JPH08306628A - 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
半導体形成装置およびそのクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH08306628A JPH08306628A JP7110799A JP11079995A JPH08306628A JP H08306628 A JPH08306628 A JP H08306628A JP 7110799 A JP7110799 A JP 7110799A JP 11079995 A JP11079995 A JP 11079995A JP H08306628 A JPH08306628 A JP H08306628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- reaction tube
- etching
- cleaning
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、減圧ＣＶＤ装置の反応管内をガスエ
ッチングによりクリーニングする場合において、常に最
適なエッチングを行うことができるようにすることを最
も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、反応管１１内に堆積したポリシリコ
ン膜を除去する場合、まず、メインバルブ１２を開き、
反応管１１内を真空ポンプ１３にて反応圧力まで減圧す
る。また、ヒータ１４により加熱し、反応管１１内の温
度を設定温度５５０〜６５０℃に安定させた後、ＣｌＦ
3 ガスおよび希釈用のＮ2 ガスを導入する。このとき、
反応管１１内の圧力を２．０Ｔｏｒｒに維持する。そし
て、ＣｌＦ3 ガスを導入した時点より、ＣｌＦ3 ガスと
ポリシリコン膜との反応熱を反応熱モニタ用熱伝対１６
によってモニタする。こうして、熱伝対１６による温度
の反応温度Ｔ1 への収束点により、エッチングの終点を
検出するようになっている。
ッチングによりクリーニングする場合において、常に最
適なエッチングを行うことができるようにすることを最
も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、反応管１１内に堆積したポリシリコ
ン膜を除去する場合、まず、メインバルブ１２を開き、
反応管１１内を真空ポンプ１３にて反応圧力まで減圧す
る。また、ヒータ１４により加熱し、反応管１１内の温
度を設定温度５５０〜６５０℃に安定させた後、ＣｌＦ
3 ガスおよび希釈用のＮ2 ガスを導入する。このとき、
反応管１１内の圧力を２．０Ｔｏｒｒに維持する。そし
て、ＣｌＦ3 ガスを導入した時点より、ＣｌＦ3 ガスと
ポリシリコン膜との反応熱を反応熱モニタ用熱伝対１６
によってモニタする。こうして、熱伝対１６による温度
の反応温度Ｔ1 への収束点により、エッチングの終点を
検出するようになっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体基板
上に半導体薄膜を形成する半導体形成装置およびそのク
リーニング方法に関するもので、特に減圧ＣＶＤ（Chem
ical VapourDeposition）装置における反応管内のガス
エッチングによるクリーニングに用いられるものであ
る。
上に半導体薄膜を形成する半導体形成装置およびそのク
リーニング方法に関するもので、特に減圧ＣＶＤ（Chem
ical VapourDeposition）装置における反応管内のガス
エッチングによるクリーニングに用いられるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体製造時における薄膜の形成
に用いられている減圧ＣＶＤ装置は、ホットウォール型
の反応管内で、ポリシリコン膜や酸化膜、窒化膜などの
薄膜を半導体ウェーハ上に堆積させるものである。
に用いられている減圧ＣＶＤ装置は、ホットウォール型
の反応管内で、ポリシリコン膜や酸化膜、窒化膜などの
薄膜を半導体ウェーハ上に堆積させるものである。
【０００３】さて、この減圧ＣＶＤ装置においては、ウ
ェーハ上への薄膜の形成にともなって、反応管内にも半
導体膜が堆積されることが知られている。この反応管内
に堆積された半導体膜は、その膜厚が増加してくるにつ
れて剥がれて落ちやすくなり、発塵源となってウェーハ
を汚す原因となる。
ェーハ上への薄膜の形成にともなって、反応管内にも半
導体膜が堆積されることが知られている。この反応管内
に堆積された半導体膜は、その膜厚が増加してくるにつ
れて剥がれて落ちやすくなり、発塵源となってウェーハ
を汚す原因となる。
【０００４】このような膜剥がれによるウェーハの汚染
を防止するために、従来では、反応管内にエッチングガ
スを導入し、それを熱分解させて反応管内の半導体膜と
反応させることにより、反応管内の環境をクリーンな状
態に戻すようにしていた。
を防止するために、従来では、反応管内にエッチングガ
スを導入し、それを熱分解させて反応管内の半導体膜と
反応させることにより、反応管内の環境をクリーンな状
態に戻すようにしていた。
【０００５】以下に、エッチングガスを用いて反応管内
の半導体膜を除去するクリーニングの方法について、簡
単に説明する。図４は、減圧ＣＶＤ装置の概略構成を示
すものである。
の半導体膜を除去するクリーニングの方法について、簡
単に説明する。図４は、減圧ＣＶＤ装置の概略構成を示
すものである。
【０００６】この減圧ＣＶＤ装置は、石英ガラス製の反
応管１、この反応管１のガス排気口にメインバルブ２を
介して連結された真空ポンプ３、および上記反応管１を
加温するためのヒータ４などを有して構成されている。
応管１、この反応管１のガス排気口にメインバルブ２を
介して連結された真空ポンプ３、および上記反応管１を
加温するためのヒータ４などを有して構成されている。
【０００７】上記反応管１は、その内部に温度制御用の
熱伝対５を備えている。また、上記真空ポンプ３は、反
応ガスの圧力を調整するための圧力調整装置（図示して
いない）を備えている。
熱伝対５を備えている。また、上記真空ポンプ３は、反
応ガスの圧力を調整するための圧力調整装置（図示して
いない）を備えている。
【０００８】さて、反応管１内のクリーニングを行う時
は、まず、薄膜を形成するためのウェーハをのせるウェ
ーハボートを反応管１内から取り出した後、メインバル
ブ２を開き、反応管１内を真空ポンプ３にて反応圧力ま
で減圧（真空引き）する。
は、まず、薄膜を形成するためのウェーハをのせるウェ
ーハボートを反応管１内から取り出した後、メインバル
ブ２を開き、反応管１内を真空ポンプ３にて反応圧力ま
で減圧（真空引き）する。
【０００９】減圧するとともに、反応管１をヒータ４で
加熱し、反応管１内の温度が設定温度に対して安定する
まで温度制御用熱伝対５にて監視する。反応管１内の温
度が安定するのをまって、反応管１の下部のガス導入口
より一定時間エッチングガス（クリーニングガス）を導
入し、反応管１内に堆積した半導体膜と反応させること
により、堆積している半導体膜をガスエッチングして除
去する。
加熱し、反応管１内の温度が設定温度に対して安定する
まで温度制御用熱伝対５にて監視する。反応管１内の温
度が安定するのをまって、反応管１の下部のガス導入口
より一定時間エッチングガス（クリーニングガス）を導
入し、反応管１内に堆積した半導体膜と反応させること
により、堆積している半導体膜をガスエッチングして除
去する。
【００１０】その後、目視にて反応管１内に堆積した半
導体膜の除去の具合を確認する。不十分であれば、さら
に追加のエッチングを行って、反応管１内に堆積した半
導体膜のすべてを除去する。
導体膜の除去の具合を確認する。不十分であれば、さら
に追加のエッチングを行って、反応管１内に堆積した半
導体膜のすべてを除去する。
【００１１】しかしながら、上記した従来のクリーニン
グ方法においては、反応管１内に堆積した半導体膜を概
算による時間指定でエッチングするようにしているた
め、アンダーエッチング（エッチング残り）であって
も、オーバーエッチングであっても、目視で確認するま
ではその状態を把握できない。
グ方法においては、反応管１内に堆積した半導体膜を概
算による時間指定でエッチングするようにしているた
め、アンダーエッチング（エッチング残り）であって
も、オーバーエッチングであっても、目視で確認するま
ではその状態を把握できない。
【００１２】アンダーエッチングが確認されれば、その
時点から追加のエッチングを行うために装置の稼働率が
低くなり、生産性が悪化する。オーバーエッチングであ
れば、無駄にエッチングガスを消費するとともに、無駄
なエッチング時間も費やすことになる。また、反応管１
の内面（石英ガラス）を長くエッチングガス中にさらす
ことにより、石英ガラスの表面がダメージを受け、反応
管１の寿命を短くする結果となる。
時点から追加のエッチングを行うために装置の稼働率が
低くなり、生産性が悪化する。オーバーエッチングであ
れば、無駄にエッチングガスを消費するとともに、無駄
なエッチング時間も費やすことになる。また、反応管１
の内面（石英ガラス）を長くエッチングガス中にさらす
ことにより、石英ガラスの表面がダメージを受け、反応
管１の寿命を短くする結果となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、クリーニングを概算による時間指定でのエ
ッチングによって行うようにしているため、反応管内に
堆積した半導体膜のエッチングの状態が目視により確認
するまでは把握できず、最適なるエッチングを行うのが
難しいという問題があった。
においては、クリーニングを概算による時間指定でのエ
ッチングによって行うようにしているため、反応管内に
堆積した半導体膜のエッチングの状態が目視により確認
するまでは把握できず、最適なるエッチングを行うのが
難しいという問題があった。
【００１４】そこで、この発明は、目視によらず、半導
体膜の除去の具合を容易に確認でき、反応管内に堆積し
た半導体膜の膜厚が不明な場合にも常に最適なるエッチ
ングを行うことが可能な半導体形成装置およびそのクリ
ーニング方法を提供することを目的としている。
体膜の除去の具合を容易に確認でき、反応管内に堆積し
た半導体膜の膜厚が不明な場合にも常に最適なるエッチ
ングを行うことが可能な半導体形成装置およびそのクリ
ーニング方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体形成装置にあっては、半導体膜
の形成を行うものにおいて、反応管内に堆積した半導体
膜をエッチングガスを用いて除去する際に、前記エッチ
ングガスと前記半導体膜との反応熱をモニタするモニタ
手段を設けてなる構成とされている。
めに、この発明の半導体形成装置にあっては、半導体膜
の形成を行うものにおいて、反応管内に堆積した半導体
膜をエッチングガスを用いて除去する際に、前記エッチ
ングガスと前記半導体膜との反応熱をモニタするモニタ
手段を設けてなる構成とされている。
【００１６】また、この発明の半導体形成装置のクリー
ニング方法にあっては、半導体形成装置における反応管
内に堆積した半導体膜をエッチングガスを用いて除去す
る場合において、クリーニングの際に発生する反応熱を
モニタすることによって、エッチングの終点を検出する
ようにしている。
ニング方法にあっては、半導体形成装置における反応管
内に堆積した半導体膜をエッチングガスを用いて除去す
る場合において、クリーニングの際に発生する反応熱を
モニタすることによって、エッチングの終点を検出する
ようにしている。
【００１７】
【作用】この発明は、上記した手段により、エッチング
の終点を確実に検出できるようになるため、アンダーエ
ッチングやオーバーエッチングを防止することが可能と
なるものである。
の終点を確実に検出できるようになるため、アンダーエ
ッチングやオーバーエッチングを防止することが可能と
なるものである。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる減圧ＣＶＤ装
置の構成を概略的に示すものである。すなわち、この減
圧ＣＶＤ装置は、たとえば石英ガラス製の反応管１１、
この反応管１１のガス排気口１１ａにメインバルブ１２
を介して連結された真空ポンプ１３、および上記反応管
１１を加温するためのヒータ１４などを有して構成され
ている。
照して説明する。図１は、本発明にかかる減圧ＣＶＤ装
置の構成を概略的に示すものである。すなわち、この減
圧ＣＶＤ装置は、たとえば石英ガラス製の反応管１１、
この反応管１１のガス排気口１１ａにメインバルブ１２
を介して連結された真空ポンプ１３、および上記反応管
１１を加温するためのヒータ１４などを有して構成され
ている。
【００１９】上記反応管１１は、ウェーハボート（図示
していない）にのせられたウェーハ上にポリシリコン
膜、窒化膜、または酸化膜などの半導体薄膜を形成する
ためのもので、その内部には温度制御用の熱伝対１５が
設けられている。
していない）にのせられたウェーハ上にポリシリコン
膜、窒化膜、または酸化膜などの半導体薄膜を形成する
ためのもので、その内部には温度制御用の熱伝対１５が
設けられている。
【００２０】また、上記反応管１１の内部には、クリー
ニング時に発生する反応熱を監視するための、複数本の
反応熱モニタ用熱伝対１６が設けられている。上記反応
熱モニタ用の熱伝対１６は、たとえば、上記反応管１１
の上部の上記ガス排気口１１ａに向かう、下部のガス導
入口１１ｂからのガスの流れに沿う多点（ここでは、
ａ，ｂ，ｃの３点）での反応熱をそれぞれモニタできる
ように配置されている。
ニング時に発生する反応熱を監視するための、複数本の
反応熱モニタ用熱伝対１６が設けられている。上記反応
熱モニタ用の熱伝対１６は、たとえば、上記反応管１１
の上部の上記ガス排気口１１ａに向かう、下部のガス導
入口１１ｂからのガスの流れに沿う多点（ここでは、
ａ，ｂ，ｃの３点）での反応熱をそれぞれモニタできる
ように配置されている。
【００２１】上記温度制御用の熱伝対１５は、上記反応
管１１の内部の温度が設定温度になるように監視するた
めのものである。上記真空ポンプ１３は、反応ガスの圧
力を調整するための圧力調整装置（図示していない）を
備えている。
管１１の内部の温度が設定温度になるように監視するた
めのものである。上記真空ポンプ１３は、反応ガスの圧
力を調整するための圧力調整装置（図示していない）を
備えている。
【００２２】次に、半導体薄膜の形成にともなって、上
記反応管１１内に堆積した半導体膜をエッチングガス
（クリーニングガス）を用いて除去する場合の、クリー
ニングの方法について説明する。なお、ここではポリシ
リコンの半導体膜を、ＣｌＦ3のエッチングガスを用い
てエッチングする場合を例に説明する。
記反応管１１内に堆積した半導体膜をエッチングガス
（クリーニングガス）を用いて除去する場合の、クリー
ニングの方法について説明する。なお、ここではポリシ
リコンの半導体膜を、ＣｌＦ3のエッチングガスを用い
てエッチングする場合を例に説明する。
【００２３】まず、ウェーハボートを反応管１１内から
取り出した後、メインバルブ１２を開き、反応管１１内
を真空ポンプ１３によって反応圧力まで減圧（真空引
き）する。
取り出した後、メインバルブ１２を開き、反応管１１内
を真空ポンプ１３によって反応圧力まで減圧（真空引
き）する。
【００２４】そして、ヒータ１４により反応管１１を加
熱し、反応管１１内の温度が設定温度（５５０〜６５０
℃）に対して安定するまで温度制御用熱伝対１５によっ
て監視する。
熱し、反応管１１内の温度が設定温度（５５０〜６５０
℃）に対して安定するまで温度制御用熱伝対１５によっ
て監視する。
【００２５】反応管１１内の温度が安定したところで、
ＣｌＦ3 ガス（流量５００ｃｃ／ｍｉｎ）、および希釈
用のＮ2 ガス（流量１５００ｃｃ／ｍｉｎ）を、反応管
１１の下部のガス導入口１１ｂより導入する。
ＣｌＦ3 ガス（流量５００ｃｃ／ｍｉｎ）、および希釈
用のＮ2 ガス（流量１５００ｃｃ／ｍｉｎ）を、反応管
１１の下部のガス導入口１１ｂより導入する。
【００２６】また、このとき、真空ポンプ１３の圧力調
整装置により、反応管１１の内部圧力を一定（２．０Ｔ
ｏｒｒ）に維持する。こうして、導入したＣｌＦ3 ガス
を、反応管１１内に堆積したポリシリコン膜と反応させ
るとともに、ＣｌＦ3 ガスを導入した時点より、ＣｌＦ
3 ガスとポリシリコン膜との反応熱を反応熱モニタ用熱
伝対１６によってモニタする。
整装置により、反応管１１の内部圧力を一定（２．０Ｔ
ｏｒｒ）に維持する。こうして、導入したＣｌＦ3 ガス
を、反応管１１内に堆積したポリシリコン膜と反応させ
るとともに、ＣｌＦ3 ガスを導入した時点より、ＣｌＦ
3 ガスとポリシリコン膜との反応熱を反応熱モニタ用熱
伝対１６によってモニタする。
【００２７】図２は、ＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜と
の反応熱による、上記反応熱モニタ用熱伝対１６の温度
の推移を、ＣｌＦ3 ガスの流出時間との関係について示
すものである。
の反応熱による、上記反応熱モニタ用熱伝対１６の温度
の推移を、ＣｌＦ3 ガスの流出時間との関係について示
すものである。
【００２８】なお、Ｔ1 は設定した反応温度であり、Ｔ
2 はＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜との反応熱が最も上
昇したときの検出温度である。この図からも分かるよう
に、ＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜との反応熱により、
各点における反応熱モニタ用熱伝対１６の検出温度は、
それぞれ反応温度Ｔ1以上に上昇する。
2 はＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜との反応熱が最も上
昇したときの検出温度である。この図からも分かるよう
に、ＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜との反応熱により、
各点における反応熱モニタ用熱伝対１６の検出温度は、
それぞれ反応温度Ｔ1以上に上昇する。
【００２９】この場合、ＣｌＦ3 ガスは、反応管１１の
下部のガス導入口１１ｂより導入され、上部のガス排気
口１１ａより排気される。このため、エッチング時間が
経過するにしたがって、ＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜
との反応（エッチング）は、反応管１１の下部より上部
へ徐々に進行していく。そして、そのエッチングの進行
にともなって、各点における熱伝対１６の検出温度も、
ａ，ｂ，ｃ点の順に推移する。
下部のガス導入口１１ｂより導入され、上部のガス排気
口１１ａより排気される。このため、エッチング時間が
経過するにしたがって、ＣｌＦ3 ガスとポリシリコン膜
との反応（エッチング）は、反応管１１の下部より上部
へ徐々に進行していく。そして、そのエッチングの進行
にともなって、各点における熱伝対１６の検出温度も、
ａ，ｂ，ｃ点の順に推移する。
【００３０】よって、この各点における熱伝対１６の検
出温度と反応温度との差ΔＴ（Ｔ2−Ｔ1 ）をそれぞれ
監視することで、現在、ＣｌＦ3 ガスによって反応管１
１内のどこでエッチングが行われているかを管理でき
る。
出温度と反応温度との差ΔＴ（Ｔ2−Ｔ1 ）をそれぞれ
監視することで、現在、ＣｌＦ3 ガスによって反応管１
１内のどこでエッチングが行われているかを管理でき
る。
【００３１】また、反応熱モニタ用熱伝対１６の検出温
度は、各点におけるエッチングの終了にともなって徐々
に反応温度Ｔ1 に収束していく。そして、最後には、ｃ
点における熱伝対１６の検出温度が反応温度Ｔ1 に収束
する。
度は、各点におけるエッチングの終了にともなって徐々
に反応温度Ｔ1 に収束していく。そして、最後には、ｃ
点における熱伝対１６の検出温度が反応温度Ｔ1 に収束
する。
【００３２】このｃ点における熱伝対１６の検出温度の
反応温度Ｔ1 への収束は、反応管１１の上部（ガス流路
の最下流）でのエッチングの終了、つまり反応管１１内
のすべてのエッチングが終了したことを示す。したがっ
て、この時点（時間ｔ）をもって、エッチングの終点
（クリーニングの完了）と見なすことができる。
反応温度Ｔ1 への収束は、反応管１１の上部（ガス流路
の最下流）でのエッチングの終了、つまり反応管１１内
のすべてのエッチングが終了したことを示す。したがっ
て、この時点（時間ｔ）をもって、エッチングの終点
（クリーニングの完了）と見なすことができる。
【００３３】すなわち、各点における反応熱をモニタす
る反応熱モニタ用熱伝対１６のすべてが反応温度Ｔ1 に
収束するｄ点（収束点）を検出することで、目視によら
ず、エッチングの終点を確実に検出することが可能とな
る。
る反応熱モニタ用熱伝対１６のすべてが反応温度Ｔ1 に
収束するｄ点（収束点）を検出することで、目視によら
ず、エッチングの終点を確実に検出することが可能とな
る。
【００３４】このように、概算による時間指定ではな
く、反応熱をモニタすることによってエッチングの終点
を検出できるようにすることにより、反応管１１内に堆
積したポリシリコン膜の膜厚が不明な場合においても、
アンダーエッチングやオーバーエッチングを防いで、反
応管１１内をきれいにクリーニングできるようになるも
のである。
く、反応熱をモニタすることによってエッチングの終点
を検出できるようにすることにより、反応管１１内に堆
積したポリシリコン膜の膜厚が不明な場合においても、
アンダーエッチングやオーバーエッチングを防いで、反
応管１１内をきれいにクリーニングできるようになるも
のである。
【００３５】上記したように、エッチングの終点を確実
に検出できるようにしている。すなわち、ＣｌＦ3 ガス
とポリシリコン膜との反応熱をモニタすることによっ
て、目視で確認するまでもなく、エッチングの状態を把
握できるようにしている。これにより、概算による時間
指定でエッチングを行う場合よりも、高い精度をもって
エッチングを制御できるようになるため、アンダーエッ
チングやオーバーエッチングを防止することが可能とな
る。したがって、反応管内に堆積したポリシリコン膜の
膜厚が不明な場合にも常に最適なるエッチングを行うこ
とが可能となり、アンダーエッチング時の追加のエッチ
ングによる生産性の悪化、またはオーバーエッチングに
よるエッチングガスやエッチング時間の浪費や反応管の
短命化といった問題を解決できるものである。
に検出できるようにしている。すなわち、ＣｌＦ3 ガス
とポリシリコン膜との反応熱をモニタすることによっ
て、目視で確認するまでもなく、エッチングの状態を把
握できるようにしている。これにより、概算による時間
指定でエッチングを行う場合よりも、高い精度をもって
エッチングを制御できるようになるため、アンダーエッ
チングやオーバーエッチングを防止することが可能とな
る。したがって、反応管内に堆積したポリシリコン膜の
膜厚が不明な場合にも常に最適なるエッチングを行うこ
とが可能となり、アンダーエッチング時の追加のエッチ
ングによる生産性の悪化、またはオーバーエッチングに
よるエッチングガスやエッチング時間の浪費や反応管の
短命化といった問題を解決できるものである。
【００３６】なお、上記実施例においては、３本の反応
熱モニタ用の熱伝対１６を用意し、反応管１１内を流れ
るガスの上流、中流、下流側での反応熱をそれぞれモニ
タできるように配置した場合を例に説明したが、これに
限らず、たとえば図３に示すように、１本の反応熱モニ
タ用の熱伝対１６によって反応管１１内を流れるガスの
下流側での反応熱をモニタできるように構成した場合に
おいても、同様に実施することが可能である。
熱モニタ用の熱伝対１６を用意し、反応管１１内を流れ
るガスの上流、中流、下流側での反応熱をそれぞれモニ
タできるように配置した場合を例に説明したが、これに
限らず、たとえば図３に示すように、１本の反応熱モニ
タ用の熱伝対１６によって反応管１１内を流れるガスの
下流側での反応熱をモニタできるように構成した場合に
おいても、同様に実施することが可能である。
【００３７】また、反応熱をモニタするための専用の熱
伝対１６を設けることなく、温度制御用熱伝対１５と兼
用させるようにしても良い。また、減圧値としては２．
０Ｔｏｒｒに限定されるものではなく、たとえば０．０
１〜１０Ｔｏｒｒの範囲での適用が可能である。
伝対１６を設けることなく、温度制御用熱伝対１５と兼
用させるようにしても良い。また、減圧値としては２．
０Ｔｏｒｒに限定されるものではなく、たとえば０．０
１〜１０Ｔｏｒｒの範囲での適用が可能である。
【００３８】また、ポリシリコン膜をエッチングする場
合に限らず、たとえば酸化膜や窒化膜をエッチングする
場合にも適用できる。また、Ｎ型不純物（Ｐ，Ａｓなど
の５価の元素）を含む半導体膜のエッチングを行う場合
にも適用可能であり、この場合、ＣｌＦ3 ガスとＮ型不
純物を含む半導体膜との反応熱による温度の上昇は、上
記実施例（Ｎ型不純物を含まないポリシリコン膜）の場
合よりもさらに大きくなり、エッチングの終点の検出は
より容易となる。
合に限らず、たとえば酸化膜や窒化膜をエッチングする
場合にも適用できる。また、Ｎ型不純物（Ｐ，Ａｓなど
の５価の元素）を含む半導体膜のエッチングを行う場合
にも適用可能であり、この場合、ＣｌＦ3 ガスとＮ型不
純物を含む半導体膜との反応熱による温度の上昇は、上
記実施例（Ｎ型不純物を含まないポリシリコン膜）の場
合よりもさらに大きくなり、エッチングの終点の検出は
より容易となる。
【００３９】さらに、半導体膜の種類や減圧値以外のエ
ッチングの条件、たとえば設定温度、エッチングガスの
種類や濃度などについても、上記実施例に限定されるも
のでないことはいうまでもない。その他、この発明の要
旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは
勿論である。
ッチングの条件、たとえば設定温度、エッチングガスの
種類や濃度などについても、上記実施例に限定されるも
のでないことはいうまでもない。その他、この発明の要
旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは
勿論である。
【００４０】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、目視によらず、半導体膜の除去の具合を容易に確認
でき、反応管内に堆積した半導体膜の膜厚が不明な場合
にも常に最適なるエッチングを行うことが可能な半導体
形成装置およびそのクリーニング方法を提供できる。
ば、目視によらず、半導体膜の除去の具合を容易に確認
でき、反応管内に堆積した半導体膜の膜厚が不明な場合
にも常に最適なるエッチングを行うことが可能な半導体
形成装置およびそのクリーニング方法を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる減圧ＣＶＤ装置を
概略的に示す構成図。
概略的に示す構成図。
【図２】同じく、減圧ＣＶＤ装置のクリーニング方法を
説明するために示す図。
説明するために示す図。
【図３】この発明の他の構成例を示す減圧ＣＶＤ装置の
概略図。
概略図。
【図４】従来技術とその問題点を説明するために示す減
圧ＣＶＤ装置の概略図。
圧ＣＶＤ装置の概略図。
１１…反応管、１１ａ…ガス排気口、１１ｂ…ガス導入
口、１２…メインバルブ、１３…真空ポンプ、１４…ヒ
ータ、１５…温度制御用熱伝対、１６…反応熱モニタ用
熱伝対。
口、１２…メインバルブ、１３…真空ポンプ、１４…ヒ
ータ、１５…温度制御用熱伝対、１６…反応熱モニタ用
熱伝対。
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体膜の形成を行う半導体形成装置に
おいて、 反応管内に堆積した半導体膜をエッチングガスを用いて
除去する際に、前記エッチングガスと前記半導体膜との
反応熱をモニタするモニタ手段を設けてなることを特徴
とする半導体形成装置。 - 【請求項２】 前記モニタ手段は、前記反応熱の変化を
監視する熱伝対からなることを特徴とする請求項１に記
載の半導体形成装置。 - 【請求項３】 前記熱伝対は、前記反応管内における前
記エッチングガスの流れに沿う複数の箇所に分散して配
置してなることを特徴とする請求項２に記載の半導体形
成装置。 - 【請求項４】 半導体形成装置における反応管内に堆積
した半導体膜をエッチングガスを用いて除去するクリー
ニング方法において、 クリーニングの際に発生する反応熱をモニタすることに
よって、エッチングの終点を検出するようにしたことを
特徴とする半導体形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項５】 前記反応熱のモニタは、前記反応熱の変
化を熱伝対を用いて監視することを特徴とする請求項４
に記載の半導体形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項６】 前記熱伝対による反応熱のモニタは、前
記反応管内における前記エッチングガスの流れに沿う複
数の箇所を対象に行うことを特徴とする請求項５に記載
の半導体形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】 前記クリーニングは、０．０１〜１０Ｔ
ｏｒｒの減圧下で行うことを特徴とする請求項４に記載
の半導体形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項８】 前記クリーニングは、５５０〜６５０℃
の温度下で行うことを特徴とする請求項４に記載の半導
体形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項９】 前記エッチングガスとしては、ＣｌＦ3
を用いることを特徴とする請求項４に記載の半導体形成
装置のクリーニング方法。 - 【請求項１０】 前記エッチングの終点の検出は、前記
反応熱の前記熱伝対の設定温度への収束点を検出するこ
とで行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体形成
装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110799A JPH08306628A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110799A JPH08306628A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306628A true JPH08306628A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14544949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110799A Pending JPH08306628A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH112806A (ja) * | 1997-03-21 | 1999-01-06 | Lg Electron Inc | 蝕刻装置 |
| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| WO2018043446A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立大学法人 横浜国立大学 | 半導体製造用チャンバのクリーニング方法 |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7110799A patent/JPH08306628A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH112806A (ja) * | 1997-03-21 | 1999-01-06 | Lg Electron Inc | 蝕刻装置 |
| US8043466B1 (en) | 1997-03-21 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd | Etching apparatus |
| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| WO2018043446A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立大学法人 横浜国立大学 | 半導体製造用チャンバのクリーニング方法 |
| CN109478510A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-03-15 | 国立大学法人横滨国立大学 | 半导体制造用反应室的清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3405717B2 (ja) | 酸化アルミニウム付着装置 | |
| US6844273B2 (en) | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system | |
| US20050284575A1 (en) | Processing system and operating method of processing system | |
| US5104694A (en) | Selective chemical vapor deposition of a metallic film on the silicon surface | |
| US9777377B2 (en) | Film forming method and film forming device | |
| TW577105B (en) | Dry cleaning time determining system, dry cleaning method, and dry cleaning system of semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2008218984A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| KR19990088473A (ko) | 성막장치의크리닝방법,그의크리닝기구및성막장치 | |
| JP4541739B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JPH08306628A (ja) | 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 | |
| JP2000323467A (ja) | 遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置 | |
| JP3084024B1 (ja) | プラズマｃｖｄ装置のチャンバークリーニング方法およびプラズマｃｖｄ装置 | |
| US20080047581A1 (en) | Vapor phase growth and apparatus and its cleaning method | |
| JP2004172409A (ja) | 反応容器のクリーニング方法及び成膜装置 | |
| JP5087653B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 | |
| JP2933074B2 (ja) | 気相成長装置及びクリーニング方法 | |
| US6186154B1 (en) | Find end point of CLF3 clean by pressure change | |
| JP2005108932A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10163116A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US20040118436A1 (en) | Method and apparatus for thermal gas purging | |
| JP2000012466A (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
| US20050214445A1 (en) | Method and processing system for determining coating status of a ceramic substrate heater | |
| JPH07249617A (ja) | 化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置 | |
| JP5495449B2 (ja) | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2005307239A (ja) | モニタリング方法、製造装置、及び製造システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130128 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |