KR0122871Y1 - 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치 - Google Patents

반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0122871Y1
KR0122871Y1 KR2019940032530U KR19940032530U KR0122871Y1 KR 0122871 Y1 KR0122871 Y1 KR 0122871Y1 KR 2019940032530 U KR2019940032530 U KR 2019940032530U KR 19940032530 U KR19940032530 U KR 19940032530U KR 0122871 Y1 KR0122871 Y1 KR 0122871Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical mixture
temperature
cleaning
tank
automatic control
Prior art date
Application number
KR2019940032530U
Other languages
English (en)
Other versions
KR960025312U (ko
Inventor
김희석
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019940032530U priority Critical patent/KR0122871Y1/ko
Publication of KR960025312U publication Critical patent/KR960025312U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0122871Y1 publication Critical patent/KR0122871Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

본 고안은 고온의 저장조에 공급되는 오염된 화학적 혼합물을 강제 냉각시켜 자동으로 배출하고, 항온조에서 온도와 유량이 일정한 화학적 혼합물을 자동으로 세척조에 공급할 수 있도록 한 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 세정하기 위한 세척조와, 화학적 혼합물을 적정온도로 셋팅 및 셋팅된 화학적 혼합물을 상기 세척조로 공급하기 위한 항온조와, 세척조와 연통되어 세척조 내에서 사용되어진 화학적 혼합물을 강제 냉각시키고 배출하기 전에 일시 저장하기 위한 저장조와, 각각의 세척조 및 항온조 및 저장조 로의 화학적 혼합물의 공급 및 배출을 콘트롤하기 위한 자동제어부로 구성된 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 고안에서는 화학적 혼합물의 비율과 온도 및 유량을 일정하게 유지하면서 지속적으로 반도체를 세정할 수 있을 뿐 아니라 세척능력과 공정수준을 항상 일정하게 유지시킬 수 있는 것이다.

Description

반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치
제1도는 종래의 세척조 제어장치 개통도.
제2도는 본 고안의 세척조 제어장치 개통도.
제3도는 냉각장치의 일예를 보인 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 세척조 11, 21, 41 : 제어변
12, 32, 42 : 레벨센서 20 : 중앙공급부
30 : 저장조 33, 43 : 온도센서
34 : 냉각장치 40 : 항온조
44 : 모터 50 : 자동제어부
본 고안은 반도체 제조용 세척조에 곤한 것으로, 특히 저장조의 고온 화학적 혼합물을 강제 냉각시켜 자동으로 배출시키고, 항상 온도와 유량이 일정한 화학적 혼합물을 자동으로 세척조에 공급할 수 있도록 한 반도체용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정용 웨이퍼의 표면 세정작업은 감광막 제거 및 중금속 이온 등의 불순물 오염을 제거하는 공정으로, 세척조에 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 일정비율로 혼합한 화학적 혼합물로 세척하였다.
종래의 세척조(10)는 제1도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼를 세정하는 세척조(10)와, 상기 세척조(10)에 화학적 혼합물을 공급관을 통하여 공급하는 화학적 혼합물 중앙공급부(20)와, 상기 세척조(10)의 오염된 고온의 화학적 혼합물을 자연냉각시키어 드레인시키는 저장조(30)와, 상기 세척조(10), 화학적 혼합물 중앙공급부(20) 및 저장조의 제어변을 콘트롤하는 자동제어부(50)로 형성하였다.
이러한 종래의 세척조(10)는 화학적 혼합물을 공급하는 중앙공급부(20)에서 일정한 비율로 화학적 혼합물을 공급한 다음 세척조(10)에 설치된 히팅장치로 화학적 혼합물의 온도를 일정온도까지 올려 셋팅된 웨이퍼의 세정횟수마다 화학적 혼합물을 보충하는 시간제어방식에 의하여 세정작업을 실시하였다.
또한, 웨이퍼의 새정작업으로 인하여 오염된 고온의 화학적 혼합물을 폐기하기 위해 세척조(10)의 배출관을 열어 오염된 고온의 화학적 혼합물을 저장조(30)로 배출하여 저장조(30)에서 자연냉각시킨 다음 드레인시켰다.
그러나, 이러한 종래의 기술은 세척조(10)에 공급되는 화학적 혼합물이 상온으로 공급되어 세척조(10)에 설치된 자체 히팅장치로 화학적 혼합물의 온도를 셋팅된 일정 온도까지 올려주기 때문에 세척조(10)에 웨이퍼의 대기시간이 장시간 걸리는 결점이 발생될 뿐 아니라 화합물 혼합시 발생되는 증기로 인하여 혼합비가 변화되는 문제점이 발생되었다. 또한, 저장조(30) 내로 공급된 오염된 고온의 화학적 혼합물을 자연냉각시키므로 배출 대기시간이 장시간 걸리게 되고, 이로 인하여 세척조(10) 내의 화학혼합물의 교체가 용이하지 못한 문제점이 발생되었다.
따라서, 본 고안은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로, 그 목적은 화학적 혼합물의 비율 및 온도를 셋팅된 비율과 온도로 일정하게 유지시켜 세척조에 공급하도록하여 세척조 내에서 화학적 혼합물을 가열할 필요없이 화학적 혼합물 공급과 동시에 웨이퍼를 넣어 세정작업을 할 수 있도록 하고, 저장조에 배출된 오염된 화학적 혼합물을 강제 냉각시켜 즉시 드레인하므로 세척조 내의 화학적 혼합물이 세정 작업에 알맞은 비율과 온도로 지속적으로 유지되도록 화학적 혼합물을 순환시켜 웨이퍼 표면의 세척능력을 증대시키도록 한 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치를 제공하는 데 있다.
위와같은 목적을 달성하기 위해 본 고안은 웨이퍼를 세정하기 위한 세척조와, 화학적 혼합물을 적정온도로 셋팅 및 셋팅된 화학적 혼합물을 상기 세척조로 공급하기 위한 항온조와, 세척조와 연통되어 세척조 내에서 사용되어진 화학적 혼합물을 강제 냉각시키고 배출하기 전에 일시 저장하기 위한 저장조와, 각각의 세척조 및 항온조 및 저장조 로의 화학적 혼합물의 공급 및 배출을 콘트롤하기 위한 자동제어부로 구성된 것을 특징으로 한다.
위와같이 구성된 본 고안의 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도에 나타낸 바와같이, 웨이퍼를 세정하기 위한 세척조(10)는 내부일측에 화학적 혼합물용 레벨센서(12)를 설치하고, 배출관에 제어변(11)을 설치한다.
항온조(40)는 상기 세척조(10)의 상부와 연통된 화학적 혼합물 공급관을 형성하되, 상기 공급관에 제어변(41)과 구동모터(44)에 의해 구동되는 펌프를 설치하고 가열기를 설치한다. 또한, 상기 항온조(40)의 내부일측에 화학적 혼합물용 레벨센서(42)와 온도센서(43)를 설치한다.
저장조(30)는 상기 세척조(10)의 배출관을 상부에 위치시켜 연통하되, 일측에 레벨센서(32)와 온도센서(33)를 설치한다. 또한, 내부 또는 외측면에 냉각장치를 설치하고, 하부에 제어변(31)이 설치된 배출관을 형성한다.
자동제어부(50)는 상기 제어변(11, 21, 31, 41)과 구동모터(44)와 온도센서(33, 43) 및 레벨센서(12, 32, 42)를 접속하여 화학적 혼합물의 흐름을 콘트롤한다.
냉각장치는 냉각용 코일(36)을 저장조(30)에 설치하거나, 또는 제3도에 도시된 바와 같이, 배출관(35)에 냉각용 코일(36)을 설치하여 냉각유체를 이 코일에 흘려서 냉각시킨다.
제3도에서 도면번호 35는 저장조(30)에 연통된 배출관으로, 이 배출관(35) 외곽에 냉각용 코일(36)이 감싸여져 있는 것을 보인 것이다. 그리고, 화살표는 냉각유체가 냉각용 코일 내로 공급 및 배출되는 것을 보인 것이다. 도면에서 제어변(31)은 생략하였다.
이러한 본 고안은 화학물 중앙공급부(20)의 제어변(21)을 열고 각 화학물을 일정비율로 항온조(40)에 공급한다. 항온조(40)에 공급된 일정량의 화학적 혼합물은 가열기와 온도센서(43)의 온도감지를 통하여 필요한 온도까지 상승시키며, 세척조(10)의 레벨센서(12)를 통하여 화학적 혼합물이 일정량 이하일 때 제어변(41)을 열고, 모터(44)를 작동시켜 일정한 온도의 화학적 혼합물을 항온조(40)에서 세척조(10)로 공급하여 세척조(10)의 화학적 혼합물이 동일 상태를 유지하도록 한다.
또한, 세척조(10)에서 오염된 고온의 화학적 혼합물을 일정시간 또는 웨이퍼 세척 횟수에 따라 제어변(11)을 열어 저장조(30)로 배출시킨다. 이 때, 저장조(30)로 배출된 고온의 화학적 혼합물을 냉각장치(34)로 냉각시키고, 온도센서(33)를 통하여 냉각상태를 감지하여 상온상태에서 오염된 화학적 혼합물을 배출시킨다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 고안에서는 화학적 혼합물의 비율과 온도 및 유량을 일정하게 유지하면서 지속적으로 반도체를 세정할 수 있을 뿐 아니라 세척능력과 공정수준을 항상 일정하게 유지시킬 수 있는 것이다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼를 세정하기 위한 세척조와; 화학적 혼합물을 적정온도로 셋팅 및 셋팅된 상기 화학적 혼합물을 상기 세척조로 공급하기 위한 항온조와; 상기 세척조와 연통되어 상기 세척조 내에서 사용되어진 상기 화학적 혼합물을 강제 냉각시키고 배출하기 전에 일시 저장하기 위한 저장조와; 상기 각각의 세척조 및 항온조 및 저장조 로의 상기 화학적 혼합물의 공급 및 배출을 콘트롤하기 위한 자동제어부로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세척조에는 상기 항온조로부터 공급되는 상기 화학적 혼합물의 양을 감지하기 위한 레벨센서가 설치된 것이 특징인 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 항온조는 상기 세척조와 연통된 화학적 혼합물이 공급되는 혼합물 공급관 및 제어변과 펌프가 설치되고, 내부에 가열기와 화학적 혼합물용 레벨센서와 온도센서가 설치된 것이 특징인 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저장조는 내부에 레벨센서와 온도센서가 설치되고, 상기 화학적 혼합물을 냉각시키는 냉각장치가 구비된 것이 특징인 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치.
KR2019940032530U 1994-12-01 1994-12-01 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치 KR0122871Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940032530U KR0122871Y1 (ko) 1994-12-01 1994-12-01 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940032530U KR0122871Y1 (ko) 1994-12-01 1994-12-01 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960025312U KR960025312U (ko) 1996-07-22
KR0122871Y1 true KR0122871Y1 (ko) 1999-02-18

Family

ID=19400124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019940032530U KR0122871Y1 (ko) 1994-12-01 1994-12-01 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0122871Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100082069A (ko) * 2009-01-08 2010-07-16 주식회사 실트론 세정조의 세정액 배수 장치 및 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790727B1 (ko) * 2002-12-14 2007-12-31 동부일렉트로닉스 주식회사 습식 식각설비용 케미컬 온도조절 장치 및 방법
CN112259472A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100082069A (ko) * 2009-01-08 2010-07-16 주식회사 실트론 세정조의 세정액 배수 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR960025312U (ko) 1996-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100390545B1 (ko) 기판세정건조장치,기판세정방법및기판세정장치
KR100260586B1 (ko) 기판 건조장치 및 기판 건조방법
US7836900B2 (en) Substrate processing system, substrate processing method, recording medium and software
KR100265286B1 (ko) 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
JP2001023952A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
KR980012044A (ko) 기판건조장치 및 기판건조방법
KR101042805B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
JPH0737850A (ja) 洗浄装置
JP2007123393A (ja) 基板処理装置
KR20210042380A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100539187B1 (ko) 처리액공급기구및처리액공급방법
KR0122871Y1 (ko) 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치
JP6909620B2 (ja) 基板処理方法
JP2002210422A (ja) 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法
JP2003077878A (ja) 液処理方法及び液処理装置
JPH11186217A (ja) 基板処理装置
JP4351981B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法及びその装置
US5937878A (en) Apparatus for removing particles from a wafer and for cleaning the wafer
KR100219417B1 (ko) 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션
KR100558539B1 (ko) 식각조 커버 클리닝 툴
JPH0684872A (ja) クリーン洗浄装置
JP3123986B2 (ja) 噴流式ウェットエッチング方法とその装置
JP3120782B2 (ja) 基板処理装置
JP3729482B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
O032 Opposition [utility model]: request for opposition
O072 Maintenance of registration after opposition [utility model]: final registration of opposition
O131 Decision on opposition [utility model]
G701 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040326

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee