JP2005123422A - 吸着モニター方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】所定の処理を行う真空槽等内において吸着対象物の吸着状態を検出可能な吸着モニター方法を提供する。
【解決手段】所定の基板20を静電気力によってステージ3に吸着させる工程と、基板20に対してステージ3から引き離す方向の所定の大きさの剥離力を作用させる工程と、基板20の挙動を検出する工程とを有する。本発明の方法は、例えば真空槽2内で所定の処理中に行う。位置検出プレート15が基準位置から上方に移動したことを位置センサ14により検出することをもって基板20の挙動を検出した結果、基板20がステージ3から離脱したことを検知した場合に、処理を中断する。
【選択図】図3
Description
本発明は、例えば半導体製造装置を構成する真空槽内で基板等の処理対象物を吸着する技術に関する。
一般に、半導体製造装置においては、例えばPVDやCVD等の成膜プロセスの際に、真空槽内において、シリコンウェハ等のワークを静電吸着装置等によってホットプレートに密着させることによってその温度を一定に保つようにしている。
特開平6−170670号公報
ところで、このような従来技術においては、例えばワークとホットプレートとの間にゴミ等が挟まる場合がある。
しかしながら、従来技術では、このようなゴミ等の挟まった状態を検出することができないため、ワークの吸着不良が発生し、成膜処理不良が生ずるという問題がある。
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、所定の処理を行う真空槽等内において吸着対象物の吸着状態を検出可能な吸着モニター方法を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するためなされた請求項1記載の発明は、所定の吸着対象物を静電気力によって基台に吸着させる工程と、前記吸着対象物に対して前記基台から引き離す方向の所定の大きさの剥離力を作用させる工程と、前記吸着対象物の挙動を検出する工程とを有する吸着モニター方法である。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を真空中で行うものである。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を大気中で行うものである。
請求項4記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を所定のガス中で行うものである。
請求項5記載の発明は、請求項3又は4のいずれか1項記載の発明において、前記各工程を大気圧より大きい圧力下で行うものである。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項記載の発明において、前記各工程を所定の処理中に行うものである。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記吸着対象物の挙動を検出した結果、前記吸着対象物が前記基台から離脱したことを検知した場合に、当該処理を中断するものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を真空中で行うものである。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を大気中で行うものである。
請求項4記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記各工程を所定のガス中で行うものである。
請求項5記載の発明は、請求項3又は4のいずれか1項記載の発明において、前記各工程を大気圧より大きい圧力下で行うものである。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項記載の発明において、前記各工程を所定の処理中に行うものである。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記吸着対象物の挙動を検出した結果、前記吸着対象物が前記基台から離脱したことを検知した場合に、当該処理を中断するものである。
本発明にあっては、静電気力によって基台に吸着させた吸着対象物に対して基台から引き離す方向の所定の大きさの剥離力を作用させ、この吸着対象物の挙動を検出することから、所定の処理を行う真空槽等内において基板等の吸着対象物の吸着状態を検出することが可能になる。
その結果、本発明によれば、基板等の吸着不良に起因する成膜処理不良を防止することができる。
その結果、本発明によれば、基板等の吸着不良に起因する成膜処理不良を防止することができる。
また、本発明によれば、吸着対象物に対して基台から引き離す方向の剥離力を作用させる際に、例えば従来から使用している真空槽内の基板搬送機構を用いることができるので、装置構成を複雑にすることなく基板等の吸着状態をモニターすることができる。
さらに、本発明において、所定の処理中に、吸着対象物の挙動を検出した結果吸着対象物が基台から離脱したことを検知した場合に当該処理を中断するようにすれば、当該処理の不良を初期の段階で知ることができるので、効率良く処理を行うことが可能になる。
以上述べたように本発明によれば、所定の処理を行う真空槽等内において基板等の吸着対象物の吸着状態を検出することができるので、基板等の吸着不良に起因する成膜等の処理不良を防止することができる。
以下、本発明の最良の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係る吸着モニター方法を実施するための真空装置の一例を示す断面図である。
図2(a)(b)及び図3(a)(b)は、本実施の形態の方法を示す断面説明図である。
図1は、本発明に係る吸着モニター方法を実施するための真空装置の一例を示す断面図である。
図2(a)(b)及び図3(a)(b)は、本実施の形態の方法を示す断面説明図である。
図1に示すように、この真空処理装置1は、図示しない真空排気系及び所定のガス源に接続された真空槽2を有し、この真空槽2の下部に、基板(吸着対象物)20を支持するためのステージ(基台)3が設けられている。
ステージ3は、ヒーター4を備えたホットプレート5を有し、さらに、このホットプレート5の上には、所定の吸着電極6aを有する静電チャック6が設けられている。
一方、ステージ3の下部には、基板20を昇降させるための昇降機構7が設けられている。この昇降機構7は、昇降シリンダー8によって上下動される昇降ピン9を有している。
この昇降ピン9は、ステージ3を貫通するように構成された複数の支持部10を有している。
一方、昇降シリンダー8は、圧力制御手段11から導入される圧縮空気によってピストン12を上下動させ、このピストン12に連結された昇降ピン9を所定の圧力で上下方向に駆動するように構成されている。
この圧力制御手段11は、制御用のコンピュータ13に接続されている。
この圧力制御手段11は、制御用のコンピュータ13に接続されている。
また、本実施の形態においては、ピストン12の近傍に位置センサ14が設けられ、この位置センサ14によって、ピストン12の所定の位置に取り付けられた位置検出プレート15の位置を検出してコンピュータ13に送出するように構成されている。
本実施の形態の場合は、図3(a)に示すように、ステージ3上に載置された基板20の下面20aに対して昇降ピン9の支持部10を当接させた状態における位置検出プレート15の位置を基準とする。
このような構成を有する本実施の形態においては、まず、図2(a)に示すように、真空槽2内に搬入された基板20を昇降ピン9の支持部10によって支持し、さらに、図2(b)に示すように、昇降ピン9を下降させて基板20をステージ3上に載置する。
この状態で静電チャック6を駆動して基板20をステージ3に十分に吸着させた後、図3(a)に示すように、昇降ピン9を緩やかに上昇させ、その支持部10を基板20の下面20aに突き当てて所定の圧力を作用させる。
この場合、基板20に対して作用させる圧力の大きさは、正常な状態で基板20が吸着された場合に基板20がステージ3から離脱しない大きさとする。
そして、この状態で所定の処理を開始し、一定の圧力で一定時間基板20に対して力を加えた場合に基板20がステージ3から離脱しないことを、位置センサ14からの信号によって確認する。
一方、例えば基板20とステージ3との間にゴミ等が介在することによって、基板20がステージ3から離脱した場合には、図3(b)に示すように、昇降ピン9に伴って位置検出プレート15が上記基準位置から上方に移動するため、位置センサ14からの信号によって基板20がステージ3から離脱したことをコンピュータ13が検知する。
そして、コンピュータ13からの命令によって圧力制御手段11の動作を停止させるとともに、現在行っている処理を直ちに中断する。
以上述べたように本実施の形態によれば、静電気力によってステージ3に吸着させた基板20に対してステージ3から引き離す方向の所定の大きさの剥離力を作用させ、この基板20の挙動を検出することから、所定の処理を行う真空槽等内において基板20の吸着状態を検出することができる。
その結果、本実施の形態によれば、基板20の吸着不良に起因する成膜等の処理不良を防止することができる。
その結果、本実施の形態によれば、基板20の吸着不良に起因する成膜等の処理不良を防止することができる。
また、本実施の形態によれば、基板20に対してステージ3から引き離す方向の剥離力を作用させる際に、例えば従来から使用している真空槽2内の基板搬送機構を用いることができるので、装置構成を複雑にすることなく基板20の吸着状態をモニターすることができる。
特に、本実施の形態においては、基板20がステージ3から離脱したことを検知した場合に処理を中断することから、当該処理の不良を初期の段階で知ることができるので、効率良く処理を行うことが可能になる。
ところで、例えば厚さ0.1mmのウェハーなど薄い基板20を吸着する場合は、吸着力が強すぎると割れや欠けが発生し、他方、吸着力が弱すぎると温度分布が不均一になるなどの原因によって処理不良が発生する。
その一方、基板20に対する吸着力は、静電チャック6付きのホットプレート5の個体差、温度、使用量等によって変化する。
そこで、このような場合には、十分に厚みのある吸着力調整用のウェハーを用意し、このウェハーがステージ3から離脱する際の静電チャック6への印加電圧を複数回測定し、これらの値に基づき例えば平均を取るなどして静電チャック6への印加電圧を決定するとよい。
このような方法によれば、静電チャック6付きのホットプレート5の個体差、温度、使用量等にかかわらず、最適の吸着力で基板20を吸着することが可能になる。
また、基板20に対する吸着力をモニターすることによって静電チャック6付きのホットプレート5の劣化状態を把握できるので、静電チャック6付きのホットプレート5の寿命の判断も可能になる。
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上述の実施の形態においては、真空雰囲気中で処理対象物を吸着する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、大気中、大気圧より大きい圧力下、所定のガス中で行う種々の処理・装置等に適用することができるものである。
例えば、上述の実施の形態においては、真空雰囲気中で処理対象物を吸着する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、大気中、大気圧より大きい圧力下、所定のガス中で行う種々の処理・装置等に適用することができるものである。
1…真空処理装置 2…真空槽 3…ステージ 5…ホットプレート 7…昇降機構 8…昇降シリンダー 9…昇降ピン 14…位置センサチップ 15…位置検出プレート 20…基板(処理対象物)
Claims (7)
- 所定の吸着対象物を静電気力によって基台に吸着させる工程と、
前記吸着対象物に対して前記基台から引き離す方向の所定の大きさの剥離力を作用させる工程と、
前記吸着対象物の挙動を検出する工程とを有する吸着モニター方法。 - 前記各工程を真空中で行う請求項1記載の吸着モニター方法。
- 前記各工程を大気中で行う請求項1記載の吸着モニター方法。
- 前記各工程を所定のガス中で行う請求項1記載の吸着モニター方法。
- 前記各工程を大気圧より大きい圧力下で行う請求項3又は4のいずれか1項記載の吸着モニター方法。
- 前記各工程を所定の処理中に行う請求項1乃至5のいずれか1項記載の吸着モニター方法。
- 前記吸着対象物の挙動を検出した結果、前記吸着対象物が前記基台から離脱したことを検知した場合に、当該処理を中断する請求項6記載の吸着モニター方法。
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JP2003357408A JP2005123422A (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 吸着モニター方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2008177464A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | デチャックモニター方法及び装置 |
KR20210080192A (ko) | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유지장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조방법 |
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2003
- 2003-10-17 JP JP2003357408A patent/JP2005123422A/ja active Pending
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