KR100698057B1 - 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법 - Google Patents

식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 식각액을 공급하는 탱크부의 농도를 모니터링하여 농도 변화에 따라 이를 해소할 수 있는 보정액을 넣어 식각액의 수명을 연장시켜 비용을 감소시킨 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 식각 장비는 식각액을 이용하여 기판 상의 식각 대상물을 식각하는 식각부와, 상기 식각부로부터 식각 후 남은 식각액과 식각된 물질을 회수하고, 외부로부터 신(新)식각액을 공급받아 이를 저장하는 탱크부와, 상기 탱크부의 저장된 용액의 농도를 감지하는 농도 모니터링부 및 상기 감지된 용액의 농도에 따라 외부로부터 보정액을 인가받아 상기 탱크부에 보정액을 공급하는 첨가부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
식각액(etchant), 보정액, 농도 모니터링, 회수, 탱크, 조성 변화(aging)

Description

식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법{Apparatus for Etching and Method for Etching with using the same}
도 1은 종래의 식각 장비를 나타낸 개략도
도 2는 각 금속의 식각액의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프
도 3은 본 발명의 식각 장비를 나타낸 개략도
도 4는 게이트 전극의 식각액 사용 시간에 따른 식각율 변화를 나타낸 그래프
도 5는 식각액 각 성분별 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 표
도 6은 도 5 중 H3PO4의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프
도 7은 도 5 중 HNO3의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프
도 8은 도 5 중 CH3COOH의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
31 : 중앙 공급부 32 : 식각부
33 : 탱크부 34 : 제어부
35 : 첨가부 36 : 농도 모니터링부
37 : 이송 장치 40 : 기판
본 발명은 액정 표시 장치의 제조에 관한 것으로 특히, 식각액을 공급하는 탱크부의 농도를 모니터링하여 농도 변화에 따라 이를 해소할 수 있는 보정액을 넣어 식각액의 수명을 연장시켜 비용을 감소시킨 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)을 대체하면서LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.
일반적인 액정 표시 장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동 신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.
여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 기판)에는 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 배선과, 상기 각 게이트 배선과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 배선과, 상기 각 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되어 정의된 각 화소 영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 배선의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 배선의 신호를 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.
그리고, 제 2 유리 기판(칼라 필터 기판)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 차광층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 R, G, B 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다.
이와 같은 상기 제 1, 제 2 유리 기판은 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고 액정 주입구를 갖는 실(seal)재에 의해 합착되어 상기 두 기판 사이에 액정이 주입된다.
여기서, 액정 주입 방법은 상기 실재에 의해 합착된 두 기판 사이를 진공 상태로 유지하여 액정 용기에 상기 액정 주입구가 잠기도록 하면 삼투압 현상에 의해 액정이 두 기판 사이에 주입된다. 이와 같이 액정이 주입되면 상기 액정 주입구를 밀봉재로 밀봉하게 된다.
상기 일반적인 액정 표시 장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자 배열의 방향을 제어할 수 있다. 따라서, 상기 액정의 분자 배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자 배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상 정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이와 같이, 액정 표시 장치는 게이트 라인, 반도체층, 데이터 라인 및 화소 전극 등의 형성시 식각 공정이 요구되는 층이 복수개 있으며, 각각의 식각 공정은 해당 층을 식각할 수 있는 식각액을 이용하여 식각 장비에서 이루어진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 식각 장비를 나타낸 개략도이다.
도 1과 같이, 종래의 식각 장비는 식각액을 이용하여 기판 상의 식각 대상물을 식각하는 식각부(12)와, 상기 식각부(12)로부터 식각 후 남은 식각액(20)과 식각된 물질(21)을 회수하고, 중앙 공급부(11)로부터 신(新)식각액(22)을 공급받아 이를 저장하는 탱크부(13)로 이루어진다.
이와 같은 종래의 식각 장비를 이용한 식각 방법은 다음과 같다.
상기 탱크부(13)는 내부의 저장된 용액(23)을 제어부(미도시)로부터 제어를 받아 상기 식각부(12)에서 식각 공정 진행시에 식각액(23)으로 공급하며, 다시 중앙 공급부(11)로 신식각액(22)을 적정량 공급받아 소정의 용액 양을 유지한다. 이 때, 상기 탱크부(13)에는 신식각액 외에도 식각부(12)에서 식각 공정 후 남은 식각 물질과 식각액이 동시에 회수되며, 배기에 의한 증발로, 내부의 용액은 조성 변화가 발생하게 된다.
결국, 사용 시간이 증가하게 되면 조성 변화가 심하여지기 때문에, 탱크부(13) 내 저장된 용액(23)을 식각액으로 사용하는 데 한계가 있다.
따라서, 시간 경과에 따른 조성 변화를 감안하여 미리 정하여둔 일정 시간동안 상기 탱크부(13)의 용액을 식각액(23)을 공급받은 후, 일정 시간이 경과하면, 상기 탱크부(13)의 용액을 폐기시켜 다시 중앙 공급부(11)로부터 신액을 공급받아 소정량 저장한 후, 이를 식각액으로 하여 상기 식각부(12)에 공급한다.
도 2는 각 금속의 식각액의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프이다.
게이트 라인이나 데이터 라인 혹은 화소 전극을 형성시에 이용되는 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 투명 전극(ITO) 등은, 식각액을 계속적으로 탱크부(13)로 회수하여 각각 15시간, 15시간, 20시간 이내로 사용한 후, 소정의 조성 변화가 일어난 식각액을 폐액으로 배출시켜 다시 중앙 공급부(11)로부터 신식각액을 공급받는다. 즉, 각 식각 대상층의 물질에 따라 다르겠지만, 약 15시간 내지 20시간의 짧은 교환 주기를 갖게 된다.
게이트 라인이나 데이터 라인을 이루는 알루미늄(Al)을 식각하는 식각액은 각각 인산(H3PO4) 57%, 질산(HNO3) 4.5%, 초산(CH3COOH) 8.5%의 농도로 하여 조성되어 최초로 공급되며, 15시간이 경과되면, 각각 인산, 질산, 초산이 60%, 3.30%, 7%로 조성 변화한다. 이 경우, 시간 경과에 따라 탱크부(13)내의 용액을 배출하지 않고, 계속적으로 식각액으로 이용하게 되면 주식각에 참여하는 상기 인산(H3PO4)의 농도가 증가하기 때문에 식각율이 점차 상승하게 된다.
또한, 게이트 라인이나 데이터 라인을 이루는 몰리브덴(Mo)을 식각하는 식각액은 과산화수소(H2O2) 10%의 농도로 하여 조성되어 최초로 공급되며, 15시간이 경과되면, 과산화수소(H2O2)는 8%로 농도가 내려가는 조성 변화를 일으킨다. 이 경우, 시간 경과에 따라 탱크부(13)내의 용액을 배출하지 않고, 계속적으로 식각액으로 이용하게 되면 상기 과산화수소(H2O2)의 농도가 떨어지기 때문에 식각율이 점차 저하되게 된다.
그리고, 화소 전극을 이루는 ITO 등의 투명 전극을 식각하는 식각액은 초산(CH3COOH) 5%의 농도로 하여 조성되어 최초로 공급되며, 20시간이 경과되면, 상기 초산(CH3COOH)은 8%로 상승하게 되어 식각율 또한 상승하게 된다.
이와 같이, 종래의 식각 장비는 탱크부의 농도 변화에 무관하게 소정 시간이 경과되면 탱크부 내의 용액을 완전 배출하는 식으로 식각액을 교체하여 식각 공정 을 진행한다. 이는, 탱크부 내의 용액의 조성 변화가 일어나면, 공정의 특성치 변화가 발생되므로, 이를 방지하기 위해 소정의 조성 변화가 일어날 시점에 탱크부 내의 용액을 교체하도록 하고 있는 것이다. 따라서, 조성 변화가 심할수록 용액의 교환 주기는 단축되게 된다.
그러나, 이와 같이, 조성 변화를 감안하여 탱크부(13) 내의 용액을 완전 배출시켜 신식각액으로 교체한다 하더라도, 조성 변화는 교체전까지는 지속하여 발생하는 것으로, 사용 시간에 따라 식각 대상층의 식각 바이어스는 증가 또는 감소한다.
상기와 같은 종래의 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
즉, 종래의 식각 장비는 교체 전까지 계속적으로 식각액을 탱크부로 회수하여 이를 소정의 시간까지 다시 식각액으로 사용함으로써 나타나는 식각액의 농도 변화 때문에, 탱크부 내 용액의 농도 변화와 관계없이 소정의 시간 후에 탱크부 내의 용액을 완전 배출시킨 후, 다시 신식각액을 공급받아 이를 식각액으로 이용해왔다.
따라서, 식각액의 교환 주기를 짧게 하면 할수록, 단위 식각 공정별 차이없이, 식각 바이어스를 유사한 수준으로 유지할 수 있지만, 이는 식각액의 다량 사용 및 다량 폐수화라는 문제점을 동반시켜 비용 상승 및 환경 오염 때문에, 식각액의 교환 주기는 줄이는데 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 식각액을 공급하는 탱크부의 농도를 모니터링하여 농도 변화에 따라 이를 해소할 수 있는 보정액을 넣어 식각액의 수명을 연장시켜 비용을 감소시킨 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 식각 장비는 식각액을 이용하여 기판 상의 식각 대상물을 식각하는 식각부와, 상기 식각부로부터 식각 후 남은 식각액과 식각된 물질을 회수하고, 외부로부터 신식각액을 공급받아 이를 저장하는 탱크부와, 상기 탱크부의 저장된 용액의 농도를 감지하는 농도 모니터링부 및 상기 감지된 용액의 농도에 따라 외부로부터 보정액을 인가받아 상기 탱크부에 보정액을 공급하는 첨가부를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기 탱크부의 용액은 상기 식각부의 식각액으로 공급된다.
상기 보정액은 초순수(De-Ionized Water), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH) 이다.
상기 초순수, 질산, 초산의 보정액은 첨가부 내에 각각 구성된 공급관으로부터 상기 탱크부로 공급된다.
또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 식각 방법은 중앙 공급부에서 탱크부로 신식각액을 공급하는 단계와, 상기 탱크부 내의 용액을 식각부의 식각액으로 공급하는 단계와, 상기 식각부에서는 식각 공정을 진행하고, 식각 후, 남은 식각액 및 식각된 물질을 배출하여 상기 탱크부로 회수시키며, 상기 탱크부 내 용 액의 농도 변화를 계속적으로 감지하고, 농도 이상(異常)시 저하된 성분을 첨가하는 단계를 포함하여 이루어짐에 또 다른 특징이 있다.
상기 탱크부 내 용액의 농도 변화 감지는 일정 시간 간격으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 식각 장비를 나타낸 개략도이다.
도 3과 같이, 본 발명의 식각 장비는 식각액을 이용하여 기판 상의 식각 대상물을 식각하는 식각부(32)와, 상기 식각부로부터 식각 후 남은 식각액과 식각된 물질을 회수하고, 외부로부터 신식각액을 공급받아 이를 저장하는 탱크부(33)와, 상기 탱크부(33)의 저장된 용액(54)의 농도를 감지하는 농도 모니터링부(36) 및 상기 감지된 용액(33)의 농도에 따라 외부로부터 보정액(51)을 인가받아 상기 탱크부(33) 내 용액 농도 이상(異常)시 상기 보정액(51)을 공급하는 첨가부(35)를 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명의 식각 장비를 이용한 식각 방법은 다음과 같다.
먼저, 상기 중앙 공급부(31)는 제어부(34)로부터 제어를 받아 상기 탱크부(33)로 신식각액(52)을 공급한다.
이어, 상기 탱크부(33) 내의 용액(54)은 상기 식각부(32)에 식각액으로 공급된다.
이어, 상기 식각부(32)에서는 식각 공정을 진행하고, 식각 후, 남은 식각액 및 식각된 물질(50)이 배출되어 상기 탱크부(33)로 회수된다.
여기서, 식각 공정을 진행하면서, 상기 농도 모니터링부(36)에서는 상기 제어부(34)의 제어를 받으며, 상기 탱크부(33) 내 용액(54)의 농도 변화를 계속적으로 감지하고, 농도 이상(異常)시 저하된 성분을 보정액(51)으로 상기 첨가부(35)를 통해 공급한다. 즉, 적정 공정 수준에 맞추어 셋팅된 각 성분별 농도 범위를 벗어날 때 저하된 성분을 보정액(51)으로 상기 탱크부(33) 내 용액(54)의 농도 범위가 상기 셋팅된 각 성분별 농도 범위로 돌아올 때까지 인가한다.
이 때, 하나의 성분만 조성 변화가 일어나면, 상기 보정액(51)으로 한 성분만 인가하면 되고, 두 가지 이상의 성분의 조성 변화가 일어나면, 상기한 복수개의 성분을 섞거나 별도로 각각 구비된 관을 통해 탱크부(33) 내로 인가할 수도 있다.
이러한 농도 이상은 탱크부(33) 내 소정의 성분이 저하되는 방향으로도 일어날 수도 있지만, 소정의 성분이 증가되는 방향으로 일어날 수 있다. 저하되는 경우에는 저하된 성분의 보정액(51)을 하여 첨가하면 되고, 증가되는 경우에는 증가된 성분을 희석시키기 위한 초순수(DI Water)를 보정액(51)으로 더 첨가하도록 한다.
이 경우, 상기 탱크부(33) 내 용액(54)의 조성 변화는 식각 공정을 진행하며, 상기 식각 공정 후 남은 식각액 및 식각된 물질(50)을 회수하기 때문이기도 하며, 또한, 식각 장비 내 배기에 의해 증발 현상이 일어나서이기 때문이기도 하다.
이러한 식각 방법에 의해 식각 공정을 수행하면, 보정액(51)을 통해 상기 탱크부(33) 내 용액(54)의 농도를 조절할 수 있어, 공정의 특성 변경 없이 식각액으로 사용하는 용액의 수명을 비약적으로 연장할 수 있다.
상기 보정액(51)은 초순수(De-Ionized Water), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH) 등으로, 액정 표시 장치에서 식각 대상인 물질층, 즉, 게이트 라인층, 데이터 라인층, 화소 전극층 등을 식각할 수 있는 식각액들이다.
상기 초순수, 질산, 초산의 보정액(51)은 첨가부 내에 각각 구성된 공급관을 통해 상기 탱크부로 공급되는 것으로, 그 양은 상기 농도 모니터링부(36)에서 상기 탱크부(33)의 용액(54)의 조성 변화를 감지하여 조정된다.
그리고, 여기서, 상기 탱크부 내 용액의 농도 변화 감지는 일정 시간 간격으로 한다.
이하, 일반적인 식각 공정 진행시 발생되는 식각율의 변화와 식각액의 각 성분별 변화를 그래프 및 표를 통해 자세히 살펴본다.
도 4는 게이트 전극의 식각액 사용 시간에 따른 식각율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4와 같이, 게이트 전극은 식각 공정이 진행하면 할수록 주식각에 참여하는 성분이 늘어나기 때문에, 식각율이 더 증가하는 현상을 볼 수 있다. 완전히 선형적으로 식각율이 늘어나지는 않더라도 본 발명과 같이, 농도 변화를 감지하지 않고, 그대로 식각에 참여한 식각액을 다시 회수하여 공정을 진행하면, 시간이 경과됨에 따라 식각율이 늘어나는 경향을 확인할 수 있다.
한편, 식각 공정에 이용되는 식각액은 그 대상 물질이 어떤 성분이냐에 따라 다르겠지만, 액정 표시 장치에서 진행되는 식각 공정은 예를 들어, 게이트 라인, 데이터 라인, 화소 전극을 고려할 수 있으며, 각각 그 성분은 예를 들어, Al, Mo, ITO로 그 범위를 한정하여 생각할 수 있다. 이하에서는 상기 각 성분에 대한 식각액인 주 성분인 인산(H3PO4), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH)이 시간에 따라 농도 변화를 일으키는 바에 대해 설명한다.
도 5는 식각액 각 성분별 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 표이며, 도 6은 도 5 중 H3PO4의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프이고, 도 7은 도 5 중 HNO3의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프이고, 도 8은 도 5 중 CH3COOH의 사용 시간에 따른 조성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5 내지 도 8과 같이, 시간이 경과되면 경과될수록, 인산(H3PO4)은 계속적으로 농도가 증가하는 경향을 보이며, 질산(HNO3)은 아주 적은 농도가 저하되는 경향을 보이며, 초산(CH3COOH)은 불규칙하게 농도가 감소하는 경향을 보인다.
따라서, 시간 경과에 따라 주식각에 참여하는 인산(H3PO4)의 농도가 증가하여 식각율이 상승하는 결과를 일으킨다.
이를 방지하여 본 발명의 식각 장비는 탱크부(33)의 용액(54)의 농도를, 공정이 진행되면 일정 수준으로 식각율을 유지시키기 위해 농도 감지 모니터링부(36)와 보정액 첨가부(35)를 두어 조정 범위 이내로 유지시키도록 한 것이다.
상기의 실험 결과를 통해 알 수 있듯이, 인산은 시간이 경과될수록 농도가 증가되므로, 이를 희석하도록 초순수를 보정액(51)으로 공급하며, 초산은 시간 경과시 농도가 감소하므로, 상기 보정액(51)에 성분을 소정량 첨가하도록 하고, 질산은 아주 적은 소량만 상기 보정액(51)에 첨가하여 정상 수준을 유지시키도록 한다.
다(多)성분으로 이루어진 식각액 중 사용 시간 증가에 따라 특정 성분이 증가 또는 감소하여 초기의 조성비가 달라져 식각액의 특성 변화가 발생하는 제품이 있다.
본 발명은 이러한 식각액의 경우 사용 중 감소한 특정 성분만을 첨가하여 화학 조성비를 유지시켜서, 식각액 교환 주기 연장을 통한 비용 절감 및 공정 조건을 안정화시킬 수 있다.
이를 위해 사용 중 농도가 감소하는 특정 성분만 첨가하거나 또는 증가하는 농도를 보정하기 위해 초순수를 첨가하는 등으로 식각액의 조성 변화를 방지한다.
사용 시간에 따른 조성치 변화가 없음에 따른 공정 특성치 변화가 없어 공정이 안정화된다.
조성치 보정을 통해 최초 조성비가 유지되어 교환 주기의 비약적인 증가가 가능하다.
상기와 같은 본 발명의 식각 장비 및 이를 이용한 식각 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
탱크부 내 용액의 농도를 감지하는 농도 모니터링부와, 조성 변화로 저하된 성분을 다시 첨가하는 첨가부를 식각 장비에 부가함으로써, 소정의 성분 추가로 식 각액의 사용 주기를 현저히 늘릴 수 있다. 즉, 식각액을 다시 회수하여 사용하고, 또한, 장비내 배기 중 증발 현상에 의해 탱크부 내 용액의 조성 변화가 필연적으로 나타나는데, 이를 감지하여 보상함으로써, 탱크부 내 조성 변화를 지연시켜 식각액의 사용 주기를 늘리게 된다.
따라서, 비용을 절감할 수 있다. 즉, 최소 조성된 식각액을 조성비를, 보정액 첨가 공정에 의해 거의 균일하게 유지하여 식각액의 교환 주기를 비약적으로 늘릴 수 있다.

Claims (6)

  1. 질산, 초산 및 인산을 포함하는 식각액을 이용하여 기판 상의 게이트 라인, 데이터 라인 및 화소 전극 중 어느 하나의 형성을 위한 식각 대상물을 식각하는 식각부;
    상기 식각부로부터 식각 후 남은 식각액과 식각된 물질을 회수하고, 외부로부터 상기 식각액과 동일 성분의 신식각액(상기 질산, 초산 및 인산을 포함하는)을 공급받아 이를 저장하는 탱크부;
    상기 탱크부의 저장된 용액의 각 질산, 초산 및 인산의 농도를 감지하는 농도 모니터링부; 및
    상기 감지된 용액의 상기 질산, 초산 및 인산의 각 농도에 따라, 외부로부터 상기 식각액 중 저하된 농도 성분에 대하여는 이를 보정액을 인가받고, 초과된 농도 성분에 대하여는 초순수(De-Ionized Water)을 보정액으로 인가받아 상기 탱크부에 공급하는 첨가부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 식각 장비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 탱크부의 상기 보정액이 인가된 용액은 상기 식각부의 식각액으로 공급됨을 특징으로 하는 식각 장비.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 보정액은 상기 첨가부 내에 각각 구성된 공급관으로부터 상기 탱크부로 공급됨을 특징으로 하는 식각 장비.
  5. 중앙 공급부에서 탱크부로 질산, 초산 및 인산을 포함하는 신식각액을 공급하는 단계;
    상기 탱크부 내의 용액을 식각부의 식각액으로 공급하는 단계;
    상기 식각부에서는 기판 상에 게이트 라인, 데이터 라인 및 화소 전극 중 어느 하나의 형성을 위한 식각 대상물의 식각 공정을 진행하고, 식각 후, 남은 식각액 및 식각된 물질을 배출하여 상기 탱크부로 회수시키며, 상기 탱크부 내 상기 각 질산, 초산 및 인산의 용액의 농도 변화를 계속적으로 감지하고, 농도 이상(異常)시 감지된 상기 질산, 초산 및 인산의 농도에 따라, 외부로부터 상기 식각액 중 저하된 농도 성분에 대하여는 이를 보정액으로 공급하고, 초과된 농도 성분에 대하여는 초순수(De-Ionized Water)를 보정액으로 공급하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 식각 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 탱크부 내 용액의 농도 변화 감지는 일정 시간 간격으로 함을 특징으로 하는 식각 방법.
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