JP2004175607A

JP2004175607A - 基板製造装置および基板製造方法

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Publication number: JP2004175607A
Application number: JP2002342278A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ishiyama; 弘石山; Yasuo Kawada; 保夫川田; Yukiyasu Sugano; 幸保菅野; Shoichi Miyauchi; 昭一宮内
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-11-26
Filing date: 2002-11-26
Publication date: 2004-06-24

Abstract

【課題】簡単な構造で、所定の精度で容易に基板のエッチング量を検出可能な基板製造装置および基板製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング槽１１において、フッ酸２５により、ＬＣＤ基板３０のガラス基板をエッチングし、エッチング後に洗浄・乾燥処理されたＬＣＤ基板３０の質量を、ロードセル２００によって測定する。コントローラ１９０は、エッチング前後のＬＣＤ基板３０の質量差に基づいてエッチング量を検出し、再度エッチングを行なうか否かを判断する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばガラス基板を所定の厚さにエッチングして、液晶表示パネル等の表示用その他の基板を製造する製造装置および製造方法に関する。
特定的には、本発明は、エッチング対象である基板の質量を測定することによって基板のエッチング量を検出する基板製造装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば液晶ディスプレイ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）等の、ガラス基板を用いたディスプレイの薄型化および軽量化のために、ディスプレイ用のガラス基板のエッチングが行なわれている。
ＬＣＤを例に挙げて述べると、まず、複数枚のＬＣＤのための画素が作り込まれた１対のガラス基板を対向させて貼り合わせることにより、マザー基板を組立てる。次に、エッチング時にマザー基板内部の画素が損傷しないように、２枚のガラス基板間を、エポキシ樹脂等のシール剤によってシールする。
その後、薬液を用いてマザー基板のガラス基板をエッチングする。エッチング後のマザー基板を洗浄した後に、画素が形成された部分をスクライブ・ブレーク法やレーザー分断法によって切り出すと、所定の厚さに薄型化された複数のＬＣＤが得られる。
【０００３】
上述のガラス基板のエッチングとして、たとえば特許文献１に開示されているような、フッ酸による反応エッチングが知られている。
フッ酸によるエッチングは、フッ酸がリサイクル可能であることから生産性が高い。また、化学的機械研磨のように外力を加える必要がなく、種々の厚さのガラス厚さを容易に得ることができるため、利便性が高い。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１４７４７４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載のようにフッ酸をリサイクルしながら用いると、フッ酸の濃度が見かけ上同じでも、エッチング時の反応によりエッチング溶液の組成が変化する場合がある。このため、ガラス基板を同じ量エッチングする場合にも、リサイクル回数に応じて反応温度や時間が変化する。
したがって、エッチング量を規定するための基準となる条件を得ることが困難であり、エッチング量の検出および制御が非常に困難であった。
【０００６】
エッチング不足の場合に再エッチングする時にも、それまでにどの程度エッチングされていたかが分からないと、追加のエッチング量を決定することができない。エッチング量の情報が誤っており、追加のエッチング量が多過ぎると、オーバーエッチングされた規格外の製品を製造することにもつながる。
【０００７】
本発明の目的は、構造が簡単であり、所定の精度で容易に基板のエッチング量を検出可能な基板製造装置を提供することである。
また、本発明の別の目的は、所定の精度で容易に基板のエッチング量を検出可能な基板製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板製造装置は、所定の薬液によって基板をエッチングするエッチング手段と、前記エッチング手段によりエッチングされた前記基板の質量を測定する測定手段と、前記測定手段で測定された、エッチング後の前記基板の質量と、所定の基準質量とに基づいて、前記基板のエッチング量を検出する検出手段と、前記検出手段で検出された前記エッチング量に基づいて、前記基板のエッチングを再度行なう必要があるか否かを判断する判断手段とを有する基板製造装置である。
【０００９】
また、本発明に係る基板製造方法は、所定の薬液で基板をエッチングするエッチング工程と、エッチングされた前記基板の質量を測定する測定工程と、前記測定工程で測定された、エッチングされた前記基板の質量と、所定の基準質量とに基づいて、前記基板のエッチング量を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された前記エッチング量に基づいて、前記基板のエッチングを再度行なう必要があるか否かを判断する判断工程とを有する基板製造方法である。
【００１０】
本発明においては、測定手段によって基板の質量を測定する。測定手段は、エッチング前の基板の質量を測定することも、エッチング後の基板の質量を測定することも可能である。
基板は、エッチング手段によって、所定の薬液でエッチングされる。
検出手段は、測定手段によって測定された、エッチングされた基板の質量を入手する。検出手段は、入手したエッチング後の基板の質量と、比較のために用いられる所定の基準質量とに基づいて、基板のエッチング量を検出する。
検出手段によって検出されたエッチング量に基づいて、基板を再度エッチングする必要があるか否かが、判断手段によって判断される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態について述べる。
なお、以下では、一例として、画素が作り込まれたＬＣＤ基板、即ちマザー基板をエッチング対象とし、マザー基板の１対のガラス基板を、フッ酸を用いてエッチングして所定の厚さのマザー基板を製造する場合について述べる。
【００１２】
第１実施形態
図１が、本発明に係る基板製造装置の第１実施形態の概略構成図である。図１に図解の基板製造装置１は、エッチング槽１１と、第１のリンス槽１２と、乾燥・洗浄槽１３と、第２のリンス槽１４と、乾燥槽１５と、搬送ロボット２０と、コントローラ１９０とを有する。
エッチング槽が本発明におけるエッチング手段の一実施態様に相当し、第１のリンス槽１２または第２のリンス槽１４が本発明における洗浄手段の一実施態様に相当し、乾燥・洗浄槽１３または乾燥槽１５が本発明における乾燥手段の一実施態様に相当する。また、搬送ロボット２０が本発明における搬送手段の一実施態様に相当し、コントローラ１９０が本発明における検出手段および判断手段の一実施態様に相当する。
また、後ほど詳述するが、乾燥槽１５には、圧電素子やロードセル等の、質量を測定する測定手段が設置される。
【００１３】
エッチング槽１１、第１のリンス槽１２、乾燥・洗浄槽１３、第２のリンス槽１４、および乾燥槽１５は、一例としてこの順で基板製造装置１に直列的に配置される。
搬送ロボット２０は、ロボットアーム２２が、伸縮可能、かつ、各槽の配置位置に応じて配設されているレール２１に沿って移動可能になっている。また、この搬送ロボット２０にコントローラ１９０が接続されており、ロボットアーム２２は、コントローラ１９０からの指令信号に基づいて、ＬＣＤ基板３０を収容したカセット２７を把持して各槽の間で搬送する。
【００１４】
図２が、ＬＣＤ基板３０の一例を示す図である。図２（ａ）が模式的な平面図を示しており、図２（ｂ）が図２（ａ）における断面Ｉ−Ｉから見た模式的な部分拡大断面図を示している。
図２（ａ），（ｂ）に示すように、ＬＣＤ基板３０は、２枚の基板３２，３２を有している。一例として、基板３２には、ホウ珪酸ガラスや石英ガラス等のガラス製の基板が用いられる。
【００１５】
ガラス基板３２には、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｈｉｎＯｘｉｄｅ）等の電極や、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、カラーフィルター、配向膜等の構成部材を用いて、画像表示のための画素が作り込まれた表示部３７が複数形成されている。
【００１６】
複数の表示部３７が形成されたガラス基板３２には、図示しないスペーサが散布される。その後、表示部３７の周囲にＬＣＤパネルシール剤３４を塗布して、表示部３７同士を対向させてガラス基板３２を貼り合わせて、２枚のガラス基板３２が組立てられる。
２枚のガラス基板３２間のギャップＧの大きさが、図示しないスペーサにより制御される。ギャップＧの大きさは、一例として約３μｍ〜６μｍである。
なお、ＬＣＤパネルシール剤３４には、一例として、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂等の樹脂材料が用いられる。
【００１７】
本実施形態においては、図２（ａ）に示すように、２枚のガラス基板３２は、縦方向と横方向にそれぞれたとえば１ｍｍ程度ずらせて組立てられる。したがって、表示部３７は、２枚のガラス基板３２をずらせて組立てたときに対向する位置に形成される。
以上により、ＬＣＤパネルシール剤３４によって区切られた表示部３７をそれぞれ有するＬＣＤパネル３０ａが、１つのＬＣＤ基板３０に、一度に複数形成される。
【００１８】
スクライブ・ブレーク法やレーザー分断法によってＬＣＤ基板３０から不要なガラス基板３２を分断することにより、複数のＬＣＤパネル３０ａを入手することができる。
なお、液晶は、ＬＣＤ基板３０を分断してＬＣＤパネル３０ａを得た後に、ＬＣＤパネル３０ａのＬＣＤパネルシール剤３４の開口部から、表示部３７間の空間３８に注入される。液晶注入後、封止用の樹脂により開口部を塞ぐことにより、ＬＣＤパネル２０ａに液晶が封止される。
【００１９】
ところで、ＬＣＤパネル３０ａの薄型化および軽量化のために、ガラス基板３２を薄くすることが望まれている。従来は、一例として、厚さＬが約０．７ｍｍのガラス基板３２を用いていた。ガラス基板３２間のギャップＧの大きさがガラス基板３２の厚さＬと比較して大幅に小さいことから、ＬＣＤパネル３０ａの厚さＷが、ガラス基板３２の厚さＬによって規定されると仮定すると、この場合には厚さＷは約１．４ｍｍとなる。
【００２０】
ＬＣＤパネル３０ａの薄型化・軽量化の点から、厚さＷは、一例として約１ｍｍかそれ以下にすることが望まれている。
また、ＬＣＤ基板３０の大きさが大きいほど、１つのＬＣＤ基板３０から得られるＬＣＤパネル３０ａの数が増え、生産効率が上がる。このため、ガラス基板３２としては、一例として、縦横の長さが７２０ｍｍ×６００ｍｍかそれ以上のものが用いられている。
しかしながら、ガラス基板３２の縦横の長さが６５０ｍｍ×５５０ｍｍ以上になると、厚さＬが０．６ｍｍ以下のガラス基板３２を製造することが非常に困難になる。このため、厚さＷがたとえば１ｍｍ以下のＬＣＤパネル３０ａを効率良く製造することができなかった。
【００２１】
本実施形態においては、たとえば７２０ｍｍ×６００ｍｍ以上の大きさのガラス基板３２を用いて作成されたＬＣＤ基板３０をエッチングして、ＬＣＤ基板３０ひいてはＬＣＤパネル３０ａの厚さＷを薄くする。
ＬＣＤ基板３０が、本発明における基板の一実施態様に相当する。
２枚のガラス基板３２を対向させて組立てたＬＣＤ基板３０をそのままエッチングすると、エッチング用の薬液や、洗浄用の純水がガラス基板３２間に入り込み、表示部３７を損傷させるおそれがある。このため、ＬＣＤ基板シール剤３６により、ガラス基板３２間の隙間を封止するように、ＬＣＤ基板３０の周囲をエッチング前に予めシールする。
ＬＣＤ基板シール剤３６としては、一例として、エポキシ樹脂や紫外線硬化樹脂等の硬化性樹脂を用いる。
【００２２】
上述のように周辺をシールされたＬＣＤ基板３０は、このＬＣＤ基板３０を１枚から複数枚収容可能な１個のカセット２７に収容される。一例として、２０枚程度のＬＣＤ基板３０が、２０ｍｍ程度の間隔で並列的に配置されて１個のカセット２７に収容される。
ＬＣＤ基板３０を収容したカセット２７は、同様にＬＣＤ基板３０を収容した複数のカセット２７が保管されている図示しないローディング部から、搬送ロボット２０のロボットアーム２２によって把持されて、基板製造装置１内に搬送される。
【００２３】
基板製造装置１内に搬送されたＬＣＤ基板３０は、まず乾燥槽１５まで搬送され、そこで質量が測定される。図１に示すように、乾燥槽１５の槽内の底部にはロードセル２００が設置されている。ＬＣＤ基板３０を収容したカセット２７がロードセル２００上に載置されて、その質量が測定される。
【００２４】
ロードセル２００によって測定されて得られた質量は、コントローラ１９０に送信される。
コントローラ１９０は、ワークステーション等のコンピュータによって実現される。コントローラ１９０は、入手した質量を図示しないメモリ等の記憶手段に記憶する。その際に、入手した質量をそのまま記憶してもよいし、あらかじめ測定されて得られているカセット２７の質量の値を差し引いて、ＬＣＤ基板３０の質量の値のみを記憶してもよい。以下では、一例として、ＬＣＤ基板３０の質量のみを記憶するものとする。
質量入手後、コントローラ１９０は、搬送ロボット２０に指令信号を出力して、カセット２７ごとＬＣＤ基板３０をエッチング槽１１まで搬送させる。
【００２５】
エッチング用の薬液としては、たとえば、フッ化水素の水溶液であるフッ化水素酸、即ちフッ酸を用いる。エッチング槽１１には、一例として１５質量％のフッ酸２５が蓄えられている。
エッチング槽１１まで搬送されたＬＣＤ基板３０は、ロボットアーム２２によってカセット２７ごとフッ酸２５に浸漬される。カセット２７は、カセット２７内のＬＣＤ基板３０へ外部からアクセスし易いように、ＬＣＤ基板３０を取り囲む周囲の面が、たとえば格子状のように開口している。
フッ酸２５が、ＬＣＤ基板３０のうちのガラス基板３２と反応してガラス基板３２がエッチングされ、ＬＣＤ基板３０の厚さＷが薄くなる。
【００２６】
所定の温度のフッ酸２５で所定時間エッチングを行なうことにより、所望の厚さＷのＬＣＤ基板３０が得られる。
エッチングされたＬＣＤ基板３０は、ロボットアーム２２によりカセット２７ごと次の第１のリンス槽１２へ搬送される。
【００２７】
なお、フッ酸２５には、エッチングにより濃度変化や不純物の混入が生じる。このため、フッ酸２５はエッチング時間やエッチング枚数等のパラメータにより管理され、使用済みのフッ酸２５は、エッチング槽１１から図示しないエッチング液再生槽へ導かれ、リサイクルすることが可能になっている。
フッ酸２５の入換えの際には、エッチング液再生槽おいて不純物が取り除かれ、濃度を再調整されたリサイクル済のフッ酸２５が、エッチング液再生槽からエッチング槽１１へ供給される。ただし、ある程度の大きさの不純物を取り除き、濃度を調整したとしても、リサイクルされたフッ酸は、リサイクル前のフッ酸２５とは組成が変化している場合がある。このため、ガラス基板３２を同じ量エッチングする場合にも、反応温度や時間は変化する場合がある。
【００２８】
第１のリンス槽１２には、純水が蓄えられている。カセット２７に収容されているＬＣＤ基板３０は、ロボットアーム２２により純水中に浸漬されて洗浄される。これにより、ＬＣＤ基板３０からフッ酸が除去される。
純水を、流水にしてＬＣＤ基板３０を洗浄するようにしてもよいし、シャワーによってＬＣＤ基板３０に噴射することも可能である。
また、純水に加えて、Ｎ_２（窒素）ガスや乾燥空気（ドライエアー）をＬＣＤ基板３０に噴射するようにしてもよい。これにより、洗浄効率が向上する。
【００２９】
第１のリンス槽１２においてフッ酸２５がすすぎ落とされたＬＣＤ基板３０は、ロボットアーム２２によってカセット２７ごと乾燥・洗浄槽１３内に搬送される。
乾燥・洗浄槽１３においては、まず、図示しない温風送出装置から、ＬＣＤ基板３０に向けて温風ＨＡを送出して、ＬＣＤ基板３０を乾燥させる。これにより、フッ酸２５とガラス基板３２との反応により生成されていた反応生成物を析出させる。
フッ酸２５とガラス基板３２との反応により、たとえば、コロイダルシリカの集合体や、フッ化物や水酸化物が生成されると考えられる。これらの反応生成物は、たとえば白粉状となって析出する。
【００３０】
本実施形態においては、乾燥・洗浄槽１３にさらに図示しないドライエアー送出装置および純水噴射装置を設けている。ドライエアー送出装置および純水噴射装置による、ＬＣＤ基板３０へのドライエアーＤＡの噴射および純水ＷＳのシャワーにより、ＬＣＤ基板３０およびカセット２７から、析出物４５の一部を除去することができる。
ドライエアーＤＡと純水ＷＳによっては、比較的大きな析出物４５を除去することができる。
【００３１】
乾燥・洗浄槽１３において除去しきれなかった比較的小さい析出物４５は、次の第２のリンス槽１４において除去する。
第２のリンス槽１４には純水ＷＴが蓄えられている。純水ＷＴは、ＬＣＤ基板３０から除去した析出物４５を含む不要物のＬＣＤ基板３０への再付着防止の観点から、流水として第２のリンス槽１４に供給されることが好ましい。この純水ＷＴ中に、ＬＣＤ基板３０およびカセット２７が浸漬される。
【００３２】
また、第２のリンス槽１４の内部には、図１に示すように、超音波発生部１８が設置されている。超音波発生部１８は、一例として、カセット２７に収容されたＬＣＤ基板３０を、側面から挟んで対向するように配置される。
超音波発生部１８からは超音波ＵＳがＬＣＤ基板３０およびカセット２７に向けて照射される。超音波ＵＳの振動作用により、乾燥・洗浄槽１３においては除去しきれなかった細かな析出物４５をも除去することができる。
【００３３】
第２のリンス槽１４において、析出した生成物４５が除去されたＬＣＤ基板３０およびカセット２７は、ロボットアーム２２によって、再び乾燥槽１５内へ搬送され、乾燥槽１５の底部に設置されているロードセル２００上に載置される。
乾燥槽１５には、乾燥・洗浄槽１３と同様に温風送出装置が設置されており、この温風送出装置からの温風ＨＡにより、カセット２７およびＬＣＤ基板３０が乾燥される。
【００３４】
ロードセル２００からは、エッチングされたＬＣＤ基板３０を収容したカセット２７の質量がコントローラ１９０に送信される。
コントローラ１９０は、送信された質量からカセット２７の質量を差し引いて、エッチングされたＬＣＤ基板３０の質量のみを入手し、このＬＣＤ基板３０の質量を用いて、ＬＣＤ基板３０のエッチング量を検出する。
以下、ＬＣＤ基板３０の質量を用いたエッチング量の検出原理について詳細に述べる。
【００３５】
図３（ａ）〜（ｃ）が、エッチング量の検出原理について述べるための図である。
図３（ａ）に示すように、ロードセル２００によって測定したエッチング前のＬＣＤ基板３０の質量をＸ_Ｗとする。また、図３（ｂ）に示すように、同様にロードセル２００によって測定したエッチング後のＬＣＤ基板３０の質量をＹ_Ｗとする。
このとき、コントローラ１９０は、図３（ｃ）に示すような、ガラス基板３２のうちのエッチングされた部分３０ｂの質量Ｚ_Ｗを、Ｚ_Ｗ＝Ｘ_Ｗ−Ｙ_Ｗとして算出する。
質量Ｘ_Ｗが、本発明における基準質量の一実施態様に相当する。
【００３６】
算出された質量Ｚ_Ｗが、ＬＣＤ基板３０のエッチング量となる。ただし、所望の厚さのＬＣＤ基板３０を得るためには、この質量Ｚ_Ｗによりガラス基板３２、ひいてはＬＣＤ基板の厚さがどの程度変化するかを明らかにしておくことが重要である。
したがって、以下では、ＬＣＤ基板３０を所望の厚さにするためには、質量Ｚ_Ｗ、すなわち質量Ｙ_Ｗをいくらにすればよいかを、図４を参照しながら数値例を挙げてさらに詳細に述べる。
【００３７】
図４（ａ）は、図２（ａ）と同様のＬＣＤ基板３０の模式的な平面図であり、図４（ｂ）はその模式的な断面図である。
一例として、図４（ａ）に示すガラス基板３２の縦方向の長さＨを７２０ｍｍとし、横方向の長さＡを６００ｍｍとする。また、ガラス基板３２の厚さＬをたとえば０．７ｍｍとする。
前述のように、対向するガラス基板３２間のギャップの大きさは無視するものとし、ガラス基板３２を０．２ｍｍずつエッチングして、ＬＣＤ基板３０全体の厚さＷを、１．４ｍｍから１．０ｍｍにする場合を考える。
この場合、ガラス基板３２の板厚方向のエッチング厚さＴＨ１と、周辺部におけるエッチング厚さＴＨ２は、ともに０．２ｍｍとなる。
ただし、１対のガラス基板３２の対向面は、ＬＣＤ基板シール剤３６によってシールされているためにエッチングされない。
【００３８】
エッチング厚さＴＨ１が０．２ｍｍの場合に、１枚のＬＣＤ基板３０のガラス基板３２の板厚方向におけるエッチング量は、面積が７２０ｍｍ×６００ｍｍの面を、２枚でのべ０．４ｍｍエッチングするため、ガラスの密度を一例として２．５１（ｇ／ｃｍ^３）とすれば、以下のように、約４３４ｇとなる。
【００３９】
【数１】
７２×６０×０．０４×２．５１＝４３３．７２８（ｇ）・・・（１）
【００４０】
ＬＣＤ基板３０の周辺方向においては、１枚のガラス基板３２の周辺の長さが（７２＋６０）×２（ｃｍ）である。この長さを、２枚のガラス基板３２でのべ１ｍｍの幅にわたって０．２ｍｍの厚さ分エッチングする。
したがって、１枚のＬＣＤ基板３０の周辺部におけるエッチング量は、以下のように約１．３３ｇとなる。
【００４１】
【数２】
（７２＋６０）×２×０．０２×０．１０×２．５１＝１．３２５２８（ｇ）・・・（２）
【００４２】
以上により、厚さＷが約１．４ｍｍのＬＣＤ基板３０を約１．０ｍｍの厚さにしたときにエッチングされるガラスの量は、１枚のＬＣＤ基板３０当たり約４３５（ｇ）（≒４３３．７２８＋１．３２５２８）となる。
したがって、カセット２７にＬＣＤ基板３０をたとえば２０枚収容して１度にエッチングする場合には、エッチングされるガラスの量、即ち質量Ｚ_Ｗは、４３５．０５×２０で、のべ約８７０１ｇとなる。
【００４３】
エッチング前に乾燥槽１５において測定したＬＣＤ基板３０の２０枚分ののべ質量Ｘ_Ｗが、たとえば３０３６０ｇであったとする。このとき、ＬＣＤ基板３０の１枚の質量は、１５１８ｇとなる。なお、この値は、７２×６０×０．０７×２．５１×２からも計算できる。
したがって、下記（３）式から、２０枚のＬＣＤ基板３０のエッチング後の質量Ｙ_Ｗが２１６５９ｇになるまでエッチングすれば、１枚のＬＣＤ基板３０の厚さＷが平均して１．０ｍｍとなることが分かる。
【００４４】
【数３】
Ｙ_Ｗ＝Ｘ_Ｗ−Ｚ_Ｗ＝３０３６０−８７０１＝２１６５９（ｇ）・・・（３）
【００４５】
上記（１）式から、ＬＣＤ基板３０の板厚方向に寄与するエッチング量は、４３３．７２８×２０により、２０枚分でのべ８６７４．５６ｇである。このとき、１枚のＬＣＤ基板３０は、両面でのべ０．４ｍｍエッチングされている。
したがって、ＬＣＤ基板３０を２０枚一度にエッチングする場合に、１枚のＬＣＤ基板３０を１μｍエッチングしたときのガラスの質量は、８６７４．５６（ｇ）／４００（μｍ）＝２１．７（ｇ／μｍ）となる。
【００４６】
ここで、ロードセル２００の測定精度を±１００ｇとする。このとき、測定誤差は最大で２００ｇとなる。したがって、２００（ｇ）／２１．７（ｇ／μｍ）≒９．２２（μｍ）より、ロードセル２００を用いてＬＣＤ基板３０の質量を測定して、１枚のＬＣＤ基板３０を両面で０．４ｍｍエッチングする場合には、最大約±４．６μｍ、即ち１．１５％の誤差が生じる可能性があることが分かる。
ガラス基板３２のエッチング誤差は、一例として５％〜７％は許容可能である。したがって、本実施形態のようにロードセル２００を用いてＬＣＤ基板３０のエッチング量を算出することにより、実用上十分な精度を得ることができる。さらに高精度なロードセル、または他の質量測定手段を用いれば、さらに高精度にエッチング量を検出可能であることは言うまでもない。
【００４７】
コントローラ１９０は、エッチング後のＬＣＤ基板３０がカセット２７ごとロードセル２００上に載置された場合に、ロードセル２００から質量Ｙ_Ｗを入手して、上述の原理に基づいてエッチング量を検出する。
そして、コントローラ１９０は、検出したエッチング量が、所定の規定範囲内であるかどうかを判断する。エッチング量が規定範囲外であり、エッチング不足であると判断した場合には、コントローラ１９０は搬送ロボット２０に指令信号を出力し、乾燥槽１５におけるロードセル２００上のＬＣＤ基板３０をカセット２７ごとエッチング槽１１まで搬送させ、ＬＣＤ基板３０を再度エッチングさせる。
【００４８】
たとえば、測定した質量Ｙ_Ｗが２２７６５ｇであったとする。したがって、この場合には質量Ｚ_Ｗは、３０３６０−２２７６５＝７５９５（ｇ）となる。このとき、１枚のＬＣＤ基板３０が板厚方向にのべどの程度エッチングされたかを計算すると、７５９５／２１．７＝３５０（μｍ）＝０．３５（ｍｍ）となる。この値は、エッチング量の目標値である０．４ｍｍよりも少ない。また、エッチング誤差は５０μｍであり、これは、許容誤差を７％としたときの値２８μｍよりも大きく、この場合のＬＣＤ基板３０のエッチング量は、規定範囲外にある。
したがって、コントローラ１９０はこのＬＣＤ基板３０を再エッチングさせる。
【００４９】
コントローラ１９０は、算出した質量Ｚ_Ｗと、目標とするエッチング量の値８７０１ｇから、追加エッチング量を、８７０１−７５９５＝１１０６（ｇ）と算出する。上記の目標とするエッチング量の値は、コントローラ１９０の図示しないメモリ等の記憶手段に記憶させておけばよい。
【００５０】
ところで、エッチング量は、薬液（フッ酸２５）の温度や、時間等の様々なパラメータによって管理することが可能である。しかし、本実施形態のように、予めある程度エッチングしており、追加のエッチング量が最初のエッチング量と比較して微小である場合には、追加エッチング量はエッチング時間によって管理することが好ましい。その理由は、エッチング温度がフッ酸２５のリサイクル回数の影響を受けやすく、条件により変化する追加エッチング量を管理することが困難であるのに対し、エッチング時間はリサイクル回数にあまり影響されず、精密な追加エッチング時間を算出することが温度の場合よりも容易であるためである。
【００５１】
図５は、フッ酸２５によってガラス基板３２をエッチングした場合の、エッチング時間とエッチング量との関係を、フッ酸２５のリサイクル回数別に表わしたグラフである。
図５において、横軸がエッチング量Ｘを表わしており、縦軸がエッチング時間Ｙを表している。
図５に示すように、フッ酸２５を用いてガラス基板３２をエッチングしたときのエッチング量Ｘとエッチング時間Ｙとの関係は、フッ酸２５のリサイクル回数に応じた異なる関数Ｙ＝ｆｉ（Ｘ）（ただし、ｉ＝０，１，２，…，ｎ）として表わされる。
この関数Ｙ＝ｆｉ（Ｘ）は、たとえば、リサイクル回数の異なるフッ酸２５を用いて実際にＬＣＤ基板３０をエッチングし、エッチング時間とエッチング量のデータを実際に採取することにより、実験的に得ることができる。
【００５２】
上記の関数Ｙ＝ｆｉ（Ｘ）は、たとえばコントローラ１９０のメモリに蓄えておく。コントローラ１９０は、入力されるリサイクル回数の情報と、それに応じた関数Ｙ＝ｆｉ（Ｘ）とにより、追加エッチング量ＶＥに応じた追加エッチング時間ＶＴを算出する。
コントローラ１９０は、エッチング槽１１中に搬送したＬＣＤ基板３０を、追加エッチング時間ＶＴ経過後引き上げさせる指令信号を、搬送ロボット２０に対して送信する。これにより、所望の厚さＷのＬＣＤ基板３０を得ることができる。
【００５３】
再エッチングが終了したＬＣＤ基板３０は、再び第１のリンス槽１２、乾燥・洗浄槽１３、第２のリンス槽１４、乾燥槽１５の順に搬送され、そこで再び洗浄および乾燥される。乾燥槽１５において、再エッチングされたＬＣＤ基板３０の質量をロードセル２００によってもう一度測定する。コントローラ１９０は、再エッチングされたＬＣＤ基板３０の質量に基づいて、エッチング量を再度検出する。
【００５４】
ロードセル２００によってＬＣＤ基板３０の質量を測定した結果得られたエッチング量が、所定のエッチング誤差量の範囲、またはその範囲より多過ぎてオーバーエッチングされた場合には、ＬＣＤ基板３０はロボットアーム２２によってカセット２７ごと図示しないアンロード部から基板製造装置１の外部へ搬出される。オーバーエッチングされたＬＣＤ基板３０は、規格外品としてたとえば廃棄する。
再エッチングした場合にもまだエッチング量が不足していると判断した場合には、コントローラ１９０は、エッチングから質量測定までの工程を、エッチング不足が解消されるまで繰り返す。
【００５５】
以上の工程をプロセスフロー図としてまとめると、図６のようになる。
まず、前工程において製造されたＬＣＤ基板３０がカセット２７ごと基板製造装置１内に搬入される。搬入されたＬＣＤ基板３０は、乾燥槽１５において、ロードセル２００によって質量が測定される（ステップＳＴ１）。
ただし、前工程における製造精度が高く、エッチング前のＬＣＤ基板３０の質量がほぼ一定である場合には、ＬＣＤ基板３０の質量を予めコントローラ１９０に入力しておき、ステップＳＴ１を省略することも可能である。
質量が測定された後に、ＬＣＤ基板３０はエッチング槽１１に搬送され、たとえばフッ酸によってエッチングされる（ステップＳＴ２）。
【００５６】
エッチング終了後には、ＬＣＤ基板３０は第１のリンス槽１２へ搬送され、少なくとも純水によってリンスし、エッチング薬液（フッ酸）が除去されるようにする（ステップＳＴ３）。
リンス後、乾燥・洗浄槽１３において、まず、たとえば温風ＨＡによってＬＣＤ基板３０を乾燥させ、反応生成物を析出させる。
その後、析出した生成物４５を、ドライエアーＤＡの噴射や純水ＷＳのシャワーによって除去する（ステップＳＴ４）。
これにより、比較的大きな析出物４５が除去される。
【００５７】
乾燥・洗浄槽１３における洗浄後、第２のリンス槽１４においてＬＣＤ基板３０ならびにカセット２７をさらに超音波洗浄する（ステップＳＴ５）。
超音波を用いて洗浄することにより、ステップＳＴ４における純水ＷＳやドライエアーＤＡでは除去しきれなかった細かな析出物４５を、ＬＣＤ基板３０ならびにカセット２７から除去することができる。
【００５８】
超音波洗浄後のＬＣＤ基板３０は、乾燥槽１５においてたとえば温風ＨＡによって乾燥されるとともに、ロードセル２００によって質量が測定される。（ステップＳＴ６）
コントローラ１９０は、入手した測定質量に基づいて、ＬＣＤ基板３０のエッチング量を検出し、ＬＣＤ基板３０が規定量エッチングされたかどうかを判断する（ステップＳＴ７）。
コントローラ１９０は、エッチング量が規定の範囲外であり、エッチング不足であると判断した場合には、ＬＣＤ基板３０を再度エッチングする必要があると判断する。この場合には、ステップＳＴ２に戻り、ステップＳＴ２〜７の、エッチング、洗浄、乾燥、質量測定のステップを、エッチング量が規定範囲内に入るまで繰り返す。
コントローラ１９０は、ステップＳＴ７において、ＬＣＤ基板３０のエッチング量が規定の範囲内に入っており、エッチングを再度行なう必要がないと判断した場合には、次工程に進む。
第１回目のエッチング工程におけるエッチング量は、オーバーエッチングを防止するために、目標量よりもある程度小さくされる。しかし、第１回目のエッチング工程後の質量測定によりオーバーエッチングと判断された場合、または第２回目以降のエッチングによりオーバーエッチングが生じた場合には、その時点でＬＣＤ基板３０は基板製造装置１の外部へ搬出される。
【００５９】
ステップＳＴ７において、エッチング量が規定範囲内に収まったと判断した場合には、コントローラ１９０は、洗浄・乾燥を含むＬＣＤ基板３０のエッチング処理を終了させて、アンロード部からＬＣＤ基板３０を基板製造装置１の外部へ搬出させる（ステップＳＴ８）。
【００６０】
以上のように、本第１実施形態によれば、ＬＣＤ基板３０を、容易かつ確実に所定量エッチングすることができる。
その際に、ロードセル２００を用いてエッチング量を検出するため、実用上十分なエッチング精度を簡単な構造により得ることができる。したがって、基板製造装置１のコスト上昇を抑制可能であり、コストパフォーマンスに優れたＬＣＤ基板３０を提供することができる。
また、エッチング量を制御するためには、薬液の温度やエッチング時間等のパラメータを細かく精密に管理する必要があったが、本実施形態のようにＬＣＤ基板３０の質量測定を併用することにより、これらのパラメータの管理を大幅に簡略化することができる。
さらに、実際のエッチング量を検出してエッチングを進めることができるため、同一の基板製造装置においてエッチング処理されるＬＣＤ基板３０の、バッチごとの製造精度のバラツキを抑制し、ＬＣＤ基板３０の製造精度を大幅に向上させることができる。
また、ＬＣＤ基板３０の厚さを実際に計測するわけではないため、複雑な形状のエッチング対象物に対しても、エッチング量を高精度に検出することができる。
【００６１】
第２実施形態
第１実施形態においては、ロードセル２００は、乾燥槽１５の内部に設置されていたが、ロードセル２００の設置対象は乾燥槽１５に限らない。
以下の第２実施形態では、エッチング槽１１から乾燥槽１５までが収容されている装置とは別な領域にロードセル２００が設置されている場合について述べる。
【００６２】
図７が、本発明に係る基板製造装置の第２実施形態の概略構成図である。図７に図解の基板製造装置１０は、エッチング処理装置１０Ｅと、搬送ロボット２０Ａと、コントローラ１９０と、ロードセル２００とを有している。
エッチング処理装置１０Ｅは、第１実施形態における基板製造装置１に相当し、エッチング槽１１と、第１のリンス槽１２と、乾燥・洗浄槽１３と、第２のリンス槽１４と、乾燥槽１５と、搬送ロボット２０とを有している。これらは、第１実施形態の場合と機能・構成が同じであるため、同一構成要素には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。ただし、本第２実施形態における乾燥槽１５には、ロードセル２００は設置されていない。
【００６３】
本第２実施形態においては、ロードセル２００は、エッチング処理装置１０Ｅとは異なる領域に設置される。ただし、作業の効率化のために、ロードセル２００はエッチング処理装置１０Ｅ近傍に設置されることが好ましい。
ロードセル２００には、第１実施形態の場合と同様にコントローラ１９０が接続される。ロードセル２００およびコントローラ１９０の機能も第１実施形態の場合と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００６４】
コントローラ１９０はさらに搬送ロボット２０Ａに接続され、搬送ロボット２０Ａに対して指令信号を出力する。
搬送ロボット２０Ａは、ロードセル２００とエッチング処理装置１０Ｅとの間に配設されたレール２１Ａに沿って移動するロボットアーム２２Ａを有する。搬送ロボット２０Ａは、コントローラ１９０からの指令信号を受けて、ＬＣＤ基板３０が所定枚数収容されたカセット２７を、ロボットアーム２２Ａによって把持し、ロードセル２００とエッチング処理装置１０との間で搬送させる。
この場合には、搬送ロボット２０Ａと、エッチング処理装置１０Ｅ内部の搬送ロボット２０は別体となっているが、両者を一体化することも可能である。
【００６５】
本第２実施形態においては、ＬＣＤ基板３０のエッチング前に、ロボットアーム２２ＡによってＬＣＤ基板３０をカセット２７ごと図示しないローディング部から搬出し、エッチング処理装置１０Ｅ外部のロードセル２００上に載置させる。
ロードセル２００により、ＬＣＤ基板３０の質量が測定される。
【００６６】
質量測定後に、ＬＣＤ基板３０はロボットアーム２２Ａによって把持されて、エッチング処理装置１０Ｅ内に搬入される。
エッチング処理装置１０Ｅ内においては、ＬＣＤ基板３０はロボットアーム２０によって搬送されて、第１実施形態と同様にエッチング槽１１におけるエッチングから乾燥槽１５における乾燥までのエッチング処理が行なわれる。
【００６７】
エッチングおよび乾燥後に、コントローラ１９０は搬送ロボット２０Ａに指令信号を出力して、ＬＣＤ基板３０およびカセット２７をエッチング処理装置１０Ｅから搬出して、ロードセル２００上に載置させる。
これにより、エッチングされたＬＣＤ基板３０の質量が測定される。
測定したＬＣＤ基板３０の質量に基づいてエッチング量を検出し、コントローラ１９０によりエッチング量および再エッチングの必要性があるか否かを判断して、エッチング量が規定範囲内に収まるまでエッチングおよび質量測定を繰り返させる手順は、第１実施形態の場合と同様である。
なお、エッチング後のＬＣＤ基板３０の質量測定は、乾燥槽１５における乾燥後に限らず、任意のエッチング処理後に行なうことも可能である。
【００６８】
以上のように、本第２実施形態においても、ＬＣＤ基板３０のエッチング量を所定の精度で制御することができ、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。その際に、ＬＣＤ基板３０をわざわざ乾燥槽１５まで搬送して質量を測定する必要がないため、ＬＣＤ基板３０の搬送作業を簡略化することができる。また、エッチング処理プロセス中の任意の工程において質量を測定することができるため、プロセス設計の自由度が増す。
さらに、たとえば乾燥槽１５において、あるＬＣＤ基板を乾燥中にも、ロードセル２００において他のＬＣＤ基板の質量を測定することも可能になるため、生産性を向上させることができる。
【００６９】
変形形態
図８に、本発明に係る基板製造装置の変形形態の概略構成図を示す。図８に図解の基板製造装置１００においては、第１のリンス槽１２内にロードセルを設置しており、そのロードセルにコントローラ１９０が接続されている。
それ以外の基板製造装置の構成および機能は第１実施形態の場合と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００７０】
また、図８に図解の基板製造装置１００においては、ロードセル２００よりも小型のロードセル２１０を複数用いている。個々のロードセル２１０が本発明における測定部の一実施態様に相当し、複数のロードセル２１０により、１つの測定手段が構成される。
ＬＣＤ基板３０をリンスする場合には、ＬＣＤ基板３０が収容されたカセット２７を第１のリンス槽１２中の所定の位置に配置する必要がある。複数のロードセル２１０を、カセット２７の配置位置に設置しておくことにより、カセット２７の位置決めと質量測定を同時に行なうことが可能になる。
【００７１】
ロードセル２１０を第１のリンス槽１２に設置した場合には、エッチング量の制御のためのプロセスフロー図は、図９のようになる。
前工程において製造されたＬＣＤ基板３０は、カセット２７ごと基板製造装置１００内に搬入され、第１のリンス槽１２において、ロードセル２１０によって質量が測定される（ステップＳＴ２１）。
この場合にも、エッチング前のＬＣＤ基板３０の質量がほぼ一定であれば、ＬＣＤ基板３０の質量を予めコントローラ１９０に入力しておき、ステップＳＴ２１を省略することも可能である。
【００７２】
質量測定後のＬＣＤ基板３０はエッチング槽１１に搬送され、フッ酸によってエッチングされる（ステップＳＴ２２）。
エッチング終了後には、ＬＣＤ基板３０は第１のリンス槽１２へ搬送され、少なくとも純水によってリンスし、エッチング薬液（フッ酸）が除去されるようにする。また、フッ酸２５の除去とともに、エッチング後のＬＣＤ基板３０の質量もロードセル２１０によって測定される。（ステップＳＴ２３）。
【００７３】
第１のリンス槽１２には純水が蓄えられていることにより、ＬＣＤ基板３０をロードセル２１０によって測定した場合の質量と、純水が存在しない場合に測定した場合の質量とは異なる。本実施形態においては、コントローラ１９０によって、ＬＣＤ基板３０と純水の密度差から、質量差を補正するようにしておくことにより、エッチング量に誤差が発生することを防止することができる。
また、第１のリンス槽１２におけるリンス時点では、エッチングによる反応生成物の一部がＬＣＤ基板３０に付着している可能性がある。しかしながら、このような反応生成物の質量は、ＬＣＤ基板３０の質量と比較して小さいため、エッチング精度に与える影響は無視できる程度に小さいと考えられる。
【００７４】
コントローラ１９０は、入手した測定質量に基づいて、ＬＣＤ基板３０のエッチング量を検出し、ＬＣＤ基板３０が規定量エッチングされたかどうかを判断する（ステップＳＴ２４）。
エッチング不足であり、再エッチングが必要であると判断した場合にはステップＳＴ２２へ戻り、コントローラ１９０はＬＣＤ基板３０のエッチングおよび質量測定のステップを、エッチング量が規定範囲内に入るまで繰り返させる。
コントローラ１９０は、ステップＳＴ２４において、ＬＣＤ基板３０のエッチング量が規定の範囲内に入っており、再エッチングの必要がないと判断した場合には、次工程に進む。
【００７５】
次の工程は図６のステップＳＴ４およびＳＴ５と同じであり、乾燥・洗浄槽１３において、比較的大きい析出物４５を含む不要物が除去され（ステップＳＴ２５）、第２のリンス槽１４において細かな析出物４５を含む細かな不要物が超音波を用いて除去される（ステップＳＴ２６）。
規定量エッチングされた後に洗浄されたＬＣＤ基板３０は、乾燥槽１５に搬送されて乾燥される（ステップＳＴ２７）。
【００７６】
以上のように、所望の厚さＷとなったＬＣＤ基板３０は、ロボットアーム２２によって基板製造装置１００の外部に搬出されて、ＬＣＤ基板３０のエッチング処理が終了する（ステップＳＴ２８）。
なお、第１実施形態の場合と同様に、エッチング後の質量測定によってオーバーエッチングされたと判断されたＬＣＤ基板３０は、その時点において規格外品として搬出される。
【００７７】
図８に図解の基板製造装置１００の場合には、第２実施形態の場合よりもさらにエッチング処理のタクトタイムを短縮することができ、生産性を向上可能である。
また、ロードセルにかかる荷重が分散されるため、耐荷重性は低くとも高精度なロードセルを使用することが可能になり、エッチング精度のさらなる向上を図ることもできる。
なお、ロードセル２１０またはロードセル２００は、第１のリンス槽１２以外の、エッチング槽１１、乾燥・洗浄槽１３、第２のリンス槽１４のいずれにも設置することが可能である。その場合にも、第２実施形態と比較した場合のタクトタイムの減少および生産性向上の効果がある。
【００７８】
エッチング槽１１にロードセルを設置する場合には、フッ酸２５によってロードセルが損傷を受ける可能性がある。このため、たとえばステンレスのようなＳＵＳ鋼を用いてロードセルを構成することが好ましい。
ロードセルに耐酸性を付与しない場合には、図１０に図解のような構造のロードセルを用いることにより、ＬＣＤ基板３０のエッチング中にもその質量を測定することが可能になる。
【００７９】
たとえば、図１０（ａ）に示すように、エッチング槽１１の両側に土台１１ａを設け、土台１１ａに測定部としてのロードセル２２０を設置する。
２つのロードセル２２０をつないで接続された耐酸性のロープ等の吊り下げ部材に載置板１１５を設置する。この載置板を、たとえば滑車ＷＨを介してエッチング槽１１内部に懸垂させて配置する。載置板１１５が、本発明における載置部の一実施態様に相当する。
載置板１１５上に、図示しないカセットに収容されたＬＣＤ基板３０を載置することにより、ＬＣＤ基板３０の質量を測定することができる。
【００８０】
または、図１０（ｂ）に図解の構造によっても、エッチングしながらＬＣＤ基板３０の質量を測定することができる。
図１０（ｂ）に図解の場合には、エッチング槽１１内の底部に、載置板１１７が配置されている。載置板１１７も、本発明における載置部の一実施態様に相当する。
載置板１１７には支持棒１１８が接続されている。支持棒１１８は、載置板１１７から、エッチング槽１１の底部を貫通して、エッチング槽１１の外部まで伸びている。
支持棒１１８の、載置板１１７が接続されている端部とは反対側の端部に、ロードセル２００が接続されている。なお、エッチング槽１１と支持棒１１８の境界は、パッキン等の封止手段により封止することが、エッチング薬液の漏れを防ぐために好ましい。
載置板１１７上に、図示しないカセットに収容されたＬＣＤ基板３０を載置することにより、ＬＣＤ基板３０の質量を測定することができる。
【００８１】
以上の構成により、エッチングにともなうＬＣＤ基板３０の質量変化を、リアルタイムに測定することができる。したがって、タクトタイムをさらに低減可能であり、生産性をさらに向上させることも可能である。また、エッチング精度をさらに向上させることもできる。
なお、図１０（ａ），（ｂ）に図解のように構造されるロードセルは、エッチング槽１１に限らず、その他の槽に設置することも可能である。このように槽の外部にロードセルを設置した場合には、ロードセルの保守・点検、交換等の作業が容易になる。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。
たとえば、ＬＣＤ基板３０の質量を測定した際に、予想される範囲よりも大きい質量変化が検出された場合には、たとえばガラス基板３２の欠けや割れ等の損傷が発生したとして、アラームを発生するようにしてもよい。
【００８３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、構造が簡単であり、所定の精度で容易に基板のエッチング量を検出可能な基板製造装置を提供することができる。
また、本発明によれば、所定の精度で容易に基板のエッチング量を検出可能な基板製造方法を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係る基板製造装置の第１実施形態の概略構成図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、本発明に係るＬＣＤ基板の一例を示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るエッチング量の検出原理について述べるための図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、図２（ａ），（ｂ）と同じＬＣＤ基板を示す模式図である。
【図５】図５は、フッ酸によってガラス基板をエッチングした場合の、エッチング時間とエッチング量との関係を、フッ酸のリサイクル回数別に表わしたグラフである。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る基板製造方法の一例を示すプロセスフロー図である。
【図７】図７は、本発明に係る基板製造装置の第２実施形態の概略構成図である。
【図８】図８は、本発明に係る基板製造装置の変形形態の概略構成図である。
【図９】図９は、本発明の異なる実施形態に係る基板製造方法の一例を示すプロセスフロー図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、槽の外部にロードセルを設置する場合の設置例を示す図である。
【符号の説明】
１，１０，１００…基板製造装置、１０Ｅ…エッチング処理装置、１１…エッチング槽、１２…第１のリンス槽、１３…乾燥・洗浄槽、１４…第２のリンス槽、１５…乾燥槽、１８…超音波発生部、２０，２０Ａ…搬送ロボット、２１，２１Ａ…レール、２２，２２Ａ…ロボットアーム、２５…フッ酸（フッ化水素酸）、２７…カセット、３０…ＬＣＤ基板、３０ａ…ＬＣＤパネル、３２…ガラス基板、３４…ＬＣＤパネルシール剤、３６…ＬＣＤ基板シール剤、３７…表示部、４５…析出反応生成物（析出物）、１９０…コントローラ、２００，２１０…ロードセル、ＵＳ…超音波

Claims

所定の薬液によって基板をエッチングするエッチング手段と、
前記エッチング手段によりエッチングされた前記基板の質量を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された、エッチング後の前記基板の質量と、所定の基準質量とに基づいて、前記基板のエッチング量を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された前記エッチング量に基づいて、前記基板のエッチングを再度行なう必要があるか否かを判断する判断手段と
を有する基板製造装置。
指令信号に基づいて、前記エッチング手段と前記測定手段との間で前記基板を搬送する搬送手段をさらに有し、
前記判断手段は、検出した前記エッチング量が所定の規定範囲外である場合には、前記指令信号を前記搬送手段に出力して、前記基板を前記エッチング手段により再度エッチングさせ、当該基板を前記測定手段まで搬送させて、エッチング量の再検出を行なわせる。
請求項１に記載の基板製造装置。
前記判断手段は、前記基板の前記エッチング手段によるエッチングおよび当該基板の前記測定手段までの搬送後のエッチング量の検出を、検出した当該エッチング量が前記規定範囲内になるまで繰り返させる
請求項２に記載の基板製造装置。
前記測定手段は前記エッチング手段に設置され、前記測定手段は、前記基板のエッチングの進行にともなって変化する質量を測定する
請求項１に記載の基板製造装置。
前記エッチング手段に設置される前記測定手段は、
前記エッチング手段のエッチング槽の外部の両側に設置される測定部と、
前記測定部に連結されて、前記エッチング槽の内部に懸垂されて配置され、前記基板が載置される載置部と
を有する請求項４に記載の基板製造装置。
前記エッチング手段によりエッチングされた前記基板を洗浄する洗浄手段をさらに有し、
前記測定手段は、前記洗浄手段によって洗浄される前記基板の質量を測定する
請求項１に記載の基板製造装置。
エッチング後に洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥手段をさらに有し、
前記測定手段は、前記乾燥手段によって乾燥される前記基板の質量を測定する
請求項１に記載の基板製造装置。
前記測定手段は、
前記基板が載置され、前記基板を位置決め可能な複数の測定部を有する
請求項１に記載の基板製造装置。
前記測定手段は、
前記基板が収容される槽の内部に配置され、当該基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記基板が当該載置部を押圧する押圧方向において、前記槽を貫通して前記載置部を支持し、前記基板の質量を測定する測定部と
を有する
請求項１に記載の基板製造装置。
所定の薬液で基板をエッチングするエッチング工程と、
エッチングされた前記基板の質量を測定する測定工程と、
前記測定工程で測定された、エッチングされた前記基板の質量と、所定の基準質量とに基づいて、前記基板のエッチング量を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記エッチング量に基づいて、前記基板のエッチングを再度行なう必要があるか否かを判断する判断工程と
を有する基板製造方法。
前記検出工程において検出した前記エッチング量が所定の規定範囲外である場合には、前記基板を再度エッチングし、当該基板のエッチング量の再検出を行なう
請求項１０に記載の基板製造方法。
前記基板のエッチングおよび当該基板のエッチング量の検出を、検出した当該エッチング量が前記規定範囲内になるまで繰り返す
請求項１１に記載の基板製造方法。
前記測定工程を前記エッチング工程と同時に行ない、前記基板のエッチングの進行にともなって変化する質量を測定する
請求項１０に記載の基板製造方法。