JPH05335200A - 基板支持装置 - Google Patents
基板支持装置Info
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- JPH05335200A JPH05335200A JP16533492A JP16533492A JPH05335200A JP H05335200 A JPH05335200 A JP H05335200A JP 16533492 A JP16533492 A JP 16533492A JP 16533492 A JP16533492 A JP 16533492A JP H05335200 A JPH05335200 A JP H05335200A
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- Japan
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- cooling
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペルチェ素子板状体に発生する熱歪を相殺す
ることで、ウエハステージの変形を防止する。 【構成】 ウエハステージ１０１は、ウエハＷを載置す
る吸着ブロック１０１ａ、第１のペルチェ素子板状体１
０２ａ、冷却水流路１０３ａをもつ冷却ブロック１０
３、第２のペルチェ素子板状体１０２ｂおよび前記吸着
ブロック１０１ａと同一材料、同一寸法の補助ブロック
１１１からなり、これらは互に積層され、かつ一体的に
結合されている。吸着ブロック１０１ａの温度センサー
１０４ａおよび補助ブロック１１１の温度センサー１０
４ｂの温度データは演算器１０６によって処理され、制
御装置１０７によって第１および第２のペルチェ素子板
状体１０２ａ，１０２ｂを制御する。
ることで、ウエハステージの変形を防止する。 【構成】 ウエハステージ１０１は、ウエハＷを載置す
る吸着ブロック１０１ａ、第１のペルチェ素子板状体１
０２ａ、冷却水流路１０３ａをもつ冷却ブロック１０
３、第２のペルチェ素子板状体１０２ｂおよび前記吸着
ブロック１０１ａと同一材料、同一寸法の補助ブロック
１１１からなり、これらは互に積層され、かつ一体的に
結合されている。吸着ブロック１０１ａの温度センサー
１０４ａおよび補助ブロック１１１の温度センサー１０
４ｂの温度データは演算器１０６によって処理され、制
御装置１０７によって第１および第２のペルチェ素子板
状体１０２ａ，１０２ｂを制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置等にお
いて、ウエハ等基板（以下、「基板」という）を支持す
る基板支持装置に関し、特に、基板の温度上昇を防ぐ冷
却手段を備えた基板支持装置に関するものである。
いて、ウエハ等基板（以下、「基板」という）を支持す
る基板支持装置に関し、特に、基板の温度上昇を防ぐ冷
却手段を備えた基板支持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、シンクロトロン放射光（以下、
「ＳＲ−Ｘ線」という）を照明光とする半導体露光装置
の開発が進み、これに併って露光中のウエハ等基板（以
下、「基板」という）の温度調節が大きな課題となる。
その理由は、ＳＲ−Ｘ線は他の照明光に比べて基板の入
熱量が大きいうえに、これを照明光とする露光装置は極
めて高精度の微細パターンを焼き付けるものであり、基
板の熱膨張等による寸法変化の許容値が特に小さいため
である。
「ＳＲ−Ｘ線」という）を照明光とする半導体露光装置
の開発が進み、これに併って露光中のウエハ等基板（以
下、「基板」という）の温度調節が大きな課題となる。
その理由は、ＳＲ−Ｘ線は他の照明光に比べて基板の入
熱量が大きいうえに、これを照明光とする露光装置は極
めて高精度の微細パターンを焼き付けるものであり、基
板の熱膨張等による寸法変化の許容値が特に小さいため
である。
【０００３】このため、露光される基板は、冷却ブロッ
クを備えた基板支持装置の載置台に吸着または接触させ
ることによって一定温度に保持され、かつその平坦度の
矯正が行われる。前記載置台と冷却ブロックとの間に
は、印加電流によって表裏面に温度差を生じさせるペル
チェ素子板状体が配置され、これによって前記載置台か
ら冷却ブロックへ流れる熱流密度が制御される。
クを備えた基板支持装置の載置台に吸着または接触させ
ることによって一定温度に保持され、かつその平坦度の
矯正が行われる。前記載置台と冷却ブロックとの間に
は、印加電流によって表裏面に温度差を生じさせるペル
チェ素子板状体が配置され、これによって前記載置台か
ら冷却ブロックへ流れる熱流密度が制御される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ようにＳＲ−Ｘ線を照明光とする露光装置においては、
基板の入熱量が大きいために、冷却ブロックの冷却水の
流速を速くして冷却速度を高める必要があるが、冷却水
の流速を速くすると、載置台に振動が発生して、露光さ
れる微細パターンの精度を損う結果となる。このため
に、冷却水の流速は、約０．１５ｍ／ｓｅｃが許容値の
上限である。
ようにＳＲ−Ｘ線を照明光とする露光装置においては、
基板の入熱量が大きいために、冷却ブロックの冷却水の
流速を速くして冷却速度を高める必要があるが、冷却水
の流速を速くすると、載置台に振動が発生して、露光さ
れる微細パターンの精度を損う結果となる。このため
に、冷却水の流速は、約０．１５ｍ／ｓｅｃが許容値の
上限である。
【０００５】このように冷却水の流速が限定されて放熱
量を充分大きくできないために、ペルチェ素子板状体の
吸熱面と放熱面との温度差を縮小することができず、該
温度差による熱歪のためにペルチェ素子板状体が湾曲し
て載置台の表面が変形するという問題がある。
量を充分大きくできないために、ペルチェ素子板状体の
吸熱面と放熱面との温度差を縮小することができず、該
温度差による熱歪のためにペルチェ素子板状体が湾曲し
て載置台の表面が変形するという問題がある。
【０００６】実験によれば、冷却水の流速０．１５ｍ／
ｓｅｃ、冷却ブロックの冷却水流路の断面形状が矩形で
熱伝導率が３００Ｗ／ｍ2 ・Ｋのとき、１０００Ｗ／ｍ
2 の熱流密度に対して、ペルチェ素子板状体の両面、す
なわち吸熱面と放熱面との間に発生する温度差はほぼ３
℃であった。
ｓｅｃ、冷却ブロックの冷却水流路の断面形状が矩形で
熱伝導率が３００Ｗ／ｍ2 ・Ｋのとき、１０００Ｗ／ｍ
2 の熱流密度に対して、ペルチェ素子板状体の両面、す
なわち吸熱面と放熱面との間に発生する温度差はほぼ３
℃であった。
【０００７】次に、本実験に用いたウエハステージを図
５に示すようにモデル化して、前記温度差が３℃である
ときのウエハステージの変形量を算出する。
５に示すようにモデル化して、前記温度差が３℃である
ときのウエハステージの変形量を算出する。
【０００８】基板を載置する載置台である吸着ブロック
２０１ａ、ペルチェ素子板状体２０２、支持体２０１ｂ
および冷却ブロック２０３の断面を、それぞれ矢印Ｘで
示す熱流に平行な分割線および該分割線に直交する分割
線によって等分して得た各小区分の頂点を点１〜６７で
表わす。吸着ブロック２０１ａ、ペルチェ素子板状体２
０２および冷却ブロック２０３の材質はそれぞれＳｉ
Ｃ、アルミナ、アルミニウムであり、厚さはそれぞれ５
ｍｍである。
２０１ａ、ペルチェ素子板状体２０２、支持体２０１ｂ
および冷却ブロック２０３の断面を、それぞれ矢印Ｘで
示す熱流に平行な分割線および該分割線に直交する分割
線によって等分して得た各小区分の頂点を点１〜６７で
表わす。吸着ブロック２０１ａ、ペルチェ素子板状体２
０２および冷却ブロック２０３の材質はそれぞれＳｉ
Ｃ、アルミナ、アルミニウムであり、厚さはそれぞれ５
ｍｍである。
【０００９】点６５〜６８を拘束して、点４０〜４２に
それぞれ温度荷重３℃を加えたとき、有限要素法による
計算では、吸着ブロックの表面の各点７〜９の矢印Ｘの
方向の最大変位は０．０９μｍとなる。ＳＲ−Ｘ線を用
いる露光装置の線幅精度は、０．２５μｍであり、他に
も線幅精度を低下させる要因が数多くあることを考えれ
ば、これは許容できる値ではない。なお、上記の計算に
おいては、点９と点２６、および点８と点２５および点
７と点２４の温度差は、ＳｉＣが高熱伝導率であるのと
厚さが５ｍｍと薄いためにこれを無視した。
それぞれ温度荷重３℃を加えたとき、有限要素法による
計算では、吸着ブロックの表面の各点７〜９の矢印Ｘの
方向の最大変位は０．０９μｍとなる。ＳＲ−Ｘ線を用
いる露光装置の線幅精度は、０．２５μｍであり、他に
も線幅精度を低下させる要因が数多くあることを考えれ
ば、これは許容できる値ではない。なお、上記の計算に
おいては、点９と点２６、および点８と点２５および点
７と点２４の温度差は、ＳｉＣが高熱伝導率であるのと
厚さが５ｍｍと薄いためにこれを無視した。
【００１０】本発明は、上記従来の技術の有する解決す
べき課題に鑑みてなされたものであり、基板を載置する
載置台とこれを冷却する冷却ブロックの間に配置された
ペルチェ素子板状体の熱歪による変形を防ぐことができ
る基板支持装置を提供することを目的とするものであ
る。
べき課題に鑑みてなされたものであり、基板を載置する
載置台とこれを冷却する冷却ブロックの間に配置された
ペルチェ素子板状体の熱歪による変形を防ぐことができ
る基板支持装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の基板支持装置は、基板を載置する載置台
と、前記載置台を冷却するための冷媒流路を備えた冷却
ブロックと、前記載置台と前記冷却ブロックの間に配置
されたペルチェ素子板状体とからなり、これらが一体的
に結合されており、かつ前記冷却ブロックの曲げ剛性お
よび線膨張係数が、前記ペルチェ素子板状体の曲げ剛性
および線膨張係数にそれぞれ近似していることを特徴と
する。
めに本発明の基板支持装置は、基板を載置する載置台
と、前記載置台を冷却するための冷媒流路を備えた冷却
ブロックと、前記載置台と前記冷却ブロックの間に配置
されたペルチェ素子板状体とからなり、これらが一体的
に結合されており、かつ前記冷却ブロックの曲げ剛性お
よび線膨張係数が、前記ペルチェ素子板状体の曲げ剛性
および線膨張係数にそれぞれ近似していることを特徴と
する。
【００１２】また、基板を載置する載置台と、前記載置
台を冷却するための冷媒流路を備えた冷却ブロックと、
前記載置台と前記冷却ブロックの間に配置された第１の
ペルチェ素子板状体と、前記冷却ブロックの、前記載置
台を冷却するための冷却面と反対側の面によって冷却さ
れる補助ブロックと、前記冷却ブロックと前記補助ブロ
ックとの間に配置された第２のペルチェ素子板状体とか
らなりこれらが一体的に結合されていることを特徴とす
る。
台を冷却するための冷媒流路を備えた冷却ブロックと、
前記載置台と前記冷却ブロックの間に配置された第１の
ペルチェ素子板状体と、前記冷却ブロックの、前記載置
台を冷却するための冷却面と反対側の面によって冷却さ
れる補助ブロックと、前記冷却ブロックと前記補助ブロ
ックとの間に配置された第２のペルチェ素子板状体とか
らなりこれらが一体的に結合されていることを特徴とす
る。
【００１３】
【作用】本発明の装置によれば、冷却ブロックの曲げ剛
性および線膨張係数がペルチェ素子板状体のものと近似
しているために、ペルチェ素子板状体の熱歪による曲げ
応力が冷却ブロックの熱歪による曲げ応力によって相殺
される。
性および線膨張係数がペルチェ素子板状体のものと近似
しているために、ペルチェ素子板状体の熱歪による曲げ
応力が冷却ブロックの熱歪による曲げ応力によって相殺
される。
【００１４】また、載置台と冷却ブロックとの間に配置
された第１のペルチェ素子板状体と同様の第２のペルチ
ェ素子板状体と、載置台とほぼ同一材料で同一寸法に作
られた補助ブロックとを設けることによって、第１のペ
ルチェ素子板状体の熱歪による曲げ応力を、第２のペル
チェ素子板状体の熱歪による曲げ応力によって相殺する
ことができる。
された第１のペルチェ素子板状体と同様の第２のペルチ
ェ素子板状体と、載置台とほぼ同一材料で同一寸法に作
られた補助ブロックとを設けることによって、第１のペ
ルチェ素子板状体の熱歪による曲げ応力を、第２のペル
チェ素子板状体の熱歪による曲げ応力によって相殺する
ことができる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１６】図１は、第１実施例を説明する説明図であ
って、基板支持装置であるウエハステージ１は、載置台
である吸着ブロック１ａ、ペルチェ素子板状体２、冷却
ブロック３からなり、これらは結合板（後述する）を挟
んで互に積層され、公知の手段によって一体的に固着さ
れている。吸着ブロック１ａの外周部は、複数の支持体
１ｂによって支持される。
って、基板支持装置であるウエハステージ１は、載置台
である吸着ブロック１ａ、ペルチェ素子板状体２、冷却
ブロック３からなり、これらは結合板（後述する）を挟
んで互に積層され、公知の手段によって一体的に固着さ
れている。吸着ブロック１ａの外周部は、複数の支持体
１ｂによって支持される。
【００１７】吸着ブロック１ａの内部には複数の温度セ
ンサー４が埋込まれ、各温度センサー４による温度デー
タは変換器５を経て演算器６へ入力され、演算器６にお
いてその設定値と比較され、ペルチェ素子板状体２の目
標温度差が算出される。該目標温度差を表わす演算器６
の出力信号は、制御手段７へ送られ、ペルチェ素子板状
体の印加電流を制御することで放熱量を調節し、吸着ブ
ロック１ａに吸着された基板であるウエハＷ（点線で示
す）の温度を一定に維持する。
ンサー４が埋込まれ、各温度センサー４による温度デー
タは変換器５を経て演算器６へ入力され、演算器６にお
いてその設定値と比較され、ペルチェ素子板状体２の目
標温度差が算出される。該目標温度差を表わす演算器６
の出力信号は、制御手段７へ送られ、ペルチェ素子板状
体の印加電流を制御することで放熱量を調節し、吸着ブ
ロック１ａに吸着された基板であるウエハＷ（点線で示
す）の温度を一定に維持する。
【００１８】冷却ブロック３は、それぞれ複数の冷媒流
路である冷却水流路３ａをもつ１対の板状体を重合わせ
たものであり、各冷却水流路３ａを流動する冷却水は、
給水管８を通って供給され、排水管９から排出される。
前記冷却水の流速は、吸着ブロック１ａに発生する振動
が許容値を越えない範囲に制御される。
路である冷却水流路３ａをもつ１対の板状体を重合わせ
たものであり、各冷却水流路３ａを流動する冷却水は、
給水管８を通って供給され、排水管９から排出される。
前記冷却水の流速は、吸着ブロック１ａに発生する振動
が許容値を越えない範囲に制御される。
【００１９】図２は、ウエハステージ１の詳細を示す部
分拡大図であって、吸着ブロック１ａはその表面にウエ
ハ（図示せず）を吸着するための真空配管１１およびこ
れに接続された複数の真空吸着溝１２を備えている。ペ
ルチェ素子板状体２は、１対のセラミック板２１、２２
および両者の間に配置された複数の半導体２３からな
る。冷却ブロック３は前述のように１対の板状体３１、
３２を重合わせたものであり、給水管８から供給された
冷却水は、各板状体３１、３２の冷却水流路３ａを流動
したのち、各排水路３３に集められ、排水管９から排出
される。ペルチェ素子板状体２と冷却ブロック３の間に
は結合板３４が配置され、ウエハステージ１と各支持体
１ｂの間には断熱材１ｃが配置される。
分拡大図であって、吸着ブロック１ａはその表面にウエ
ハ（図示せず）を吸着するための真空配管１１およびこ
れに接続された複数の真空吸着溝１２を備えている。ペ
ルチェ素子板状体２は、１対のセラミック板２１、２２
および両者の間に配置された複数の半導体２３からな
る。冷却ブロック３は前述のように１対の板状体３１、
３２を重合わせたものであり、給水管８から供給された
冷却水は、各板状体３１、３２の冷却水流路３ａを流動
したのち、各排水路３３に集められ、排水管９から排出
される。ペルチェ素子板状体２と冷却ブロック３の間に
は結合板３４が配置され、ウエハステージ１と各支持体
１ｂの間には断熱材１ｃが配置される。
【００２０】各板状体３１、３２の材質は、冷却ブロッ
ク３の曲げ剛性および線膨張係数がペルチェ素子板状体
２のものとほぼ等しくなるように選定される。冷却ブロ
ック３の両面に発生する温度差は、ペルチェ素子板状体
２の両面に発生する温度差とほぼ同じであるから、上述
のように冷却ブロック３とペルチェ素子板状体２の曲げ
剛性と線膨張係数がほぼ等しければ、互に接合された両
者の熱歪は相殺される。従って、両者を含む積層体であ
るウエハステージ１はほとんど変形しない。先と同様の
モデル化したウエハステージを用いた計算では、冷却ブ
ロックとペルチェ素子板状体を同じ材料で作成した場合
に、吸着ブロックの表面の最大変位が７ｎｍであった。
ク３の曲げ剛性および線膨張係数がペルチェ素子板状体
２のものとほぼ等しくなるように選定される。冷却ブロ
ック３の両面に発生する温度差は、ペルチェ素子板状体
２の両面に発生する温度差とほぼ同じであるから、上述
のように冷却ブロック３とペルチェ素子板状体２の曲げ
剛性と線膨張係数がほぼ等しければ、互に接合された両
者の熱歪は相殺される。従って、両者を含む積層体であ
るウエハステージ１はほとんど変形しない。先と同様の
モデル化したウエハステージを用いた計算では、冷却ブ
ロックとペルチェ素子板状体を同じ材料で作成した場合
に、吸着ブロックの表面の最大変位が７ｎｍであった。
【００２１】次に第２実施例を説明する。
【００２２】図３は、本実施例を説明する説明図であっ
て、基板支持装置であるウエハステージ１０１は、載置
台である吸着ブロック１０１ａ、第１のペルチェ素子板
状体１０２ａ、冷却ブロック１０３、第２のペルチェ素
子板状体１０２ｂおよび補助ブロック１１１からなり、
これらは互に積層され、図４に示すように、その外周縁
に隣接する複数の結合部材１１２によって一体的に結合
され、結合された積層体は複数の支持体１０１ｂによっ
て支持される。吸着ブロック１０１ａと補助ブロック１
１１はほぼ同一形状をもち、同様の材料で作られてい
る。第１および第２のペルチェ素子板状体１０２ａ，１
０２ｂも互にほぼ同一形状、同一材質である。吸着ブロ
ック１０１ａおよび補助ブロック１１１はそれぞれ複数
の温度センサー１０４ａ，１０４ｂを備えており、各温
度センサー１０４ａ，１０４ｂによる温度データは変換
器１０５を経て演算器１０６へ入力され、演算器１０６
においてその設定値と比較され、第１および第２のペル
チェ素子板状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの目標温
度差が算出され、これに基づく信号が制御装置１０７へ
送られて第１および第２のペルチェ素子板状体１０２
ａ，１０２ｂのそれぞれの印加電流が制御される。この
ようにして、吸着ブロック１０１ａに吸着された基板で
あるウエハＷの温度を一定値に維持する。
て、基板支持装置であるウエハステージ１０１は、載置
台である吸着ブロック１０１ａ、第１のペルチェ素子板
状体１０２ａ、冷却ブロック１０３、第２のペルチェ素
子板状体１０２ｂおよび補助ブロック１１１からなり、
これらは互に積層され、図４に示すように、その外周縁
に隣接する複数の結合部材１１２によって一体的に結合
され、結合された積層体は複数の支持体１０１ｂによっ
て支持される。吸着ブロック１０１ａと補助ブロック１
１１はほぼ同一形状をもち、同様の材料で作られてい
る。第１および第２のペルチェ素子板状体１０２ａ，１
０２ｂも互にほぼ同一形状、同一材質である。吸着ブロ
ック１０１ａおよび補助ブロック１１１はそれぞれ複数
の温度センサー１０４ａ，１０４ｂを備えており、各温
度センサー１０４ａ，１０４ｂによる温度データは変換
器１０５を経て演算器１０６へ入力され、演算器１０６
においてその設定値と比較され、第１および第２のペル
チェ素子板状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの目標温
度差が算出され、これに基づく信号が制御装置１０７へ
送られて第１および第２のペルチェ素子板状体１０２
ａ，１０２ｂのそれぞれの印加電流が制御される。この
ようにして、吸着ブロック１０１ａに吸着された基板で
あるウエハＷの温度を一定値に維持する。
【００２３】冷却ブロック１０３は、複数の冷媒流路で
ある冷却水流路１０３ａを備えており、各冷却水流路１
０３ａを流動する冷却水は、給水管１０８を通って供給
され、排水管１０９から排出される。前記冷却水の流速
は、吸着ブロック１０１ａに発生する振動が許容値を越
えない範囲に制御される。第１および第２のペルチェ素
子板状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの印加電流を制
御することで、各温度センサー１０４ａ，１０４ｂの温
度データによる吸着ブロック１０１ａと補助ブロック１
１１の温度がほぼ同一になるように調節すると、ウエハ
ステージ１０１の温度勾配はその中心線Ｂ−Ｂに対して
対称となり、従って、第１および第２のペルチェ素子板
状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの熱歪による曲げ応
力は互に相殺される。
ある冷却水流路１０３ａを備えており、各冷却水流路１
０３ａを流動する冷却水は、給水管１０８を通って供給
され、排水管１０９から排出される。前記冷却水の流速
は、吸着ブロック１０１ａに発生する振動が許容値を越
えない範囲に制御される。第１および第２のペルチェ素
子板状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの印加電流を制
御することで、各温度センサー１０４ａ，１０４ｂの温
度データによる吸着ブロック１０１ａと補助ブロック１
１１の温度がほぼ同一になるように調節すると、ウエハ
ステージ１０１の温度勾配はその中心線Ｂ−Ｂに対して
対称となり、従って、第１および第２のペルチェ素子板
状体１０２ａ，１０２ｂのそれぞれの熱歪による曲げ応
力は互に相殺される。
【００２４】その結果、吸着ブロック１０１ａは熱歪に
よって変形することなく、その表面に吸着されたウエハ
Ｗの平坦度等を損うことがない。
よって変形することなく、その表面に吸着されたウエハ
Ｗの平坦度等を損うことがない。
【００２５】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２６】ペルチェ素子板状体に発生する熱歪による
曲げ応力を、これと逆方向に作用する曲げ応力によって
相殺することにより、ペルチェ素子板状体の変形を防止
することができる。従って、熱歪によって載置台が変形
することがなく、また、冷却ブロックの冷却水の流速を
大きくする必要がないため、冷却水の流動による振動の
おそれもない。その結果、高精度の微細パターンの焼付
けが容易である。
曲げ応力を、これと逆方向に作用する曲げ応力によって
相殺することにより、ペルチェ素子板状体の変形を防止
することができる。従って、熱歪によって載置台が変形
することがなく、また、冷却ブロックの冷却水の流速を
大きくする必要がないため、冷却水の流動による振動の
おそれもない。その結果、高精度の微細パターンの焼付
けが容易である。
【図１】第１実施例を説明する説明図である。
【図２】第１実施例の一部分を拡大して示す一部断面部
分拡大図である。
分拡大図である。
【図３】第２実施例を説明する説明図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図５】モデル化したウエハステージを示す図である。
Ｗ ウエハ １，１０１ ウエハステージ １ａ，１０１ａ 吸着ブロック ２ ペルチェ素子板状体 １０２ａ 第１のペルチェ素子板状体 １０２ｂ 第２のペルチェ素子板状体 ３，１０３ 冷却ブロック ３ａ，１０３ａ 冷却水流路 ４，１０４ａ，１０４ｂ 温度センサー ５，１０５ 変換器 ６，１０６ 演算器 ７，１０７ 制御装置 １１１ 補助ブロック
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を載置する載置台と、前記載置台を
冷却するための冷媒流路を備えた冷却ブロックと、前記
載置台と前記冷却ブロックの間に配置されたペルチェ素
子板状体とからなり、これらが一体的に結合されてお
り、かつ前記冷却ブロックの曲げ剛性および線膨張係数
が、前記ペルチェ素子板状体の曲げ剛性および線膨張係
数にそれぞれ近似していることを特徴とする基板支持装
置。 - 【請求項２】 基板を載置する載置台と、前記載置台を
冷却するための冷媒流路を備えた冷却ブロックと、前記
載置台と前記冷却ブロックの間に配置された第１のペル
チェ素子板状体と、前記冷却ブロックの、前記載置台を
冷却するための冷却面と反対側の面によって冷却される
補助ブロックと、前記冷却ブロックと前記補助ブロック
との間に配置された第２のペルチェ素子板状体とからな
り、これらが一体的に結合されていることを特徴とする
基板支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533492A JPH05335200A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 基板支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533492A JPH05335200A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 基板支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335200A true JPH05335200A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15810363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16533492A Pending JPH05335200A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 基板支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335200A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998031046A3 (de) * | 1997-01-13 | 1998-11-05 | Siemens Ag | Teststation für halbleiterwafer bzw. bruchstücke von halbleiterwafern |
| WO2001095388A1 (fr) * | 2000-06-07 | 2001-12-13 | Ibiden Co., Ltd. | Recipient support, fabrication de semi-conducteurs et dispositif d'inspection |
| WO2006001282A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Nikon Corporation | 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
| JP4593007B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置装置 |
| JP2013516644A (ja) * | 2009-12-30 | 2013-05-13 | ネーデルランデ オルガニサチエ ヴォール トエゲパスト−ナツールウェテンスハペリエク オンデルゾエク ティーエヌオー | 形状安定化ミラーモジュールおよび反射素子の安定化方法 |
| JP2013102135A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-23 | Kelk Ltd | 温調装置 |
| CN105571938A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-05-11 | 西安交通大学 | 一种水浮式超薄玻璃基板测量平台 |
| WO2019173002A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | Applied Materials, Inc. | Fast response pedestal assembly for selective preclean |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP16533492A patent/JPH05335200A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2019173002A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | Applied Materials, Inc. | Fast response pedestal assembly for selective preclean |
| US11515130B2 (en) | 2018-03-05 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Fast response pedestal assembly for selective preclean |
| US11990321B2 (en) | 2018-03-05 | 2024-05-21 | Applied Materials, Inc. | Fast response pedestal assembly for selective preclean |
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