CN111383958B - 基片液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。

Description

基片液处理装置
技术领域
本发明涉及基片液处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种通过在收纳药液的处理槽中支承基片，对该基片实施药液处理的基片液处理装置。在该基片液处理装置中，处理槽由树脂材料形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-10709号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种在基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的基片液处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
发明效果
依照本发明，能够提供一种在基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的基片液处理装置。
附图说明
图1是示意性地例示第1实施方式的基片液处理系统的俯视图。
图2是例示基片液处理装置的示意图。
图3是例示基片液处理装置的结构的示意性的立体图。
图4是例示基片液处理装置的结构的示意性的侧视图。
图5是例示基片液处理装置的结构的示意性的主视图。
图6是例示第2实施方式的基片液处理系统的基片液处理装置的结构的示意性的侧视图。
图7是例示基片液处理装置的结构的示意性的主视图。
图8是例示基片液处理装置的结构的示意性的俯视图。
图9是表示基片液处理装置的结构的另一例的示意性的侧视图。
图10是表示基片液处理装置的结构的又一例的示意性的主视图。
图11是例示第3实施方式的基片液处理系统的基片液处理装置的结构的示意性的侧视图。
图12是例示基片液处理装置的结构的示意性的俯视图。
图13是例示基片液处理装置的结构的另一例的示意性的主视图。
图14是例示基片液处理装置的结构的又一例的示意性的侧视图。
附图标记说明
A1……基片液处理装置
8、W1、W2……基片
34……处理槽
34a～34d……侧壁
60……处理液排出部件
73a～73d……基片支承部件
75a……排出孔
76a、76b……排出孔
81……板状部件
82……固定部件
91……突出部件
98、99……整流部
Va～Vd……侧方空间。
具体实施方式
以下，对各种例示的实施方式进行说明。
本发明的一侧面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
在该基片液处理装置中，具有在侧方空间中调节处理液的液流的整流部。当侧方空间中的处理液的上升流混乱时，存在第1基片的主面中与第1侧壁相对的主面的处理变得不均匀的可能性。在上述构成中，通过用整流部调节侧方空间中的处理液的液流，能够抑制侧方空间中的处理液的上升流的混乱。因此，因上升流的混乱导致的对基片液处理的影响被降低，所以能够提高基片面内的处理的均匀性。
可以为整流部具有设置在第1侧壁的、排出处理槽内的处理液的第1排出孔。在该情况下，在处理槽内上升的处理液，能够经第1排出孔排出到处理槽外，因此能够防止在侧方空间中形成处理液下降的下降流。因此，能够抑制侧方空间中的处理液的上升流的混乱。其结果，能够提高基片面内的液处理的均匀性。
可以为第1排出孔与第1基片的上端部相对地设置。在该情况下，能够更恰当地防止在侧方空间中形成上述的下降流。因此，能够更可靠地抑制由下降流引起的上升流的混乱，所以能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
可以为基片液处理装置还包括具有第2排出孔的第2整流部，其中第2排出孔设置在与处理槽的第1侧壁连接的第2侧壁，排出处理槽内的处理液。在该情况下，也能够利用第2排出孔，将在处理槽内上升的处理液排出到处理槽外。因此，能够进一步抑制侧方空间中的处理液的上升流的混乱，所以能够进一步提高基片面内的液处理的均匀性。
可以为整流部具有配置在侧方空间的板状部件。可以为板状部件与第1基片和第1侧壁隔开间隔。可以为板状部件的一个主面是与第1基片相对的相对面。在该情况下，在处理槽内上升的处理液的一部分能够在侧方空间中的板状部件与第1侧壁之间形成的空间中形成下降流。如此一来，通过形成能够形成下降流的空间，能够防止在与该空间不同的空间中形成下降流，能够抑制沿第1基片的主面的上升流的混乱。其结果，能够提高基片面内的液处理的均匀性。
可以为第1基片与板状部件的间隔比板状部件与第1侧壁的间隔小。在该情况下，与第1基片和板状部件之间的空间相比，在板状部件和第1侧壁之间的空间容易形成下降流。因此，能够进一步抑制沿第1基片的主面的上升流的混乱，能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
可以为整流部具有将板状部件固定在处理槽的固定部。在该情况下，板状部件被固定部固定处理槽，因此例如在使基片支承部移动到处理槽外，进行多个基片的交接的情况下，板状部件不影响基片的交接。其结果，能够兼顾容易地交接基片以及提高基片面内的处理的均匀性。
可以为基片支承部沿铅垂方向和与第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承多个基片。可以为板状部件被固定于基片支承部。在该情况下，能够使板状部件更靠近第1基片。在该情况下，能够进一步促进在板状部件与第1侧壁之间形成下降流。其结果，能够进一步抑制沿第1基片的主面的上升流的混乱，能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
可以为基片支承部沿铅垂方向和与第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承多个基片。可以为整流部具有用于固定板状部件的固定部。可以为板状部件包括：通过固定部固定于处理槽的第1分隔部件；和固定于基片支承部的第2分隔部件。可以为第1分隔部件构成相对面的一部分。可以为第2分隔部件构成相对面的其他部分。在该情况下，例如在使基片支承部移动到处理槽外，进行多个基片的交接的情况下，在基片支承部形成第2分隔部件的大小的空间。因此，能够在该空间通过交接用的部件进行多个基片的交接，所以板状部件难以影响基片的交接。其结果，能够兼顾容易地交接基片以及提高基片面内的处理的均匀性。
可以为整流部具有从第1侧壁的内表面向内侧突出并且沿第1侧壁在与铅垂方向交叉的方向上延伸的突出部件。在该情况下，能够用突出部件来阻碍在处理槽内上升的处理液向侧方空间流动。其结果，能够抑制侧方空间中的上升流的混乱，所以能够提高基片面内的液处理的均匀性。
可以为第1间隔与第2间隔大致一致或比第2间隔小，其中第1间隔是突出部件与第1基片的间隔，第2间隔是多个基片中和第1基片相邻的第2基片与第1基片的间隔。在该情况下，突出部件与第1基片的间隔足够小，因此能够阻碍形成在突出部件与第1基片之间通过的处理液的液流。其结果，能够更可靠地抑制侧方空间中的上升流的混乱，所以能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
可以为突出部件从与第1基片的上端对应的中央位置向两外侧倾斜地向下方延伸。在该情况下，在处理槽内上升的处理液因突出部件的倾斜而避免向第1基片的外侧流动。因此，能够更可靠地抑制侧方空间中的上升流的混乱，所以能够提高基片面内的液处理的均匀性。
可以为突出部件中与第1基片相对的侧面以随着去往下方而靠近第1侧壁的方式倾斜。在该情况下，在侧方空间中上升的处理液的液流难以被突出部件阻碍。其结果，能够兼顾可靠地执行液处理并且提高面内均匀性。
以下，参照附图，详细说明各种例示的实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。此外，在下文中，为了进行说明，规定彼此正交的XYZ轴，令Z轴正方向为铅垂向上方向。
(第1实施方式)
首先，参照图1～图5，说明第1实施方式的基片液处理系统。
(基片液处理系统)
如图1所示，基片液处理系统1A包括承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部7。
其中，承载器送入送出部2进行承载器9的送入和送出，该承载器9将多个(例如25个)基片(硅晶片)8以水平姿势上下并排地收纳。在该承载器送入送出部2设置有：载置多个承载器9的承载器台10；进行承载器9的输送的承载器输送机构11；暂时保管承载器9的承载器栈12、13；和载置承载器9的承载器载置台14。在此，承载器栈12在由批次处理部6处理作为产品的基片8前暂时保管基片8。另外，承载器栈13在由批次处理部6处理了作为产品的基片8后暂时保管基片8。
然后，承载器送入送出部2用承载器输送机构11将从外部送入承载器台10的承载器9输送到承载器栈12或承载器载置台14。此外，承载器送入送出部2用承载器输送机构11将载置于承载器载置台14的承载器9输送到承载器栈13、承载器台10。输送到承载器台10的承载器9被送出到外部。
在批次形成部3中形成有将收纳于1个或多个承载器9的基片8组合并同时进行处理的多个(例如50个)基片8构成的批次。此外，在形成批次时，可以以使在基片8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批次，也可以以使在基片8的表面形成有图案的面全部朝向一个方向的方式形成批次。在该批次形成部3，设置有输送多个基片8的基片输送机构15。此外，基片输送机构15能够在输送基片8的中途将基片8的姿势从水平姿势改变为垂直姿势或者从垂直姿势改变为水平姿势。
然后，批次形成部3使用基片输送机构15将基片8从载置于承载器载置台14的承载器9输送到批次载置部4，将形成批次的基片8载置到批次载置部4。此外，批次形成部3用基片输送机构15将载置于批次载置部4的批次输送到载置于承载器载置台14的承载器9。此外，基片输送机构15具有作为用于支承多个基片8的基片支承部，即支承处理前(由批次输送部5输送前)的基片8的处理前基片支承部和支承处理后(由批次输送部5输送后)的基片8的处理后基片支承部这2种。由此，防止附着于处理前的基片8等的颗粒等转印到处理后的基片8等。
批次载置部4用批次载置台16暂时载置(待机)由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次。在该批次载置部4中设置有载置处理前(由批次输送部5输送前)的批次的送入侧批次载置台17和载置处理后(由批次输送部5输送后)的批次的送出侧批次载置台18。在送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18，以垂直姿态前后并排地载置1个批次的量的多个基片8。
而且，在批次载置部4中，由批次形成部3形成的批次载置在送入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5被送入批次处理部6。此外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5送出的批次被载置在送出侧批次载置台18，该批次被输送到批次形成部3。
批次输送部5在批次载置部4和批次处理部6之间和批次处理部6的内部间进行批次的输送。在该批次输送部5设置进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19包括：沿批次载置部4和批次处理部6配置的导轨20；以及一边保持多个基片8一边沿导轨20移动的移动体21。在移动体21可自由进退地设置有保持以垂直姿势前后并排的多个基片8的基片保持体22。
而且，批次输送部5用批次输送机构19的基片保持体22接收载置于送入侧批次载置台17的批次，将该批次交接至批次处理部6。此外，批次输送部5用批次输送机构19的基片保持体22接收由批次处理部6处理了的批次，将该批次交接至送出侧批次载置台18。并且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6对由以垂直姿势前后并排的多个基片8形成的1个批次进行蚀刻、清洁和干燥等处理。在该批次处理部6并排地设置有进行基片8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24、进行基片8的清洗处理的清洗处理装置25和进行基片8的蚀刻处理的2台蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23具有处理槽27和可升降地设置于处理槽27的基片升降机构28。处理槽27被供给干燥用的处理气体(IPA(isopropylalcohol：异丙醇)等)。1个批次的量的多个基片8以垂直姿势前后并排地保持在基片升降机构28。干燥处理装置23用基片升降机构28从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，用基片升降机构28使该批次下降，用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基片8的干燥处理。此外，乾燥处理装置23从基片升降机构28将批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。
基片保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够对该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在对批次输送机构19的基片保持体22供给了清洗用的处理液后，通过供给干燥气体来进行基片保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基片升降机构32、33可升降地设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35可升降地设置基于片升降机构36、37。在蚀刻用的处理槽34贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
上述清洗处理装置25和蚀刻处理装置26为相同的结构。对蚀刻处理装置26进行说明时，1个批次的多个基片8以垂直姿态在前后(X轴方向)并排地保持在基片升降机构36。在蚀刻处理装置26中，从批次输送机构19的基片保持体22用基片升降机构36接收批次，用基片升降机构36使该批次升降由此将批次浸渍在处理槽34的蚀刻用的蚀刻理液中来进行基片8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26从基片升降机构36将批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。此外，用基片升降机构37从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，用基片升降机构37使该批次升降由此将批次浸渍在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基片8的冲洗处理。之后，从基片升降机构37将批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。
控制部7控制基片液处理系统1A的各部(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6)的动作。该控制部7例如由计算机构成，具有计算机可读取的存储介质138。在存储介质138中保存用于控制在基片液处理系统1A中执行的各种处理的程序。控制部7通过读取存储于存储介质138的程序并执行，来控制基片液处理系统1A的动作。此外，程序存储于计算机可读取的存储介质138，也可以从其他存储介质安装到控制部7的存储介质138。作为计算机可读取的存储介质138，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
(基片液处理装置)
接着，参照图2，详细说明基片液处理系统1A所包含的基片液处理装置A1。如图2所示，基片液处理装置A1包括蚀刻处理装置26。
蚀刻处理装置26将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)用作蚀刻用的处理液对基片8进行液处理(蚀刻处理)。此外，可以适当改变磷酸水溶液的浓度。如图2所示，蚀刻处理装置26包括处理液贮存部38、处理液供给部39、处理液循环部40、处理液排出部41和气体供给部55。
处理液贮存部38贮存处理液并用该处理液对基片8进行处理。处理液贮存部38具有处理槽34和外槽42。处理液贮存部38在上部开放的处理槽34的周围形成上部开放的外槽42，在处理槽34和外槽42贮存处理液。处理槽34通过用基片升降机构36使基片8浸渍来贮存进行液处理的处理液。外槽42贮存从处理槽34漫出的处理液。贮存于外槽42的处理液通过处理液循环部40供给到处理槽34。在外槽42设置有液面传感器80。液面传感器80是检测处理液贮存部38的外槽42中的液面高度的传感器。作为液面传感器80，可以使用能够检测液面高度的各种传感器。液面传感器80将表示检测到的液面高度的信息输出到控制部7。
处理液供给部39对处理液贮存部38供给处理液。处理液供给部39包括水溶液供给部43和水供给部44(纯水供给部)。水溶液供给部43包括水溶液供给源45和流量调节器46。
水溶液供给源45对处理液贮存部38供给磷酸水溶液。从水溶液供给源45供给的磷酸水溶液经流路43a被供给到处理液贮存部38。流量调节器46设置于流路43a中的水溶液供给源45的下游侧。流量调节器46与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
水供给部44对处理液贮存部38供给水(纯水)。水供给部44将用于供给规定温度(例如，25℃)的纯水的水供给源47经流量调节器48连接到处理液贮存部38的外槽42。流量调节器48与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
处理液循环部40将外槽42内的处理液送到处理槽34。处理液循环部40包括循环流路49、泵50、加热器51、过滤器52和浓度计53。循环流路49是从处理液贮存部38的外槽42的底部延伸至处理槽34的底部的流路。在循环流路49的处理槽34内的端部设置用于将处理液供给到处理槽34内的处理液排出部件60。在循环流路49，从上游侧(外槽42侧)至下游侧(处理槽34侧)依次设置有泵50、加热器51、过滤器52和浓度计53。泵50和加热器51与控制部7连接，由控制部7驱动控制。泵50将处理液从上游侧压送到下游侧。加热器51将处理液加热至设定温度(例如，165℃)。过滤器52除去混入到处理液中的颗粒。浓度计53计量循环流路49中的处理液中的规定成分(例如，磷酸等)的浓度。浓度计53将所计量出的浓度的信息输出到控制部7。此外，也可以不设置浓度计53。
处理液排出部41从处理槽34内排出处理液。处理液排出部41例如包括排液流路41A和阀41B。排液流路41A导出处理槽34内的处理液。排液流路41A的一端部与处理槽34的底部连接，排液流路41A的另一端部与基片液处理系统1A的排液管(未图示)连接。阀41B设置于排液流路41A。阀41B与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
气体供给部55对处理槽34内供给非活性气体。气体供给部55包括气体供给源56和流量调节器57。气体供给源56对处理液贮存部38供给作为非活性气体，例如氮气。从气体供给源56供给的氮气经流量调节器57被供给到处理槽34内。在气体供给部55的处理槽34内的端部设置用于将氮气供给到处理槽34内的气体排出部件65。流量调节器57设置于气体供给源56的下游侧。流量调节器57与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
(蚀刻处理装置)
接着，参照图3～图5，具体说明蚀刻处理装置26的结构的一例。在图3～图5中，示出了蚀刻处理装置26中处理液贮存部38附近。
如图3所示，蚀刻处理装置26的处理槽34是上部开放的收纳容器。处理槽34呈长方体状。具体而言，处理槽34具有各自沿YZ平面延伸的一对侧壁34a(第1侧壁)和侧壁34b以及各自沿XZ平面延伸的一对侧壁34c(第2侧壁)和侧壁34d(第2侧壁)。此外，处理槽34具有与侧壁34a～34d各自的下端连接且沿XY平面延伸的底壁34e。侧壁34a和侧壁34b在X轴方向上彼此相对。侧壁34c和侧壁34d在Y轴方向上彼此相对。在由侧壁34a～34d、底壁34e和包含侧壁34a～34d的上端的假想面划分的空间(以下称为“处理槽34内的贮存空间”。)收纳用于对多个基片8和多个基片8进行蚀刻处理的处理液。
外槽42形成为能够收纳处理槽34。外槽42呈长方体状。外槽42是上部开放的收纳容器。具体而言，外槽42覆盖处理槽34的侧壁34a～34d和底壁34e。外槽42具有各自沿YZ平面延伸的一对侧壁42a和侧壁42b以及各自沿XZ平面延伸的一对侧壁42c和侧壁42d。此外，外槽42具有与侧壁42a～42d各自的下端连接且沿XY平面延伸的底壁42e。侧壁42a与处理槽34的侧壁34a相对，侧壁42b与处理槽34的侧壁34b相对。侧壁42c与处理槽34的侧壁34c相对，侧壁42d与处理槽34的侧壁34d相对。即，在处理槽34的侧壁34a～34d的外侧分别设置有外槽42的侧壁42a～42d。此外，底壁42e与处理槽34的底壁34e相对，设置于底壁34e的下方(Z轴负侧)。
由外槽42的侧壁42a～42d的内表面和底壁42e的内表面以及处理槽34的侧壁34a～34d的外表面和底壁34e的外表面，形成用于贮存从处理槽34溢出的处理液的空间(以下称为“外槽42内的贮存空间”。)。在供给到处理槽34内的贮存空间的处理液超过了处理槽34的容积的情况下，处理液越过侧壁34a～34d的各上端(溢出)，流向外槽42内的贮存空间(漫出)。此外，处理槽34和外槽42的上部开口可以由未图示的盖体封闭。
基片升降机构36在进行蚀刻处理时在处理槽34内支承构成批次的多个基片8，在蚀刻处理的前后使多个基片8升降。如图4所示，基片升降机构36支承沿水平方向(X轴方向)排列的多个基片8。由基片升降机构36支承的多个基片8各自的主面沿YZ平面延伸。即，多个基片8各自以主面垂直方向(铅垂方向：Z轴方向)延伸的方式以垂直姿态被基片升降机构36支承。基片升降机构36包括设置于处理液贮存部38的外侧的升降驱动部(未图示)，能够通过升降驱动部的驱动而在铅垂方向(Z轴方向)移动。基片升降机构36包括支承板71、引导板72和多个(例如4个)基片支承部件73a～73d(基片支承部)。
支承板71与升降驱动部(未图示)连接并且支承引导板72和多个基片支承部件73a～73d。支承板71是板状的，沿铅垂方向(Z轴方向)延伸。即，支承板71以一对主面各自在YZ平面延伸的方式配置。支承板71在X轴方向上配置于侧壁34b附近。支承板71的下端位于比多个基片8靠下方处。在支承板71的一个主面(与侧壁34a相对的主面)设置有引导板72。引导板72呈与基片8对应的大小的圆板状(也参照图4)。
多个基片8以垂直姿态被多个基片支承部件73a～73d支承。基片支承部件73a～73d各自是截面形状为长方形形状的部件，被固定在支承板71的设置有引导板72一侧的主面(与侧壁34a相对的主面)的下方，在从该主面去往侧壁34a的方向(X轴方向)延伸。基片支承部件73a～73d为与收纳于处理槽34内的状态下的基片8的外形对应的配置。具体而言，从X轴方向观察，基片支承部件73a、73b配置于侧方(靠近侧壁34c、34d的一侧)，基片支承部件73c、73d配置于中央(远离侧壁34c、34d的一侧)。此外，基片支承部件73a、73b配置于比基片支承部件73c、73d靠上方处。基片支承部件73a～73d在上表面包括多个(例如，50～52个)的基片支承槽。将基片8的周缘部插入该基片支承槽，基片升降机构36(基片支承部件73a～73d)能够保持多个基片8。
在后文中，有时将由基片升降机构36支承的多个基片8中从X轴负侧开始数第n个(n是1～N的整数)配置的基片作为“基片Wn”进行说明。例如，将配置于最靠近侧壁34a的位置的基片作为“基片W1”，将配置于最远离侧壁34a的位置的基片作为“基片WN”。此外，将多个基片8各自的一对主面中靠近侧壁34a的主面作为“主面Wa”，将靠近侧壁34b的主面称为“主面Wb”。并且，将在处理槽34内由基片升降机构36(基片支承部件73a～73d)支承的状态的基片8(基片Wn)简称为“基片8(基片Wn)”来进行说明。
在处理槽34的底壁34e附近设置与循环流路49(参照图2)的一端连接的多个(例如3个)处理液排出部件60(处理液排出部)以及连接部件63。在多个处理液排出部件60的上游侧配置与循环流路49相连的多个(例如2个)供给管61。多个供给管61配置在支承板71与侧壁34b之间，在铅垂方向延伸。供给管61的下端经使处理液分支的分支部(未图示)与多个处理液排出部件60连接。
多个处理液排出部件60将处理液排出到处理槽34内。多个处理液排出部件60各自是沿X轴方向延伸的筒状的部件，在供给管61侧的端部与分支部连通，并且供给管61侧和相反侧的端部是封闭的。多个处理液排出部件60在Y轴方向上彼此以大致相同的间隔并排地配置。从X轴方向观察，多个处理液排出部件60配置于基片8(基片W1)的横宽的范围内。在该例中，多个处理液排出部件60在Y轴方向上分别配置于基片支承部件73a、73c之间、基片支承部件73c、73d之间以及基片支承部件73d、73b之间。
多个处理液排出部件60配置于比多个基片8(的下端)靠下方处彼此大致相同的高度位置。在图5所示的例中，多个处理液排出部件60的上端比基片支承部件73c、73d的上端(以及高度方向中央)低。各处理液排出部件60具有多个排出孔(未图示)。多个排出孔分散地配置于各处理液排出部件60的周面。通过将处理液经多个排出孔排出到处理槽34内的贮存空间，而处理液排出部件60生成处理液的上升流Fu(参照图4)。此外，处理液的上升流是在贮存于处理槽34内的处理液的内部沿铅垂方从下向上流动的处理液的液流。
连接部件63将多个处理液排出部件60的端部彼此物理地连接。连接部件63是在Y轴方向延伸的棒状的部件，设置于多个处理液排出部件60的前端(靠近侧壁34a的另一端)。在图4所示的例中，连接部件63在X轴方向上配置于基片W1(第1基片)与侧壁34a之间。此外，在图5中，省略了连接部件63的图示。
在处理槽34内的底壁34e附近设置与气体供给部55的供给通路的一端连接的多个(例如6个)气体排出部件65和连接部件68。在多个气体排出部件65的上游侧配置与气体供给部55的供给通路相连的多个(例如2个)供给管66。多个供给管66以不与供给管61干涉的方式配置在支承板71与侧壁34b之间，在铅垂方向延伸。供给管66的下端经使气体分支的分支部(未图示)与多个气体排出部件65连接。
多个气体排出部件65将非活性气体排出到处理槽34内，利用由氮气形成的气泡促进形成处理液的上升流Fu。通过供给该氮气，容易将上升流Fu的状态保持为均匀的。多个气体排出部件65各自是沿X轴方向延伸的筒状的部件，在供给管66侧的端部与分支部连通，并且与供给管66侧相反的一侧的端部是封闭的。多个气体排出部件65沿Y轴方向并排地配置。从X轴方向观察，多个气体排出部件65配置在基片8(基片W1)的横宽的范围内。在图5所示的例中，在基片支承部件73a、73c之间、基片支承部件73c、73d之间以及基片支承部件73d、73b之间中，分别以将1个处理液排出部件60夹在之间的方式配置有2个气体排出部件65。
多个气体排出部件65配置于比多个处理液排出部件60(的中心)靠下方处。各气体排出部件65具有多个排出孔(未图示)。多个排出孔分散地配置在各气体排出部件65的周面。非活性气体经多个排出孔被排出到处理槽34内，促进形成处理液的上升流Fu。
连接部件68将多个气体排出部件65的端部彼此物理地连接。连接部件68是沿Y轴方向延伸的棒状的部件，设置于多个气体排出部件65的前端(靠近侧壁34a的另一端)。在图4所示的例中，连接部件68配置于基片W1与侧壁34a之间。连接部件68在X轴方向上配置于与连接部件63大致相同的位置，配置于比连接部件63靠下方处。此外，在图5中，省略了连接部件68的图示。
在处理槽34内由基片支承部件73a～73d支承的多个基片8在X轴方向上彼此以大致相等的间隔配置。作为一例，基片W1与基片W2之间隔D1是4mm～6mm程度。此外，间隔D1是基片W1的主面Wb与基片W2的主面Wa之间的最短距离。基片W1与侧壁34a的间隔D2是间隔D1的3倍～5倍程度。作为一例，间隔D2是12mm～30mm程度。此外，间隔D2是基片W1的主面Wa与侧壁34a的内表面之间的最短距离。基片WN与引导板72的间隔是间隔D1的2倍～3倍程度。作为一例，基片WN与引导板72的间隔是8mm～18mm程度。
在进行基片8的液处理时，在蚀刻处理装置26的处理液贮存部38中，流过循环流路49的处理液经供给管61从设置于处理液排出部件60的排出孔被供给到处理槽34内。从多个处理液排出部件60排出的处理液作为上升流Fu在多个基片8彼此之间流动。此外，利用从多个处理液排出部件60排出的处理液，在基片W1与侧壁34a之间的侧方空间Va以及基片WN与引导板72之间的侧方空间Vb也分别形成上升流Fu。并且，由从多个处理液排出部件60排出的处理液，在多个基片8(基片支承部件73a)与侧壁34c之间的侧方空间Vc以及多个基片8(基片支承部件73b)与侧壁34d之间的侧方空间Vd也分别形成上升流Fu。
作为上升流Fu在处理槽34内向上方移动到达上端附近的处理液，越过处理槽34的侧壁34a～34d上流动，作为液流Fo流入外槽42内的贮存空间(漫出到外槽42)。外槽42内的贮存空间的处理液再次经由循环流路49被供给到处理槽34内。之后，反复向处理槽34内排出处理液、形成上升流、跨越而流到外槽42以及经循环流路49对处理槽34内进行供给。此时，控制部7可以控制处理液循环部40(泵50)和处理液排出部41(阀41B)，以将外槽42内的贮存空间的处理液的液面高度维持为规定的范围。在反复进行这样的处理液的循环的处理槽34内，通过将多个基片8浸渍规定时间，来对各基片8的主面Wa和主面Wb的至少一者实施液处理(蚀刻处理)。在该蚀刻处理中，主面Wa、Wb中的蚀刻量能够根据沿主面Wa、Wb流动的上升流Fu的强度或者方向而变化。
在此，蚀刻处理装置26具有调节处理液的液流的整流部98和整流部99(第2整流部)。整流部98在侧方空间Va、Vb中调节处理液的液流。具体而言，整流部98在侧方空间Va、Vb中调节处理液的液流，以抑制因后述的下降流导致的对液处理的影响。整流部98具有多个(例如11个)排出孔75a(第1排出孔)、多个(例如11个)排出孔75b和多个(例如，11个)排出孔75c。
多个排出孔75a具有排出处理槽34内的处理液的功能。多个排出孔75a设置于侧壁34a，各自在X轴方向上贯通侧壁34a。所以，多个排出孔75a将处理槽34内的贮存空间(侧方空间Va)与外槽42内的贮存空间连接。从X轴方向观察，各排出孔75a的形状(轮廓)可以为长方形，也可以为圆形或者椭圆形。或者，各排出孔75a的形状可以为向Y轴方向和Z轴方向的任一方向延伸的隙缝状。
多个排出孔75a以与基片8(基片W1)的上端部相对的方式配置。此外，多个排出孔75a与基片W1的上端部相对是指，排出孔75a的至少一部分位于从基片W1的上端(基片W1的最高点)至基片W1的3/4的高度的范围内。如图5中例示的那样，多个排出孔75a可以配置于基片W1的上端部的靠上方处。例如，排出孔75a的至少一部分可以位于从基片W1的上端至基片W1的7/8的高度的范围内。或者，多个排出孔75a可以与基片W1的上端相对地配置。在该情况下，排出孔75a的至少一部分配置在与基片W1的上端大致相等的高度位置即可。
多个排出孔75a沿水平方向(Y轴方向)并排地配置。例如，多个排出孔75a在Y轴方向上以与相邻的排出孔75a彼此的间隔大致相等的方式配置。在图5所示的例中，多个排出孔75a在与基片W1的横宽大致相等的范围内呈一列并排地配置。此外，多个排出孔75a也可以配置在基片W1的横向(Y轴方向)上的中央区域，不配置在比中央区域靠外侧处。基片W1的横向上的中央区域例如是包含基片W1的横宽的1/3的范围的区域。如上述那样形成的多个排出孔75a在侧方空间Va中将贮存于处理槽34内的处理液排出到外槽42内的贮存空间。
多个排出孔75b和多个排出孔75c具有排出处理槽34内的处理液的功能。多个排出孔75b设置于侧壁34b，各自在X轴方向上贯通侧壁34b。多个排出孔75c设置于支承板71和引导板72。多个排出孔75c在X轴方向上贯通支承板71和引导板72。此外，在图4中，示出了多个排出孔75b、75c中的1个排出孔，在图5中，省略了多个排出孔75b、75c的图示。多个排出孔75b和多个排出孔75c从X轴方向观察配置于彼此对应的位置。具体而言，从X轴方向观察，多个排出孔75b的至少一部分分别与多个排出孔75c重叠。
多个排出孔75b、75c与多个排出孔75a对应地配置。高度方向上的多个排出孔75b、75c相对于基片WN的位置关系与多个排出孔75a相对于基片W1的位置关系相同。排出孔75b、75c沿水平方向(Y轴方向)并排地配置。例如，多个排出孔75b、75c在Y轴方向上以相邻的排出孔75b、75c彼此的间隔大致相等的方式配置。Y轴方向上的多个排出孔75b、75c相对于基片WN的位置关系与多个排出孔75a相对于基片W1的位置关系相同。如上述那样形成的多个排出孔75b、75c在侧方空间Vb中将贮存于处理槽34内的处理液排出到外槽42内的贮存空间。
整流部99在侧方空间Vc、Vd中调节处理液的液流。具体而言，整流部99调节处理液的液流，以使得在侧方空间Vc、Vd中抑制因下降流导致的对液处理的影响。整流部99具有多个(例如9个)排出孔76a(第2排出孔)和多个(例如9个)排出孔76b(第2排出孔)。
多个排出孔76a、76b各自具有排出处理槽34内的处理液的功能。多个排出孔76a、76b分别设置于与侧壁34a连接的侧壁34c、34d。多个排出孔76a、76b在Y轴方向上贯通侧壁34c、34d。此外，在图4中，省略了多个排出孔76a的图示，在图5中，示出了多个排出孔76a、76b中的1个排出孔。多个排出孔76a、76b配置于与多个排出孔75a对应的高度位置。多个排出孔76a、76b沿X轴方向并排地配置。例如，多个排出孔76a、76b以在X轴方向上相邻的排出孔76a、76b彼此的间隔大致相等的方式配置。多个排出孔76a、76b在X轴方向上并排地配置于从比基片W1靠近侧壁34a的位置至比基片WN靠近侧壁34b的位置的范围内。多个排出孔76a的配置位置与多个排出孔76b的配置位置对应。换言之，从Y轴方向观察，多个排出孔76a与多个排出孔76b重叠。如上述那样形成的多个排出孔76a、76b在侧方空间Vc、Vd中将贮存于处理槽34内的处理液排出到外槽42内的贮存空间。
多个排出孔75a、75b、75c和多个排出孔76a、76b的高度位置(以下称为“排出孔高度”。)比贮存于外槽42内的处理液的液面高度高。具体而言，排出孔高度可以比由控制部7维持在规定的高度位置的外槽42内的处理液的液面高度高。排出孔高度比外槽42内的处理液的液面高度高，由此，处理槽34内的处理液容易经排出孔被排出到外槽42内的贮存空间。
(作用)
在上述实施方式说明的蚀刻处理装置26中，具有在侧方空间Va中调节处理液的液流的整流部98。沿基片W1的与侧壁34a相对的主面Wa流动的上升流混乱时，存在基片W1的主面Wa的处理变得不均匀的可能性。在上述构成中，通过用整流部98在侧方空间Va中调节处理液的液流，而能够抑制沿基片W1的主面Wa流动的上升流的混乱。因此，能够降低因上升流的混乱导致的对基片液处理的影响，所以能够提高基片面内的处理的均匀性。
在处理槽34内，对基片8进行液处理的期间，如上所述，用处理液排出部件60形成上升流Fu。此时，大部分处理液从处理槽34越过到外槽42，不过也存在处理液的一部分形成在处理槽34内循环的液流的情况。具体而言，通过在处理槽34内的侧方空间Va形成下降流Fd，而形成在处理槽34内循环的处理液的液流。在处理槽34的多个基片8之间形成有上升流Fu，因此，在形成下降流Fd的情况下，考虑形成在基片8与处理槽34的侧壁34a～34d之间的空间。尤其是，在基片W1的主面Wa与侧壁34a之间的侧方空间Va具有比基片8彼此的间隔D1大的间隔D2的情况较多，因此容易形成下降流Fd。在形成下降流Fd时，处理液的上升流Fu混乱。上升流Fu的混乱对基片8的蚀刻处理产生影响。如上所述，在蚀刻处理中，蚀刻量能够根据沿基片8的主面流动的上升流Fu的强度或者方向而变化。所以，当下降流Fd形成在基片8的主面的附近时，产生上升流Fu的混乱，对该基片8的主面的蚀刻处理产生影响，存在对基片面内的液处理的均匀性产生影响的可能性。
对此，在蚀刻处理装置26中，设置在侧方空间Va中调节处理液的液流的整流部98。因此，利用整流部98，能够抑制侧方空间Va中的处理液的上升流Fu的混乱。因此，能够抑制沿配置在侧方空间Va附近的基片W1的主面Wa流动的上升流Fu的混乱，而提高基片面内的液处理的均匀性。
在蚀刻处理装置26中，整流部98具有设置在侧壁34a的、排出处理槽34内的处理液的排出孔75a。在该情况下，排出孔75a设置在侧壁34a，由此上升至处理槽34的上端附近的处理液经排出孔75a被排出到处理槽34外(外槽42内的贮存空间)。因此，能够防止在侧方空间Va中形成下降流Fd，因此，能够抑制因下降流Fd而产生的沿基片W1的主面Wa流动的上升流Fu的混乱。其结果，能够提高基片面内的液处理的均匀性。
在蚀刻处理装置26中，排出孔75a设置成与基片W1的上端部相对。在该情况下，利用排出孔75a，能够更有效地防止沿基片W1的主面Wa形成下降流Fd。此外，在排出孔75a与基片W1的上端部相对地设置的情况下，能够防止侧方空间Va中的上升流Fu因排出孔75a而混乱。发明人认为，根据设置排出孔75a的高度位置，侧方空间Va中的上升流Fu受到由来自排出孔75a的处理液的排出所导致的影响。对此，在排出孔75a与基片W1的上端部相对的情况下，能够抑制在侧方空间Va中产生上升流Fu的混乱。
蚀刻处理装置26还包括整流部99，该设置整流部99在与处理槽34的侧壁34a连接的侧壁34b、34d，具有排出处理槽34内的处理液的排出孔76a、76b。在该情况下，利用基于排出孔76a、76b的处理液的排出，能够防止在侧壁34c、34d与基片W1的周面之间的侧方空间Vc、Vd中形成下降流Fd。因此，由于能够防止受到在侧方空间Vc、Vd中形成的下降流Fd的影响而沿基片W1的主面Wa流动的上升流Fu混乱，故而能够进一步提高基片面内的液处理的均匀性。
此外，多个排出孔75a、75b、75c不限于上述的结构。多个排出孔75a、75b、75c只要能够将处理槽34内的处理液排出到外槽42内的贮存空间即可，可以为任意的结构。整流部98也可以不具有多个排出孔75a而具有沿水平方向(Y轴方向)延伸地形成的隙缝状的1个排出孔。整流部98也可以不具有多个排出孔75b、75c而具有沿水平方向(Y轴方向)延伸地形成的隙缝状的1个排出孔。排出孔75a的个数和排出孔75b(排出孔75c)的个数可以彼此不同。多个排出孔75a的配置位置和多个排出孔75b的配置位置可以彼此不同(从X轴方向观察也可以彼此不重叠)。
多个排出孔75a、75b、75c各自的高度位置可以彼此不同。例如，从X轴方向观察，多个排出孔75a、75b、75c可以沿基片W1或者基片WN的上端部周缘配置。多个排出孔75a、75b、75c可以以在Y轴方向上相邻的排出孔75a、75b、75c彼此的间隔不同的方式配置。多个排出孔75a、75b、75c的形状(轮廓)和大小的至少一者可以彼此不同。多个排出孔75a、75b、75c可以与基片W1或者基片WN的上端部以外的区域相对。例如，、多个排出孔75a、75b、75c可以与基片W1或者基片WN的高度方向上的中央区域相对。
多个排出孔76a、76b只要能够将处理槽34内的处理液排出到排外槽42内的贮存空间即可，可以为任意的结构。整流部99可以不具有多个排出孔76a、76b而具有沿X轴方向延伸地形成的隙缝状的1个排出孔。排出孔76a的个数和排出孔76b的个数可以彼此不同。多个排出孔76a的配置位置和多个排出孔76b的配置位置可以彼此不同(从Y轴方向观察可以彼此不重叠)。
多个排出孔76a、76b各自的高度位置可以彼此不同。多个排出孔76a、76b可以以X轴方向上相邻的排出孔76a、76b彼此的间隔不同的方式配置。多个排出孔76a、76b的形状(轮廓)和大小的至少一者可以彼此不同。多个排出孔76a、76b可以配置在基片8的高度方向上的中央区域的高度位置，也可以配置在基片W1的下端部的高度位置。多个排出孔75a、75b、75c的高度位置和多个排出孔76a、76b的高度位置可以彼此不同。
此外，在上述实施方式中，对设置有多个排出孔75a、75b、75c、76a、76b的情况进行了说明，但是，作为整流部98至少在侧壁34a设置多个排出孔75a即可。通过在侧壁34a设置多个排出孔75a，至少能够抑制侧方空间Va中的上升流Fu的混乱，能够防止基片W1的主面Wa的蚀刻处理受到上升流Fu的混乱的影响。
(第2实施方式)
接着，参照图6～图8，说明第2实施方式的基片液处理系统。第2实施方式的基片液处理系统所具有的蚀刻处理装置26A中，整流部的结构与在第1实施方式中说明的蚀刻处理装置26不同。蚀刻处理装置26A中的整流部98A不具有多个排出孔75a、75b、75c而具有板状部件81和多个固定部件82。此外，蚀刻处理装置26A中的整流部99A不具有多个排出孔76a、76b而具有板状部件83a、83b和多个固定部件84a、84b。
如图6和图7所示，设置在侧方空间Va的作为整流部98A的板状部件81将侧方空间Va分为2个区域。板状部件81呈板状，主面沿YZ平面延伸。换言之，板状部件81的一对主面分别与基片8的主面Wa、Wb大致平行，并且与侧壁34a大致平行。板状部件81以与基片W1和侧壁34a各自相对的方式配置在基片W1与侧壁34a之间。在图6和图7所示的例中，从X轴方向观察，板状部件81覆盖基片W1的整个区域。即，从X轴方向观察，板状部件81的大小(面积)比基片W1的大小大。即，板状部件81的横宽(Y轴方向的长度)比基片W1的横宽长，板状部件81的纵宽(Z轴方向的长度)比基片W1的纵宽长。板状部件81的下端比基片W1的下端低。此外，在图7中，示出了板状部件81的下端比处理液排出部件60低的状态，不过能够适当改变板状部件81的下端的位置。此外，通过将板状部件81配置在侧方空间Va，基片W1和侧壁34a隔着板状部件81彼此相对。
在X轴方向上，板状部件81与基片W1及侧壁34a隔开间隔。板状部件81具有与基片W1相对的相对面81a以及相对面81a的相反侧的连接面81b。即，相对面81a相当于板状部件81的一个主面，连接面81b相当于板状部件81的另一个主面。板状部件81和基片W1的间隔D3可以与板状部件81和侧壁34a的间隔D4大致一致，也可以比间隔D4小。间隔D3是相对面81a与基片W1的主面Wa之间的最短距离。间隔D4是连接面81b与侧壁34a的内表面之间的最短距离。间隔D3可以与间隔D1大致一致，也可以比间隔D1小。此外，间隔D3与间隔D4的关系以及间隔D3与间隔D1的关系不限于上述情况。
多个(例如4个)固定部件82(固定部)将板状部件81固定在处理槽34(侧壁34a)。多个固定部件82例如呈长方体状。各固定部件82的一端与侧壁34a连接，固定部件82的另一端与板状部件81(连接面81b)连接，由此板状部件81经多个固定部件82与处理槽34连接(固定)。多个固定部件82只要在侧方空间Va中不较大地阻碍处理液的液流即可，可以具有任意的大小和形状，可以以任意的方式配置。
通过在基片W1与侧壁34a之间配置板状部件81，侧方空间Va被分为2个空间。具体而言，板状部件81将侧方空间Va划分为空间Va1和空间Va2这两者。空间Va1是基片W1与板状部件81之间的空间，空间Va2是侧壁34a与板状部件81之间的空间。空间Va1和空间Va2各自是在铅垂方向延伸的空间。空间Va1与空间Va2的大小(体积)的大小关系取决于间隔D3与间隔D4的大小关系，空间Va1的大小可以与空间Va2的大小大致一致，也可以比空间Va2小。
如图7所示，在侧方空间Vc配置有作为整流部99A的板状部件83a和多个(例如4个)固定部件84a，在侧方空间Vd配置有作为整流部99A的板状部件83b和多个固定部件84b。板状部件83a、83b与板状部件81同样地构成，从Y轴方向观察覆盖多个基片8(基片W1～WN)。板状部件83a与基片8(Wn)的周面及侧壁34c隔开间隔。此外，板状部件83b与基片8(Wn)的周面及侧壁34d隔开间隔。其结果，板状部件83a、83d分别将侧方空间Vc、Vd分为2个空间。具体而言，板状部件83a将侧方空间Vc划分为基片8的周面与板状部件83a之间的空间、以及板状部件83a与侧壁34c之间的空间这两者。同样，板状部件83b将侧方空间Vd划分为基片8的周面与板状部件83b之间的空间、以及板状部件83b与侧壁34d之间的空间这两者。此外，固定部件84a、84b与固定部件82同样地构成，将板状部件83a、83b固定于侧壁34c、34d(处理槽34)。换言之，板状部件83a、83b被固定部件84a、84b固定于处理槽34。
第2实施方式的蚀刻处理装置26A中，整流部98A具有配置在侧方空间Va的板状部件81。板状部件81与基片W1隔开间隔并且与侧壁34a隔开间隔。板状部件81的一个主面是与基片W1相对的相对面81a。在该结构中，上升至处理槽34的上端附近的处理液的一部分能够在侧方空间Va中的板状部件81与侧壁34a的空间Va2中形成下降流Fd。即，空间Va2成为能够形成下降流Fd的空间。通过形成这样的空间Va2，能够防止在与该空间不同的空间中形成下降流Fd。因此，能够防止沿配置在空间Va1的基片W1的主面Wa形成下降流Fd，能够抑制沿基片W1的主面Wa的上升流Fu的混乱。其结果，能够提高基片面内的液处理的均匀性。
在蚀刻处理装置26A中，基片W1与板状部件81的间隔D3比板状部件81与侧壁34a的间隔D4小。在该情况下，与基片W1和板状部件81之间的空间Va1相比，在板状部件81和侧壁34a之间的Va2更容易形成下降流Fd。因此，能够进一步抑制沿基片W1的主面Wa的上升流Fu的混乱，所以能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
在蚀刻处理装置26A中，整流部98A具有将板状部件81固定在处理槽34的固定部件82。在该情况下，由于通过固定部件82将板状部件81固定在处理槽34，因此，例如使基片支承部件73a～73d移动到处理槽34外，进行多个基片8的交接的情况下，板状部件81不影响基片8的交接。其结果，能够兼顾将基片容易地交接到基片支承部件73a～73d以及提高基片面内的处理的均匀性。
此外，板状部件81不限于上述的结构。板状部件81从与主面(相对面81a)正交的方向观察，也可以不设置在与基片W1的整个区域重叠的位置。例如，板状部件81可以设置在与基片W1的一部分重叠的位置。另外，例如，具有基片W1的横宽的1/3程度的宽度的板状部件81从与主面(相对面81a)正交的方向观察可以以与基片W1的一部分重叠的方式设置。或者，具有基片W1的纵宽的1/3程度的板状部件81也可以以与基片W1的上端部重叠的方式设置。板状部件81从与主面(相对面81a)正交的方向观察可以呈与基片W1对应的形状。或者，在板状部件81覆盖基片W1的上端部的情况下，板状部件81可以呈与基片W1的上端部对应的形状。
如上所述，能够适当改变板状部件81的形状，从促进在空间Va2中形成下降流Fd观点出发，考虑从与主面(相对面81a)正交的方向观察，增大板状部件81与基片W1重叠的区域，并且增大板状部件81所占的面积。发明人认为，通过这样的结构，能够更明确地划分空间Va1和空间Va2，能够促进在空间Va2中形成下降流Fd。此外，板状部件81也可以被固定部件82固定在处理槽34的侧壁34a以外的部分(例如底壁34e)。
板状部件81可以固定于与处理槽34不同的部件。图9中例示了板状部件81设置在基片升降机构36的基片支承部件73a～73d的情况的蚀刻处理装置26A的结构。如图9所示，板状部件81也可以固定在基片支承部件73a～73d的前端部(与固定于支承板71的端部相反的端部)。例如，基片支承部件73a～73d也可以具有用于支承板状部件81的支承槽。此外，在该情况下，也能够采用基片W1和板状部件81的间隔D3与板状部件81和侧壁34a的间隔D4大致一致或者比间隔D4小的结构。如上述那样不将板状部件81固定到处理槽34而固定到基片升降机构36的情况下，侧方空间Va被板状部件81划分为基片W1与板状部件81之间的空间以及板状部件81与侧壁34a之间的空间。次用，通过用板状部件81将侧方空间Va划分为2个空间，在能够形成下降流Fd的空间以外的空间中，能够防止上升流Fu的混乱。
在图9例示的蚀刻处理装置26A中，基片支承部件73a～73d沿铅垂方向和与基片W1的主面Wa交叉的方向延伸。尤其是，基片支承部件73a～73d沿铅垂方向和与基片W1的主面Wa正交的方向(X轴方向)延伸。此外，板状部件81设置于基片支承部件73a～73d中配置有基片W1的前端部。在该情况下，与板状部件81固定于处理槽34的情况相比能够使板状部件81靠近基片W1。因此，板状部件81与基片W1之间的空间变小，在板状部件81与侧壁34a之间下降流Fd能够更可靠地流动。其结果，能够更可靠地防止沿基片W1的主面Wa形成下降流Fd，因此能够更可靠地提高基片面内的液处理的均匀性。
此外，板状部件81可以由分离的多个板状的部件(分隔部件)构成。图10中例示了配置在侧方空间Va的作为整流部98A的板状部件设置在基片支承部件73a～73d和处理槽34各自的情况的蚀刻处理装置26A的结构。在图10所示的例中，作为与板状部件81对应的部件，由分隔部件85(第1分隔部件)和分隔部件87a、87b(第2分隔部件)构成板状部件。分隔部件85被固定部件86(固定部)固定于处理槽34(侧壁34a)，以与基片W1的横向(Y轴方向)上的中央区域相对的方式配置。分隔部件87b固定于基片支承部件73a、73c的前端部，分隔部件87a固定于基片支承部件73b、73d的前端部。分隔部件87a、87b各自以与基片W1的横向上的中央区域的侧方的区域相对的方式配置。从与分隔部件85的主面正交的方向(X轴方向)观察，分隔部件85不与分隔部件87a、87b这两者重叠。换言之，分隔部件85构成配置在侧方空间Va的板状部件的相对面的一部分，分隔部件87a、87b构成该相对面的其他部分。
在图10例示的蚀刻处理装置26A中，基片支承部件73a～73d沿铅垂方向和与基片W1的主面Wa这两者正交的方向(X轴方向)延伸。整流部98A具有用于将板状部件与处理槽34连接的固定部件86。该板状部件包括：通过固定部件86与处理槽34连接的分隔部件85；和在基片支承部件73a～73d的配置有基片W1的端部设置的分隔部件87a、87b。分隔部件85构成板状部件的与基片W1相对的相对面的一部分。分隔部件87a、87b构成该相对面的其他部分。具有这样的结构，由此例如在使基片支承部件73a～73d移动到处理槽34外，进行多个基片8的交接的情况下，能够防止板状部件干涉交接作业。具体而言，与图9中所示的结构相比，在基片支承部件73a～73d的前端部形成至少分隔部件85的大小的空间。因此，能够在该空间通过基片8的交接所利用的部件来进行多个基片8的交接，因此板状部件难以影响基片8的交接。其结果，能够兼顾容易地交接基片以及提高基片面内的处理的均匀性。
(第3实施方式)
接着，参照图11和图12，说明第3实施方式的基片液处理系统。第3实施方式的基片液处理系统所具有的蚀刻处理装置26B在整流部98B不具有多个排出孔75a、75b、75c而具有突出部件91和突出部件92这一点、不具有整流部99B这一点上，与蚀刻处理装置26的不同。
图11和图12所示的突出部件91是沿侧壁34a的内表面(沿从侧壁34c去往侧壁34d的方向)延伸的棒状的部件。在图11所示的例中，突出部件91的截面形状(与长边方向正交的面中的截面形状)是四边形。突出部件91在侧方空间Va中固定于侧壁34a的内表面，向基片W1突出。突出部件91具有与基片W1相对的相对面91a。相对面91a与基片W1的上端部(上端)相对。突出部件91和基片W1之间隔D5(第1间隔)能够与基片W1和基片W2之间隔D1(第2间隔)大致一致或比间隔D1小。此外，间隔D5是突出部件91的相对面91a与基片W1的主面Wa之间的最短距离。间隔D5与间隔D1大致一致，并不仅包含间隔D5与间隔D1完全一致的情况，也包含间隔D5落在间隔D1的0.95倍～1.05倍的范围内的情况。此外，间隔D5比间隔D1大。
突出部件91设置于侧壁34a的上端。例如，突出部件91的上表面的高度位置与侧壁34a的上表面的高度位置大致一致。如图12所示，突出部件91的横宽(Y轴方向上的长度)能够比基片W1的横宽长。例如，突出部件91的横宽与侧壁34c和侧壁34d之间的距离大致相同。
突出部件92是沿支承板71的靠近基片WN的主面(沿从侧壁34c去往侧壁34d的方向)延伸的棒状的部件。在图11所示的例中，突出部件92的截面形状(与长边方向正交的面中的截面形状)是四边形，突出部件92的截面的大小与突出部件91的截面的大小大致相同。突出部件92在侧方空间Vb中固定于基片升降机构36的支承板71，向基片WN突出。突出部件92具有与基片WN相对的相对面92a。相对面92a和基片WN的间隔能够与间隔D1大致一致或者比间隔D1小。
如图11所示，突出部件92配置于引导板72的上方。突出部件92以在高度方向与突出部件91对应的方式设置。例如，突出部件92的上表面的高度位置与侧壁34b的上表面的高度位置大致一致。如图12所示，突出部件92的横宽比基片WN的横宽长，比侧壁34c和侧壁34d之间的距离小。即，突出部件92与侧壁34c和侧壁34d这两者隔开间隔。
在第3实施方式的蚀刻处理装置26B中，整流部98B具有从侧壁34a的内表面向处理槽34的内侧即基片W1突出的突出部件91。突出部件91沿侧壁34a在与铅垂方向交叉的方向上延伸。在该结构中，即使下降流Fd沿基片W1的主面Wa流动，也能够被突出部件92阻碍流动。其结果，能够抑制因下降流引起的上升流的混乱，因此能够提高基片面内的液处理的均匀性。
在蚀刻处理装置26B中，整流部98B具有突出部件91、92，由此在侧方空间Va、Vb中上升至处理槽34的上端附近的处理液作为越过而流动的液流Fo容易流到外槽42内的贮存空间。此外，突出部件91设置在侧壁34a的上端，由此容易产生越过突出部件91的上表面和侧壁34a这样的液流Fo。突出部件92设置在支承板71，由此容易产生避开突出部件92越过侧壁34c、34d这样的液流Fo。
在蚀刻处理装置26B中，突出部件91和基片W1的间隔D5与多个基片8中相邻于基片W1的基片W2和基片W1的间隔D1大致一致或者比间隔D1小。在该情况下，即使下降流Fd向侧方空间Va流动，由于侧方空间Va的流路窄所以在侧方空间Va中难以形成下降流Fd。其结果，能够更可靠地抑制因下降流Fd引起的上升流Fu的混乱，因此能够更可靠地实现基片面内的液处理的均匀性。
此外，突出部件91、92不限于上述的结构。突出部件91、92的横宽(Y轴方向上的长度)可以与基片W1的横宽大致相同，也可以比基片W1的横宽窄。例如，突出部件91、92的横宽可以为基片W1的横宽的1/3程度，该突出部件91、92可以与基片W1的宽度方向上的中央区域对应地设置。突出部件91、92由彼此分离的多个柱状体构成，作为该多个柱状体整体，沿Y轴方向延伸即可。突出部件91、92可以以与基片W1的上端部以外的区域对应的方式配置。突出部件91、92的上表面可以比侧壁34a、34b的上表面低。
图13中例示了从与基片W1的主面正交的方向观察，突出部件91沿基片W1的上端部的周缘配置的情况下的蚀刻处理装置26B的结构。在该情况下，整流部98B不具有突出部件91而具有突出部件93。图13所示的突出部件93沿侧壁34a从与基片W1的上端对应的突出部件93的中央位置向两外侧倾斜地向下方延伸。即，从与基片W1的主面Wa正交的方向观察，随着从突出部件93的中央位置去往两外侧的端部，上表面的高度位置逐渐变低。此外，突出部件93的与基片W1的上端对应的顶点比侧壁34c、34d的上表面低。
在图13例示的蚀刻处理装置26B中，突出部件93从与基片W1的上端对应的中央位置向两外侧倾斜地向下方延伸。在该情况下，向突出部件93流动的下降流Fd因突出部件93的倾斜而避免向基片W1的外侧(侧方空间Vc、Vd)流动。因此，能够防止形成沿基片W1的主面Wa流动的下降流Fd，所以能够提高基片面内的液处理的均匀性。
突出部件91的XZ平面中的截面形状不限于长方形。图14中例示了与突出部件的延伸方向正交的平面中的截面形状为三角形的情况下的蚀刻处理装置26B的结构。在该情况下，整流部98B不具有突出部件91、92而具有突出部件91X、92X。突出部件91X具有与基片W1相对的相对面91a(侧面)。相对面91a以随着去往下方而靠近侧壁34a(与基片W1远离)的方式倾斜。突出部件92X具有与基片WN相对的相对面92a(侧面)。相对面92a以随着去往下方而靠近侧壁34b(与基片WN远离)的方式倾斜。突出部件91X、92X的上表面也可以比侧壁34a、34b的上表面低。此外，突出部件91X、92X的上表面的高度位置也可以与侧壁34a、34b的上表面的高度位置大致相同。
在图14所例示的蚀刻处理装置26B中，突出部件91X的与基片W1相对的相对面91a以随着去往下方而靠近侧壁34a的方式倾斜。突出部件92X的与基片WN相对的相对面92a以随着去往下方而靠近侧壁34b的方式倾斜。在该情况下，在侧方空间Va、Vb中上升的处理液的液流(上升流Fu)难以被突出部件91X、92X阻碍。其结果，能够兼顾可靠地执行液处理以及提高面内均匀性。
应当认为，上述公开的各种实施方式在所有方面均是例示，而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、置换、改变。
整流部98也可以通过将第1实施方式的排出孔75a、第2实施方式的板状部件81和第3实施方式的突出部件91中的2个以上的要素组合，以在侧方空间Va中调节处理液的液流。
多个基片8(基片W1～WN)的所有主面Wa、Wb也可以不沿YZ平面延伸。多个基片8中的至少基片W1的主面Wa、Wb沿YZ平面延伸即可。

Claims (13)

1.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；
基片支承部，其在所述处理槽内，以所述多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承所述多个基片；
处理液排出部，其设置在比由所述基片支承部支承的所述多个基片靠下方处，通过将所述处理液排出到所述处理槽内来生成上升流；和
在侧方空间中调节所述处理液的液流的整流部，其中所述侧方空间形成在所述处理槽的第1侧壁与所述多个基片中具有和所述第1侧壁相对的主面的第1基片之间，
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片，
所述整流部具有配置在所述侧方空间的板状部件和用于固定所述板状部件的固定部，
所述板状部件与所述第1基片和所述第1侧壁隔开间隔，
所述板状部件的一个主面是与所述第1基片相对的相对面，
所述板状部件包括：通过所述固定部固定于所述处理槽的第1分隔部件；和固定于所述基片支承部的第2分隔部件，
所述第1分隔部件构成所述相对面的一部分，
所述第2分隔部件构成所述相对面的其他部分。
2.如权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述整流部具有设置在所述第1侧壁的、排出所述处理槽内的所述处理液的第1排出孔。
3.如权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第1排出孔与所述第1基片的上端部相对地设置。
4.如权利要求2或者3所述的基片液处理装置，其特征在于：
还包括具有第2排出孔的第2整流部，其中所述第2排出孔设置在与所述处理槽的所述第1侧壁连接的第2侧壁，排出所述处理槽内的所述处理液。
5.如权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第1基片与所述板状部件的间隔比所述板状部件与所述第1侧壁的间隔小。
6.如权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述整流部具有将所述板状部件固定在所述处理槽的固定部。
7.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述整流部具有将所述板状部件固定在所述处理槽的固定部。
8.如权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片，
所述板状部件被固定于所述基片支承部。
9.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片，
所述板状部件被固定于所述基片支承部。
10.如权利要求1～3、5～9中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述整流部具有从所述第1侧壁的内表面向内侧突出并且沿所述第1侧壁在与所述铅垂方向交叉的方向上延伸的突出部件。
11.如权利要求10所述的基片液处理装置，其特征在于：
第1间隔与第2间隔大致一致或比所述第2间隔小，其中所述第1间隔是所述突出部件与所述第1基片的间隔，所述第2间隔是所述多个基片中和所述第1基片相邻的第2基片与所述第1基片的间隔。
12.如权利要求10所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述突出部件从与所述第1基片的上端对应的中央位置向两外侧倾斜地向下方延伸。
13.如权利要求10所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述突出部件中与所述第1基片相对的侧面以随着去往下方而靠近所述第1侧壁的方式倾斜。
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