JP7357772B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、処理液が貯留された処理槽に対し、複数の基板により形成されたロットを浸漬させることにより、複数の基板を一括して処理する基板処理装置が知られている。

特開２０１８－１７４２５８号公報

本開示は、処理槽内における処理液の温度均一性を向上させることができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、第１ノズルと、第２ノズルと、流量制御部とを備える。処理槽は、複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う。第１ノズルは、処理槽の内部において複数の基板よりも下方に配置され、温度調整された処理液を処理槽に供給する。第２ノズルは、処理槽の内部において第１ノズルよりも上方に配置され、温度調整された処理液を処理槽に供給する。流量制御部は、複数の基板よりも下方の第１位置における処理液の温度と、複数の基板を上下に２分割する仮想的な中心ラインよりも上方の第２位置における処理液の温度との差が閾値を超えた場合に、第２ノズルから供給される温度調整された処理液の流量を増加させる。

本開示によれば、処理槽内における処理液の温度均一性を向上させることができる。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係る内槽を上方から見た平面図である。 図３は、第１実施形態に係る内槽を図２のＹ軸負方向からＹ軸正方向に見た断面図である。 図４は、第１実施形態に係る内槽を図２のＸ軸正方向からＸ軸負方向に見た断面図である。 図５は、第１実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の手順を示すフローチャートである。 図６は、送液機構の制御処理の一例を説明するための図である。 図７は、第１変形例に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図９は、第２実施形態に係る内槽を上方から見た平面図である。 図１０は、第２実施形態に係る内槽を図９のＹ軸負方向からＹ軸正方向に見た断面図である。 図１１は、第２実施形態に係る流量制御処理の手順を示すフローチャートである。 図１２は、第２実施形態に係る温度制御処理の手順を示すフローチャートである。 図１３は、第３実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図１４は、第３実施形態に係る蓋体を下方から見た図である。 図１５は、第３実施形態に係る蓋体を図１４のＸ軸正方向からＸ軸負方向に見た図である。

以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。

処理液が貯留された処理槽に対し、複数の基板により形成されたロットを浸漬させることにより、複数の基板を一括して処理する基板処理装置が知られている。

基板処理装置では、温度調整された処理液を吐出するノズルが処理槽内の下部に配置されており、基板処理中にノズルから温度調整された処理液を吐出することにより、処理槽内に処理液の液流れを形成している。

このように、この種の基板処理装置では、温度調整された処理液が処理槽の下部から供給されるため、処理槽内の下部と上部とで処理液の温度差が生じるおそれがあった。具体的には、処理槽内の上部における処理液の温度は、処理層内の下部における処理液の温度と比べて低くなる。

処理槽内の処理液に温度差があると、基板のエッチングの面内均一性が低下する。このため、処理槽内における処理液の温度均一性を向上させること、特に、処理槽内の上下方向における処理液の温度差を低減することができる技術が期待されている。

（第１実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。

図１に示す基板処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗをロット単位で処理する。１つのロットは、複数（たとえば、５０枚）の基板Ｗで形成される。１つのロットを形成する複数の基板Ｗは、板面同士を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。

図１に示すように、基板処理装置１は、処理槽１０と、昇降機構２０と、複数（ここでは、３つ）の第１ノズル３０と、複数（ここでは、２つ）の第２ノズル４０とを備える。また、基板処理装置１は、第１供給路５０と、第２供給路６０とを備える。

処理槽１０では、所定のエッチング液を用いて、基板Ｗ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうちシリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液にシリコン（Ｓｉ）含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として用いられる。

エッチング液中のシリコン濃度を調整する手法としては、リン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法（シーズニング）や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法を用いることができる。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整してもよい。

処理槽１０は、内槽１１と、外槽１２とを備える。内槽１１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にエッチング液を貯留する。起立姿勢で配列された１ロット分の基板Ｗは、内槽１１に貯留されたエッチング液に浸漬される。

外槽１２は、上方が開放され、内槽１１の上部周囲に配置される。外槽１２には、内槽１１からオーバーフローしたエッチング液が流入する。

外槽１２には、リン酸水溶液供給部１３と、シリコン供給部１４と、ＤＩＷ供給部１５とが接続される。

リン酸水溶液供給部１３は、リン酸水溶液供給源１３１と、リン酸水溶液供給ライン１３２と、流量調整器１３３とを有する。

リン酸水溶液供給源１３１は、リン酸濃度が所望の濃度に濃縮されたリン酸水溶液を供給する。リン酸水溶液供給ライン１３２は、リン酸水溶液供給源１３１と外槽１２とを接続し、リン酸水溶液供給源１３１から外槽１２にリン酸水溶液を供給する。

流量調整器１３３は、リン酸水溶液供給ライン１３２に設けられ、外槽１２へ供給されるリン酸水溶液の供給量を調整する。流量調整器１３３は、開閉弁や調整弁、流量計などで構成される。

シリコン供給部１４は、シリコン供給源１４１と、シリコン供給ライン１４２と、流量調整器１４３とを有する。

シリコン供給源１４１は、シリコン含有化合物水溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン１４２は、シリコン供給源１４１と外槽１２とを接続し、シリコン供給源１４１から外槽１２にシリコン含有化合物水溶液を供給する。

流量調整器１４３は、シリコン供給ライン１４２に設けられ、外槽１２へ供給されるシリコン含有化合物水溶液の供給量を調整する。流量調整器１４３は、開閉弁や調整弁、流量計などで構成される。流量調整器１４３によってシリコン含有化合物水溶液の供給量が調整されることで、エッチング液のシリコン濃度が調整される。

ＤＩＷ供給部１５は、ＤＩＷ供給源１５１と、ＤＩＷ供給ライン１５２と、流量調整器１５３とを有する。ＤＩＷ供給部１５は、エッチング液を加熱することで蒸発した水分を補給するため、外槽１２にＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）を供給する。

ＤＩＷ供給ライン１５２は、ＤＩＷ供給源１５１と外槽１２とを接続し、ＤＩＷ供給源１５１から外槽１２に所定温度のＤＩＷを供給する。

流量調整器１５３は、ＤＩＷ供給ライン１５２に設けられ、外槽１２へ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器１５３は、開閉弁や調整弁、流量計などで構成される。流量調整器１５３によってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液の温度、リン酸濃度およびシリコン濃度が調整される。

昇降機構２０は、ロットを形成する複数の基板Ｗを起立姿勢で前後に並んで保持する。また、昇降機構２０は、内槽１１に貯留されたエッチング液の液面よりも上方の上方位置と、内槽１１内部の浸漬位置との間で、複数の基板Ｗを昇降させる。なお、図１には、複数の基板Ｗが浸漬位置に配置された状態を示している。図１に示すように、浸漬位置とは、基板Ｗの全体がエッチング液に浸漬される位置である。

複数の第１ノズル３０は、内槽１１の内部において複数の基板Ｗよりも下方に配置され、温度調整されたエッチング液を内槽１１に供給する。各第１ノズル３０は、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在しており、複数の基板Ｗの配列方向に沿って設けられた複数の吐出口から温度調整されたエッチング液を吐出する。

第１供給路５０は、複数の第１ノズル３０に接続され、温度調整されたエッチング液を複数の第１ノズル３０に供給する。具体的には、第１供給路５０は、外槽１２と複数の第１ノズル３０とを接続する循環路であり、内槽１１からオーバーフローして外槽１２に流入したエッチング液を複数の第１ノズル３０に供給する。

第１供給路５０には、上流側（外槽１２に近い側）から順に、送液機構５１、温度調整部５２およびフィルタ５３が設けられている。

送液機構５１は、たとえば真空ポンプ等であり、第１供給路５０に流入したエッチング液を下流へ送り出す。温度調整部５２は、たとえばシーズヒータ等であり、第１供給路５０を流れるエッチング液の温度を調整する。具体的には、温度調整部５２は、第１供給路５０を流れるエッチング液の温度を加熱する。フィルタ５３は、第１供給路５０を流れるエッチング液から不純物を除去する。

複数の第２ノズル４０は、内槽１１の内部において複数の第１ノズル３０よりも上方に配置され、温度調整されたエッチング液を内槽１１に供給する。

上述した複数の第１ノズル３０は、複数の基板Ｗの処理中、エッチング液を定常的に供給する。これに対し、複数の第２ノズル４０は、内槽１１内の上下方向におけるエッチング液の温度差を低減するために、補助的に用いられる。

ここで、「補助的に」とは、複数の基板Ｗの処理中、複数の第２ノズル４０から供給される温度調整されたエッチング液の流量を一時的に増加させることを意味する。「流量を増加させる」とは、流量が０の状態すなわち複数の第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の供給が停止している状態から複数の第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の供給を開始させる場合も含む。

第１実施形態において、複数の第２ノズル４０は、第１ノズル３０よりも上方、且つ、浸漬位置に配置された複数の基板Ｗを上下に２分割する仮想的な中心ラインＬ１よりも下方に配置される。第２ノズル４０の具体的な構成については後述する。

第２供給路６０は、複数の第２ノズル４０に接続され、温度調整されたエッチング液を複数の第２ノズル４０に供給する。

第２供給路６０は、第１供給路５０から分岐する分岐路である。具体的には、第２供給路６０は、フィルタ５３よりも下流の第１供給路５０から分岐する。なお、第２供給路６０は、少なくとも温度調整部５２よりも下流の第１供給路５０から分岐していればよい。

第２供給路６０には、上流側（第１供給路５０に近い側）から順に、流量調整器６１およびフィルタ６２が設けられている。

流量調整器６１は、第２供給路６０を流れる温度調整されたエッチング液の流量を調整する。流量調整器６１は、開閉弁や調整弁、流量計などで構成される。開閉弁は、第２供給路６０を全開または全閉するバルブであり、調整弁は、第２供給路６０の開度を調整可能なバルブである。フィルタ６２は、第２供給路６０を流れるエッチング液から不純物を除去する。

基板処理装置１は、第１温度センサ７０と、第２温度センサ８０とを備える。第１温度センサ７０は、浸漬位置に配置された複数の基板Ｗよりも下方の第１位置におけるエッチング液の温度を検出する。また、第２温度センサ８０は、中心ラインＬ１よりも上方の第２位置におけるエッチング液の温度を検出する。

第１温度センサ７０は、第１供給路５０において温度調整部５２とフィルタ５３との間に設けられる。かかる第１温度センサ７０は、第１供給路５０を流れるエッチング液の温度を第１位置におけるエッチング液の温度として検出する。第１温度センサ７０および第２温度センサ８０の検出結果は、後述する制御部５へ出力される。なお、第１温度センサ７０は、第１供給路５０において少なくとも温度調整部５２よりも下流に配置されていればよい。たとえば、第１温度センサ７０は、第１供給路５０においてフィルタ５３よりも下流に設けられてもよい。

基板処理装置１は、制御部５を備える。制御部５は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。具体的には、制御部５は、送液機構５１、温度調整部５２および流量調整器６１，１３３，１４３，１５３等を制御する。

この制御部５は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。

制御部５は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。たとえば、制御部５は、上記プログラムを読み出して実行することにより、複数の第１ノズル３０および複数の第２ノズル４０から供給される温度調整されたエッチング液の流量を制御する流量制御部として機能する。また、制御部５は、上記プログラムを読み出して実行することにより、第１温度センサ７０および第２温度センサ８０の少なくとも一方の検出結果に基づいて温度調整部５２を制御する温度制御部として機能する。

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部５の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

なお、基板処理装置１は、たとえば複数の第１ノズル３０よりも下方に、窒素ガス等の気体を供給する気体供給部を備えていてもよい。

＜第２ノズルの構成＞
次に、第２ノズル４０の具体的な構成について図２～図４を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係る内槽１１を上方から見た平面図である。図３は、第１実施形態に係る内槽１１を図２のＹ軸負方向からＹ軸正方向に見た断面図である。図４は、第１実施形態に係る内槽１１を図２のＸ軸正方向からＸ軸負方向に見た断面図である。なお、理解を容易にするために、図２および図４では基板Ｗの枚数を減らして示している。

図２に示すように、第２ノズル４０は、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する第１吐出部４１と、複数の基板Ｗの配列方向と直交する水平方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する第２吐出部４２とを備える。第１吐出部４１には、Ｙ軸方向に沿って複数の第１吐出口４１１が設けられる。また、第２吐出部４２には、Ｘ軸方向に沿って複数の第２吐出口４２１が設けられる。

第１吐出部４１および第２吐出部４２は、端部同士が一体的に接続されている。すなわち、第２ノズル４０は、平面視においてＬ字形状を有する。２つの第２ノズル４０のうち一方は、内槽１１の側壁のうちＹ軸方向に面する一方の側壁１１１およびＸ軸方向に面する一方の側壁１１２に寄せて配置される。また、他方の第２ノズル４０は、内槽１１の側壁のうちＹ軸方向に面する他方の側壁１１３およびＸ軸方向に面する他方の側壁１１４に寄せて配置される。このようにして、２つの第２ノズル４０は、平面視において複数の基板Ｗの四方を取り囲むように配置される。

図３に示すように、第１吐出部４１は、複数の基板Ｗの側方に配置される。具体的には、第１吐出部４１は、基板Ｗの周縁部と接する仮想的な鉛直線Ｌ２よりも基板Ｗの外方に配置される。第１吐出部４１は、複数の第１吐出口４１１から温度調整されたエッチング液を鉛直上方に吐出する。

このように、第１吐出部４１から吐出される温度調整されたエッチング液が基板Ｗに直接供給されないようにすることで、基板Ｗの温度が局所的に上昇することを抑制することができる。

第１吐出部４１の鉛直上方には、第２温度センサ８０が配置される。具体的には、たとえば、第２温度センサ８０は、基板Ｗの中心ラインＬ１よりも上方且つ鉛直線Ｌ２よりも外方に配置される。第２温度センサ８０は、かかる位置におけるエッチング液の温度を第２位置におけるエッチング液の温度として検出する。

図４に示すように、第２吐出部４２は、複数の基板Ｗ１の前方および後方に配置される。具体的には、２つの第２吐出部４２のうち一方は、複数の基板Ｗのうち先頭に位置する基板Ｗ１よりもＹ軸負方向側に配置される。また、２つの第２吐出部４２のうち他方は、複数の基板Ｗのうち最後尾に位置する基板Ｗ２よりもＹ軸正方向側に配置される。このように、第２吐出部４２は、複数の基板Ｗのうち先頭または最後尾に位置する基板よりも配列方向外方に配置される。第２吐出部４２は、複数の第２吐出口４２１から温度調整されたエッチング液を鉛直上方に吐出する。

このように、第２吐出部４２から吐出される温度調整されたエッチング液が基板Ｗに直接供給されないようにすることで、基板Ｗの温度が局所的に上昇することを抑制することができる。

第２吐出部４２の鉛直上方には、第２温度センサ８０が配置される。すなわち、第２温度センサ８０は、第１吐出部４１および第２吐出部４２の接続部分（Ｌ字の角部分）の上方に配置される。言い換えれば、第２温度センサ８０は、平面視において、内槽１１の四隅のうち１つの角部に寄せて配置される。

このように、第１吐出部４１および第２吐出部４２は、第２位置に配置された第２温度センサ８０に向けて温度調整されたエッチング液を供給する。

制御部５は、たとえば、第２温度センサ８０によって検出される温度が予め設定された温度に近づくように温度調整部５２を制御する。

たとえば、内槽１１においてエッチング液に上下方向の温度差が生じて、第２温度センサ８０の検出温度が低下したとする。この場合、制御部５は、温度調整部５２の出力を上げて、第１ノズル３０から供給されるエッチング液の温度を高くする。この結果、第１ノズル３０の近傍に位置する基板Ｗの下部に比較的高温のエッチング液が供給され、これにより、基板Ｗの下部が他の部位と比べて過剰にエッチングされることとなる。すなわち、基板Ｗのエッチングの面内均一性が低下してしまう。

これに対し、実施形態に係る基板処理装置１では、第１ノズル３０よりも高い位置に第２ノズル４０を配置し、かかる第２ノズル４０から上方に向けて温度調整されたエッチング液を供給することとした。これにより、温度調整されたエッチング液を第１ノズル３０のみから供給する場合と比べて、第２温度センサ８０の検出温度を早期に上昇させることができる。

第２温度センサ８０の検出温度を早期に上昇させることで、温度調整部５２の出力が上がり過ぎないようにすることができる。したがって、基板Ｗの下部が過剰にエッチングされてしまうことを抑制することができる。すなわち、基板Ｗのエッチングの面内均一性の低下を抑制することができる。

このように、実施形態に係る基板処理装置１では、第２ノズル４０を用いることで、内槽１１内のエッチング液の上下方向における温度差を早期に解消することができる。したがって、実施形態に係る基板処理装置１によれば、内槽１１内のエッチング液の温度均一性を向上させることができる。また、これにより、温度調整部５２の出力の上昇が抑制されることで、基板Ｗのエッチングの面内均一性の低下を抑制することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置１によれば、温度調整されたエッチング液を第２ノズル４０から第２温度センサ８０に向けて吐出することで、第２温度センサ８０の検出温度をより早期に上昇させることができる。したがって、温度調整部５２の出力の上昇を好適に抑制することができる。

＜基板処理装置の具体的動作＞
次に、基板処理装置１の具体的動作について図５を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係る基板処理装置１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。なお、図５に示す各処理手順は、制御部５の制御に従って実行される。

図５に示す一連の処理の開始前において、内槽１１には、温度調整されたエッチング液が予め貯留されている。また、複数の第１ノズル３０から温度調整されたエッチング液が内槽１１に供給された状態、言い換えれば、温度調整されたエッチング液が第１ノズル３０、内槽１１、外槽１２および第１供給路５０を循環している状態となっている。第１ノズル３０からの温度調整されたエッチング液の供給は、少なくとも図５に示す一連の処理が終了するまで継続される。

図５に示すように、基板処理装置１では、まず、第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の供給を開始する（ステップＳ１０１）。具体的には、制御部５は、流量調整器６１を制御して流量調整器６１の開閉弁を開く。これにより、第１供給路５０を流れる温度調整されたエッチング液が第２供給路６０を介して第２ノズル４０へ供給される。そして、第２ノズル４０に設けられた複数の第１吐出口４１１および複数の第２吐出口４２１から内槽１１内へ温度調整されたエッチング液が吐出される。

つづいて、１つのロットを形成する複数の基板Ｗを内槽１１の内部に搬入する（ステップＳ１０２）。具体的には、制御部５は、昇降機構２０を制御することにより、昇降機構２０に保持された複数の基板Ｗを内槽１１内へ向けて下降させる。これにより、複数の基板Ｗは、内槽１１内の浸漬位置に配置された状態となる。

内槽１１内のエッチング液の温度は温度調整部５２によって加熱されているのに対し、複数の基板Ｗの温度は、室温程度である。このため、ステップＳ１０２において、複数の基板Ｗを内槽１１へ搬入すると、内槽１１内のエッチング液の温度は低下することとなる。

そこで、実施形態にかかる基板処理装置１では、内槽１１に貯留されたエッチング液に複数の基板Ｗを浸漬させる前に（ステップＳ１０２）、第２ノズル４０による温度調整されたエッチング液の供給を開始することとした（ステップＳ１０１）。

このように、エッチング液の温度低下が生じる前に、第２ノズル４０から温度調整されたエッチング液を供給しておくことで、第２温度センサ８０の検出温度の低下を抑制することができる。また、検出温度が正常な値に復帰するまでの時間を短縮することができる。これにより、温度調整部５２の出力が上がり過ぎないようにすることができ、基板Ｗの下部が他の部位と比べて過剰にエッチングされてしまうことを抑制することができる。すなわち、基板Ｗのエッチングの面内均一性の低下を抑制することができる。

つづいて、制御部５は、第１温度センサ７０によって検出される第１位置におけるエッチング液の温度と、第２温度センサ８０によって検出される第２位置におけるエッチング液の温度との差が閾値以下になったか否かを判定する（ステップＳ１０３）。制御部５は、上記温度差が閾値以下になるまで、ステップＳ１０３の判定処理を繰り返す（ステップＳ１０３，Ｎｏ）。この間、第２ノズル４０による温度調整されたエッチング液の供給が継続される。

一方、ステップＳ１０３において、上記温度差が閾値以下になったと判定した場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、制御部５は、第２ノズル４０による温度調整されたエッチング液の供給を停止する（ステップＳ１０４）。

つづいて、制御部５は、上記温度差が閾値を超えたか否かを判定する（ステップＳ１０５）。この処理において、上記温度差が閾値を超えたと判定した場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、制御部５は、第２ノズル４０による温度調整されたエッチング液の供給を再び開始させて（ステップＳ１０６）、処理をステップＳ１０３へ移行する。

一方、ステップＳ１０５において、上記温度差が閾値を超えていない場合（ステップＳ１０５、Ｎｏ）、制御部５は、複数の基板Ｗのエッチング処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０７）。たとえば、制御部５は、ステップＳ１０２において内槽１１に複数の基板Ｗを搬入してから予め決められた時間が経過した場合に、複数の基板Ｗのエッチング処理が終了してもよい。

ステップＳ１０７において、複数の基板Ｗのエッチング処理が終了していない場合（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、制御部５は、処理をステップＳ１０５に戻す。一方、複数の基板Ｗのエッチング処理が終了したと判定した場合（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、制御部５は、昇降機構２０を制御して複数の基板Ｗを上昇させることにより、内槽１１から複数の基板Ｗを搬出して（ステップＳ１０８）、一連の基板処理を終了する。

図５の例では、ステップＳ１０１，Ｓ１０６において、第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の吐出流量を０から増加させることとした。これに限らず、制御部５は、ステップＳ１０１，Ｓ１０６において、第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の吐出流量を第１流量（＞０）から第２流量（＞第１流量）に増加させてもよい。また、この場合、制御部５は、ステップＳ１０４において、第２ノズル４０からの温度調整されたエッチング液の吐出流量を第２流量から第１流量に減少させてもよい。

このように、実施形態に係る基板処理装置１では、第１位置におけるエッチング液の温度と第２位置におけるエッチング液の温度との差が閾値を超えた場合に、第２ノズル４０から供給される温度調整されたエッチング液の流量を増加させることとした。これにより、内槽１１内のエッチング液の温度均一性を向上させることができる。

図６は、送液機構５１の制御処理の一例を説明するための図である。実施形態に係る基板処理装置１において、第２供給路６０は、第１供給路５０から分岐して第２ノズル４０に接続されている。このため、送液機構５１の駆動圧が一定であると、流量調整器６１の開閉弁を開いて第２ノズル４０からの吐出を開始させることによって、第１ノズル３０の吐出流量が低下することとなる。

そこで、図６に示すように、制御部５は、流量調整器６１の開閉弁を開いて第２ノズル４０からの吐出を開始させた場合に、送液機構５１の駆動圧を増加させてもよい。これにより、第１ノズル３０の吐出流量が低下することを抑制することができる。

また、送液機構５１の駆動圧を増加させることにより、内槽１１内に供給される温度調整されたエッチング液の総吐出流量が増加する。これにより、温度調整部５２の出力を一定としつつ、内槽１１内の上下方向におけるエッチング液の温度差を早期に小さくすることができる。

＜第１変形例＞
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１の変形例について図７を参照して説明する。図７は、第１変形例に係る基板処理装置の構成を示す図である。なお、図７では、外槽１２に接続される各種処理液の供給部や制御部５等の構成を省略して示している。

上述した第１実施形態では、第２供給路６０が第１供給路５０から分岐して第２ノズル４０に接続される場合の例について説明したが、図７に示すように、第２供給路６０Ａは、第１供給路５０と独立した経路であってもよい。

図７に示すように、基板処理装置１Ａが備える第２供給路６０Ａは、一端が外槽１２に接続され、他端が複数の第２ノズル４０に接続される。かかる第２供給路６０Ａには、上流（外槽１２側）から順に、送液機構６３、流量調整器６１、温度調整部６４およびフィルタ６２が設けられる。送液機構６３は、たとえば真空ポンプ等であり、第２供給路６０Ａ内のエッチング液を下流へ送り出す。温度調整部６４は、たとえばシーズヒータ等であり、第２供給路６０Ａを流れるエッチング液の温度を調整する。

このように、第１供給路５０と第２供給路６０Ａとは独立していてもよい。この場合、たとえば、制御部５は、温度調整部５２，６４を制御することにより、第２ノズル４０から吐出されるエッチング液の温度を、第１ノズル３０から吐出されるエッチング液の温度より高くしてもよい。これにより、内槽１１内の上下方向におけるエッチング液の温度差をより早期に小さくすることができる。

また、制御部５は、第１温度センサ７０の検出温度に基づいて温度調整部５２を制御し、第２温度センサ８０の検出温度に基づいて温度調整部６４を制御してもよい。たとえば、制御部５は、第１位置におけるエッチング液の温度が予め設定された温度に近づくように、第１温度センサ７０の検出温度に基づいて温度調整部５２を制御する。同様に、制御部５は、第２位置におけるエッチング液の温度が予め設定された温度に近づくように、第２温度センサ８０の検出温度に基づいて温度調整部５２を制御する。このようにすることで、内槽１１内の上下方向におけるエッチング液の温度差を小さくすることができる。

（第２実施形態）
ところで、内槽１１は上方が開放されているため、内槽１１に貯留されたエッチング液の温度は、外部の雰囲気に曝される液面付近において相対的に低くなる傾向にある。

上述したように、内槽１１内には上方に向かう液流れが形成されている。この液流れによって内槽１１の液面付近まで上昇したエッチング液の一部は、外槽１２へオーバーフローするが、残りの一部は下降流となって再び内槽１１内の下部へ向かって流れる。

下降流は、液面付近で冷やされたエッチング液によって形成される。このため、下降流が通過する領域においてエッチング液の温度低下が生じ、この領域に位置する基板Ｗのエッチング量が低下するおそれがある。そこで、内槽１１の上下方向におけるエッチング液の温度差を低減すること、具体的には、液面付近におけるエッチング液の温度低下を抑制することができる技術が期待されている。

図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図８に示すように、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｂにおいて、複数の第２ノズル４０Ｂは、浸漬位置に配置された複数の基板Ｗの中心ラインＬ１よりも上方且つ内槽１１に貯留されたエッチング液の液面よりも下方に配置される。そして、複数の第２ノズル４０Ｂは、内槽１１に貯留されたエッチング液の液面に向けて温度調整されたエッチング液を吐出する。

図９は、第２実施形態に係る内槽１１を上方から見た平面図である。また、図１０は、第２実施形態に係る内槽１１を図９のＹ軸負方向からＹ軸正方向に見た断面図である。

図９に示すように、第２ノズル４０Ｂは、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する第１吐出部４１Ｂと、複数の基板Ｗの配列方向と直交する水平方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する第２吐出部４２Ｂとを備える。第１吐出部４１Ｂには、Ｙ軸方向に沿って複数の第１吐出口４１１Ｂが設けられる。また、第２吐出部４２Ｂには、Ｘ軸方向に沿って複数の第２吐出口４２１Ｂが設けられる。第２吐出部４２Ｂの構成は、第１実施形態に係る第２吐出部４２と同一であるため、ここでの説明を省略する。

図１０に示すように、第１吐出部４１Ｂは、複数の基板Ｗの側方に配置され、複数の基板Ｗの上方に位置するエッチング液の液面に向けて、温度調整されたエッチング液を斜めに吐出する。

第１吐出部４１Ｂは、温度調整されたエッチング液が複数の基板Ｗに直接供給されない角度で温度調整されたエッチング液を吐出する。具体的には、複数の第１吐出口４１１Ｂから吐出される温度調整されたエッチング液の吐出方向は、第１吐出口４１１Ｂから鉛直上方に延びる鉛直線Ｌ３よりも基板Ｗ側に傾いている。また、複数の第１吐出口４１１Ｂから吐出される温度調整されたエッチング液の吐出方向は、第１吐出口４１１Ｂを通る基板Ｗの接線Ｌ４よりも起立している。

このように、第１吐出部４１Ｂから吐出される温度調整されたエッチング液が基板Ｗに直接供給されないようにすることで、基板Ｗの温度が局所的に上昇することを抑制することができる。

次に、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｂの具体的動作について説明する。まず、第２ノズル４０Ｂからの温度調整されたエッチング液の流量制御処理について図１１を参照して説明する。図１１は、第２実施形態に係る流量制御処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１１に示す処理は、たとえば、内槽１１内に複数の基板Ｗが搬入されてから搬出されるまでの間、継続される。

図１１に示すように、制御部５は、第１温度センサ７０によって検出される第１位置におけるエッチング液の温度と、第２温度センサ８０によって検出される第２位置におけるエッチング液の温度との差に変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ２０１）。制御部５は、蒸気温度差に変化が生じていない場合には（ステップＳ２０１，Ｎｏ）、処理をステップＳ２０１へ戻して、ステップＳ２０１の判定処理を繰り返す。

ステップＳ２０１において、上記温度差に変化が生じたと判定した場合（ステップＳ２０１，Ｙｅｓ）、制御部５は、上記温度差が小さくなるように、上記温度差に応じて第２ノズル４０Ｂの吐出流量を変更する（ステップＳ２０２）。

第２ノズル４０Ｂの吐出流量の変更は、第２供給路６０に設けられた流量調整器６１を制御して、流量調整器６１に設けられた調整弁の開度を変更することによって行われる。

たとえば、制御部５は、｛１－（ｔ_０－ｔ_１）／ｔ_０｝・Ｘの式に従って調整弁の開度を変更してもよい。上記式中、ｔ_０は設定温度差であり、ｔ_１は現在温度差である。

設定温度差とは、予め設定された温度差のことである。たとえば、調整弁の開度を後述する設定開度としたときに、第２ノズル４０Ｂからの温度調整されたエッチング液の吐出によって解消し得る温度差が設定温度差ｔ_０として設定される。現在温度差とは、第１温度センサ７０の検出温度（ｔａ）から第２温度センサ８０の検出温度（ｔｂ）を差し引いた温度（ｔａ-ｔｂ）のことである。

また、上記式中、Ｘは設定開度である。設定開度とは、調整弁の予め設定された開度のことである。たとえば、開度の最大値である１００％が設定開度として設定される。

たとえば、設定温度差が２℃であり、現在温度差が０℃である場合、上記式に基づくと、調整弁の開度は０％となる。すなわち、第１位置におけるエッチング液の温度と第２位置におけるエッチング温度との間に差がない場合、第２ノズル４０Ｂから温度調整されたエッチング液は供給されない。

一方、設定温度差が２℃であり、現在温度差が０．５℃である場合、上記式に基づくと、調整弁の開度は２５％となる。さらに、現在温度差が１℃である場合、調整弁の開度は５０％となる。

このように、制御部５は、第１位置および第２位置間におけるエッチング液の温度差が大きいほど調整弁の開度が大きくなるように調整弁を制御してもよい。これにより、第１位置および第２位置間におけるエッチング液の温度差を好適に低減することができる。

次に、温度調整部５２の制御処理について図１２を参照して説明する。図１２は、第２実施形態に係る温度制御処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１２に示す処理は、たとえば、内槽１１内に複数の基板Ｗが搬入されてから搬出されるまでの間、継続される。

図１２に示すように、制御部５は、第１温度センサ７０の検出温度（第１温度）と第２温度センサ８０の検出温度（第２温度）との差が閾値以下であるか否かを判定する（ステップＳ３０１）。

この判定において、上記温度差が閾値以下であると判定した場合（ステップＳ３０１，Ｙｅｓ）、制御部５は、第１温度および第２温度の平均値に基づいて温度調整部５２を制御する（ステップＳ３０２）。具体的には、制御部５は、第１温度および第２温度の平均値が予め設定された温度に近づくように、温度調整部５２を制御する。

一方、上記温度差が閾値を超えている場合（ステップＳ３０１，Ｎｏ）、制御部５は、第１温度および第２温度のうち第１温度のみに基づいて温度調整部５２を制御する（ステップＳ３０３）。具体的には、制御部５は、第１温度が予め設定された温度に近づくように、温度調整部５２を制御する。

なお、ステップＳ３０２において、制御部５は、少なくとも第１温度および第２温度の両方に基づいて温度調整部５２を制御すればよく、参照する値は必ずしも第１温度および第２温度の平均値であることを要しない。たとえば、制御部５は、第１温度および第２温度の合計値に基づいて温度調整部５２を制御してもよい。

このように、制御部５は、第１温度と第２温度との差が閾値以下である場合には、第１温度および第２温度の両方に基づいて温度調整部を５２制御し、閾値を超えた場合には、第１温度のみに基づいて温度調整部５２を制御してもよい。第１温度は第２温度と比較して下がりにくく安定している。このため、第１温度と第２温度との差が閾値を超えた場合に、第１温度のみに基づいて温度調整部５２を制御することで、第１温度および第２温度の両方に基づいて制御した場合と比較して、温度調整部５２の出力が上がり過ぎないようにすることができる。したがって、基板Ｗの下部が他の部位と比べて過剰にエッチングされてしまうことを抑制することができる。すなわち、基板Ｗのエッチングの面内均一性の低下を抑制することができる。

（第３実施形態）
基板処理装置は、内槽１１の上部を閉蓋する蓋体を備えていてもよい。この点について図１３～図１５を参照して説明する。図１３は、第３実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図１４は、第３実施形態に係る蓋体を下方から見た図である。図１５は、第３実施形態に係る蓋体を図１４のＸ軸正方向からＸ軸負方向に見た図である。

図１３に示すように、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｃは、一対の蓋体９０，９０を備える。一対の蓋体９０，９０は、内槽１１の上部開口を閉蓋する。各蓋体９０は、開閉機構９５に接続される。開閉機構９５は、内槽１１を閉じる閉位置と、内槽１１を開く開位置との間で蓋体９０を移動可能である。

このように、一対の蓋体９０，９０を用いて内槽１１の上部開口を閉蓋することにより、内槽１１に貯留されたエッチング液の液面付近における温度低下を抑制することができる。

図１４および図１５に示すように、蓋体９０は、下面に複数の溝９１を有する。複数の溝９１は、たとえば、複数の基板Ｗの配列方向と直交する水平方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する。

閉位置において、蓋体９０の下部は、内槽１１に貯留されたエッチング液に接触している。そこで、エッチング液との接液面である蓋体９０の下面に複数の溝９１を形成することで、内槽１１内に形成されるエッチング液の液流れを内槽１１の外へすなわち外槽１２へ排出し易くすることができる。これにより下降流が減少することで、下降流による内槽１１内のエッチング液の温度均一性の低下を抑制することができる。

（その他の実施形態）
第１実施形態に係る基板処理装置１および第２実施形態に係る基板処理装置１Ｂにおいて、第２供給路６０には、温度調整部が設けられてもよい。

第１実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｂが実行する流量制御処理（図１１参照）および温度制御処理（図１２参照）を行ってもよい。

基板処理装置は、第１実施形態に係る第２ノズル４０および第２実施形態に係る第２ノズル４０Ｂの両方を備えていてもよい。

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１，１Ａ～１Ｃ）は、処理槽（一例として、処理槽１０の内槽１１）と、第１ノズル（一例として、第１ノズル３０）と、第２ノズル（一例として、第２ノズル４０，４０Ｂ）と、流量制御部（一例として、制御部５）とを備える。処理槽は、複数の基板（一例として、基板Ｗ）を処理液（一例として、エッチング液）に浸漬させて処理を行う。第１ノズルは、処理槽の内部において複数の基板よりも下方に配置され、温度調整された処理液を処理槽に供給する。第２ノズルは、処理槽の内部において第１ノズルよりも上方に配置され、温度調整された処理液を処理槽に供給する。流量制御部は、複数の基板よりも下方の第１位置における処理液の温度と、複数の基板を上下に２分割する仮想的な中心ライン（一例として、中心ラインＬ１）よりも上方の第２位置における処理液の温度との差が閾値を超えた場合に、第２ノズルから供給される温度調整された処理液の流量を増加させる。

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、処理槽内の処理液の温度均一性を向上させることができる。

第２ノズル（一例として、第２ノズル４０）は、第１ノズルよりも上方且つ中心ラインよりも下方に配置され、温度調整された処理液を第２位置に向けて吐出してもよい。

第１ノズルと比較して第２ノズルは第２位置の近くに配置される。このため、第２位置に向けて第２ノズルから温度調整された処理液を供給することで、第２位置における処理液の温度を早期に上昇させることができる。すなわち、処理槽内の上下方向における処理液の温度差を早期に低減させることができる。

第２ノズルは、複数の基板の配列方向に沿って並べられた複数の第１吐出口（一例として、第１吐出口４１１）と、配列方向に直交する水平方向に沿って並べられた複数の第２吐出口（一例として、第２吐出口４２１）とを備えていてもよい。この場合、複数の第１吐出口は、配列方向に沿って処理槽を透視した場合に、基板の周縁部と接する仮想的な鉛直線（一例として、鉛直線Ｌ２）よりも基板の外方に配置され、温度調整された処理液を鉛直上方に吐出してもよい。また、複数の第２吐出口は、水平方向に沿って処理槽を透視した場合に、複数の基板のうち先頭または最後尾に位置する基板よりも配列方向外方に配置され、温度調整された処理液を鉛直上方に吐出してもよい。

このように、第２ノズルから吐出される温度調整されたエッチング液が基板に直接供給されないようにすることで、基板の温度が局所的に上昇することを抑制することができる。

流量制御部は、処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させる前に、第２ノズルから供給される温度調整された処理液の流量を増加させ、上記温度差が閾値以下となった場合に、第２ノズルから供給される温度調整された処理液の流量を低下させてもよい。

処理液の温度低下が生じる前に、第２ノズルから温度調整された処理液を供給しておくことで、第２位置における処理液の温度低下を抑制することができる。

第２ノズル（一例として、第２ノズル４０Ｂ）は、中心ラインよりも上方且つ処理槽に貯留された処理液の液面よりも下方に配置され、液面に向けて温度調整された処理液を吐出してもよい。

これにより、相対的に温度が低くなりやすい液面付近のエッチング液の温度低下を抑制することができる。したがって、処理槽内の処理液の温度均一性を向上させることができる。

第２ノズルは、複数の基板の配列方向に沿って並べられた複数の第１吐出口（一例として、第１吐出口４１１Ｂ）と、配列方向に直交する水平方向に沿って並べられた複数の第２吐出口（一例として、第２吐出口４２１Ｂ）とを備えていてもよい。この場合、複数の第２吐出口は、水平方向に沿って処理槽を透視した場合に、複数の基板のうち先頭または最後尾に位置する基板よりも配列方向外方に配置され、温度調整された処理液を鉛直上方に吐出してもよい。また、複数の第１吐出口から吐出される温度調整された処理液の吐出方向は、配列方向に沿って処理槽を透視した場合に、鉛直上方よりも基板側に傾いており、且つ、第１吐出口を通る基板の接線よりも起立していてもよい。

このように、第２ノズルから吐出される温度調整されたエッチング液が基板に直接供給されないようにすることで、基板の温度が局所的に上昇することを抑制することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、第１供給路（一例として、第１供給路５０）と、温度調整部（一例として、温度調整部５２）と、第１温度センサ（一例として、第１温度センサ７０）と、第２温度センサ（一例として、第２温度センサ８０）と、第２供給路（一例として、第２供給路６０）と、調整弁（一例として、流量調整器６１）とを備えていてもよい。第１供給路は、第１ノズルに接続され、温度調整された処理液を第１ノズルに供給する。温度調整部は、第１供給路に設けられ、第１供給路を流れる処理液の温度を調整する。第１温度センサは、第１供給路において温度調整部よりも下流に設けられ、第１供給路を流れる処理液の温度を第１位置における処理液の温度として検出する。第２温度センサは、第２位置における処理液の温度を検出する。第２供給路は、第２ノズルに接続され、温度調整された処理液を第２ノズルに供給する。調整弁は、第２供給路に設けられ、第２供給路の開度を調整する。この場合、流量制御部は、第１温度センサによって検出される第１温度と第２温度センサによって検出される第２温度との差が大きいほど調整弁の開度が大きくなるように調整弁を制御してもよい。これにより、第１位置および第２位置間における処理液の温度差を好適に低減することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、第１供給路に設けられ、第１供給路の内部の処理液を下流へ送り出す送液機構を備えていてもよい。また、第２供給路は、温度調整部よりも下流の第１供給路から分岐していてもよい。この場合、流量制御部は、調整弁の開度を大きくした場合に、送液機構を制御して送液機構の駆動圧を高くしてもよい。

実施形態に係る基板処理装置は、温度調整部を制御する温度制御部を備えていてもよい。また、第２供給路は、温度調整部よりも下流の第１供給路から分岐していてもよい。この場合、温度制御部は、上記温度差が閾値以下である場合には、第１温度および第２温度の両方に基づいて温度調整部を制御し、上記温度差が閾値を超えた場合には、第１温度および第２温度のうち第１温度のみに基づいて温度調整部を制御してもよい。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ 基板
１ 基板処理装置
１０ 処理槽
１１ 内槽
１２ 外槽
２０ 昇降機構
３０ 第１ノズル
４０ 第２ノズル
５０ 第１供給路
５１ 送液機構
５２ 温度調整部
５３ フィルタ
６０ 第２供給路
６１ 流量調整器
６２ フィルタ
７０ 第１温度センサ
８０ 第２温度センサ

Claims (10)

1. 複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
   前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、温度調整された前記処理液を前記処理槽に供給する第１ノズルと、
   前記処理槽の内部において前記第１ノズルよりも上方に配置され、温度調整された前記処理液を前記処理槽に供給する第２ノズルと、
   前記複数の基板よりも下方の第１位置における前記処理液の温度と、前記複数の基板を上下に２分割する仮想的な中心ラインよりも上方の第２位置における前記処理液の温度との差が閾値を超えた場合に、前記第２ノズルから供給される温度調整された前記処理液の流量を増加させる流量制御部と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記第２ノズルは、前記第１ノズルよりも上方且つ前記中心ラインよりも下方に配置され、温度調整された前記処理液を前記第２位置に向けて吐出する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第２ノズルは、
   前記複数の基板の配列方向に沿って並べられた複数の第１吐出口と、
   前記配列方向に直交する水平方向に沿って並べられた複数の第２吐出口と
   を備え、
   前記複数の第１吐出口は、前記配列方向に沿って前記処理槽を透視した場合に、前記基板の周縁部と接する仮想的な鉛直線よりも前記基板の外方に配置され、温度調整された前記処理液を鉛直上方に吐出し、
   前記複数の第２吐出口は、前記水平方向に沿って前記処理槽を透視した場合に、前記複数の基板のうち先頭または最後尾に位置する前記基板よりも前記配列方向外方に配置され、温度調整された前記処理液を鉛直上方に吐出する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記流量制御部は、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記複数の基板を浸漬させる前に、前記第２ノズルから供給される温度調整された前記処理液の流量を増加させ、前記差が前記閾値以下となった場合に、前記第２ノズルから供給される温度調整された前記処理液の流量を低下させる、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記第２ノズルは、前記中心ラインよりも上方且つ前記処理槽に貯留された前記処理液の液面よりも下方に配置され、前記液面に向けて温度調整された前記処理液を吐出する、請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記第２ノズルは、
   前記複数の基板の配列方向に沿って並べられた複数の第１吐出口と、
   前記配列方向に直交する水平方向に沿って並べられた複数の第２吐出口と
   を備え、
   前記複数の第２吐出口は、前記水平方向に沿って前記処理槽を透視した場合に、前記複数の基板のうち先頭または最後尾に位置する前記基板よりも前記配列方向外方に配置され、温度調整された前記処理液を鉛直上方に吐出し、
   前記複数の第１吐出口から吐出される温度調整された前記処理液の吐出方向は、前記配列方向に沿って前記処理槽を透視した場合に、鉛直上方よりも前記基板側に傾いており、且つ、前記第１吐出口を通る前記基板の接線よりも起立している、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第１ノズルに接続され、温度調整された前記処理液を前記第１ノズルに供給する第１供給路と、
   前記第１供給路に設けられ、前記第１供給路を流れる前記処理液の温度を調整する温度調整部と、
   前記第１供給路において前記温度調整部よりも下流に設けられ、前記第１供給路を流れる前記処理液の温度を前記第１位置における前記処理液の温度として検出する第１温度センサと、
   前記第２位置における前記処理液の温度を検出する第２温度センサと、
   前記第２ノズルに接続され、温度調整された前記処理液を前記第２ノズルに供給する第２供給路と、
   前記第２供給路に設けられ、前記第２供給路の開度を調整する調整弁と、
   を備え、
   前記流量制御部は、前記第１温度センサによって検出される第１温度と前記第２温度センサによって検出される第２温度との差が大きいほど前記調整弁の開度が大きくなるように前記調整弁を制御する、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 前記第１供給路に設けられ、前記第１供給路の内部の前記処理液を下流へ送り出す送液機構
   を備え、
   前記第２供給路は、前記温度調整部よりも下流の前記第１供給路から分岐しており、
   前記流量制御部は、前記調整弁の開度を大きくした場合に、前記送液機構を制御して前記送液機構の駆動圧を高くする、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記温度調整部を制御する温度制御部
   を備え、
   前記第２供給路は、前記温度調整部よりも下流の前記第１供給路から分岐しており、
   前記温度制御部は、前記差が前記閾値以下である場合には、前記第１温度および前記第２温度の両方に基づいて前記温度調整部を制御し、前記差が前記閾値を超えた場合には、前記第１温度および前記第２温度のうち前記第１温度のみに基づいて前記温度調整部を制御する、請求項７に記載の基板処理装置。
10. 処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させる工程と、
    前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置された第１ノズルから、温度調整された前記処理液を前記処理槽に供給する工程と、
    前記複数の基板よりも下方の第１位置における前記処理液の温度と、前記複数の基板を上下に２分割する仮想的な中心ラインよりも上方の第２位置における前記処理液の温度との差が閾値を超えた場合に、前記処理槽の内部において前記第１ノズルよりも上方に配置された第２ノズルから供給される温度調整された前記処理液の流量を増加させる工程と
    を含む、基板処理方法。

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