JP5680985B2 - プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
請求項1に記載の発明は、真空槽内の絶縁性基板を静電チャックに対して静電吸着し、且つ、前記絶縁性基板の裏面側に該絶縁性基板を冷却するガスを供給しつつ、前記真空槽内にプラズマを生成して前記絶縁性基板を該プラズマによって処理するプラズマ処理方法であって、前記静電チャックに第1直流電圧を印加した状態で前記プラズマによる処理を開始してから前記ガスの流量が単調増加を始めるまでの時間である第1時間を計時して、前記第1時間未満の時間を第1オン時間に予め設定し、前記第1オン時間を経過した後に前記静電チャックに印加する直流電圧を前記第1直流電圧から第2直流電圧に変更してから、前記ガスの流量が再度単調増加を始めるまでの時間である第2時間を計時して、前記第2時間未満の時間を第2オン時間に予め設定し、前記絶縁性基板に対する前記プラズマによる処理を実施しているときに、前記静電チャックに印加する前記直流電圧の増加と減少とを少なくとも一回ずつ行い、前記静電チャックに前記第1直流電圧を印加する時間を前記第1オン時間に設定し、且つ、前記静電チャックに前記第2直流電圧を印加する時間を前記第2オン時間に設定することを要旨とする。
ク量が増大したときに、静電チャックに印加する直流電圧を変更するようにしている。これにより、静電チャックと絶縁性基板との間での電位差の縮小に対して上記直流電圧の変更が伴うことになることから、上記冷却ガスのリークが継続する時間を短くすることで、該冷却ガスのリークを抑えることができるようになる。
前記静電チャックに前記第1直流電圧を前記第1オン時間にわたり印加し、且つ、前記静電チャックに前記第2直流電圧を前記第2オン時間にわたり印加することを要旨とする。
希ガスのプラズマを生成する。アンテナ用整合器26は、アンテナ用高周波電源27から高周波アンテナ25への高周波電力の供給に際し、アンテナ用高周波電源27の出力インピーダンスとその負荷の入力インピーダンスとを整合させる。なお、上記プロセスガス供給部23、希ガス供給部24、高周波アンテナ25、アンテナ用整合器26、及びアンテナ用高周波電源27によってプラズマ生成部が構成される。
後に第2スイッチSW2がオフの状態とされると同時に、第1スイッチSW1が再びオンの状態とされる。第2スイッチSW2がオンの状態とされてからオフの状態とされるまでの時間を第2オン時間とするとき、該第2オン時間は例えば3秒に設定される。
の供給が開始されると、アンテナ用高周波電源27がオンの状態とされることで真空槽11内にプラズマが生成されるとともに、上記冷却ガス供給部19がオンの状態とされて、初期圧力P0にある冷媒空間の圧力が所定圧力Pa、例えば1000Paとなるようにヘリウムガスが該冷媒空間に供給される(タイミングt3)。これにより、真空槽11内のプラズマと基板Sとの間に、エッチング処理中に基板Sに蓄積した電荷を取り除く閉回路が形成される。
に、タイミングt3からタイミングt8までにわたり一定のリーク量Laに維持される。
(1)基板Sに対するエッチング処理の実施中に、基板Sを吸着する静電チャック17に対して印加する直流電圧における増加と減少とを少なくとも一回ずつ行うようにした。つまり、静電チャック17に印加する電圧を変更することによって、基板Sと静電チャック17との間の電位差を変更するようにした。そのため、エッチング処理の実施に伴い基板Sが帯電することで、基板Sと静電チャック17との間の電位差が電圧印加の開始時よりも小さくなったとしても、上記電位差の変更により、こうした電位差の縮小を緩和することができる。これにより、基板Sの裏面と静電チャック17の凹部17cとによって形成される冷媒空間に供給されるヘリウムガスの圧力に対して、静電チャック17によって基板Sを吸着する力が小さくなりにくくなることから、エッチング処理の実施期間中にわたり基板Sが静電的に吸着されやすくなる。それゆえに、上記冷媒空間に供給されるヘリウムガスのリークを抑えることができる。
・絶縁性基板Sは、上記サファイア基板に限らず、例えば石英基板、ガラス基板、及び窒化ケイ素基板等であってもよい。
。なお、静電チャック17が、同一極性のチャック電極を複数有する構成であるときには、第1スイッチSW1と第2スイッチSW2との切り替えのタイミングをそれぞれのチャック電極において互いに異ならせるようにすればよい。これにより、上述のようにチャック電極に印加する電圧の極性を変えた場合に、直流電圧の印加されているチャック電極が一つ以上存在することになる。そのため、静電チャック17による基板Sの吸着の確実性が高められる。
・上記バイアス用高周波電源16及びアンテナ用高周波電源27の出力する高周波電力の周波数は13.56MHzに限らず、プラズマエッチング装置10によって基板Sのエッチングが可能な周波数であれば、他の任意の周波数を採用してもよい。
・アルゴンガスを供給した後に、プロセスガスを供給するようにしたが、アルゴンガスとプロセスガスとを同時に供給するようにしてもよい。
・チャック電極17bに対する直流電圧の印加を開始した後に、高周波アンテナ25に対して高周波電力を供給するようにしたが、高周波アンテナ25に対する高周波電力の供給を開始した後にチャック電極17bへの電圧の印加を行うようにしてもよい。
・第1オン時間及び第2オン時間を3秒とするようにした。しかしながら、上述のようにして算出される第1オン時間及び第2オン時間は、上記静電チャック17が基板Sを吸着する力や、冷媒空間におけるヘリウムガスの圧力等に応じて異なる長さとなりうる。そのため、第1オン時間及び第2オン時間は、こうした条件に応じて上記とは異なる長さに設定するようにしてもよい。
としてもよい。これによれば、チャック電極17bに印加される電圧を徐々に変えることが可能になるため、基板Sの静電状態が急激に変わることを抑えることが可能となる。ひいては、静電状態の変化に起因する基板Sのダメージを抑えることが可能となる。
・上記プラズマエッチング装置10は、高周波アンテナ25を備える誘導結合型のエッチング装置に限らず、ステージ電極14に対向する上部電極を真空槽11内に備える容量結合型のエッチング装置であってもよい。
高周波電源駆動回路、36…冷却ガス供給部駆動回路、37…電圧変更部駆動回路、S…基板、SW1…第1スイッチ、SW2…第2スイッチ。
Claims (5)
- 真空槽内の絶縁性基板を静電チャックに対して静電吸着し、且つ、前記絶縁性基板の裏面側に該絶縁性基板を冷却するガスを供給しつつ、前記真空槽内にプラズマを生成して前記絶縁性基板を該プラズマによって処理するプラズマ処理方法であって、
前記静電チャックに第1直流電圧を印加した状態で前記プラズマによる処理を開始してから前記ガスの流量が単調増加を始めるまでの時間である第1時間を計時して、前記第1時間未満の時間を第1オン時間に予め設定し、前記第1オン時間を経過した後に前記静電チャックに印加する直流電圧を前記第1直流電圧から第2直流電圧に変更してから、前記ガスの流量が再度単調増加を始めるまでの時間である第2時間を計時して、前記第2時間未満の時間を第2オン時間に予め設定し、
前記絶縁性基板に対する前記プラズマによる処理を実施しているときに、
前記静電チャックに印加する前記直流電圧の増加と減少とを少なくとも一回ずつ行い、
前記静電チャックに前記第1直流電圧を印加する時間を前記第1オン時間に設定し、且つ、前記静電チャックに前記第2直流電圧を印加する時間を前記第2オン時間に設定する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記静電チャックに印加する前記直流電圧の増加と減少とを行うときには、
前記増加の直前の前記静電チャックの極性と前記増加の直後の前記静電チャックの極性とを変えるとともに、
前記減少の直前の前記静電チャックの極性と前記減少の直後の前記静電チャックの極性とを変える
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記プラズマの状態を保ちつつ、前記静電チャックに印加する前記直流電圧の前記増加と前記減少とを一定の周期で交互に繰り返す
請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記絶縁性基板の裏面と前記静電チャックとの間における冷却ガスのリーク量を監視し、
前記リーク量が増大したときに、前記直流電圧の増加又は減少を行う
請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。 - 絶縁性基板を収容する真空槽と、
前記真空槽内に配置された基板ステージと、
前記基板ステージ上に配置された静電チャックと、
前記絶縁性基板の裏面側に該絶縁性基板を冷却するガスを供給する冷却ガス供給部と、
前記真空槽内にプラズマを生成するプラズマ生成部と
を備えるプラズマ処理装置であって、
前記静電チャックに印加する直流電圧を制御する電圧変更部と、
前記静電チャックに第1直流電圧を印加した状態で前記プラズマによる処理を開始してから前記ガスの流量が単調増加を始めるまでの時間として計時された時間が第1時間であり、前記第1時間未満の時間を第1オン時間に予め設定して記憶し、前記第1オン時間を
経過した後に前記静電チャックに印加する直流電圧を前記第1直流電圧から第2直流電圧に変更してから、前記ガスの流量が再度単調増加を始めるまでの時間として計時された時間が第2時間であり、前記第2時間未満の時間を第2オン時間に予め設定して記憶する制御部であって、前記第1オン時間と前記第2オン時間とを用いて前記電圧変更部の駆動を制御する前記制御部と、を備え、
前記電圧変更部は、前記プラズマ生成部によって前記真空槽内に生成されたプラズマを用いて前記絶縁性基板を処理しているときに、前記直流電圧の増加と減少とを少なくとも一回ずつ行い、前記静電チャックに前記第1直流電圧を前記第1オン時間にわたり印加し、且つ、前記静電チャックに前記第2直流電圧を前記第2オン時間にわたり印加する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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