JP2004534384A - デチャックの音響検出及びその装置 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
発明の分野
本発明は、基板のデチャック(dechucking)の完了を検出する方法及びそのための装置に関する。本発明は、真空チャンバ内のプラズマ処理等の処理中における半導体ウエハのデチャックを検出するのに有用である。デチャックの完了を検出するための装置は、半導体ウエハ又はフラットパネルディスプレイ基板等の基板を上昇させるためのリフトピン機構に組み込まれうる。
【背景技術】
【0002】
発明の背景
プラズマエッチング、イオン注入、スパッタリング、瞬時熱プロセス(rapid thermal processing;RTP)、フォトリソグラフィ、化学気相成長(CVD)及びフラットパネルディスプレイ製造プロセス等の半導体処理のための様々なタイプの装置が存在し、その中でエッチング、レジスト剥離、パッシベーション(passivation)、デポジション等が行われる。このようなシステムでは、リフトピン機構によって基板を搬送及び/又は支持する必要がある。そのようなリフトピン機構は、熱的、化学的、光学的及びその他の基板処理で搬送中に基板を一時的に支持するために用いられうる。
【0003】
プラズマの発生は、このような様々な半導体製造プロセスに用いられる。プラズマ発生装置は、本願と同じ出願人による米国特許第4,340,462号に開示されたタイプ等の平行平板反応室、本願と同じ出願人による米国特許第5,200,232号に開示されたタイプ等の電子サイクロトロン共鳴(ECR)システム、及び本願と同じ出願人による米国特許第同4,948,458号に開示されたタイプ等の誘導結合プラズマシステムを含む。このようなプラズマ処理システムでは、従来では、プラズマ処理チャンバの一部の内部にある基板ホルダ上で処理すべき基板を支持する。さらに、従来では、機械的及び/又は静電気的クランピング機構(mechanical and/or electrostatic clamping mechanisms)によって基板ホルダ上に基板を保持する。機械的クランピングシステムの一例は、米国特許第4,615,755号に開示され、静電チャッキング(ESC)装置の一例は、米国特許第4,554,611号に開示されている。
【0004】
基板処理チャンバ内にウエハ等の基板を搬送するために、従来では、米国特許第4,431,473号、同4,790,258号、同4,842,683号及び同5,215,619号に開示されたタイプ等のロボットアーム及びリフトピン機構を利用する。基板ホルダ上のウエハを下降させるために、従来では、米国特許第4,431,473号に開示されたタイプ等のリフトピン機構を用いており、この機構では、4つのリフトピンがウエハの形態で基板と同心の円形パターンで配置される。
【0005】
米国特許第5,948,986号は、基板をESC上に静電気的にクランプする前に基板の有無を監視するための音波を利用する技術を開示している。米国特許第6,182,510 B1号は、ピントランスデューサー(pin transducers)等のリフトピンを用いてウエハに音波が伝達されるなどの、その処理中にウエハ温度を測定する音波を利用する装置を開示している。米国特許第5,872,694号は、ウエハ内のそり(warpage)を求めて、ESCに最適なクランピング電圧(clamping voltage)を与えるための装置を開示している。一旦、ウエハの処理が完了すると、ウエハを安全に移動させることができるように、ウエハをデチャックし、及び/又は、いつクランピング力(clamping forces)が十分にゆるくなった(released)かを決定するための様々な技術が提案されている。例えば、米国特許第5,117,121号、同5,491,603号、同5,790,365号、同5,818,682号、同5,900,062号、同5,956,837号、同6,057,244号を参照されたい。
【0006】
ウエハのデチャックがいつ完了したかを監視/予測するための技術が提案されているが、このような技術は、基板上のクランピング力が、ピン又は他の搬送機構を上昇させることによってチャック表面から基板を移動させることができるのに十分に減少されるのがいつであるかを、適切に決定し得ない。したがって、基板がクランピング面からのその搬送ができるのに十分にデチャックされた(dechucked)のがいつであるかを決定するより正確な技術が技術的に必要とされている。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0007】
発明の要約
本発明は、静電チャックのデチャックを検出するための方法及び装置を提供する。本装置は、その支持面上に半導体基板を静電気的にクランプするように構成された静電チャックを含む基板支持体と、前記半導体基板に音響信号を伝達するように構成された音響信号発生器と、前記半導体基板の第1状態と第2状態とを検出するように構成された検出器と、を備え、前記第1状態は前記半導体基板が静電気的にクランプされているときに検出され、前記第2状態は前記半導体基板全体が静電気的にクランプされていないときに前記検出器によって検出される。好適な実施の形態によれば、前記基板支持体は、該基板支持体と接触するリフトピンを含み、前記音響信号発生器は、前記半導体基板と接触する該リフトピンの少なくとも1つを通して音響信号を伝達する。前記基板支持体は、前記基板上に材料の層を堆積するためにプラズマエッチングチャンバ又はCVDチャンバ等の真空チャンバ内に配置されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
好適な実施の詳細な説明
シリコンウエハ等の半導体基板が基板支持体に静電気的にクランプされる半導体プロセスでは、クランピング力が十分に減少するまで、支持体から基板を移動させることを遅らせるのが望ましい。クランピング力が十分に減少する前に基板を移動させると、基板にダメージを与えてしまう、及び/又は、基板を上昇させたり下降させたりするために用いられるリフトピンによって基板がESCから外れて、基板が処理されるチャンバ内の望ましくない位置に飛び出すことになり得る。本発明は、基板が十分にデチャックされて、その安全な移動が可能であるのはいつであるかを決定することができる技術を提供する。
【0009】
ESCを用いた基板をクランピングする間は、基板の裏面近くの薄い半導体層(thin semi-conductive layer)に埋め込まれた1つ又は複数の高電圧電極が、静電クランピング力を発生させるために用いられうる。例えば、十分な電圧(直流で約1000ボルト)が電極に与えられ、次に、高電圧電極上の電荷に作用する基板下面上の電荷を生成する電界を作り出す。その結果、基板とESCとの間に正味の引力(net attractive force)が生じる。例えば、プラズマエッチング、デポジション等の処理が完了すると、基板は、次の基板が同様に処理されうるように、チャンバの外に搬送される必要がある。そうするためには、リフトピン機構等の装置によって基板が上昇させられる前に、基板とESCとの間のクランピング力をしきい値よりも下げる必要がある。
【0010】
本発明は、十分なデチャックがいつ起こるのかを見積もるために、経験的な判定(empirical determination)を頼りにするデチャック技術を改善するものである。しかしながら、基板タイプ間の相違及び/又は長期に渡るESC性能のシフト間の相違によって、いつ十分なデチャックが起こったのかを決定することが不正確になりうる。本発明は、基板をESCから移動させるのが安全なのはいつであるかをより正確に決定するために、基板からのフィードバックを利用する方法を提供することによって、このような問題を解決する。本発明に係る好適な方法は、基板の状態を監視して、基板を移動させるのが安全なのはいつであるかを決定するために音響信号を用いる。
【0011】
第1の好適な実施の形態によれば、音響信号は基板に送られ、音響検出器等の検出器が基板から反射された音響信号を監視するために用いられる。基板チャック本体に基板がクランプされているときと、基板とチャック本体との間のクランピング力が所定のしきい値より下に下降したときとでは、反射した音響信号が、異なる振る舞いをする(behave differently)ので、クランピング力が基板を安全に移動させるのに十分な程度に減少されるのがいつであるかを検出することができる。
【0012】
基板に音響信号を与える技術の1つは、基板に音響信号を結合させる(couple)リフトピン機構の1つ又は複数のリフトピンを用いることである。音波の周波数は、基板の機械的な共振周波数と適合するように選択されうる。基板がESCから完全にデチャックされていない限りは、基板とESCとは結合システム(coupling system)を形成するからである。結合システムの質量の方が大きいため、その共振周波数は、基板自体の共振周波数よりもかなり低くなる。この結合効果(coupling effect)によって、リフトピン又はピンによって伝えられた音波は、基板によって吸収されず、その代わりに反射される。これに対し、基板がESCから十分にデカップリングされる(decoupled)と、供給された音波は、基板の機械的な“固有振動数”に共振して、基板に吸収される。
【0013】
リフトピンのベースにある音響検出装置は、音波の振幅を監視するために用いられうる。吸収が起こると、振幅は共振増幅(resonant amplification)によってかなり高くなる。従って、振幅の増加が感知されると、“リフト”信号がコントローラからピンリフト機構に送られることによって、リフトピンがESCから基板を上昇させる。搬送機構のロボットアームは、次に、チャンバから基板を取り除くために用いられうる。
【0014】
図1は、本発明に係る音響監視機構を組み込んだ構成を示す図である。この構成は、リフトピン台(lift pin pedestal)14のシャフト12に取り付けられた音響送信器/受信器10を含む。リフトピン台14は、チャック本体18の開口部内に延びるリフトピン16を含む。チャック本体は、チャック本体18の上面に基板20を静電気的にクランプするために、その上部にESCを含む。空気圧駆動式シリンダ(pneumatically actuated cylinder)22は、シャフト12を垂直に移動させることによって、基板20を昇降させるのに効果的である。バルブ26が開いているときには、加圧ガス(pressurized gas)がライン24を通ってシリンダ22に供給される。例えば、コントローラ30は、送信器/受信器からのフィードバック信号を監視して、基板が十分にデチャックされて、ピンリフト機構によってその安全な移動が可能であるときに対応するしきい値を超えて共振増幅が増加したことを送信器/受信器が示したときに、リフトピン16を上昇させるバルブ26を作動するために用いられうる。
【0015】
上記の例示的な実施の形態は、本発明を制限するものではなく、あらゆる点において一例として示したものである。従って、本発明は、当業者によってここに含まれる説明から導き出せる詳細な実施において様々なバリエーション(variations)が可能である。このようなバリエーションは全て、特許請求の範囲によって定められた本発明の範囲及び思想を逸脱しない範囲で考えられる。
図面の簡単な説明
本発明の前述及び他の目的、特徴及び利点は、図面に関連した詳細な説明を参照すれば容易に理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】図1は、本発明に係る音響監視機構を組み込んだリフトピン機構を示す図である。
Claims (18)
- 静電チャックのデチャックを検出するための装置であって、
その支持面上に半導体基板を静電気的にクランプするように構成された静電チャックを含む基板支持体と、
前記半導体基板に音響信号を伝達するように構成された音響信号発生器と、
前記半導体基板の第1状態と第2状態とを検出するように構成された検出器と、を備え、
前記第1状態は前記半導体基板が静電気的にクランプされているときに検出され、前記第2状態は前記半導体基板全体が静電気的にクランプされていないときに前記検出器によって検出されることを特徴とする装置。 - 前記基板支持体は、該基板支持体と接触するリフトピンを含み、前記音響信号発生器は、前記半導体基板と接触する該リフトピンのうちの少なくとも1つを通して前記音響信号を伝達することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記音響信号発生器は、前記半導体基板の機械的な共振周波数で音波を出力し、前記第2状態は、前記基板による前記音波の吸収の増加を前記検出器が検出したときに検出されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- ピンリフト機構とコントローラとを更に備え、該コントローラは、前記第2状態を示す前記検出器からの出力信号を受信し、前記第2状態が検出されたときに前記基板を上昇させる前記リフトピン機構を作動させることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記リフトピン機構は、空気作動式であり、前記コントローラは、リフトピン台に取り付けられたシャフトを上昇させる空気圧シリンダに加圧ガスを供給するバルブを操作することによって、前記リフトピン機構を作動させることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記基板支持体は、プラズマエッチングチャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記基板支持体は、CVDチャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記基板支持体は、開口部を有し、この開口部を通して伝熱ガスが前記基板と前記支持面との間に供給されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記半導体基板は、シリコンウエハであり、前記第2状態は、前記音響信号発生器によって発生された音波が前記ウエハによって吸収されたときに検出されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 静電チャックのデチャックを検出する方法であって、
基板支持体上に半導体基板を支持する工程であって、該基板支持体がその支持面上に該半導体基板を静電気的にクランプするように構成された静電チャックを含む工程と、
前記半導体基板に音響信号を伝達するように構成された音響信号発生器を用いて音響信号を発生する工程と、
前記半導体基板の第1状態と第2状態とを検出する工程であって、該第1状態は前記半導体基板が静電気的にクランプされているときに検出され、前記第2状態は前記半導体基板がしきいクランピング力を超えて静電気的にクランプされていないときに検出されることを特徴とする方法。 - 前記基板支持体は、該基板支持体と接触するリフトピンを含み、前記音響信号発生器は、前記半導体基板と接触する該リフトピンのうちの少なくとも1つを通して音響信号を伝達することを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記音響信号発生器は、前記半導体基板の機械的な共振周波数で音波を出力し、前記第2状態は、前記基板による前記音波の吸収の増加を前記検出器が検出したときに検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- ピンリフト機構とコントローラとを更に備え、該コントローラは、前記第2状態を示す前記検出器からの出力信号を受信し、前記第2状態が検出されたときに前記基板を上昇させる前記リフトピン機構を作動させることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記リフトピン機構は、空気作動式であり、前記コントローラは、リフトピン台に取り付けられたシャフトを上昇させる空気圧シリンダに加圧ガスを供給するバルブを操作することによって、前記リフトピン機構を作動させることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記基板支持体は、プラズマエッチングチャンバ内に配置され、前記第2状態は、前記半導体基板上の層をエッチングした後に検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記基板支持体は、CVDチャンバ内に配置され、前記第2状態は、前記半導体基板上に層を堆積した後に検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記基板支持体は、前記支持面に開口部を有し、伝熱ガスがこの開口部を通して前記基板と前記支持面との間の空間に供給されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記半導体基板は、シリコンウエハであり、前記第2状態は、前記音響信号発生器によって発生された音波が前記ウエハによって吸収されたときに検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351876A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
JP2007036070A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板昇降装置および基板処理装置 |
CN105190861A (zh) * | 2013-02-28 | 2015-12-23 | 瓦里安半导体设备公司 | 夹持与解除夹持基板的技术 |
JP2017224792A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、メンテナンス用治具、基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
JP2018503070A (ja) * | 2014-12-26 | 2018-02-01 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 振動特性または音響特性の解析に基づくウェハのクランプ検出 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3581303B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2004-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 判別方法及び処理装置 |
US6481723B1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Lift pin impact management |
WO2002101377A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for determining clamping status of semiconductor wafer |
US6861321B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-03-01 | Asm America, Inc. | Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock |
US7204888B2 (en) * | 2003-05-01 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly for substrate processing |
EP1762898A3 (en) * | 2003-05-09 | 2007-03-28 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1475667A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7301623B1 (en) * | 2003-12-16 | 2007-11-27 | Nanometrics Incorporated | Transferring, buffering and measuring a substrate in a metrology system |
KR101296911B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법 |
US7508494B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a subtrate table for exciting a shockwave in a substrate |
US20110164955A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-07-07 | Applied Materials,Inc. | Processing chamber with translating wear plate for lift pin |
US20110060442A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Valcore Jr John C | Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber |
US8797705B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-08-05 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential |
CN102110629B (zh) * | 2009-12-23 | 2015-09-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电夹持装置、减少残余电荷的方法及等离子体处理设备 |
CN101826452B (zh) * | 2010-03-30 | 2011-09-07 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片上载装置 |
JP6114708B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6180811B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-08-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
CN110199384B (zh) * | 2017-01-31 | 2020-08-14 | 应用材料公司 | 处理基板的方法及用于保持基板的基板载体 |
JP6866830B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2021-04-28 | 株式会社島津製作所 | 材料試験機および把持力検出方法 |
US10663871B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle stage and method for using the same |
KR20210063918A (ko) | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 삼성전자주식회사 | 리프트 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20230101216A (ko) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 세메스 주식회사 | 가스누출 검사장치 및 검사방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729968A (ja) * | 1991-05-17 | 1995-01-31 | Unisearch Ltd | 改良された静電チヤック |
JPH10150099A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの離脱方法 |
JPH1154604A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Sony Corp | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
US5948986A (en) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations |
JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
US6182510B1 (en) * | 1997-04-30 | 2001-02-06 | Sensys Instruments Corporation | Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340462A (en) | 1981-02-13 | 1982-07-20 | Lam Research Corporation | Adjustable electrode plasma processing chamber |
JPS5816078A (ja) | 1981-07-17 | 1983-01-29 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
GB2154365A (en) | 1984-02-10 | 1985-09-04 | Philips Electronic Associated | Loading semiconductor wafers on an electrostatic chuck |
US4615755A (en) | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
US5215619A (en) | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
US4842683A (en) | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
US4790258A (en) | 1987-04-03 | 1988-12-13 | Tegal Corporation | Magnetically coupled wafer lift pins |
JP2779950B2 (ja) | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
US5200232A (en) | 1990-12-11 | 1993-04-06 | Lam Research Corporation | Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors |
US5220232A (en) | 1991-09-03 | 1993-06-15 | Allied Signal Aerospace | Stacked magnet superconducting bearing |
US5436790A (en) | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
US5491603A (en) | 1994-04-28 | 1996-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method of determining a dechucking voltage which nullifies a residual electrostatic force between an electrostatic chuck and a wafer |
US5900062A (en) | 1995-12-28 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
US5788814A (en) * | 1996-04-09 | 1998-08-04 | David Sarnoff Research Center | Chucks and methods for positioning multiple objects on a substrate |
US5858099A (en) * | 1996-04-09 | 1999-01-12 | Sarnoff Corporation | Electrostatic chucks and a particle deposition apparatus therefor |
US6022807A (en) * | 1996-04-24 | 2000-02-08 | Micro Processing Technology, Inc. | Method for fabricating an integrated circuit |
JP3436846B2 (ja) | 1996-06-20 | 2003-08-18 | シャープ株式会社 | パケット順序情報を付与した通信方法 |
US5790365A (en) * | 1996-07-31 | 1998-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck |
US5818682A (en) | 1996-08-13 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for optimizing a dechucking period used to dechuck a workpiece from an electrostatic chuck |
WO1998022801A1 (en) | 1996-11-22 | 1998-05-28 | Autospect, Inc. | Physical parameter measuring apparatus and method thereof |
US6075375A (en) | 1997-06-11 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for wafer detection |
US6004752A (en) * | 1997-07-29 | 1999-12-21 | Sarnoff Corporation | Solid support with attached molecules |
US5872694A (en) | 1997-12-23 | 1999-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage |
JP3554778B2 (ja) | 1998-01-23 | 2004-08-18 | 株式会社村田製作所 | 非線形誘電体素子 |
JPH11233603A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック吸着力検知方法 |
US6057244A (en) | 1998-07-31 | 2000-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method for improved sputter etch processing |
US6326149B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-12-04 | Sarnoff Corporation | Method for controlled electrostatic adherent deposition of particles on a substrate |
US6307728B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
-
2001
- 2001-03-27 US US09/817,162 patent/US6403322B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-21 KR KR1020037012430A patent/KR100830070B1/ko active IP Right Grant
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- 2002-05-20 US US10/150,022 patent/US6578423B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729968A (ja) * | 1991-05-17 | 1995-01-31 | Unisearch Ltd | 改良された静電チヤック |
JPH10150099A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの離脱方法 |
US6182510B1 (en) * | 1997-04-30 | 2001-02-06 | Sensys Instruments Corporation | Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing |
JPH1154604A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Sony Corp | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
US5948986A (en) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations |
JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351876A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
JP4553375B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
JP2007036070A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板昇降装置および基板処理装置 |
CN105190861A (zh) * | 2013-02-28 | 2015-12-23 | 瓦里安半导体设备公司 | 夹持与解除夹持基板的技术 |
CN105190861B (zh) * | 2013-02-28 | 2017-03-08 | 瓦里安半导体设备公司 | 从平台夹持与解除夹持晶圆的方法 |
JP2018503070A (ja) * | 2014-12-26 | 2018-02-01 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 振動特性または音響特性の解析に基づくウェハのクランプ検出 |
JP2017224792A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、メンテナンス用治具、基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1329947C (zh) | 2007-08-01 |
US6403322B1 (en) | 2002-06-11 |
KR100830070B1 (ko) | 2008-05-16 |
TW556405B (en) | 2003-10-01 |
EP1374283A2 (en) | 2004-01-02 |
WO2002078062A2 (en) | 2002-10-03 |
US20020142492A1 (en) | 2002-10-03 |
CN1520607A (zh) | 2004-08-11 |
JP4153309B2 (ja) | 2008-09-24 |
KR20030085572A (ko) | 2003-11-05 |
US6578423B2 (en) | 2003-06-17 |
WO2002078062A3 (en) | 2003-03-13 |
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