CN115461844A

CN115461844A - 基片处理装置和基片处理方法

Info

Publication number: CN115461844A
Application number: CN202180026454.4A
Authority: CN
Inventors: 百武宏展; 永松辰也
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2020-04-13
Filing date: 2021-03-30
Publication date: 2022-12-09
Also published as: WO2021210385A1; JP7357772B2; JPWO2021210385A1

Abstract

本发明的基片处理装置(1、1A～1C)包括处理槽(11)、第一喷嘴(30)、第二喷嘴(40、40B)和流量控制部(5)。处理槽(11)使多个基片(W)浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴(30)在处理槽(11)的内部配置于比多个基片(W)靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。第二喷嘴(40、40B)在处理槽(11)的内部配置于比第一喷嘴(30)靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。流量控制部(5)在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴(40、40B)供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片(W)靠下方，第二位置比将多个基片(W)上下分割的假想的中心线靠上方。

Description

基片处理装置和基片处理方法

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

以往，已知有通过使由多个基片形成的批次(lot)浸渍在贮存有处理液的处理槽中，来对多个基片一并进行处理的基片处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-174258号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括处理槽、第一喷嘴、第二喷嘴和流量控制部。处理槽使多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴在处理槽的内部配置于比多个基片靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。第二喷嘴在处理槽的内部配置于比第一喷嘴靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。流量控制部在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片靠下方，第二位置比将多个基片上下分割的假想的中心线靠上方。

发明效果

依照本发明，能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的框图。

图2是从上方观察第一实施方式的内槽的俯视图。

图3是从图2的Y轴负方向向Y轴正方向观察第一实施方式的内槽的剖视图。

图4是从图2的从X轴正方向向X轴负方向观察第一实施方式的内槽的剖视图。

图5是表示第一实施方式的基片处理装置执行的处理的流程的流程图。

图6是用于说明送液机构的控制处理的一例的图。

图7是表示第一变形例的基片处理装置的结构的图。

图8是表示第二实施方式的基片处理装置的结构的图。

图9是从上方观察第二实施方式的内槽的俯视图。

图10是从图9的Y轴负方向向Y轴正方向观察第二实施方式的内槽的剖视图。

图11是表示第二实施方式的流量控制处理的流程的流程图。

图12是表示第二实施方式的温度控制处理的流程的流程图。

图13是表示第三实施方式的基片处理装置的结构的图。

图14是从下方观察第三实施方式的盖体的图。

图15是从图14的X轴正方向向X轴负方向观察第三实施方式的盖体的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置和基片处理方法的方式(以下，记载为“实施方式”)进行详细说明。此外，本发明并不由该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的用语，但这些用语不需要严格地为“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各用语例如允许制造精度、设置精度等的偏差。

另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时给出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。另外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。

已知有通过使由多个基片形成的批次浸渍在贮存有处理液的处理槽中，来对多个基片一并进行处理的基片处理装置。

在基片处理装置中，释放进行了温度调节的处理液的喷嘴配置于处理槽内的下部，在基片处理中从喷嘴释放进行了温度调节的处理液，由此在处理槽内形成处理液的液流。

这样，在这种基片处理装置中，由于从处理槽的下部供给进行了温度调节的处理液，因此有可能在处理槽内的下部与上部之间产生处理液的温度差。具体而言，处理槽内的上部的处理液的温度变得比处理层内的下部的处理液的温度低。

当处理槽内的处理液存在温度差时，基片的蚀刻的面内均匀性降低。因此，人们期望能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性，特别是能够降低处理槽内的上下方向上的处理液的温度差的技术。

(第一实施方式)

<基片处理装置的结构>

参照图1，对第一实施方式的基片处理装置的结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的框图。

图1所示的基片处理装置1以批次为单位对半导体晶片等基片W进行处理。一个批次由多个(例如50片)基片W形成。形成一个批次的多个基片W在使板面彼此相对的状态下隔开一定的间隔地排列。

如图1所示，基片处理装置1包括处理槽10、升降机构20、多个(此处为3个)第一喷嘴30和多个(此处为2个)第二喷嘴40。此外，基片处理装置1包括第一供给路径50和第二供给路径60。

在处理槽10中，使用规定的蚀刻液进行蚀刻处理，该蚀刻处理有选择性地对形成于基片W上的硅氮化膜(SiN)和硅氧化膜(SiO₂)中的硅氮化膜进行蚀刻。在该蚀刻处理中，作为蚀刻液，使用在磷酸(H₃PO₄)水溶液中添加含硅(Si)化合物而调整了硅浓度的溶液。

作为调整蚀刻液中的硅浓度的方法，能够使用使仿真基片浸渍在磷酸水溶液中而使硅溶解的方法(seasoning，陈化处理)、使胶体二氧化硅等含硅化合物溶解于磷酸水溶液的方法。另外，也可以在磷酸水溶液中添加含硅化合物水溶液来调整硅浓度。

处理槽10包括内槽11和外槽12。内槽11是上方开放的箱形的槽，在内部贮存蚀刻液。以立起姿势排列的一批次量的基片W被浸渍在内槽11所贮存的蚀刻液中。

外槽12其上方开放，配置在内槽11的上部周围。从内槽11溢出的蚀刻液流入外槽12。

外槽12与磷酸水溶液供给部13、硅供给部14和DIW供给部15连接。

磷酸水溶液供给部13具有磷酸水溶液供给源131、磷酸水溶液供给管线132和流量调节器133。

磷酸水溶液供给源131供给磷酸浓度被浓缩成所希望的浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给管线132将磷酸水溶液供给源131与外槽12连接，从磷酸水溶液供给源131向外槽12供给磷酸水溶液。

流量调节器133设置于磷酸水溶液供给管线132，调节向外槽12供给的磷酸水溶液的供给量。流量调节器133由开闭阀或调节阀、流量计等构成。

硅供给部14具有硅供给源141、硅供给管线142和流量调节器143。

硅供给源141是贮存含硅化合物水溶液的罐。硅供给管线142将硅供给源141与外槽12连接，从硅供给源141向外槽12供给含硅化合物水溶液。

流量调节器143设置于硅供给管线142，调节向外槽12供给的含硅化合物水溶液的供给量。流量调节器143由开闭阀或调节阀、流量计等构成。通过利用流量调节器143调节含硅化合物水溶液的供给量，能够调整蚀刻液的硅浓度。

DIW供给部15具有DIW供给源151、DIW供给管线152和流量调节器153。DIW供给部15向外槽12供给DIW(DeIonized Water：去离子水)，以补充因对蚀刻液进行加热而蒸发的水分。

DIW供给管线152将DIW供给源151与外槽12连接，从DIW供给源151向外槽12供给规定温度的DIW。

流量调节器153设置于DIW供给管线152，调节向外槽12供给的DIW的供给量。流量调节器153由开闭阀或调节阀、流量计等构成。通过利用流量调节器153调节DIW的供给量，能够调节蚀刻液的温度、磷酸浓度和硅浓度。

升降机构20将形成批次的多个基片W以立起姿势前后排列地进行保持。另外，升降机构20使多个基片W在比贮存于内槽11的蚀刻液的液面靠上方的上方位置与内槽11内部的浸渍位置之间升降。另外，图1表示多个基片W配置于浸渍位置的状态。如图1所示，浸渍位置是指基片W的整体浸渍在蚀刻液中的位置。

多个第一喷嘴30在内槽11的内部配置于比多个基片W靠下方的位置，将进行了温度调节的蚀刻液供给到内槽11。各第一喷嘴30沿着多个基片W的排列方向(Y轴方向)延伸，从沿着多个基片W的排列方向设置的多个释放口释放进行了温度调节的蚀刻液。

第一供给路径50与多个第一喷嘴30连接，将进行了温度调节的蚀刻液供给到多个第一喷嘴30。具体而言，第一供给路径50是将外槽12与多个第一喷嘴30连接的循环路径，将从内槽11溢出而流入外槽12的蚀刻液供给到多个第一喷嘴30。

在第一供给路径50，从上游侧(靠近外槽12的一侧)起依次设置有送液机构51、温度调节部52和过滤器53。

送液机构51例如是真空泵等，将流入第一供给路径50的蚀刻液向下游送出。温度调节部52例如是套式加热器(sheath heater)等，对在第一供给路径50中流动的蚀刻液的温度进行调节。具体而言，温度调节部52对在第一供给路径50中流动的蚀刻液的温度进行加热。过滤器53从在第一供给路径50中流动的蚀刻液除去杂质。

多个第二喷嘴40在内槽11的内部配置于比多个第一喷嘴30靠上方的位置，将进行了温度调节的蚀刻液供给到内槽11。

上述的多个第一喷嘴30在多个基片W的处理中稳定地供给蚀刻液。与此相对，为了降低内槽11内的上下方向上的蚀刻液的温度差而辅助性地使用多个第二喷嘴40。

此处，“辅助性地”是指在多个基片W的处理中，使从多个第二喷嘴40供给的进行了温度调节的蚀刻液的流量暂时增加。“使流量增加”也包括从流量为0的状态即停止从多个第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液的状态开始从多个第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液的情况。

在第一实施方式中，多个第二喷嘴40配置在比第一喷嘴30靠上方且比将配置于浸渍位置的多个基片W上下分割的假想的中心线L1靠下方的位置。第二喷嘴40的具体结构在后文说明。

第二供给路径60与多个第二喷嘴40连接，将进行了温度调节的蚀刻液供给到多个第二喷嘴40。

第二供给路径60是从第一供给路径50分支的分支路径。具体而言，第二供给路径60从比过滤器53靠下游的第一供给路径50分支。此外，第二供给路径60从至少比温度调节部52靠下游的第一供给路径50分支即可。

在第二供给路径60，从上游侧(接近第一供给路径50的一侧)起依次设置有流量调节器61和过滤器62。

流量调节器61对在第二供给路径60中流动的进行了温度调节的蚀刻液的流量进行调节。流量调节器61由开闭阀或调节阀、流量计等构成。开闭阀是使第二供给路径60全开或者全闭的阀，调节阀是能够调节第二供给路径60的开度的阀。过滤器62从在第二供给路径60中流动的蚀刻液除去杂质。

基片处理装置1包括第一温度传感器70和第二温度传感器80。第一温度传感器70检测比配置于浸渍位置的多个基片W靠下方的第一位置处的蚀刻液的温度。此外，第二温度传感器80检测比中心线L1靠上方的第二位置处的蚀刻液的温度。

第一温度传感器70在第一供给路径50中设置于温度调节部52与过滤器53之间。该第一温度传感器70检测在第一供给路径50中流动的蚀刻液的温度作为第一位置处的蚀刻液的温度。第一温度传感器70和第二温度传感器80的检测结果被输出到后述的控制部5。此外，第一温度传感器70配置于第一供给路径50中至少比温度调节部52靠下游的位置即可。例如，第一温度传感器70也可以设置在第一供给路径50中比过滤器53靠下游的位置。

基片处理装置1包括控制部5。控制部5基于来自开关、各种传感器等的信号，控制基片处理装置1的各部的工作。具体而言，控制部5控制送液机构51、温度调节部52和流量调节器61、133、143、153等。

该控制部5例如是计算机，具有能够计算机可读取的存储介质。在存储介质中存储有对在基片处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。

控制部5通过读出并执行存储在存储介质中的程序来控制基片处理装置1的工作。例如，控制部5通过读出并执行上述程序，作为对从多个第一喷嘴30和多个第二喷嘴40供给的进行了温度调节的蚀刻液的流量进行控制的流量控制部发挥功能。另外，控制部5通过读出并执行上述程序，作为基于第一温度传感器70和第二温度传感器80中的至少一者的检测结果来控制温度调节部52的温度控制部发挥功能。

另外，程序也可以存储在计算机可读取的存储介质中，从其他存储介质安装到控制部5的存储介质。

作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

另外，基片处理装置1例如也可以包括向多个第一喷嘴30的下方供给氮气等气体的气体供给部。

<第二喷嘴的结构>

接着，参照图2～图4，对第二喷嘴40的具体结构进行说明。图2是从上方观察第一实施方式的内槽11的俯视图。图3是从图2的Y轴负方向向Y轴正方向观察第一实施方式的内槽11的剖视图。图4是从图2的从X轴正方向向X轴负方向观察第一实施方式的内槽11的剖视图。另外，为了容易理解，在图2和图4中减少基片W的个数进行表示。

如图2所示，第二喷嘴40包括沿着多个基片W的排列方向(Y轴方向)延伸的第一释放部41和沿着与多个基片W的排列方向正交的水平方向(X轴方向)延伸的第二释放部42。在第一释放部41，沿着Y轴方向设置有多个第一释放口411。此外，在第二释放部42，沿着X轴方向设置有多个第二释放口421。

第一释放部41和第二释放部42的端部彼此一体地连接。即，第二喷嘴40在俯视时具有L字形状。2个第二喷嘴40中的一者，以靠近内槽11的侧壁中的面向Y轴方向的一侧壁111和面向X轴方向的一侧壁112的方式配置。另外，另一第二喷嘴40以靠近内槽11的侧壁中的面向Y轴方向的另一侧壁113和面向X轴方向的另一侧壁114的方式配置。像这样，2个第二喷嘴40以俯视时包围多个基片W的四周的方式配置。

如图3所示，第一释放部41配置在多个基片W的侧方。具体而言，第一释放部41配置在比与基片W的周缘部相切的假想的铅垂线L2靠基片W的外侧的位置。第一释放部41从多个第一释放口411向铅垂上方释放进行了温度调节的蚀刻液。

像这样，通过使从第一释放部41释放的进行了温度调节的蚀刻液不被直接供给到基片W，能够抑制基片W的温度局部地上升。

在第一释放部41的铅垂上方配置有第二温度传感器80。具体而言，例如，第二温度传感器80配置在比基片W的中心线L1靠上方且比铅垂线L2靠外侧的位置。第二温度传感器80检测该位置处的蚀刻液的温度检测作为第二位置处的蚀刻液的温度。

如图4所示，第二释放部42配置在多个基片W1的前方和后方。具体而言，2个第二释放部42中的一者配置在比多个基片W中的位于排头的基片W1靠Y轴负方向侧的位置。此外，2个第二释放部42中的另一者配置在比多个基片W中的位于排尾的基片W2靠Y轴正方向侧的位置。像这样，第二释放部42配置在比多个基片W中的位于排头或者排尾的基片靠排列方向外侧的位置。第二释放部42从多个第二释放口421向铅垂上方释放进行了温度调节的蚀刻液。

像这样，通过使从第二释放部42释放的进行了温度调节的蚀刻液不被直接供给到基片W，能够抑制基片W的温度局部地上升。

在第二释放部42的铅垂上方配置有第二温度传感器80。即，第二温度传感器80配置在第一释放部41与第二释放部42的连接部分(L字的角部分)的上方。换言之，第二温度传感器80以俯视时靠近内槽11的四角中的一个角部的方式配置。

像这样，第一释放部41和第二释放部42朝向配置于第二位置的第二温度传感器80供给进行了温度调节的蚀刻液。

控制部5例如控制温度调节部52以使得由第二温度传感器80检测的温度接近预先设定的温度。

例如，在内槽11中蚀刻液里产生上下方向的温度差，使得第二温度传感器80的检测温度降低。在该情况下，控制部5提高温度调节部52的输出，提高从第一喷嘴30供给的蚀刻液的温度。其结果，对位于第一喷嘴30附近的基片W的下部供给较高温的蚀刻液，由此，基片W的下部与其他部位相比被过度地蚀刻。即，基片W的蚀刻的面内均匀性会降低。

与此相对，在实施方式的基片处理装置1中，在比第一喷嘴30高的位置配置第二喷嘴40，从该第二喷嘴40朝向上方供给进行了温度调节的蚀刻液。由此，与仅从第一喷嘴30供给进行了温度调节的蚀刻液的情况相比，能够使第二温度传感器80的检测温度较早地上升。

通过使第二温度传感器80的检测温度较早地上升，能够使温度调节部52的输出不会过度上升。因此，能够抑制基片W的下部被过度地蚀刻。即，能够抑制基片W的蚀刻的面内均匀性的降低。

像这样，在实施方式的基片处理装置1中，通过使用第二喷嘴40，能够较早地消除内槽11内的蚀刻液的上下方向上的温度差。因此，依照实施方式的基片处理装置1，能够提高内槽11内的蚀刻液的温度均匀性。另外，由此，通过抑制温度调节部52的输出的上升，能够抑制基片W的蚀刻的面内均匀性的降低。

另外，依照实施方式的基片处理装置1，通过从第二喷嘴40朝向第二温度传感器80释放进行了温度调节的蚀刻液，能够使第二温度传感器80的检测温度更早地上升。因此，能够适当地抑制温度调节部52的输出的上升。

<基片处理装置的具体工作>

接着，参照图5，对基片处理装置1的具体工作进行说明。图5是表示第一实施方式的基片处理装置1执行的处理的流程的流程图。另外，图5所示的各处理步骤按照控制部5的控制来执行。

在图5所示的一连串处理开始前，在内槽11中预先贮存有进行了温度调节的蚀刻液。另外，成为进行了温度调节的蚀刻液从多个第一喷嘴30被供给至内槽11的状态，换言之，成为进行了温度调节的蚀刻液在第一喷嘴30、内槽11、外槽12和第一供给路径50中循环的状态。进行了温度调节的蚀刻液从第一喷嘴30的供给至少持续到图5所示的一连串处理结束为止。

如图5所示，在基片处理装置1中，首先，开始从第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液(步骤S101)。具体而言，控制部5控制流量调节器61来打开流量调节器61的开闭阀。由此，在第一供给路径50中流动的进行了温度调节的蚀刻液经由第二供给路径60被供给向第二喷嘴40。然后，从设置于第二喷嘴40的多个第一释放口411和多个第二释放口421向内槽11内释放进行了温度调节的蚀刻液。

接着，将形成一个批次的多个基片W送入内槽11的内部(步骤S102)。具体而言，控制部5通过控制升降机构20，使被保持在升降机构20的多个基片W向内槽11内下降。由此，多个基片W成为配置于内槽11内的浸渍位置的状态。

内槽11内的蚀刻液的温度被温度调节部52加热了，与此相对，多个基片W的温度为室温程度。因此，在步骤S102中，当将多个基片W送入内槽11时，内槽11内的蚀刻液的温度降低。

因此，在实施方式的基片处理装置1中，在使多个基片W浸渍在内槽11所贮存的蚀刻液中之前(步骤S102)，开始利用第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液(步骤S101)。

像这样，在蚀刻液的温度降低发生之前，通过预先从第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液，能够抑制第二温度传感器80的检测温度的降低。另外，能够缩短至检测温度恢复成正常的值为止的时间。由此，能够防止温度调节部52的输出过度上升，能够抑制基片W的下部与其他部位相比被过度地蚀刻。即，能够抑制基片W的蚀刻的面内均匀性的降低。

接着，控制部5判断由第一温度传感器70检测的第一位置处的蚀刻液的温度与由第二温度传感器80检测的第二位置处的蚀刻液的温度之差是否为阈值以下(步骤S103)。控制部5反复进行步骤S103的判断处理直到上述温度差成为阈值以下为止(步骤S103，否)。在此期间，持续利用第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液。

另一方面，在步骤S103中，在判断为上述温度差成为了阈值以下的情况下(步骤S103，是)，控制部5停止利用第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液(步骤S104)。

接着，控制部5判断上述温度差是否超过了阈值(步骤S105)。在该处理中，在判断为上述温度差超过了阈值的情况下(步骤S105：是)，控制部5再次开始利用第二喷嘴40供给进行了温度调节的蚀刻液(步骤S106)，使处理转移到步骤S103。

另一方面，在步骤S105中，在上述温度差未超过阈值的情况下(步骤S105：否)，控制部5判断多个基片W的蚀刻处理是否结束(步骤S107)。例如，控制部5也可以在从步骤S102中向内槽11送入多个基片W起经过了预先决定的时间的情况下，结束多个基片W的蚀刻处理。

在步骤S107中，在多个基片W的蚀刻处理未结束的情况下(步骤S107，否)，控制部5使处理返回到步骤S105。另一方面，在判断为多个基片W的蚀刻处理已结束的情况下(步骤S107，是)，控制部5控制升降机构20使多个基片W上升，由此从内槽11送出多个基片W(步骤S108)，结束一连串基片处理。

在图5的例子中，在步骤S101、S106中，使来自第二喷嘴40的进行了温度调节的蚀刻液的释放流量从0开始增加。但是不限于此，控制部5也可以在步骤S101、S106中使来自第二喷嘴40的进行了温度调节的蚀刻液的释放流量从第一流量(＞0)增加至第二流量(＞第一流量)。另外，在该情况下，控制部5也可以在步骤S104中使来自第二喷嘴40的进行了温度调节的蚀刻液的释放流量从第二流量减少至第一流量。

像这样，在实施方式的基片处理装置1中，在第一位置处的蚀刻液的温度与第二位置处的蚀刻液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴40供给的进行了温度调节的蚀刻液的流量增加。由此，能够提高内槽11内的蚀刻液的温度均匀性。

图6是用于说明送液机构51的控制处理的一例的图。在实施方式的基片处理装置1中，第二供给路径60从第一供给路径50分支连接到第二喷嘴40。因此，当送液机构51的驱动压一定时，打开流量调节器61的开闭阀而开始从第二喷嘴40释放，由此第一喷嘴30的释放流量降低。

因此，如图6所示，控制部5也可以在打开流量调节器61的开闭阀而开始从第二喷嘴40释放的情况下，增加送液机构51的驱动压。由此，能够抑制第一喷嘴30的释放流量降低。

另外，通过增加送液机构51的驱动压，向内槽11内供给的进行了温度调节的蚀刻液的总释放流量增加。由此，能够使温度调节部52的输出一定，并且能够较早地减小内槽11内的上下方向上的蚀刻液的温度差。

<第一变形例>

接着，参照图7，对第一实施方式的基片处理装置1的变形例进行说明。图7是表示第一变形例的基片处理装置的结构的图。另外，在图7中，省略了与外槽12连接的各种处理液的供给部、控制部5等的结构。

在上述的第一实施方式中，对第二供给路径60从第一供给路径50分支而连接到第二喷嘴40的情况的例子进行了说明，但如图7所示，第二供给路径60A也可以是与第一供给路径50独立的路径。

如图7所示，基片处理装置1A所包括的第二供给路径60A的一端与外槽12连接，另一端与多个第二喷嘴40连接。在该第二供给路径60A，从上游(外槽12侧)起依次设置有送液机构63、流量调节器61、温度调节部64和过滤器62。送液机构63例如是真空泵等，将第二供给路径60A内的蚀刻液向下游送出。温度调节部64例如是套式加热器等，对在第二供给路径60A中流动的蚀刻液的温度进行调节。

像这样，也可以为，第一供给路径50与第二供给路径60A独立。在该情况下，例如，也可以为，控制部5通过控制温度调节部52、64，使从第二喷嘴40释放的蚀刻液的温度比从第一喷嘴30释放的蚀刻液的温度高。由此，能够更早地减小内槽11内的上下方向上的蚀刻液的温度差。

另外，也可以为，控制部5基于第一温度传感器70的检测温度来控制温度调节部52，基于第二温度传感器80的检测温度来控制温度调节部64。例如，控制部5基于第一温度传感器70的检测温度来控制温度调节部52，以使得第一位置处的蚀刻液的温度接近预先设定的温度。同样地，控制部5基于第二温度传感器80的检测温度来控制温度调节部52，以使得第二位置处的蚀刻液的温度接近预先设定的温度。由此，能够减小内槽11内的上下方向上的蚀刻液的温度差。

(第二实施方式)

然而，由于内槽11的上方开放，因此贮存于内槽11的蚀刻液的温度有在暴露于外部气氛的液面附近相对变低的倾向。

如上述那样，在内槽11内形成有朝向上方的液流。因该液流而上升至内槽11的液面附近的蚀刻液的一部分向外槽12溢出，但剩余部分成为下降流并再次向内槽11内的下部流动。

下降流由在液面附近被冷却的蚀刻液形成。因此，在下降流通过的区域中发生蚀刻液的温度降低，存在位于该区域的基片W的蚀刻量降低的可能性。因此，人们期望能够降低内槽11的上下方向上的蚀刻液的温度差，具体而言，能够抑制液面附近的蚀刻液的温度降低的技术。

图8是表示第二实施方式的基片处理装置的结构的图。如图8所示，在第二实施方式的基片处理装置1B中，多个第二喷嘴40B配置在比配置于浸渍位置的多个基片W的中心线L1靠上方且比贮存于内槽11的蚀刻液的液面靠下方的位置。而且，多个第二喷嘴40B朝向贮存于内槽11的蚀刻液的液面释放进行了温度调节的蚀刻液。

图9是从上方观察第二实施方式的内槽11的俯视图。另外，图10是从图9的Y轴负方向向Y轴正方向观察第二实施方式的内槽11的剖视图。

如图9所示，第二喷嘴40B包括：沿着多个基片W的排列方向(Y轴方向)延伸的第一释放部41B；和沿着与多个基片W的排列方向正交的水平方向(X轴方向)延伸的第二释放部42B。在第一释放部41B，沿着Y轴方向设置有多个第一释放口411B。此外，在第二释放部42B，沿着X轴方向设置有多个第二释放口421B。第二释放部42B的结构与第一实施方式的第二释放部42相同，因此此处省略说明。

如图10所示，第一释放部41B配置于多个基片W的侧方，朝向位于多个基片W的上方的蚀刻液的液面，倾斜地释放进行了温度调节的蚀刻液。

第一释放部41B以进行了温度调节的蚀刻液不被直接供给到多个基片W的角度释放进行了温度调节的蚀刻液。具体而言，从多个第一释放口411B释放的进行了温度调节的蚀刻液的释放方向与从第一释放口411B向铅垂上方延伸的铅垂线L3相比向基片W侧倾斜。此外，从多个第一释放口411B释放的进行了温度调节的蚀刻液的释放方向，与通过第一释放口411B的基片W的切线L4相比更偏竖直方向。

像这样，通过使从第一释放部41B释放的进行了温度调节的蚀刻液不被直接供给到基片W，能够抑制基片W的温度局部地上升。

接着，对第二实施方式的基片处理装置1B的具体工作进行说明。首先，参照图11，对来自第二喷嘴40B的进行了温度调节的蚀刻液的流量控制处理进行说明。图11是表示第二实施方式的流量控制处理的流程的流程图。另外，图11所示的处理例如在从向内槽11内送入多个基片W起至送出为止的期间持续进行。

如图11所示，控制部5判断由第一温度传感器70检测的第一位置处的蚀刻液的温度与由第二温度传感器80检测的第二位置处的蚀刻液的温度之差是否发生了变化(步骤S201)。控制部5在上述温度差没有发生变化的情况下(步骤S201，否)，使处理返回到步骤S201，反复进行步骤S201的判断处理。

在步骤S201中，在判断为上述温度差发生了变化的情况下(步骤S201，是)，控制部5根据上述温度差改变第二喷嘴40B的释放流量，以使得上述温度差变小(步骤S202)。

第二喷嘴40B的释放流量的改变通过控制设置于第二供给路径60的流量调节器61，改变设置于流量调节器61的调节阀的开度来进行。

例如，控制部5也可以按照{1－(t₀－t₁)/t₀}·X的式子来改变调节阀的开度。上述式中，t₀为设定温度差，t₁为当前温度差。

设定温度差是指预先设定的温度差。例如，在将调节阀的开度设为后述的设定开度时，将通过从第二喷嘴40B释放进行了温度调节的蚀刻液而能够消除的温度差设定为设定温度差t₀。当前温度差是指从第一温度传感器70的检测温度(ta)减去第二温度传感器80的检测温度(tb)而得到的温度(ta－tb)。

另外，上述式中，X为设定开度。设定开度是指调节阀的预先设定的开度。例如，将开度的最大值即100％设定为设定开度。

例如，在设定温度差为2℃、当前温度差为0℃的情况下，基于上述式，调节阀的开度为0％。即，在第一位置处的蚀刻液的温度与第二位置处的蚀刻温度之间没有差的情况下，不从第二喷嘴40B供给进行了温度调节的蚀刻液。

另一方面，在设定温度差为2℃、当前温度差为0.5℃的情况下，基于上述式，调节阀的开度为25％。进一步，在当前温度差为1℃的情况下，调节阀的开度为50％。

像这样，也可以为，控制部5以第一位置与第二位置间的蚀刻液的温度差越大则调节阀的开度越大的方式控制调节阀。由此，能够适当地降低第一位置与第二位置之间的蚀刻液的温度差。

接着，参照图12，对温度调节部52的控制处理进行说明。图12是表示第二实施方式的温度控制处理的流程的流程图。另外，图12所示的处理例如在从向内槽11内送入多个基片W起至送出为止的期间持续进行。

如图12所示，控制部5判断第一温度传感器70的检测温度(第一温度)与第二温度传感器80的检测温度(第二温度)之差是否为阈值以下(步骤S301)。

在该判断中，在判断为上述温度差为阈值以下的情况下(步骤S301，是)，控制部5基于第一温度和第二温度的平均值来控制温度调节部52(步骤S302)。具体而言，控制部5控制温度调节部52，以使得第一温度和第二温度的平均值接近预先设定的温度。

另一方面，在上述温度差超过阈值的情况下(步骤S301，否)，控制部5仅基于第一温度和第二温度中的第一温度来控制温度调节部52(步骤S303)。具体而言，控制部5控制温度调节部52，以使得第一温度接近预先设定的温度。

另外，在步骤S302中，控制部5基于至少第一温度和第二温度这两者来控制温度调节部52即可，参照的值不一定是第一温度和第二温度的平均值。例如，也可以为，控制部5基于第一温度和第二温度的合计值来控制温度调节部52。

像这样，也可以为，控制部5在第一温度与第二温度之差为阈值以下的情况下，基于第一温度和第二温度这两者来控制温度调节部52，在超过了阈值的情况下，仅基于第一温度来控制温度调节部52。第一温度与第二温度相比难以下降，是稳定的。因此，在第一温度与第二温度之差超过了阈值的情况下，通过仅基于第一温度来控制温度调节部52，与基于第一温度和第二温度这两者来进行控制的情况相比，能够使温度调节部52的输出不会过度上升。因此，能够抑制基片W的下部与其他部位相比被过度地蚀刻。即，能够抑制基片W的蚀刻的面内均匀性的降低。

(第三实施方式)

基片处理装置也可以包括将内槽11的上部关闭的盖体。关于这一点，参照图13～图15进行说明。图13是表示第三实施方式的基片处理装置的结构的图。图14是从下方观察第三实施方式的盖体的图。图15是从图14的从X轴正方向向X轴负方向观察第三实施方式的盖体的图。

如图13所示，第三实施方式的基片处理装置1C包括一对盖体90、90。一对盖体90、90关闭内槽11的上部开口。各盖体90与开闭机构95连接。开闭机构95能够使盖体90在关闭内槽11的关闭位置与打开内槽11的打开位置之间移动。

像这样，通过使用一对盖体90、90将内槽11的上部开口关闭，能够抑制贮存于内槽11的蚀刻液的液面附近的温度降低。

如图14和图15所示，盖体90在下表面具有多个槽91。多个槽91例如沿着与多个基片W的排列方向正交的水平方向(X轴方向)延伸。

在关闭位置，盖体90的下部与贮存于内槽11的蚀刻液接触。因此，通过在与蚀刻液接触的接液面即盖体90的下表面形成多个槽91，能够将容易形成于内槽11内的蚀刻液的液流向内槽11之外即外槽12排出。由此，下降流减少，从而能够抑制因下降流而引起的内槽11内的蚀刻液的温度均匀性的降低。

(其他实施方式)

在第一实施方式的基片处理装置1和第二实施方式的基片处理装置1B中，也可以在第二供给路径60设置温度调节部。

第一实施方式的基片处理装置1也可以进行第二实施方式的基片处理装置1B所执行的流量控制处理(参照图11)和温度控制处理(参照图12)。

基片处理装置也可以包括第一实施方式的第二喷嘴40和第二实施方式的第二喷嘴40B这两者。

如上所述，实施方式的基片处理装置(作为一个例子，基片处理装置1、1A～1C)包括处理槽(作为一个例子，处理槽10的内槽11)、第一喷嘴(作为一个例子，第一喷嘴30)、第二喷嘴(作为一个例子，第二喷嘴40、40B)和流量控制部(作为一个例子，控制部5)。处理槽使多个基片(作为一个例子，基片W)浸渍在处理液(作为一个例子，蚀刻液)中而对其进行处理。第一喷嘴在处理槽的内部配置于比多个基片靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。第二喷嘴在处理槽的内部配置于比第一喷嘴靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。流量控制部在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片靠下方，第二位置比将多个基片上下分割的假想的中心线(作为一个例子，中心线L1)靠上方。

因此，依照实施方式的基片处理装置，能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性。

也可以为，第二喷嘴(作为一例，第二喷嘴40)配置于比第一喷嘴靠上方且比中心线靠下方的位置，朝向第二位置释放进行了温度调节的处理液。

与第一喷嘴相比，第二喷嘴配置在第二位置的附近。因此，通过从第二喷嘴朝向第二位置供给进行了温度调节的处理液，能够使第二位置处的处理液的温度较早地上升。即，能够较早地减少处理槽内的上下方向上的处理液的温度差。

也可以为，第二喷嘴包括：沿着多个基片的排列方向排列的多个第一释放口(作为一个例子，第一释放口411)；和沿着与排列方向正交的水平方向排列的多个第二释放口(作为一个例子，第二释放口421)。在该情况下，也可以为，在沿着排列方向透视处理槽的情况下，多个第一释放口配置于比与基片的周缘部相切的假想的铅垂线(作为一例，铅垂线L2)靠基片的外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的处理液。此外，也可以为，在沿着水平方向透视处理槽的情况下，多个第二释放口配置于比多个基片中的位于排头或者排尾的基片靠排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的处理液。

像这样，通过使从第二喷嘴释放的进行了温度调节的蚀刻液不被直接供给到基片，能够抑制基片的温度局部地上升。

也可以为，流量控制部在使多个基片浸渍在处理槽所贮存的处理液中之前，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，上述温度差成为阈值以下的情况下，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的处理液的流量降低。

在发生处理液的温度降低之前，预先从第二喷嘴供给进行了温度调节的处理液，由此能够抑制第二位置处的处理液的温度降低。

也可以为，第二喷嘴(作为一例，第二喷嘴40B)配置于比中心线靠上方且比贮存于处理槽的处理液的液面靠下方的位置，朝向液面释放进行了温度调节的处理液。

由此，能够抑制温度相对容易变低的液面附近的蚀刻液的温度降低。因此，能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性。

也可以为，第二喷嘴包括：沿着多个基片的排列方向排列的多个第一释放口(作为一个例子，第一释放口411B)；和沿着与排列方向正交的水平方向排列的多个第二释放口(作为一个例子，第二释放口421B)。在该情况下，也可以为，在沿着水平方向透视处理槽的情况下，多个第二释放口配置于比多个基片中的位于排头或排尾的基片靠排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的处理液。此外，也可以为，在沿着排列方向透视处理槽的情况下，从多个第一释放口释放的进行了温度调节的处理液的释放方向，与铅垂上方相比向基片侧倾斜，且与通过第一释放口的基片的切线相比更偏竖直方向。

实施方式的基片处理装置也可以包括第一供给路径(作为一例，第一供给路径50)、温度调节部(作为一例，温度调节部52)、第一温度传感器(作为一例，第一温度传感器70)、第二温度传感器(作为一例，第二温度传感器80)、第二供给路径(作为一例，第二供给路径60)和调节阀(作为一例，流量调节器61)。第一供给路径与第一喷嘴连接，将进行了温度调节的处理液供给到第一喷嘴。温度调节部设置于第一供给路径，调节在第一供给路径中流动的处理液的温度。第一温度传感器设置于第一供给路径中比温度调节部靠下游的位置，检测在第一供给路径中流动的处理液的温度作为第一位置处的处理液的温度。第二温度传感器检测第二位置处的处理液的温度。第二供给路径与第二喷嘴连接，将进行了温度调节的处理液供给到第二喷嘴。调节阀设置于第二供给路径，调节第二供给路径的开度。在该情况下，也可以为，流量控制部以由第一温度传感器检测的第一温度与由第二温度传感器检测的第二温度之差越大则调节阀的开度越大的方式控制调节阀。由此，能够适当地降低第一位置与第二位置间的处理液的温度差。

实施方式的基片处理装置也可以包括送液机构，该送液机构设置于第一供给路径，将第一供给路径的内部的处理液向下游送出。此外，也可以为，第二供给路径从比温度调节部靠下游的第一供给路径分支。在该情况下，也可以为，流量控制部在增大了调节阀的开度的情况下，控制送液机构来提高送液机构的驱动压。

实施方式的基片处理装置也可以包括控制温度调节部的温度控制部。此外，也可以为，第二供给路径从比温度调节部靠下游的第一供给路径分支。在该情况下，也可以为，温度控制部在上述温度差为阈值以下的情况下，基于第一温度和第二温度这两者来控制温度调节部，在上述温度差超过了阈值的情况下，仅基于第一温度和第二温度中的第一温度来控制温度调节部。

本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。另外，上述的实施方式在不脱离发明范围(权利要求书)及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、替换、改变。

附图标记说明

W 基片

1 基片处理装置

10 处理槽

11 内槽

12 外槽

20 升降机构

30 第一喷嘴

40 第二喷嘴

50 第一供给路径

51 送液机构

52 温度调节部

53 过滤器

60 第二供给路径

61 流量调节器

62 过滤器

70 第一温度传感器

80 第二温度传感器。

Claims

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

使多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理的处理槽；

第一喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于比所述多个基片靠下方的位置，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述处理槽；

第二喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于比所述第一喷嘴靠上方的位置，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述处理槽；和

流量控制部，其在第一位置处的所述处理液的温度与第二位置处的所述处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量增加，其中，所述第一位置比所述多个基片靠下方，所述第二位置比将所述多个基片上下分割的假想的中心线靠上方。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴配置于比所述第一喷嘴靠上方且比所述中心线靠下方的位置，朝向所述第二位置释放进行了温度调节的所述处理液。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴包括：

沿着所述多个基片的排列方向排列的多个第一释放口；和

沿着与所述排列方向正交的水平方向排列的多个第二释放口，

在沿着所述排列方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第一释放口配置于比与所述基片的周缘部相切的假想的铅垂线靠所述基片的外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液，

在沿着所述水平方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第二释放口配置于比位于所述多个基片中的排头或者排尾的所述基片靠所述排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述流量控制部在使所述多个基片浸渍在所述处理槽所贮存的所述处理液中之前，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量增加，在所述差为所述阈值以下的情况下，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量降低。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴配置于比所述中心线靠上方且比贮存于所述处理槽的所述处理液的液面靠下方的位置，朝向所述液面释放进行了温度调节的所述处理液。

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴包括：

沿着所述多个基片的排列方向排列的多个第一释放口；和

在沿着所述水平方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第二释放口配置于比位于所述多个基片中的排头或排尾的所述基片靠所述排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液，

在沿着所述排列方向透视所述处理槽的情况下，从所述多个第一释放口释放的进行了温度调节的所述处理液的释放方向与铅垂上方相比向所述基片侧倾斜，且与通过所述第一释放口的所述基片的切线相比更偏竖直方向。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

第一供给路径，其与所述第一喷嘴连接，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述第一喷嘴；

温度调节部，其设置于所述第一供给路径，调节在所述第一供给路径中流动的所述处理液的温度；

第一温度传感器，其设置于所述第一供给路径中比所述温度调节部靠下游的位置，检测在所述第一供给路径中流动的所述处理液的温度作为所述第一位置处的所述处理液的温度；

第二温度传感器，其检测所述第二位置处的所述处理液的温度；

第二供给路径，其与所述第二喷嘴连接，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述第二喷嘴；和

调节阀，其设置于所述第二供给路径，调节所述第二供给路径的开度，

所述流量控制部以由所述第一温度传感器检测的第一温度与由所述第二温度传感器检测的第二温度之差越大则所述调节阀的开度越大的方式控制所述调节阀。

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

包括送液机构，所述送液机构设置于所述第一供给路径，将所述第一供给路径的内部的所述处理液向下游送出，

所述第二供给路径从比所述温度调节部靠下游的所述第一供给路径分支，

所述流量控制部在增大了所述调节阀的开度的情况下，控制所述送液机构来提高所述送液机构的驱动压。

9.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

包括控制所述温度调节部的温度控制部，

所述温度控制部在所述差为所述阈值以下的情况下，基于所述第一温度和所述第二温度这两者来控制所述温度调节部，在所述差超过了所述阈值的情况下，仅基于所述第一温度和所述第二温度中的所述第一温度来控制所述温度调节部。

10.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

使多个基片浸渍在处理槽所贮存的处理液中的步骤；

从在所述处理槽的内部配置于比所述多个基片靠下方的位置的第一喷嘴，对所述处理槽供给进行了温度调节的所述处理液的步骤；和

在第一位置处的所述处理液的温度与第二位置处的所述处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量增加的步骤，其中，所述第一位置比所述多个基片靠下方，所述第二位置比将所述多个基片上下分割的假想的中心线靠上方，所述第二喷嘴在所述处理槽的内部配置于比所述第一喷嘴靠上方的位置。