JPH112806A - 蝕刻装置 - Google Patents

蝕刻装置

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JPH112806A
JPH112806A JP10057754A JP5775498A JPH112806A JP H112806 A JPH112806 A JP H112806A JP 10057754 A JP10057754 A JP 10057754A JP 5775498 A JP5775498 A JP 5775498A JP H112806 A JPH112806 A JP H112806A
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シン ウー−スプ
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 蝕刻工程を終えた残余蝕刻液を酸化物粒子と
分離する装置を蝕刻槽に設置することによって残余蝕刻
液に残留された蝕刻原液を全部排出させずに殆どを回収
して再利用しようとする。 【解決手段】 本発明は、蝕刻装置に関するものであ
り、蝕刻液を製造する第１タンク１２と、第２タンクか
ら前記蝕刻液の供給を受けて蝕刻工程が進行する蝕刻槽
２０と、蝕刻槽で蝕刻工程が進行された結果である残留
物が含まれた残余蝕刻液を受け低濃度蝕刻液と残留物に
分離する第２タンク１３と、第２タンクと前記第１タン
クに連結され、第２タンクにある低濃度蝕刻液を抽出し
て、前記第１タンクへ運送される連結管１７と、前記第
２タンクに設置されて分離された前記残留物を排出する
排出管１８を備え、蝕刻工程を終えた残余蝕刻液を浄化
させる装置を蝕刻槽に設置することにより、残余蝕刻液
に残留された蝕刻原液を全部排出させず、ほとんどを回
収して再利用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は蝕刻装置に係わり、
特に液晶表示装置のガラス基板を湿式蝕刻（wetetchin
g）する過程の中で、蝕刻工程の結果物である蝕刻残余
液を浄化させ再使用できるようにした蝕刻装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、素子が形成された第１
ガラス基板と、カラーフィルターが形成された第２ガラ
ス基板を合着して製造された液晶画面を利用する。第１
ガラス基板に素子を形成するためには、金属層、絶縁膜
及び非晶質シリコン層を数回蒸着してパターニングする
工程を進める。ガラス基板は、透明で４００℃以上の比
較的高い温度でも変形されず、手軽く購入できるため液
晶表示装置に主に使用される。したがって、上述したよ
うに一連の工程下でのガラス基板は３００℃程度の高温
から再度常温へ落ちる環境に露出され、物理的な力や熱
的衝撃にひどい損傷を受けるようになる。液晶画面は薄
くて軽い特性を要求するが、このような要因はガラス基
板を薄くすることに限界をもたらす。（現在0,7mm以下
の厚さまで薄型化されている） このような不安要素は基板の大きさを大きくするほど高
まるが、液晶画面の大きさが増加する現在の趨勢(300×
400→370×470→550×650mm）等に増加する趨勢であ
る）では、この短所を補完することが重要である。
【０００３】最近はこれに対する代案として工程中の変
形や破損を防止するために、工程の初期に厚いガラス基
板を使用したのち、ガラス基板を薄く形成する方法が利
用されている。すなわち、厚いガラス基板に素子やカラ
ーフィルターを形成し、上下ガラス基板を製造して完成
された２枚のガラス基板を合着した後、その外側面を研
磨することによって、液晶画面の厚さを減らすのであ
る。このような工程の順序はガラス基板の破損、及び素
子の不良率を減らすことができ、生産率の向上をもたら
す。
【０００４】合着されたガラス基板を研磨する方法は、
研磨剤を使用する物理的な方法と、強酸溶液を利用する
湿式蝕刻による化学的な方法がある。
【０００５】湿式蝕刻を進行する蝕刻装置は、合着され
たガラス基板を何枚か立てて容易に運搬ができるように
するカセットをローディングさせるローディング部(LOA
DER)のカセットを位置させた後、引入された蝕刻液で合
着基板に湿式蝕刻を進行する蝕刻槽(etch bath)、蝕刻
工程が終わった蝕刻槽のカセットを位置させた後、合着
基板に洗浄作業を進行する洗浄槽(rinse bath)、洗浄
作業が終わった洗浄槽のカセットを位置させた後、合着
基板を乾燥するに乾燥槽(dry bath)及び乾燥作業が終
わったカセットを位置させた後、外部への運送準備のた
めに待たせるアンローディング部(unloader)を備えてい
る。蝕刻装置内におけるカセットの運送は自動システム
(auto-system)によって実行される。
【０００６】図１は、従来の蝕刻装置を説明するための
図面であり、湿式蝕刻作業と、直接係わる蝕刻槽部分の
みを示したものである。
【０００７】従来の蝕刻装置で蝕刻槽２０は、カセット
を収納できる内部空間を持っており、蝕刻液を供給する
蝕刻液希釈タンク１２が蝕刻液引入管２１によって連結
されている。蝕刻槽２０下部には蝕刻液の円滑な流動の
ための窒素の泡を発生させる空気発生板２７が設置され
ており、空気発生板２７は窒素引入管２２によって窒素
供給ライン５２と連結されている。
【０００８】蝕刻液希釈タンク１２には、蝕刻原液であ
るフッ化水素(HF)原液を供給するＨＦ原液槽１１がＨＦ
原液引入管１６によって連結されており、さらに純水
（D，I，Water；DeIonizedWater）を供給する純水供給
ライン５１が純水引入管１７によって連結されている。
【０００９】蝕刻液の希釈タンクの排出管１９と、蝕刻
槽の排出管２は外部と通じる排出ライン５３にそれぞれ
連結されている。そしてそれぞれの引入管、排出管には
オン・オフバルブ（ＯＮ/ＯＦＦvalve）（Ｖ１、Ｖ２、
Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６）が設置されており、流体の流
れを調節している。未説明図面符号１５は、蝕刻液希釈
タンク１２で蝕刻液の濃度を感知する濃度測定計を示
す。
【００１０】上述したような従来の蝕刻液を利用した湿
式蝕刻作業を説明すると、次のようである。
【００１１】まず、ローディング部（図面に示されてい
ない）にカセットを位置させた後、蝕刻作業のための準
備をする。すなわち、ＨＦ原液引入管１６に設置されて
いるバルブを開け、ポンプ(P1)を作動させＨＦ原液槽１
１にあるＨＦ原液を蝕刻液希釈タンク１２に引入させ
る。それと同時に純水引入管１７に設置されたバルブ(V
3)を開け、純水供給ライン５１にある純水を蝕刻液希釈
タンク１２に引入させる。その結果、ＨＦ原液は純水に
よって希釈される。
【００１２】この時、HF原液と純水を適切に供給して所
定のHF濃度を有する蝕刻液を製造する。 製造される蝕
刻液は蝕刻液の希釈タンク１２に設置された濃度測定器
１５によって濃度が測定される。
【００１３】蝕刻液が製造されるとHF原液と純水の供給
を中断して蝕刻液引入管２１に設置されたバルブ(V2)を
開けてポンプ(P2)を作動させ蝕刻液を蝕刻槽２０に引入
して蝕刻槽２０にためる。この後、ローディング部にあ
るカセットを蝕刻槽２０に引入させることによってガラ
ス基板の湿式蝕刻を進行する。この時、蝕刻作業が円滑
になるように空気発生弁２７に窒素を供給する。窒素は
空気発生弁２７を通して蝕刻液に泡を発生させて蝕刻液
を渦巻かせる。
【００１４】このような蝕刻液の渦巻きが蝕刻工程が進
行されるすべての期間の間行われるように、窒素供給ラ
イン５２に連結された窒素引入管２２を通して引き続き
供給する。
【００１５】ガラス基板を蝕刻するために、蝕刻装置に
入力されたセッティング(setting)の時間が過ぎると、
ガラス基板の蝕刻作業は停止される。この時間は蝕刻液
の濃度とガラス基板の厚さに応じて予め入力される。以
後、蝕刻されたガラス基板が入っているカセットを洗浄
槽（図面に示されていない）へ運んだ後、洗浄作業を実
施して以後の工程を実施する。
【００１６】一方、蝕刻工程を終えた蝕刻残余液は、蝕
刻槽２０の排出管２を通して排出ライン５３へ誘導して
から外部へ排出する。
【００１７】蝕刻液が蝕刻するガラス基板は、二酸化ケ
イ素(SiO2)、酸化カルシウム(ＣaＯ)及び、酸化アルミ
ニウム(Al2O3)等の酸化物が非晶質の状態に結合されて
いる。ところが、蝕刻液であるHF溶液はガラスと反応す
る時、ガラスの主な成分である二酸化ケイ素のみを溶解
させる。この時、関連する反応式は次のようである。
【００１８】SiO2 ＋ 4HF → SiF4↑ ＋ 2H2O 残りの酸化物は、HFに溶解されないまま粒子の状態で蝕
刻液に存在するようになる。結局、蝕刻槽から排出され
る残余蝕刻は、酸化ケイ素と化学反応をした結果である
低濃度のHF液と多量の酸化物粒子が含まれているのであ
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の蝕刻
装置は、蝕刻工程の結果によって生じた残余蝕刻液を排
出ラインを通ってすべて外部に排出させるために、残余
蝕刻液に残留されているHFを全部使用できない問題があ
った。それに排出されたHF液は、その処理過程において
深刻な水質汚染をもたらすために、これの使用量を減少
させようとする欲求が増大しており、残余蝕刻液の再利
用のための方法が必要であった。
【００２０】また、従来の技術においては蝕刻作業中の
HF液の濃度変化を考慮せず、初期の蝕刻条件によって計
算された蝕刻の時間をセッティングするために、ガラス
基板を均一に蝕刻することができない。つまり、ガラス
基板が均一に蝕刻されるかの可否は、蝕刻液の濃度とガ
ラス基板の厚さ等によって決定されるので、ガラス基板
の厚さを制御するためには、蝕刻作業中の蝕刻液のHF濃
度を正確にして、それにしたがった蝕刻の時間を弾力的
に調整しなければならない。しかし、事実上HF濃度を周
期的に正確に測定することは不可能である。したがっ
て、従来の蝕刻装置は多量のガラス基板を均一の厚さを
持つように蝕刻することが不可能であり、量産の製造工
程が難しいという問題点がある。
【００２１】本発明は、蝕刻工程を終えた残余蝕刻液を
酸化物粒子と分離する装置を蝕刻槽に設置することによ
って残余蝕刻液に残留された蝕刻原液を全部排出させず
に殆どを回収して再利用しようとするものである。
【００２２】また、本発明は蝕刻液の温度変化によって
エッチング・エンド・ポイント(etching end point)
を求めて蝕刻液の濃度に関係なく蝕刻作業の実行可否を
自動的に決定しようとするものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は蝕刻液を製造する第1タンクと、前記第1
タンクから前記蝕刻液の供給を受けて蝕刻工程を進行す
る蝕刻槽と、前記蝕刻槽で蝕刻工程が進行された結果で
ある残留物が含まれた残余蝕刻液と残留物に分離する第
２タンクと、前記第２タンクと、前記第２タンクに連結
され、前記第２タンクにある低濃度蝕刻液を抽出して前
記第1タンクへ運送する連結管と、前記第２タンクに設
置されて分離された前記残留物を排出する排出管を備え
る蝕刻装置である。
【００２４】また、本発明は蝕刻液によって投入された
基板の蝕刻作業を進行する蝕刻槽に設置され蝕刻工程中
の前記蝕刻液の第１温度を測定する温度センサと、前記
第１温度を読み取ってセッティングされた第２温度と比
べて前記の第１温度と第２温度が同一であれば前記蝕刻
槽にシグナルを送り前記蝕刻作業を停止させる中央制御
装置を含む蝕刻装置を提供する。
【００２５】
【発明の実施の形態】図２は本発明による蝕刻装置の一
部の大略的な構成図である。
【００２６】図面に示したように蝕刻槽２０、洗浄槽３
０及び、乾燥槽４０が設置されており、蝕刻槽２０には
酸化物の分離タンク１３と蝕刻液の希釈タンク１２がつ
ながっている。それぞれの容器は強酸に耐久性のあるテ
フロン系列の樹脂で製作される。それぞれの単位装置は
中央制御装置(図面には示されていない)に連結され、そ
の作動はオート・システムで実行される。
【００２７】基板に湿式蝕刻を進行する蝕刻槽２０は合
着基板を整列して集めて置いたカセット(図面には示さ
れていない)を納める内部空間がある。蝕刻槽２０下部
には窒素の泡を発生させる空気発生弁２７が設置されて
おり、空気発生弁２７には窒素の供給ライン５２とつな
がる第１窒素引入管２２が連結されている。
【００２８】また、蝕刻槽２０には中央制御装置(図面
には示されていない)につながり、蝕刻液の温度を測定
及び伝達する温度センサ６０が設置されている。中央制
御装置は温度センサから得られたデータを判断して蝕刻
槽の蝕刻作業の実行可否に対するシグナルを送り蝕刻槽
のエッチング・エンド・ポイント(etching end poin
t)を決定する。(これに関連しては以下に詳しく説明す
る) 蝕刻槽２０には蝕刻液の引入管２１によって蝕刻液の希
釈タンク１２がつながっており、蝕刻液の送出管２３に
よって酸化物の分離タンク１３が連結されている。そし
て、酸化物の分離タンク１３から蝕刻液の希釈タンク１
２への蝕刻液の移動ができるように両装置はポンプ(P3)
が設置された連結管１７によって連結されている。蝕刻
液の希釈タンク１２はHF原液引入管１６によってHF原液
タンク１１とつながっており、第１純水の引入管１４に
よって純水供給ライン５１と連結されている。 そし
て、蝕刻液の希釈タンク１２の排出管１９と酸化物の分
離タンク１３の排出管１８は排出ライン５３にそれぞれ
連結されている。
【００２９】湿式蝕刻を終えた合着基板を洗浄する洗浄
槽３０にもカセットを納められる内部空間がある。 洗
浄槽３０の底には洗浄液の円滑な流動を促し窒素の泡を
発生させる空気発生弁３７が設置されており、空気発生
弁３７には第２窒素引入管３２によって窒素の供給ライ
ン５２が連結されている。そして、洗浄槽３０には第２
純水引入管３４による純水供給ライン５１がつながって
おり、洗浄作業が終わった後の洗浄液を排出する排出管
３９が連結されている。洗浄槽の排出管３９は洗浄液が
外部へ排出できるように排出ライン５３と連結されてい
る。
【００３０】蝕刻工程と、洗浄作業を終えた合着基板を
乾燥する乾燥槽４０は、カセットを納める内部空間が形
成されている。乾燥槽４０の側面には、乾燥のためのエ
ネルギーを供給するヒーター(48)が設置されてあり、乾
燥作業を促すIPA(IsoPropylAlcohol)を供給するIPA供給
ライン４５に連結されている。
【００３１】それぞれの引入管、送出管には、ON/OFF弁
(V1、V2、V3、…、V8、V9、V10)が設置されていて流体
の流れを調節する。説明しない図面符号１５は、蝕刻液
の希釈タンク１２でHF原液が適切な濃度に希釈できるか
を感知する濃度測定計を示す。
【００３２】本発明で、エッチング・エンド・ポイント
(etching end piont)を決める方法について説明する
と次のようである。
【００３３】従来の技術において蝕刻槽で行われる湿式
蝕刻工程では、ガラス基板の60％を占める二酸化ケイ素
(SiO2)をHF液に溶融させて、他の酸化物は粒子状態でガ
ラス基板から分離させることで、ガラス基板の厚さを減
少させる。この時、フッ化水素と二酸化ケイ素の反応は
次のようである。
【００３４】 SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O +Q(反応熱) すなわち、HF液でガラスの湿式蝕刻工程は、発熱反応が
主に起こる。一般的に化学反応による反応エネルギーは
反応に加わる化合物のモル(Mole)数に比例する。したが
って、充分な量のHF液の存在下では反応に加わる二酸化
ケイ素のモル数と、それによる反応熱は比例関係を持
つ。結局ガラス基板を湿式蝕刻する過程で発生される総
反応熱はガラス基板の二酸化ケイ素の量を知らせるバロ
メーターになる。
【００３５】この原理を蝕刻工程に適用すると次のよう
である。
【００３６】反応熱は蝕刻液の温度に変化を与えるが、
これは、反応熱Q＝m(蝕刻液の質量)×C(蝕刻液の比熱)
×△t(蝕刻液の温度変化)に表せるためである。すなわ
ち、mとCの値は工程の初期に与えられる一定の値なの
で、蝕刻反応の結果である反応熱は蝕刻液の温度のみを
変化させる。蝕刻液の温度変化が分かると反応熱を求め
られる。したがって、蝕刻液の温度変化によってガラス
基板の厚さの減少量(つまり、蝕刻された厚さ)が分かる
のである。
【００３７】ガラス基板の所定の厚さを蝕刻するために
は、これに該当する反応熱を求めてからそれを通して与
えられた蝕刻液の条件のもとで起こる温度変化を求め、
これの変化値によって蝕刻作業を中止させる蝕刻液の温
度をセッティングする。したがって、蝕刻工程時、蝕刻
反応の結果である蝕刻液の温度がセットされた値に達す
ると、中央制御装置から蝕刻槽に信号が送られ蝕刻槽の
蝕刻作業を中止させる。蝕刻液、つまりHF液の濃度に係
わらず蝕刻液の温度によってエッチング・エンド・ポイ
ント(etching end point)を自動的に決定するのであ
る。
【００３８】本発明の蝕刻装置の作動を示した作動順序
図である図3を参照して説明すると次のようである。
【００３９】まず、ローディング部(図面には表示され
てない)にカセットを位置させてから蝕刻作業のための
準備をする。
【００４０】つまり、HF原液の引入管に設置されている
バルブ(V1)を開け、ポンプ(P1)を作動させてHF原液タン
ク１１にあるHF原液を蝕刻液希釈タンク１２に引入させ
る。それと同時に第1純水引入管１４に設置されている
バルブ(V3)を開けて、純水供給ライン５１にある純水を
蝕刻液希釈タンク１２に引入させる。その結果、HF原液
は純水によって希釈される。この時、所定の濃度の蝕刻
液が製造されるようにHF原液と純水を適切に供給する。
製造する蝕刻液のHF濃度は5〜30%程度なのでHF原液は40
〜60%程度のHF濃度のものを使う。製造される蝕刻液の
濃度は蝕刻液希釈タンク１２に設置された濃度測定計１
５によって測定される。また、洗浄槽３０の第2純水引
入管３４に設置されているバルブ(V9)を開け、純水供給
ライン５１にある純水を洗浄槽３０に満たして洗浄作業
のための準備をする。そして、乾燥槽４０に設置されて
いるヒーター(48)にエネルギーを供給しIPAを供給する
ことによって乾燥段取りをする。
【００４１】蝕刻液希釈タンク１２より蝕刻液が製造さ
れると、HF原液と純水の供給を中断し蝕刻液引入管２１
に設置されたバルブ(V2)を開けてポンプ(P2)を作動さ
せ、蝕刻液を蝕刻槽２０に引入させて蝕刻槽を満たす。
以後、ローディング部にあるカセットを蝕刻槽２０に入
れることでガラス基板の湿式蝕刻を行う。
【００４２】この時、蝕刻作業が円滑に行われるように
空気発生弁２７に窒素を供給する。窒素は空気発生板を
通して蝕刻液に泡を発生させて蝕刻液を渦巻かせる。こ
のような蝕刻液の渦巻きは蝕刻工程が行われる全ての間
にわたって行われるように窒素供給ライン５２に設置さ
れたバルブ(V4)を開けて、第1窒素引入管２２を通して
窒素を続けて供給する。その結果、蝕刻液に泡が継続的
に発生され、蝕刻液の流動が活発に行われ基板の蝕刻作
業が迅速に進行される。また、このような活発な蝕刻液
の流動は、湿式蝕刻の結果で生じたガラス基板の表面の
残存された酸化物を連続的に除去するためにその表面を
均一に作り上げる。
【００４３】蝕刻液、つまりHF液とガラス基板の二酸化
ケイ素が反応して進行される湿式蝕刻では、ガラス基板
がHF液と反応しながら熱を放出するするようになるが、
このため蝕刻液の温度が上昇する。この時、蝕刻槽に設
置された温度センサーが温度を感知するようになる。同
時に、温度センサーによって感知された温度値は連続的
に中央制御装置に送られる。ガラス基板が蝕刻されなが
ら発生する反応熱が増加するほど温度が高くなるので、
ガラス基板の厚さが減少(蝕刻される基板の厚さが増加)
することによって温度が上昇される。蝕刻液の温度がセ
ットされた温度になると、中央制御装置は蝕刻槽２０に
信号を送って蝕刻作業を中止させる。
【００４４】同じ物質特性を持つガラス基板(通常の場
合、液晶パネルのガラス基板の厚さは一定である)を蝕
刻液、つまりHF液に投入しこれによって計算された温度
変化値を蝕刻槽にセットすると、HF液の濃度に係わらず
同じ蝕刻の厚さを得られる。一方、蝕刻作業を通してガ
ラス基板の単位の厚さ当たり、放出されるエネルギーを
求めておくと（ガラス基板の種類及び成分によって同じ
厚さの量を蝕刻する場合、放出されるエネルギーは多少
の差がある）ガラス基板の数量が変わっても容易にガラ
ス基板の厚さを制御できる。
【００４５】蝕刻工程が完了すると蝕刻されたガラス基
板を洗浄槽(31)に移してから、洗浄作業を実施する。洗
浄作業は、スプレーヤーや超音波などを利用して基板に
付いている蝕刻液及び残余物を除去することによってな
される。
【００４６】これと同時に、蝕刻槽２０の送出管２３に
設置されてあるバルブ(V6)を開けて、蝕刻槽２０の残余
蝕刻液を酸化物分離タンク１３に送出させる。ここで、
残余蝕刻液を30分余り放置すると、下層に沈殿される酸
化物粒子はその上の位置する低濃度のHF液に分離され
る。以後、連結管１７に設置されてあるポンプ(P3)を作
動させ酸化物分離タンク１３の上層にある低濃度のHF液
を蝕刻液の希釈タンク１２に移動させる。そして、酸化
物分離タンク１３に設置されてあるバルブ(V10)を開け
てから、酸化物分離タンク１３の下層に沈殿されている
酸化物粒子を排出管１８を通して排出ライン５３に排出
させる。この時、酸化物分離タンク１３の底部分を円
錐、或は角錐形態に形成すると酸化物粒子らの排出を容
易にさせられる。
【００４７】酸化物分離タンク１３から蝕刻液希釈タン
ク１２に移された低濃度のHF液を蝕刻液としてリサイク
ル使用するため、上記で説明したことと同じ方法で、HF
原液と純水の適当量をさらに供給して所定のHF濃度を持
つ蝕刻液を製造する。蝕刻液の製造が完了されると、蝕
刻槽２０に再度この蝕刻液を引入させ、蝕刻槽２０を満
たして新しいカセットを位置させてから湿式蝕刻作業を
実施する。
【００４８】また、洗浄槽３０で洗浄作業が完了された
カセットはさらに乾燥槽４０に移した後乾燥作業を行
う。そして、洗浄作業を終えた洗浄液は洗浄増３０の排
出管３９を通して排出ライン５３に排出したあと外部に
放出する。この時、外部に放出される洗浄液は洗浄槽３
０の容器ほど大容量を持っているため、排出ラインを通
して排出される課程で酸化物の分離タンク１３から排出
された酸化物粒子らを押し出し一緒に外部に放出され
る。
【００４９】乾燥作業が終わるとカセットは乾燥槽から
アン・ローディング部(図面に図示されてない)に位置さ
れ蝕刻装置の外部に搬送させる。
【００５０】このような蝕刻、洗浄及び乾燥作業は連続
的に行われ、各引入館、送出管及び連結管に設置された
バルブとポンプは、オート・システムによって作動され
る。
【００５１】
【発明の効果】本発明は、蝕刻工程を終えた酸化物粒子
が含まれた残余蝕刻液を、酸化物分離タンクで浄化させ
ることで、不純蝕刻液に残っている蝕刻原液を全て排出
させないで、殆ど回収した再利用することができる。し
たがって、蝕刻液を製造するための蝕刻原液の消耗量を
減らせられる。
【００５２】また、本発明は蝕刻液は蝕刻液の温度変化
によるエッチング・エンド・ポイント(etching end p
oint)を求めることによって蝕刻液の濃度変化に係わら
ず、ガラス基板を均一に蝕刻することができる。
【００５３】本発明は、液晶表示装置のみならず、ガラ
ス基板を蝕刻する他の分野で同じ原理を利用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来の蝕刻装置の中、蝕刻槽部分の
みの概略図
【図２】 図２は、本発明にしたがった蝕刻装置の概略
図
【図３】 図３は、本発明の蝕刻装置の使用を示した順
序図
【符号の説明】
１１ ＨＦ原液槽 １２ 蝕刻液希釈タンク １３ 酸化物分離タンク １４ 第１純水引入管 １５ 濃度測定計 １６ ＨＦ液引入管 １７ 連結管 １８ 第１排出管 １９ 第２排出管 ２０ 蝕刻槽 ２１ 蝕刻液引入管 ２２ 第１窒素引入管 ２３ 蝕刻液送出管 ３０ 洗浄槽 ３２ 第２窒素引入管 ３４ 第２純粋引入管 ３３ 洗浄液排出管 ４０ 乾燥槽 ４５ ＩＰＡ引入管 ５１ 蒸留供給ライン ５２ 窒素供給ライン ５３ 排出ライン ６０ 温度センサ Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ ポンプ Ｖ１〜Ｖ１０ ＯＮ・ＯＦＦバルブ。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 蝕刻液を製造する第1タンクと、 前記第1タンクより、前記蝕刻液の供給を受けて蝕刻工
    程を行う蝕刻槽と、 前記蝕刻槽で、蝕刻工程が行われた結果である、残留物
    が含まれた残余蝕刻液を受けて、低濃度蝕刻液と残留物
    に分離する第2タンクと、 前記第2タンクと前記第1タンクとを連結し、前記第2タ
    ンクにある低濃度の蝕刻液を取り出して前記第1タンク
    に送る連結管と、 前記第2タンクに設置され、分離された前記残留物を排
    出する排出管とを備える蝕刻装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    蝕刻槽に、温度センサーが設置されていることを特徴と
    する蝕刻装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    蝕刻槽は、洗浄槽及び乾燥槽が備えられた蝕刻装置に設
    置され、前記第2タンクの排出管が、前記洗浄槽の排出
    管がつながる排出ラインに一緒に連結されていることを
    特徴とする蝕刻装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    第1タンクに、前記蝕刻液の原液を供給する蝕刻原液容
    器と、純水を供給する純水供給ラインがつながっている
    ことを特徴とする蝕刻装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    第1タンクに、濃度測定計が設置されていることを特徴
    とする蝕刻装置。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の蝕刻装置において、前記
    蝕刻液の原液がフッ化水素（HF）液であることを特徴と
    する蝕刻装置。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    連結管に、前記第２タンクから前記第１タンクに流体の
    移動を可能にするポンプが設置されていることを特徴と
    する蝕刻装置。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    第2タンクの底の部分が、円錐或は角錐の形態であるこ
    とを特徴とする蝕刻装置。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の蝕刻装置において、前記
    連結管の取り入れ口は、沈殿した前記残留物を取り出さ
    ないように、前記第２タンクの上部に設置されているこ
    とを特徴とする蝕刻装置。
  10. 【請求項１０】 蝕刻によって投入された基板の蝕刻作
    業を行う蝕刻槽と、 前記蝕刻槽に設置され、蝕刻工程中の、蝕刻液の温度を
    測定する温度センサーと、 前記温度センサーが測定した第1温度と予め設定された
    第2温度と比較し、この比較結果に基づき前記蝕刻作業
    を中止する制御装置とを備える蝕刻装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の蝕刻装置において、
    前記第２温度は、蝕刻作業を通して放出される蝕刻対象
    の単位体積当たりのエネルギーに基づき設定されること
    を特徴とする蝕刻装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１０記載の蝕刻装置において、
    前記第２温度は、蝕刻作業を通して放出される蝕刻対象
    のモル数当たりのエネルギーに基づき設定されることを
    特徴とする蝕刻装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１０記載の蝕刻装置において、
    前記第２温度は前記基板とエッチャントとの間のエッチ
    ング反応の温度に基づき設定されることを特徴とする蝕
    刻装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１０記載の蝕刻装置において、
    前記第２温度は、反応熱Q＝m(蝕刻液の質量)×C(蝕刻液
    の比熱)×△t(蝕刻液の温度変化)なる式に基づき設定さ
    れることを特徴とする蝕刻装置。
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