JP4553375B2 - 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 - Google Patents
静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4553375B2 JP4553375B2 JP2005176770A JP2005176770A JP4553375B2 JP 4553375 B2 JP4553375 B2 JP 4553375B2 JP 2005176770 A JP2005176770 A JP 2005176770A JP 2005176770 A JP2005176770 A JP 2005176770A JP 4553375 B2 JP4553375 B2 JP 4553375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrostatic chuck
- displacement
- dechucking
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
そこで、予め決められた時間で、ウェハのデチャックが支障なく行えるかを確認しておく必要がある。
また、時定数を調べる場合、静電チャックの最上層である絶縁膜の誘電率や厚さ等の静電チャックの構造に関係する要素が変化した場合、電気部品、例えば容量や周波数に関係した部品を交換する必要が生じるため、煩雑さが生じる等の問題があった。
レーザー光の照射は、ウェハを収納したチャンバーの真空引きを開始した後実施され、ウェハのリフトアップを開始するウェハ上昇指示信号に基づいて、ウェハの変位を測定し測定データの保存が行われる。ここで、ウェハの上昇指示信号とウェハの上昇は、同時タイミングではなく、データーの収集が開始されたのち上昇が始まるよう適当な静止時間を設けるとよい。
リフトアップ時のウェハの変位を時間軸で測定し、この変位データを元にウェハの揺れは判定される。また、この変位データを時間微分して得られるウェハの速度変化を元に、ウェハの揺れを判定することもできる。
なお、レーザー変位計の測定時間は500μsec以下とし、ウェハの変位を測定する時間間隔は20msec以下とする。
図1は、本発明の評価装置の一例を示すものであり、チャンバー1内に静電チャック2が納められ、ウェハ3はウェハリフトピン4によって持ち上げられる。レーザー変位計5からは、レーザー光がチャンバーの上面に設けられたガラス窓6を介してウェハ3上に照射され、その反射光を受光してウェハ3の変位が測定される。さらに、レーザー変位計5には、判定部でもあるデータ記録装置7が接続され、ウェハの上昇タイミングをトリガー信号としてデータの記録を開始するように構成されている。
このようにして得られるリフトアップ中のウェハの変位データは、ウェハ及び静電チャックから除去される静電容量の時間的変化を反映したものとなる。
厚さ100μmで、体積抵抗率5×10-12[Ωcm]の表面誘電体層が形成された双極型ヒーター付き静電チャックと、両面にSiO2膜(膜厚100nm)の設けられたSiウェハ(厚さ0.8mm)を用いて、表面温度約200℃で、電極間に±300VDCを約3分間印加し、その後、印可電圧をOFFにした。電圧をOFFにした29.5秒後に、制御用シーケンサからトリガー信号が出力され、シーケンサからの信号で変位データの記録装置が記録を始め、30秒後には、リフトピンが上昇を開始した。リフトアップが終了した時点で変位データの収集を停止した。
このとき、レーザー変位計のサンプリングレートは140μsecで4回の移動平均値を、2msec間隔で記録した。変位データを図2に示す。さらに、この変位データを時間微分して得た速度データを図3に示した。いずれの図からも、特に異常は認められなかった。また、チャンバーの横に設けられた窓からの肉眼観察でも、異常は観察されなかった。
厚さ100μmで、体積抵抗率9×10-11[Ωcm]の表面誘電体層が形成された、双極型ヒーター付き静電チャックと、両面にSiO2膜(膜厚100nm)の設けられたSiウェハ(厚さ0.8mm)を用いて、表面温度約200℃で、電極間に±300VDCを約3分間印加し、その後、印可電圧をOFFした。電圧をOFFにした29.3秒後に、制御用シーケンサからトリガー信号が出力され、シーケンサからの信号で変位データの記録装置が記録を始め、30秒後には、リフトピンが上昇を開始した。リフトアップが終了した時点で変位データの収集を停止した。
このとき、レーザー変位計のサンプリングレートは140μsecで、4回の移動平均値を2msec間隔で記録した。変位データを図4に示す。さらに、この変位データを時間微分して得た速度データを図5に示した。
図4からは、リフトアップ開始直後の異常変位が読み取れ、図5からも異常な速度が読み取れる。また、チャンバーの横に設けられた窓からの肉眼観察でも、ウェハの微かな揺れが観察された。
厚さ100μmで、体積抵抗率9×10-11[Ωcm]の表面誘電体層が形成された、双極型ヒーター付き静電チャックと、両面にSiO2膜(膜厚100nm)の設けられたSiウェハ(厚さ0.8mm)を用いて、実施例2と同様に測定して、変位データ及び速度データを得た。変位データを図6に、速度データを図7に示した。
図6からは、リフトアップ開始直後の異常変位が読み取れ、図7からも異常な速度が読み取れる。また、チャンバーの横に設けられた窓からの肉眼観察でも、微かなウェハの揺れが観察された。
さらに、体積抵抗率9×10-11[Ωcm]の表面誘電体層が100μmの厚さで形成された、双極型ヒーター付き静電チャックと、裏面(チャック接触側)にポリシリコン300nmを堆積させた石英基板(厚さ1.2mm)を用いて、チャック表面の温度約200℃で、電極間に±300VDC を約3分間印加し、その後、印可電圧をOFFにした。電圧をOFFにした約30秒後に、制御用シーケンサからトリガー信号が出力された。変位データの記録装置は、制御用シーケンサからのトリガー信号で記録を始める。30秒後には、リフトピンが上昇を開始する。
リフトアップが終了したら、変位データの記録装置の収集を停止する。このとき、レーザー変位計のサンプリングレートは140μsで、4回の移動平均値を2msec間隔で記録した。この場合も、図示はしないが、同様に変位データーが測定されたが、揺れは確認されなかった。また、目視検査でも同様に揺れが確認されることはなかった。
厚さ100μmで、体積抵抗率9×10-11[Ωcm]の表面誘電体層が形成された、双極型ヒーター付き静電チャックと、両面にSiO2膜(膜厚100nm)の設けられたSiウェハ(厚さ0.8mm)の裏面にさらに人の皮脂(手油等)をIPA(イソプロピルアルコール)で薄く拭き延ばしたものを使用して、レーザー変位計のサンプリングレートは140μsecで、128回の移動平均値を2msec間隔で記録した以外は、実施例2と同様にして測定し、変位データ及び速度データを得た。変位データを図8に、速度データを図9に示した。
図8からは、リフトアップ開始直後の異常はほとんど読み取れず、また、図9からも異常な速度は読み取れなかった。しかし、チャンバーの横に設けられた窓からの肉眼観察では、皮脂の汚れによる微かなウェハの揺れが観察された。
なお、比較例1は、変位データを記録する際の移動平均値の数をあまり大きくすると、ウェハの表面位置の変位のデーターが平均化され、僅かな位置の変化を捉えることが難しくなることを示している。この数が1の場合、測定系や装置の震度等の影響を受ける変位信号が大きくハンチングする場合があり、判定に支障を来たすことがあった。従って、移動平均値の数は、2〜8回が好ましい。
2…静電チャック、
3…ウェハ、
4…ウェハリフトピン、
5…レーザー変位計、
6…ガラス窓、
7…データ記録装置、
8…真空ポンプ、
9…DC高圧電源、
10…静電チャック(電極部)、
11…覗き窓、
12…制御装置(制御シーケンサ)。
Claims (8)
- 静電チャック上からウェハを取り外すときのデチャック特性を評価する方法であって、静電チャックへの印加電圧を遮断した後、一定速度で上昇するようにしたリフトピンを作動させて静電チャック上からのウェハのリフトアップを開始し、ウェハ上にレーザ光を照射し、その反射光を受光してウェハの変位を測定し、該測定データからウェハの揺れを判定することを特徴とする静電チャックのデチャック特性の評価方法。
- レーザー光の照射が、ウェハを収納したチャンバーの真空引きを開始した後実施される請求項1に記載の静電チャックのデチャック特性の評価方法。
- ウェハのリフトアップを開始するウェハ上昇指示信号に基づいて、ウェハの変位を測定し測定データの保存が行われる請求項1又は2に記載の静電チャックのデチャック特性の評価方法。
- リフトアップ時のウェハの変位を時間軸で測定し、この変位データを元にウェハの揺れを判定する請求項1乃至3のいずれかに記載の静電チャックのデチャック特性の評価方法。
- リフトアップ時のウェハの速度変化を元に、該ウェハの揺れを判定する請求項1乃至4のいずれかに記載の静電チャックのデチャック特性の評価方法。
- 静電チャック上からウェハを取り外すときのデチャック特性を評価する装置であって、ウェハ上にレーザ光を照射し、リフトピンにより静電チャック上からリフトアップされるウェハの変位を測定するレーザー変位計と、レーザー光が透過する窓と、測定して得られた変位データを保存する記録装置とを有することを特徴とする静電チャックのデチャック特性の評価装置。
- レーザー変位計の測定時間が500μsec以下である請求項6に記載の静電チャックのデチャック特性の評価装置。
- ウェハの変位を測定する時間間隔が20msec以下である請求項6又は7に記載の静電チャックのデチャック特性の評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005176770A JP4553375B2 (ja) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005176770A JP4553375B2 (ja) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351876A JP2006351876A (ja) | 2006-12-28 |
JP4553375B2 true JP4553375B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=37647398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005176770A Active JP4553375B2 (ja) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4553375B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5367482B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2013-12-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162448A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 静電チャック装置を備えた真空処理装置 |
JPH0536806A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電チヤツクの過渡特性評価装置及び方法 |
JP2002009140A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャック装置 |
JP2004534384A (ja) * | 2001-03-27 | 2004-11-11 | ラム リサーチ コーポレーション | デチャックの音響検出及びその装置 |
-
2005
- 2005-06-16 JP JP2005176770A patent/JP4553375B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162448A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 静電チャック装置を備えた真空処理装置 |
JPH0536806A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電チヤツクの過渡特性評価装置及び方法 |
JP2002009140A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャック装置 |
JP2004534384A (ja) * | 2001-03-27 | 2004-11-11 | ラム リサーチ コーポレーション | デチャックの音響検出及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006351876A (ja) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8333114B2 (en) | Microstructure inspecting device, and microstructure inspecting method | |
KR100626570B1 (ko) | 감지용 프로브를 포함하는 프로브 카드 제작 방법 및 그프로브 카드, 프로브카드 검사 시스템 | |
KR101118148B1 (ko) | 자동화라인에서 웨이퍼의 품질관리를 위한 방법 및 장치 | |
WO2017115684A1 (ja) | 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法 | |
JP2003149213A (ja) | 超音波検査装置、超音波トランスデューサ、検査装置 | |
KR20160096021A (ko) | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 판독 가능 정보 기억 매체 | |
JP4553375B2 (ja) | 静電チャックのデチャック特性の評価方法および評価装置 | |
CN102937607B (zh) | 一种串联柔性振动压电隔膜式生物传感器及其制备方法 | |
JP2009145154A (ja) | 基板割れ検査装置及び基板割れ検査方法 | |
US7489141B1 (en) | Surface micro sensor and method | |
JP4527663B2 (ja) | センサ、センサ機構、および測定方法 | |
JP2009258079A (ja) | アコースティック・エミッション信号検出装置、検出方法、及び薄膜剥離強度測定装置 | |
JP2001144059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009192370A (ja) | 導電率測定装置及び導電率測定方法 | |
JP5984959B2 (ja) | 高い測定精度を有する赤外光センサチップ、および、当該赤外光センサチップの製造方法 | |
US6528335B2 (en) | Electrical method for assessing yield-limiting asperities in silicon-on-insulator wafers | |
JP3319257B2 (ja) | 薄膜引張試験方法および装置 | |
US8193492B2 (en) | Method for exciting a mobile element of a microstructure | |
JP2006523837A (ja) | 誘電体層厚を決定する方法及び装置 | |
JP4579206B2 (ja) | 離脱状態判断方法及び真空処理装置 | |
JP4157419B2 (ja) | 近視野光ヘッドの製造方法および製造装置 | |
JP2002048519A (ja) | 段差測定方法とその装置、および半導体装置の製造方法 | |
WO2004059332A1 (en) | An ic transfer device | |
TW201236229A (en) | Manufacturing method of piezoelectric thin film, piezoelectric thin film, piezoelectric sensing chip and piezoelectric sensor | |
JP4320131B2 (ja) | 半導体装置の評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100405 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100712 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4553375 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |