JP4320131B2 - 半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造に係り、特に半導体装置の評価方法に関する。
【0002】
半導体装置の製造の際には、製造工程を制御するために製造途中の半導体装置ないし半導体装置半製品の特性を評価する必要がある。
【0003】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、製造条件を正しく維持するために、製造途中の半導体装置の特性を評価することが行われている。従来、このような製造途中の半導体装置半製品の特性評価はトランジスタやキャパシタなどの要素を複数まとめて検査用に形成したパッドに接続し、かかるパッドにマニュアルプローブなどのプローブ電極を当接することにより行われていた。
【0004】
しかし、このような評価方法では、一群の要素の全体については検査が可能であるものの、個々の要素の特性を検査するのが困難であった。特に最近の微細化された半導体装置では、個々の要素が微細化されており、コンタクトホールを介してマニュアルプローブをかかるコンタクトホールに当接させるのは実質的に不可能になっていた。
【0005】
これに対し、従来より基板上に形成された非常に微細な構造を観察するために走査型プローブ顕微鏡(SPM)が開発されている。
【0006】
図1(A),(B)は、かかる従来の走査型プローブ顕微鏡10の概略的構成を示す、それぞれ側面図および平面図である。
【0007】
図1(A),(B)を参照するに、前記走査型プローブ顕微鏡10は被検査試料11Aを保持する試料台11と、前記試料11Aの表面を走査するSPMプローブ12とよりなり、前記SPMプローブ12はスキャナ12Aにより保持されており、前記スキャナは前記SPMプローブ12を、前記SPMプローブ先端の針12aと試料11A表面との間に作用する原子間力が一定になるように駆動する。かかるSPMプローブ12により前記試料11Aの表面を走査することにより、走査型プローブ顕微鏡10は試料11Aの表面像を取得することができる。
【0008】
図2は、従来の別の走査型プローブ顕微鏡20の概略的構成を示す側面図である。
【0009】
図2を参照するに、前記走査型プローブ顕微鏡20は被検査試料21Aをスキャナ21上に保持し、前記スキャナ21を駆動することによりSPMプローブ22が前記試料21Aの表面を走査する。かかる構成の走査型プローブ顕微鏡20では、SPMプローブ22の先端と試料21Aの表面との間に作用する原子間力が一定になるようにスキャナ21が上下方向に圧電駆動される。
【0010】
このような走査型プローブ顕微鏡10あるいは20では、前記SPMプローブ12あるいは22として、長さが数ミリメートルのカンチレバーの先端に曲率半径が100nm程度の先端部を有する突起を形成したものが使われる。そこで、このような微細な突起を有するSPMプローブを使うことにより、微細なコンタクトホールにおいて電気特性を測定することが提案されている。
【0011】
図3は、特開2000−155085号公報に記載された、かかる走査型プローブ顕微鏡を使った半導体装置の評価装置の概略的構成を示す。ただし図3中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0012】
図3を参照するに、半導体装置の評価装置は図2の走査型プローブ顕微鏡20をもとに構成されており、被検査試料21Aは前記スキャナ21上に保持台21Bを介して保持されている。
【0013】
前記保持台21B上には駆動機構23により駆動されるプローブ23Aがさらに設けられており、そこで前記SPMプローブ22を前記被検査試料のコンタクトホールに係合させると同時に前記プローブ23Aを前記被検査試料21A上のコンタクトバッドに係合させることにより、前記SPMプローブ22とプローブ23Aとの間での被検査試料21Aの電気特性測定が可能になる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
このようにSPMプローブ22を使って被検査試料21Aの電気特性を測定するには、前記SPMプローブ22を前記被検査試料21Aにコンタクトさせるだけでなく、前記プローブ23Aをも前記被検査試料21Aにコンタクトさせる必要があるが、スキャナ21はせいぜい2〜3cm程度の径しかなく、前記プローブ23Aの駆動機構を前記保持台21B上に前記試料21Aに隣接して設けるのは非常に困難である。特に前記プローブ23Aとして従来の半導体装置の検査で使われるマニュアルプローブを使った場合、マニュアル駆動機構の一つのネジだけでも1cm程度の大きさを有する。また、図3の構成では、前記保持台21B上に径が20cmあるいは30cmの半導体ウェハを保持することは全く不可能である。
【0015】
これに対し、図1(A),(B)の構成の走査型プローブ顕微鏡をもとに、図4に示す構成の評価装置30を構成することも考えられる。ただし図4中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。
【0016】
図4を参照するに、評価装置30は図1(A),(B)の走査型プローブ顕微鏡と同様な構成を有し、前記被測定試料11Aの電気特性を測定するために前記SPMプローブ12を前記被測定試料11Aのコンタクトホールに係合させると同時に、対向側の電極パッドをAgペーストなどの導電性部材11Bにより、試料台11にコンタクトさせる。
【0017】
かかる構成の評価装置30では、試料台11はウェハを保持するに十分な大きさを有しており、従って製造工程途中の半導体装置を、ウェハの状態で検査することが可能である。
【0018】
一方、図4の構成では、前記SPMプローブ12と対向する側のコンタクトパッドが導電性部材11Bにより保持台11に接続される構成となっているが、かかる構成では前記導電性部材11Bが前記被測定試料上面の広範囲な領域を連続的に延在するため、前記被測定試料中に形成された様々な半導体装置あるいは要素との間に寄生容量が生じ、かかる寄生容量が前記SPMプローブ12を使って行う電気特性の測定に影響を与えるおそれがある。
【0019】
さらに図4の構成において前記導電性部材11Bの代わりにワイヤボンディングにより前記電極パッドを前記保持台11に電気接続することも考えられるが、走査型プローブ顕微鏡に隣接して、共通な試料保持台を有するようにワイヤボンディング装置を設けるのは困難である。
【0020】
また、図4の構成において別の走査型プローブ顕微鏡をさらに設け、前記導電性部材11Bを前記別の走査型プローブ顕微鏡のSPMプローブに置き換えることも考えられようが、二つの走査型プローブ顕微鏡を隣接して設けた場合、各々の顕微鏡のスキャナを構成する圧電駆動系が干渉を生じる問題があり、かかる構成の走査型プローブ顕微鏡はいまだ実用化されていない。
【0021】
また従来、図3あるいは図4の評価装置においてSPMプローブ12あるいは22を被測定試料中のコンタクトホールとのコンタクトに使おうとした場合、かかるSPMプローブは導電性を有する必要があるが、一般に導電性を持ったSPMプローブは微細な絶縁体よりなる突起の上に導電膜を形成されているため、大きさが微細化の進んだ半導体装置上のコンタクトホールの径と同等かあるいはそれよりも大きくなってしまうため、コンタクトホール内にプローブが入らず測定することが困難である問題点があった。
【0022】
そこで、本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な半導体装置の評価方法を提供することを概括的課題とする。
【0023】
本発明のより具体的な課題は、微細なコンタクトホールに直接にコンタクトして半導体装置の電気特性を測定でき、しかも測定結果が寄生容量の影響を受けない半導体装置の評価装置および方法を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、走査型プローブ顕微鏡のスキャナを駆動することにより、前記スキャナに結合されたSPMプローブにより試料台上の被測定試料を走査し、前記被測定試料中の強誘電体キャパシタを検出する工程と、前記走査型プローブ顕微鏡のSPMプローブを前記強誘電体キャパシタの上部電極にコンタクトさせる工程と、別のプローブを、前記プローブに結合された駆動機構を前記スキャナとは独立に駆動することにより、前記強誘電体キャパシタの下部電極と接続しているコンタクトパッドにコンタクトさせる工程と、前記SPMプローブおよび前記別のプローブを使って前記強誘電体キャパシタの電気特性を測定する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の評価方法により、解決する。
[作用]
本発明によれば、被測定試料中の微細なコンタクトホールに前記SPMプローブをコンタクトさせ、またコンタクトパッドに前記別のプローブをコンタクトさせることにより、前記被測定試料中の個々の半導体装置あるいは要素の電気特性の測定を、寄生容量の影響を最小限に抑制しつつ実行することが可能になる。
【0025】
【発明の実施の形態】
[第1実施例]
図5(A),(B)は、本発明の第1実施例による半導体装置の評価装置40の構成を示す、それぞれ側面図および平面図である。
【0026】
図5(A),(B)を参照するに、前記評価装置40は筐体40中に設けられた試料台41と前記試料台41上に設けられた可動試料ステージ41Aとよりなり、前記ステージ41A上には被測定試料42が載置されている。前記被測定試料42は、例えば20cm径あるいは30cm径のウェハであってもよい。
【0027】
前記筐体40中には前記試料台41およびステージ41Aに隣接して走査型プローブ顕微鏡のスキャナ43Aが設けられており、前記スキャナ43AはSPMプローブ43を担持する。
【0028】
前記SPMプローブ43はカンチレバーの先端部に典型的にはピラミッド型の針43aを担持し、前記針43aの尖端は前記試料42の表面に形成されたコンタクトホールにコンタクトする。
【0029】
また前記筐体には図示を省略した駆動系を介して別のマニュアルプローブ44が設けられており、前記マニュアルプローブ44は前記試料42の表面に形成されたコンタクトパッドにコンタクトさせられる。
【0030】
かかる構成の評価装置40では、最初に前記SPMプローブ43が前記試料表面を走査し、その結果、例えば図6に示すような形状プロファイルよりコンタクトホールの位置が特定される。
【0031】
次に、前記SPMプローブ43を前記コンタクトホールにコンタクトさせ、さらに前記マニュアルプローブ44を、前記試料表面に形成されたコンタクトパッドにコンタクトさせる。
【0032】
この状態で電気特性を測定することにより、前記試料42中に形成されたトランジスタやキャパシタなどのリーク電流特性あるいはキャパシタンス、さらには強誘電体キャパシタの反転電荷量などの値が測定される。
【0033】
図7は、図5(A),(B)の評価装置を使って、前記試料42中の強誘電体キャパシタの反転電荷量を測定する例を示す平面図である。
【0034】
図7を参照するに、前記試料42中には連続して延在する下部電極42Aと前記下部電極42A上に連続して形成された強誘電体膜42Bと、前記強誘電体膜42B上に形成された複数の上部電極パターン42Cとよりなる強誘電体キャパシタアレイが形成されており、前記SPMプローブ44が前記複数の上部電極パターン42Cの一つ一つにコンタクトさせられる。
【0035】
一方、前記下部電極42Aの端部には前記下部電極端部を露出する開口部においてコンタクトパッド42Dが形成されており、前記マニュアルプローブ44は前記筐体40上に設けられた駆動機構44により、かかるコンタクトパッド42Dにコンタクトさせられる。
【0036】
かかる構成により強誘電体キャパシタのヒステリシス特性が、図7中の個々のキャパシタについて測定される。図8は、このようにして得られたヒステリシス特性の一例を示す。
[第2実施例]
図9は、本発明の第2実施例による半導体装置の評価装置40Aの構成を示す。ただし図9中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0037】
図9を参照するに、本実施例では図7で示した前記マニュアルプローブ44の駆動機構44Aが前記ステージ41A上に設けられており、かかるステージ41A上の駆動機構44Aを操作することにより、前記プローブ44を前記試料42上のコンタクトパッドにコンタクトさせる。
【0038】
本実施例では、前記ステージ41Aは先の図3の構成と異なりスキャナではないため、十分な面積を有し、このため前記駆動機構44Aを前記ステージ41A上に設けても問題は生じない。
【0039】
図10は、図9の評価装置40Aの一変形例による評価装置40Bの構成を示す。ただし図10中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0040】
図10を参照するに、前記評価装置40Bはステージ41A上に絶縁層41Bが形成されており、前記試料42はかかる絶縁層41B上に形成される。本発明により半導体装置の評価装置では、コンタクトをSPMプローブ43とマニュアルプローブ44とにより行うため、図4の装置と異なり、前記ステージ41Aの表面が絶縁層で覆われていても、問題が生じることはない。
[第3実施例]
次に、先の実施例の半導体装置評価装置40,40Aあるいは40Bを使って試料42の特性を評価する際に形成され、前記マニュアルプローブ44がコンタクトするコンタクトパッドの形成方法を、本発明の第3実施例として、試料42の一部を示す図11を参照しながら説明する。
【0041】
図11を参照するに、前記試料42中には下部電極42Aと、前記下部電極42A上に形成された強誘電体膜42Bと、前記強誘電体膜42B上に相互に離間して形成された複数の上部電極42Cとが形成されており、前記上部電極42Cは前記試料42の表面を覆う絶縁膜中に形成された微細なコンタクトホールにおいて露出されている。
【0042】
一方、図11の試料42では前記下部電極42Aを露出する開口部42Eが集束イオンビーム加工により形成されており、また前記絶縁膜上にはW(タングステン)パターンよりなるコンタクトパッド42Dが、W原料ガス中における集束イオンビーム加工により形成されている。また前記集束イオンビーム加工により、前記コンタクトパッド42Dと前記コンタクトホール42Eとを接続するWパターン42eが形成される。
【0043】
かかる集束イオンビーム加工技術を使うことにより、強誘電体キャパシタなどの回路要素を形成された半導体基板上に、後加工により、プローブ44がコンタクトできるサイズのコンタクトパッドを形成することが可能になる。
【0044】
図12は、かかるコンタクトホール42Eを試料42上の半導体装置形成領域42G中に形成し、さらに前記コンタクトパッド42Dをかかる領域42G上に形成した、本実施例の一変形例を示す。
【0045】
集束イオンビーム加工を使うことにより、図12に示すようにかかるコンタクトパッド42Dおよびコンタクトホール42Eを試料42上の半導体装置形成領域を含む任意の領域に形成することが可能である。なお図12において、前記半導体装置形成領域42G中に形成される半導体装置は先に説明した強誘電体キャパシタを含むFeRAM(強誘電体メモリ)に限定されるものではなく、バイポーラトランジスタやCMOSトランジスタであってもよい。
[第4実施例]
図13は、本発明の第4実施例による、被検査試料上へのコンタクトパッドの形成方法を示す。ただし図13中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0046】
図13を参照するに、本実施例では前記コンタクトパッド42Dが試料42上の半導体装置形成領域42Gを避けて形成されており、前記コンタクトパッド42Dとコンタクトホール42Eとの間は、集束イオンビーム加工により形成されたWパターンにより接続されている。
【0047】
かかる構成によれば、前記コンタクトパッド42Dが前記半導体装置形成領域42G上に形成されることがなく、そのためコンタクトパッド42Dが半導体装置特性に寄生容量を介して及ぼす影響が排除できる。
[第5実施例]
図14は、本発明の第5実施例によるコンタクトパッド52Dの構成を示す。
【0048】
図14を参照するに、前記コンタクトパッド52Dは先のコンタクトパッド42Dと異なり、多数の線状Wパターンの集合より構成されており、Wパターンの占有する実質的な面積はコンタクトパッド52D全体の面積の50%以下とされている。
【0049】
図14の構成では個々の線状Wパターンは非常に細いが、全体としては前記コンタクトパッド52Dにコンタクトするプローブ44の先端部よりも大きく、従ってプローブ44が物理的にコンタクトして電気的なコンタクトを生じるのに問題は生じない。
【0050】
図15は、前記コンタクトパッド42Dを使って測定される浮遊容量と前記コンタクトパッド52Dを使って測定される浮遊容量とを比較して示す。
【0051】
図15を参照するに、コンタクトパッド42Dを使った場合には測定される浮遊容量に多少の幅があり、わずかなヒステリシスが観測されるのに対し、コンタクトパッド52Dを使った場合には浮遊容量に幅やヒステリシスは見られなくなっているのがわかる。
[第6実施例]
このようにSPMプローブ43を使うことにより、微細な半導体装置であってもコンタクトホールを介して電気特性を測定することが可能になるが、半導体装置がさらに微細化した場合、図16に示すようにSPMプローブ43を使ってもコンタクトホールを介したコンタクトが困難になる。特にSPMプローブ43自体は非常に小さい先端部を有していても、プローブ43に導電性を付与するためにプローブ43の表面に導電膜を形成した場合、プローブ先端部の大きさは大きくなってしまう。
【0052】
ただし図16は、前記SPMプローブ43により、下部電極42Aと強誘電体膜42Bと上部電極42Cとよりなる強誘電体キャパシタの特性を測定する場合を示しており、前記SPMプローブ43のピラミッド型先端部43aが、前記上部電極42Cを覆う絶縁膜42I中のコンタクトホールに係合している様子を示す。
【0053】
図17は、図16のようにSPMプローブ43の先端部43aがコンタクトホール底部にコンタクトできない場合に走査型プローブ顕微鏡で観察されるコンタクトホールの断面形状プロファイルを示す。
【0054】
先に説明した図6のプロファイルと比較すると、コンタクトホール底部に対応する平坦部が図17のプロファイルでは観察されないのがわかる。
【0055】
このように微細なコンタクトホールであってもSPMプローブ43のコンタクトを可能にするために、本実施例では図18に示すようにコンタクトホールに導体パターン42Mを形成し、前記コンタクトホールにおいては、かかる導体パターン42Mを介して前記SPMプローブ43が前記上部電極42Cに電気的にコンタクトする。
【0056】
かかる導体パターン42Mとしては、W気相原料、例えばW(CO)6を供給しながら行われる集束イオンビーム加工により形成したWパターンを使うのが有利である。その際、特に測定しようとしている試料が強誘電体キャパシタなどの強誘電体膜を含むものである場合には、前記集束イオンビームのエネルギを最初は低く、例えばプローブ電流が20pA以下になるように設定し、導体パターン42Mの堆積の進行と共に徐々にエネルギを増大させることにより、強誘電体キャパシタの劣化を回避することができる。また前記導体パターンを低エネルギ集束イオンビームで形成した第1のW層とより高エネルギ集束イオンビームで形成した第2の層とを含む多層構造に形成してもよい。
【0057】
図19(A)は、300nmの深さのコンタクトホールにWパターン42Mを形成し、かかるWパターン42Mを介して前記SPMプローブ43を使って強誘電体膜42Bの残留分極2Prを求めた結果を、Wパターン42Mを設けなかった場合と比較して示す。
【0058】
図19(A)を参照するに、前記残留分極値2Prは200°C,2時間のベーク前後で3点ずつ測定されているが、前記Wパターン42Mを100nmの厚さに形成した場合(図19(A)中「Wあり(1)」で示す)の残留分極値2PrがWパターン42Mを設けなかった場合(図19(A)中「Wなし」で示す)よりも大きくなっているのがわかる。これに対し、前記Wパターン42Mを200nmの厚さに形成した場合(図19(A)中「Wあり(2)」で示す)の残留分極値2Prは、ベーク後においてWパターン42Mを設けなかった場合よりも小さくなっていることがわかる。
【0059】
図19(B)は、前記コンタクトホールに薄いWパターンを形成し、かかるWパターンにSPMプローブをコンタクトさせた場合を、一方図19(C)は前記コンタクトホールにより厚いWパターンを形成し、前記厚いWパターンにSPMプローブをコンタクトさせた場合を示す。
【0060】
図19(B),(C)より、前記SPMプローブをコンタクトさせるには前記Wパターンがある程度の厚さを有するのが好ましいことがわかるが、一方図19(A)の結果より、前記Wパターン42Mの厚さが厚くなると強誘電体膜42Bの劣化が進むので、強誘電体膜42Bを劣化させず、しかも十分なコンタクトをとるためには、Wパターンの厚さは20〜100nmとするのが好ましいと結論される。
[第7実施例]
図20は、本発明の第7実施例によるSPMプローブ43を使った半導体装置の電気特性測定方法を示す。ただし図20中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0061】
図20を参照するに、本実施例では前記絶縁膜42I上に、前記導体パターン42Mに連続して、典型的にはWよりなる別の導体パターン42Nを集束イオンビーム加工により形成し、前記SPMプローブ43の先端部43aはかかる導体パターン42Nに、前記コンタクトホールの外でコンタクトする。
【0062】
かかる構成によれば、コンタクトホールが非常に微細で、前記導体パターン42Mを設けてもSPMプローブ43をコンタクトさせるのが困難であるような場合でも、安定して半導体装置の評価を行うことが可能である。
【0063】
特に前記半導体装置が強誘電体膜を含む場合には、前記導体パターン42Nの形成をW原料中における集束イオンビーム加工により行うのが好ましく、特に前記パターン42Nの形成初期に集束イオンビームのエネルギを低く設定し、その後堆積の進行と共にビームエネルギを上昇させるのが、強誘電体膜の劣化を回避するのに有効である。
【0064】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【0065】
(付記1) 被測定試料を保持する試料台と、
走査型プローブ顕微鏡の一部を構成し、前記試料台上の被測定試料に係合するSPMプローブと、
前記試料台の近傍に設けられ、前記走査型プローブ顕微鏡の一部を構成し、前記SPMプローブに結合されてこれを駆動するスキャナと、
前記試料台上の被測定試料に係合するプローブと、
前記プローブに結合され、前記プローブを前記SPMプローブとは独立に駆動する駆動機構とよりなることを特徴とする半導体装置の特性評価装置。
【0066】
(付記2) 前記駆動機構は、前記試料台上に設けられたことを特徴とする付記1記載の半導体装置の特性評価装置。
【0067】
(付記3) 前記試料台は、前記試料と絶縁されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置の特性評価装置。
【0068】
(付記4) 走査型プローブ顕微鏡のスキャナを駆動することにより、前記スキャナに結合されたSPMプローブにより試料台上の被測定試料を走査し、前記被測定試料中の検査部位を検出する工程と、
前記走査型プローブ顕微鏡のSPMプローブを前記検査部位にコンタクトさせる工程と、
別のプローブを、前記プローブに結合された駆動機構を前記スキャナとは独立に駆動することにより、前記被測定試料にコンタクトさせる工程と、
前記SPMプローブおよび前記別のプローブを使って前記試料の電気特性を測定する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の評価方法。
(付記5) さらに前記別のプローブとコンタクトするためのコンタクトパッドを、前記試料上に形成する工程を含むことを特徴とする付記4記載の半導体装置の評価方法。
(付記6) 前記試料は、強誘電体キャパシタを含むことを特徴とする付記4または5記載の半導体装置の評価方法。
(付記7) 前記検査部位は、前記試料上に形成されたコンタクトホールであり、前記SPMプローブを前記コンタクトホールに係合させるに先立って、前記コンタクトホール内に金属層を堆積する工程を含むことを特徴とする付記4〜6のうち、いずれか一項記載の半導体装置の評価方法。
(付記8) 前記前記金属層は、成膜初期には成膜後期よりも低いイオンビーム電流の集束イオンビーム照射により形成されることを特徴とする付記7記載の半導体装置の評価方法。
【発明の効果】
本発明によれば、試料ステージ上に保持された被検査半導体試料中を、走査型プローブ顕微鏡のスキャナに結合されたSPMプローブを前記試料中の微細なコンタクトホールに当接させ、別のプローブを前記試料上に形成されたコンタクトパッドに当接させることにより、前記試料中の個々の要素について検査することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A),(B)は、従来の走査型プローブ顕微鏡の構成を示す図である。
【図2】従来の別の走査型プローブ顕微鏡の構成を示す図である。
【図3】従来の走査型プローブ顕微鏡を使った半導体装置の評価装置の構成を示す図である。
【図4】別の半導体装置の評価装置の構成を示す図である。
【図5】(A),(B)は本発明の第1実施例による半導体装置の評価装置の構成を示す図である。
【図6】図1の装置を使って行われるコンタクトホールの検出を示す図である。
【図7】図1の装置を使って行われる強誘電体キャパシタの評価の様子を示す図である。
【図8】得られた強誘電体キャパシタの電気特性の例を示す図である。
【図9】本発明の第2実施例による半導体装置の評価装置の構成を示す図である。
【図10】図9の装置の一変形例を示す図である。
【図11】本発明の第3実施例によるコンタクトパッドの形成方法を示す図である。
【図12】図11のコンタクトパッドの形成例を示す図である。
【図13】本発明の第4実施例によるコンタクトパッドの形成方法を示す図である。
【図14】本発明の第5実施例によるコンタクトパッドの形成方法を示す図である。
【図15】図14の構成の効果を示す図である。
【図16】本発明の第6実施例の課題を説明する図である。
【図17】本発明の第6実施例の課題を説明する別の図である。
【図18】本発明の第6実施例を示す図である。
【図19】(A)〜(C)は、本発明の第6実施例の効果を説明する図である。
【図20】本発明の第7実施例を示す図である。
【符号の説明】
10,20 走査型プローブ顕微鏡
11 試料台
11A,21A 試料
11B 導電性ペースト
12,22 SPMプローブ
12A,21 スキャナ
23 駆動機構
23A プローブ
40,40A,40B 評価装置
41 試料台
41A 試料ステージ
41B 絶縁層
42 試料
42A 下部電極
42B 強誘電体膜
42C 上部電極
42D,52D コンタクトパッド
42E コンタクトホール
42G 半導体装置形成領域
42I 絶縁膜
42M,42N 導電性パターン
43 SPMプローブ
43a 先端部
43A スキャナ
44 プローブ
44A プローブ駆動機構
Claims (5)
- 走査型プローブ顕微鏡のスキャナを駆動することにより、前記スキャナに結合されたSPMプローブにより試料台上の被測定試料を走査し、前記被測定試料中の強誘電体キャパシタを検出する工程と、
前記走査型プローブ顕微鏡のSPMプローブを前記強誘電体キャパシタの上部電極にコンタクトさせる工程と、
別のプローブを、前記プローブに結合された駆動機構を前記スキャナとは独立に駆動することにより、前記強誘電体キャパシタの下部電極と接続しているコンタクトパッドにコンタクトさせる工程と、
前記SPMプローブおよび前記別のプローブを使って前記強誘電体キャパシタの電気特性を測定する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 前記コンタクトパッドを、前記試料上に半導体素子領域を避けて形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の評価方法。
- 前記強誘電体キャパシタを覆う絶縁膜に、前記上部電極が露出するようにコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホール内に導体パターンが形成され、前記SPMプローブが前記導体パターンを介して前記上部電極に電気的にコンタクトすることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の評価方法。
- 前記強誘電体キャパシタを覆う絶縁膜に、前記上部電極が露出するようにコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホール内に導体パターンが形成され、前記SPMプローブが前記導体パターンを介して前記上部電極に電気的にコンタクトすることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の評価方法。
- 前記導体パタ―ンは、成膜初期には成膜後期よりも低いエネルギの集束イオンビーム照射により形成されることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置の評価方法。
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