JP7449806B2

JP7449806B2 - 吸着装置及び真空処理装置

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Publication number: JP7449806B2
Application number: JP2020127420A
Authority: JP
Inventors: 朋子橘高; 謙前平
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2020-07-28
Filing date: 2020-07-28
Publication date: 2024-03-14
Anticipated expiration: 2040-07-28
Also published as: JP2022024690A

Description

本発明は、例えばスパッタリング装置等の真空処理装置において、基板を吸着する吸着装置の技術に関する。

近年、例えばスパッタリング装置等の真空処理装置では、処理対象物である基板の大型化等に鑑み、基板を鉛直近くの角度に立てた状態で処理を行うものが知られている。

この種の真空処理装置においては、横にした状態の吸着装置によって基板を吸着し、その後、吸着装置を立てて基板に対する処理を行うようにしている。

ところで、この種の真空処理装置では、基板搬送の際に基板昇降させる昇降ピンを通すためのピン通過孔が設けられているが、このようなピン通過孔の存在によって種々の不都合が生じている。

例えば、吸着装置によって基板を加熱する際、吸着装置上のピン通過孔以外の部分では吸着装置と基板との間で固体伝熱（接触熱伝導）による熱伝導が行われるが、ピン通過孔の部分では吸着装置と基板との間で熱伝導が行われない。

さらに、吸着装置のピン通過孔の部分では吸着装置と基板との間の微小な空間である熱伝導用凹部に充填されたガスが漏れるため、ピン通過孔の部分ではガスの対流または放射相当の現象による熱伝導が不十分になってしまう。加えて吸着装置を立てた状態ではピン通過孔の部分は分子流領域の圧力下の空間を望むこととなるため、真空断熱効果をも受けてしまう。

このような状態で真空処理装置内でプラズマを生成すると、吸着装置のピン通過孔の部分においてのみ基板の局所的な温度上昇が起こり、基板の温度にむらが発生することになる。

特開平７－４５６９３号公報

本発明は、このような従来の技術の課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、真空処理の際に本体部のピン通過孔に対応する基板の部分の温度上昇を防止して基板の温度むらをできるだけ小さくすることができる吸着装置の技術を提供することにある。

上記課題を解決するためになされた本発明は、基板を吸着するための吸着電極を誘電体からなる本体部内に有し、前記本体部に、当該本体部の吸着面に吸着した基板に対してガスによって熱を伝える熱伝導用凹部と、当該熱伝導用凹部に所定のガスを導入するためのガス導入孔と、基板を昇降させる昇降ピンを通すためのピン通過孔とが設けられ、前記本体部のピン通過孔を開閉するシャッターを有する吸着装置である。
本発明では、前記シャッターが前記本体部の誘電体の材料と同一の材料で形成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を閉じた状態において、当該シャッターと吸着した基板の裏面との距離が、前記本体部の熱伝導用凹部の底部と吸着した基板の裏面との距離と同等となるように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記シャッターは、前記本体部を横にした状態で前記ピン通過孔を開き、前記本体部を立てた状態で前記ピン通過孔を閉じるように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記シャッターは、その自重に基づく重力の作用によって、前記本体部を横にした状態で前記ピン通過孔を開き、前記本体部を立てた状態で前記ピン通過孔を閉じるように構成されている場合にも効果的である。
また、本発明は、真空槽と、前記真空槽内に設けられた上記いずれかの吸着装置と、前記吸着装置に設けられたピン通過孔を介して基板を昇降させる昇降ピンを有する昇降機構と、前記吸着装置を、横にした状態及び立てた状態に配置するための駆動部とを有し、前記吸着装置を横にした状態で基板を吸着し、かつ、前記吸着装置を立てた状態で真空処理を行うように構成されている真空処理装置である。
本発明では、前記吸着装置を横にした状態において、前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を開いた状態で前記昇降ピンによって基板を昇降して当該吸着装置に当該基板を吸着する一方で、前記吸着装置を起立した状態において、前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を閉じた状態で当該基板に対して真空処理を行うように構成されている場合にも効果的である。

本発明の吸着装置にあっては、基板を昇降させる昇降ピンを通すためのピン通過孔が設けられるとともに、本体部のピン通過孔を開閉するシャッターを有していることから、例えば基板の昇降ピンを有する真空処理装置の真空槽内に本発明の吸着装置を設け、シャッターによって本体部のピン通過孔を開いた状態で昇降ピンによって基板を昇降して吸着装置に基板を吸着する一方で、シャッターによって本体部のピン通過孔を閉じた状態で基板に対して例えばプラズマを用いた真空処理を行うことにより、吸着装置と基板との間の微小な空間である熱伝導用凹部に充填されたガスが漏れることがないため、ピン通過孔に対応する基板の部分においてガスの対流による熱伝導を十分行うことができる。

その結果、本発明によれば、真空処理の際に本体部のピン通過孔に対応する基板の部分の温度上昇を防止することができ、これにより基板の温度むらをできるだけ小さくすることができる。

本発明において、吸着装置のシャッターが、その自重に基づく重力の作用によって、本体部を横にした状態でピン通過孔を開き、本体部を立てた状態でピン通過孔を閉じるように構成されている場合には、シャッターを開閉させるモータ等駆動機構を用いる必要がないので、非常に簡素な構成の吸着装置及び真空処理装置を提供することができる。

図１（ａ）（ｂ）：本発明に係る真空処理装置の実施の形態であるスパッタリング装置の内部を示す概略構成図で、図１（ａ）は、吸着装置を横にした状態を示す図、図１（ｂ）は、吸着装置を立てた状態を示す図本発明に係る吸着装置の要部を示す断面図本発明に用いるシャッターの構成及び動作の例を示す概略図（その１）本発明に用いるシャッターの構成及び動作の例を示す概略図（その２）本発明に用いるシャッターの構成及び動作の他の例を示す概略図（その１）本発明に用いるシャッターの構成及び動作の他の例を示す概略図（その２）本実施の形態における真空処理動作を示す概略工程図（その１）本実施の形態における真空処理動作を示す概略工程図（その２）本実施の形態における真空処理動作を示す概略工程図（その３）

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。

図１（ａ）（ｂ）は、本発明に係る真空処理装置の実施の形態であるスパッタリング装置の内部を示す概略構成図で、図１（ａ）は、吸着装置を横にした状態を示す図、図１（ｂ）は、吸着装置を立てた状態を示す図である。

また、図２は、本発明に係る吸着装置の要部を示す断面図である。

なお、図２では、理解を容易にするため、各部分の寸法は実際の装置と異なるものである。

図１に示す本実施の形態のスパッタリング装置１は、接地電位にされた真空槽２を有している。

真空槽２は、その内部の真空排気を行う真空排気装置（図示せず）に接続されるとともに、真空槽２内にアルゴン（Ａｒ）ガス等のスパッタガスを導入可能なスパッタガス源（図示せず）に接続されている。

真空槽２内の側壁には、スパッタリングターゲット３が、立てた状態で、即ち鉛直方向に向けてバッキングプレート３ａに取り付けられている。

バッキングプレート３ａはスパッタ電源３ｂに電気的に接続され、バッキングプレート３ａを介してスパッタリングターゲット３に所定の電力（電圧）を供給するように構成されている。

真空槽２内には、吸着装置４が設けられている。

吸着装置４は、誘電体からなるプレート状の本体部４ａを有し、この本体部４ａ内に、図示しない吸着電源に接続された複数の吸着電極５が設けられている。

なお、吸着装置４の本体部４ａのスパッタリングターゲット３側の面には、例えば図２に示すように、多数のエンボスからなる吸着面４０が設けられている。

吸着装置４の本体部４ａには、複数のピン通過孔４ｂが設けられ、これらのピン通過孔４ｂを介して基板昇降用の昇降ピン６が挿入できるように構成されている。

各昇降ピン６は、鉛直方向に向けて設けられ、昇降機構６ａによって上方及び下方に駆動されて基板搬送時に基板１０を支持して昇降させるようになっている。

一方、吸着装置４の本体部４ａには、ガスによってアシストされる熱伝導によって本体部４ａと基板１０との間の熱抵抗を下げるためのガス導入孔７が複数設けられている。

これらのガス導入孔７は、それぞれガス供給源８に接続されるとともに、スパッタリングの際に本体部４ａの吸着面４０側に設けられた熱伝導用凹部２０にガスを導入するように構成されている（図２参照）。

本実施の形態の吸着装置４は、本体部４ａを図１（ａ）に示すように水平方向に向けて横にした状態と、本体部４ａを図１（ｂ）に示すように、ほぼ鉛直方向に向けて立てた状態にすることができるように構成されている。

本実施の形態では、真空槽２内のスパッタリングターゲット３の下方に配置され水平方向に延びる駆動軸９に吸着装置４の本体部４ａの一方の端部が固定され、図示しない駆動モータによってこの駆動軸９を回転させることによって、本体部４ａを横にした状態及び立てた状態に配置する駆動部が設けられている（図１（ａ）（ｂ）参照）。

本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように、吸着装置４を立てた状態にした場合に本体部４ａのピン通過孔４ｂを閉じるシャッター１１が設けられている。

このシャッター１１は、例えば平板状の部材からなり、後述する機構により、モータ等の手段を用いることなく、吸着装置４の位置に応じて自重で動作するように構成されている。

本発明の場合、特に限定されることはないが、真空処理の際に本体部４ａのピン通過孔４ｂに対応する基板１０の部分の温度上昇を防止して基板１０の温度むらをできるだけ小さくする観点からは、シャッター１１を本体部４ａの誘電体の材料と同一の材料で形成することが好ましい。

誘電体の例としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ポリイミド、シリコーンゴムなどが挙げられ、本体部４ａと同等の誘電率を持つものをシャッター１１に用いれば、前述した同一の材料として形成したことと同様の効果を得ることもできる。または本体部４ａと同等の誘電効果を持つように、シャッター１１を構成してもよい。

また、本発明の場合、特に限定されることはないが、真空処理の際に本体部４ａのピン通過孔４ｂに対応する基板１０の部分の温度上昇を防止して基板１０の温度むらをできるだけ小さくする観点からは、例えば図２に示すように、シャッター１１によって本体部４ａのピン通過孔４ｂを閉じた状態において、シャッター１１と吸着した基板１０の裏面との距離が、本体部４ａの熱伝導用凹部２０の底部２１と吸着した基板１０の裏面との距離と同等となるように構成することが好ましい（図２中距離ｐ）。

図３（ａ）～（ｃ）及び図４（ａ）～（ｃ）は、本発明に用いるシャッターの構成及び動作の例を示す概略図である。

本例のシャッター１１Ａは、以下に説明するように、その自重に基づく重力の作用によって、本体部４ａを横にした状態で自動的に開き、本体部４ａを立てた状態で自動的に閉じるように構成されている。

図３（ａ）に示すように、本例のシャッター１１Ａは、例えば本体部４ａのピン通過孔４ｂと同等の大きさの平板形状に形成されたもので、吸着装置４の本体部４ａに設けられた収容凹部４ｃ内に配置されている。

この収容凹部４ｃは、本体部４ａのピン通過孔４ｂに対し、図１（ａ）（ｂ）に示す本体部４ａの駆動軸９から離れる方向側に設けられ、さらにピン通過孔４ｂと連通するように構成されている。

シャッター１１Ａは、収容凹部４ｃ内において例えば直線状に配列された一対の複数のローラ１２に挟まれ、これらローラ１２の配列方向に直線状に移動できるようになっている。

本例では、図３（ａ）に示すように、吸着装置４を横にした状態において、シャッター１１Ａのピン通過孔４ｂ側の部分（先端部）が上方に向くようにローラ１２が配列されている。

このような構成により、吸着装置４を横にした状態では、収容凹部４ｃ内において、ローラ１２からシャッター１１Ａの自重による重力荷重の反力成分がシャッター１１Ａに作用し、シャッター１１Ａにおける駆動軸９から離れる方向側の端部（後端部）が収容凹部４ｃの壁面と当接するように配置される。

また、本体部４ａのピン通過孔４ｂに対して本体部４ａの駆動軸９側の部分であって、シャッター１１Ａの延びる方向の延長線上には、シャッター１１Ａのピン通過孔４ｂ側の先端部と当接して嵌り合うように形成された溝部４ｄが設けられている。

このような構成を有する本例において、吸着装置４を横にした状態から立てる方向へ移動させると、シャッター１１Ａの先端部側のローラ１２がシャッター１１Ａの後端部側のローラ１２より低い位置になった時点でシャッター１１Ａに対してローラ１２から本体部４ａの駆動軸９側へシャッター１１Ａの重力荷重の反力成分が作用し、これによりシャッター１１Ａは同駆動軸９側に移動する。

そして、吸着装置４を立てる動作を継続すると、シャッター１１Ａが更に本体部４ａの駆動軸９側に移動し、吸着装置４が立った状態では、シャッター１１Ａの先端部が本体部４ａの溝部４ｄに嵌り合い、これにより本体部４ａのピン通過孔４ｂが閉じられる（図３（ｃ）参照）。

一方、吸着装置４を立てた状態から横にする方向へ移動を開始すると、シャッター１１Ａの後端部側のローラ１２がシャッター１１Ａの先端部側のローラ１２より低い位置になった時点でシャッター１１Ａに対してローラ１２から本体部４ａの駆動軸９から離れる方向側へシャッター１１Ａの重力荷重の反力成分が作用し、これによりシャッター１１Ａは同駆動軸９から離れる方向側に移動する（図４（ａ）（ｂ）参照）。

そして、吸着装置４を横にする動作を継続すると、シャッター１１Ａが更に本体部４ａの駆動軸９から離れる方向側に移動し、吸着装置４が横になった状態では、図４（ｃ）に示すように、シャッター１１Ａの後端部が本体部４ａの収容凹部４ｃ内の壁面に当接することによってシャッター１１Ａは収容凹部４ｃに収容される。

これにより、本体部４ａのピン通過孔４ｂが開かれる。

図５（ａ）～（ｃ）及び図６（ａ）～（ｃ）は、本発明に用いるシャッターの構成及び動作の他の例を示す概略図である。

本例のシャッター１１Ｂは、以下に説明するように、その自重に基づく重力の作用によって、本体部４ａを横にした状態で自動的に開き、本体部４ａを立てた状態で自動的に閉じるように構成されている。

図５（ａ）に示すように、本例のシャッター１１Ｂは、例えば本体部４ａのピン通過孔４ｂと同等の大きさの平板形状に形成されたもので、吸着装置４の本体部４ａに設けられた収容溝部４ｅ内に配置されている。

この収容溝部４ｅは、本体部４ａのピン通過孔４ｂに対し、図１（ａ）（ｂ）に示す本体部４ａの駆動軸９から離れる方向側に設けられ、ピン通過孔４ｂと連通するように構成されている。そして、この収容溝部４ｅは、シャッター１１Ｂが全体的に収容されるようにその大きさ及び形状が定められている。

本例のシャッター１１Ｂは、一方の端部に本体部４ａの駆動軸９と平行に設けられた回転軸１４を有し、収容溝部４ｅ内の吸着面４０側の端部において回転軸１４を中心として回転できるように本体部４ａに取り付けられている。

そして、図５（ａ）に示すように、吸着装置４を横にした状態において、シャッター１１Ｂが自重によって鉛直方向に向いて収容溝部４ｅ内に収容されるように構成されている。

一方、本体部４ａのピン通過孔４ｂ内の本体部４ａの駆動軸９側の壁面には、シャッター１１Ｂの回転軸１４が設けられた側と反対側の端部と当接密着してシャッター１１Ｂと共にピン通過孔４ｂを閉じるための突部４ｆが設けられている。

このような構成を有する本例において、吸着装置４を横にした状態から立てる方向へ移動させると、シャッター１１Ｂは鉛直方向を向いたままであるので、シャッター１１Ｂは回転軸１４を中心として本体部４ａに対し相対的に突部４ｆに接近する方向に回転し、その下端部がピン通過孔４ｂ内に配置される（図５（ｂ）参照）。

そして、吸着装置４を立てる動作を継続すると、シャッター１１Ｂの下端部がピン通過孔４ｂ内の突部４ｆに接近し、吸着装置４が立った状態では、シャッター１１Ｂの先端部が突部４ｆに当接して、これらシャッター１１Ｂと突部４ｆが密着し本体部４ａのピン通過孔４ｂが閉じられる（図５（ｃ）参照）。

一方、吸着装置４を立てた状態から横にする方向へ移動させると、シャッター１１Ｂは鉛直方向を向いたままであるので、シャッター１１Ｂは回転軸１４を中心として本体部４ａに対し相対的に突部４ｆから離れる方向に回転する（図６（ａ）（ｂ）参照）。

そして、吸着装置４を横にする動作を継続すると、シャッター１１Ｂが更に回転軸１４を中心として本体部４ａに対し相対的に突部４ｆから離れる方向に回転し、吸着装置４が横になった状態では、図６（ｃ）に示すように、シャッター１１Ｂは収容溝部４ｅに収容される。

これにより、本体部４ａのピン通過孔４ｂが開かれる。

図７（ａ）（ｂ）～図９（ａ）（ｂ）は、本実施の形態における真空処理動作を示す概略工程図である。

本実施の形態では、次のような工程によって基板１０に対して真空処理であるスパッタリングを行う。

まず、図示しない搬送ロボットを用いて基板１０を真空槽２内に搬入し、図７（ａ）に示すように、吸着装置４の本体部４ａの上部から突出させておいた昇降ピン６によって基板１０を支持する。

そして、真空排気を行うとともにスパッタガスを真空槽２内に導入し、図７（ｂ）に示すように、昇降ピン６を下降させて基板１０を吸着装置４の本体部４ａ上に配置する。

この場合、昇降ピン６は、その上部が吸着装置４のピン通過孔４ｂから抜ける位置まで下降させる。この状態で吸着装置４を駆動し、基板１０を吸着装置４の吸着面４０に吸着させる。

そして、駆動軸９を回転させることにより、吸着装置４を横にした状態から図８（ａ）に示す立てた状態に移動させる。

これにより、上述したように、本体部４ａのピン通過孔４ｂが自動的に閉じられる。

その後、吸着装置４を立てた状態において、ガス供給源８からガス導入孔７を介して本体部４ａと基板１０との間の熱伝導用凹部２０にガスを導入しながら、スパッタ電源３ｂからバッキングプレート３ａを介してスパッタリングターゲット３に対して所定の電力を印加することにより、スパッタリング工程を行う。

スパッタリング工程の終了後、駆動軸９を回転させることにより、図８（ｂ）及び図９（ａ）に示すように、吸着装置４を立てた状態から横にした状態に移動させる。

これにより、上述したように、本体部４ａのピン通過孔４ｂが自動的に開かれる。

この状態で吸着装置４による基板１０の吸着を解除し、図９（ｂ）に示すように、昇降ピン６を上昇させて基板１０を支持して上昇させ、本体部４ａの上方に配置する。

その後、図示しない搬送ロボットによって基板１０を真空槽２の外部へ搬出し、これによりスパッタリング工程が終了する。

以上述べた本実施の形態の吸着装置４にあっては、基板１０を昇降させる昇降ピン６を通すためのピン通過孔４ｂが本体部４ａに設けられるとともに、本体部４ａのピン通過孔４ｂを開閉するシャッター１１を有していることから、本実施の形態の真空処理装置１では、シャッター１１によって本体部４ａのピン通過孔４ｂを開いた状態で昇降ピン６によって基板１０を昇降して吸着装置４に基板１０を吸着する一方で、シャッター１１によって本体部４ａのピン通過孔４ｂを閉じた状態で基板１０に対して例えばプラズマを用いたスパッタ成膜等の真空処理を行うことにより、吸着装置４と基板１０との間の微小な空間である熱伝導用凹部２０に充填されたガスが漏れることがないため、ピン通過孔４ｂに対応する基板１０の部分においてガスの対流による熱伝導を十分行うことができる。

その結果、本実施の形態によれば、真空処理の際に本体部４ａのピン通過孔４ｂに対応する基板１０の部分の温度上昇を防止することができ、これにより基板１０の温度むらをできるだけ小さくすることができる。

また、本実施の形態においては、吸着装置４のシャッター１１が、その自重に基づく重力の作用によって、本体部４ａを横にした状態でピン通過孔４ｂを開き、本体部４ａを立てた状態でピン通過孔４ｂを閉じるように構成されていることから、シャッター１１を開閉させるモータ等駆動機構を用いる必要がなく、その結果、非常に簡素な構成の吸着装置４及び真空処理装置１を提供することができる。

なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。

すなわち、本発明に用いるシャッターは、上記実施の形態には限られず、種々の形態のものを用いることができる。

例えば、上記実施の形態では、シャッター１１として、その自重に基づく重力の作用によってピン通過孔４ｂを開閉するように構成されているものを用いたが、本発明はこれに限られず、例えばモータ等の駆動機構によってシャッター１１を動作させるように構成することもできる。

ただし、装置構成の簡素化及びコストダウンの観点からは、上記実施の形態のように、その自重に基づく重力の作用によってピン通過孔４ｂを開閉するように構成することが好ましい。

また、上記実施の形態のシャッター１１Ａ、１１Ｂは、共にピン通過孔４ｂを閉じる際にはピン通過孔４ｂから退避するように構成したが、例えば昇降ピン６の基板支持部分にシール部材を装着してピン通過孔４ｂを閉じる一方で、昇降機構６ａによって当該昇降ピン６の基板支持部分を押し上げて基板１０を支持・上昇させるように構成することもできる。

シール部材の例としては、膜付きグロメットの膜部にスリット（一般的には十字形状のスリット）を設けたものを利用すればよい。膜付きグロメットの膜部は、外力を受けない際にはほぼ一体の膜面をなす位置を安定状態とするので、ピン通過孔４ｂは閉じられており、基板１０を支持・上昇を行う際には、昇降ピン６の押し上げ（膜面通過）力に対してグロメットの膜部の弾性力が負けることで、ピン通過孔４ｂは開けられたのと同様の状態となることができる。これにより、シャッター１１の構成の場合と同様の効果が得られる。

当然ではあるが、本発明に用いるシャッターの概念はこのような弾性力を用いたものも含まれ、ピン通過孔の開閉に伴い後述する閉塞（と開放）が可能な構成であれば、種々の変更を行うことができる。

また、シャッター１１Ａ、シャッター１１Ｂ、上記例のスリット膜付きグロメットいずれの場合でも、ピン通過孔４ｂの閉塞状態（本体部４ａの溝部４ｄに嵌り合う、突部４ｆへの当接、グロメットの膜部スリット部の閉状態）では、ガス供給源８からガスが供給される空間側が、所謂粘性流領域が確保できる閉塞状態、つまりはコンダクタンスが確保されていれば同様の効果を奏することが可能である。

具体的には、閉塞状態側（ガスアシスト側）は一般的に数１００Ｐａの圧力雰囲気が用いられ、他方側（スパッタ圧力側）は数十Ｐａの圧力雰囲気が用いられるので、この圧力差が保てるような設計であればよい。仮に閉塞状態側が中間流から分子流領域（平均自由行程による熱伝導が支配的になる領域）となってしまうと、シャッター１１が存在していない状態と同等の状態になる。つまり、この場合は熱伝導用凹部２０に充填されたガスが漏れている状態に相当し、ピン通過孔４ｂに対応する基板１０の部分においてガスの対流による熱伝導（粘性流領域を利用した熱伝導）は十分行なわれない。

さらに、本発明は吸着装置を立てた状態で真空処理を行う装置のみならず、吸着装置を横にした状態で真空処理を行う装置にも適用することができる。

さらにまた、本発明はスパッタリング装置には限られず、種々の真空処理を行う装置に適用することができる。

１……スパッタリング装置（真空処理装置）
２……真空槽
３……スパッタリングターゲット
４……吸着装置
４ａ…本体部
４ｂ…ピン通過孔
４ｃ…収容凹部
４ｄ…溝部
４ｅ…収容溝部
５……吸着電極
６……昇降ピン
６ａ…昇降機構
７……ガス導入孔
９……駆動軸
１０…基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ…シャッター
２０…熱伝導用凹部

Claims

基板を吸着するための吸着電極を誘電体からなる本体部内に有し、
前記本体部に、当該本体部の吸着面に吸着した基板に対してガスによって熱を伝える熱伝導用凹部と、当該熱伝導用凹部に所定のガスを導入するためのガス導入孔と、基板を昇降させる昇降ピンを通すためのピン通過孔とが設けられ、
前記本体部のピン通過孔を開閉するシャッターを有する吸着装置。
前記シャッターが前記本体部の誘電体の材料と同一の材料で形成されている請求項１記載の吸着装置。
前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を閉じた状態において、当該シャッターと吸着した基板の裏面との距離が、前記本体部の熱伝導用凹部の底部と吸着した基板の裏面との距離と同等となるように構成されている請求項１又は２のいずれか１項記載の吸着装置。
前記シャッターは、前記本体部を横にした状態で前記ピン通過孔を開き、前記本体部を立てた状態で前記ピン通過孔を閉じるように構成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載の吸着装置。
前記シャッターは、その自重に基づく重力の作用によって、前記本体部を横にした状態で前記ピン通過孔を開き、前記本体部を立てた状態で前記ピン通過孔を閉じるように構成されている請求項１乃至４のいずれか１項記載の吸着装置。
真空槽と、
前記真空槽内に設けられた請求項１乃至５のいずれか１項記載の吸着装置と、
前記吸着装置に設けられたピン通過孔を介して基板を昇降させる昇降ピンを有する昇降機構と、
前記吸着装置を、横にした状態及び立てた状態に配置するための駆動部とを有し、
前記吸着装置を横にした状態で基板を吸着し、かつ、前記吸着装置を立てた状態で真空処理を行うように構成されている真空処理装置。
前記吸着装置を横にした状態において、前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を開いた状態で前記昇降ピンによって基板を昇降して当該吸着装置に当該基板を吸着する一方で、前記吸着装置を起立した状態において、前記シャッターによって前記本体部のピン通過孔を閉じた状態で当該基板に対して真空処理を行うように構成されている請求項６記載の真空処理装置。