JP6017906B2 - 温調装置 - Google Patents
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Description
この制御を行うものとして、従来、温調対象物が載置される載置板と、熱交換板と、載置板と熱交換板とによって挟まれ、熱電モジュールが配置された熱電モジュールプレートとを備え、熱電モジュールに電力を供給して温調対象物の温調を行う温調装置が知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
また、特許文献2に記載の温調装置では、熱電モジュールプレートの上板と金属枠体との間には、枠体接合用の金属板が介在している。
第3発明に係る温調装置では、前記保護部材はポリイミドフィルムであることを特徴とする。
第4発明に係る温調装置では、前記保護部材はセラミックス板であることを特徴とする。
図1に示すように、温調対象物としての半導体ウェハWは、円板形状であり、真空チャンバ100内で天板2上に静電気チャックで吸着・載置され、プラズマ雰囲気におけるプロセスガスによってドライエッチング等の各種半導体処理が施される。ドライエッチング時には、真空チャンバ100内は真空引きされており、所定の低圧に維持される。この状態で、真空チャンバ100内にエッチングガスを導入する。導入したエッチングガスをプラズマ化し、半導体ウェハWをエッチング処理する。このような各種半導体処理を行う際に、温調装置1によって半導体ウェハWの温度が目標温度に制御されるとともに、半導体ウェハWの面内の温度分布が所望する温度分布に制御される。
均熱板3は円板形状であり、熱電モジュール50からの熱をより均一に分布させるように天板2へ伝達する。
また、図2に示すように、熱交換板4の後述する各貫通孔42に対応した位置には、熱交換板4から天板2および均熱板3に向けて突出した円筒形状のボス43(図5も参照)が立設されている。
天板2、均熱板3、熱交換板4、および熱電モジュールプレート5が組み合わせられると、貫通孔21,31,42,51が連通し、天板2から熱交換板4まで全てを貫通したリフトピン挿通孔11が形成される。このリフトピン挿通孔11には、半導体ウェハWを図1中上下方向にリフトさせるための図示しないリフトピンが下方側(図2中下側)から挿通される。
シール壁70は、酸化アルミニウム製または窒化アルミニウム製またはアルミニウムにアルマイト処理したものである。すなわち、シール壁70の外周はセラミックス製である。図3に示すように、シール壁70は、その厚さH1が熱電モジュール50の厚さH0(温調側電極52の上側端面から熱交換板側電極53の下側端面までの距離)よりも薄く、ポリイミド系、シリコン系、エポキシ系などの接着シートまたは接着剤80を介してポリイミドフィルム60A,60Bに接合されている。
このようなシール壁70は、従来の樹脂製のものと比較して強度が大きく、樹脂製のものと同じ厚さであっても、高温のプロセスガスの熱や腐食性の高いプロセスガスに対して十分に耐えることができる。また、ポリイミド系、シリコン系、エポキシ系などの接着シートまたは接着剤80を介してシール壁70とポリイミドフィルム60A,60Bとを接合することで、シール壁70およびポリイミドフィルム60A,60B間で生じる熱膨張差を接着シートまたは接着剤80にて吸収でき、耐久性を向上させることができる。
図5に示すように、貫通孔51は、温調側電極52,52’や熱交換板側電極53,53’、および熱電素子54P,54Nと干渉しない位置でポリイミドフィルム60A,60Bを貫通している。貫通孔51のポリイミドフィルム60A側における孔径はボス43の内径と同じであり、貫通孔51のポリイミドフィルム60B側における孔径はボス43の外径よりも大きくなっている。
このように配置されたボス43は、貫通孔51を通って流入してくるプロセスガスが、貫通孔51から熱電モジュール50内に流入することを防止している。
図6は本発明の第1の変形例を示す断面図で、特に温調装置1を構成する熱電モジュール50の一部を拡大して示す分解斜視図である。そして、図7には、図6におけるB−B’線での断面視が示されている。
図7に示すように、貫通孔51のポリイミドフィルム60A側における孔径と、貫通孔51のポリイミドフィルム60B側における孔径とはともにブッシュ90の内径と同じとなっている。
ブッシュ90の厚さH3は熱電モジュール50の厚さH0よりも薄く、ブッシュ90の上下の端部はそれぞれ、接着シートまたは接着剤80を介してポリイミドフィルム60A,60Bに接合されている。
このように配置されたブッシュ90は、貫通孔51を通って流入してくるプロセスガスが、貫通孔51から熱電モジュール50内に流入することを防止している。
図8に示すように、本変形例では、図3に示す実施形態と異なり、温調側電極52,52’の上部側は、保護部材としてのセラミックス板61Aで覆われており、このセラミックス板61Aの上部に均熱板3が設けられている。熱交換板側電極53,53’の下部側も、保護部材としてのセラミックス板61Bで覆われており、このセラミックス板61Bの下部に熱交換板4が設けられている。セラミックス板61A,61Bの厚さは限定されるものではないが、本変形例では約1mmであり、製作上の理由から、図3に示す実施形態のポリイミドフィルム60A,60Bの厚さよりも厚くなっている。
例えば、前記実施形態では、天板2と熱電モジュールプレート5との間には均熱板3が設けられていたが、均熱板3は必要に応じて設けられればよく、本発明に必須の構成ではない。
Claims (4)
- 温調対象物が載置される載置板と、
熱交換板と、
前記載置板側に温調側電極が配置され、前記熱交換板側に熱交換板側電極が配置され、熱電素子の一方の端面が前記温調側電極に接続され、熱電素子の他方の端面が前記熱交換板側電極に接続された熱電モジュールと、
前記熱電モジュールの少なくとも前記載置板側の部分に設けられた保護部材とを備え、
前記熱電モジュールよりも外周側は、前記保護部材と前記熱交換板との間に配置され、外周がセラミックス製のシール壁で囲まれ、
前記シール壁と前記保護部材との間には、接着シートまたは接着剤が介在しており、
前記シール壁は酸化アルミニウム製または窒化アルミニウム製またはアルミニウムにアルマイト処理したものである
ことを特徴とする温調装置。 - 請求項1に記載の温調装置において、
前記保護部材はポリイミドフィルムである
ことを特徴とする温調装置。 - 請求項1に記載の温調装置において、
前記保護部材はセラミックス板である
ことを特徴とする温調装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の温調装置において、
前記載置板と前記熱交換板との間に設けられて前記熱電モジュールが配置された熱電モジュールプレートでは、前記保護部材を貫通して形成される貫通孔に対応した位置にブッシュまたはボスが設けられ、
前記ブッシュまたは前記ボスは前記保護部材と接合される
ことを特徴とする温調装置。
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