CN114121717A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114121717A
CN114121717A CN202110961296.3A CN202110961296A CN114121717A CN 114121717 A CN114121717 A CN 114121717A CN 202110961296 A CN202110961296 A CN 202110961296A CN 114121717 A CN114121717 A CN 114121717A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
contact member
tank
liquid contact
inner tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110961296.3A
Other languages
English (en)
Inventor
本田拓巳
野中纯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114121717A publication Critical patent/CN114121717A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及基板处理装置。稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理。本公开的一技术方案的基板处理装置包括内槽、外槽、盖体以及液体接触构件。内槽在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液。外槽配置于内槽的外侧，该外槽接收从开口部流出的处理液。盖体对开口部进行开闭。液体接触构件具有疏水性，该液体接触构件配置于在含有泡的处理液从内槽向外槽流出时与处理液接触的位置。

Description

基板处理装置
技术领域
公开的实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
以往，公知有以下技术：在基板处理系统中，将基板浸渍于添加有添加剂的磷酸水溶液，从而对该基板进行蚀刻处理(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-67995号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供能够稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括内槽、外槽、盖体以及液体接触构件。内槽在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液。外槽配置于所述内槽的外侧，该外槽接收从所述开口部流出的所述处理液。盖体对所述开口部进行开闭。液体接触构件具有疏水性，该液体接触构件配置于在含有泡的所述处理液从所述内槽向所述外槽流出时与所述处理液接触的位置。
发明的效果
根据本公开，能够稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的概略俯视图。
图2是表示实施方式的蚀刻处理装置的结构的概略框图。
图3是表示实施方式的处理槽的结构的放大剖视图。
图4A是用于对由疏水性的液体接触构件进行的泡的消泡机制进行说明的图。
图4B是用于对由疏水性的液体接触构件进行的泡的消泡机制进行说明的图。
图4C是用于对由疏水性的液体接触构件进行的泡的消泡机制进行说明的图。
图4D是用于对由疏水性的液体接触构件进行的泡的消泡机制进行说明的图。
图5是表示实施方式的处理槽的液体接触构件的配置的一例的俯视图。
图6是表示实施方式的处理槽的液体接触构件的配置的另一例的俯视图。
图7是表示实施方式的变形例1的处理槽的结构的放大剖视图。
图8是表示实施方式的变形例1的处理槽的液体接触构件的配置的一例的俯视图。
图9是表示实施方式的变形例1的处理槽的液体接触构件的配置的另一例的俯视图。
图10是表示实施方式的变形例1的液体接触构件的其他形状的一例的立体图。
图11是表示实施方式的变形例1的液体接触构件的其他形状的一例的立体图。
图12是表示实施方式的变形例2的处理槽的结构的放大剖视图。
图13是表示实施方式的变形例2的处理槽的液体接触构件的配置的一例的俯视图。
图14是表示实施方式的变形例3的处理槽的结构的放大剖视图。
图15是表示实施方式的变形例3的处理槽的液体接触构件的配置的一例的俯视图。
图16是表示实施方式的变形例4的处理槽的结构的放大剖视图。
图17是表示实施方式的变形例4的处理槽的液体接触构件的配置的一例的俯视图。
图18是表示实施方式的变形例4的液体接触构件的形状的一例的立体图。
图19是表示实施方式的变形例4的液体接触构件的其他形状的一例的立体图。
图20是表示实施方式的变形例4的液体接触构件的其他形状的一例的立体图。
图21是表示实施方式的变形例5的基板升降机构的结构的立体图。
图22是表示实施方式的变形例5的基板处理部的结构的放大剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本申请公开的基板处理装置的实施方式详细地进行说明。另外，本公开不限于以下所示的实施方式。此外，附图也是示意性的，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比例等有时与现实不同。而且，在附图的相互之间，有时也包含相互的尺寸的关系、比例不同的部分。
以往，公知有以下技术：在基板处理系统中，将基板浸渍于添加有添加剂的磷酸水溶液，从而对该基板进行蚀刻处理。
例如，将基板浸渍于磷酸(H3PO4)水溶液，从而能够选择性地对层叠在基板上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中的氮化硅膜进行蚀刻。
此外，通过将含有硅的硅溶液添加于磷酸水溶液，从而能够提高氮化硅膜的蚀刻选择比。而且，通过将抑制硅的氧化物的析出的添加剂(以下，也称为“析出抑制剂”)添加于磷酸水溶液，从而能够抑制在蚀刻处理时在氧化硅膜上析出硅的氧化物。
然而，在上述的以往技术中，由于在上述的添加剂中用作溶剂的醇类在高温的蚀刻液内沸腾，因而有时会在蚀刻液内产生大量的泡。
而且，由于在蚀刻液含有作为表面活性剂发挥功能的醇类，因此，一次产生的泡难以消泡，因此，有时含有大量的泡的蚀刻液会从处理槽溢出。
由此，处理槽内的液量大幅度地减少，因此，有可能难以稳定地实施蚀刻处理。
因此，期待能够克服上述的问题并稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理的技术的实现。
＜基板处理系统的结构＞
首先，参照图1对实施方式的基板处理系统1的结构进行说明。图1是表示实施方式的基板处理系统1的结构的概略俯视图。基板处理系统1是基板处理装置的一例。
如图1所示，实施方式的基板处理系统1包括载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6以及控制部7。
载体送入送出部2包括载体台20、载体输送机构21、载体储存部22、23以及载体载置台24。
载体台20载置从外部输送来的多个载体9。载体9是将多个(例如，25张)晶圆W以水平姿势上下排列地容纳的容器。载体输送机构21在载体台20、载体储存部22、23以及载体载置台24之间进行载体9的输送。
利用后述的基板输送机构30将处理前的多个晶圆W从载置于载体载置台24的载体9向批次处理部6送出。此外，利用基板输送机构30将处理后的多个晶圆W从批次处理部6向载置于载体载置台24的载体9送入。
批次形成部3具有基板输送机构30，该批次形成部3用于形成批次。批次由多个(例如，50张)晶圆W构成，该多个晶圆通过将容纳于一个或多个载体9的晶圆W组合而成，同时进行处理。形成一个批次的多个晶圆W以使互相的板面相对的状态空开一定的间隔地排列。
基板输送机构30在载置于载体载置台24的载体9和批次载置部4之间输送多个晶圆W。
批次载置部4具有批次输送台40，该批次载置部4用于暂时地载置(待机)被批次输送部5在批次形成部3和批次处理部6之间输送的批次。批次输送台40具有用于载置利用批次形成部3形成的处理前的批次的送入侧载置台41和用于载置利用批次处理部6处理后的批次的送出侧载置台42。在送入侧载置台41和送出侧载置台42将一个批次量的多个晶圆W以立起姿势前后排列地载置。
批次输送部5具有批次输送机构50，该批次输送部5用于在批次载置部4和批次处理部6之间、批次处理部6的内部进行批次的输送。批次输送机构50具有导轨51、移动体52以及基板保持体53。
导轨51跨批次载置部4和批次处理部6地沿X轴方向配置。移动体52构成为能够一边保持多个晶圆W一边沿着导轨51移动。基板保持体53配置于移动体52，该基板保持体53对以立起姿势前后排列着的多个晶圆W进行保持。
批次处理部6对一个批次量的多个晶圆W成批地进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。在批次处理部6沿着导轨51排列地配置有两台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80、以及干燥处理装置90。
蚀刻处理装置60对一个批次量的多个晶圆W成批地进行蚀刻处理。清洗处理装置70对一个批次量的多个晶圆W成批地进行清洗处理。清洗处理装置80进行基板保持体53的清洗处理。干燥处理装置90对一个批次量的多个晶圆W成批地进行干燥处理。另外，蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80以及干燥处理装置90的台数不限于图1的例子。
蚀刻处理装置60包括蚀刻处理用的处理槽61、冲洗处理用的处理槽62以及基板升降机构63、64。
处理槽61能够容纳以立起姿势排列着的一个批次量的晶圆W，该处理槽61贮存有蚀刻处理用的药液(以下，也称为“蚀刻液”)。随后叙述处理槽61的详细内容。
在处理槽62贮存有冲洗处理用的处理液(去离子水等)。在基板升降机构63、64以立起姿势前后排列地保持有形成批次的多个晶圆W。
蚀刻处理装置60利用基板升降机构63保持被批次输送部5输送来的批次，并将其浸渍于处理槽61的蚀刻液而进行蚀刻处理。蚀刻处理例如进行1个小时～3个小时左右。
在处理槽61进行了蚀刻处理的批次利用批次输送部5向处理槽62输送。于是，蚀刻处理装置60利用基板升降机构64保持输送来的批次，并将其浸渍于处理槽62的冲洗液从而进行冲洗处理。在处理槽62进行了冲洗处理的批次利用批次输送部5向清洗处理装置70的处理槽71输送。
清洗处理装置70包括清洗用的处理槽71、冲洗处理用的处理槽72以及基板升降机构73、74。在清洗用的处理槽71贮存有清洗用的药液(以下，也称为“清洗药液”)。清洗药液例如是SC-1(氨、过氧化氢以及水的混合液)等。
在冲洗处理用的处理槽72贮存有冲洗处理用的处理液(去离子水等)。在基板升降机构73、74以立起姿势前后排列地保持有一个批次量的多个晶圆W。
清洗处理装置70利用基板升降机构73保持被批次输送部5输送来的批次，并将其浸渍于处理槽71的清洗液从而进行清洗处理。
在处理槽71进行了清洗处理的批次利用批次输送部5向处理槽72输送。于是，清洗处理装置70利用基板升降机构74保持输送来的批次，并将其浸渍于处理槽72的冲洗液从而进行冲洗处理。在处理槽72进行了冲洗处理的批次利用批次输送部5向干燥处理装置90的处理槽91输送。
干燥处理装置90具有处理槽91和基板升降机构92。在处理槽91供给有干燥处理用的处理气体。在基板升降机构92以立起姿势前后排列地保持有一个批次量的多个晶圆W。
干燥处理装置90利用基板升降机构92保持被批次输送部5输送来的批次，并使用在处理槽91内供给的干燥处理用的处理气体进行干燥处理。在处理槽91进行了干燥处理的批次利用批次输送部5向批次载置部4输送。
清洗处理装置80通过向批次输送机构50的基板保持体53供给清洗用的处理液，再向其供给干燥气体，从而进行基板保持体53的清洗处理。
控制部7控制基板处理系统1的各部(载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5以及批次处理部6等)的动作。控制部7基于来自开关、各种传感器等的信号，对基板处理系统1的各部的动作进行控制。
控制部7包括微计算机、各种电路，该微计算机具有CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等。控制部7通过读取并执行存储于未图示的存储部的程序，从而对基板处理系统1的动作进行控制。
控制部7具有能够利用计算机读取的存储介质8。在存储介质8存储有对在基板处理系统1执行的各种处理进行控制的上述程序。程序既可以存储在能够利用计算机读取的存储介质8，也可以从其他存储介质加载于控制部7的存储介质8。
作为能够利用计算机读取的存储介质8，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜蚀刻处理装置的结构＞
接着，参照图2对实施晶圆W的蚀刻处理的蚀刻处理装置60的结构进行说明。图2是表示实施方式的蚀刻处理装置60的结构的概略框图。
蚀刻处理装置60包括蚀刻液供给部100和基板处理部110。蚀刻液供给部100生成蚀刻液L并向基板处理部110供给。蚀刻液L是处理液的一例。
蚀刻液供给部100包括磷酸水溶液供给部101、硅溶液供给部102、析出抑制剂供给部103、混合机构104、蚀刻液供给路径105以及流量调整器106。
磷酸水溶液供给部101将磷酸水溶液向混合机构104供给。该磷酸水溶液供给部101具有磷酸水溶液供给源101a、磷酸水溶液供给路径101b以及流量调整器101c。
磷酸水溶液供给源101a例如是贮存磷酸水溶液的容器。磷酸水溶液供给路径101b将磷酸水溶液供给源101a和混合机构104连接，从磷酸水溶液供给源101a向混合机构104供给磷酸水溶液。
流量调整器101c配置于磷酸水溶液供给路径101b，用于调整向混合机构104供给的磷酸水溶液的流量。流量调整器101c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。
硅溶液供给部102将硅溶液向混合机构104供给。该硅溶液供给部102具有硅溶液供给源102a、硅溶液供给路径102b以及流量调整器102c。
硅溶液供给源102a例如是贮存硅溶液的容器。硅溶液供给路径102b将硅溶液供给源102a和混合机构104连接，从硅溶液供给源102a向混合机构104供给硅溶液。
流量调整器102c配置于硅溶液供给路径102b，用于调整向混合机构104供给的硅溶液的流量。流量调整器102c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。实施方式的硅溶液例如是将硅胶分散而成的溶液。
析出抑制剂供给部103将析出抑制剂向混合机构104供给。该析出抑制剂供给部103具有析出抑制剂供给源103a、析出抑制剂供给路径103b以及流量调整器103c。
析出抑制剂供给源103a例如是贮存析出抑制剂的容器。析出抑制剂供给路径103b将析出抑制剂供给源103a和混合机构104连接，从析出抑制剂供给源103a向混合机构104供给析出抑制剂。
流量调整器103c配置于析出抑制剂供给路径103b，用于调整向混合机构104供给的析出抑制剂的流量。流量调整器103c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。
实施方式的析出抑制剂只要含有抑制硅的氧化物的析出的成分即可。也可以是，析出抑制剂例如含有通过使溶解于磷酸水溶液的硅离子在溶解的状态下稳定化从而抑制硅的氧化物的析出这样的成分。此外，也可以是，析出抑制剂含有利用其它公知的方法抑制硅的氧化物的析出这样的成分。
实施方式的析出抑制剂例如能够使用含有氟成分的六氟硅酸(H2SiF6)水溶液。此外，也可以是，析出抑制剂含有氨等添加物，以使水溶液中的六氟硅酸稳定化。
作为实施方式的析出抑制剂，例如，能够使用六氟硅酸铵(NH4)2SiF6、六氟硅酸钠(Na2SiF6)等。
此外，也可以是，实施方式的析出抑制剂是含有离子半径为
Figure BDA0003222424100000091
的作为阳离子的元素的化合物。在此，“离子半径”是根据由晶格的晶格常数得到的阴离子和阳离子的半径之和而依靠经验求得的离子的半径。
也可以是，实施方式的析出抑制剂例如含有铝、钾、锂、钠、镁、钙、锆、钨、钛、钼、铪、镍以及铬中的任一元素的氧化物。
此外，也可以是，实施方式的析出抑制剂代替上述任一元素的氧化物或除了含有上述任一元素的氧化物以外还含有上述任一元素的氮化物、氯化物、溴化物、氢氧化物以及硝酸盐中的至少一者。
也可以是，实施方式的析出抑制剂例如含有Al(OH)3、AlCl3、AlBr3、Al(NO3)3、Al2(SO4)3、AlPO4以及Al2O3中的至少一者。
此外，也可以是，实施方式的析出抑制剂含有KCl、KBr、KOH以及KNO3中的至少一者。而且，也可以是，实施方式的析出抑制剂包含有LiCl、NaCl、MgCl2、CaCl2以及ZrCl4中的至少一者。
混合机构104混合磷酸水溶液、硅溶液以及析出抑制剂，而生成蚀刻液L。即，实施方式的蚀刻液L含有磷酸水溶液、析出抑制剂以及硅溶液。
此外，实施方式的硅溶液和析出抑制剂中的至少一者含有醇类作为溶剂。该作为溶剂而含有的醇类例如是甲醇、乙醇、丙醇以及异丙醇中的任一者。如此，实施方式的蚀刻液L含有磷酸水溶液和上述的醇类。
蚀刻液供给路径105将混合机构104和处理槽61的外槽112连接，从混合机构104向外槽112供给蚀刻液L。
流量调整器106配置于蚀刻液供给路径105，用于调整向外槽112供给的蚀刻液L的流量。流量调整器106具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。
基板处理部110将晶圆W浸渍于从蚀刻液供给部100供给来的蚀刻液L，对该晶圆W实施蚀刻处理。晶圆W是基板的一例。在实施方式中，例如，能够选择性地对形成于晶圆W上的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行蚀刻。
基板处理部110包括处理槽61、基板升降机构63、循环路径120、DIW供给部130、鼓泡气体供给部140以及处理液排出部150。处理槽61具有内槽111、外槽112以及盖体113。
内槽111是供晶圆W浸渍于蚀刻液L中的槽，容纳浸渍用的蚀刻液L。内槽111在上部具有开口部111a，蚀刻液L贮存至开口部111a附近为止。
在内槽111，使用基板升降机构63使多个晶圆W浸渍于蚀刻液L，对晶圆W进行蚀刻处理。该基板升降机构63构成为能够升降，并将多个晶圆W以垂直姿势前后排列地保持。
外槽112以包围内槽111的方式配置于内槽111的外侧，用于接收从内槽111的开口部111a流出的蚀刻液L。如图2所示，外槽112的液位维持为比内槽111的液位低。
此外，外槽112具有未图示的温度传感器和磷酸浓度传感器。该温度传感器对蚀刻液L的温度进行检测，该磷酸浓度传感器对蚀刻液L的磷酸浓度进行检测。由外槽112的温度传感器和磷酸浓度传感器生成的信号向上述的控制部7发送。
盖体113对内槽111的开口部111a进行开闭。即，盖体113能够在覆盖内槽111的开口部111a的关闭位置和开放开口部111a的开放位置之间移动。
控制部7(参照图1)通过将盖体113配置在关闭位置，而能够抑制内槽111内的蚀刻液L的挥发。此外，控制部7通过将盖体113配置在开放位置，而能够将晶圆W相对于内槽111送入和送出。
另外，在图2的例子中，示出了构成为利用两个盖体113开闭开口部111a的例子，但盖体113的结构不限于该例子，例如，也可以构成为利用一个盖体113开闭开口部111a。
内槽111、外槽112以及盖体113例如由石英等耐热性和耐化学药品性较高的材料构成。由此，控制部7能够利用保持为高温(例如，150℃以上)的蚀刻液L对晶圆W进行蚀刻处理，因此，能够高效地对晶圆W进行蚀刻处理。
外槽112和内槽111由循环路径120连接。循环路径120的一端与外槽112的底部连接，循环路径120的另一端与位于内槽111内的处理液供给喷嘴125连接。
泵121、加热器122、过滤器123以及硅浓度传感器124自外槽112侧按顺序位于循环路径120。
泵121用于形成从外槽112经由循环路径120向内槽111输送的蚀刻液L的循环流。此外，蚀刻液L通过从内槽111的开口部111a溢出而再次向外槽112流出。如此，在基板处理部110内形成蚀刻液L的循环流。即，该循环流在外槽112、循环路径120以及内槽111形成。
加热器122调整在循环路径120循环的蚀刻液L的温度。过滤器123对在循环路径120循环的蚀刻液L进行过滤。硅浓度传感器124检测在循环路径120循环的蚀刻液L的硅浓度。由硅浓度传感器124生成的信号向控制部7发送。
DIW供给部130具有DIW供给源130a、DIW供给路径130b以及流量调整器130c。DIW供给部130向外槽112供给DIW(DeIonized Water：去离子水)，以调整贮存于处理槽61的蚀刻液L的浓度。
DIW供给路径130b将DIW供给源130a和外槽112连接，从DIW供给源130a向外槽112供给规定温度的DIW。
流量调整器130c配置于DIW供给路径130b，用于调整向外槽112供给的DIW的供给量。流量调整器130c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。利用流量调整器130c调整DIW的供给量，从而调整蚀刻处理装置60内的蚀刻液L的温度、磷酸浓度、硅浓度以及析出抑制剂浓度。
鼓泡气体供给部140向贮存于内槽111的蚀刻液L中喷出非活性气体(例如氮气)的气泡。鼓泡气体供给部140具有非活性气体供给源140a、非活性气体供给路径140b、流量调整器140c以及气体喷嘴140d。
非活性气体供给路径140b将非活性气体供给源140a和气体喷嘴140d连接，从非活性气体供给源140a向气体喷嘴140d供给非活性气体(例如氮气)。
流量调整器140c配置于非活性气体供给路径140b，用于调整向气体喷嘴140d供给的非活性气体的供给量。流量调整器140c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。
气体喷嘴140d例如在内槽111内位于晶圆W和处理液供给喷嘴125的下方。气体喷嘴140d向贮存于内槽111的蚀刻液L喷出非活性气体的气泡。
实施方式的蚀刻处理装置60通过从气体喷嘴140d喷出非活性气体的气泡，从而能够向排列地位于内槽111内的多个晶圆W之间的间隙供给快速流动的蚀刻液L。因而，根据实施方式，能够高效且均等地对多个晶圆W进行蚀刻处理。
当更换蚀刻处理所使用的蚀刻液L的全部或一部分时等，处理液排出部150将蚀刻液L向排放装置DR排出。处理液排出部150具有排出路径150a、流量调整器150b以及冷却箱150c。
排出路径150a与循环路径120连接。流量调整器150b配置于排出路径150a，用于调整排出的蚀刻液L的排出量。流量调整器150b具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。
冷却箱150c暂时地贮存流过排出路径150a的蚀刻液L并对其进行冷却。在冷却箱150c中，利用流量调整器150b调整蚀刻液L的排出量。
在至此为止所说明的蚀刻处理装置60，有时使用于硅溶液和析出抑制剂(以下，也统称为“添加剂”)中的至少一者的醇类在高温的蚀刻液L内沸腾，而在蚀刻液L内产生大量的泡B(参照图4A)。
此外，在蚀刻处理装置60，有时由于从鼓泡气体供给部140喷出的非活性气体的气泡，而在蚀刻液L内产生大量的泡B。
而且，由于在蚀刻液L含有作为表面活性剂发挥功能的醇类，因此，一次产生的泡B难以消泡，因此，含有大量的泡B的蚀刻液L有可能从外槽112向外部溢出。
于是，在实施方式的基板处理系统1中，通过使处理槽61成为以下说明的结构，从而能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
＜处理槽的详细内容＞
接着，参照图3～图6对实施方式的处理槽61的详细的结构进行说明。图3是表示实施方式的处理槽61的结构的放大剖视图。另外，图3示出了盖体113配置在关闭位置且蚀刻液L从内槽111的边缘部111b和盖体113之间的间隙向外槽112流出的情况的状态。
实施方式的处理槽61除了包括上述的内槽111、外槽112以及盖体113以外，还包括液体接触构件114。该液体接触构件114配置于在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时与该蚀刻液L接触的位置。
例如，如图3所示，液体接触构件114配置于外槽112的内壁面112a。该液体接触构件114例如在外槽112的内壁面112a配置于从比外槽112的预先设定的液位靠下的位置至外槽112的边缘部112b之间。
此外，实施方式的液体接触构件114由具有疏水性的材料构成。而且，实施方式的处理槽61通过使含有泡B的蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触，从而能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。以下对该机制进行说明。
图4A～图4D是用于对由疏水性的液体接触构件114进行的泡B的消泡机制进行说明的图。图4A示出了泡B刚附着于液体接触构件114的表面114a的状态。
如图4A所示，由于添加剂的醇类作为表面活性剂S覆盖在泡B的表面，因而泡B在附着于液体接触构件114的表面114a之后也不会消泡而被维持。另一方面，液体接触构件114的表面114a是疏水面，在液体接触构件114的表面114a不会形成液膜，因此，在液体接触构件114的表面114a也几乎不存在表面活性剂S。
由此，在泡B和液体接触构件114的表面114a的接触部产生表面活性剂S的浓度梯度，因此，该接触部附近的表面活性剂S向液体接触构件114的表面114a移动。因此，如图4B所示，在泡B，在与液体接触构件114的表面114a接触的接触部和除此以外的部位之间产生表面活性剂S的浓度梯度(即，表面张力的局部的梯度)。
于是，在泡B，产生消除表面张力的局部的梯度的效应(所谓的马兰戈尼效应)，因此，如图4C所示，在整个泡B，表面活性剂S的分布成为大致均等。
然而，在泡B，在泡B和液体接触构件114的表面114a的接触部再次产生表面活性剂S的浓度梯度，因此，该接触部附近的表面活性剂S向液体接触构件114的表面114a移动。
如此，在吸附于液体接触构件114的表面114a的泡B，交替地重复产生接触部附近的表面活性剂S向液体接触构件114的表面114a移动的现象和因马兰戈尼效应而引起的现象。
由此，覆盖在泡B的表面的表面活性剂S的量逐渐减少，因此，泡B的表面张力逐渐上升，最终如图4D所示，附着于液体接触构件114的表面114a的泡B消泡。
如此，实施方式的处理槽61通过使含有泡B的蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触，从而能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。因而，根据实施方式，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
另外，作为内槽111、外槽112以及盖体113的原材料而使用的石英的表面具有亲水性，因此，在其自身难以产生在图4A～图4D中所说明的泡B的消泡现象。
液体接触构件114的材质例如可以是PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(四氟乙烯－全氟烷基乙烯基醚共聚物)以及PCTFE(聚氯三氟乙烯)中的任一者。
在实施方式中，液体接触构件114如上述的材质那样具有疏水性和较高的耐化学药品性，从而能够稳定地实施利用含有磷酸水溶液的蚀刻液L进行的处理。
图5是表示实施方式的处理槽61的液体接触构件114的配置的一例的俯视图。如图5所示，在处理槽61中，外槽112配置为在俯视时包围内槽111的四边。
此外，在图5的例子中，蚀刻液L从内槽111的四边的边缘部111b中的内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b(在图中为左右的边缘部111b)向外槽112流出。
于是，实施方式的液体接触构件114可以配置于外槽112的四边的内壁面112a中的两边的内壁面112a。此外，该液体接触构件114可以与内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b相对地配置。
如此，在内槽111的供含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L流出的边缘部111b的附近配置液体接触构件114，从而能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，实施方式的液体接触构件114的配置不限于图5的例子。图6是表示实施方式的处理槽61的液体接触构件114的配置的另一例的俯视图。在图6的例子中，蚀刻液L从内槽111的所有四边的边缘部111b向外槽112流出。
于是，实施方式的液体接触构件114可以配置于外槽112的所有四边的内壁面112a。即，该液体接触构件114可以与内槽111的供蚀刻液L流出的所有四边的边缘部111b相对地配置。
如此，在内槽111的供含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L流出的边缘部111b的附近配置液体接触构件114，从而能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
如至此为止所说明的那样，实施方式的液体接触构件114可以配置于外槽112的四边的内壁面112a中的至少两边的内壁面112a。由此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，虽然在图5和图6中未示出，但也可以在外槽112的四边的内壁面112a中的三边的内壁面112a配置液体接触构件114。
此外，实施方式的处理槽61不限于在外槽112的内壁面112a配置疏水性的液体接触构件114的情况，也可以是，该外槽112的内壁面112a自身是疏水面。
即，也可以是，实施方式的处理槽61在含有泡B的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时与蚀刻液L接触的接触面的至少局部(在此为外槽112的内壁面112a)是疏水面。
由此，如上所述，也能够在外槽112的作为疏水面的内壁面112a对泡B进行消泡，因此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。因而，根据实施方式，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
另外，作为使具有亲水性的原材料(石英)的表面成为疏水面的方法，能够使用具有疏水性的材料的涂层处理或衬里处理这样的现有的方法。
＜变形例1＞
接着，参照图7～图22对实施方式的基板处理系统1的各种变形例进行说明。图7是表示实施方式的变形例1的处理槽61的结构的放大剖视图。另外，在以下的各种变形例中，对与实施方式相同的部位标注相同的附图标记而省略重复的说明。
在变形例1中，处理槽61的液体接触构件114的配置与上述的实施方式不同。具体而言，在变形例1中，液体接触构件114为板状，竖立设置于外槽112的内部。该液体接触构件114例如是平板状，配置于从外槽112的底面至比外槽112的预先设定的液位靠上的位置之间。
在变形例1中，在图7所示的位置配置液体接触构件114，从而能够在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时，使蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触。
由此，在变形例1中，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡，因此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
图8是表示实施方式的变形例1的处理槽61的液体接触构件114的配置的一例的俯视图。另外，在图8的例子中，蚀刻液L从内槽111的四边的边缘部111b中的内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b(在图中为左右的边缘部111b)向外槽112流出。
于是，变形例1的液体接触构件114可以配置于位于内槽111的四边的外槽112中的外槽112的两边。此外，该液体接触构件114可以与内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b相对地配置。
如此，在内槽111的供含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L流出的边缘部111b的附近配置液体接触构件114，从而能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，变形例1的液体接触构件114的配置不限于图8的例子。图9是表示实施方式的变形例1的处理槽61的液体接触构件114的配置的另一例的俯视图。在图9的例子中，蚀刻液L从内槽111的所有四边的边缘部111b向外槽112流出。
于是，变形例1的液体接触构件114可以配置于位于内槽111的四边的外槽112的所有四边。即，该液体接触构件114可以与内槽111的供蚀刻液L流出的所有四边的边缘部111b相对地配置。
如此，在内槽111的供含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L流出的边缘部111b的附近配置液体接触构件114，从而能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
如至此为止所说明的那样，变形例1的液体接触构件114可以配置于位于内槽111的四边的外槽112的四边中的至少外槽112的两边。由此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，虽然在图8和图9中未示出，但也可以在位于内槽111的四边的外槽112中的外槽112的三边配置液体接触构件114。
此外，在上述的例子中，示出了液体接触构件114为平板状的情况，但液体接触构件114的形状不限于平板状。图10和图11是表示实施方式的变形例1的液体接触构件114的其他形状的一例的立体图。
如图10所示，也可以是，变形例1的液体接触构件114通过将柱状构件组合而构成。由此，能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B(参照图4A)进行消泡。
此外，如图11所示，也可以是，变形例1的液体接触构件114构成为锯齿状。由此，也能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B(参照图4A)进行消泡。
另外，在变形例1中，增加液体接触构件114的表面积的方法不限于图10和图11的例子。例如，也可以是，板状构件为中空的形状，还可以是，板状构件的表面为粗糙面。由此，也能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
＜变形例2＞
图12是表示实施方式的变形例2的处理槽61的结构的放大剖视图，图13是表示实施方式的变形例2的处理槽61的液体接触构件114的配置的一例的俯视图。另外，在图13中，省略了盖体113的图示。
如图12所示，变形例2的液体接触构件114配置于盖体113的底面113a。此外，如图13所示，变形例2的液体接触构件114例如沿着内槽111的四边的边缘部111b中的内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b(在图中为左右的边缘部111b)配置。
在变形例2中，在上述的位置配置液体接触构件114，从而能够在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时，使蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触。
由此，在变形例2中，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡，因此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，变形例2的液体接触构件114可以沿着内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b配置。即，对于变形例2的液体接触构件114，在底面113a，在除了与供蚀刻液L流出的边缘部111b和盖体113之间的间隙相邻的部位以外的部位，可以不配置。
由此，能够借助由石英构成的盖体113的中央部(不配置液体接触构件114的部位)，从外部目视确认内槽111的内部。因而，根据变形例2，能够目视确认蚀刻处理过程中的晶圆W的状态，因此，能够更加稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
另外，在变形例2中，在蚀刻液L从内槽111的三边或四边的边缘部111b流出的情况下，可以沿着该内槽111的三边或四边的边缘部111b配置液体接触构件114。
此外，变形例2的处理槽61不限于在盖体113的底面113a配置疏水性的液体接触构件114的情况，也可以是，该盖体113的底面113a自身为疏水面。
由此，也能够在盖体113的作为疏水面的底面113a对泡B进行消泡，因此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。因而，根据变形例2，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
＜变形例3＞
图14是表示实施方式的变形例3的处理槽61的结构的放大剖视图，图15是表示实施方式的变形例3的处理槽61的液体接触构件114的配置的一例的俯视图。
如图14所示，变形例3的液体接触构件114配置于内槽111的边缘部111b。此外，如图15所示，变形例3的液体接触构件114例如配置于内槽111的四边的边缘部111b中的内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b(在图中为左右的边缘部111b)。
由此，在变形例3中，能够在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时，使蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触。
因而，根据变形例3，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡，因此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，如图14所示，变形例3的液体接触构件114也可以配置于内槽111的与边缘部111b相邻的内壁面111c和内槽111的与边缘部111b相邻的外壁面111d。
即，变形例3的液体接触构件114也可以配置于内槽111的边缘部111b的附近。由此，在变形例3中，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，在变形例3中，在蚀刻液L从内槽111的三边或四边的边缘部111b流出的情况下，可以在该内槽111的三边或四边的边缘部111b配置液体接触构件114。
此外，变形例3的处理槽61不限于在内槽111的边缘部111b配置疏水性的液体接触构件114的情况，也可以是，该内槽111的边缘部111b自身为疏水面。
由此，也能够在内槽111的作为疏水面的边缘部111b对泡B进行消泡，因此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。因而，根据变形例3，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
＜变形例4＞
图16是表示实施方式的变形例4的处理槽61的结构的放大剖视图，图17是表示实施方式的变形例4的处理槽61的液体接触构件114的配置的一例的俯视图。此外，图18是表示实施方式的变形例4的液体接触构件114的形状的一例的立体图。
如图16所示，变形例4的液体接触构件114配置为阻挡从内槽111向外槽112流出的蚀刻液L。例如，如图16所示，变形例4的液体接触构件114配置于比外槽112的预先设定的液位靠上的位置且比内槽111的供蚀刻液L流出的边缘部111b靠下的位置。
此外，如图17所示，变形例4的液体接触构件114例如沿着内槽111的四边的边缘部111b中的内槽111的供蚀刻液L流出的两边的边缘部111b(在图中为左右的边缘部111b)配置。而且，如图18等所示，变形例4的液体接触构件114具有梯子状的形状。
在变形例4中，通过在上述的位置配置梯子状的液体接触构件114，从而能够在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时，使蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触。
由此，在变形例4中，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡，因此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，在变形例4中，液体接触构件114可以为梯子状。由此，能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
另外，变形例4的液体接触构件114的形状不限于梯子状。图19和图20是表示实施方式的变形例4的液体接触构件114的其他形状的一例的立体图。
如图19所示，变形例4的液体接触构件114也可以是具有倾斜面的构造。由此，也能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B(参照图4A)进行消泡。
此外，如图20所示，变形例4的液体接触构件114也可以具有格子状的形状。由此，也能够增加液体接触构件114的表面积，因此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B(参照图4A)进行消泡。
另外，在变形例4中，在蚀刻液L从内槽111的三边或四边的边缘部111b流出的情况下，可以沿着该内槽111的三边或四边的边缘部111b配置液体接触构件114。
＜变形例5＞
图21是表示实施方式的变形例5的基板升降机构63的结构的立体图。如图21所示，基板升降机构63具有背板部63a和支承部63b。背板部63a为大致平板状，沿铅垂方向延伸。支承部63b自背板部63a沿水平方向延伸，对立起姿势的晶圆W进行支承。
图22是表示实施方式的变形例5的基板处理部110的结构的放大剖视图。另外，图22示出了基板升降机构63配置于下降位置且晶圆W(参照图21)浸渍于蚀刻液L的情况的状态。
如图22所示，变形例5的液体接触构件114配置于基板升降机构63的表面的局部。变形例5的液体接触构件114例如在基板升降机构63的背板部63a配置于从比内槽111的预先设定的液位靠下的位置至背板部63a的上端部之间。
在变形例5中，通过在上述的位置配置液体接触构件114，从而能够在含有泡B(参照图4A)的蚀刻液L从内槽111向外槽112流出时，使蚀刻液L与疏水性的液体接触构件114接触。
由此，在变形例5中，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡，因此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
另外，变形例5的基板处理部110不限于在基板升降机构63的表面的局部配置疏水性的液体接触构件114的情况，也可以是，该基板升降机构63的表面的局部自身为疏水面。
由此，也能够在基板升降机构63的表面的作为疏水面的局部对泡B进行消泡，因此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。因而，根据变形例5，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)包括内槽111、外槽112、盖体113以及液体接触构件114。内槽111在上部具有开口部111a，该内槽111供基板(晶圆W)浸渍于处理液(蚀刻液L)。外槽112配置于内槽111的外侧，该外槽112接收从开口部111a流出的处理液(蚀刻液L)。盖体113对开口部111a进行开闭。液体接触构件114具有疏水性，该液体接触构件114配置于在含有泡B的处理液(蚀刻液L)从内槽111向外槽112流出时与处理液(蚀刻液L)接触的位置。由此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114配置于外槽112的内壁面112a。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，外槽112配置为包围内槽111的四边。此外，液体接触构件114配置于外槽112的四边的内壁面112a中的至少两边的内壁面112a。由此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114为板状，并竖立设置于外槽112的内部。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，外槽112配置为包围内槽111的四边。此外，液体接触构件114配置为包围内槽111的至少两边。由此，能够更加高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114配置于盖体113的底面113a。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114在俯视时沿着内槽111的供处理液(蚀刻液L)流出的边缘部111b配置。由此，能够更加稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114配置于内槽111的供处理液(蚀刻液L)流出的边缘部111b。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114配置为阻挡从内槽111向外槽112流出的处理液(蚀刻液L)。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)还包括保持基板(晶圆W)并将其相对于内槽111送入送出的基板升降机构63。此外，液体接触构件114配置于基板升降机构63的表面的局部。由此，能够高效地对在蚀刻液L内产生的泡B进行消泡。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，液体接触构件114的材质是PTFE、PFA以及PCTFE中的任一者。由此，能够稳定地实施利用含有磷酸水溶液的蚀刻液L进行的处理。
实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)包括内槽111、外槽112以及盖体113。内槽111在上部具有开口部111a，该内槽111供基板(晶圆W)浸渍于处理液(蚀刻液L)。外槽112配置于内槽111的外侧，该外槽112接收从开口部111a流出的处理液(蚀刻液L)。盖体113对开口部111a进行开闭。此外，实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)在含有泡B的处理液(蚀刻液L)从内槽111向外槽112流出时与处理液(蚀刻液L)接触的接触面的至少局部是疏水面。由此，能够稳定地实施利用添加有添加剂的蚀刻液L进行的处理。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，处理液(蚀刻液L)是添加有含有醇类的添加剂的磷酸。由此，能够以较高的选择比对层叠于晶圆W上的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行蚀刻。
此外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，醇类是甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇中的任一种。由此，能够良好地将添加剂添加于磷酸水溶液。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种各样的变更。例如，在上述的实施方式中，示出了将含有磷酸水溶液、硅溶液以及析出抑制剂的蚀刻液L作为处理液使用的例子，但处理液的组成不限于该例子。
例如，在本公开中，也可以将有机酸作为处理液使用，从而处理晶圆W。具体而言，例如，也可以将醋酸、蚁酸、草酸以及马来酸中的至少一种作为处理液使用，从而处理晶圆W。
如此，在将有机酸作为处理液使用的情况下，该有机酸作为表面活性剂发挥功能，因此，有时在处理液内产生大量的泡。于是，通过应用至此所说明的本公开的技术，从而能够高效地对在有机酸的处理液内产生的泡进行消泡。
应该认为本次公开了的实施方式在所有方面均为例示，而不是限制性的。实际上，上述的实施例能够以各种各样的形式具体实现。另外，上述实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
内槽，其在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液；
外槽，其配置于所述内槽的外侧，该外槽接收从所述开口部流出的所述处理液；
盖体，其对所述开口部进行开闭；以及
液体接触构件，其具有疏水性，该液体接触构件配置于在含有泡的所述处理液从所述内槽向所述外槽流出时与所述处理液接触的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件配置于所述外槽的内壁面。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述外槽配置为包围所述内槽的四边，
所述液体接触构件配置于所述外槽的四边的内壁面中的至少两边的内壁面。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件为板状，并竖立设置于所述外槽的内部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述外槽配置为包围所述内槽的四边，
所述液体接触构件配置为包围所述内槽中的至少两边。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件配置于所述盖体的底面。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件在俯视时沿着所述内槽的供所述处理液流出的边缘部配置。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件配置于所述内槽的供所述处理液流出的边缘部。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件配置为阻挡从所述内槽向所述外槽流出的所述处理液。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括保持所述基板并将所述基板相对于所述内槽送入送出的基板升降机构，
所述液体接触构件配置于所述基板升降机构的表面的局部。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液体接触构件的材质是PTFE即聚四氟乙烯、PFA即四氟乙烯－全氟烷基乙烯基醚共聚物以及PCTFE即聚氯三氟乙烯中的任一者。
12.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
内槽，其在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液；
外槽，其配置于所述内槽的外侧，该外槽接收从所述开口部流出的所述处理液；以及
盖体，其对所述开口部进行开闭，
在含有泡的所述处理液从所述内槽向所述外槽流出时与所述处理液接触的接触面的至少局部是疏水面。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述处理液是添加有含有醇类的添加剂的磷酸。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述醇类是甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇中的任一种。
CN202110961296.3A 2020-08-27 2021-08-20 基板处理装置 Pending CN114121717A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-143252 2020-08-27
JP2020143252A JP7535890B2 (ja) 2020-08-27 2020-08-27 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114121717A true CN114121717A (zh) 2022-03-01

Family

ID=80440957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110961296.3A Pending CN114121717A (zh) 2020-08-27 2021-08-20 基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7535890B2 (zh)
KR (1) KR20220027762A (zh)
CN (1) CN114121717A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421967B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5009207B2 (ja) 2007-09-21 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5699463B2 (ja) 2010-07-06 2015-04-08 東ソー株式会社 窒化ケイ素のエッチング液及びエッチング方法
JP6929729B2 (ja) 2017-07-26 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置及び記憶媒体
JP6986917B2 (ja) 2017-10-04 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7535890B2 (ja) 2024-08-19
KR20220027762A (ko) 2022-03-08
JP2022038644A (ja) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9027573B2 (en) Substrate processing apparatus for maintaining a more uniform temperature during substrate processing
KR100390545B1 (ko) 기판세정건조장치,기판세정방법및기판세정장치
US8585030B2 (en) Substrate processing apparatus
CN111180330B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
US20200251343A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7561539B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20180033071A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7550589B2 (ja) 基板処理システム
CN110943006A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN109698142B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
KR20220044108A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
JP7515335B2 (ja) 基板処理装置
CN114121717A (zh) 基板处理装置
CN216597515U (zh) 基片处理装置
US11948804B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN115692256A (zh) 用于处理衬底的装置
JP7413113B2 (ja) 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム
CN111640661B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
KR20220058471A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113924642A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN110010459B (zh) 基片处理方法和基片处理装置
US20240222174A1 (en) Substrate transferring apparatus, and liquid processing apparatus and substrate processing equipment including same
CN115547880A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
KR102550896B1 (ko) 기판 처리 장치
US20240068109A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination