CN112868090A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN112868090A CN201980005515.1A CN201980005515A CN112868090A CN 112868090 A CN112868090 A CN 112868090A CN 201980005515 A CN201980005515 A CN 201980005515A CN 112868090 A CN112868090 A CN 112868090A
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松本州作
川野浩一郎
藤田博
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Abstract

提供能够抑制液体流速的不匀的基板处理装置。本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板，能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方朝向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时，多个整流板设置在搬送部的两侧的、搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。

Description

基板处理装置
技术领域
本实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
批量(batch)式的基板处理装置将半导体基板容纳于处理槽内，用药液对该半导体基板进行处理。这样的基板处理装置为了将处理槽内的药液的浓度等保持为均匀，而使该药液进行循环。为了使药液进行循环，基板处理装置从处理槽内的喷嘴供给药液，回收从处理槽的上端部溢出的药液，进行了除去杂质等的处理之后，从喷嘴再次向处理槽进行供给。
在这样使药液进行循环时，药液的流速会根据处理槽内的位置而发生不匀。药液流速的不匀成为半导体基板的表面中的蚀刻速度等的处理速度不匀的原因。另外，在药液的流速慢的区域中，也有可能如二氧化硅(silica)那样的副生成物会析出到半导体基板的表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－195338号公报
专利文献2：日本特开2006－32673号公报
专利文献3：日本特开平7－58078号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
提供能够抑制液体的流速不匀的基板处理装置。
用于解决问题的技术方案
本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板，能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时，多个整流板设置在搬送部的两侧的搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的基板处理装置的构成例的立体图。
图2是表示第1实施方式涉及的基板处理装置的构成例的立体图。
图3是处理槽内部的升降机的侧视图。
图4是图3的虚线圆4的放大图。
图5是处理槽以及升降机的正视图。
图6是表示没有整流板的基板处理装置的构成的剖视图。
图7是表示药液流速的模拟结果的图解图。
图8是第2实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图9是第3实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图10是第4实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图11的(A)是表示使用了没有设置开口部的升降机的情况下的药液的流速分布的图，图11的(B)是表示使用了设置有开口部的升降机的情况下的药液的流速分布的图。
图12是第5实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图13是第6实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图14是第6实施方式涉及的处理槽以及升降机的侧视图。
图15是第7实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图16是组合了第2实施方式和第7实施方式的处理槽以及升降机的正视图。
图17是第8实施方式涉及的处理槽以及升降机的侧视图。
图18是表示药液供给管与半导体基板的配置关系的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。附图是示意性或者概念性的，各部分的比率等不一定限于与现实的相同。在说明书和附图中，对与关于已经出现的附图在前面进行了描述的要素同样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1以及图2是表示第1实施方式涉及的基板处理装置1的构成例的立体图。基板处理装置(以下简称为处理装置)1例如是如批量式的清洗装置、湿法蚀刻装置等那样将多个半导体基板W浸渍于药液C来进行处理的装置。例如，药液C是热磷酸溶液，能够用于对形成在半导体基板W上的构造的氮化硅膜进行蚀刻。
处理装置1具备处理槽10、气体供给管20、药液供给管30a、30b、升降机40、驱动部50、循环槽60、气体供给瓶70、控制器80以及整流板100a～100d。
处理槽10能够积存药液C，能够将多个半导体基板W以大致在铅垂方向上竖立的状态进行容纳。半导体基板W以大致在铅垂方向上竖起来的方式载置于升降机40，与升降机40一起容纳在处理槽10内。半导体基板W通过容纳于处理槽10，而浸渍于药液C。
作为气体供给部的气体供给管20设置在处理槽10的底部附近，位于容纳于处理槽10内的半导体基板W的下方。气体供给管20从半导体基板W的下方向药液C供给气泡。优选为了搅拌药液C而设置有气体供给管20。但是，也可以不一定设置有气体供给管20。
作为药液供给部的药液供给管30a、30b设置在处理槽10的底部附近，设置在容纳于处理槽10内的半导体基板W的下方。药液供给管30a、30b从处理槽10的下方朝向处理槽10的内侧方向排出药液C。药液供给管30a、30b能够以朝向内侧方向的药液C的供给方向进行交叉的方式供给药液C。图18(A)以及图18(B)是表示药液供给管30a、30b与半导体基板W的配置关系的图。药液供给管30a、30b具有喷嘴孔H，该喷嘴孔H以与半导体基板W之间的间隔大致相等的间隔排列以使得能够向相邻的半导体基板W之间供给药液C。向半导体基板W与在后面说明的升降机40的搬送板42之间供给药液C的喷嘴孔H、以及向半导体基板W与处理槽10的内壁之间供给药液C的喷嘴孔H也以大致相等的间隔来配置。喷嘴孔H的朝向也可以全部朝向相同的方向，但不被特别地限定。但是，向相邻的半导体基板W间供给药液C的喷嘴孔H优选朝向相同的方向。
作为搬送部的升降机40具备支承部41、搬送板42、支柱44以及连接板48，构成为能够向处理槽10内搬送半导体基板W。支承部41将半导体基板W排列为使半导体基板在大致铅垂方向上竖起来(半导体基板W的表面朝向大致水平方向)，从下方支承半导体基板W的侧部(下侧端部)。搬送板42连结于支承部41，与半导体基板W中的排列在搬送板42的附近的半导体基板W1的表面或者背面相对向。搬送板42与半导体基板W1的距离例如为20mm～40mm。升降机40的搬送板42连接于支柱44，能够通过驱动部50在大致铅垂方向D1上进行移动。另外，连接板48设置在与搬送板42相反一侧，将多个支承部41连接，与搬送板42夹着该支承部41来进行固定。升降机40的侧部在与半导体基板W的排列方向D2在大致水平面内正交的方向D3上将半导体基板W的侧部开放。因此，升降机40的构成与用于半导体基板的搬送的通常的运载盒的构成不同。
作为第1整流板以及第2整流板的整流板100a、100b配置在半导体基板W的排列的搬送板42侧，作为第3整流板以及第4整流板的整流板100c、100d配置在半导体基板W的排列的连接板48侧。整流板100a～100d固定于处理槽10的内壁，配置为在使升降机40在D1方向上进行了上下时不与升降机40以及半导体基板W接触(干涉)。整流板100a～100d例如具有板形状或者四棱柱的形状，由氟树脂、石英等具有耐腐蚀性的材料构成。对于整流板100a～100d的进一步的构成以及配置，将在后面进行说明。
循环槽60积存从处理槽10溢出的药液C。在半导体基板W的处理中，处理槽10由药液C充满，将从处理槽10溢出的药液C回收到循环槽60。循环槽60内的药液C经由未图示的配管、泵以及过滤器而从药液供给管30a、30b返回处理槽10。由此，药液C一边用过滤器进行过滤，一边在处理槽10与循环槽60之间进行循环。
气体供给瓶70向气体供给管20供给气体，从气体供给管20供给气泡。气泡是为了搅拌药液C而使药液C内的磷酸浓度、二氧化硅浓度均匀化而被供给的。控制器80对驱动部50、循环槽60、气体供给瓶70进行控制。
图3是处理槽内部的侧视图。图4是图3的虚线圆4的放大图。升降机40将多个半导体基板W在大致铅垂方向D1上竖起来，排列为使得那些半导体基板W的表面朝向大致水平方向。如图4所示，支承部41具有槽TR，以使得从下方支承多个半导体基板W，使半导体基板W之间的间隔为预定值。半导体基板W分别容纳在槽TR中，排列为大致相等的间隔。搬送板42连接于支承部41，从支承部41在D1方向上延伸。在升降机40的下方配置有药液供给管30a、30b以及气体供给管20。此外，相邻的半导体基板W的对排列为使表面(元件形成面)相互相对向，这样表面相互相对向的半导体基板W的对沿着半导体基板W的排列方向D2以如在相邻的对之间、使半导体基板W的背面相互相对向那样的状态来排列。但是，半导体基板W的朝向不限定于此。
另外，整流板100a、100b配置在半导体基板W的排列的一端侧，从升降机40的侧方(图1的D3方向)观察时，位于搬送板42与半导体基板W之间。整流板100a、100b分别与搬送板42以及半导体基板W离开以使得与搬送板42以及半导体基板W不接触。整流板100a、100b与和其相邻的半导体基板W1之间的沿着D2方向的距离优选与相互相邻的半导体基板W间的间隔大致相同(例如5mm～10mm)。但是，整流板100a、100b与半导体基板W1之间的距离也可以比相互相邻的半导体基板W间的间隔宽一些。例如，为了整流板100a、100b与搬送板42以及半导体基板W不接触，优选整流板100a、100b与和其相邻的半导体基板W1之间的沿着D2方向的距离为半导体基板W间的间隔的1倍～2倍的值。
整流板100c、100d配置在半导体基板W的排列的另一端侧，从升降机40的侧方(图1的D3方向)观察时，位于连接板48与半导体基板W之间。整流板100c、100d分别与连接板48以及半导体基板W离开以使得与连接板48以及半导体基板W不接触。优选整流板100c、100d与和其相邻的半导体基板Wn(n为2以上的整数)之间的沿着D2方向的距离与相互相邻的半导体基板W间的间隔大致相同(例如5mm～10mm)。但是，整流板100c、100d与半导体基板Wn之间的距离也可以比相互相邻的半导体基板W间的间隔宽一些。例如，为了整流板100c、100d与搬送板42以及半导体基板W不接触，优选整流板100c、100d与和其相邻的半导体基板Wn之间的沿着D2方向的距离为半导体基板W间的间隔的1倍～2倍的值。
图5是处理槽以及升降机的正视图。从半导体基板W的排列方向(图1的D2方向)观察时，整流板100a～100d设置在D3方向上的升降机40的两侧。
整流板100a、100c固定于处理槽10的侧壁10a，设置在升降机40与侧壁10a之间的间隙Ga。整流板100a、100c配置在间隙Ga，并且，如图3所示，配置在半导体基板W与搬送板42或者连接板48之间，因此，在升降机40在上下进行了移动时，与升降机40主体以及半导体基板W不接触(干涉)。
整流板100b、100d固定于处理槽10的侧壁10b，设置在升降机40与侧壁10b之间的间隙Gb。整流板100b、100d配置在间隙Gb，并且，如图3所示，配置在半导体基板W与搬送板42或者连接板48之间，因此，在升降机40在上下进行了移动时，与升降机40主体以及半导体基板W不接触(干涉)。
药液C被从位于升降机40或者半导体基板W的中心的斜下方的药液供给管30a、30b的喷嘴孔朝向半导体基板W的大致中心向斜上方排出。此时，药液C在相邻的半导体基板W之间、或者搬送板42与半导体基板W之间向方向Da、Db流动。从药液供给管30a排出的药液C和从药液供给管30b排出的药液C将要在从两供给管的排出方向的交叉位置X冲撞、合流，向上方上升。
在此，对药液C的流动的进行说明。图6是表示没有整流板100a～100d的基板处理装置的构成的剖视图。在没有设置整流板100a～100d的情况下，搬送板42附近的药液C如虚线箭头Ac那样从交叉位置X向上方流动，流到半导体基板W的上端附近(位于半导体基板W的上方的药液C的液面附近)。进一步，在搬送板42附近，上升到了半导体基板W的上端附近的药液C流向D3方向的两侧的区域Ra、Rb。作为第1间隙区域的区域Ra、Rb是间隙Ga、Gb中的处于比半导体基板W的大致中心靠上方的位置的区域。从D2方向观察，在区域Ra、Rb不设置搬送板42，并且，在搬送板42的单侧没有半导体基板W。因此，在区域Ra、Rb中，药液C会从处理槽10溢出而循环、或者容易向图6的纸面垂直方向(图2的D2方向中的朝向搬送板42的方向)流动。
在连接板48附近，也可以说与搬送板42附近是同样的。例如，连接板48附近的药液C如虚线箭头Ac那样从交叉位置X向上方流动，流向区域Ra、Rb。从D2方向观察，在区域Ra、Rb不设置连接板48，并且，在连接板48的单侧没有半导体基板W。因此，在区域Ra、Rb中，药液C会从处理槽10溢出而循环、或者容易向图6的纸面垂直方向(图2的D2方向中的朝向连接板48的方向)流动。
由此，在搬送板42以及连接板48的附近，区域Ra、Rb中的药液C容易向图6的纸面垂直方向(D2方向)躲避，沿着侧壁10a、10b而流向大致铅垂下方向(D1方向中的下方向)的流速会变小。
另一方面，在相邻的半导体基板W之间通过的药液C，当超过半导体基板W的上端时会流向区域Ra、Rb，但在D2方向的两侧相邻有半导体基板W，因此，区域Ra、Rb中的药液C难以向D2方向躲避，容易沿着侧壁10a、10b而流向大致铅垂下方向(D1方向中的下方向)。并且，在区域Ra、Rb中，当朝向下方向时，半导体基板W与侧壁10a、10b之间的间隙变小，因此，药液C的流速会变快。
这样，根据处理槽10内的位置，药液C的流速会不同。这成为增大药液C的磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀的原因。磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀成为蚀刻速度的不匀、或者堆积物的附着的原因。
与此相对，如图5所示，本实施方式涉及的基板处理装置在区域Ra、Rb设置有整流板100a～100d。在搬送板42的附近，从D2方向观察时，整流板100a、100b配置为遮挡区域Ra、Rb。由此，整流板100a、100b在区域Ra、Rb中将朝向图2的D2方向的搬送板42侧的药液C挡住，将其留在半导体基板W侧。其结果，在搬送板42附近，药液C从区域Ra、Rb沿着侧壁10a、10b流向大致铅垂下方向。
在连接板48的附近，从D2方向观察时，整流板100c、100d配置为遮挡区域Ra、Rb。由此，整流板100c、100d在区域Ra、Rb中将向图2的D2方向的连接板48侧的药液C挡住，将其留在半导体基板W侧。其结果，在连接板48附近，药液C从区域Ra、Rb沿着侧壁10a、10b流向大致铅垂下方向。
这样，整流板100a～100d能够使搬送板42以及连接板48的附近的药液C的流动靠近半导体基板W的排列的中间部分中的药液C的流动。
整流板100a～100d的上端的位置优选位于与处理槽10的上端或者药液C的上端相等或者比其高的位置。由此，从D2方向观察时，整流板100a～100d设置于区域Ra、Rb的整体，能够使搬送板42以及连接板48的附近的药液C的流动靠近中间部分中的药液C的流动。另一方面，整流板100a～100d的下端的位置既可以设置为直到处理槽10的底部，也可以设置为直到升降机40的搬送板42或者连接板48的下端。另外，如在第2实施方式中说明的那样，整流板100a～100d的下端的位置也可以上升直到半导体基板W的中心的高度。此外，为了使药液C的流动在半导体基板W的排列中大致均等，优选整流板100a～100d的形状、大小、上端以及下端的位置一致。
图7是表示药液C的流速的模拟结果的图解图。W1表示半导体基板W的排列中的最接近搬送板42的半导体基板W。Wn表示半导体基板W的排列中的最接近连接板48的半导体基板W。Wk(1＜k＜n)表示半导体基板W的排列中的配置于中间的半导体基板W。图7的图解图关于从D2方向观察的半导体基板W1、Wk、Wn分别示出药液C的流速分布。Vc表示从区域Ra、Rb沿着处理槽10的侧壁10a、10b朝向下方的药液C以某流速流动的区域。
在没有整流板100a～100d的情况下，在半导体基板Wk中具有药液C以流速Vc流动的区域，但在半导体基板W1、Wn中，药液C以流速Vc流动的区域非常少。即，可知：当没有整流板100a～100d时，从区域Ra、Rb朝向下方的药液C的流速在半导体基板W的排列的端部(搬送板42以及连接板48的附近)和其中间部大为不同。
另一方面，在设置有整流板100a～100d的情况下，在半导体基板W1、Wk、Wn中，药液C以流速Vc流动的区域以相同程度分布。即，可知：在设置有整流板100a～100d的情况下，从区域Ra、Rb沿着侧壁10a、10b朝向下方的药液C的流速并不那么依赖于半导体基板W的排列的位置。
这样，根据本实施方式，通过将整流板100a～100d设置于搬送板42以及连接板48的附近的区域Ra、Rb，能够使搬送板42以及连接板48的附近的药液C的流速接近半导体基板W的排列的中间部分中的药液C的流速。其结果，能够抑制药液C的磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀，抑制蚀刻速度的不匀或者堆积物的附着。
此外，在本实施方式中，整流板100a～100d不一定需要全部设置，也可以至少设置有其一部分。例如，即使是在设置有整流板100a、100b、没有整流板100c、100d的情况下，基板处理装置也能够某种程度地获得本实施方式的效果。相反地，即使是在设置有整流板100c、100d、没有整流板100a、100b的情况下，基板处理装置也能够某种程度地获得本实施方式的效果。
(第2实施方式)
图8是第2实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。在第2实施方式中，整流板100a～100d的下端的位置位于比第1实施方式的那些整流板的下端的位置高的位置。从D2方向观察时，整流板100a～100d设置在图6的区域Ra、Rb即可。因此，整流板100a～100d存在于从半导体基板W的中心靠上方的位置即可。即，整流板100a～100d的下端位于半导体基板W的中心附近的高度位置即可。
整流板100a～100d的下端即使位于比半导体基板W的中心高的位置，也能某种程度地获得本实施方式的效果。但是，为了充分地发挥本实施方式的效果，从D2方向观察时，整流板100a～100d优选设置在图6的区域Ra、Rb的整体。
(第3实施方式)
图9是第3实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。在第3实施方式中，从D2方向观察时，整流板100a～100d的形状形成为与图6的区域Ra、Rb大致相等。即，整流板100a～100d的下端的一部分沿着半导体基板W的外缘成形为大致圆弧形状。即使是这样的形状，从D2方向观察时，整流板100a～100d也能够堵塞图6的区域Ra、Rb。因此，第3实施方式也能够获得与第1实施方式同样的效果。
(第4实施方式)
图10是第4实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。在第4实施方式中，从D2方向观察时，在包含交叉位置X的搬送板42的中心部设置有开口部43。通过具有开口部43，在搬送板42与半导体基板W之间流动的药液C的一部分通过开口部43流向搬送板42的外侧，在搬送板42与半导体基板W之间向上方向流动的药液C的流速被抑制。因此，在搬送板42与半导体基板W之间向上通过的药液C的流速被抑制。其结果，在搬送板42与半导体基板W之间向上通过的药液C的流速与通过半导体基板W之间的药液C的流速不太有变化。由此，能够抑制药液C的磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀，抑制蚀刻速度的不匀或者堆积物的附着。
图11的(A)表示使用了没有设置开口部43的升降机40的情况下的药液C的流速分布的图。在图11的(A)以及图11的(B)中，接近白色的部分表示药液C的流速慢，接近黑色的部分表示药液C的流速快。此外，图11的(A)以及图11的(B)表示D3方向上的半导体基板W的中心部处的药液C的状况。
如由图11的(A)的圆CA所示那样，在没有设置开口部43的情况下，在半导体基板W1的上端部附近，药液C的流速与其他部分相比非常快。这是因为：由于流入到半导体基板W1与搬送板42之间的药液C的逃避场所少，因此当该药液C到达半导体基板W1的上端部时，会在半导体基板W1的上端部的上方向与搬送板42相反的方向猛烈地流动。由此，药液C如箭头A1那样流动。这成为增大药液C的磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀的原因。
图11是(B)是表示使用了设置有开口部43的升降机40的情况下的药液C的流速分布的图。
如由图11的(B)的圆CB所示那样，在设置有开口部43的情况下，在半导体基板W1的上端部附近，药液C的流速不那么快。这是因为：流入到半导体基板W1与搬送板42之间的药液C的一部分通过开口部43而向升降机40的外侧流出。因此，在半导体基板W1的上端部的上方流动的药液C的流速变为比较慢，成为与其他部分中的流速同等的流动。由此，能够抑制药液C的磷酸浓度或者二氧化硅浓度的不匀，抑制半导体基板的处理速度(例如蚀刻速率)的不匀。这样，本实施方式涉及的升降机40也可以在搬送板42具有开口部43。
第4实施方式也可以与第2实施方式或者第3实施方式涉及的整流板100a～100d进行组合。
(第5实施方式)
图12是第5实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。在第5实施方式中，在整流板100c与整流板100d之间设置有作为第5整流板的整流板110。整流板110在半导体基板W的排列中设置在与搬送板42相反的一侧。整流板110既可以连接于升降机40的支承部41，或者也可以固定在处理槽10的壁面。整流板110也可以与半导体基板W同样地载置于升降机40的支承部41上。整流板110的下端具有与半导体基板W同样的大致圆弧形状，具有沿着半导体基板W的下部的形状。整流板110的两侧边大致在铅垂方向上呈直线状延伸。整流板110的D3方向上的宽度与整流板100c与整流板100d之间的间隔相同，或者比其窄一些。由此，整流板110能够不会与整流板100c、100d干涉地与升降机40一起移动。进一步，整流板110的上边在大致水平方向上呈直线状延伸。整流板110的上边的高度也可以与处理槽10的上端的高度或者药液C的液面的高度相等，或者比其低。
从D3方向观察时，整流板110既可以配置在比整流板100a～100d靠近半导体基板W的位置，也可以配置在与整流板100a～100d大致相同的位置。
整流板110在半导体基板W的排列中配置在与搬送板42相对向的位置。由此，能够在搬送板42附近的半导体基板W1与整流板110附近的半导体基板Wn之间使药液C的流动的状态接近。另外，第5实施方式具有整流板100a～100d，因此，也能够获得第1实施方式的效果。整流板110与整流板100a～100d同样地遮挡间隙Ga、Gb，因此，能够进一步抑制贯穿间隙Ga、Gb的D2方向上的药液C的流动。
此外，整流板110的下端的形状不被特别地限定，也可以是大致直线状等。另外，第5实施方式也可以与第2实施方式或者第3实施方式涉及的整流板100a～100d进行组合。进一步，第5实施方式中，也可以将第4实施方式的开口部43设置在搬送板42。由此，第5实施方式能够进一步获得第2实施方式～第4实施方式中的任一实施方式的效果。
(第6实施方式)
图13是第6实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。图14是第6实施方式涉及的处理槽以及升降机的侧视图。在第6实施方式中，在整流板100c与整流板100d之间设置有作为第5整流板的整流板115。如图14所示，整流板115在半导体基板W的排列中设置在与搬送板42相反的一侧。整流板115固定于处理槽10的壁面。从D3方向观察时，整流板115位于连接板48与处理槽10的壁面之间。整流板115的下边在半导体基板W的处理时位于比半导体基板W靠下方的位置。另外，整流板115在半导体基板W的处理时延伸到比处理槽10内的药液C的液面高的位置，其上边与搬送板42的上边同样地位于比药液C的液面靠上方的位置。
整流板115的上边从整流板100c的附近到整流板100d的附近遍及D3方向的大致整体而位于比药液C的液面靠上方的位置。即，整流板115的上边在间隙Ga、Gb之间的大致整体中位于比药液C的液面靠上方的位置。
整流板115的D3方向上的宽度与整流板100c和整流板100d之间的间隔相同，或者比其窄一些。整流板115的D3方向上的宽度可以与搬送板42的宽度大致相同。如图13所示，从图14的D2方向观察时，整流板115配置在整流板100c与整流板100d之间。
整流板115在半导体基板W的排列中配置在与搬送板42相对向的位置。如图14所示，整流板115与整流板100c、100d之间的间隔或者整流板115与半导体基板Wn之间的间隔，和搬送板42与整流板100a、100b之间的间隔或者搬送板42与半导体基板W1之间的间隔大致相同。由此，能够在搬送板42附近的半导体基板W1与整流板115附近的半导体基板Wn之间使药液C的流动的状态大致相等。
另外，整流板115在间隙Ga、Gb之间的整体中位于比药液C的液面靠上方的位置，因此，整流板115、100c、100d抑制药液C从处理槽10向图14的左方向溢出。另一方面，搬送板42、100a、100b抑制药液C从处理槽10向图14的右方向溢出。由此，能够在半导体基板W1～Wn的上端附近(位于半导体基板W的上方的药液C的液面附近)，抑制图14的D2方向上的药液C的流动。另外，第6实施方式具有整流板100a～100d，因此，也能够获得第1实施方式的效果。
此外，第6实施方式也可以与第2实施方式或者第3实施方式涉及的整流板100a～100d、或者第5实施方式的整流板110进行组合。进一步，第6实施方式中，也可以将第4实施方式涉及的开口部43设置在搬送板42。由此，第6实施方式能够进一步获得第2实施方式～第5实施方式中的任一实施方式的效果。
(第7实施方式)
图15是第7实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。第7实施方式在整流板115的下边位于比第6实施方式的整流板的下边高的位置这一点与第6实施方式不同。虽未图示，但整流板115固定于处理槽10的壁面即可。第7实施方式的其他构成可以与第6实施方式的所对应的构成是同样的。
即使是第7实施方式涉及的整流板115，整流板115也在间隙Ga、Gb之间的大致整体中位于比药液C的液面靠上方的位置，因此，整流板115、100c、100d能够抑制药液C从处理槽10向半导体基板W的排列方向的一侧方向溢出，在半导体基板W的上端附近抑制半导体基板W的排列方向上的药液C的流动。除此之外，第7实施方式也能够获得第6实施方式的效果。另外，第7实施方式具有整流板100a～100d，因此，也能够获得第1实施方式的效果。
此外，第7实施方式也可以与第2实施方式或者第3实施方式涉及的整流板100a～100d、或者第5实施方式的整流板110进行组合。进一步，第7实施方式中，也可以将第4实施方式的开口部43设置在搬送板42。由此，第7实施方式能够进一步获得第2实施方式～第5实施方式中的任一实施方式的效果。
例如，在将第7实施方式涉及的整流板115应用于第2实施方式的情况下，成为图16所示的构成。图16是组合了第2实施方式以及第7实施方式的处理槽以及升降机的正视图。整流板115的下边也可以为与整流板100c、100d的下端大致相等的高度。即使是这样的构成，也不丢失第7实施方式的效果。
(第8实施方式)
图17是第8实施方式涉及的处理槽以及升降机的侧视图。在第8实施方式中，从图17的D2方向观察时，在整流板100a与整流板100b之间还设置有作为第6整流板的整流板120。第8实施方式的其他构成也可以与第5实施方式是同样的。因此，从图17的D2方向观察时，在整流板100c与整流板100d之间设置有整流板110。
整流板120在半导体基板W的排列中设置在搬送板42侧。整流板120既可以连接于升降机40的支承部41，或者也可以与半导体基板W同样地载置在升降机40的支承部41上。从D2方向观察时，整流板120的形状例如可以与图12所示的整流板110的形状相同。因此，整流板120的下端具有与半导体基板W同样的大致圆弧形状，具有沿着半导体基板W的下部的形状。整流板120的两侧边在大致铅垂方向上呈直线状延伸。整流板120的D3方向上的宽度与整流板100a和整流板100b之间的间隔相同，或者比其窄一些。进一步，整流板120的上边在大致水平方向上呈直线状延伸。整流板120的上边的高度也可以与处理槽10的上端的高度或者药液C的液面的高度相同，或者比其低。
整流板120在半导体基板W的排列中配置在搬送板42与半导体基板W之间。整流板120与和其邻近的半导体基板W1之间的距离与整流板110与和其邻近的半导体基板Wn之间的距离大致相等。由此，能够在整流板120附近的半导体基板W1与整流板110附近的半导体基板Wn之间使药液C的流动的状态大致相等。另外，第8实施方式具有整流板100a～100d，因此，也能够获得第1实施方式的效果。整流板110与整流板100a～100d同样地遮挡间隙Ga、Gb，因此，能够进一步抑制贯穿间隙Ga、Gb的D2方向上的药液C的流动。
此外，整流板120的下端的形状不被特别地限定，也可以是大致直线状等。另外，第8实施方式也可以与第6实施方式或者第7实施方式进行组合。即，在第6实施方式或者第7实施方式中，整流板120也可以在半导体基板W的排列中设置在搬送板42侧。在该情况下，从D2方向观察时，整流板120的形状以及安装方法优选设为与第6实施方式或者第7实施方式各自的整流板110的形状以及安装方法大致相同。这是因为，由此而D2方向上的药液C的流动的对称性提高。
以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，同样地，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。
标号说明
1处理装置；10处理槽；20气体供给管；30a、30b药液供给管；40升降机；50驱动部；60循环槽；70气体供给瓶；80控制器；100a～100d、110、120整流板。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，具备：
处理槽，其能够积存液体；
搬送部，其以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板，能够向所述处理槽内搬送所述多个半导体基板；
多个液体供给部，其能够从所述处理槽的下方朝向所述处理槽的内侧方向供给所述液体；以及
多个整流板，其配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方，从所述多个半导体基板的排列方向观察时，设置在所述搬送部的两侧的、所述搬送部与所述处理槽的侧壁之间的间隙中的位于所述半导体基板上方的第1间隙区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述多个整流板的上端位于与所述处理槽的上端相同或者比其高的位置。
3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
从所述多个半导体基板的排列方向观察时，所述多个整流板设置为遮挡所述第1间隙区域。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述多个整流板配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧，
在所述多个半导体基板的排列的一端侧与所述多个整流板相邻的半导体基板和所述多个整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离，为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍～2倍间的值。
5.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
所述多个整流板包括：
第1整流板以及第2整流板，其配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧，并且，从所述多个半导体基板的排列方向观察时，分别配置在所述搬送部的两侧；以及
第3整流板以及第4整流板，其配置在所述多个半导体基板的排列的另一端侧，并且，从所述多个半导体基板的排列方向观察时，分别配置在所述搬送部的两侧。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，
在所述多个半导体基板的排列的一端侧与所述第1整流板以及所述第2整流板相邻的半导体基板和所述第1整流板以及所述第2整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离，为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍～2倍间的值。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，
在所述多个半导体基板的排列的另一端侧与所述第3整流板以及所述第4整流板相邻的半导体基板和所述第3整流板以及所述第4整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离，为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍～2倍间的值。
8.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
所述多个整流板具有大致相同的形状，设置在大致相同的高度。
9.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
所述搬送部通过使所述多个半导体基板在上下方向上移动来将其搬入到所述处理槽内或者从所述处理槽内搬出，
所述多个整流板设置在与所述搬送部以及所述半导体基板不接触的位置。
10.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
所述第1间隙区域位于比所述多个半导体基板的大致中心靠上方的位置，
所述多个整流板的下端位于所述多个半导体基板的中心附近的高度位置。
11.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，
所述多个整流板的下端的一部分具有与所述多个半导体基板的外缘对应的大致圆弧形状。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述搬送部包括：
支承部，其从下方支承所述多个半导体基板；和
搬送板，其与所述支承部相连，与所述多个半导体基板相对向，
所述搬送板具有开口部，从所述多个半导体基板的排列方向观察时，所述开口部包含从所述多个液体供给部供给的所述液体的供给方向的交叉位置。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述搬送部包括：
支承部，其从下方支承所述多个半导体基板；和
搬送板，其与所述支承部相连，与所述多个半导体基板相对向，
所述基板处理装置还具备第5整流板，所述第5整流板相对于所述多个半导体基板的排列而设置在与所述搬送板相反的一侧。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，
从所述多个半导体基板的排列方向观察时，所述第5整流板配置在所述多个整流板之间。
15.根据权利要求13或者14所述的基板处理装置，
所述第5整流板的上边在所述多个半导体基板的处理时位于比所述处理槽内的液面靠上方的位置。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，
还具备第6整流板，所述第6整流板相对于所述多个半导体基板的排列而设置在所述搬送板侧。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，
从所述多个半导体基板的排列方向观察时，所述第6整流板配置在所述多个整流板之间。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述搬送部在大致水平面内与所述多个半导体基板的排列方向正交的方向上将该多个半导体基板的侧部开放。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置，
所述多个半导体基板被排列为使得相邻的半导体基板的成对的半导体基板的元件形成面相互相对向。
20.根据权利要求1所述的基板处理装置，
还具备多个气体供给部，所述多个气体供给部从所述多个半导体基板的下方供给气泡。
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