着装置の作用
を表すフローチャートである。
【図3】本発明の第2実施例に係る静電吸着装置の構成
を表す図である。
【図4】本発明の第2実施例に係る静電吸着装置の作用
を表すフローチャートである。
【図5】従来の静電吸着装置の構成を表す図である。
【符号の説明】
1・・・被処理基板、 2・・・ステージ、 3・・・電極(静電吸着部)、 4・・・He供給ライン(ガス供給部)、 5・・・圧力計(圧力検出部)、 6・・・マスフローメータ(ガス流量検出部)、 7・・・圧力制御装置(圧力制御部)、 10・・・直流電源(静電吸着部)、 11・・・制御回路(制御部)、 18・・・He排出ライン(ガス排出部)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板が載置されるステージと、 電圧を印加されることにより帯電し、被処理基板をステ
    ージに吸着させる静電吸着部と、 被処理基板およびステージの間隙に熱伝導ガスを供給す
    るガス供給部と、 上記間隙に供給される熱伝導ガスの流量を検出するガス
    流量検出部と、 ガス流量検出部により検出された熱伝導ガスの流量に基
    づき上記静電吸着部に印加する電圧を制御する制御部と
    を備えたことを特徴とする静電吸着装置。
  2. 【請求項2】 上記間隔における熱伝導ガスの圧力を検
    出する圧力検出部と、検出された圧力に基づき上記間隔
    に供給する熱伝導ガスの圧力を制御する圧力制御装置と
    を更に備えた請求項1記載の静電吸着装置。
  3. 【請求項3】 上記間隔に供給された熱伝導ガスの一部
    を排出するガス排出部を更に備え、上記ガス流量検出部
    は上記間隔に供給される熱伝導ガスの流量に代えて上記
    間隔から排出される熱伝導ガスの流量を検出する請求項
    1記載の静電吸着装置。
  4. 【請求項4】 被処理基板と前記被処理基板が載置され
    たステージとの間を流れる熱伝導ガスの流量を検出する
    手段と、所定の流量に対する前記ガスの流量の変化分に
    応じて前記被処理基板と前記ステージ内の電極との間の
    吸着力を変化して前記所定の流量に戻すように制御する
    手段とを有する静電吸着装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021869A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
JP4832276B2 (ja) * 2006-12-25 2011-12-07 株式会社アルバック 基板吸着システムおよび半導体製造装置
TW201005825A (en) 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
JP5597695B2 (ja) * 2010-03-26 2014-10-01 株式会社アルバック 基板保持装置及び基板保持方法
JP5680985B2 (ja) * 2011-02-16 2015-03-04 株式会社アルバック プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102820A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPH04206546A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd プラズマ処理方法および装置
JPH04359539A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Fujitsu Ltd 静電吸着装置
JPH0529264A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ処理装置
JPH0567672A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPH05234944A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Hitachi Ltd ウエハ温度制御方法及び装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102820A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPH04206546A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd プラズマ処理方法および装置
JPH04359539A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Fujitsu Ltd 静電吸着装置
JPH0529264A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ処理装置
JPH0567672A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPH05234944A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Hitachi Ltd ウエハ温度制御方法及び装置

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