JP2000077509A - ウエハステージ及びウエハ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ載置面とウエハとの間にダストが挟ま
れた状態を検出できるウエハステージを提供し、露光処
理の作業効率と露光精度を確保する 【解決手段】 ウエハ載置面４５を有するステージ本体
４１と、ステージ本体４１のウエハ載置面４５側に設け
られたウエハ吸引用の溝４２とを有するもので、ウエハ
載置面４５上にウエハ２を吸着固定するためのウエハス
テージ４において、ステージ本体４１内にウエハ載置面
４５に対して所定間隔を保って平行に設けられた複数の
極板４３と、各極板４３とウエハ載置面４５上に吸着固
定されるウエハ２とに接続される容量比較回路４４とを
備えたことを特徴とするウエハステージ４。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハステージ及
びウエハ処理方法に関し、特には半導体装置製造の際の
リソグラフィー工程で用いられる露光装置のウエハステ
ージとして好適なウエハステージ及び上記リソグラフィ
ー工程における露光処理として好適なウエハ処理方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造の際のリソグラフィー工
程で用いられる露光装置には、ウエハを吸着固定させる
ウエハステージが備えられている。このウエハステージ
は、ウエハ載置面を有するステージ本体と、このステー
ジ本体のウエハ載置面に設けられたウエハ吸引用の溝と
を有している。このような構成のウエハステージでは、
上記溝を塞ぐ状態でウエハ載置面上にウエハを載置して
この溝内を吸引することによって、当該ウエハ載置面に
ウエハが吸着固定される。

【０００３】上記ウエハステージを用いてウエハの処理
（例えば、ここでは露光処理）を行う場合には、このウ
エハステージのウエハ載置面上にウエハを吸着固定させ
た後、直ちにこのウエハ表面に対して露光処理を行う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置製造にて様々な工程を経たウエハの裏面には、多く
のダスト（すなわち、パーティクル状の異物）が付着し
ている。このダストにはウエハの裏面に残るものとウエ
ハステージのウエハ載置面上に付着するものとがある
が、微細な高精度パターンの形成が要求される半導体装
置製造においては、いずれの部分にダストが存在してい
ても、このダストが露光処理に与える影響は非常に大き
い。

【０００５】すなわち、図５に示すように、ウエハステ
ージ１のウエハ載置面１ａ上またはウエハ２の裏面２ｂ
にダスト３が存在した状態で、ウエハ載置面１ａ上にウ
エハ２を吸着固定させると、ウエハ載置面１ａとウエハ
２との間にダスト３が挟まれた状態になり、ウエハ２の
表面２ａ側に凸状段差が生じる。ところが、上記構成の
ウエハステージ１では、ウエハ載置面１ａとウエハ２と
の間にダスト３が挟まれていてもこれを検出することが
できない。このため、ウエハ２の表面２ａにダスト３に
よる凸状段差を生じさせた状態でこのウエハ２に対して
処理が行われることになる。そして、この処理が露光処
理である場合に、上記凸状段差が焦点深度を超えると、
この凸状段差付近においてピントずれが生じることにな
る。したがって、その後の現像処理によってウエハ２の
表面２ａ側に形成されたレジストパターンにパターンく
ずれが生じてしまう。これは、半導体装置における配線
回路の短絡や切断の原因になる。

【０００６】そこで、半導体装置製造におけるリソグラ
フィー工程では、ウエハ上にレジストパターンを形成し
た後に、ウエハ表面の斜光目視によってパターン異常に
よる干渉縞の有無の検査を行っている。そして、この検
査でパターン異常が検出された場合には、露光装置にお
けるウエハステージのウエハ載置面のダストチェックを
行うと共に、パターン異常が検出されたレジストパター
ンをウエハ表面から剥離し再びリソグラフィー工程を行
うようにしている。これは、半導体装置製造におけるリ
ソグラフィー工程の作業効率を悪化させる要因になる。
また、上記パターン異常があるにも係わらず、上記斜光
目視によってこのパターン異常が検出できなかった場合
には、そのウエハを用いて得られた半導体装置において
短絡や断線等の回路不良が引き起こされることになる。
これは、半導体装置の歩留りを低下させる要因になる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のウエハステージは、ウエハ載置面を有するス
テージ本体と、このステージ本体のウエハ載置面側に設
けられたウエハ吸引用の溝とを有するもので、当該ウエ
ハ載置面上にウエハを吸着固定するためのウエハステー
ジであり、特に、複数の極板と、容量比較回路とを備え
たことを特徴としている。上記各極板は、ウエハステー
ジ内に上記ウエハ載置面に対して所定間隔を保って平行
に設けられている。また、容量比較回路は、これらの各
極板とウエハ載置面上に吸着固定されたウエハとに接続
され、各電極とウエハとの間の静電容量を比較するもの
である。上記ウエハステージは、露光装置に設けられる
ものであることとする。

【０００８】上記構成のウエハステージでは、複数の極
板がウエハ載置面に対して所定間隔を保ってステージ本
体内に設けられていることから、このウエハ載置面上に
ウエハを載置した状態においては、このウエハと各極板
とで間隔が等しい複数対の平行板コンデンサが構成され
ることになる。また、各極板とウエハ載置面上に載置し
たウエハとに接続される容量比較回路が備えられている
ことから、この容量比較回路によって上記各平行板コン
デンサ間の静電容量が比較される。このため、ウエハと
ウエハ載置面との間隔が部分的に変化して各平行板コン
デンサの距離が変化すると、容量比較回路で検出される
各平行板コンデンサ間の静電容量に差が生じることにな
る。したがって、このウエハステージ及びこのウエハス
テージが設けられた露光装置においては、ウエハとウエ
ハ載置面との間にダストが挟み込まれてウエハとウエハ
載置面との間隔が部分的に変化した状態が、静電容量の
差によって検出される。

【０００９】また、本発明のウエハ処理方法は、以下の
工程を順に行うことを特徴としている。すなわち、第１
工程では、ウエハ載置面の下方に当該ウエハ載置面に対
して所定間隔を保って複数の極板を平行に設けてなるウ
エハステージを用意し、このウエハステージにウエハを
吸着固定させる。第２工程では、このウエハと各極板と
の間の各静電容量を比較し、その差が所定範囲内である
か否かを判断する。第３工程では、上記第２工程で所定
範囲内であると判断された場合にのみ、このウエハに対
する処理を行う。また、上記第３工程での処理は、ウエ
ハ表面に対する露光処理であることとする。

【００１０】上記構成のウエハの処理方法では、ウエハ
載置面上にウエハを吸着固定させることによって、当該
ウエハ載置面に対して所定間隔を保って設けられた複数
の極板と上記ウエハとで、間隔が等しい複数の平行板コ
ンデンサが構成される。このため、第２工程では、上記
各平行板コンデンサ間の静電容量が比較されることにな
る。そして、ウエハとウエハ載置面との間隔に部分的な
差がある場合、上記各平行板コンデンサ間の距離に差が
存在することになり、その差に対応して各平行板コンデ
ンサ間の静電容量に差が生じることになる。また、この
差が所定範囲内値であると判断された場合、すなわちウ
エハとウエハ載置面との間隔の部分的な差が所定範囲内
である場合にのみ、ウエハに対する処理が行われること
になる。以上のことから、例えばウエハとウエハ載置面
との間にダストが挟み込まれることでウエハとウエハ載
置面との間隔が部分的に変化してウエハ表面に所定範囲
を超える凸状段差が形成された状態においては、ウエハ
の処理は行われず、ウエハ表面が所定範囲内で平坦な状
態でのみウエハの処理が行われる。したがって、この処
理が露光処理である場合には、焦点深度の範囲を上記所
定範囲とすることで、ウエハ表面に対して精度良くパタ
ーン露光が行われることになる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明を適用したウエハ
ステージの一例を示す断面構成図である。以下にこの図
を用いて本発明のウエハステージの実施形態を説明す
る。

【００１２】図に示すウエハステージ４は、ステージ本
体４１、ステージ本体４１に設けられた溝４２、ステー
ジ本体４１内に設けられた複数の極板４３及び容量比較
回路４４で構成されている。

【００１３】上記ステージ本体４１は、例えば円盤型で
ウエハ載置面４５を備えたものであり、少なくともこの
ウエハ載置面４５側の表面層は絶縁性材料で構成されて
いることする。ここでは、ステージ本体４１全体が絶縁
性材料で構成されているものであることとする。

【００１４】そして、上記溝４２は、上記ステージ本体
４１のウエハ載置面４５側に設けられている。この溝４
２は、例えば、ウエハ載置面４５に同心円状や渦巻き状
に配置されており、互いに連通した状態で真空ポンプに
接続された真空排気孔５に接続されていることとする。
ただし、ウエハ載置面４５上にウエハ２を載置した状態
において、全ての溝４２がこのウエハ２によって塞がれ
るように、ウエハ載置面４５に溝４２が配置されている
こととする。

【００１５】そして、上記極板４３は、例えば４．５ｍ
ｍ角のアルミニウム板からなるものであり、上記ステー
ジ本体４１内のウエハ載置面４５側（すなわちウエハ載
置面４５直下）に上記溝４２の配置部分を避けて互いに
絶縁された状態で万遍なく埋め込まれている。各極板４
３は、ウエハ載置面４５に対して、例えば所定間隔ｄ＝
５００μｍを保って平行に配置されている。そして、こ
れらの各極板４３には、それぞれ個別に配線４６が接続
されている。

【００１６】上記容量比較回路４４は、各極板４３に接
続された配線４６及びウエハ載置面４５上に載置したウ
エハ２に接続される配線（図示省略）に接続されてい
る。すなわち、この容量比較回路４４は、各極板４３と
ウエハ２とで構成される平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …
Ｃｎに接続され、これらの平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2
…Ｃｎ間の静電容量を比較できるようにプログラムされ
ているのである。このような容量比較回路４４として
は、例えばキルヒホッフ回路を適用したものがあり、各
平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎ間の各静電容量Ｃｐ
₁ ，Ｃｐ₂ …Ｃｐnの差Ｃｐ₁ −Ｃｐ₂ ，Ｃｐ₂ −Ｃｐ
₃ …Ｃｐn-1 −Ｃｐn を算出し、さらにこの算出値が所
定範囲内であるか否かを判断するものであることとす
る。

【００１７】図２は、上記構成のウエハステージの形成
手順を示す断面図であり、以下にこの図を用いてウエハ
ステージの形成方法を説明する。先ず、図２（１）に示
すように、正確に平面出しを行った表面５１ａを有する
基板５１を用意する。そして、この基板５１の表面５１
ａ上に所定膜厚の絶縁膜５２を成膜する。この絶縁膜５
２の膜厚は、上記図１を用いて説明してウエハステージ
におけるウエハ載置面（４５）と各極板（４３）との間
隔、すなわち所定間隔ｄ＝５００μｍであることとす
る。

【００１８】次に、絶縁膜５２上に上述の極板４３を形
成する。この極板４３は、例えばアルミニウム膜を、リ
ソグラフィー法によってパターニングしてなるものであ
ることとする。

【００１９】次いで、図２（２）に示すように、極板４
３を絶縁膜５３で埋め込んだ後、リソグラフィー法によ
ってこの絶縁膜５３に各極板４３に達する接続孔５４を
形成する。しかる後、絶縁膜５３上に、上述の配線４６
を形成する。これらの配線４６は、各接続孔５４を介し
て各極板４３に接続され、かつ互いに絶縁性を保って形
成され、例えば絶縁膜５３の周縁に導かれていることと
する。

【００２０】次に、図２（３）に示すように、配線４６
を絶縁膜５５で埋め込んだ後、この絶縁膜５５上に絶縁
性の基台５６を張りつける。

【００２１】その後、図２（４）に示すように、絶縁膜
５２の裏面側から基板（５１）を除去し、これを上述の
ウエハ本体４１とする。そして、基板（５１）が除去さ
れて露出した絶縁膜５２の裏面が、ウエハ本体４１のウ
エハ載置面４５となる。

【００２２】次に、図２（５）に示すように、ステージ
本体４１のウエハ載置面４５側に、リソグラフィー法に
よって上述の溝４２を形成する。この溝４２は、互いに
連通する状態の同心円状や渦巻き状で、一端側に真空ポ
ンプが接続された真空排気孔に接続される様に形成され
ることとする。また、この溝４２は、先に形成した配線
４６を切断することなく設けられることとする。

【００２３】以上のようにしてウエハ載置面４５側に溝
４２を設けたステージ本体４１を形成した後、各配線４
６にここでは図示を省略した容量比較回路を接続させて
ウエハステージを完成させる。

【００２４】以上のようにして形成された上記構成のウ
エハステージ４（図１参照）は、例えば露光装置のウエ
ハステージとして用いて好適である。

【００２５】上記構成のウエハステージ４によれば、複
数の極板４３がウエハ載置面４５に対して所定間隔を保
ってステージ本体４１内に設けられていることから、こ
のウエハ載置面４５上にウエハ２を載置した状態におい
ては、このウエハ２と各極板４３とで間隔が等しい複数
対の平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎが構成されるこ
とになる。また、各極板４３と上記ウエハ２とに接続さ
れた容量比較回路４４が備えられていることから、この
容量比較回路４４によって上記各平行板コンデンサＣ1
，Ｃ2 …Ｃｎ間の静電容量Ｃｐ₁ ，Ｃｐ₂ …Ｃｐn が
比較される。

【００２６】ここで、図３に示すように、ウエハ２の裏
面２ｂとウエハステージ４のウエハ載置面４５との間に
ダスト３が挟み込まれて、ウエハ２とウエハ載置面４５
との間隔が部分的に変化すると、上記容量比較回路で検
出される各平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎ間の静電
容量に差が生じることになる。

【００２７】そして、ウエハ２とウエハ載置面４５との
間にダスト３が挟み込まれていない場合において、ウエ
ハ２と各極板４３との距離をｄ、各極板４３の面積を
Ｓ、ウエハ２と各極板４３との間の静電容量Ｃｐ₁ ，Ｃ
ｐ₂ …Ｃｐn ＝Ｃｐ0 、ウエハ２と各極板４３との間の
ウエハステージ４材料（すなわち、図２で説明した絶縁
膜５２）の誘電率をε₀ とすると、Ｃｐ0 ＝ε₀ （Ｓ／
ｄ）となる。一方、ウエハ２とウエハ載置面４５との間
にダスト３が挟み込まれている場合において、対応する
部分のウエハ２と極板４３との距離の平均をｄａ＝ｄ＋
Δｄ、その極板４３の面積をＳ、ウエハ２とその極板４
３との間の静電容量をＣｐａ、ウエハ２と各極板４３と
の間の物質の誘電率ε＝ε₀ と近似すると、Ｃｐａ＝ε
₀ ｛Ｓ／（ｄ＋Δｄ）｝と近似され、Ｃｐａ＜Ｃｐ0 に
なる。このため、ウエハ２と各極板４３との間にダスト
３が挟み込まれた場合には、その部分に対応するウエハ
２と極板４３との間の静電容量がその他の部分のウエハ
２と極板４３との間の静電容量よりも減少することにな
る。

【００２８】したがって、上記容量比較回路４４におい
て、各平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2…Ｃｎ間の各静電容
量Ｃｐ₁ ，Ｃｐ₂ …Ｃｐn の差Ｃｐ₁ −Ｃｐ₂ ，Ｃｐ₂
−Ｃｐ₃ …Ｃｐn-1 −Ｃｐn を算出し、さらにこの算出
値が所定範囲内であるか否かを判断することで、ウエハ
２とウエハ載置面４５との間にダスト３が挟み込まれて
いるか否かを検出することが可能になるのである。しか
も、上述のような容量比較回路４４を設けたことで、ウ
エハ２とウエハ載置面４５との間のダストのチェックが
インプロセスでモニターすることが可能になる。

【００２９】図４は、本発明を適用したウエハ処理方法
の一例を示すフローチャートである。ここでは、上記実
施形態で説明したウエハステージを備えた露光装置を用
いて、ウエハ表面に対して露光を行う場合の処理方法
を、この図４と共に上記図１を用いて説明する。

【００３０】先ず、ステップＳ１において、ウエハロー
ドを行い、処理を行うウエハ２をウエハステージ４のウ
エハ載置面４５上に載置して吸着固定させる。

【００３１】次に、ステップＳ２において、ウエハステ
ージ４の各極板４３とウエハ載置面４５上のウエハ２と
で構成された各平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎ間の
各静電容量Ｃｐ₁ ，Ｃｐ₂ …Ｃｐn を測定する。

【００３２】その後、ステップＳ３において、上記ステ
ップＳ２で計測された各静電容量の比較を行う。ここで
は、測定された各静電容量Ｃｐ₁ ，Ｃｐ₂ …Ｃｐn の差
Ｃｐ₁ −Ｃｐ₂ ，Ｃｐ₂ −Ｃｐ₃ …Ｃｐn-1 −Ｃｐn を
算出することとする。

【００３３】しかる後、ステップＳ４においては、上記
ステップＳ３で比較した結果、各静電容量の差が、所定
範囲内であるか否か、すなわちステップＳ３で得られた
算出値が所定範囲内であるか否かを判断する。そして、
所定範囲内であると判断された場合には、次のステップ
Ｓ５に進む。一方、所定範囲内ではないと判断された場
合には、次のステップＳ６に進む。尚、以上のステップ
Ｓ２〜ステップＳ４は、容量比較回路４４にて行う。

【００３４】そして、上記ステップＳ４からステップＳ
５に進んだ場合には、ウエハ載置面４５上のウエハ２に
対しての露光処理を行う。

【００３５】一方、ステップＳ４からステップＳ６に進
んだ場合には、作業者コールの信号を発生させる。

【００３６】そして、作業者コールが発せられた場合に
は、次のステップＳ７に進む。ステップＳ７において
は、ウエハ２をウエハ載置面４５上から外し、ウエハ２
の裏面及びウエハ載置面４５のダストチェックを行い、
ダストの付着を確認した場合には、クリーニングを行う
ことによってダストを除去する作業を行う。そして、ス
テップＳ１に戻り、上記ステップＳ１以降を繰り返し行
うこととする。

【００３７】上記ウエハ処理方法によれば、ステップＳ
１においてウエハステージ４のウエハ載置面４５上にウ
エハ２を吸着固定させることによって、複数の極板４３
と上記ウエハ２とで、間隔が等しい複数の平行板コンデ
ンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎが構成される。このため、ステッ
プＳ３においては、上記各平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2
…Ｃｎ間の静電容量が比較されることになる。そして、
ウエハ２とウエハ載置面４５との間隔が部分的に変化し
た場合、上記各平行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎ間の
距離に差が存在することになり、その差に対応して各平
行板コンデンサＣ1 ，Ｃ2 …Ｃｎ間の静電容量に差が生
じることになる。また、ステップＳ４において、上記静
電容量の差が所定範囲内であると判断された場合、すな
わちウエハ２とウエハ載置面４５との間隔の部分的な差
が所定範囲内である場合にのみ、ステップＳ５に進んで
ウエハ２に対する処理が行われることになる。

【００３８】以上のことから、例えばウエハ２とウエハ
載置面４５との間にダストが挟み込まれることでウエハ
２とウエハ載置面４５との間隔が部分的に変化してウエ
ハ２表面に凸状段差が形成された状態（すなわち図３に
示した状態）においては、この凸状段差の大きさが所定
範囲を超えた場合にはウエハ２の処理は行われず、ウエ
ハ２の表面が所定範囲で平坦な場合にのみ処理が行われ
ることになる。したがって、この処理が露光処理である
場合には、焦点深度の範囲を上記所定範囲とすること
で、ウエハ表面に対して精度良くパターン露光が行われ
ることになる。

【００３９】そして、ステップＳ６において作業者コー
ルの信号が発せられた場合には、ウエハ２の裏面やウエ
ハ載置面４５のダストを除去した後に再びステップＳ１
以降の作業を行ことが可能になり、ウエハ２上にリソグ
ラフィーによってレジストパターンを形成する前に、ウ
エハ２の裏面やウエハ載置面４５のダストを除去するこ
とができる。この結果、ウエハ処理の作業効率を図るこ
とが可能になると共に、レジストパターンの不良を防止
して半導体装置の歩留りの向上を図ることが可能にな
る。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエハス
テージによれば、ウエハ載置面に対して所定間隔を保っ
て複数の極板を配置し、このウエハ載置面上のウエハと
これらの極板とに容量比較回路を接続させた構成にした
ことで、ウエハとウエハ載置面との間にダストが挟み込
まれた状態をウエハと各極板との間の各静電容量の差と
して検出することが可能になる。したがって、上記ダス
トの挟み込みによって表面に凸状段差が形成された場
合、この状態を検出してウエハ載置面上のウエハに対し
ての処理を中断することができ、上記凸状段差のない平
坦なウエハ表面に対してのみ処理を行うことが可能にな
る。また、このウエハステージが露光装置に設けられた
ものである場合、平坦なウエハ表面に対してのみ露光処
理を行うことが可能になり、ウエハ表面を露光光の焦点
深度から外すとなく良好に露光処理を行うことが可能に
なる。

【００４１】また、本発明のウエハ処理方法によれば、
ウエハ載置面上に吸着固定させたウエハとこのウエハ載
置面に対して所定間隔を保って配置された複数の極板と
の間の各静電容量を比較し、その差が所定範囲内である
場合にのみ、ウエハ表面の処理を行う構成にした。これ
によって、ウエハとウエハ載置面との間にダストが挟み
込まれることで各極板とウエハとの距離に差が生じウエ
ハ表面に所定範囲を超える凸状段差が形成された状態に
おいては、ウエハの処理が行われることはない。このた
め、ウエハとウエハ載置面との間隔が均一で表面が平坦
なウエハにのみ選択的に処理を行うことが可能になる。
したがって、この処理が露光処理である場合には、焦点
深度を保った状態で露光処理を行うことが可能になる。
この結果、半導体装置製造におけるリソグラフィー工程
の作業効率を図ることが可能になると共に、パターン露
光の精度が向上し半導体装置の歩留りの向上を図ること
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したウエハステージの一例を示す
断面構成図である。

【図２】ウエハステージの形成手順を示す断面図であ
る。

【図３】ウエハと極板との間の静電容量の差を説明する
図である。

【図４】本発明を適用したウエハ処理方法の一例を示す
フローチャートである。

【図５】従来のウエハステージ及びウエハ処理方法の課
題を説明する図である。

【符号の説明】

２…ウエハ、４…ウエハステージ、４１…ステージ本
体、４２…溝、４３…極板、４４…容量比較回路、４５
…ウエハ載置面

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ載置面を有するステージ本体と、
   当該ステージ本体の前記ウエハ載置面側に設けられたウ
   エハ吸引用の溝とを有するもので、当該ウエハ載置面上
   にウエハを吸着固定するためのウエハステージにおい
   て、 前記ステージ本体内に前記ウエハ載置面に対して所定間
   隔を保って平行に設けられた複数の極板と、 前記各極板と前記ウエハ載置面上に吸着固定されるウエ
   ハとに接続される容量比較回路とを備えたことを特徴と
   するウエハステージ。
2. 【請求項２】 前記ウエハステージは、露光装置に設け
   られるものであることを特徴とする請求項１記載のウエ
   ハステージ。
3. 【請求項３】 ウエハ載置面の下方に当該ウエハ載置面
   に対して所定間隔を保って複数の極板を平行に設けてな
   るウエハステージを用意し、このウエハステージにウエ
   ハを吸着固定させる第１工程と、 前記ウエハ載置面上のウエハと、前記各極板との間の各
   静電容量の差を比較し、その差が所定範囲内であるか否
   かを判断する第２工程と、 前記第２工程で所定範囲内であると判断された場合にの
   み、前記ウエハ載置面上に吸着固定されたウエハに対す
   る処理を行う第３工程と、 を備えたこと特徴とするウエハ処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のウエハ処理方法におい
   て、 前記第３工程で開始する処理は、ウエハの表面に対する
   露光処理であることを特徴とするウエハ処理方法。