JP2008021963A - 載置台構造及び熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発熱板を、発熱板収容容器内へ着脱可能に設けて載置台を構成することにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能にした載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器4内にて被処理体Wに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台32と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する筒体状の支柱30とを有する載置台構造29において、前載置台は、電気加熱源よりなる発熱体38を耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板40と、着脱可能になされた蓋部78が設けられると共に、内部に前記発熱板を着脱可能に収容する耐熱耐腐食性材料よりなる発熱板収容容器42とよりなる。これにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の熱処理装置及び載置台構造に関する。
一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の枚葉処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスやハロゲンガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはN ガス等の不活性ガスやO ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入する。
例えば半導体ウエハに対して1枚毎に熱処理を施す枚葉式の熱処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータを内蔵した載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置し、所定の温度(例えば100℃から1000℃)で加熱した状態で所定の処理ガスを流し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている(特許文献1〜6)。このため処理容器内の部材については、これらの加熱に対する耐熱性と処理ガスに曝されても腐食されない耐腐食性が要求される。
ところで、半導体ウエハを載置する載置台構造に関しては、一般的には耐熱性耐腐食性を持たせると共に、金属コンタミネーション等の金属汚染を防止する必要から例えばAlN等のセラミック材中に発熱体として抵抗加熱ヒータを埋め込んで高温で一体焼成して載置台を形成し、また別工程で同じくセラミック材等を焼成して支柱を形成し、この一体焼成した載置台側と上記支柱とを、例えば熱拡散接合で溶着して一体化して載置台構造を製造している。そして、このように一体成形した載置台構造を処理容器内の底部に起立させて設けるようにしている。また上記セラミック材に代えて耐熱耐腐食性のある石英ガラスを用いる場合もある。
特開昭63−278322号公報 特開平07−078766号公報 特開平03−220718号公報 特開平06−260430号公報 特開平8−78193号公報 特開2004−356624号公報
ところで、上述のように発熱体である抵抗加熱ヒータは、セラミック材中や石英ガラス中に一体的に埋め込んで一体焼成して載置台を形成しているので、例えば抵抗加熱ヒータの一部が破断するなど、一部に欠陥が生じただけで、この載置台構造全体を取り換えなければならず、欠陥を有する部材以外の他の部分が無駄になってしまう、という問題があった。
また、処理(プロセス)の種類によっては、耐腐食性が特に求められるプロセスや、熱衝撃に対する耐久性が特に求められるプロセスや、金属汚染に対する耐性が特に求められるプロセス等があって、プロセスの種類に応じて種々の要求スペックが存在する。そして、一般的には部品の共通化を図るために耐腐食性、耐熱性等に対して最も過酷なプロセスに対応させて上記載置台構造を製造するため、使用されるプロセスの種類によっては、載置台構造の材料の選定に関して必要以上に耐性の大きな特性を有する材料が用いられてしまってオーバースペックになり、特にこれらの耐性の高い部材は、部材自体が高価で且つ加工も高価であることから、装置自体の必要以上なコスト高を招いてしまう、という問題があった。
また、上記載置台の下面に支柱を溶着して一体成形していることから、この載置台と支柱との接合部における熱伝導性が良好になって、この部分の支柱側への熱の流れがよくなり、この結果、この接合部が他の載置台の部分よりも冷えた状態となって、いわゆるクールスポットが発生してしまい、ここに熱応力の集中が生じ、結果としてこの接合部を起点として載置台割れが発生し易くなる、といった問題があった。
また、載置台のヒータの温度制御を行うために、載置台の裏面に熱電対を取り付けるが、この熱電対は載置台の焼成後に取り付けるようになっており、しかも、その検出ラインが処理ガスや腐食性ガス等に晒されることを防止するために、上記熱電対は支柱が接続されることになる載置台の裏面中心部に1つしか設置することができない。このため、載置台の中心部の温度は上記熱電対で測定できるのに対して、載置台の周辺部の温度は経験則で求めるしかなく、このため、処理容器内の熱輻射環境が大きく変わった時などは載置台、或いは半導体ウエハの面内温度の均一性を高く維持することができない場合が生ずる、といった問題があった。
更には、上記抵抗加熱ヒータを載置台内に一体焼成する場合に、抵抗加熱ヒータの引き回し配線は計算上求めた位置に精度良く配設されるが、焼成時に加わる応力によりヒータ自体の断面が僅かに変形する場合があり、この場合にはヒータの位置補修ができないことから設計通りの温度分布を実現することが困難になる、といった問題もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、発熱板を、発熱板収容容器内へ着脱可能に設けて載置台を構成することにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能にした載置台構造及びこれを用いた熱処理装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は、プラズマ処理装置の例えば下部電極やチャック電極等になる導電性部材を載置台と共に一体焼成しないで補修可能に設けるようにした載置台構造及びこれを用いた熱処理装置を提供することにある。
請求項1に係る発明は、処理容器内にて被処理体に対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する筒体状の支柱とを有する載置台構造において、前載置台は、電気加熱源よりなる発熱体を耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板と、着脱可能になされた蓋部が設けられると共に、内部に前記発熱板を着脱可能に収容する耐熱耐腐食性材料よりなる発熱板収容容器と、よりなることを特徴とする載置台構造である。
このように、発熱板を、発熱板収容容器内へ着脱可能に設けて載置台を構成することにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能にすることができる。
また、着脱可能になされた蓋部を、実行すべきプロセスに対応した耐熱性及び耐腐食性を有する材料よりなる蓋部に換えることができ、このために蓋部がオーバースペックになることを防止することができる。この結果、比較的安価な且つ加工性の良好な材料を使用できることから、装置コストを大幅に削減することができる。
この場合、例えば請求項2に規定するように、前記蓋部の接合部は、前記発熱板収容容器の容器本体側に耐熱耐腐食性材料よりなる係合ピンにより係合されている。
また例えば請求項3に規定するように、前記蓋部と前記容器本体との接合部には、シール部材及び/又はシール構造が設けられている。
また例えば請求項4に規定するように、前記発熱体は、複数のゾーンに分割されており、ゾーン毎に温度制御が可能になされている。
また例えば請求項5に規定するように、前記蓋部の裏面側には、前記ゾーンに対応させて複数の温度測定素子が設けられている。
また例えば請求項6に規定するように、前記温度測定素子の測定ラインは、前記支柱内に延びている。
また例えば請求項7に規定するように、前記支柱の上端部は、前記載置台の下面の中央部に、ボルト部材により着脱可能に取り付けられている。
このように、支柱と載置台とを互いに着脱可能に設けるようにしたので、いずれか一方に欠陥が生じても全体を交換する必要がなく欠陥が生じた方の部材のみを交換するだけでよいので、メンテナンス費用を抑制でき、また、実行すべきプロセスに対応した耐熱性及び耐腐食性を有する材料よりなる載置台、或いは支柱に交換することができるので、このため、載置台や支柱がオーバースペックになることを防止することができる。この結果、比較的安価な且つ加工性の良好な材料を使用できることから、装置コストを大幅に削減することができる。
また例えば請求項8に規定するように、前記ボルト部材は、耐熱性材料よりなる。
また例えば請求項9に規定するように、前記支柱の上端部と前記載置台の下面との接合部には、シール部材が介設されている。
また例えば請求項10に規定するように、前記発熱板からは、前記発熱体へ給電を行うための給電ラインを封入してなる耐熱性材料よりなるライン封入管が前記発熱板収容容器を貫通して前記支柱内に延びている。
また例えば請求項11に規定するように、前記支柱の内部と前記発熱板収容容器の内部とは不活性ガスにより陽圧状態になされている。
また例えば請求項12に規定するように、前記蓋部には、平面方向に広がる導電性部材が埋め込まれていると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びている。
また例えば請求項13に規定するように、前記発熱板上には、平面方向に広がる導電性部材が設けられると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びている。
また例えば請求項14に規定されるように、前記蓋部と前記発熱板との間には、平面方向に広がる導電性部材が設けられると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びている。
これによれば、導電性部材は、蓋部には一体的に焼成されていない構造となるので、例えば下部電極やチャック電極として用いられる上記導電性部材に補修等を加えようとする場合に、この補償等を容易に行うことができる。
この場合、例えば請求項15に規定されるように、前記導電性部材は、前記蓋部の下面に接合されている。
この場合、例えば請求項16に規定されるように、前記導電性部材は、前記発熱体の上面に接合されている。
また例えば請求項17に規定されるように、前記導電性部材の表面には、この全面を覆うようにして耐熱絶縁性材料よりなる保護層が設けられる。
請求項18に係る発明によれば、処理容器内にて被処理体に対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する筒体状の支柱とを有する載置台構造において、前載置台は、電気加熱源よりなる発熱体を耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板と、着脱可能になされた蓋部が設けられると共に、内部に前記発熱板を着脱可能に収容する耐熱耐腐食性材料よりなる発熱板収容容器と、前記蓋部の上面に設けられて平面方向に広がる導電性材料と、前記導電性部材の表面全体を覆うように設けた耐熱絶縁性材料よりなる保護層と、前記導電性部材に接続される導電ラインと、よりなることを特徴とする載置台構造である。
このように、発熱板を、発熱板収容容器内へ着脱可能に設けて載置台を構成することにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能にすることができる。
また、着脱可能になされた蓋部を、実行すべきプロセスに対応した耐熱性及び耐腐食性を有する材料よりなる蓋部に換えることができ、このために蓋部がオーバースペックになることを防止することができる。この結果、比較的安価な且つ加工性の良好な材料を使用できることから、装置コストを大幅に削減することができる。
また、導電性部材は、蓋部には一体的に焼成されていない構造となるので、例えば下部電極やチャック電極として用いられる上記導電性部材に補修等を加えようとする場合に、この補償等を容易に行うことができる。
この場合、例えば請求項19に規定するように、前記保護層は、前記耐熱絶縁性材料を塗布することにより形成される。
また例えば請求項20に規定するように、前記保護層は、前記耐熱絶縁性材料よりなる薄板を接着剤により接合することにより形成される。
また例えば請求項21に規定するように、前記蓋部の厚さは、1〜20mmの範囲内である。
また例えば請求項22に規定するように、前記耐熱性材料は、絶縁性材料よりなる。
また例えば請求項23に規定するように、前記絶縁性材料は、石英ガラス、或いはAlN、Al 、Si を含むセラミック材の内のいずれか1つよりなる。
請求項24に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、上記のいずれかに記載された載置台構造と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、を備えたことを特徴とする熱処理装置である。
本発明に係る載置台構造及び熱処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
発熱板を、発熱板収容容器内へ着脱可能に設けて載置台を構成することにより、発熱板を取り換え、或いは交換可能にすることができる。
また、着脱可能になされた蓋部を、実行すべきプロセスに対応した耐熱性及び耐腐食性を有する材料よりなる蓋部に換えることができ、このために蓋部がオーバースペックになることを防止することができる。この結果、比較的安価な且つ加工性の良好な材料を使用できることから、装置コストを大幅に削減することができる。
特に、請求項7に係る発明によれば、支柱と載置台とを互いに着脱可能に設けるようにしたので、いずれか一方に欠陥が生じても全体を交換する必要がなく欠陥が生じた方の部材のみを交換するだけでよいので、メンテナンス費用を抑制でき、また、実行すべきプロセスに対応した耐熱性及び耐腐食性を有する材料よりなる載置台、或いは支柱に交換することができるので、このため、載置台や支柱がオーバースペックになることを防止することができる。この結果、比較的安価な且つ加工性の良好な材料を使用できることから、装置コストを大幅に削減することができる。
以下に本発明に係る載置台構造及び熱処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
<第1実施例>
図1は本発明に係る熱処理装置を示す断面構成図、図2は載置台構造の第1実施例を示す断面図、図3は載置台構造の発熱体を示す平面図、図4は載置台構造の一部を示す部分拡大断面図、図5は載置台構造の分解組立図である。本実施例では、高周波電力によるプラズマも用いることができる熱処理装置について説明する。
図示するようにこの熱処理装置2は、例えば断面の内部が略円形状になされたアルミニウム製の処理容器4を有している。この処理容器4内の天井部には必要な処理ガス、例えば成膜ガスを導入するためにガス供給手段であるシャワーヘッド部6が絶縁層7を介して設けられており、この下面のガス噴射面8に設けた多数のガス噴射孔から処理空間Sに向けて処理ガスを吹き出すようにして噴射するようになっている。このシャワーヘッド部6はプラズマ処理時に上部電極を兼ねるものである。
このシャワーヘッド部6内には、中空状の2つに区画されたガス拡散室12A、12Bが形成されており、ここに導入された処理ガスを平面方向へ拡散した後、各ガス拡散室12A、12Bにそれぞれ連通された各ガス噴射孔10A、10Bより吹き出すようになっている。すなわち、ガス噴射孔10A、10Bはマトリクス状に配置されている。このシャワーヘッド部6の全体は、例えばニッケルやハステロイ(登録商標)等のニッケル合金、アルミニウム、或いはアルミニウム合金により形成されている。尚、シャワーヘッド部6としてガス拡散室が1つの場合でもよい。そして、このシャワーヘッド部6と処理容器4の上端開口部の絶縁層7との接合部には、例えばOリング等よりなるシール部材14が介在されており、処理容器4内の気密性を維持するようになっている。そして、このシャワーヘッド部6には、マッチング回路15を介して例えば13.56MHzのプラズマ用の高周波電源17が接続されており、必要時にプラズマを立てるようになっている。この周波数は上記13.56MHzに限定されない。
また、処理容器4の側壁には、この処理容器4内に対して被処理体としての半導体ウエハWを搬入搬出するための搬出入口16が設けられると共に、この搬出入口16には気密に開閉可能になされたゲートバルブ18が設けられている。
そして、この処理容器4の底部20に排気落とし込め空間22が形成されている。具体的には、この容器底部20の中央部には大きな開口24が形成されており、この開口24に、その下方へ延びる有底円筒体状の円筒区画壁26を連結してその内部に上記排気落とし込め空間22を形成している。そして、この排気落とし込め空間22を区画する円筒区画壁26の底部28には、これより起立させて本発明の特徴とする載置台構造29が設けられる。具体的には、この載置台構造29は、円筒状の支柱30と、この上端部に着脱可能に固定される載置台32とにより主に構成される。この載置台構造29の詳細については後述する。
そして、上記排気落とし込め空間22の開口24は、載置台32の直径よりも小さく設定されており、上記載置台32の周縁部の外側を流下する処理ガスが載置台32の下方に回り込んで開口24へ流入するようになっている。そして、上記円筒区画壁26の下部側壁には、この排気落とし込め空間22に臨ませて排気口34が形成されており、この排気口34には、図示しない真空ポンプが介設された排気管36が接続されて、処理容器4内及び排気落とし込め空間22の雰囲気を真空引きして排気できるようになっている。
そして、この排気管36の途中には、開度コントロールが可能になされた図示しない圧力調整弁が介設されており、この弁開度を自動的に調整することにより、上記処理容器4内の圧力を一定値に維持したり、或いは所望する圧力へ迅速に変化させ得るようになっている。
また、上記載置台32は、図2にも示すように例えばカーボンワイヤヒータ等の電気加熱源よりなる発熱体38を所定のパターン形状にして耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板40を有しており、この発熱板40は発熱板収容容器42内へ収容されている。そして、この発熱板収容容器42の上面に、被処理体としての半導体ウエハWを載置し得るようになっている。ここで載置台32は加熱手段と兼用されることになる。
上記載置台32には、この上下方向に貫通して複数、例えば3本のピン挿通孔44が形成されており(図1においては2つのみ示し、図2以降では記載省略)、上記各ピン挿通孔44に上下移動可能に遊嵌状態で挿通させた押し上げピン46を配置している。この押し上げピン46の下端には、円形リング形状の例えばアルミナのようなセラミック製の押し上げリング48が配置されており、この押し上げリング48に、上記各押し上げピン46の下端が乗っている。この押し上げリング48から延びるアーム部50は、容器底部20を貫通して設けられる出没ロッド52に連結されており、この出没ロッド52はアクチュエータ54により昇降可能になされている。
これにより、上記各押し上げピン46をウエハWの受け渡し時に各ピン挿通孔44の上端から上方へ出没させるようになっている。また、アクチュエータ54の出没ロッド52の容器底部の貫通部には、伸縮可能なベローズ56が介設されており、上記出没ロッド52が処理容器4内の気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。
そして、載置台構造29の支柱30の底部は閉じられると共に、ここには拡径されたフランジ部58が設けられ、そしてこのフランジ部58が、底部28の中央部に形成した貫通孔60を覆うようにして、図示しないボルト等により着脱可能に取り付けられている。このフランジ部58と、貫通孔60の周辺部の底部28との間には、Oリング等のシール部材62が介設されており、この部分の気密性を保持するようになっている。
次に、上記載置台構造29について図2乃至図5も参照して具体的に説明する。
前述したように、この載置台構造29は、載置台32と支柱30とにより主に構成されている。具体的には、上記載置台32は、上記発熱板40と、これを収容する発熱板収容容器42とよりなる。上記発熱板40は、耐熱性材料よりなる円形平面状の台座64を有しており、この台座64の表面全面にはヒータ溝66が形成され、このヒータ溝66に沿って電気加熱源よりなる上記発熱体38を配設している。そして、この台座64の上面に、同じく耐熱性材料よりなる円形状の平板68を配置し、これを高温で焼成して一体化する。これにより、発熱体38が発熱板40内に埋め込まれることになる。
ここで、上記発熱体38は、複数のゾーンに分割されており、ゾーン毎に温度制御が可能になされている。すなわち、本実施例では、図3にも示すように、上記発熱体38は、同心円状に2つのゾーン、すなわち内周側のゾーン70Aの発熱体38Aと外周側のゾーン70Bの発熱体38Bとに分割されている。尚、図3中においては図面の理解を容易にするために各発熱体38A、38Bの巻回数を減らして記載している。また、ゾーン数を3以上に設定してもよい。
そして、各分割された発熱体38A、38Bの両端には、それぞれ給電ライン72が接続され、この給電ライン72は発熱板40の裏面中心部から下方向へ延びている。この給電ライン72は、その長さ方向の途中まで耐熱性材料よりなるライン封入管74内に密閉状態に封入され、このライン封入管74の上部は上記発熱板40に一体的に溶着されている。
この結果、上記ライン封入管74は、上記筒体状の支柱30内に挿通されて下方向に向けて延びている状態となっている。ここで上記各耐熱性材料は絶縁性のある例えば透明石英ガラスよりなり、従って、このライン封入管74を含む発熱板40の全体は、石英ガラスにより一体成形されることになる。尚、本実施例においては上記ライン封入管74は4本設けられるが(図3参照)、図1及び図2中では図面の簡略化のために1本のみ記載してある。
次に、上記発熱板収容容器42は、耐熱耐腐食性材料である例えば窒化アルミ(AlN)よりなる容器本体76と、この容器本体76の上部に着脱可能に設けられた同じく耐熱耐腐食性材料、例えば窒化アルミ製の蓋部78とにより主に構成されている。上記容器本体76は、その周辺部が上方へ屈曲されて側壁80となり、上方が開放された容器状になっている。またこの容器本体76の中央部には、上記支柱30が接合される部分に対応させて、図5にも示すように、ライン封入管用貫通孔82A、ボルト用貫通孔82B及び他に必要な数のライン用貫通孔82Cがそれぞれ設けられる。
ここで上記ライン封入管用貫通孔82Aの直径は、ライン封入管74の外径よりもかなり大きく設定されており、遊嵌状態で上記ライン封入管74を挿脱できるようになっている。また、この容器本体76の側壁80の外周面の上部の所定の箇所には、後述するピン部材を封に有するピン穴部84(図4も参照)が形成されている。
また上記蓋部78はその周辺部が下方へ屈曲されて側壁86となり、上記容器本体76の側壁80と重なり合うようにして容器本体76を蓋するようになっている。この蓋部78の上面は平坦に形成されており、この上面が載置面となってここにウエハWを直接的に載置できるようになっている。この蓋部78の厚さは、例えば1〜20mm程度の範囲内であり、その理由はこの厚さが1mmよりも薄いと、この強度が発熱板収容容器42内とその外側のプロセス空間との間の差圧に耐えられなくなってしまい、また20mmよりも厚いと、この部分のインピーダンスが過度に大きくなってプラズマ電位が高くなる等の不都合が生じてしまう。
また、この蓋部78には、平面方向に広がる網目状になされた導電性部材88が一体的に埋め込まれており、この導電性部材88には導電ライン90が接続されて下方に伸びている。尚、この導電性部材88は、メッシュ状の部材、多数の孔を分散させてシートに形成したようなパンチングプレート状の部材、薄く塗布された導電層状の部材、種々の形に印刷された導電性パターン状の部材等により形成することができる。上記蓋部78は石英やAl やAlN等のセラミック材よりなり、上記導電性部材88と一体焼成されることになる。
またこの蓋部78の裏面側には、蓋部78の半径方向の異なった位置で複数の温度測定素子92が埋め込まれている。具体的には、ここでは上記発熱体38のゾーン数に対応させて複数の、すなわち2個の温度測定素子92A、92Bを設けており、一方の温度測定素子92Aは蓋部78の中心部に設けて内周側のゾーンの温度測定し、他方の温度測定素子92Bは蓋部78の周辺部に設けて外周側のゾーンの温度を測定し得るようになっている。これらの温度測定素子92A、92Bとしては、例えば熱電対を用いることができ、これをガラス溶着、ロウ付け、ネジ止め、バネによる押し付け或いは蓋部78との一体焼成により取り付けている。そして、上記各温度測定素子92A、92Bからは測定ライン94A、94Bがそれぞれ下方へ延びている。
またこの蓋部78の側壁86には、上記容器本体76の側壁80に設けたピン穴部84に連通されるピン孔96が所定の箇所に複数設けられており(図4(A)参照)、このピン孔96及びピン穴部84に係合ピン98が着脱自在に嵌め込まれている。従って、この係合ピン98を取り外すことによって上記蓋部78は、上記容器本体76に対して着脱可能になされている。この係合ピン98の材料としては耐熱耐腐食性材料、例えば石英ガラス或いはセラミック材等を用いることができる。この場合、係合ピン98の係合を確実にするために、この係合ピン98及びピン孔96やピン穴部84にネジ切りを施しておいてもよい。
更に、蓋部78が着脱可能に設けられるならば、上記取り付け構造に限定されず、例えば一部を切り欠いた耐熱耐腐食性材料、例えばAlN等よりなるリング状の弾発性保持具を側壁86に沿って設け、上記弾発性保持具の弾発力により上記各係合ピン98が容易には抜け落ちないようにしてもよい。
そして、上記蓋部78と容器本体76との接合部には、シール部材100(図4(A)参照)が設けられている。ここでは上記容器本体76の側壁80の上端面と蓋部78の下面の周辺部との間に、薄いリング状のシール部材100が介設されている。このシール部材100は、例えばニッケルよりなるリング状のガスケットを用いることができる。ここでのシール性は、Oリング等のような高いシール性は求められておらず、後述するようにこの発熱板収容容器42内を不活性ガスにより陽圧状態にすることで、内部へのガスの侵入を防止することになる。尚、上記シール部材100に代えて、或いはシール部材100と併用して、図4(B)に示すようにここに凹凸状のラビリンスを形成したシール構造102を設けるようにしてもよい。
一方、上記支柱30は同じく耐熱耐腐食性材料、例えば酸化アルミ(Al )等により円筒体状に成形されており、その上端部は天板106で塞がれ、下端部はフランジ部58で塞がれている。そして、上記天板106には、上記容器本体76の裏面の中央部側と同じように、ライン封入管用貫通孔110A、ボルト用貫通孔110B及び他に必要な数のライン用貫通孔110Cがそれぞれ設けられる(図5参照)。
そして、上記容器本体76と支柱30とはボルト部材112により着脱可能に互いに取り付けられる。すなわち、上記容器本体76のボルト用貫通孔82Bと天板106のボルト用貫通孔110Bとにボルト部材112のボルト112Aを挿通し、これをナット112Bにより締め付けることにより、両者は分解可能に取り付け固定される。ここで上記ボルト部材112は耐熱性材料、例えば窒化シリコン(Si )等により形成されている。この取り付けに際しては、上記容器本体76と天板106との間に薄いリング状のシール部材114(図5参照)が介設されている。このシール部材114は、例えばニッケルよりなるリング状のガスケットを用いることができ、このシール箇所はOリング等のような高いシール性は求められていない。
そして、発熱板40のライン封入管74は、上記両ライン封入管用貫通孔82A、110Aをそれぞれ挿通して支柱30内の下方に延びており、また導電性部材88からの導電ライン90も上記両ライン封入管用貫通孔82A、110Aの空きスペースを通って支柱30内に挿通されており(図2参照)、更に各温度測定素子92A、92Bからの測定ライン94A、94Bはそれぞれライン用貫通孔82C、110Cを通って支柱30内に挿通されている。
また支柱30の底部のフランジ部58には、図5に示すようにガス導入口116の他に、複数、例えば図示例では3つのライン用貫通孔118A、118B、118Cが形成されている。そして、ライン用貫通孔118Aには、上記ライン封入管74の下端から延びた給電ライン72がシール部材120Aを介して気密に挿通されている。またライン用貫通孔118Bには導電ライン90がシール部材120Bを介して気密に挿通されている。更にライン用貫通孔118Cには、2本の測定ライン94A、94Bがシール部材120Cを介して気密に挿通されている。また、上記ガス導入口116には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給系122が接続されており、不活性ガスを必要に応じて流量制御しつつ供給できるようになっている。ここで上記不活性ガスとしては、N ガスが用いられるが、これに代えて、Ar、He等の他の不活性ガスを用いてもよい。
そして、上記給電ライン72にはヒータ電源114が接続されて、発熱体38A、38Bをゾーン毎に個別に加熱して温度制御し得るようになっている。また、導電ライン90には、バイアス用の高周波電源116が接続されており、プラズマ処理時には上記導電性部材88を下部電極として機能させるようになっている。尚、この高周波としては例えば13.56MHzを用いることができる。また、この導電ライン90には、静電チャック用の直流電源118が接続されており、上記導電性部材88をチャック電極としても機能させるようになっており、載置台32上のウエハWを静電吸着できるようになっている。尚、静電チャックが不要の時や、プラズマ処理を行わない時にはこの導電ライン90に直流電源118や高周波電源116を接続しないで、単に接地して接地ラインとして用いる場合もある。
また、上記2本の測定ライン94A、94Bは、温度制御部120へ入力されており、ここで検出した各ゾーンの温度に応じて上記ヒータ電源114を制御することにより、各ゾーンの温度制御を個別にできるようになっている。尚、図1に示すように載置台32にピン挿通孔44を形成するが、このピン挿通孔44に対して発熱板収容容器42内のシール性を確保するために、発熱板40の表面と発熱板収容容器42の内面との間には上記ピン挿通孔44の周囲を囲むようにして、シール部材として例えばガスケット(図示せず)を介在させるようにする。
次に、以上のように構成されたプラズマを用いた熱処理装置の動作について説明する。
まず、未処理の半導体ウエハWは、図示しない搬送アームに保持されて開状態となったゲートバルブ18、搬出入口16を介して処理容器4内へ搬入され、このウエハWは、上昇された押し上げピン46に受け渡された後に、この押し上げピン46を降下させることにより、ウエハWを載置台32の上面、具体的には蓋部78の上面に載置してこれを支持する。この時に、載置台32の導電性部材88に直流電源118より直流電圧を印加することにより静電チャックが機能し、ウエハWを載置台32上に保持する。
次に、シャワーヘッド部6へ各種の処理ガスを、それぞれ流量制御しつつ供給して、このガスをガス噴射孔10A、10Bより吹き出して噴射し、処理空間Sへ導入する。そして、図示してないが排気管36に設けた真空ポンプの駆動を継続することにより、処理容器4内や排気落とし込め空間22内の雰囲気を真空引きし、そして、圧力調整弁の弁開度を調整して処理空間Sの雰囲気を所定のプロセス圧力に維持する。この時、ウエハWの温度は所定のプロセス温度に維持されている。すなわち、載置台32の発熱体38にヒータ電源114より電圧を印加することにより発熱体38は加熱し、これにより発熱板40全体が加熱される。
この結果、発熱板40からの熱でウエハWが昇温加熱される。この時、蓋部78に設けた各温度測定素子92A、92Bでは、ウエハ温度が測定され、この測定値に基づいて温度制御部120は、各ゾーン毎に温度制御することになる。このため、ウエハWの温度を常に面内均一性が高い状態で温度制御することができる。
またプラズマ処理を行う時には、高周波電源17を駆動することにより、上部電極であるシャワーヘッド部6と下部電極である載置台32との間に高周波を印加し、処理空間Sにプラズマを立てて所定のプラズマ処理を行う。また、この際に、載置台32の導電性部材88にバイアス用の高周波電源116から高周波を印加することにより、プラズマイオンの引き込みを行うことができる。
ここで、上述した所定の処理が行われている間は、支柱30内及び載置台32の発熱板収容容器42内に不活性ガス、例えばN ガスを供給し、処理容器4内よりも圧力が少し高い陽圧状態に維持する。具体的には、不活性ガス供給系122によりN ガスを供給すると、このN ガスは支柱30内に導入され、更に、このN ガスは各ライン封入管用貫通孔82A、110Aやライン用貫通孔82C、110Cを介して発熱板収容容器42内へ供給される。ここでN ガスの圧力は陽圧状態に維持されているので、このN ガスは、支柱30と載置台32との接合部分のシール部材114や、容器本体76と蓋部78との接合部分のシール部材100の僅かな隙間を介して矢印130、132(図2及び図4を参照)に示すように、処理容器4内へ僅かずつ洩れ出ることになる。
従って、プロセスに用いる処理ガスや腐食性ガス、特にエッチングガスやクリーニング時のクリーニングガスが支柱30内や発熱板収容容器42内へ侵入することを防止することができる。この場合、上記シール部材100、114を設けた部分にラビリンス状のシール構造102を採用した場合には、プロセス圧力にもよるが、N ガスの圧力を例えば10Torr(1333Pa)以上に設定すれば、処理容器4内に対して臨界圧力比(0.55)をやや上回る程度の圧力にでき、ラビリンス内部の流速=音速として処理ガス等の逆流を防ぐことができる。
ここで、上記載置台構造29の一部に欠陥が生じた場合には、この載置台構造29を構成する部材が分解組み立てが可能になっているので、その欠陥が生じた部材のみを交換すればよい。例えば発熱体38が断線した場合には、蓋部78と容器本体76とを連結する係合ピン98を抜いて蓋部78を開放し、この発熱体38を含む発熱板40のみを取り代えればよく、他の支柱30や発熱板収容容器42はそのまま用いることができる。また同様に、発熱板収容容器42、或いは支柱30に欠陥(エッチング等による消耗を含む)が生じたならば、両者を結合するボルト部材112を取り外して両者の結合を解き、新しい部品と交換すればよい。
また、上記各部品の耐熱耐腐食性材料、或いは耐熱性材料である上記絶縁性材料は、石英ガラス、或いはAlN、Al 、Si を含むセラミック材の内のいずれか1つを用いることができる。
この場合、耐食性を特に求められるプロセス、熱衝撃に対する耐性を特に求められるプロセス、コンタミネーション(汚染)に対する耐性を求められるプロセスなど、プロセスに応じた最適な材料を上記各材料中からなる同形の部品を交換して用いることにより、同じ設計で種々のプロセスに対応可能な載置台構造を実現することができる。また、発熱板40に発熱体38を組み込む際には、発熱体38はヒータ溝66内に沿って収容されるので、これが一体成形時に変形することを防止して、設計通りの寸法に形成することができる。
また、載置台32と支柱30とをボルト部材112で着脱自在に接合するようにしたので、この部分を溶着した従来装置と比較して熱抵抗が大きくなり、この結果、クールスポットの発生を抑制することができるので、その分、熱衝撃(熱応力集中)による破損の発生を防止することができるのみならず、これらの部品の焼成や機械加工も容易に行うことが可能になる。尚、上記ボルト部材112を用いないで、他の着脱可能になされた接合部材、例えば容器本体76に設けた凹部に支柱30に設けた凸部を嵌め込むことで接合するようにした接合部材等を用いてもよい。この凹部及び凸部は、逆に設けてもよい。
また、発熱板収容容器42内へは、処理ガスが侵入しないので、温度測定素子92を、載置台32の中心部以外に更に複数箇所(全体で3点以上)に設けることができ、温度精度の高い制御を行うことができる。
また、上記実施例では、導電性部材88を、蓋部78に埋め込んで形成したが、これに限定されず、これを発熱板40上に平面方向へ広がるようにして設定してもよい。この場合には、メッシュ状の部材ではなく、円板状に広がる薄板状の導電性部材を用いるようにしてもよい。
<第2実施例>
以下に上記導電性材料88の構造を改良した第2実施例について説明する。
前述した第1実施例の載置台構造では導電性部材88は、Al 等よりなるセラミック材中に埋め込んで、これと一体焼成するように設けているが、この場合には、以下のような不都合があった。すなわち、下部電極やチャック電極として機能する導電性材料88はセラミック材中へ埋め込まれているので、上記導電性部材88の形状や材質等を補修しようと思っても補修が非常に困難になるか、或いは補修自体を行うことができないのみならず、高温、例えば1900℃程度で焼成されるので、材料としてW(タングステン)やMo(モリブデン)等の高融点金属しか使用できず、電極材料が限定されてしまう。
また焼成前の軟らかなセラミック材中に上記導電性部材88を埋め込んだ後にこれを焼き固めるが、焼き固める前の軟らかなセラミック材中で上記導電性部材88が不等沈下を起こす場合があり、上記導電性部材88の埋め込み深さが面内均一にならずにバラツキが生じてしまい、これがために、この上方に形成されるプラズマとの間の静電容量が不均一になってプラズマの形成に悪影響を与える恐れがあった。
更には、上記導電性部材88に対する電気的導通をとるためにセラミック製の蓋部にその下方より導電性部材88に届くまでのコンタクト用の穴を形成しなければならないが、この穴を起点として蓋部に破損等が生ずる恐れがあった。
本発明の第2実施例は上記したような不都合を解決するための構成である。図6は本発明に係る載置台構造の第2実施例を示す断面図である。尚、図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。尚、図6中において温度測定素子92の記載は省略している。
すなわち、ここでは上記導電性部材88をセラミック材よりなる蓋部78中に一体焼成するのではなく、上記蓋部78と下方に位置する発熱板40との間に設けるようにしている。具体的には、図6中においては、焼成されたセラミック材や石英ガラスよりなる蓋部78の下面(裏面)に上記導電性部材88を直接的に接合している。この場合、好ましくは、金属汚染を防止するために上記導電性部材88の表面全体(図6中の下面全体)を覆うようにして、耐熱絶縁性材料よりなる保護層130を設けるのがよい。
この場合も、上記導電性部材88から延びる給電ライン90は上記支柱30内を通すように配線すればよい。また、発熱板40には貫通孔132が形成されており、この貫通孔132に上記給電ライン90を挿通して下方へ延ばしている。上記導電性部材88としては、W(タングステン)やMo(モリブデン)等の高融点金属は勿論のこと、MoSi 、Ti AlC、Ti SiC 等の導電性を有する金属間化合物等も用いることができる。
ここで上記導電性部材88は、上記蓋部78の下面を平坦状に研磨した後に、この下面に接合する。この導電性部材88の接合に際しては、これを貼り付けてもよいし、スクリーン印刷等により形成してもよい。
また上記保護層130としては、耐熱絶縁性材料であるアルミナ(Al )やイットリア(Y )等を溶射により塗布してもよいし、液状の材料、或いは固相の材料を拡散接合させてもよいし、又は図7に示す蓋部の部分拡大図に示すように、上記アルミナやイットリアよりなる薄板134を接着剤136で貼り付けるように構成してもよい。この場合の接着剤136としては、例えばカーボン、SiO 等を用いることができる。
尚、ここで用いられる蓋部78の厚さは、第1実施例の場合と同じで、1〜20mm程度の範囲内であり、その理由は、この厚さが1mmよりも薄いと、この強度が発熱板収容容器42内とその外側のプロセス空間との間の差圧に耐えられなくなってしまい、また20mmよりも厚いと、この部分のインピーダンスが過度に大きくなってプラズマ電位が高くなる等の不都合が生じてしまう。
この第2実施例によれば、先の第1実施例と同様な作用効果を発揮することができるのみならず、導電性部材88は蓋部78中に一体焼成されておらず、例えば蓋部78の下面に貼り付けるようにして設けているので、導電性部材88の補修や材料を変更する等の場合には、保護層130やこの導電性部材88を比較的容易に剥ぎ取ることができるので、上記補修や材料変更等を容易に行うことができる。
また、導電性部材88を接合する際には、蓋部78の下面を平坦状に研磨しておけばよいので、この導電性部材88を均一に平坦に形成することができ、従って、この上方に形成されるプラズマとの間の静電容量の面内均一性を高めることでき、プラズマ形成に悪影響を与えることを防止することができる。
更には、上記導電性部材88に対して導電ライン90に対する導通をとるために、蓋部78に対してコンタクト用の穴を形成する必要がないので、この蓋部78に対して破損等を与える恐れを大幅に抑制することができる。
また、この導電性部材88の全体は、保護層130で覆われているので、この発熱体収容容器42内を流れたN 等の不活性ガスが上記導電性部材88と直接接触することはなく、従って、このN ガス等が処理空間S側へ洩れ出ても、ウエハに対して金属汚染を生ぜしめることを防止することができる。
<第3実施例>
次に、上記載置台構造の第3実施例について説明する。上記第2実施例にあっては、導電性部材88と蓋部78の下面に接合するようにしたが、これに限定されず、発熱板40の上面に接合するようにしてもよい。
図8はこのような本発明の載置台構造の第3実施例を示す部分断面図である。尚、図1及び図6に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
図8に示すように、ここでは発熱板40の上部を形成する天板68の上面に、上記導電性部材88を接合している。この場合には、上記導電性部材88は、先の第2実施例の蓋部78の下面と同様に、上記天板68の上面を平坦状に研磨した後に、この上面に接合する。そして、好ましくはこの導電性部材88の上面全面を覆うようにして保護層130を形成する。
この導電性部材88の接合方法は、容射等を用いるようにする点は、先の第2実施例と同様であり、また、図7で説明したように、薄板134と接着剤136を用いるようにして接合してもよい。
この第3実施例の場合にも、先の第2実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
<第4実施例>
次に、上記載置台構造の第4実施例について説明する。上記第2及び第3実施例にあっては、導電性部材88を蓋部78と発熱板40との間に設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、蓋部78の上面側に設けるようにしてもよい。
図9はこのような本発明の載置台構造の第4実施例を示す部分断面図である。尚、図1及び図6に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
図9に示すように、ここでは蓋部78の上面に、上記導電性部材88を接合している。この場合には、上記導電性部材88は、先の第1実施例の蓋部78の下面と同様に、上記蓋部78の上面を平坦状に研磨した後に、この上面に接合する。そして、ここでは腐食性ガスの雰囲気となる処理空間Sに直接的に接することから上記導電性部材88の腐食を防止するために、上記導電性部材88の上面全面を覆うようにして保護層130を形成する。
この導電性部材88の接合方法は、容射等を用いるようにする点は、先の第2実施例と同様であり、また、図7で説明したように、薄板134と接着剤136を用いるようにして接合してもよい。また、この第4実施例の場合には、蓋部78に貫通孔140を形成し、これに導電ライン90を挿通して上記導電性部材88に接続する。
この第4実施例の場合にも、先の第2実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また、この第4実施例の場合には、上記導電性部材88と、この上方に載置されるウエハWやプラズマとの間の距離が最も短くなるので、その分、動作上の効率を高めることができる。
尚、以上の各実施例では発熱板40として、例えば発熱体38を円板状の石英ガラス中に一体的に組み込んで成形した場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例えば蛇行状、或いは渦巻状等のように屈曲した石英ガラス管内に発熱体(例えばカーボンワイヤヒータ)を挿通して形成したような発熱板40を用いてもよい。
また、ここではプラズマを用いた場合を例にとって説明したが、プラズマを用いない単なる熱処理装置として用いてもよく、その場合には、プラズマ用の高周波電源17やマッチング回路15、バイアス用の高周波電源116等は不要となる。また、この場合でも静電チャック機能を有する導電性部材88は用いるのがよい。
また、本実施例では被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、LCD基板、ガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
本発明に係る熱処理装置を示す断面構成図である。 載置台構造の第1実施例を示す断面図である。 載置台構造の発熱体を示す平面図である。 載置台構造の一部を示す部分拡大断面図である。 載置台構造を示す分解組立図である。 本発明に係る載置台構造の第2実施例を示す断面図である。 載置台構造の第2実施例の変形例を示す部分拡大図である。 本発明の載置台構造の第3実施例を示す部分断面図である。 本発明の載置台構造の第4実施例を示す部分断面図である。
符号の説明
2 熱処理装置
4 処理容器
6 シャワーヘッド部(ガス供給手段)
29 載置台構造
30 支柱
32 載置台
38 発熱体
40 発熱板
42 発熱板収容容器
70A 内周側ゾーン
70B 外周側ゾーン
74 ライン封入管
76 容器本体
78 蓋部
88 導電性部材
90 導電ライン
92A,92B 温度測定素子
98 係合ピン
100 シール部材
102 シール構造
112 ボルト部材
114 シール部材
122 不活性ガス供給系
130 保護層
134 薄板
136 接着剤
W 半導体ウエハ(被処理体)

Claims (24)

  1. 処理容器内にて被処理体に対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する筒体状の支柱とを有する載置台構造において、
    前載置台は、
    電気加熱源よりなる発熱体を耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板と、
    着脱可能になされた蓋部が設けられると共に、内部に前記発熱板を着脱可能に収容する耐熱耐腐食性材料よりなる発熱板収容容器と、
    よりなることを特徴とする載置台構造。
  2. 前記蓋部の接合部は、前記発熱板収容容器の容器本体側に耐熱耐腐食性材料よりなる係合ピンにより係合されていることを特徴とする請求項1記載の載置台構造。
  3. 前記蓋部と前記容器本体との接合部には、シール部材及び/又はシール構造が設けられていることを特徴とする請求項2記載の載置台構造。
  4. 前記発熱体は、複数のゾーンに分割されており、ゾーン毎に温度制御が可能になされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の載置台構造。
  5. 前記蓋部の裏面側には、前記ゾーンに対応させて複数の温度測定素子が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の載置台構造。
  6. 前記温度測定素子の測定ラインは、前記支柱内に延びていることを特徴とする請求項5記載の載置台構造。
  7. 前記支柱の上端部は、前記載置台の下面の中央部に、ボルト部材により着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の載置台構造。
  8. 前記ボルト部材は、耐熱性材料よりなることを特徴とする請求項7記載の載置台構造。
  9. 前記支柱の上端部と前記載置台の下面との接合部には、シール部材が介設されていることを特徴とする請求項7又は8記載の載置台構造。
  10. 前記発熱板からは、前記発熱体へ給電を行うための給電ラインを封入してなる耐熱性材料よりなるライン封入管が前記発熱板収容容器を貫通して前記支柱内に延びていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の載置台構造。
  11. 前記支柱の内部と前記発熱板収容容器の内部とは不活性ガスにより陽圧状態になされていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の載置台構造。
  12. 前記蓋部には、平面方向に広がる導電性部材が埋め込まれていると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の載置台構造。
  13. 前記発熱板上には、平面方向に広がる導電性部材が設けられると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の載置台構造。
  14. 前記蓋部と前記発熱板との間には、平面方向に広がる導電性部材が設けられると共に、該導電性部材に接続される導電ラインは前記支柱内に延びていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の載置台構造。
  15. 前記導電性部材は、前記蓋部の下面に接合されていることを特徴とする請求項14記載の載置台構造。
  16. 前記導電性部材は、前記発熱体の上面に接合されていることを特徴とする請求項14記載の載置台構造。
  17. 前記導電性部材の表面には、この全面を覆うようにして耐熱絶縁性材料よりなる保護層が設けられることを特徴とする請求項15又は16記載の載置台構造。
  18. 処理容器内にて被処理体に対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する筒体状の支柱とを有する載置台構造において、
    前載置台は、
    電気加熱源よりなる発熱体を耐熱性材料中に埋め込んでなる発熱板と、
    着脱可能になされた蓋部が設けられると共に、内部に前記発熱板を着脱可能に収容する耐熱耐腐食性材料よりなる発熱板収容容器と、
    前記蓋部の上面に設けられて平面方向に広がる導電性材料と、
    前記導電性部材の表面全体を覆うように設けた耐熱絶縁性材料よりなる保護層と、
    前記導電性部材に接続される導電ラインと、
    よりなることを特徴とする載置台構造。
  19. 前記保護層は、前記耐熱絶縁性材料を塗布することにより形成されることを特徴とする請求項17又は18記載の載置台構造。
  20. 前記保護層は、前記耐熱絶縁性材料よりなる薄板を接着剤により接合することにより形成されることを特徴とする請求項17又は18記載の載置台構造。
  21. 前記蓋部の厚さは、1〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至20のいずれかに記載の載置台構造。
  22. 前記耐熱性材料は、絶縁性材料よりなることを特徴とする請求項1乃至21のいずれかに記載の載置台構造。
  23. 前記絶縁性材料は、石英ガラス、或いはAlN、Al 、Si を含むセラミック材の内のいずれか1つよりなることを特徴とする請求項22記載の載置台構造。
  24. 真空引き可能になされた処理容器と、
    請求項1乃至23のいずれかに記載された載置台構造と、
    前記処理容器内へ所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、
    を備えたことを特徴とする熱処理装置。
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