JP5794905B2 - リフロー法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 被処理物を、表面に凹部が形成され、当該凹部を含む表面にCu膜が形成されたものとし、被処理物が吸着保持される静電チャック部を支持する基台を加熱し、当該基台からの伝熱で被処理物を設定温度で加熱してCu膜を流動させて凹部内をCuで埋め込むリフロー方法において、
前記被処理物が前記設定温度に達するまでに、前記静電チャック部の吸着電極への印加電圧を設定電圧まで上昇させると共に一定の電圧降下速度で印加電圧を減少させて電圧の印加を停止し、
前記被処理物が前記設定温度に達した後、Cu原子及びCuイオンの少なくとも一方を被処理物表面に供給することを特徴とするリフロー方法。 - 前記設定温度を100℃〜300℃の範囲の温度とすることを特徴とする請求項1記載のリフロー方法。
- 請求項1または請求項2に記載のリフロー方法を利用した半導体装置の製造方法であって、
被処理物を半導体基板の一方の面側に有する絶縁膜中にパターニング形成した溝部とし、この被処理物を真空中で加熱する脱ガス工程と、
前記被処理物を水素プラズマに曝して不純物を除去する不純物除去工程と、
前記溝部内面にバリア層を形成するバリア層形成工程と、
前記バリア膜を覆うようにCu膜を形成するCu膜形成工程と、を含み、
この溝部を含む表面にCu膜が形成されたものに対し、上記リフロー方法を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バリア層は、Ta,Ti,W,Ru,V,Co,Nbのうち、少なくとも一種を含む材料で構成されることを特徴とする請求項3項記載の半導体装置の製造方法。
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