JPH05129420A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
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- JPH05129420A JPH05129420A JP28595991A JP28595991A JPH05129420A JP H05129420 A JPH05129420 A JP H05129420A JP 28595991 A JP28595991 A JP 28595991A JP 28595991 A JP28595991 A JP 28595991A JP H05129420 A JPH05129420 A JP H05129420A
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Abstract
電吸着装置において、処理中のウエハの抵抗の変化を考
慮して印加電圧を制御し、SiO2膜等の絶縁膜を耐圧
劣化を生じないようにエッチング処理する静電吸着装置
を提供する。 【構成】直流電源13と静電吸着電極表面のSicの焼
体結12の間に電流計15を設け、エッチング処理中に
ウエハ1を流れる電流を検出して印加電圧制御装置16
により直流電源の出力を制御する如くし、印加電圧制御
装置16は、電流計15の出力信号から高周波成分を除
去して直流成分のみを取り出すローパスフィルター17
と、ローパスフィルター17の出力信号と設定値を比較
する比較器19と、比較器19からの偏差信号により印
加電圧を決定する印加電圧演算回路20により構成す
る。
Description
される試料を静電吸着力により支持する静電吸着装置に
おいて、ウエハ表面のSiO2膜等の絶縁膜の耐圧劣化
を防止するのに好適な静電吸着装置に関する。
7−79549号記載のように直流電源および電流計を
設け、吸着時に流れる電流から吸着面上にワークが吸着
されているかどうかを検出することが提案されている。
また、静電吸着方法としては、特公昭57−44747
号記載のように処理中のウエハが所望の温度になるよう
に一定の直流電圧を印加することが提案されている。
して処理される対象物たとえばエッチング処理されるウ
エハを載置する電極に適用することを想定すると、次の
ような解決すべき課題がある。従来技術では、吸着物で
あるウエハの抵抗や処理中の抵抗の変化について考慮さ
れておらず、以下の問題点が考えられる。まず、Siウ
エハ,Poli−Si膜付きウエハ,レジスト膜付きウ
エハ等は静電吸着装置に設けられている絶縁膜に比べて
抵抗が小さく、エッチング処理中にウエハを流れる電流
は絶縁膜の抵抗によって決まるためにほとんど変化せず
問題ない。しかし、SiO2膜等の絶縁膜の付いたウエ
ハでは静電吸着装置に設けられている絶縁膜に比べて抵
抗が大きく、エッチング処理中にウエハを流れる電流は
SiO2膜等の絶縁膜の抵抗によって決まり、前述した
場合に比べて同一印加電圧における電流が小さくなり、
これにともなって吸着力も小さくなり印加電圧を大きく
する必要がある。さらに、エッチング処理中を考えると
SiO2膜等の絶縁膜はエッチングされて削れるために
抵抗は小さくなり、ウエハを流れる電流は大きくなりS
iO2膜等の絶縁膜に耐圧劣化を生じるという問題があ
った。本発明の目的は、プラズマにより処理されるウエ
ハを支持する静電吸着装置において、ウエハ表面のSi
O2膜等の絶縁膜の耐圧劣化を防止することにある。
に、直流電源と静電吸着電極の間にエッチング処理中に
ウエハを流れる電流を検出する電流計と、電流計の信号
から高周波成分をカットするローパスフィルター、ロー
パスフィルタからの信号と外部からの設定値を比較する
比較器、比較器からの偏差信号により直流電源の出力を
変化する印加電圧演算回路により構成された印加電圧制
御装置を設け、エッチング処理中にウエハを流れる電流
をSiO2膜等の絶縁膜に耐圧劣化を生じない値に制御
するようにしたものである。
の抵抗が変化しても電流が設定値より大きくならないよ
うに印加電圧は制御されるので、SiO2膜等の絶縁膜
に耐圧劣化を生じることを防止できる。
イクロ波エッチング装置の構成を図1および図2により
説明する。図1は装置の全体構成を示したものであり、
ウエハ1のエッチングは放電管2内に導入したプロセス
ガス3をマイクロ波4とソレノイド5による磁場の相互
作用によりプラズマ6化し、さらに、下部電極7に高周
波電源8により高周波を印加してウエハ1に入射するイ
オンのエネルギーを制御しながら行う。ウエハ1のエッ
チングが終了すると、該エッチング済みウエハ1はウエ
ハ押し上げ装置9の作動により下部電極7から搬送装置
(図示省略)に移された後、該搬送装置により他の場所
へ搬送される。また、下部電極7上には絶縁材10を介
してタングステン電極11上にSicの焼結体12を接
合した静電吸着電極が設けてある。そして、下部電極7
と直流電源13の間にスイッチ14と電流計15が設け
てあり、電流計15からの信号にもとずいて印加電圧制
御装置16により直流電源13の出力が制御される構成
になっている。印加電圧制御装置16は、具体的には図
2に示すように電流計15の出力信号から高周波成分を
除去して直流成分のみを取り出すローパスフィルター1
7と、ローパスフィルター17の出力信号と設定値18
を比較する比較器19と、比較器19の出力信号により
印加電圧を制御する印加電圧演算回路20により構成さ
れている。一方、エッチングされるウエハ1の冷却は、
スイッチ14をオンすることにより焼結体12とウエハ
1の間に直流電源13により直流電圧を印加した後プラ
ズマ6を生成することにより生ずる静電吸着力により支
持した状態で、マスフローコントロラー21を開いてH
eガス22をウエハ1裏面に導入することにより行う。
また、下部電極7はサーキュレーター23により冷媒2
4を循環させることにより温度調節されている。次に、
印加電圧の制御方法を図3,図4により説明する。図3
は、印加電圧と吸着力の関係、図4は、印加電圧と電流
の関係を示した図である。まず、試料がSiウエハ、レ
ジスト膜付きウエハ、Poly−Si膜付きウエハのよ
うに静電吸着電極の絶縁膜であるSicの焼結体12に
比べて抵抗の小さいものの場合では、電流は焼結体12
の抵抗によって決まり、図3に示すように印加電圧V1
で目標の吸着力が得られるとするとその時の電流は図4
よりi1となり、エッチング処理中についてもi1は変化
せず、i1が設定値i2以下になるように印加電圧を最初
に選定すればよいことになる。しかし、SiO2膜付き
ウエハのように焼結体12に比べて抵抗の大きいものの
場合では、電流はSiO2膜の抵抗によって決まり、図
3に示すように同一印加電圧V1における吸着力は電流
が小さくなるために減少し、目標の吸着力を得るために
はV1より大きな電圧V2を印加する必要があり、図4に
示すようにi3の電流が流れることになる。そして、エ
ッチング処理が開始されるとSiO2膜が削れるために
抵抗が小さくなり、電流は直線の矢印で示すようにi4
まで急激に増加して設定値i2を超えるために耐圧劣化
を生じるが、前述したように本発明によれば、電流計1
5により電流を検出して電流i3が設定値i2以下になる
ように印加電圧をV2からV3に変化するので、電流は一
点鎖線の矢印で示すように変化し、従来のように耐圧劣
化を生じることがない。
を耐圧劣化を生じることなく処理できる効果がある。
全体構成を示した図である。
た図である。
を示す線図である。
示す線図である。
置、17…ローパスフィルター、19…比較器、20…
印加電圧演算回路。
Claims (1)
- 【請求項1】プラズマにより処理されるウエハを支持す
る静電吸着装置において、直流電源と静電吸着用絶縁膜
の間に電流計を設け、さらに、電流計の出力信号から高
周波成分を除去するローパスフィルターとローパスフィ
ルターの出力信号と外部からの設定値を比較する比較器
と比較器からの偏差信号により直流電源による印加電圧
を制御する印加電圧演算回路から構成された印加電圧制
御装置を設けたことを特徴とする静電吸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28595991A JP2586768B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28595991A JP2586768B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 静電吸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05129420A true JPH05129420A (ja) | 1993-05-25 |
JP2586768B2 JP2586768B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17698173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28595991A Expired - Lifetime JP2586768B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2586768B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-10-31 JP JP28595991A patent/JP2586768B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2016032096A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2586768B2 (ja) | 1997-03-05 |
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