KR102490292B1 - 플라스마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

플라스마 처리 장치는, 시료가 플라스마 처리되는 처리실과, 플라스마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 제1 고주파 전원과, 상기 시료가 재치(載置)되는 시료대와, 상기 시료대에 고주파 전력을 공급하는 제2 고주파 전원을 구비하는 플라스마 처리 장치에 있어서, 주기적으로 반복되는 파형에 따라 변화시킨 직류 전압을 상기 시료대에 인가하는 직류 전원을 더 구비하고, 1주기의 상기 파형은, 소정 시간에 소정량 이상 변화하는 진폭의 기간을 갖는다. 이것에 의해, 웨이퍼 표면의 하전 입자를 제거해서, 수직성이 높은 트렌치 형상을 얻을 수 있고, 또한 트렌치 내부의 에칭 대상이 아닌 막의 데미지를 저감하는 것이 가능하게 된다.

Description

플라스마 처리 장치{PLASMA PROCESSING DEVICE}
본 발명은, 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 장치에 포함되는 컴포넌트의 미세화나 집적화에의 대응이 요구되고 있다. 예를 들면, 집적 회로나 나노 전기 기계 시스템에 있어서, 구조물의 나노 스케일화가 더 추진되고 있다.
통상적으로, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 미세 패턴을 성형하기 위하여 리소그래피 기술이 이용된다. 이 기술은, 레지스트층의 위에 디바이스 구조의 패턴을 적용하고, 레지스트층의 패턴에 의해서 노출된 기판을 선택적으로 에칭 제거하는 것이다. 그 후의 처리 공정에 있어서, 에칭 영역 내에 다른 재료를 퇴적시키면, 집적 회로를 형성할 수 있다.
따라서, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 플라스마 에칭 처리 장치가 빠질 수 없는 것으로 되어 있다. 플라스마 에칭 처리에서는, 소정의 진공도까지 감압된 처리실 내부에 공급된 가스를 진공 용기 내부에 형성된 전장 등에 의해 플라스마화한다. 이때, 플라스마 내에 발생한 반응성이 높은 이온이나 라디칼이, 처리 대상물인 웨이퍼의 표면과 물리적, 화학적으로 반응함에 의해 에칭이 행해진다.
플라스마 에칭 처리에 있어서는, 웨이퍼의 재치(載置)대에 고주파 전압을 인가하는 것이 널리 행해지고 있다. 커패시터를 통해서 고주파 전원이 접속된 재치대에 고주파 전압을 인가하면, 플라스마와 재치대 사이에 발생하는 시스에 정류 작용이 있으므로, 자기 바이어스에 의해 재치대는 시간 평균하면 음전압으로 된다. 그 때문에 양이온이 가속되고, 에칭이 신속히 진행됨과 함께, 수직성이 늘기 때문에 이방성 에칭을 실현할 수 있다. 그리고 재치대에 인가하는 고주파 전압의 진폭을 조정함으로써, 에칭 속도나 수직성을 제어하는 것이 가능하게 된다.
일반적으로는, 웨이퍼의 재치대에 인가되는 상기 고주파 전압으로서 정현파가 이용되지만, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 정현파 대신에 구형파(矩形波)를 이용하는 경우도 있다. 플라스마로부터 재치대에 유입하는 이온의 에너지는, 플라스마와 재치대 사이에 걸리는 전장에 의해서 결정된다. 정현파의 고주파 전압을 인가하면, 상기 전장이 완만하게 변화하기 때문에 다양한 에너지의 이온이 재치대에 유입한다. 그러나, 구형파의 고주파 전압을 인가하면, 이온의 에너지는 높은 것과 낮은 것으로 명확하게 나누어지기 때문에, 에칭의 제어가 용이하게 된다.
일본 특개2012-216608호 공보
플라스마 에칭 처리에서는, 하전 입자가 충돌함에 의해서 웨이퍼 상에 성막된 유전체 재료가 대전한다. 플라스마 에칭 처리에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 상에 트렌치 형상을 형성하는 경우도 많고, 그 경우, 일반적으로는 트렌치(Trench)의 측벽이 웨이퍼 표면에 대하여 수직으로 되는 것이 바람직한 것으로 된다. 그러나, 트렌치 구조에 있어서 고주파 전압을 인가하면, 도 1에 나타내는 바와 같이 트렌치(Trench)의 측벽이 대전되는 경우가 있다. 이것은, 고주파 전압에 의한 음의 자기 바이어스에 의해서 양이온은 트렌치(Trench) 내에 수직으로 입사하는 것에 대하여, 전자나 음이온의 방향은 랜덤이기 때문에, 측벽에는 음의 하전 입자가 보다 많이 충돌하기 때문이다. 그 결과, 도 1에 나타내는 바와 같이, 트렌치(Trench) 내에 비래(飛來)하는 이온(Ion)은 궤도가 구부러져서 측벽에 충돌하고, 측벽이 에칭되기 때문에, 트렌치(Trench) 측벽의 수직성의 악화를 초래한다.
또한 공정의 사정상, 트렌치 내의 일부에 에칭되지 말아야 할 메탈층이 존재하는 경우도 있다. 예를 들면 그와 같은 메탈층이 존재하는 경우에 있어서 이온의 궤도가 구부러져 버리면, 이온은 메탈층에 대하여 비스듬하게 입사하는 것으로 된다. 그러면 이온이 수직으로 입사하는 경우와 비교해서 메탈층은 스퍼터되기 쉬워지기 때문에, 메탈층의 데미지가 늘어 버려서, 원하는 에칭을 행할 수 없는 경우도 있다. 이상으로부터, 웨이퍼 표면에 대전된 하전 입자를 제거하는 것이, 고정밀도의 에칭 처리를 행하는데 있어서의 과제이다.
웨이퍼 표면의 하전 입자를 제거하기 위해서는, 하전 입자와 역극성인 전압을 웨이퍼에 인가하고, 웨이퍼 상에 성막된 유전체 재료 내부에 전장을 형성함으로써, 하전 입자에 의한 계속적인 전류를 발생시키는 것이 하나의 방책이다. 그러나, 하전 입자는 유전체 재료 내부에서의 이동 속도가 느리기 때문에, 하전 입자를 유전체 재료로부터 제거하기 위해서는 밀리초 오더의 시간이 걸리는 것이 알려져 있다. 한편, 특허문헌 1에 개시된 바와 같은 고주파 전압은, 재치대와 고주파 전원 사이에 있는 커패시터를 통과할 수 있도록, 일반적으로는 수백 kHz 내지 수 MHz의 주파수가 이용되고 있다. 그 때문에 특허문헌 1의 기술은, 하전 입자의 제거에 적합하지 않다.
본 발명은, 웨이퍼 표면의 하전 입자를 제거함에 의해, 수직성이 높은 트렌치 형상을 얻을 수 있고, 또한 트렌치 내부의 에칭 대상이 아닌 막의 데미지를 저감하는 것이 가능한 플라스마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 대표적인 본 발명에 관한 플라스마 처리 장치의 하나는, 시료가 플라스마 처리되는 처리실과, 플라스마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 제1 고주파 전원과, 상기 시료가 재치되는 시료대와, 상기 시료대에 고주파 전력을 공급하는 제2 고주파 전원을 구비하는 플라스마 처리 장치에 있어서, 주기적으로 반복되는 파형에 따라 변화시킨 직류 전압을 상기 시료대에 인가하는 직류 전원을 더 구비하고, 1주기의 상기 파형은, 소정 시간에 소정량 이상 변화하는 진폭의 기간을 갖는 것에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 표면의 하전 입자를 제거함에 의해, 수직성이 높은 트렌치 형상을 얻을 수 있고, 또한 트렌치 내부의 에칭 대상이 아닌 막의 데미지를 저감하는 것이 가능한 플라스마 처리 장치를 제공할 수 있다. 상기한 것 이외의 과제, 구성 및 효과는, 이하의 실시형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은, 플라스마 에칭 처리에 있어서의 트렌치 형상, 및 그 측벽이 대전된 경우의 이온 궤도를 나타내는 모식도.
도 2는, 본 실시형태에 관한 플라스마 처리 장치의 모식적인 구성의 일례를 나타내는 개략도.
도 3은, 도 1에 나타낸 실시형태에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 4는, 플라스마 처리 장치의 전기적인 등가 회로를 나타내는 도면.
도 5는, 도 4에 나타낸 실시형태에 관한 직류 전원에 있어서 출력되는 전압 파형을 나타내는 도면.
도 6은, 도 4의 등가 회로를 기초로 해서 회로 시뮬레이터로 계산한 전류의 파형을 나타내는 도면이고, 도 5의 전압에 의해서 웨이퍼 상에서 발생하는 전류를 모식적으로 나타내는 도면.
도 7은, 변형한 직선 삼각파의 전압 파형을 나타내는 도면.
도 8은, 곡선 삼각파에 관한 전압 파형을 나타내는 도면.
도 9는, 웨이퍼로부터 흐르는 전류의 파형을 나타내는 도면.
도 10은, 마이크로파 전원, 고주파 전원 및 직류 전원의 출력 개시 및 종료 시각의 관계를 나타내는 도면.
도 11은, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 1에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 12는, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 2에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 13은, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 3에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 14는, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 3에 있어서, 정전 흡착 전원이 출력하는 전압 파형을 나타내는 도면.
도 15는, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 4에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 16은, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 4에 있어서, 바이어스 전압 발생부가 출력하는 전압 파형을 나타내는 도면.
도 17은, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 5에 관한 플라스마 처리 장치의 일부의 단면도, 및 재치대에 접속된 바이어스 전압 발생부의 개략을 모식적으로 나타내는 도면.
도 18은, 도 1에서 나타낸 실시형태의 변형예 5에 있어서, 정전 흡착 전원이 출력하는 전압 파형을 나타내는 도면.
이하, 도면을 이용해서 본원 발명에 관한 플라스마 처리 장치의 실시형태를 설명한다. 또, 본 명세서 중, 전압 파형의 「직선 삼각파」란, 최소 전압으로부터 최대 전압까지 직선적으로 상승하고, 최대 전압에 도달한 후에 바로 최소 전압까지 직선적으로 저하하는 것을 주기적으로 반복하는 파형을 말하며, 전압 파형의 「곡선 삼각파」란, 최소 전압으로부터 최대 전압까지, 양의 미분 계수가 단조 감소하는 곡선을 따라 상승하고, 최대 전압에 도달한 후에 바로 최소 전압까지, 음의 미분 계수가 단조 증가하는 곡선을 따라 저하하는 것을 주기적으로 반복하는 파형을 말한다.
[실시형태 1]
도 2 내지 도 10을 이용해서, 본 실시형태를 설명한다. 도 2는, 본 실시형태에 관련된 플라스마 처리 장치의 모식적인 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2에 나타내는 본 실시형태에 관한 플라스마 처리 장치(100)는, 그 일례인 마이크로파 ECR 플라스마 에칭 장치이다. 여기에서는, 진공 처리실(104)의 내부에 배치된 전극, 진공 처리실(104)의 외부에 배치된 전장 및 자장의 발생 장치, 그리고 전원 등이 모식적으로 나타나 있다.
플라스마 처리 장치(100)는, 진공 처리실(104)을 구비한다. 진공 처리실(104)의 내부에는 시료대인 전극(125)이 배치되고, 전극(125)의 상부에는 시료인 웨이퍼(126)가 재치되어 있다. 진공 처리실(104) 내부에서는, 가스 공급 기구(105)로부터 진공 처리실(104)에 공급된 가스에 대하여, 진공 처리실(104)의 외부에 배치된 전장 발생 수단 및 자장 발생 수단에 의해 형성된 전장 및 자장이 작용함에 의해서, 플라스마(136)가 발생한다. 플라스마(136)에는 이온 및 라디칼이 포함되어 있고, 이들이 웨이퍼(126)의 표면과 상호 작용함에 의해서 플라스마 에칭 처리가 이루어진다.
진공 처리실(104)에는, 용기(101)의 상부에 샤워플레이트(102), 더 상부에 유전체창(103)이 배치되어 있고, 진공 처리실(104)을 둘러싸는 용기(101)는, 유전체창(103)에 의해서 기밀 봉지(封止)되어 있다.
진공 처리실(104)의 외부에 설치된 가스 공급 기구(105)는, 가스 배관(106)을 통해, 유전체창(103)과 샤워플레이트(102) 사이에 설치된 공간(107)과 접속된다. 공간(107)은, 샤워플레이트(102)에 설치된 복수의 세공(細孔)(108)을 통해 진공 처리실(104)과 연통(連通)되어 있다.
진공 처리실(104)의 하부에는 가변 콘덕턴스 밸브(112)가 배치되고, 이 가변 콘덕턴스 밸브(112)를 통해 접속된 터보 분자 펌프(113)에 의해, 진공 처리실(104) 내의 가스가 배기된다. 터보 분자 펌프(113)는, 또한 러핑 펌프(114)와 접속되어 있다. 가변 콘덕턴스 밸브(112)와 터보 분자 펌프(113) 및 러핑 펌프(114)는, 각각 제어부(150)와 접속되어 있고, 제어부(150)에 의해서 동작이 제어된다.
보다 구체적으로는, 진공 처리실(104)의 내부 압력을 측정하는 압력계(115)가 설치되어 있고, 이 압력계(115)의 값에 따라서 제어부(150)는, 가변 콘덕턴스 밸브(112)의 개도를 피드백 제어하고, 진공 처리실(104)의 압력을 원하는 값으로 되도록 제어하고 있다.
플라스마 처리 장치(100)의 상부에는, 제1 고주파 전원인 마이크로파 전원(116)이 설치되어 있고, 이 마이크로파 전원(116)의 주파수는 예를 들면 2.45GHz이다. 마이크로파 전원(116)으로부터 발생한 마이크로파는, 자동 정합기(117), 방형(方形) 도파관(118), 방형 원형 도파관 변환기(119), 원형 도파관(120)을 통해, 공동 공진기(121)로 전파된다. 자동 정합기(117)는 반사파를 자동적으로 억제하는 기능이 있고, 또한 공동 공진기(121)는, 마이크로파 전자장 분포를 플라스마 처리에 적합한 분포로 조정하는 기능을 갖는다. 마이크로파 전원(116)은, 제어부(150)에 의해 제어된다.
공동 공진기(121)의 하부에는, 마이크로파 도입창인 유전체창(103), 및 샤워플레이트(102)를 사이에 두고 진공 처리실(104)이 설치되어 있다. 공동 공진기(121)에서 분포가 조정된 마이크로파는, 유전체창(103) 및 샤워플레이트(102)를 통해서 진공 처리실(104)에 전파된다.
진공 처리실(104) 및 공동 공진기(121)의 주위에는, 전자석을 구성하는 솔레노이드 코일(122, 123, 124)이 배치되어 있다. 제어부(150)에서 제어된 코일 전원(140)에 의해, 각 솔레노이드 코일(122, 123, 124)에 전류를 흘려보냄으로써, 진공 처리실(104) 내부에 자장이 형성된다.
이상과 같이 진공 처리실(104)의 내부에 고주파 전장 및 자장이 형성되면, 전장 및 자장의 강도가 특정의 관계로 되는 영역(예를 들면 2.45GHz의 전장이면 자장의 강도가 0.0875T로 되는 영역)에 있어서, 후술하는 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance; ECR)에 의한 플라스마가 형성된다.
이하에, ECR에 대하여 상세히 설명한다. 진공 처리실(104) 내부에 존재하는 전자는 로렌츠력에 의해, 솔레노이드 코일(122, 123, 124)에 의해서 발생한 자장의 자력선을 따라 회전하면서 이동한다. 이때 마이크로파 전원(116)으로부터 전파된 마이크로파의 주파수가 상기 회전의 주파수와 일치하면, 전자가 공명적으로 가속되고, 플라스마가 효과적으로 발생한다. 이것을 ECR이라 부른다.
ECR이 발생하는 영역(ECR면)은 자장 분포에 의해 제어할 수 있다. 구체적으로는, 제어부(150)에 의해 코일 전원(140)을 통해서 솔레노이드 코일(122, 123, 124)의 각각에 흐르는 전류를 제어함으로써 진공 처리실(104) 내부의 자장 분포를 제어하고, 진공 처리실(104)의 내부에 있어서의 플라스마 발생 영역을 제어할 수 있다. 또한 플라스마 중의 하전 입자의 확산은 자력선에 대해서 수직인 방향으로는 억제되기 때문에, 자장 분포 제어에 의해 플라스마의 확산을 제어하고, 플라스마의 손실을 저감하는 것도 가능하다. 이들 효과에 의해 웨이퍼(126)의 위쪽에 있어서의 플라스마의 분포를 제어하고, 플라스마 처리의 균일성을 향상할 수 있다.
전극(125)은 ECR면의 하측에 위치하고, 도시하고 있지 않은 빔(beam)에 의해 진공 처리실(104)에 고정되어 있다. 전극(125) 및 진공 처리실(104)은 대략 원통형이고, 각각의 원통의 중심축은 동일하다. 플라스마 처리 장치(100)에는 로봇암(arm) 등의 반송 장치(도시하지 않음)가 구비되어 있고, 처리 대상물인 웨이퍼(126)는, 상기 반송 장치에 의해 전극(125) 상부에 반송된다. 웨이퍼(126)는, 전극(125) 내부에 형성된 정전 흡착 전극(135)의 정전 흡착에 의해 전극(125) 상에 유지된다.
전극(125)에는 바이어스 전압 발생부(127)가 접속되어 있고, 바이어스 전압 발생부(127)를 통해 웨이퍼(126)에 바이어스 전압이 인가된다. 플라스마(136) 내의 이온이 웨이퍼(126)의 측에 인입되는 양은 바이어스 전압에 의존한다. 그래서, 제어부(150)에서 바이어스 전압 발생부(127)를 제어해서 웨이퍼(126)에 발생시키는 바이어스 전압을 조정함에 의해, 플라스마 처리 형상(에칭 형상의 분포)을 제어할 수 있다.
또한 전극(125)에는 온도 제어 기구(128)가 탑재되어 있고, 전극(125)을 통해 웨이퍼(126)의 온도를 제어함에 의해서도 플라스마 처리 형상의 제어가 가능하다.
이상의 구성은, 모두 제어부(150)인 제어용 컴퓨터에 접속되고, 적절한 시퀀스로 동작하도록, 그 타이밍 및 동작량이 제어되어 있다. 동작 시퀀스의 상세한 파라미터는 레시피라 불리고, 제어는 미리 설정된 레시피에 의거해서 행해진다.
레시피는 통상적으로, 복수의 스텝으로 구성되어 있다. 스텝마다 가스 공급 기구(105)로부터 진공 처리실(104)에 공급하는 가스종·가스 유량, 마이크로파 전원(116)의 출력 전력, 솔레노이드 코일(122, 123, 124)에 흐르는 전류량, 바이어스 전압 발생부(127)로부터 발생하는 바이어스 전압의 태양 등의 처리 조건이 설정되어 있고, 각 스텝은 미리 설정된 순서 및 시간에 실행된다.
도 3은, 도 2에 나타낸 실시형태에 관한 전극(125)의 단면 및 바이어스 전압 발생부(127)의 상세를 나타내는 모식도이다.
전극(125)은, 도체의 기재(129), 유전체막(130)을 갖고, 바이어스 전압 발생부(127)는 기재(129)와 접속되어 있다. 또한 전극(125)은, 웨이퍼(126) 및 기재(129) 사이에 정전 흡착 전극(135a, 135b)을 각각 갖고, 이 정전 흡착 전극(135a, 135b)은 유전체막(130)에 의해서 주위와 절연되어 있다.
정전 흡착 전극(135a)은 전극의 외주부에 환상(環狀)으로 배치되어 있고, 정전 흡착 전극(135b)은, 정전 흡착 전극(135a)의 내측이며 전극의 중앙부에 배치되어 있다. 정전 흡착 전원(139)은 전원 유닛(139a, 139b)을 갖고, 전원 유닛(139a)은 정전 흡착 전극(135a)에, 전원 유닛(139b)은 정전 흡착 전극(135b)에, 각각 접속되어 있다. 전원 유닛(139a, 139b)으로부터 각각 독립해서 전압을 출력함으로써, 웨이퍼(126)를 전극(125)에 흡착하는 힘이 발생한다.
바이어스 전압 발생부(127)는, 고주파 전원(제2 고주파 전원)(131), 자동 정합기(132), 주기적으로 반복되는 파형에 따라 변화시킨 직류 전압을 출력하는 직류 전원(133), 로우 패스 필터(134)를 갖고, 고주파 전원(131)은 자동 정합기(132)를 통해서, 직류 전원(133)은 로우 패스 필터(134)를 통해서, 각각 기재(129)에 접속되어 있다. 고주파 전원(131) 및 직류 전원(133)은 각각 제어부(제어 기구)(150)와 접속되어 있고, 제어부(150)로부터의 신호에 따라서 동작이 제어된다.
고주파 전원(131)의 출력 주파수는, 마이크로파 전원(116)보다 낮으며, 또한, 유전체막(130)을 통해서 웨이퍼(126)에 바이어스 전압을 전달 가능할 정도로 높다. 구체적으로는, 고주파 전원(131)의 출력 주파수로서 수백 kHz 내지 수 MHz를 이용한다. 자동 정합기(132)는, 플라스마(136)의 임피던스에 따라서 내부 소자의 회로 상수를 변화시킴으로써 임피던스 매칭을 행하고, 고주파 전원(131)이 효율적으로 전력을 웨이퍼(126)에 전달할 수 있도록 하고 있다.
도 4는, 플라스마 처리 장치(100)의 전기적인 등가 회로를 나타낸다. 바이어스 전압 발생부(127)로부터의 출력은, 기재(129)에 상당하는 점(129')을 통과하고, 유전체막(130)에 상당하는 커패시터(130'), 웨이퍼(126)에 상당하는 점(126'), 웨이퍼(126)와 플라스마(136) 사이의 시스에 상당하는 병렬 회로(138a), 플라스마(136)에 상당하는 저항(136'), 플라스마(136)와 도 1의 어스(137)에 상당하는 어스(137')와의 사이의 시스에 상당하는 병렬 회로(138b)를 통해 어스(137')로 전달된다. 이 등가 회로에서는, 바이어스 전압 발생부(127)에서 발생한 전압 V와, 웨이퍼(126)로부터 흐르는 전류 I 사이에는, 비례 상수 A를 이용해서 I=A×dV/dt의 관계가 대략 성립된다.
도 5는 직류 전원(133)이 출력하는 전압 파형을 나타내는 도면이다. 직류 전원(133)은, 제어부(150)로부터의 지령에 따라, 주파수 ft, 진폭 Vt의 직선 삼각파(151)에 따라 변화하는 전압을 출력한다. 즉, 직류 전원(133)이 출력하는 전압 파형은, 1주기의 파형이, 소정 시간에 소정량 이상 변화하는 진폭의 기간을 갖는다. 여기에서 웨이퍼로부터 흐르는 전류 I는 바이어스 전압 발생부(127)의 전압의 미분에 비례하기 때문에, 직선 삼각파의 미분인 구형파 형상의 전류가 웨이퍼로부터 흐른다.
종래 기술과 같이, 전압의 상승·하강이 급준한 구형파에서는, 전압의 미분값에 비례하는 웨이퍼로부터 흐르는 전류 I의 계속이 순간적으로 종료된다. 한편, 직선 삼각파이면, 전압이 상승 또는 하강하고 있는 동안, 전류 I가 계속해서 흐른다. 웨이퍼의 전하 제거를 위해서는 전류 I의 계속 시간이 최저여도 1ms 이상이고, 그것이 길수록 바람직하다. 따라서, 전류 I의 계속 시간이 짧은 구형파보다도, 직선 삼각파를 이용하는 편이, 웨이퍼 표면의 전하 제거 효과가 높아진다. 후술하는 곡선 삼각파에 대해서도, 마찬가지의 효과가 있다.
특히 하강에 대해서는, 하강이 급준한 구형파와, 후술하는 곡선 삼각파에서 에칭 결과를 비교했더니, 곡선 삼각파의 편이 에칭의 대상이 아닌 메탈층의 데미지가 저감되어 있어, 하강 시의 전류 I의 계속 시간은 중요하다.
이 전류 I를, 도 4의 등가 회로를 기초로 해서 회로 시뮬레이터로 계산한 것이, 도 6에 나타내는 파형(152)이다. 시뮬레이션에서는 ft=50Hz로 해서 계산했다. 시뮬레이션의 결과에 의하면, 전류 I는 구형파 형상으로 변화하고, 극성이 양음 번갈아 바뀌면서, 각각의 극성에서 1/(2×ft)=10ms 동안 계속해서 흐르고 있는 것을 알 수 있다.
웨이퍼 상의 유전체 내부에 축적한 하전 입자를 유전체 외부까지 이동시키기 위해서는, 밀리초 오더의 시간이 필요하고, 가령 웨이퍼로부터 흐르는 양 혹은 음의 전류가 각각 1ms 미만밖에 계속되지 않을 경우, 유전체 내부에서 하전 입자가 끌어당겨졌다가 되돌아가는 것을 반복만 하게 된다. 그 때문에 ft는 대략 500Hz 이하로 할 필요가 있다. 이 조건을 충족시키면 양 및 음의 전류가 각각 1ms 이상 계속되기 때문에, 하전 입자 제거에 유효하게 작용한다.
또한 양전하와 음전하에서는 웨이퍼 내에서의 이동도가 서로 다른 것도 생각할 수 있다. 또 이동도 μ란, 전장 E를 인가했을 때의 하전 입자의 평균 이동 속도를 v로 했을 때에, μ=v/E로 표시되는 값이다.
그래서, 양쪽의 전하를 이동도에 상관없이 확실히 제거하면서 웨이퍼로부터 가능한 한 많은 전류가 흐르도록, 도 7에 나타내는 바와 같은, 변형한 직선 삼각파(153)에 따라 변화하는 전압을 직류 전원(133)으로부터 출력해도 된다. 이 파형은, 전압이 최소값으로부터 최대값까지 상승하는 시간과, 최대값으로부터 최소값까지 하강하는 시간의 비가, Dt:(1-Dt)이다.
여기에서, Dt는, 웨이퍼 상의 유전체 내부에 있어서의 전자와 이온 각각의 이동도를 각각 μe, μi로 했을 때, Dt=μi/(μe+μi)로 표시된다. 환언하면, Dt는, 웨이퍼 상의 유전체 내에 있어서의 전자의 이동도와 유전체 내에 있어서의 이온의 이동도의 합에 의해 이온의 이동도를 나눈 값이다. 이때 직선 삼각파(153)에서 전압이 상승하는 시간과 하강하는 시간의 비는, (1/μe):(1/μi)로 되고, 이것은 음전하의 이동에 요하는 시간과 양전하의 이동에 요하는 시간의 비로 된다. 한편, 각 극성의 시간을 각각 1ms 이상 확보하기 위하여, 주파수 fp는, fp≤1000Dt 및 fp≤1000(1-Dt)을 모두 충족시키도록 정해야만 한다. 단 fp의 단위는 Hz이다. 또, 삼각파형의 주파수 fp는, Hz를 단위로 했을 때, 1로부터 Dt를 뺀 값 또는 Dt 중 어느 작은 쪽의 값을 1000배로 한 값인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따르면, 재치대에 인가되는 고주파 바이어스 전압과는 별개로, 직류 전원으로부터 출력되는 직선 삼각파를 중첩시킴으로써, 웨이퍼 표면의 하전 입자의 제거에 충분한 시간 계속되는 전류가 발생한다. 이 전류에 의해 시료 표면의 하전 입자가 제거되어, 수직성이 높은 트렌치 형상을 얻을 수 있고, 또한 트렌치 내부의 에칭 대상이 아닌 막의 데미지를 저감하는 것이 가능하게 된다.
또한 직선 삼각파(151) 대신에, 도 8에 나타내는 바와 같은 곡선 삼각파(154)의 전압을 인가하는 것에서도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 곡선 삼각파(154)는, 시정수가 큰 구형파라고 할 수도 있지만, 직선 삼각파에 유사한 특성을 갖는다. 곡선 삼각파(154)를 시정수가 큰 구형파로부터 형성할 경우, 듀티비를 50%로 했을 경우, 상승 시정수 τr 및 하강 시정수 τf를 각각 0.43ms 이상, 전형적으로는 수 ms 정도로 하는 것이 바람직하다. 이에 더하여 각 전류는 1ms 이상 계속할 필요가 있으므로, 곡선 삼각파(154)의 주파수 fp는 500Hz 이하로 해야만 한다.
이들 조건을 충족시키면, 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼로부터 흐르는 전류(155)는 최대값의 10% 이상을 유지하면서, 전압 상승 및 하강 개시 시로부터 1ms 이상 지속되기 때문에, 하전 입자의 제거에 기여할 수 있다. 환언하면, 직류 전원으로부터 출력되는 전압 파형의 진폭의 변화 시간 및 변화량은, 전압 파형에 의해서 웨이퍼에 발생하는 전류의 최대값의 10% 이상을 1ms 이상 유지시키는 진폭의 변화 시간 및 변화량인 것이 바람직하다.
또한 웨이퍼 상 유전체 내부의 전자 및 이온의 이동도 μe 및 μi의 차를 고려해서, 곡선 삼각파(154)의 듀티비 Dp를 50% 이외로 해도 된다. 이 경우 Dp는, Dp:(1-Dp)=(1/μe):(1/μi)를 충족시키도록 하면 되므로, Dp=μi/(μe+μi)로 된다. 환언하면, Dp는, 웨이퍼 상의 유전체 내에 있어서의 전자의 이동도와 유전체 내에 있어서의 이온의 이동도의 합에 의해 이온의 이동도를 나눈 값이다. 한편, 각 극성의 시간을 각각 1ms 이상 확보하기 위하여, 주파수 fp는, fp≤1000Dt 및 fp≤1000(1-Dt)을 모두 충족시키도록 정해야만 한다. 단 fp의 단위는 Hz이다. 또, 삼각파형의 주파수 fp는, Hz를 단위로 했을 때, 1로부터 Dp를 뺀 값 또는 Dp의 어느 작은 쪽의 값을 1000배로 한 값인 것이 바람직하다.
직선 삼각파 대신에 곡선 삼각파를 이용하면, 구형파를 이용하는 경우와 마찬가지로 직류 전원(133)의 제어가 용이하게 된다. 곡선 삼각파를 이용하는 경우는, 제어부(150)로부터 출력되는 제어 신호는 ON 및 OFF의 2종류의 상태를 번갈아 출력하면 되고, 시정수 τr 및 τf는, 제어 신호 혹은 직류 전원(133)의 출력에 대하여 로우 패스 필터를 적용하는 것, 또는 직류 전원(133)에 출력 피드백을 설치하는 것 등의 수단에 의해 실현할 수 있다.
또, 도 5, 도 7 및 도 8에 있어서, 파형(151, 153 및 154)은 항상 전압이 양으로 되도록 나타나 있지만, 실제로는 항상 전압이 음, 혹은 양과 음에 걸친 파형이어도 된다. 이것은, 웨이퍼로부터 흐르는 전류는 전압의 미분이기 때문에, 전압의 양음은 영향을 미치지 않기 때문이다.
도 10은, (a) 고주파 전원(131), (b) 마이크로파 전원(116) 및 (c) 직류 전원(133)의 출력 개시 및 종료 시각의 관계를 나타내는 도면이고, 종축에 출력, 횡축에 시간을 취해서 나타내고 있다. 마이크로파 전원(116)의 출력 개시는 고주파 전원(131)의 출력 개시 이전인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 플라스마의 유무에 따라 고주파 전원(131)으로부터 보았을 때의 챔버의 임피던스는 크게 서로 다르기 때문에, 마이크로파 전원(116)의 출력에 의해 플라스마가 발생한 후에 고주파 전원(131)의 출력을 개시하는 편이, 고주파 전원(131)의 출력이 안정되기 때문이다. 또한 마찬가지의 이유에 의해, 고주파 전원(131)의 출력 종료는, 마이크로파 전원(116)의 출력 종료 이전인 것이 바람직하다.
직류 전원(133)의 출력 개시는, 고주파 전원(131)의 출력 개시 이전인 것이 바람직하다. 이것은 이하의 이유에 의한 것이다. 고주파 전원(131)으로부터 고주파 전력이 출력되고 있으면, 플라스마(136)와 웨이퍼(126) 사이의 전압이 높아지기 때문에, 웨이퍼(126)에 인입되는 하전 입자의 수직성이 높아지고, 웨이퍼(126) 상의 트렌치 측벽이 대전되기 쉬워진다. 한편, 직류 전원(133)이 출력됨에 의한 장치 및 에칭 결과에의 악영향은 없다. 그 때문에, 직류 전원(133)의 출력을 고주파 전원(131)의 출력 이전으로 함으로써, 보다 효과적으로 트렌치 측벽에의 대전을 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한 마찬가지의 이유에 의해, 직류 전원(133)의 출력 종료는, 고주파 전원(131)의 출력 종료 이후인 것이 바람직하다.
또한, 마이크로파 전원(116)에 의해서 플라스마가 발생하면, 플라스마(136)와 웨이퍼(126) 사이에 전위차가 발생하기 때문에, 고주파 전원(131)이 출력을 개시하고 있는 경우보다는 정도가 약하지만, 하전 입자는 수직성을 갖게 되어 버린다. 한편, 직류 전원(133)이 마이크로파 전원(116) 이전에 출력됨에 의한 악영향은 없다. 그 때문에, 직류 전원(133)과 마이크로파 전원(116)의 출력 타이밍의 관계는, 전술의 직류 전원(133)과 고주파 전원(131)의 출력 타이밍의 관계와 마찬가지로 하는 것이 바람직하다. 즉, 고주파 전원(131)의 출력 개시는, 직류 전원(133)의 출력 개시 이후인 것이 바람직하고, 또한 고주파 전원(131)의 출력 종료는, 직류 전원(133)의 출력 종료 이전인 것이 바람직하다.
한편, 직류 전원(133)과 정전 흡착 전원(139)의 출력 타이밍의 관계에 대해서는, 어느 쪽이 먼저 출력 개시 혹은 종료되어도, 장치 및 에칭에 악영향은 없기 때문에, 특별히 문제없다.
[변형예 1]
도 11을 이용해서, 본 발명의 실시형태에 대한 제1 변형예를 설명한다. 또, 이미 설명한 도 2 내지 도 4에 나타난 것과 동일한 부호가 부여된 구성은, 동일한 기능을 갖는 부분이므로, 그 구성에 대해서는 중복 설명을 생략한다.
도 11은 본 변형예에 관한, 전극(125)의 단면 및 바이어스 전압 발생부(127), 정전 흡착 전원(139)의 상세를 나타내는 모식도이다. 본 변형예에서는 바이어스 전압 발생부(127)가, 커패시터(138a', 138b')를 통해서 정전 흡착 전극(135a, 135b)과 각각 병렬로 접속되어 있다. 커패시터(138a', 138b')를 통해서 접속함에 의해, 바이어스 전압 발생부(127)가 정전 흡착 전원(139)에 의한 직류 전압의 영향을 받지 않도록 되어 있다. 또한 커패시터(138a', 138b')의 용량을 조정함에 의해, 전술한 실시형태에 있어서의 기재(129)와 정전 흡착 전극(135a, 135b) 사이의 용량을 모의(模擬)할 수 있고, 당해 실시형태와 본 변형예에서 웨이퍼에 대해서 동등한 효과를 가져올 수 있다. 전술한 실시형태에 관한 도 3의 구성과 중복하는 구성에 대해서는, 설명을 생략한다.
[변형예 2]
도 12를 이용해서, 본 발명의 실시형태에 대한 제2 변형예를 설명한다. 도 12는 본 변형예에 관한, 전극(125)의 단면 및 바이어스 전압 발생부(127), 정전 흡착 전원(139), 삼각파 발생부(142)의 상세를 나타내는 모식도이다. 본 변형예에서는, 정전 흡착 전극(135a 및 135b)과 기재(129) 사이에, 삼각파 인가 전극(141)이 배치되어 있다. 상기 전극은 유전체막(130)에 의해서 주위와 절연되어 있고, 또한 로우 패스 필터(134)를 통해서 직류 전원(133)과 접속되어 있다. 또한 기재(129)에는 자동 정합기(132)를 통해서 고주파 전원(131)과 접속되어 있다. 전술한 실시형태에 관한 도 3의 구성과 중복하는 구성에 대해서는, 설명을 생략한다.
삼각파 인가 전극(141)과 정전 흡착 전극(135a 및 135b) 사이의 유전체막(130)의 두께는, 전술한 실시형태에 있어서의 기재(129)와 정전 흡착 전극(135a 및 135b) 사이의 유전체막(130)의 두께와 동등하게 하는 것이 바람직하다. 그렇게 함으로써 삼각파의 인가 개소와 정전 흡착 전극(135a 및 135b) 사이의 용량이, 본 변형예와 당해 실시형태에 있어서 동등하게 되고, 본 변형예에 있어서, 웨이퍼에 대해서 당해 실시형태와 마찬가지의 효과를 가져올 수 있다.
[변형예 3]
도 13 및 도 14를 이용해서, 본 발명의 실시형태에 대한 제3 변형예를 설명한다. 도 13은 본 변형예에 관한, 전극(125)의 단면 및 바이어스 전압 발생부(127), 정전 흡착 전원(139)의 상세를 나타내는 모식도이다. 본 변형예에서는, 기재(129)에 바이어스 전압 발생부(127)가, 정전 흡착 전극(135a 및 135b)에 정전 흡착 전원(139)이, 각각 접속되고, 바이어스 전압 발생부(127) 및 정전 흡착 전원(139)은, 제어부(150)에 의해 제어된다.
여기에서 바이어스 전압 발생부(127)는, 기재(129)에 접속하는 대신에, 커패시터를 통해서 정전 흡착 전극(135a 및 135b)에 접속해도 된다.
도 14는, 정전 흡착 전원(139)으로부터 출력되는 전압의 파형을 나타내고, 파형(143a)은 정전 흡착 전원(139a)의 출력, 파형(143b)은 정전 흡착 전원(139b)의 출력을 각각 나타내는 도면이다. 전술한 실시형태에 있어서는, 정전 흡착 전원(139a 및 139b)은 각각 서로 다른 직류 전압을 출력하지만, 본 변형예에 있어서는 각각의 직류 전압에 삼각파를 중첩시킨 파형을 출력하도록, 각 전원이 제어부(150)에 의해 제어된다.
파형(143a 및 143b)에 중첩되는 삼각파는, 직선 삼각파여도 되고, 곡선 삼각파여도 되고, 또한 주파수 및 듀티비는 전술의 실시형태와 같은 사고방식으로 결정된다. 한편, 웨이퍼(126)로부터 흐르는 전류가 당해 실시형태와 동등하게 되는 진폭은, 당해 실시형태보다 작아진다. 이것은 정전 흡착 전극(135a 및 135b)과 웨이퍼(126) 사이의 유전체막(130)은, 기재(129)와 웨이퍼(126) 사이의 유전체막(130)보다도 작아지기 때문에, 전자의 정전 용량이 후자의 것보다 크기 때문이다.
또한 파형(143a 및 143b)에 중첩되는 삼각파의 위상은, 일치되어 있는 것이 바람직하다. 위상을 일치시킴에 의해, 정전 흡착 전극(135a 및 135b) 사이의 전위차는 항상 일정하게 되고, 웨이퍼(126)의 흡착에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다.
[변형예 4]
도 15 및 도 16을 이용해서, 본 발명의 실시형태에 대한 제4 변형예를 설명한다. 도 15는 본 변형예에 관한, 전극(125)의 단면 및 바이어스 전압 발생부(127), 정전 흡착 전원(139)의 상세를 나타내는 모식도이다. 본 변형예에서는, 기재(129)에 바이어스 전압 발생부(127)가, 정전 흡착 전극(135a 및 135b)에 정전 흡착 전원(139)이, 각각 접속되고, 바이어스 전압 발생부(127) 및 정전 흡착 전원(139)은, 제어부(150)에 의해 제어된다. 바이어스 전압 발생부(127)는 자동 정합기(132), 앰프(144) 및 임의 파형 생성부(145)를 갖고 있고, 앰프(144)는 자동 정합기(132)를 통해서 기재(129)와 접속되어 있다. 또한 앰프(144)는, 임의 파형 생성부(145)로부터 입력된 전압을 어느 게인으로 증폭해서 출력한다.
도 16은 앰프(144)가 출력하는 전압 파형(146)을 나타내는 도면이다. 파형(146)은, 전술한 실시형태에 있어서 고주파 전원(131)이 출력하는 고주파와, 마찬가지로 당해 실시형태에 있어서 직류 전원(133)이 출력하는 삼각파를 중첩한 것이다. 임의 파형 생성부(145)는, 앰프(144)가 파형(146)을 출력하도록, 파형(146)의 각 시각의 전압에 대하여, 앰프(144)의 게인으로 나눈 전압을 앰프(144)에 입력한다. 또한, 임의 파형 생성부(145)는, 앰프(144)가 주파수 특성을 가질 경우에, 앰프(144)의 출력이 파형(146)으로 되도록, 주파수 특성으로부터 역산해서 특정의 주파수 성분을 강하게, 혹은 약하게 한 파형을 앰프(144)에 입력해도 된다.
[변형예 5]
도 17 및 도 18을 이용해서, 본 발명의 실시형태에 대한 제5 변형예를 설명한다. 도 15는 본 변형예에 관한, 전극(125)의 단면 및 정전 흡착 전원(160)의 상세를 나타내는 모식도이다. 본 변형예에서는, 정전 흡착 전원(160)은 임의 파형 생성부(147a 및 147b), 앰프(148a 및 148b), 그리고 자동 정합기(149a 및 149b)를 갖고, 앰프(148a)는 자동 정합기(149a)를 통해서 정전 흡착 전극(135a)에, 앰프(148b)는 자동 정합기(149b)를 통해서 정전 흡착 전극(135b)에, 각각 접속되어 있다. 앰프(148a 및 148b)는, 임의 파형 생성부(147a 및 147b)로부터 각각 입력된 전압을, 어느 게인으로 증폭해서 각각 출력한다.
도 18은 앰프(148a 및 148b)의 출력 전압인 파형(161a 및 161b)을 나타내는 도면이다. 파형(161a) 및 파형(161b)은, 변형예 3에 있어서의 정전 흡착 전원(139a 및 139b)의 출력 파형에, 고주파를 더 중첩시킨 것이다. 중첩하는 고주파의 주파수는, 전술한 실시형태에 있어서 고주파 전원(131)이 출력하는 고주파와 동등하다. 한편, 전압의 진폭은, 당해 실시형태에 있어서의 고주파 전원(131)의 출력 전압 진폭에 대해서, 당해 실시형태에 있어서 기재(129)에 인가된 고주파가 정전 흡착 전극(135a 및 135b)에 전해질 때의 감쇠율을 곱한 것으로 함으로써, 웨이퍼(126) 상에서 당해 실시형태와 동등한 효과를 얻을 수 있다.
임의 파형 생성부(147a 및 147b)는, 파형(161a 및 161b)의 각 시각의 전압을, 앰프(148a 또는 148b)의 게인으로 각각 나눈 전압을, 앰프(148a 및 148b)에 각각 입력한다. 또한, 임의 파형 생성부(147a 및 147b)는, 앰프(148a 및 148b)가 주파수 특성을 가질 경우에, 앰프(148a 및 148b)의 출력이 파형(161a 및 161b)으로 되도록, 주파수 특성으로부터 역산해서 특정의 주파수 성분을 강하게, 혹은 약하게 한 파형을 앰프(148a 및 148b)에 입력해도 된다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시형태에 의거하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시형태로 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형예가 포함된다. 예를 들면, 상기한 실시형태는 본 발명을 알기 쉽게 설명하기 위하여 상세히 설명한 것이고, 반드시 설명한 모든 구성을 구비하는 것으로 한정되는 것은 아니다.
또한, 어느 실시형태의 구성의 일부를 다른 실시형태의 구성으로 치환하는 것이 가능하고, 또한, 어느 실시형태의 구성에 다른 실시형태의 구성을 더하는 것도 가능하다. 또한, 각 실시형태의 구성의 일부에 대하여, 다른 구성의 추가, 삭제, 치환을 하는 것이 가능하다. 또, 도면에 기재한 각 부재나 상대적인 사이즈는, 본 발명을 알기 쉽게 설명하기 위하여 간소화·이상화하고 있고, 실장 상은 보다 복잡한 형상으로 되는 경우도 있다
또, 상기 실시형태에서 설명한 구조나 방법에 대해서는, 상기 실시형태의 것으로 한정되는 것은 아니며, 다양한 응용예가 포함된다.
100 : 플라스마 처리 장치
104 : 진공 처리실
125 : 전극
126 : 웨이퍼
127 : 바이어스용 고주파 전원
129 : 기재
130 : 유전체막
131 : 고주파 전원
132, 149a, 149b : 자동 정합기
133 : 직류 전원
134 : 로우 패스 필터
135a, 135b : 정전 흡착 전극
136 : 플라스마
138a, 138b : 병렬 회로
139, 139a, 139b, 160 : 정전 흡착 전원
139a, 139b : 전원 유닛
145, 147a, 147b : 임의 파형 생성부
150 : 제어부

Claims (9)

  1. 시료가 플라스마 처리되는 처리실과, 플라스마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 제1 고주파 전원과, 상기 시료를 정전 흡착시키기 위한 전극을 구비하고 상기 시료가 재치(載置)되는 시료대와, 상기 시료대에 고주파 전력을 공급하는 제2 고주파 전원을 구비하는 플라스마 처리 장치에 있어서,
    주기적으로 반복되는 파형에 따라 변화시킨 직류 전압을 상기 시료대의 도체의 기재에 인가하는 직류 전원을 더 구비하고,
    1주기의 상기 파형은, 소정 시간에 소정량 이상 변화하는 진폭의 기간을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 진폭의 변화 시간 및 변화량은, 상기 파형에 의해서 상기 시료에 발생하는 전류의 최대값의 10% 이상을 1ms 이상 유지시키는 진폭의 변화 시간 및 변화량인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파형은, 삼각파인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 시료대에 공급되는 고주파 전력은, 상기 직류 전압이 상기 시료대에 인가되어 있을 때, 상기 시료대에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파형의 주파수는, 500Hz 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파형은, 구형파(矩形波)이고,
    상기 구형파는, 상승 및 하강의 시정수가 각각 0.43ms 이상인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  7. 제3항 또는 제6항에 있어서,
    상기 직류 전압이 하강하는 시간에 대한 상기 직류 전압이 상승하는 시간의 비는, 1로부터 값 D를 뺀 값에 의해 상기 값 D를 나눈 값이고,
    상기 값 D는, 상기 시료 상의 유전체 내에 있어서의 전자의 이동도와 상기 유전체 내에 있어서의 이온의 이동도의 합에 의해 상기 이온의 이동도를 나눈 값인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 파형의 주파수는, Hz를 단위로 했을 때, 1로부터 상기 값 D를 뺀 값 또는 상기 값 D 중 어느 작은 쪽의 값을 1000배로 한 값인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  9. 삭제
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