JP2017195338A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract


【課題】基板に析出したシリカの除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理装置は、容器と、加熱部と、配管と、を備える。容器は、リン酸を含む溶液を内部に貯留し、その内部にシリコン基板を含む基板を収容可能である。加熱部は、溶液を、該溶液の標準沸点以上に加熱する。配管は、加熱部で加熱された加熱溶液を、容器の内部へ気泡を発生させながら供給する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが形成された基板に対して、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチング処理する場合がある。この場合、リン酸溶液が、一般的にエッチング液として用いられる。このようなエッチング処理では、シリコン化合物がリン酸溶液に添加されると、リン酸溶液中のシリカ濃度が高くなって、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を高めることができる。
しかし、シリコン濃度が高いと、シリカ濃度が飽和しやすくなり、シリカが、リン酸溶液中に浸漬された基板に析出してしまう場合がある。
特開２００３−２２４１０６号公報 特許第４９６６２２３号公報 特許第５０３５９１３号公報 特開２０１３−１２８１０９号公報
基板に析出したシリカの除去効果を高めることができる基板処理装置、および基板処理方法を提供する。
本実施形態に係る基板処理装置は、容器と、加熱部と、配管と、を備える。容器は、リン酸を含む溶液を内部に貯留し、その内部にシリコン基板を含む基板を収容可能である。加熱部は、溶液を、該溶液の標準沸点以上に加熱する。配管は、加熱部で加熱された加熱溶液を、容器の内部へ気泡を発生させながら供給する。
第１実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。 内槽の内部を示す概略図である。 配管の構造を概略的に示す斜視図である。 エッチング処理の対象である基板の断面図である。 内槽におけるリン酸溶液の流速の分布図である。 レイノルズ数と気泡の直径との関係を示すグラフである。 ８５重量％のリン酸溶液の蒸気圧曲線を示すグラフである。 リン酸濃度と蒸気圧との関係を示すグラフである。 内径Ａ１と口径Ａ２との比と、リン酸溶液３０の沸点上昇との関係の一例を示すグラフである。 第２実施形態に係る基板処理装置の要部の構成を概略的に示す図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の変形例を示す図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の別の変形例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す図である。本実施形態に係る基板処理装置１は、例えば、基板２０に設けられたシリコン窒化膜(図１では不図示)を、リン酸を含む溶液３０（以下、リン酸溶液という）で除去するウェットエッチング処理装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、処理槽１１と、循環路１２と、加熱部１３と、投入部１４と、ポンプ１５と、フィルタ１６と、昇降機構１７と、を備える。
処理槽１１は、内槽１１１と外槽１１２とを有する容器である。内槽１１１は、上端開口１１１ａを有する箱形状に形成されている。内槽１１１は、その内部にリン酸溶液３０、すなわちシリコン窒化膜のエッチング液を貯留する。内槽１１１の内部に貯留されたリン酸溶液３０の温度、リン酸濃度、およびシリカ濃度は、基板２０に設けられたシリコン窒化膜のエッチングに対して最適化されている。
内槽１１１は、ウェハ状（円形状）の基板２０を収容可能である。基板２０がリン酸溶液３０に浸漬されると、基板２０に設けられたシリコン窒化膜が、リン酸溶液３０中に溶解して除去される。
外槽１１２は、内槽１１１の上端開口１１１ａを全周にわたって包囲する上端開口１１２ａを有する。外槽１１２は、内槽１１１の上端開口１１１ａからオーバーフローしたリン酸溶液３０を回収する。
循環路１２は、外槽１１２の底部および内槽１１１の底部に連通して、処理槽１１に対してリン酸溶液３０を循環させる。具体的には、循環路１２は、外槽１１２に流出したリン酸溶液３０を内槽１１１に還流する。この還流の過程で、リン酸溶液３０は、加熱部１３、ポンプ１５、およびフィルタ１６を経由する。
加熱部１３は、循環路１２の途中に設けられている。加熱部１３は、リン酸溶液３０を、そのリン酸溶液３０の標準沸点以上の温度に加熱する。標準沸点とは外圧が１気圧である場合の沸点である。加熱部１３は、例えば、ハロゲンランプを熱源とするラインヒータである。
本実施形態では、リン酸溶液３０が一定の温度で加熱されるように、加熱制御部１３ａが加熱部１３の加熱温度を調整する。加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０(加熱溶液)は、フィルタ１６を介して内槽１１１の内部に供給される。
投入部１４は、外槽１１２の上方に配置されている。投入部１４は、水を外槽１１２へ投入する。内槽１１１における沸騰およびエッチング処理によって、外槽１１２に回収されたリン酸溶液３０の濃度は、変化している可能性がある。そのため、内槽１１１に還流されるリン酸溶液３０の濃度を、シリコン窒化膜の選択的なエッチングに最適な濃度に調整するために、水４０が投入部１４から投入される。
なお、上記濃度調整のために、投入部１４は、水４０の代わりに、リン酸を外槽１１２に投入してもよい。または、投入部１４は、シリコン窒化膜のエッチングに最適な濃度、すなわち内槽１１１に最初に貯留されたリン酸溶液３０（加熱溶液が供給される前のリン酸溶液３０）と同じリン酸濃度に予め調整されたリン酸溶液を外槽１１２に投入してもよい。本実施形態では、外槽１１２で突沸が発生しないように、水、リン酸、またはリン酸溶液の温度は、内槽１１１に貯留されたリン酸溶液３０の温度よりも低いことが望ましい。
ポンプ１５は、加熱部１３よりも循環路１２の上流側に設けられている。ポンプ１５が、外槽１１２からリン酸溶液３０を吸引することによって、外槽１１２に回収されたリン酸溶液３０が加熱部１３へ移動する。また、ポンプ１５が、加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０を加圧することによって、このリン酸溶液３０が内槽１１１へ供給される。
フィルタ１６は、加熱部１３よりも循環路１２の下流側に設けられている。フィルタ１６は、循環路１２内のリン酸溶液３０に含まれたパーティクルを除去する。このパーティクルには、例えば、基板２０のエッチング処理によって析出したシリカも含まれる。フィルタ１６は、加熱部１３よりも循環路１２の上流側に設けられていてもよい。
図２は、内槽１１１の内部を示す概略図である。図２に示すように、内槽１１１の内部では、昇降機構１７が、間隔Ｄ１（第１間隔）で列状に並べられた複数の基板２０を保持している。また、昇降機構１７は、保持した基板２０を内槽１１１に対して鉛直方向に昇降させる。この昇降動作によって、エッチング処理前の基板２０を、内槽１１１に貯留されたリン酸溶液３０に自動的に浸漬させることができるとともに、エッチング処理後の基板２０を、内槽１１１から自動的に取り出すことができる。
また、図２に示すように、内槽１１１の底部には、配管１２１が設けられている。なお、図２には、１本の配管１２１しか記載されていないが、実際には、図２に記載されている配管１２１の奥側に、別の配管１２１が設けられている。ただし、その配管数に制約はない。
図３は、配管１２１の構造を概略的に示す斜視図である。配管１２１は、上述した循環路１２の出口側の一部に含まれる。配管１２１の外周面には、内槽１１１の内部と連通する複数の開口部１２１ａが列状に設けられている。開口部１２１ａは、基板２０に対して、基板２０の列方向(水平方向)にずれてほぼ等間隔に配置されている。そのため、加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０が各開口部１２１ａから吐出されたとき、内槽１１１の底部から基板２０の間を通過するリン酸溶液３０の流れが発生する(図２の矢印参照)。開口部の形状は真円である必要はない。
また、加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０が内槽１１１の内部で沸騰することによって、気泡５０が発生する。この気泡５０は、リン酸溶液３０の流れに沿って基板２０の間を移動する。この気泡５０を均等に発生させるために、上記列方向で互いに隣接する開口部１２１ａの間隔は、基板２０同士の間隔Ｄ１と等しいことが望ましい。
以下、本実施形態に係る基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。図４は、エッチング処理の対象である基板２０の断面図である。この基板２０は、電極層が積層された積層型メモリを製造するための半導体基板である。
図４に示すように、基板２０は、シリコン基板２１と、積層膜２２と、を有する。積層膜２２では、シリコン酸化膜２２１とシリコン窒化膜２２２とが交互に積層されている。また、基板２０は、積層膜２２を貫通するトレンチ２３を有する。
基板２０が、昇降機構１７によって内槽１１１の内部に収容されると、内槽１１１の内部に貯留されたリン酸溶液３０が、トレンチ２３から積層膜２２内に浸入する。これにより、シリコン窒化膜２２２が除去される。このとき、シリカ濃度は高くなる。シリコン窒化膜２２２が除去された箇所には、電極層が、別の処理によって形成される。
内槽１１１からオーバーフローしたリン酸溶液３０は、外槽１１２に回収される。外槽１１２に回収されたリン酸溶液３０は、ポンプ１５で吸引されて、加熱部１３に送られる。
加熱部１３は、リン酸溶液３０を標準沸点以上の温度に加熱する。加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０は、ポンプ１５によって、配管１２１の開口部１２１ａから内槽１１１の内部に吐出される。このとき、配管１２１内でリン酸溶液３０が沸騰しないように、ポンプ１５はリン酸溶液３０を加圧している。その結果、リン酸溶液３０が内槽１１１の内部に供給される際に、リン酸溶液３０の流れと気泡５０とが発生する（図２参照）。
図５は、内槽１１１におけるリン酸溶液３０の流速の分布図である。図５では、気泡５０が有る場合の流速の分布と、気泡５０が無い場合の流速の分布とが示されている。
図５において、横軸は、内槽１１１をその側面側から見たとき（図１参照）の内槽１１１における水平方向の位置を示す。図５は、換言すると、基板２０（ウェハ）上におけるリン酸溶液３０の流速分布を示している。
図５に示すように、気泡５０が無い場合には、基板２０上におけるリン酸溶液３０の流速が小さい。基板２０において、メモリ容量の増加に伴ってシリコン窒化膜２２２の積層数が増加すると、リン酸溶液３０内に溶解するシリコン窒化膜２２２の量が増加する。換言すると、リン酸溶液３０内に溶解するシリカ量が増加する。そのため、トレンチ２３内でシリカが析出しやすくなり、リン酸溶液３０の流速が小さいと、トレンチ２３内でシリカの析出が促進されてしまう。
一方、本実施形態のように気泡５０が有る場合には、リン酸溶液３０の流速が、気泡５０が無い場合に比べて大きくなる。すなわち、気泡５０によって、リン酸溶液３０の流れが加速される。これにより、基板２０からのシリカの除去が促進される。すなわち、基板２０表面近傍のリン酸溶液３０の流速によって、トレンチ２３内で溶解したシリカの排出が促進される。
気泡５０の直径ｄと速度Ｖは、下記の運動方程式（１）および、下記の抗力Ｃの近似式（２）を用いて算出できる。下記の式（１）に記載された「ｇ」は、重力加速度を示し、下記の式（２）に記載された「Ｒｅ」は、レイノルズ数を示す。このレイノルズ数は、下記の式（３）を用いて算出できる。式（３）に記載された「ν」は、リン酸の動粘度を示す。
Figure 2017195338
Figure 2017195338
Figure 2017195338
 上記の式（１）〜（３）によれば、例えば、直径ｄが０．５ｍｍの場合に速度Ｖは０．０４ｍ／ｓとなり、直径ｄが５０ｍｍの場合に速度Ｖは１．４ｍ／ｓとなる。
図６は、レイノルズ数と気泡５０の直径ｄとの関係を示すグラフである。図６によれば、気泡５０の直径ｄが０．５ｍｍを超えると、レイノルズ数が５よりも大きくなる。レイノルズ数が５よりも大きいと、カルマン渦が発生する。カルマン渦が発生すると、気泡５０が通った後に種々の流れが新たに発生するので、リン酸溶液３０が撹拌される。これにより、基板２０からのシリカの除去をさらに促進させることができる。
上記のようにシリカの除去効果を高めるために、気泡５０の直径ｄは、０．５ｍｍよりも大きいことが望ましい。このような気泡５０を基板２０の間で移動させるために、基板２０同士の間隔Ｄ１(図２参照)は、少なくとも０．５ｍｍよりも大きいことが望ましい。また、気泡２０が安定的に基板２０の間を移動できるようにするために、気泡５０の直径ｄは間隔Ｄ１よりも小さいことが望ましい。
また、本実施形態に係る基板処理装置１では、加熱部１３が、循環路１２を循環するリン酸溶液３０を標準沸点以上に加熱する。例えば、８５重量％のリン酸溶液３０は、およそ１６３℃で沸騰する。このリン酸溶液３０に水が添加されると、標準沸点は下がる。しかし、循環路１２内で、このリン酸溶液３０に外圧以上の圧力を加えると、リン酸溶液３０を循環路１２内で沸騰しにくくさせることができる。
循環路１２内でリン酸溶液３０に加えられる圧力Ｐは、ベルヌーイの定理を用いて、下記の式（４）によって算出できる。下記の式（４）において、「ρ」は、リン酸密度を示し、「ｖ」は、循環路１２におけるリン酸溶液３０の流速を示す。
Figure 2017195338
 例えば、流速ｖが１．０ｍ／ｓの場合、リン酸溶液３０に加わる圧力Ｐは０．８ｋＰａとなる。この圧力は、ポンプ１５によって、加えられている。
図７は、８５重量％のリン酸溶液の蒸気圧曲線を示すグラフである。図７に示すグラフによれば、リン酸溶液３０が、流速１．０ｍ／ｓで圧力０．８ｋＰａの条件で循環路１２を流れる場合、沸点がおおよそ０．３℃上昇すると推定される。
図８は、リン酸濃度と蒸気圧との関係を示すグラフである。蒸気圧が０．８ｋＰａのとき、図７および図８にそれぞれ示すグラフによれば、リン酸濃度が０．１５重量％低下してもリン酸溶液３０は循環路１２内で沸騰しないと推定される。
上記のように、ポンプ１５が、循環路１２でリン酸溶液３０にかかる圧力を、内槽１１１でリン酸溶液３０にかかる圧力よりも高くなるように制御することによって、標準沸点以上に加熱されたリン酸溶液３０を、循環路１２では沸騰させず、内槽１１１で沸騰させることができるようになる。これにより、循環路１２内では気泡５０は発生せず、リン酸溶液３０は、循環路１２内でスムーズに流れて内槽１１１で気泡５０を発生させることができる。
また、図３に示す配管１２１の内径Ａ１と、開口部１２１ａの口径Ａ２との比Ａ１／Ａ２を調整することによっても、循環路１２でリン酸溶液３０に加わる圧力を調整することができる。
図９は、配管１２１の内径Ａ１と開口部１２１ａの口径Ａ２との比と、リン酸溶液３０の沸点上昇との関係の一例を示すグラフである。内径Ａ１と口径Ａ２との比が１に近いと、配管１２１の内圧を上げることが困難になる。そのため、図９によれば、例えば、比Ａ１／Ａ２が３未満である場合、沸点の変化は２．７℃の上昇に留まる。
一方、比Ａ１／Ａ２が１０以上である場合には、配管１２１の内圧は大きくなるが、配管１２１の圧力損失が大きくなって、リン酸溶液３０を供給できない可能性が高くなる。よって、比Ａ１／Ａ２は、３〜１０の範囲内であることが望ましい。このように、配管１２１の内径Ａ１と、開口部１２１ａの口径Ａ２との比Ａ１／Ａ２を調整することによって、配管１２１内でリン酸溶液３０に加わる圧力を制御し、加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０を、開口部１２１ａから内槽１１１に吐出されたときに沸騰させることができる。すなわち、内槽１１１で気泡５０を発生させることができる。
（実験例）
以下、シリカの析出を調べた実験例について説明する。本実験例では、約１６０℃に濃度調整されたリン酸溶液３０を収容した内槽１１１に、１６０℃で沸騰するように加熱されたリン酸溶液を配管１２１の開口部１２１ａから供給した。その結果、供給されたリン酸溶液の沸騰によって、直径ｄが０．５ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内の気泡５０が発生した。その後、沸騰したリン酸溶液中に基板２０を所定の時間浸漬した。さらに、基板２０に対して、アルカリ溶液による後処理、純水によるリンス処理、および乾燥処理を実行した後、処理後の基板２０をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察した。その結果、基板２０の全面でシリカの析出は観察されなかった。
（比較例）
次に、１６０℃に濃度調整されたリン酸溶液３０を収容した内槽１１１に、１６０℃で沸騰しないように温度調整されたリン酸溶液を配管１２１の開口部１２１ａから供給した。その後、沸騰していないリン酸溶液中に基板２０を所定の時間浸漬した。さらに、基板２０に対して、上記した処理を実行した後、処理後の基板２０をＳＥＭで観察した。その結果、基板２０の一部でシリカの析出が観察された。これは、内槽１１１において、リン酸溶液の流れが気泡５０で加速されなかったことに起因すると考えられる。
以上説明したように、本実施形態によれば、標準沸点以上に加熱されたリン酸溶液を内槽１１１に供給することによって、内槽１１１で、気泡５０を発生させている。この気泡５０が、内槽１１１を流れるリン酸溶液の流速を加速させることによって、基板２０に析出したシリカの排出効果を高めることができる。その結果、例えば、基板２０が積層型メモリに用いられる場合には、積層型メモリの製造歩留りを向上させることができる。なお、気泡５０は、リン酸溶液３０の沸騰により発生させてもよく、高圧空気や不活性ガスを内槽１１１の下方から供給することにより発生させてもよい。
また、循環路１２でリン酸溶液３０に加わる圧力を、内槽１１１でリン酸溶液３０にかかる圧力よりも高くなるように制御することによって、加熱部１３で加熱されたリン酸溶液３０を循環路１２では沸騰させずに内槽１１１では沸騰させることができる。これにより、リン酸溶液３０の循環をスムーズにすることができる。
(第２実施形態)
図１０は、第２実施形態に係る基板処理装置の要部の構成を概略的に示す図である。以下、上述した第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図１０に示すように、本実施形態に係る基板処理装置２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の構成要素に加えて、新たに板状部材１８を備える。板状部材１８は、昇降機構１７上で、基板２０ａ（第１基板２０）および基板２０ｎ（第Ｎ基板）にそれぞれ対向している。基板２０ａおよび基板２０ｎは、Ｎ（Ｎは２以上の自然数）枚の基板２０からなる基板列の両端に位置する。板状部材１８の材料は、高温（例えば１６０℃）のリン酸に対する耐性を有する材料、例えば、石英またはテフロン（登録商標）等である。板状部材１８は、エッチング処理の対象ではないダミーの基板(ウェハ)であってもよい。
基板２０ａおよび基板２０ｎにおいて、片面が隣接する基板２０ｂ、２０ｍに対向する一方で、もう片方の面が他の基板に対向していないと、気泡５０の流れ、換言すると気泡５０の移動速度が基板２０ａおよび基板２０ｎのそれぞれの両面で異なって、基板２０ａおよび基板２０ｎに応力が発生しやすくなる。この応力が大きいと、基板２０ａおよび基板２０ｎが損傷するおそれがある。
そこで、本実施形態では、板状部材１８が、基板２０ａおよび基板２０ｎのそれぞれの両面で気泡５０の流れを一様にするための整流板として機能している。板状部材１８がこの整流板として機能するためには、板状部材１８と基板２０ａとの間隔Ｄ２、および板状部材１８と基板２０ｎとの間隔Ｄ２は、それぞれ基板２０同士の間隔Ｄ１とほぼ等しいことが望ましい。ここで、間隔Ｄ２が間隔Ｄ１とほぼ等しいとは、間隔Ｄ２と間隔Ｄ１とが一致することだけでなく、間隔Ｄ２と間隔Ｄ１との差が、基板２０ａおよび基板２０ｎを損傷させない範囲内であることも許容される。
また、基板２０ａおよび基板２０ｎのそれぞれの両面で、リン酸溶液３０がより均一に流れるようにするために、板状部材１８の平面積が、基板２０ａの平面積よりも大きく、かつ基板２０ｎの平面積よりも大きいことが望ましい。
なお、本実施形態では、板状部材１８は、矩形状に形成されているが、基板２０と同じ円形状であってもよいし、他の形状であってもよい。また、板状部材１８の表面（基板２０ａおよび基板２０ｎにそれぞれ対向する面）は、気泡５０の移動をスムーズにするために平坦であることが望ましい。
また、本実施形態では、板状部材１８は、昇降機構１７に設けられているが、図１１に示すように内槽１１１の内部に設けられていてもよい。図１１に示す基板処理装置２ａでは、板状部材１８は、基板２０ａおよび基板２０ｎにそれぞれ対向する内槽１１１の内側面１１１ｂに設けられている。この基板処理装置２ａでも、間隔Ｄ２と間隔Ｄ１とをほぼ等しくすることによって、板状部材１８を上記整流板として機能させることが可能となる。
さらに、図１２に示すように、内槽１１１の内側面１１１ｂ自身を上記整流板として機能させてもよい。この場合、基板２０ａとこの基板２０ａに対向する内側面１１１ｂとの間隔Ｄ３、および基板２０ｎとこの基板２０ｎに対向する内側面１１１ｂとの間隔Ｄ３は、それぞれ間隔Ｄ１とほぼ等しくなる。
以上説明した本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、標準沸点以上に加熱されたリン酸溶液３０が内槽１１１に供給される。このとき発生した気泡５０によって、基板２０に析出したシリカの除去効果を高めることができる。なお、本実施形態においても、気泡５０は、リン酸溶液３０の沸騰により発生させてもよく、高圧空気や不活性ガスを内槽１１１の下方から供給することにより発生させてもよい。さらに、本実施形態では、板状部材１８または内槽１１１の内側面１１１ｂが、列の両端に位置する基板２０の両面における気泡５０の流れを整流する整流板として機能する。これにより、基板２０を損傷しにくくすることができる。
なお、上述したいくつかの基板処理装置は、積層型メモリ用途の基板を処理するために用いられている。しかし、これらの基板処理装置は、その他の用途、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク基板、およびＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)用の基板の処理に適用することもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１１ 処理槽(容器)、１２ 循環路、１３ 加熱部、１４ 投入部、１５ ポンプ、１７ 昇降機構、１８ 板状部材、１２１ 配管、１２１ａ 開口部

Claims (6)

  1. リン酸を含む溶液を内部に貯留し、シリコン窒化膜を含む基板を前記内部に収容可能な容器と、
    前記溶液を、該溶液の標準沸点以上に加熱する加熱部と、
    前記加熱部で加熱された加熱溶液を、前記容器の前記内部へ気泡を発生させながら供給する配管と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記配管は、前記容器に対して前記溶液を循環させる循環路の一部に含まれ、
    前記循環路を通じて前記容器から前記溶液を吸引して前記加熱部へ送るとともに、前記加熱溶液を加圧するポンプをさらに備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記配管の外周面に、前記容器の前記内部と連通する開口部が設けられ、
    前記配管の内径と前記開口部の口径との比が、３〜１０の範囲内である、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. Ｎ（Ｎは２以上の自然数）枚の前記基板が、第１間隔で並べられ、
    前記基板の列の両端に位置する第１基板および第Ｎ基板にそれぞれ対向する板状部材をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記板状部材と前記第１基板との間隔、および前記板状部材と前記第Ｎ基板との間隔は、それぞれ前記第１間隔とほぼ等しい、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. リン酸を含む溶液が貯留された容器の内部に、シリコン基板を含む基板を浸漬し、
    前記容器の外部で、前記溶液を、該溶液の標準沸点以上に加熱し、
    加熱した溶液を、前記容器の前記内部へ気泡を発生させながら供給する、
    基板処理方法。
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