JP2013219312A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理槽内の温度を均一に制御する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象となる基板Wが収容される処理槽2と、処理槽2に循環系ヒータ7により加熱した処理液Lを下部から供給し上部から回収して循環させる循環系4と、処理液Lを加熱するように処理槽2に設けられ、互いに処理槽2の上下方向に配置される複数のヒータ9、10とを備えたエッチング装置1において、複数のヒータ9、10のうち処理槽2の上側に位置するヒータ10を処理槽2内での処理液Lによる基板の処理温度T2と対応する設定温度にすると共に、処理槽2の下側に位置するヒータ9および循環系ヒータ7を処理槽2の上側に位置するヒータよりも低い設定温度T1、Tcにする。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態によれば、加工対象となる基板Wが収容される処理槽2と、処理槽2に循環系ヒータ7により加熱した処理液Lを下部から供給し上部から回収して循環させる循環系4と、処理液Lを加熱するように処理槽2に設けられ、互いに処理槽2の上下方向に配置される複数のヒータ9、10とを備えたエッチング装置1において、複数のヒータ9、10のうち処理槽2の上側に位置するヒータ10を処理槽2内での処理液Lによる基板の処理温度T2と対応する設定温度にすると共に、処理槽2の下側に位置するヒータ9および循環系ヒータ7を処理槽2の上側に位置するヒータよりも低い設定温度T1、Tcにする。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
半導体基板などのウエハをウェットエッチング処理する場合には、処理槽内にエッチング用の処理液を貯留し、これをエッチングに適した温度にヒータで加熱した状態でエッチング処理を行う。また、処理槽内の処理液はオーバーフローさせながら回収して加熱および濾過の処理をした上で循環させる。
しかし、このような構成の装置では、処理槽内の温度を均一に保持させることが難しい。これによって、処理槽内で温度の高低が発生すると、処理槽内に浸漬したウエハにおいてエッチングむらが発生する。
そこで、上記したような処理槽内の処理液の温度の不均一状態に起因した不具合を抑制することができるようにした基板処理方法および基板処理装置を提供する。
本実施形態の基板処理方法は、加工対象となる基板が収容される処理槽と、前記処理槽に循環系ヒータにより加熱した処理液を下部から供給し上部から回収して循環させる循環系と、前記処理液を加熱するように前記処理槽に設けられ、互いに前記処理槽の上下方向に配置される複数のヒータとを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記複数のヒータのうち前記処理槽の下側に位置するヒータの設定温度を前記処理槽の上側に位置するヒータの設定温度よりも低く設定することを特徴とする。
(第1実施形態)
以下、第1実施形態として、加工対象となるシリコン基板に形成されたシリコン窒化膜を、処理液としての熱リン酸でエッチング処理するエッチング装置に適用した場合について図1を参照して説明する。
以下、第1実施形態として、加工対象となるシリコン基板に形成されたシリコン窒化膜を、処理液としての熱リン酸でエッチング処理するエッチング装置に適用した場合について図1を参照して説明する。
基板処理装置としてのエッチング装置1は、処理液として例えばリン酸と純水とを混合して加熱した熱リン酸溶液L中に処理基板として半導体基板(シリコン基板)からなるウエハWを浸漬してウエハWの表面に形成されたシリコン窒化膜をウェットエッチング処理する装置である。このエッチング装置1は、熱リン酸溶液Lを貯留する処理槽2を備える。処理槽2は、例えば石英ガラスで形成されており、基板載置部としてのリフタAに載置された複数枚のウエハWが浸漬可能である。
処理槽2の上部周囲には、処理槽2の上部からオーバーフローする熱リン酸溶液Lを回収する回収槽3が設けられている。回収槽3は、回収された熱リン酸溶液Lが溢れないように貯留するもので、回収槽3の底部開口に接続される循環系4により回収される。循環系4は、回収した熱リン酸溶液Lを内部で循環させて再び処理槽2に戻す。処理槽2には底面両端部に処理液を吐出させるための吐出管2a、2bが設けられており、吐出管2a、2bには図面中奥行き方向に所定間隔で形成された吐出口が形成される。吐出管2a、2bの吐出口は、処理槽2のほぼ中心部に向けて熱リン酸溶液Lを吐出させる方向に形成される。
循環系4は、処理槽2の底部の吐出管2a、2bと回収槽3の底部開口との間に接続された循環用配管5を有する。循環用配管5の途中には、回収槽3の底部開口側から処理槽2の吐出管2a、2b側に向かって、順に循環ポンプ6、循環系ヒータ7、濾過フィルタ8が設けられている。循環ポンプ6は、回収槽3内に貯留された熱リン酸溶液Lを吸引して循環系ヒータ7側に送出する。循環系ヒータ7は、循環ポンプ6側から流入して通過する際に熱リン酸溶液Lの温度を設定温度Tcとなるように加熱する。熱リン酸溶液Lの温度は循環系ヒータ7を通過する部分の循環用配管5内に設けた図示しない熱電対によりモニタされる。濾過フィルタ8は、循環系ヒータ7側から流入する熱リン酸溶液L中に含まれるパーティクルを除去し、一定レベルの清浄度にした上で処理槽2側に送出する。
処理槽2には、槽内の熱リン酸溶液Lを加熱するための複数のヒータとして、第1の槽加熱ヒータ9および第2の槽加熱ヒータ10の2つのヒータが設けられている。これら第1および第2の槽加熱ヒータ9、10は、所謂ラバーヒータ(rubber heater)あるいはクリスタルヒータ(crystal heater)と言われるもので、処理槽2の外周部を覆うように巻回されている。第1および第2の槽加熱ヒータ9、10は、それぞれ処理槽2内の処理液すなわち熱リン酸溶液Lの加熱設定温度T1、T2として独立して加熱可能であり、例えば処理槽2内の熱リン酸溶液LへのウエハWの浸漬時などに生じた熱リン酸溶液Lの温度変化から、熱リン酸溶液Lの温度を所定温度に復帰させて保持するために用いられる。ここで、第1の槽加熱ヒータ9は処理槽2の下部および底面部を加熱するように設けられている。第2の槽加熱ヒータ10は、第1の槽加熱ヒータ9の上部において処理槽2内の処理液を加熱する。処理槽2内には、各第1および第2の槽加熱ヒータ9、10による加熱状態をモニタするための図示しない熱電対が各第1および第2槽加熱ヒータ9、10に近接して設けられている。循環系ヒータ7、第1および第2の槽加熱ヒータ9、10は、制御部としてのヒータコントローラ11に接続されており、それぞれについて設定温度Tc、T1、T2となるように加熱対象である熱リン酸溶液Lを加熱制御する。
なお、前述したリフタAは、3本のバーによりウエハを載置保持する構成で、ウエハWを複数枚例えば50枚程度まで載置可能である。リフタAは、図示しないアームにより上昇および下降の移動が可能で、処理槽2の上方位置と処理槽2内の熱リン酸溶液Lに浸漬される所定位置との間で移動制御される。
次に、上記エッチング装置1を用いてウエハWの表面に形成された加工対象であるシリコン窒化膜をエッチングする場合の動作について説明する。
処理槽2内には処理液である熱リン酸溶液Lが貯留されており、また吐出管2a、2bから処理槽2内に熱リン酸溶液Lが供給される。処理槽2の上部からオーバーフローする熱リン酸溶液Lは回収槽3内に回収され、循環ポンプ6の動作により、循環系4の循環用配管5内に流入される。循環系4では、熱リン酸溶液Lが循環用配管5内を流通する際に循環系ヒータ7により再び設定温度Tcに加熱され、濾過フィルタ8を介して吐出管2a、2bから処理槽2内に還流される。
処理槽2内には処理液である熱リン酸溶液Lが貯留されており、また吐出管2a、2bから処理槽2内に熱リン酸溶液Lが供給される。処理槽2の上部からオーバーフローする熱リン酸溶液Lは回収槽3内に回収され、循環ポンプ6の動作により、循環系4の循環用配管5内に流入される。循環系4では、熱リン酸溶液Lが循環用配管5内を流通する際に循環系ヒータ7により再び設定温度Tcに加熱され、濾過フィルタ8を介して吐出管2a、2bから処理槽2内に還流される。
処理槽2内で行うウエハWのシリコン窒化膜のエッチング条件として、熱リン酸溶液Lを160℃として処理する場合における温度制御について説明する。処理槽2内においては、循環系4を循環した熱リン酸溶液Lが吐出管2a、2bからやや上方の中心部に向けて吐出される。このとき、処理槽2の底面中央部において熱リン酸溶液Lが滞留する傾向にある。
したがって、循環系4から吐出管2a、2bを介して吐出させる熱リン酸溶液Lの温度がやや高めになることがあると、処理槽2の底面中央部以外の部分における熱リン酸溶液Lの温度をモニタしてその部分について第1および第2の槽加熱ヒータ9、10により熱リン酸溶液Lが所定温度で保持されるように制御したとしても、処理槽2の底面中央部においては温度がやや高めの熱リン酸溶液Lが滞留することになる。このため、処理槽2内に浸漬されたウエハWのシリコン窒化膜が形成された面の下部側が、熱リン酸溶液Lの温度が高い領域に接触することで他の部分よりもエッチング量が多くなる。
そこで、この実施形態においては、これに対応すべく、ヒータコントローラ11により、第2の槽加熱ヒータ10による熱リン酸溶液Lの加熱の設定温度T2を処理槽2におけるウエハWの処理温度と対応した160℃とする一方、第1の槽加熱ヒータ9による熱リン酸溶液Lの加熱の設定温度T1をそれよりも低い例えば159℃として、処理槽2内の熱リン酸溶液Lを加熱制御する。これにより、処理槽2内の底面中央部において熱リン酸溶液Lが高めの温度のまま滞留する状態を解消することができる。したがって、処理槽2内に浸漬されているウエハWは、下部側で高い温度の熱リン酸溶液Lと接触することが解消されるので、ほぼ全面に渡って均一な温度で熱リン酸溶液Lが接触する状態とすることができ、シリコン窒化膜のエッチング量のばらつきを抑制して加工することができる。
また、このとき循環系4において循環系ヒータ7により加熱する熱リン酸溶液Lの設定温度Tcを処理槽2において設定した処理温度よりもやや低めに設定しても良い。例えば、処理槽2の容積や形状、あるいはウエハWの枚数などに応じて、循環系ヒータ7の加熱設定温度を処理槽2の処理液の設定温度(ウエハWの処理温度)に対して0.5℃から1.5℃の範囲内で低く設定する。この場合は、循環系4において所定温度よりも低めに加熱された熱リン酸溶液Lが還流されるが、処理槽2内の熱リン酸溶液Lの温度は第1および第2の槽加熱ヒータ9、10により設定温度に保持される。これにより、処理槽2の底面中央部において熱リン酸溶液Lの滞留状態が生じても温度が高くなることがさらに抑制され、ウエハWの全面に渡って均一なエッチングを行うことができる。
(第2実施形態)
図2は第2実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。すなわち、この実施形態においては、第1の槽加熱ヒータ9に代えて、第1の槽加熱ヒータ12として、処理槽2の下部の側壁部外周に巻きつけられるように配設され、且つ底面部には設けられない構成としている。
図2は第2実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。すなわち、この実施形態においては、第1の槽加熱ヒータ9に代えて、第1の槽加熱ヒータ12として、処理槽2の下部の側壁部外周に巻きつけられるように配設され、且つ底面部には設けられない構成としている。
前述したように処理槽2内の底面部中央付近で熱リン酸溶液Lが滞留する傾向であるから、その領域の温度もやや高くなる。そこでこれに対応すべく、処理槽2を加熱する第1の槽加熱ヒータ12は、処理槽2の底面部から加熱しない構成としている。これにより、処理槽2内の底面部中央付近で滞留する熱リン酸溶液Lを他の部分と同等に加熱しないようにすることで、部分的に温度が高くなるのを抑制している。
このような第2実施形態によっても第1実施形態と同様の効果を得ることができると共に、さらに温度が不均一になるのを抑制することができる。
なお、第2実施形態の構成を採用する場合にも、処理槽2の底面部からの加熱をしない分を考慮しつつ、循環系ヒータ7による設定温度Tcを、処理槽2における処理液の設定温度よりも若干低めに設定することが可能である。
なお、第2実施形態の構成を採用する場合にも、処理槽2の底面部からの加熱をしない分を考慮しつつ、循環系ヒータ7による設定温度Tcを、処理槽2における処理液の設定温度よりも若干低めに設定することが可能である。
(第3実施形態)
次に、図3を参照して第3実施形態について説明する。この実施形態では、上記した第1実施形態あるいは第2実施形態の構成のエッチング装置1を用いた基板処理方法としてのエッチング方法を示している。
次に、図3を参照して第3実施形態について説明する。この実施形態では、上記した第1実施形態あるいは第2実施形態の構成のエッチング装置1を用いた基板処理方法としてのエッチング方法を示している。
上記各実施形態のエッチング装置1では、処理槽2内の熱リン酸溶液Lを160℃に加熱した状態でシリコン窒化膜のエッチングを行うので、熱リン酸溶液Lに浸漬するウエハWの枚数が多く、両者の温度差が大きい場合には浸漬直後に熱リン酸溶液Lの温度が急激に低下する。例えば、このエッチング装置1に、50枚のウエハWをリフタAに搭載した状態で熱リン酸溶液Lに浸漬させる場合には、図3に破線で示すように、熱リン酸溶液Lの温度はウエハWの浸漬後の1分間で急激に低下していき、約3.5℃低下した後に第1および第2の槽加熱ヒータ9、10(第1実施形態)(あるいは10、12(第2実施形態))による加熱で約3分後に復帰する。
従って、このような温度変化を予め把握しておいて温度低下が発生する分を想定した上で熱リン酸溶液Lの温度を、例えば3.5℃の低下をリカバーできる程度の温度に高めに設定しておく。この場合、図示のように例えば熱リン酸溶液Lの温度が本来の160℃の設定温度よりも2℃〜3.5℃の範囲で高めの温度となるように槽加熱ヒータ9、10の設定温度T1、T2を設定しておく。そして、ウエハWを浸漬した後に槽加熱ヒータ9、10の設定温度T1、T2を本来の設定温度である159℃および160℃に戻すように制御する。この制御は、リフタAの下降動作と同期させて自動で行なっても良いし、手動で切替えるようにしても良い。
これにより、50枚のウエハWを浸漬した直後に熱リン酸溶液Lの温度が低下するものの、その温度低下を見込んで熱リン酸溶液Lの温度を予め高めているので、図3中実線で示すような温度変化をするようになり、50枚のウエハWの熱容量をカバーして熱リン酸溶液Lの温度がほぼ160℃程度付近に速やかに復帰する。そして、ウエハWの浸漬後に第1および第2の槽加熱ヒータ9、10の設定温度T1、T2がそれぞれ159℃、160℃に変更されているので、この後、前述同様に制御を行うことで熱リン酸溶液Lの温度をほぼ160℃に保持することができる。この場合においても、処理槽2内の熱リン酸溶液Lの温度を均一にすることができるので、エッチング処理によるエッチング量の制御性をより高めることができる。
なお、上記の場合には50枚のウエハWを熱リン酸溶液Lに浸漬した場合に約3.5℃の低下をリカバーする例で示したが、ウエハWの枚数や厚さあるいは処理液の設定温度などに応じて浸漬後に低下する温度は異なるので、それぞれの場合に適合するように処理液の温度を設定することができる。
(第4実施形態)
図4は第4実施形態を示すもので、第3実施形態と同様に、前述した第1実施形態あるいは第2実施形態の構成のエッチング装置1を用いた基板処理方法としてのエッチング方法を示している。
図4は第4実施形態を示すもので、第3実施形態と同様に、前述した第1実施形態あるいは第2実施形態の構成のエッチング装置1を用いた基板処理方法としてのエッチング方法を示している。
前述したように、ウエハWは、リフタAにセットされた状態で上方から処理槽2内の所定位置まで下降されて熱リン酸溶液Lに浸漬される。この実施形態においては、リフタAを下降する位置を所定位置よりもH(例えば数mmから2cmの範囲)だけ高い位置とする。この位置は処理槽2内の熱リン酸溶液LにウエハWが完全に浸漬された状態で、且つ通常の位置よりも高い位置となる。
このようにリフタAを通常の位置よりもHだけ高い位置に留めてウエハWを熱リン酸溶液Lに浸漬させるようにしたので次の作用効果がある。第1に、処理槽2内の底部中央付近に滞留する温度が高い熱リン酸溶液Lの領域から上方に離れた位置にウエハWが浸漬されるので、熱リン酸溶液Lの温度が高い部分にウエハWが接触することを回避できる。第2に、吐出管2a、2bから処理槽2内に吐出される循環系4からの熱リン酸溶液LをリフタAのバーに当てて分散させる位置関係としているので、これによって熱リン酸溶液Lを処理槽2内の底面中央付近に滞留させることなく拡散させた状態でウエハWに接触させることができる。以上の作用により、ウエハWのシリコン窒化膜のエッチング処理をより精度の高い状態で実施することができる。
(他の実施形態)
上記の実施形態に加えて次のような変形をすることができる。
加工対象の膜は、ウエハWに形成されたシリコン窒化膜以外に、シリコン酸化膜などの絶縁膜や、シリコン膜や金属膜あるいは他の種々の膜に適用できる。加工対象の基板も、半導体基板としてのウエハW以外に種々の加工を行う基板に適用できる。
上記の実施形態に加えて次のような変形をすることができる。
加工対象の膜は、ウエハWに形成されたシリコン窒化膜以外に、シリコン酸化膜などの絶縁膜や、シリコン膜や金属膜あるいは他の種々の膜に適用できる。加工対象の基板も、半導体基板としてのウエハW以外に種々の加工を行う基板に適用できる。
処理槽2の外周に巻回する複数のヒータとして2つのヒータ9、10または12、10を設ける構成としたが、3以上のヒータを互いに処理槽2の上下方向に分けて位置させることもでき、それぞれのヒータを独立に温度設定をして制御することができる構成であれば良い。また、底面を加熱する場合にそのヒータを独立して設ける構成とすることもできる。
処理液は、熱リン酸溶液L以外に、他のエッチングや反応生成などを行う際の薬液を用いても良いし、均一な処理温度が要求される温水処理用の水とすることもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1はエッチング装置(基板処理装置)、2は処理槽、2a、2bは吐出管、3は回収槽、4は循環系、5は循環用配管、6は循環ポンプ、7は循環系ヒータ、8は濾過フィルタ、9、12は第1の槽加熱ヒータ、10は第2の槽加熱ヒータ、11はヒータコントローラ(制御部)、Aはリフタ(基板載置部)、Wはウエハ(加工対象の基板)である。
Claims (5)
- 加工対象となる基板が収容される処理槽と、前記処理槽に循環系ヒータにより加熱した処理液を下部から供給し上部から回収して循環させる循環系と、前記処理液を加熱するように前記処理槽に設けられ、互いに前記処理槽の上下方向に配置される複数のヒータとを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記複数のヒータのうち前記処理槽の上側に位置するヒータを前記処理槽内での前記処理液による基板の処理温度と対応する設定温度にすると共に、前記複数のヒータのうち前記処理槽の下側に位置するヒータおよび前記循環系ヒータを前記処理槽の上側に位置するヒータよりも低い設定温度にすることを特徴とする基板処理方法。 - 加工対象となる基板が収容される処理槽と、前記処理槽に循環系ヒータにより加熱した処理液を下部から供給し上部から回収して循環させる循環系と、前記処理液を加熱するように前記処理槽に設けられ、互いに前記処理槽の上下方向に配置される複数のヒータとを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記複数のヒータのうち前記処理槽の下側に位置するヒータの設定温度を、前記処理槽の上側に位置するヒータの設定温度よりも低く設定することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1または2に記載の基板処理方法において、
前記基板処理装置は、前記処理槽内に前記加工対象となる基板を収容するための基板載置部をさらに備え、
前記処理槽内の処理液中に前記基板載置部を収容する際に、前記循環系から前記処理槽内に吐出する処理液が前記基板載置部に当たって分散する位置に前記基板載置部を保持することを特徴とする基板処理方法。 - 加工対象となる基板が収容される処理槽と、
前記処理槽に循環系ヒータにより加熱した処理液を下部から供給し上部から回収して循環させる循環系と、
前記処理液を加熱するように前記処理槽に設けられ、互いに前記処理槽の上下方向に配置される複数のヒータと、
前記複数のヒータをそれぞれ独立して加熱制御する制御部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記複数のヒータのうちの前記処理槽の下側に位置するヒータは、前記処理槽の底面部を除き側壁面から前記処理液を加熱するように設けられていることを特徴とする基板処理装置。
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