CN113924642A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本公开的基板处理装置(1)包括液处理槽(61、62、71、72、91)和疏水化气体供给部(410、440、450)。液处理槽用于贮存处理液，将多个基板(W)浸渍在处理液中，从而对多个基板进行液处理。疏水化气体供给部用于向液处理后的多个基板供给疏水化剂的气体。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在使基板干燥的干燥处理中，形成于基板的表面的电路图案(以下简称为“图案”)可能会由于液体的表面张力而倒塌。于是，提案有一种在干燥处理之前使基板的表面疏水化的技术。根据该技术，通过使基板的表面疏水化，而使表面张力难以作用于图案，因而能够抑制图案的倒塌。
在专利文献1中公开有这样一种技术：在逐张地处理基板的单张式的基板处理装置中，向基板的表面供给疏水化处理液而使基板的表面疏水化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－197638号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供能够在成批地处理多个基板的批量式的基板处理装置中抑制图案的倒塌的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括液处理槽和疏水化气体供给部。液处理槽用于贮存处理液，将多个基板浸渍在处理液中，从而对多个基板进行液处理。疏水化气体供给部用于向液处理后的多个基板供给疏水化剂的气体。
发明的效果
根据本公开，在成批地处理多个基板的批量式的基板处理装置中，能够抑制图案的倒塌。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。
图2是第1实施方式所涉及的蚀刻处理用的处理槽的示意性的剖视图。
图3是第1实施方式所涉及的干燥处理用的处理槽的示意性的剖视图。
图4是表示第1实施方式所涉及的基板处理装置执行的处理的步骤的一个例子的流程图。
图5是表示干燥处理的步骤的一个例子的流程图。
图6是表示送入处理的动作例的图。
图7是表示冲洗处理的动作例的图。
图8是表示置换处理的动作例的图。
图9是表示置换处理的动作例的图。
图10是表示移动处理的动作例的图。
图11是表示疏水化气体供给处理的动作例的图。
图12是表示IPA气体供给处理的动作例的图。
图13是表示送出处理的动作例的图。
图14是第2实施方式所涉及的干燥处理用的处理槽的示意性的剖视图。
图15是表示第2实施方式所涉及的置换处理的动作例的图。
图16是第3实施方式所涉及的蚀刻处理用的处理槽的示意性的剖视图。
图17是第4实施方式所涉及的冲洗处理用的处理槽的示意性的剖视图。
图18是第4实施方式的变形例所涉及的冲洗处理用的处理槽的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明用于实施本公开的基板处理装置和基板处理方法的形态(以下记载为“实施方式”)。此外，本公开的基板处理装置和基板处理方法并不被该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容相矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”这样的表述，但这些表述不需要是严格意义上的“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”。即，上述的各表述容许例如制造精度、设置精度等的偏差。
另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，示出将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。
(第1实施方式)
＜基板处理装置的结构＞
首先，参照图1说明第1实施方式所涉及的基板处理装置的结构。图1是第1实施方式所涉及的基板处理装置1的俯视图。
如图1所示，第1实施方式所涉及的基板处理装置1包括载体送入送出部2、批形成部3、批载置部4、批输送部5、批处理部6以及控制部7。
载体送入送出部2包括载体台20、载体输送机构21、载体储存部22、23以及载体载置台24。
载体台20载置自外部输送来的多个载体9。载体9为以水平姿势上下排列地收纳多个(例如25张)晶圆W的容器。载体输送机构21在载体台20、载体储存部22、23以及载体载置台24之间进行载体9的输送。
利用后述的基板输送机构30将处理前的多个晶圆W自载置于载体载置台24的载体9向批处理部6送出。另外，利用基板输送机构30将进行了处理的多个晶圆W自批处理部6向载置于载体载置台24的载体9送入。
批形成部3具有基板输送机构30，该批形成部3用于形成批。批由多个(例如50张)晶圆W构成，该多个(例如50张)晶圆W通过将收纳于一个或多个载体9的晶圆W组合而成，同时进行处理。形成一个批的多个晶圆W以使彼此的板面相对的状态空开一定间隔地排列。
基板输送机构30在批载置部4与载置于载体载置台24的载体9之间输送多个晶圆W。
批载置部4具有批输送台40，该批载置部4用于对利用批输送部5在批形成部3与批处理部6之间输送的批临时进行载置(待机)。批输送台40具有：送入侧批载置台41，其载置由批形成部3形成了的处理前的批；和送出侧批载置台42，其载置由批处理部6进行了处理的批。在送入侧批载置台41和送出侧批载置台42以立起姿势前后排列地载置有与一个批的量对应的多个晶圆W。
批输送部5具有批输送机构50，该批输送部5用于在批载置部4与批处理部6之间、批处理部6的内部进行批的输送。批输送机构50具有导轨51、移动构件52以及基板保持构件53。
导轨51跨批载置部4和批处理部6地沿着X轴方向配置。移动构件52构成为能够一边保持多个晶圆W一边沿着导轨51移动。基板保持构件53设于移动构件52，用于保持以立起姿势前后排列着的多个晶圆W。
批处理部6对与一个批的量对应的多个晶圆W成批地进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。在批处理部6沿着导轨51排列地设有两台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基板保持构件清洗处理装置80以及干燥处理装置90。
蚀刻处理装置60对与一个批的量对应的多个晶圆W成批地进行蚀刻处理。清洗处理装置70对与一个批的量对应的多个晶圆W成批地进行清洗处理。基板保持构件清洗处理装置80进行基板保持构件53的清洗处理。干燥处理装置90对与一个批的量对应的多个晶圆W成批地进行干燥处理。此外，蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基板保持构件清洗处理装置80以及干燥处理装置90的台数并不限定于图1的例子。
蚀刻处理装置60包括蚀刻处理用的处理槽61、冲洗处理用的处理槽62以及基板升降机构63、64。
处理槽61能够收纳以立起姿势排列着的与一个批的量对应的晶圆W，贮存有蚀刻处理用的药液(以下也称作“蚀刻液”)。后述说明处理槽61的详细内容。
在处理槽62贮存有冲洗处理用的处理液(去离子水等)。在基板升降机构63、64以立起姿势前后排列地保持形成批的多个晶圆W。
蚀刻处理装置60利用基板升降机构63保持由批输送部5输送来的批，并通过使其浸渍于处理槽61的蚀刻液来进行蚀刻处理。蚀刻处理例如进行1小时～3小时左右。
利用批输送部5将在处理槽61进行了蚀刻处理的批向处理槽62输送。然后，蚀刻处理装置60利用基板升降机构64保持输送来的批，并通过使其浸渍于处理槽62的冲洗液来进行冲洗处理。利用批输送部5将在处理槽62进行了冲洗处理的批向清洗处理装置70的处理槽71输送。
清洗处理装置70包括清洗用的处理槽71、冲洗处理用的处理槽72以及基板升降机构73、74。在清洗用的处理槽71贮存有清洗用的药液(以下也称作“清洗药液”)。清洗药液例如为SC-1(氨、过氧化氢以及水的混合液)等。
在冲洗处理用的处理槽72贮存有冲洗处理用的处理液(去离子水等)。在基板升降机构73、74以立起姿势前后排列地保持与一个批的量对应的多个晶圆W。
清洗处理装置70利用基板升降机构73保持由批输送部5输送来的批，并通过使其浸渍于处理槽71的清洗液来进行清洗处理。
利用批输送部5将在处理槽71进行了清洗处理的批向处理槽72输送。然后，清洗处理装置70利用基板升降机构74保持输送来的批，并通过使其浸渍于处理槽72的冲洗液来进行冲洗处理。利用批输送部5将在处理槽72进行了冲洗处理的批向干燥处理装置90的处理槽91输送。
干燥处理装置90具有处理槽91和基板升降机构92。向处理槽91供给有干燥处理用的处理气体。在基板升降机构92以立起姿势前后排列地保持与一个批的量对应的多个晶圆W。
干燥处理装置90利用基板升降机构92保持由批输送部5输送来的批，并使用向处理槽91内供给的干燥处理用的处理气体来进行干燥处理。利用批输送部5将在处理槽91进行了干燥处理的批向批载置部4输送。
在第1实施方式所涉及的基板处理装置1中，在该干燥处理中，通过使与一个批的量对应的多个晶圆W疏水化，从而抑制形成于该多个晶圆W的表面的图案的倒塌。后述说明这一方面。
基板保持构件清洗处理装置80通过向批输送机构50的基板保持构件53供给清洗用的处理液，再供给干燥气体，从而进行基板保持构件53的清洗处理。
控制部7控制基板处理装置1的各部分(载体送入送出部2、批形成部3、批载置部4、批输送部5、批处理部6等)的动作。控制部7基于来自开关、各种传感器等的信号来控制基板处理装置1的各部分的动作。
控制部7包含具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路，通过读取并执行存储于未图示的存储部的程序来控制基板处理装置1的动作。控制部7具有能够由计算机读取的存储介质8。在存储介质8存储有控制在基板处理装置1中执行的各种处理的上述程序。程序存储于能够由计算机读取的存储介质8，也可以自其他的存储介质加载于控制部7的存储介质8。
作为能够由计算机读取的存储介质8，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜蚀刻处理用的处理槽的结构＞
接着，参照图2说明蚀刻处理中使用的处理槽61。图2是第1实施方式所涉及的蚀刻处理用的处理槽61的示意性的剖视图。
在处理槽61中，进行蚀刻处理，该蚀刻处理使用规定的蚀刻液对形成于晶圆W上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中的氮化硅膜选择性地进行蚀刻。在该蚀刻处理中，使用向磷酸(H3PO4)水溶液添加含硅(Si)化合物而调整了硅浓度的溶液作为蚀刻液。
作为调整蚀刻液中的硅浓度的方法，能够使用：使模拟基板浸渍于磷酸水溶液来使硅溶解的方法(陈化处理)、使胶体二氧化硅等含硅化合物溶解于磷酸水溶液的方法。另外，也可以通过向磷酸水溶液添加含硅化合物水溶液来调整硅浓度。
如图2所示，蚀刻处理用的处理槽61包括内槽101和外槽102。内槽101为上方开放的箱形的槽，在内部贮存蚀刻液。由多个晶圆W形成的批浸渍于内槽101。外槽102的上方开放，且配置于内槽101的上部周围。自内槽101溢出的蚀刻液向外槽102流入。
处理槽61包括磷酸水溶液供给系统103、硅供给系统104以及DIW供给系统105。
磷酸水溶液供给系统103具有磷酸水溶液供给源131、供给路径132、阀133以及流量调整器134。磷酸水溶液供给源131供给磷酸浓度已浓缩成期望的浓度的磷酸水溶液。供给路径132连接磷酸水溶液供给源131和外槽102，自磷酸水溶液供给源131向外槽102供给磷酸水溶液。阀133设于供给路径132，用于开闭供给路径132。流量调整器134设于供给路径132，用于调整在供给路径132中流动的磷酸水溶液的流量。
硅供给系统104具有硅供给源141、供给路径142、阀143以及流量调整器144。硅供给源141供给含硅化合物水溶液。供给路径142连接硅供给源141和外槽102，自硅供给源141向外槽102供给含硅化合物水溶液。阀143设于供给路径142，用于开闭供给路径142。流量调整器144设于供给路径142，用于调整在供给路径142中流动的含硅化合物水溶液的流量。利用流量调整器144调整含硅化合物水溶液的供给量，从而调整蚀刻液的硅浓度。
DIW供给系统105具有DIW供给源151、供给路径152、阀153以及流量调整器154。DIW供给系统105向外槽102供给DIW(De Ionized Water：去离子水)，以补充因加热蚀刻液而蒸发了的水分。供给路径152连接DIW供给源151和外槽102，自DIW供给源151向外槽102供给规定温度的DIW。阀153设于供给路径152，用于开闭供给路径152。流量调整器154设于供给路径152，用于调整在供给路径152中流动的DIW的流量。利用流量调整器154调整DIW的供给量，从而调整蚀刻液的温度、磷酸浓度以及硅浓度。
处理槽61包括循环部106。循环部106使蚀刻液在内槽101和外槽102之间循环。循环部106包括循环路径161、多个处理液供给喷嘴162、过滤器163、加热器164以及泵165。
循环路径161连接外槽102和内槽101。循环路径161的一端与外槽102连接，循环路径161的另一端与配置于内槽101的内部的多个处理液供给喷嘴162连接。
过滤器163、加热器164以及泵165设于循环路径161。过滤器163用于从在循环路径161中流动的蚀刻液中去除杂质。加热器164用于将在循环路径161中流动的蚀刻液加热成适于蚀刻处理的温度。泵165将外槽102内的蚀刻液向循环路径161送出。泵165、加热器164以及过滤器163自上游侧按该顺序设置。
循环部106将蚀刻液自外槽102经由循环路径161和多个处理液供给喷嘴162向内槽101内输送。输送到内槽101内的蚀刻液自内槽101溢出，从而再次向外槽102流出。如此，蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。
此外，循环部106也可以利用加热器164加热蚀刻液，从而使蚀刻液成为沸腾状态。
＜干燥处理用的处理槽的结构＞
接着，参照图3说明干燥处理中使用的处理槽91。图3是第1实施方式所涉及的干燥处理用的处理槽91的示意性的剖视图。
如图3所示，处理槽91包括液处理槽200、干燥处理槽300以及气体供给部400。
(关于液处理槽200)
液处理槽200包括贮存槽201、溢流槽202以及密封槽203。液处理槽200能够收纳以垂直姿势(纵向的状态)排列着的与一个批的量对应的多个晶圆W。在该液处理槽200中，通过使与一个批的量对应的多个晶圆W浸渍于贮存在该液处理槽200的内部的处理液，从而进行成批地处理与一个批的量对应的多个晶圆W的液处理。在此，作为处理液，而使用DIW。具体而言，在液处理槽200中，对与一个批的量对应的多个晶圆W进行使用了DIW的冲洗处理。
在贮存槽201设有向贮存槽201供给处理液的处理液供给部204和将处理液自贮存槽201排出的排液机构205。
处理液供给部204包括多个(此处为两个)喷出部210、向多个喷出部210供给DIW的DIW供给系统220以及向多个喷出部210供给IPA(异丙醇)的IPA供给系统230。多个喷出部210配置于贮存槽201的内侧底部。
DIW供给系统220包括供给路径221、DIW供给源222、阀223以及流量调整器224。供给路径221连接DIW供给源222和多个喷出部210。DIW供给源222向多个喷出部210供给常温的DIW。阀223设于供给路径221，用于开闭供给路径221。流量调整器224设于供给路径221，用于调整在供给路径221中流动的DIW的流量。
IPA供给系统230包括供给路径231、IPA供给源232、阀233以及流量调整器234。供给路径231例如借助供给路径221连接IPA供给源232和多个喷出部210。IPA供给源232向多个喷出部210供给常温的IPA。阀233设于供给路径231，用于开闭供给路径231。流量调整器234设于供给路径231，用于调整在供给路径231中流动的IPA的流量。
排液机构205包括排液口251、排液路径252以及阀253。排液口251设于贮存槽201的内侧底部中央。排液路径252连接于排液口251。阀253设于排液路径252的中途部，用于开闭排液路径252。
溢流槽202形成于贮存槽201的上端外周部，用于贮存自贮存槽201溢出的处理液。密封槽203形成于溢流槽202的上端外周部，贮存例如水等液体。通过使后述的密封壁333浸渍在贮存于密封槽203的液体中，从而能够将液处理槽200的内部与外部隔断。
(关于干燥处理槽300)
干燥处理槽300配置于液处理槽200的上部，具有与贮存槽201连通的内部空间。干燥处理槽300包括主体部301、盖部302以及遮蔽部303。主体部301的上方和下方开口。在主体部301设有多个(此处为两个)排气口311。多个排气口311连接于排气路径312，借助排气口311和排气路径312将干燥处理槽300内的气氛向外部排出。
盖部302配置于主体部301的上方，封闭主体部301的上部开口。盖部302构成为能够利用未图示的移动机构升降，通过使盖部302上升，能够将多个晶圆W向干燥处理槽300送入或自干燥处理槽300送出。
遮蔽部303配置于主体部301与液处理槽200之间。遮蔽部303包括遮蔽门331和框体332。遮蔽门331构成为能够利用未图示的移动机构在框体332的内部沿水平方向(此处为X轴方向)移动，用于封闭或打开主体部301的下部开口。
框体332介于液处理槽200与主体部301之间，在该框体332的内部收纳遮蔽门331。在框体332的上部形成有与主体部301的下部开口连通的开口，在框体332的下部形成有与贮存槽201的上方区域连通的开口。
在框体332的下部设有朝向下方突出的密封壁333。密封壁333浸渍在贮存于密封槽203的液体中。由此，能够将液处理槽200的内部与外部隔断。
(关于气体供给部400)
气体供给部400包括供给路径415、配置于干燥处理槽300的内部的多个(此处为两个)喷出部410以及借助供给路径415连接于喷出部410的加热部420。另外，气体供给部400包括用于供给液态的疏水化剂(以下也称为“疏水化液”)的疏水化液供给系统430、用于供给IPA的IPA供给系统440以及用于供给N2气体的N2供给系统450。疏水化液供给系统430、IPA供给系统440以及N2供给系统450连接于加热部420。
疏水化液供给系统430包括疏水化液供给源431、供给路径432以及阀433。疏水化液供给源431用于供给疏水化液。供给路径432用于连接加热部420和疏水化液供给源431。阀433设于供给路径432，用于开闭供给路径432。
作为疏水化液，例如能够使用甲硅烷基化剂或硅烷偶联剂这样的疏水化剂。具体而言，能够使用三甲氧基苯基硅烷、四乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等作为疏水化剂。另外，能够使用TMSDMA(三甲基甲硅烷基二甲基胺)、DMSDMA(二甲基甲硅烷基二甲基胺)、TMSDEA(三甲基甲硅烷基二乙胺)、HMDS(六甲基二硅胺)、TMDS(1，1，3，3－四甲基二硅氮烷)等作为疏水化剂。
通过使晶圆W的表面疏水化，能够使图案与残留在晶圆W上的处理液之间的接触角度接近90°。由此，能够降低作用于图案的表面张力，因而不易产生图案的倒塌。
IPA供给系统440包括IPA供给源441、供给路径442以及阀443。IPA供给源441用于供给液态的IPA。供给路径442连接加热部420和IPA供给源441。阀443设于供给路径442，用于开闭供给路径442。
N2供给系统450包括N2供给源451、供给路径452以及阀453。N2供给源451用于供给作为非活性气体的N2气体。供给路径452连接加热部420和N2供给源451。阀453设于供给路径452，用于开闭供给路径452。
在打开阀433和阀453时，向加热部420供给疏水化液和N2气体。该情况下，加热部420加热疏水化液和N2气体的混合流体，从而生成疏水化剂的蒸气(以下也称作“疏水化气体”)。生成了的疏水化气体经由供给路径415向喷出部410供给，并自喷出部410向干燥处理槽300的内部喷出。由于干燥处理槽300密闭，因而自喷出部410喷出了的疏水化气体充满干燥处理槽300的内部。
另外，在打开供给路径442和阀453时，向加热部420供给IPA和N2气体。该情况下，加热部420加热IPA和N2气体的混合流体，从而生成IPA的蒸气(以下也称作“IPA气体”)。生成了的IPA气体经由供给路径415向喷出部410供给，并自喷出部410向干燥处理槽300的内部喷出。与疏水化气体相同地，IPA气体也充满干燥处理槽300的内部。
(关于基板升降机构92)
基板升降机构92包括保持构件921、支承保持构件921的轴922以及使轴922升降的移动机构923。保持构件921将与一个批的量对应的多个晶圆W保持为垂直姿势且沿水平方向(此处为Y轴方向)以一定的间隔排列着的状态。轴922沿着铅垂方向延伸，在该轴922的下部支承保持构件921。轴922以能够相对于在盖部302的上部设置的未图示的开口滑动的方式贯穿于该开口。
移动机构923例如包括马达、滚珠丝杠、缸体等，用于使轴922沿着铅垂方向移动。移动机构923使轴922升降，从而使被轴922支承的保持构件921升降。由此，保持于保持构件921的多个晶圆W能够在贮存槽201与干燥处理槽300之间移动。
＜基板处理装置的具体动作＞
接着，参照图4～图13说明第1实施方式所涉及的基板处理装置1的具体动作。图4是表示第1实施方式所涉及的基板处理装置1所执行的处理的步骤的一个例子的流程图。图5是表示干燥处理的步骤的一个例子的流程图。另外，图6是表示送入处理的动作例的图，图7是表示冲洗处理的动作例的图，图8和图9是表示置换处理的动作例的图。另外，图10是表示移动处理的动作例的图，图11是表示疏水化气体供给处理的动作例的图，图12是表示IPA气体供给处理的动作例的图，图13是表示送出处理的动作例的图。
如图4所示，在基板处理装置1中，首先，在蚀刻处理装置60中进行蚀刻处理(步骤S101)。具体而言，批输送机构50的基板保持构件53接收形成于批输送台40的批，批输送机构50的移动构件52将接收到的批输送到蚀刻处理装置60的处理槽61的前方。然后，基板升降机构63接收输送来的批，并将接收到的批浸渍在贮存于处理槽61的蚀刻液中。
然后，基板保持构件53接收批，移动构件52将接收到的批输送到处理槽62的前方。然后，基板升降机构64接收输送来的批，并将接收到的批浸渍在贮存于处理槽62的冲洗液(DIW)中。
接着，在基板处理装置1中，在清洗处理装置70中进行清洗处理(步骤S102)。具体而言，批输送机构50的基板保持构件53接收蚀刻处理后的批，批输送机构50的移动构件52将接收到的批输送到清洗处理装置70的处理槽71的前方。然后，基板升降机构73接收输送来的批，并将接收到的批浸渍在贮存于处理槽71的清洗液中。
然后，基板保持构件53接收批，移动构件52将接收到的批输送到处理槽72的前方。然后，基板升降机构74接收输送来的批，并将接收到的批浸渍在贮存于处理槽72的冲洗液(DIW)中。
接着，在基板处理装置1中，在干燥处理装置90中进行干燥处理(步骤S103)。
首先，在干燥处理装置90中，进行将批向贮存槽201送入的送入处理(步骤S201)。具体而言，基板升降机构92的保持构件921自批输送机构50的基板保持构件53接收批(参照图6)。然后，干燥处理装置90使用未图示的移动机构使盖部302下降，并且使用移动机构923使轴922下降。由此，干燥处理槽300的主体部301的上部开口被盖部302封闭而干燥处理槽300成为密闭状态。
接着，在干燥处理装置90中，进行冲洗处理(步骤S202)。具体而言，干燥处理装置90使用移动机构923使轴922下降，从而使批浸渍在贮存于贮存槽201的DIW中(参照图7)。由此，利用DIW对与一个批的量对应的多个晶圆W进行冲洗处理。
接着，在干燥处理装置90中，进行置换处理(步骤S203)。具体而言，干燥处理装置90打开排液机构205的阀253(参照图3)，从而将贮存于贮存槽201的DIW自排液口251排出(参照图8)。然后，干燥处理装置90打开IPA供给系统230的阀233，从而自喷出部210喷出IPA，而向贮存槽201贮存IPA。由此，配置于贮存槽201的批浸渍在IPA中。于是，将在冲洗处理中附着于多个晶圆W的DIW置换成IPA(参照图9)。
如此，在第1实施方式所涉及的基板处理装置1中，在疏水化气体供给处理之前，将附着于多个晶圆W的DIW置换成了IPA。
本申请发明人进行了如下实验：在向附着有DIW的晶圆W供给疏水化气体(TMDMA的气体)的情况和在将晶圆W上的DIW置换成IPA之后供给相同的疏水化气体的情况下，对形成于晶圆W的表面的图案的倒塌率进行比较。其结果，前者的图案倒塌率为34.2％，相对于此，后者的图案倒塌率为0.5％。根据该结果可明确的是，通过进行将附着于晶圆W的DIW置换成IPA的置换处理，从而相比于不进行置换处理的情况，能够较佳地抑制图案倒塌。此外，作为通过置换成IPA而使图案倒塌率降低了的原因之一，考虑是因为：疏水化气体因与水接触而失活，由此无法充分地实现晶圆W的疏水化，通过置换成IPA来对此进行抑制。
在此，说明了在利用DIW进行了冲洗处理之后，在排出了贮存槽201内的DIW之后，向贮存槽201贮存IPA而进行置换处理的情况的例子。并不限定于此，干燥处理装置90例如也可以在贮存槽201贮存有DIW的状态下向贮存槽201贮存IPA，或者一边自贮存槽201排出DIW一边向贮存槽201贮存IPA。即，利用DIW进行的冲洗处理和利用IPA进行的置换处理也可以部分重叠地进行。另外，干燥处理装置90也可以预先向贮存槽201贮存IPA和DIW的混合液，并使批浸渍在该混合液中。干燥处理装置90只要使批浸渍在IPA浓度至少为90％以上的处理液中即可。
另外，基板处理装置1不一定必须在干燥处理装置90的液处理槽200中进行冲洗处理。即，干燥处理装置90也可以预先向贮存槽201贮存IPA，并使批浸渍在该IPA中，从而不进行冲洗处理而进行置换处理。此外，该情况下，在由清洗处理装置70进行的清洗处理中，将附着于晶圆W的DIW置换成IPA。
另外，在此，设为使用IPA进行置换处理，但也可以使用IPA以外的有机溶剂来进行置换处理。具体而言，作为置换处理所使用的有机溶剂，优选使用具有亲水基和疏水基的两亲性的有机溶剂。作为这样的有机溶剂，例如除IPA以外，可列举乙醇、丙酮等。
在步骤S203的置换处理结束时，在干燥处理装置90中，进行移动处理(步骤S204)。具体而言，基板升降机构92使用移动机构923使轴922上升，从而将保持于保持构件921的批自贮存槽201拉起(参照图10)。由此，将批配置于干燥处理槽300内。
接着，在干燥处理装置90中，进行疏水化气体供给处理(步骤S205)。具体而言，首先，干燥处理装置90使遮蔽门331向封闭干燥处理槽300的主体部301的下部开口的位置移动。由此，干燥处理槽300成为被盖部302和遮蔽门331密闭了的状态(参照图11)。然后，干燥处理装置90自喷出部410喷出加热了的疏水化气体(蒸气)。
疏水化气体充满在干燥处理槽300内，并与常温的晶圆W接触，从而在晶圆W的表面结露并附着于晶圆W。由此，将残留于晶圆W的IPA置换成疏水化剂(液体)，使晶圆W的表面疏水化。通过使晶圆W的表面疏水化，从而抑制形成于晶圆W的表面的图案的倒塌。
接着，在干燥处理装置90中，进行IPA气体供给处理(步骤S206)。具体而言，干燥处理装置90停止疏水化气体自喷出部410的喷出，并自喷出部410喷出加热了的IPA气体(蒸气)(参照图12)。由此，将残留于晶圆W的疏水化剂(液体)置换成IPA，IPA挥发，从而使晶圆W干燥。
如此，通过将残留于晶圆W的疏水化剂置换成表面自由能较小的IPA，从而能够进一步抑制图案的倒塌。另外，通过将残留于晶圆W的疏水化剂置换成IPA，能够利用IPA将来自疏水化剂的杂质从晶圆W的表面洗掉，因此能够降低残留于干燥处理后的晶圆W的微粒的量。
此外，干燥处理装置90不一定必须进行IPA气体供给处理。该情况下，干燥处理装置90也可以通过自喷出部410喷出N2气体从而使晶圆W干燥，来代替IPA气体供给处理。优选的是，利用加热部420加热N2气体。
接着，在干燥处理装置90中，进行送出处理(步骤S207)。具体而言，干燥处理装置90使盖部302和基板升降机构92上升(参照图13)。然后，干燥处理装置90将干燥处理后的批向批输送机构50的基板保持构件53传送。
(第2实施方式)
接着，参照图14说明第2实施方式所涉及的干燥处理装置。图14是第2实施方式所涉及的干燥处理用的处理槽的示意性的剖视图。另外，图15是表示第2实施方式所涉及的置换处理的动作例的图。
如图14所示，第2实施方式所涉及的处理槽91A包括处理液供给部204A。处理液供给部204A除了包括上述的多个喷出部210以外，还包括多个喷出部240。多个喷出部210配置于贮存槽201的内部，相对于此，多个喷出部240配置于贮存槽201的上方。多个喷出部210连接于DIW供给系统220，多个喷出部240连接于IPA供给系统230。
如此，第2实施方式所涉及的处理槽91A构成为，自配置于贮存槽201的内部的多个喷出部210喷出DIW，自配置于贮存槽201的上方的多个喷出部240喷出IPA。
多个喷出部240例如使用喷雾用喷头。多个喷出部240朝向贮存槽201的内部呈喷淋状喷出(喷雾)IPA。
此外，多个喷出部240至少配置为比多个喷出部210靠上方即可，不一定必须配置于贮存槽201的外部。
如图15所示，第2实施方式所涉及的干燥处理装置90在将附着于晶圆W的DIW置换成IPA的置换处理中，自多个喷出部240向配置于贮存槽201内的多个晶圆W呈喷淋状喷出IPA。
如此，不是向贮存槽201贮存IPA，而是以喷雾的方式向晶圆W供给IPA，从而能够抑制置换处理中的IPA的消耗量。
(第3实施方式)
在上述的第1、第2实施方式中，说明了在利用干燥处理装置90进行的干燥处理时进行晶圆W的疏水化的情况的例子，但使晶圆W疏水化的时刻并不限定于干燥处理时。
例如，基板处理装置1也可以在利用蚀刻处理装置60进行的蚀刻处理时进行晶圆W的疏水化。图16是第3实施方式所涉及的蚀刻处理用的处理槽的示意性的剖视图。
如图16所示，第3实施方式所涉及的处理槽61B包括疏水化液供给系统107。疏水化液供给系统107具有疏水化液供给源171、供给路径172、阀173以及流量调整器174。疏水化液供给源171供给疏水化液。供给路径172连接疏水化液供给源171和外槽102，并自疏水化液供给源171向外槽102供给疏水化液。阀173设于供给路径172，用于开闭供给路径172。流量调整器174设于供给路径172，用于调整向外槽102供给的疏水化液的流量。
如此，根据第3实施方式所涉及的基板处理装置，通过在处理槽61B设置疏水化液供给系统107，从而，例如，在多个晶圆W的蚀刻处理的过程中，能够并行地进行多个晶圆W的疏水化处理。
例如，处理槽61B也可以将混合有疏水化液的蚀刻液贮存于内槽101。即，处理槽61B也可以使用混合有疏水化液的蚀刻液从蚀刻处理的开始时起开始疏水化处理。另外，处理槽61B也可以预先将蚀刻液贮存于内槽101，在蚀刻处理开始了之后，开始自疏水化液供给系统107向内槽101供给疏水化液。该情况下，通过逐渐提高内槽101内的疏水化液的浓度，从而能够逐渐地自蚀刻处理向疏水化处理转变。
如此，也可以在蚀刻处理用的处理槽61B中进行疏水化处理。由此，例如，不仅能够抑制干燥处理装置90中的干燥处理后的图案倒塌，还能够抑制自蚀刻处理装置60向清洗处理装置70的输送时、自清洗处理装置70向干燥处理装置90的输送时的图案倒塌。
另外，也可以在具有与上述的蚀刻处理用的处理槽61相同的结构的清洗处理用的处理槽71中进行疏水化处理。清洗处理用的处理槽71代替磷酸水溶液供给系统103、硅供给系统104以及DIW供给系统105而包括清洗药液供给部。清洗药液供给部具有清洗药液供给源、供给路径、阀以及流量调整器。清洗药液供给源例如供给SC1作为清洗药液。供给路径连接清洗药液供给源和外槽，用于自清洗药液供给源向外槽供给磷酸水溶液。阀设于供给路径，用于开闭供给路径。流量调整器设于供给路径，用于调整向外槽供给的清洗药液的流量。
对于该处理槽71，通过设置上述的疏水化液供给系统107，能够与清洗处理并行地进行疏水化处理。
(第4实施方式)
基板处理装置1也可以在蚀刻处理装置或清洗处理装置所具备的冲洗处理用的处理槽中进行疏水化处理。对于这一点，以蚀刻处理装置所具备的冲洗处理用的处理槽为例进行说明。图17是第4实施方式所涉及的冲洗处理用的处理槽的示意性的剖视图。
如图17所示，第4实施方式所涉及的冲洗处理用的处理槽62C包括内槽601和外槽602。另外，处理槽62C包括处理液供给部603。
处理液供给部603包括多个喷出部610、DIW供给系统620、IPA供给系统630以及疏水化液供给系统640。
DIW供给系统620包括DIW供给源621、供给路径622、阀623以及流量调整器624。DIW供给源621供给DIW。供给路径622连接DIW供给源621和多个喷出部610，用于自DIW供给源621向多个喷出部610供给DIW。阀623设于供给路径622，用于开闭供给路径622。流量调整器624设于供给路径622，用于调整在供给路径622中流动的DIW的流量。
IPA供给系统630包括IPA供给源631、供给路径632、阀633以及流量调整器634。IPA供给源631供给IPA。供给路径632连接IPA供给源631和多个喷出部610，自IPA供给源631向多个喷出部610供给IPA。阀633设于供给路径632，用于开闭供给路径632。流量调整器634设于供给路径632，用于调整在供给路径632中流动的IPA的流量。
疏水化液供给系统640包括疏水化液供给源641、供给路径642、阀643以及流量调整器644。疏水化液供给源641供给疏水化液。供给路径642连接疏水化液供给源641和多个喷出部610，用于自疏水化液供给源641向多个喷出部610供给疏水化液。阀643设于供给路径642，用于开闭供给路径642。流量调整器644设于供给路径642，用于调整在供给路径642中流动的疏水化液的流量。
在该处理槽62C中，例如将DIW、IPA以及疏水化液的混合液贮存于内槽601。该情况下，通过使多个晶圆W浸渍于该混合液，能够并行地进行冲洗处理和疏水化处理。在此，不仅含有DIW和疏水化液还含有IPA的理由是因为疏水化液不易溶于DIW。即，通过添加对疏水化液和DIW这两者具有亲和性的IPA，能够促进疏水化液溶入于DIW。
在处理槽62C中，也可以在使用DIW、IPA以及疏水化液的混合液进行了多个晶圆W的冲洗处理和疏水化处理之后，使用DIW再次进行多个晶圆W的冲洗处理。该情况下，例如，只要在自处理槽62C的未图示的排液口将混合液排出了之后，将自DIW供给系统620供给的DIW贮存于内槽601，从而使多个晶圆W浸渍在DIW中即可。
图18是第4实施方式的变形例所涉及的冲洗处理用的处理槽的示意性的剖视图。如图18所示，变形例所涉及的处理槽62D包括处理液供给部603D、604。
处理液供给部604包括DIW供给系统620D和配置于内槽601的内侧底部的多个喷出部610，通过将自DIW供给系统620D供给的DIW自多个喷出部610喷出，从而向内槽601贮存DIW。此外，DIW供给系统620D的结构与DIW供给系统620的结构相同。
处理液供给部603D包括多个喷出部650、DIW供给系统620、IPA供给系统630以及疏水化液供给系统640。DIW供给系统620、IPA供给系统630以及疏水化液供给系统640连接于多个喷出部650，分别向多个喷出部650供给DIW、IPA以及疏水化液。多个喷出部650配置于内槽601的上方，将DIW、IPA以及疏水化液的混合液朝向内槽601的内部呈喷淋状喷出。
在变形例所涉及的处理槽62D中，例如在使用贮存于内槽601的DIW进行了冲洗处理之后，自未图示的排液口将DIW排出。然后，在变形例所涉及的处理槽62D中，通过自多个喷出部650将DIW、IPA以及疏水化液的混合液呈喷淋状喷出，从而向冲洗处理后的多个晶圆W供给疏水化液。
如此，处理槽62D也可以将DIW、IPA以及疏水化液的混合液呈喷淋状喷出，从而使多个晶圆W疏水化。
(其他的实施方式)
在上述的第1、第2实施方式中，说明了在干燥处理装置90中向多个晶圆W供给疏水化剂的气体的情况的例子，但干燥处理装置90也可以向多个晶圆W供给疏水化剂的液体。该情况下，例如，只要在处理液供给部204设置与疏水化液供给系统430相同的供给系统，并向贮存槽201贮存DIW、IPA以及疏水化液的混合液即可。由此，能够与冲洗处理并行地进行疏水化处理。
在上述的各实施方式中，说明了在蚀刻处理装置60、清洗处理装置70以及干燥处理装置90中进行疏水化处理的情况的例子。并不限定于此，基板处理装置1也可以包括与蚀刻处理装置60、清洗处理装置70以及干燥处理装置90不同的用于进行疏水化处理的专用的处理槽。
如上述说明了的那样，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一个例子，基板处理装置1)包括液处理槽(作为一个例子，处理槽61、62、71、72、91)和疏水化气体供给部(作为一个例子，喷出部410、IPA供给系统440和N2供给系统450)。液处理槽贮存处理液(作为一个例子，DIW、IPA、蚀刻液、清洗液等)，将多个基板(作为一个例子，晶圆W)浸渍在处理液中，从而对多个基板进行液处理。疏水化气体供给部向液处理后的多个基板供给疏水化剂的气体(作为一个例子，疏水化气体)。由此，在成批处理多个基板的批量式的基板处理装置中，能够抑制图案的倒塌。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置还包括干燥处理槽(作为一个例子，干燥处理槽300)和移动机构(作为一个例子，移动机构923)。干燥处理槽配置于液处理槽(作为一个例子，液处理槽200)的上部，用于进行多个基板的干燥处理。移动机构将多个基板自液处理槽拉起并使其向干燥处理槽移动。该情况下，疏水化气体供给部也可以向干燥处理槽的内部供给疏水化剂的气体。通过使疏水化气体充满于干燥处理槽内，能够高效地使疏水化剂附着于基板。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置还包括有机溶剂供给部(作为一个例子，喷出部410、疏水化液供给系统430和N2供给系统450)，该有机溶剂供给部用于向干燥处理槽的内部供给有机溶剂的蒸气(作为一个例子，IPA气体)。
通过将残留在基板的疏水化剂置换成表面自由能较小的有机溶剂，能够进一步抑制图案的倒塌。另外，通过将残留在基板的疏水化剂置换成有机溶剂，能够利用有机溶剂将来自疏水化剂的杂质从基板的表面洗掉，因而能够降低在干燥处理后的基板上残留的微粒的量。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置包括处理液供给部(作为一个例子，处理液供给部204)，该处理液供给部用于向液处理槽供给处理液。该情况下，也可以是，处理液供给部包括有机溶剂供给系统(作为一个例子，IPA供给系统230)，该有机溶剂供给系统用于供给有机溶剂(作为一个例子，IPA)。通过将附着于基板的水置换成有机溶剂，能够较佳地抑制图案倒塌。
也可以是，处理液供给部还包括水供给系统(作为一个例子，DIW供给系统220)，该水供给系统用于供给水(作为一个例子，DIW)。该情况下，可以是，处理液供给部还包括喷出部(作为一个例子，喷出部210)，该喷出部配置于液处理槽的内部，连接于有机溶剂供给系统和水供给系统。由此，例如，能够预先将水和有机溶剂的混合液贮存于液处理槽，并使多个基板浸渍在该混合液中，从而使有机溶剂附着于多个基板。另外，能够预先向液处理槽贮存水，在使多个基板浸渍在水中之后，自液处理槽将水排出，然后，向液处理槽贮存有机溶剂，而使多个基板浸渍在有机溶剂中。
也可以是，处理液供给部包括有机溶剂喷出部(作为一个例子，喷出部240)和水喷出部(作为一个例子，喷出部210)。有机溶剂喷出部连接于有机溶剂供给系统，用于将有机溶剂向液处理槽的内部喷出。水喷出部连接于水供给系统，用于将水向液处理槽的内部喷出。
也可以是，有机溶剂喷出部配置为比水喷出部靠上方，将有机溶剂朝向液处理槽的内部呈喷淋状喷出。通过将有机溶剂呈喷淋状喷出并向多个基板供给，能够抑制有机溶剂的消耗量。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置包括处理液供给部(作为一个例子，磷酸水溶液供给系统103、硅供给系统104、DIW供给系统105、循环部106以及疏水化液供给系统107)。处理液供给部用于向液处理槽(作为一个例子，内槽101)供给处理液。该情况下，也可以是，处理液供给部包括用于供给多个基板的药液处理所使用的药液(作为一个例子，蚀刻液)的药液供给系统(作为一个例子，磷酸水溶液供给系统103、硅供给系统104以及DIW供给系统105)和用于供给疏水化剂的液体的疏水化液供给系统(作为一个例子，疏水化液供给系统107)。通过在进行药液处理的处理槽中还进行多个基板的疏水化，例如，能够抑制多个基板的自进行药液处理的处理槽向其他的处理槽的输送过程中的图案倒塌。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置包括处理液供给部(作为一个例子，处理液供给部603、603D)。处理液供给部用于向液处理槽(作为一个例子，处理槽62、62D)供给处理液。该情况下，也可以是，处理液供给部包括用于供给多个基板的冲洗处理所使用的水的水供给系统(作为一个例子，DIW供给系统620、620D)和用于供给疏水化剂的液体的疏水化液供给系统(作为一个例子，疏水化液供给系统640)。通过在进行冲洗处理的处理槽中还进行多个基板的疏水化，例如，能够抑制多个基板的自进行冲洗处理的处理槽向其他的处理槽的输送过程中的图案倒塌。
也可以是，处理液供给部还包括有机溶剂供给系统(作为一个例子，IPA供给系统630)，该有机溶剂供给系统用于供给有机溶剂(作为一个例子，IPA)。通过添加对疏水化剂和水这两者具有亲和性的有机溶剂，能够促进疏水化剂溶入于水。
应该认为此次公开了的实施方式在所有的方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种形态来具体实现。另外，上述的实施方式在不脱离附加的权利要求书及其主旨的范围内，能够以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
附图标记说明
W、晶圆；1、基板处理装置；60、蚀刻处理装置；70、清洗处理装置；90、干燥处理装置；61、62、71、72、91、处理槽；92、基板升降机构；200、液处理槽；204、处理液供给部；300、干燥处理槽；400、气体供给部；410、喷出部；420、加热部；430、疏水化液供给系统；440、IPA供给系统；450、N2供给系统。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
液处理槽，其贮存处理液，将多个基板浸渍在所述处理液中，从而对所述多个基板进行液处理；以及
疏水化气体供给部，其用于向所述液处理后的所述多个基板供给疏水化剂的气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括：
干燥处理槽，其配置于所述液处理槽的上部，用于对所述多个基板进行干燥处理；以及
移动机构，其用于将所述多个基板自所述液处理槽拉起并使其向所述干燥处理槽移动，
所述疏水化气体供给部用于向所述干燥处理槽的内部供给所述疏水化剂的气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括有机溶剂供给部，该有机溶剂供给部用于向所述干燥处理槽的内部供给有机溶剂的蒸气。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括处理液供给部，该处理液供给部用于向所述液处理槽供给所述处理液，
所述处理液供给部包括有机溶剂供给系统，该有机溶剂供给系统用于供给有机溶剂。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部还包括水供给系统，该水供给系统用于供给水。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部还包括喷出部，该喷出部配置于所述液处理槽的内部，连接于所述有机溶剂供给系统和所述水供给系统。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部包括：
有机溶剂喷出部，其连接于所述有机溶剂供给系统，用于将所述有机溶剂向所述液处理槽的内部喷出；以及
水喷出部，其连接于所述水供给系统，用于将所述水向所述液处理槽的内部喷出。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述有机溶剂喷出部配置为比所述水喷出部靠上方，用于将所述有机溶剂朝向所述液处理槽的内部呈喷淋状喷出。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括处理液供给部，该处理液供给部用于向所述液处理槽供给所述处理液，
所述处理液供给部包括：
药液供给系统，其用于供给在对所述多个基板进行的药液处理中使用的药液；以及
疏水化液供给系统，其用于供给所述疏水化剂的液体。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括处理液供给部，该处理液供给部用于向所述液处理槽供给所述处理液，
所述处理液供给部包括：
水供给系统，其用于供给在对所述多个基板进行的冲洗处理中使用的水；以及
疏水化液供给系统，其用于供给所述疏水化剂的液体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部还包括有机溶剂供给系统，该有机溶剂供给系统用于供给有机溶剂。
12.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
液处理槽，其用于贮存处理液，将多个基板浸渍在所述处理液中，从而对所述多个基板进行液处理；
处理液供给部，其用于向所述液处理槽供给所述处理液；
疏水化气体供给部，其用于向所述多个基板供给疏水化剂的气体；以及
控制部，其用于控制所述处理液供给部和所述疏水化气体供给部，
所述处理液供给部包括有机溶剂供给系统，该有机溶剂供给系统用于供给有机溶剂，
所述控制部控制所述处理液供给部，将自所述有机溶剂供给系统供给的所述有机溶剂向所述液处理槽供给，从而向配置于所述液处理槽的所述多个基板供给所述有机溶剂，之后，所述控制部控制所述疏水化气体供给部，向所述多个基板供给所述疏水化剂的气体。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
干燥处理槽，其配置于所述液处理槽的上部，用于对所述多个基板进行干燥处理；
移动机构，其用于将所述多个基板自所述液处理槽拉起并使其向所述干燥处理槽移动；以及
有机溶剂供给部，其用于向所述干燥处理槽的内部供给有机溶剂的蒸气，
所述疏水化气体供给部用于向所述干燥处理槽的内部供给所述疏水化剂的气体，
所述控制部在向配置于所述液处理槽的所述多个基板供给了所述有机溶剂之后，控制所述移动机构，将所述多个基板自所述液处理槽拉起，然后，控制所述疏水化气体供给部，向所述干燥处理槽的内部供给所述疏水化剂的气体，然后，控制所述有机溶剂供给部，向所述干燥处理槽的内部供给所述有机溶剂的蒸气。
14.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括以下工序：
通过使多个基板浸渍在贮存于液处理槽的处理液中，从而对所述多个基板进行液处理；以及
在所述液处理的工序之后，向所述多个基板供给疏水化剂的气体。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括以下工序：在供给所述疏水化剂的气体的工序之前，将因所述液处理的工序而附着于所述多个基板的作为所述处理液的水置换成有机溶剂，
在所述液处理的工序中，通过将作为所述处理液的水贮存于所述液处理槽，从而使所述多个基板浸渍在贮存于所述液处理槽的所述水中。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
在所述置换的工序中，向因所述液处理的工序而附着有所述水的所述多个基板呈喷淋状喷出所述有机溶剂。
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