CN117747419A - 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 - Google Patents

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    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。

Description

基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
本申请是申请日为2020年2月21日、申请号为202010107820.6、发明名称为“基板处理方法、基板处理装置以及存储介质”的申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。
背景技术
以往，作为半导体的制造工序之一，已知一种对形成于半导体晶圆等基板的膜进行蚀刻的蚀刻工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5448521号说明书
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够高效地蚀刻具有多种膜的基板的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
基于本公开的另一个方式的基板处理方法包括以下工序：第一蚀刻工序，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板；变更工序，将蚀刻速率从所述第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率；以及第二蚀刻工序，以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板，其中，在所述第一蚀刻工序开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，在所述第一蚀刻工序中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻工序中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给含有多个成分的药液来蚀刻所述基板，所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，所述基板处理方法还具有更换工序，在更换工序中，进行控制以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。
基于本公开的一个方式的基板处理装置，具备：供给部，其向具有第一膜和第二膜的基板供给药液；变更部，其变更所述供给部供给所述药液的供给条件；以及控制部，其执行使用所述药液以第一蚀刻速率蚀刻所述基板的第一蚀刻处理、通过控制所述变更部来将蚀刻速率变更为与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率的变更处理、以及使用所述药液以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板的第二蚀刻处理，其中，所述药液含有多个成分，在所述第一蚀刻处理开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，在所述第一蚀刻处理中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻处理中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过向所述基板供给所述药液来蚀刻所述基板，所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，所述控制部还执行更换处理，在更换处理中，控制所述变更部以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。
基于本公开的一个方式的存储介质是存储有在计算机上运行来控制基板处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，所述程序在被执行时使计算机控制所述基板处理装置，以进行以上所述的基板处理方法。
发明的效果
根据本公开，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图3是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置执行的处理的过程的流程图。
图4是第一实施方式所涉及的变更处理的说明图。
图5是第二实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图6是第三实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图7是表示第四实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图8是表示第四实施方式所涉及的第一处理槽的结构的图。
图9是表示第四实施方式所涉及的第二处理槽的结构的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明用于实施基于本公开的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质的方式(下面记载为“实施方式”)。此外，基于本公开的基板处理方法、基板处理装置和存储介质不限定于本实施方式。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当进行地组合。另外，在下面的各实施方式中，对同一部位标注同一标记并省略重复的说明。
另外，在下面参照的各附图中，为了容易理解说明，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，有时表示将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。
(第一实施方式)
<关于第一实施方式所涉及的基板处理>
首先，参照图1来说明第一实施方式所涉及的基板处理的内容。图1是第一实施方式所涉及的基板处理的说明图。
如图1所示，第一实施方式所涉及的基板处理例如对在多晶硅膜100上形成有钨膜101、氮化钛膜102以及硅氧化膜103的晶圆W进行蚀刻。具体地说，在多晶硅膜100上，以彼此隔开间隔的方式形成有多层硅氧化膜103，氮化钛膜102以覆盖硅氧化膜103的方式形成于各硅氧化膜103的周围。另外，钨膜101以覆盖氮化钛膜102和硅氧化膜103的方式形成。因而，在蚀刻处理前，氮化钛膜102和硅氧化膜103为被钨膜101覆盖的状态。
在第一实施方式所涉及的基板处理中，通过对钨膜101和氮化钛膜102进行凹蚀来在晶圆W上形成凹部。在第一实施方式所涉及的基板处理中，作为用于蚀刻钨膜101和氮化钛膜102的药液，使用含有磷酸(H3PO4)、醋酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)以及水(H2O)来作为成分的药液。
具体地说，在第一实施方式所涉及的基板处理中，首先仅蚀刻钨膜101来使氮化钛膜102露出(第一蚀刻处理)。之后，在第一实施方式所涉及的基板处理中，同时蚀刻钨膜101和氮化钛膜102(第二蚀刻处理)。
在同时蚀刻钨膜101和氮化钛膜102的第二蚀刻处理中，钨膜101与氮化钛膜102的选择比优选为1：1。然而，当使用以使选择比成为1：1的混合比将上述多个成分混合而成的药液来进行一系列的处理时，具有在第一蚀刻处理中蚀刻钨膜101所需的时间变长的风险，效率不高。
因此，在第一实施方式所涉及的基板处理中，设为使用以使钨膜101相对于氮化钛膜102的选择比大于1的混合比将各成分混合而成的药液来进行第一蚀刻处理。由此，能够使第一蚀刻处理中的钨膜101的蚀刻速率比使用选择比为1：1的药液进行第一蚀刻处理的情况下的钨膜101的蚀刻速率高。因而，能够在第一蚀刻处理中在短时间内蚀刻钨膜101。换言之，能够缩短第一蚀刻处理的处理时间。
接下来，在第一实施方式所涉及的基板处理中，进行变更钨膜101的蚀刻速率的变更处理。具体地说，在第一实施方式所涉及的基板处理中，变更药液中的各成分的混合比，由此使钨膜101的蚀刻速率降低来将钨膜101与氮化钛膜102的选择比设为1：1。
在此，本申请的发明人通过实验发现：相比药液的其它成分而言药液中的水的比例越多，则钨膜101和氮化钛膜102的蚀刻速率、特别是钨膜101的蚀刻速率越大。因此，在第一实施方式所涉及的基板处理中，通过变更药液的混合比以使第二蚀刻处理中的药液的水分浓度比第一蚀刻处理中的药液的水分浓度低，来使钨膜101的蚀刻速率降低。在后文中详细地叙述该点。
在第一实施方式所涉及的基板处理中，在第一蚀刻处理完成之前、即氮化钛膜102从钨膜101露出之前完成变更处理即可。
之后，在第一实施方式所涉及的基板处理中，进行同时蚀刻钨膜101和氮化钛膜102的第二蚀刻处理。在第二蚀刻处理开始前，通过变更处理将钨膜101与氮化钛膜102的选择比变更为1：1。因此，在第一实施方式所涉及的基板处理中，能够在第二蚀刻处理中以同等的蚀刻速率蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。因而，能够高精度地在晶圆W上形成凹部。
像这样，在第一实施方式所涉及的基板处理中，在第一蚀刻处理中以第一蚀刻速率蚀刻钨膜101。另外，在第一实施方式所涉及的基板处理中，通过使钨膜101的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率，来将钨膜101与氮化钛膜102的选择比变更为1：1。而且，在第一实施方式所涉及的基板处理中，进行以1：1的选择比蚀刻钨膜101和氮化钛膜102的第二蚀刻处理。
因而，根据第一实施方式所涉及的基板处理，能够高效地蚀刻具有多种膜的晶圆W。
<基板处理装置的结构>
接着，参照图2来说明执行上述的基板处理的基板处理装置的结构。图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
在图2所示的基板处理装置1中，使以垂直姿势被保持的多个晶圆W浸在药液中，由此统一地进行针对多个晶圆W的蚀刻处理。如上述那样，在蚀刻处理中使用含有磷酸、醋酸、硝酸以及水的药液，通过该蚀刻处理来蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。
如图2所示，第一实施方式所涉及的基板处理装置1具备处理槽10、基板保持部20、药液供给部30、循环部40、单独供给部50以及控制装置60。
(处理槽)
处理槽10具备内槽11和外槽12。内槽11为上方敞开的箱形的槽，在该内槽11的内部贮存药液。将由多个晶圆W形成的基板组浸在内槽11中。外槽12的上方敞开，该外槽12配置在内槽11的上部周围。从内槽11溢出来的药液流入外槽12。
(基板保持部20)
基板保持部20将多个晶圆W以垂直姿势(纵向的状态)保持。另外，基板保持部20将多个晶圆W以在水平方向(在此为Y轴方向)上隔开固定间隔地排列的状态保持。基板保持部20与未图示的升降机构连接，能够使多个晶圆W在处理槽10的内部的处理位置与处理槽10的上方的待机位置之间移动。
(药液供给部30)
药液供给部30具备药液供给源31、药液供给线路32以及第一阀33。药液供给源31供给含有磷酸、醋酸、硝酸以及水来作为成分的药液。具体地说，药液供给源31供给以使钨膜101相对于氮化钛膜102的选择比大于1的混合比将各成分混合而成的药液。换言之，药液供给源31供给按以第一蚀刻速率(>第二蚀刻速率)蚀刻钨膜101的混合比将各成分混合而成的药液。
药液供给线路32与药液供给源31连接，用于将来自药液供给源31的药液供给至处理槽10的外槽12。第一阀33设置于药液供给线路32上，用于将药液供给线路32打开和关闭。第一阀33与后述的控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
(循环部40)
循环部40使药液在内槽11与外槽12之间循环。循环部40具备循环线路41、多个药液供给喷嘴42、泵43、加热器44、浓度计45以及过滤器46。另外，循环部40具备排液线路47和第二阀48。
循环线路41将外槽12与内槽11连接。循环线路41的一端与外槽12连接，循环线路41的另一端与配置于内槽11的内部的多个药液供给喷嘴42连接。
泵43、加热器44、浓度计45以及过滤器46设置于循环线路41上。泵43用于将外槽12内的药液送出至循环线路41中。加热器44将在循环线路41中流动的药液加热至适于蚀刻处理的温度。浓度计45测定在循环线路41中流动的药液的浓度。具体地说，浓度计45测定药液的各成分即磷酸、醋酸、硝酸以及水的浓度。此外，循环部40可以具备多个浓度计，具体地说，可以具备测定磷酸的浓度的浓度计、测定醋酸的浓度的浓度计、测定硝酸的浓度的浓度计以及测定水的浓度的浓度计。过滤器46从在循环线路41中流动的药液中去除杂质。
排液线路47为从浓度计45与过滤器46之间的循环线路41分支出来的流路，用于将在循环线路41中流动的药液排出至基板处理装置1的外部。此外，要排出的药液被加热器44加热。因此，可以在排液线路47上设置用于将加热后的药液进行冷却的冷却部。第二阀48设置于排液线路47上，用于将排液线路47打开和关闭。
贮存在外槽12中的药液通过循环线路41后从多个药液供给喷嘴42供给至内槽11。被供给至内槽11的药液通过从内槽11溢出后再次向外槽12流出。通过这样，药液在内槽11与外槽12之间循环。
泵43、加热器44以及第二阀48与控制部61电连接，由控制部61进行控制。另外，浓度计45与控制部61电连接，将浓度的测定结果输出至控制部61。
(单独供给部50)
单独供给部50具备水供给源51a、磷酸供给源51b、醋酸供给源51c、硝酸供给源51d、水供给线路52a、磷酸供给线路52b、醋酸供给线路52c、硝酸供给线路52d以及第三阀53a～第六阀53d。
水供给源51a供给水。从水供给源51a供给的水例如为脱离子水。水供给线路52a与水供给源51a连接，用于将来自水供给源51a的水供给至处理槽10的外槽12。第三阀53a设置于水供给线路52a上，用于将水供给线路52a打开和关闭。第三阀53a与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
磷酸供给源51b供给磷酸。磷酸供给线路52b与磷酸供给源51b连接，用于将来自磷酸供给源51b的磷酸供给至外槽12。第四阀53b设置于磷酸供给线路52b上，用于将磷酸供给线路52b打开和关闭。第四阀53b与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
醋酸供给源51c供给醋酸。醋酸供给线路52c与醋酸供给源51c连接，用于将来自醋酸供给源51c的醋酸供给至外槽12。第五阀53c设置于醋酸供给线路52c上，用于将醋酸供给线路52c打开和关闭。第五阀53c与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
硝酸供给源51d供给硝酸。硝酸供给线路52d与硝酸供给源51d连接，将来自硝酸供给源51d的硝酸供给至外槽12。第六阀53d设置于硝酸供给线路52d上，用于将硝酸供给线路52d打开和关闭。第六阀53d与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
第三阀53a～第六阀53d与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
(控制装置60)
控制装置60例如为计算机，具备控制部61和存储部62。存储部62例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或硬盘、光盘等存储装置实现，存储用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部61包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路，通过读出存储部62中存储的程序并执行该程序来控制基板处理装置1的动作。
此外，所述程序可以记录在可由计算机读取的存储介质中，并且从该存储介质中安装至控制装置60的存储部62中。作为可由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
(基板处理装置1的具体动作)
接着，参照图3和图4来说明第一实施方式所涉及的基板处理装置1的具体动作。图3是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置1执行的处理的过程的流程图。图4是第一实施方式所涉及的变更处理的说明图。
如图3所示，在基板处理装置1中，进行第一蚀刻处理(步骤S101)。在第一蚀刻处理中，控制部61对搬送多个晶圆W的未图示的基板搬送装置进行控制，来将多个晶圆W向基板保持部20交接。之后，控制部61控制未图示的升降机构来使基板保持部20下降，由此使多个晶圆W浸在贮存于处理槽10的药液中。
在第一蚀刻处理中，在处理槽10中贮存从药液供给部30供给的药液、即以使钨膜101相对于氮化钛膜102的选择比大于1的混合比将各成分混合而成的药液。由此，以比后述的第二蚀刻处理中的钨膜101的蚀刻速率即第二蚀刻速率高的第一蚀刻速率在短时间内蚀刻形成在多个晶圆W上的钨膜101。
如图4所示，在第一蚀刻处理中，控制部61例如基于浓度计45的测定结果来进行水供给线路52a的第三阀53a、醋酸供给线路52c的第五阀53c以及硝酸供给线路52d的第六阀53d的打开和关闭。由此，通过向处理槽10中补充水、醋酸以及硝酸来将处理槽10内的药液的浓度保持为固定。
接下来，控制部61例如判定从开始第一蚀刻处理起是否经过了预先设定的时间(步骤S102)。上述“预先设定的时间”例如设定为比从第一蚀刻处理的需要时间减去使钨膜101的蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率所需的时间而得到的时间短的时间。控制部61重复进行步骤S102的判定处理，直至经过设定时间为止(步骤S102，“否”)。
另一方面，在步骤S102中，在判定为经过了设定时间的情况下(步骤S102，“是”)，控制部61开始变更处理(步骤S103)。
在变更处理中，控制部61通过打开第二阀48来将在循环线路41中流动的药液从排液线路47向基板处理装置1外部排出。另外，控制部61通过关闭第三阀53a和第五阀53c来使针对处理槽10的水和醋酸的供给停止，通过打开第四阀53b和第六阀53d来向处理槽10供给磷酸和硝酸。
通过使针对处理槽10的水的供给停止，处理槽10中贮存的药液的水分浓度降低。其结果是，钨膜101的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率，钨膜101与氮化钛膜102的选择比变更为1：1。
像这样，在基板处理装置1中，设为通过变更药液中包含的多个成分的混合比来使钨膜101的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。由此，能够在第一蚀刻处理中以第一蚀刻速率在短时间内蚀刻钨膜101，并且在第二蚀刻处理中以1：1的选择比蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。
另外，在基板处理装置1中，设为通过减少药液中包含的多个成分中的水的混合比来使钨膜101的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。如上述那样，相比药液的其它成分而言水的比例越多，则钨膜101的蚀刻速率越容易增加。因此，通过减少水的混合比，相比于变更其它成分的混合比的情况而言，能够在短时间内使钨膜101的蚀刻速率降低。
并且，在基板处理装置1中，设为将药液的一部分从处理槽10排出并且向处理槽10供给相比排出的药液而言水的混合比少的新的药液(在此为含有磷酸和硝酸的药液)，由此使钨膜101的蚀刻速率降低。像这样，通过将水分浓度高的药液从处理槽10排出，能够在更短的时间内使水的混合比降低。即，能够在更短的时间内使钨膜101的蚀刻速率降低。
接下来，在基板处理装置1中，进行第二蚀刻处理(步骤S104)。在第二蚀刻处理中，向露出钨膜101和氮化钛膜102的晶圆W供给以1：1的选择比蚀刻钨膜101和氮化钛膜102的药液。由此，以同等的蚀刻速率(第二蚀刻速率)蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。当结束第二蚀刻处理时，控制部61结束一系列的基板处理。
此外，如图4所示，在第二蚀刻处理中，控制部61与第一蚀刻处理时同样地进行第三阀53a、第五阀53c和第六阀53d的开闭控制，由此将处理槽10内的药液的浓度保持为固定。
(第二实施方式)
接着，参照图5来说明第二实施方式所涉及的基板处理。图5是第二实施方式所涉及的基板处理的说明图。如图5所示，在第二实施方式所涉及的基板处理中，在变更处理中使药液的温度降低。由此，使钨膜101和氮化钛膜102的蚀刻速率从第一蚀刻处理中的第一蚀刻速率R1降低至第二蚀刻处理中的第二蚀刻速率R2。
药液具有温度依赖性，具有药液的温度越高则钨膜101和氮化钛膜102的蚀刻速率越大的倾向。因而，在变更处理前的第一蚀刻处理中，向晶圆W供给比较高温的第一温度T1的药液，由此能够以比较高的第一蚀刻速率R1蚀刻钨膜101。即，在第一蚀刻处理中，能够在比较短的时间内蚀刻钨膜101。
另外，在变更处理后的第二蚀刻处理中，向晶圆W供给比第一温度T1低的第二温度T2的药液。因此，以比第一蚀刻速率R1低的第二蚀刻速率R2蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。由此，例如能够抑制在第二蚀刻处理中过度地蚀刻钨膜101和氮化钛膜102。另外，能够抑制第二蚀刻处理后的钨膜101和氮化钛膜102的表面粗糙。
像这样，在第二实施方式所涉及的基板处理中，在变更处理中将药液的温度从第一温度T1变更为比第一温度T1低的第二温度T2，由此使蚀刻速率从第一蚀刻速率R1降低至第二蚀刻速率R2。因而，根据第二实施方式所涉及的基板处理，能够缩短第一蚀刻处理的处理时间，并且能够提高第二蚀刻处理的处理精度。此外，第一温度T1与第二温度T2的温度差例如约为5℃以下。基板处理装置1可以具备用于测定处理槽10或循环部40中的药液的温度的温度测定部，控制部61可以基于该温度测定部的测定结果来控制药液的温度。
另外，本申请的发明人发现：相对于药液温度的变化，钨膜101与氮化钛膜102的选择比的变化小。像这样，即使改变药液的温度，钨膜101与氮化钛膜102的选择比也几乎不变化，因此例如不需要费力变更药液的混合比以将选择比维持为1：1，容易进行选择比的控制。
此外，在第二实施方式中，药液供给部30的药液供给源31供给混合有各成分的药液，以使钨膜101与氮化钛膜102的选择比为1：1。由此，在第二实施方式中，在处理槽10中贮存使钨膜101与氮化钛膜102的选择比为1：1的药液。
另外，第二实施方式所涉及的控制部61能够在变更处理中例如通过使加热器44停止来使处理槽10中贮存的药液的温度降低。但不限于此，第二实施方式所涉及的基板处理装置1可以在循环线路41上具备未图示的冷却部。在该情况下，控制部61可以通过在变更处理中使加热器44停止并且使未图示的冷却部动作，来使处理槽10中贮存的药液的温度降低。通过使用冷却部积极地冷却药液，能够缩短变更处理所需的时间。作为冷却部，例如能够使用冷却旋管、冷却夹套等。
此外，控制部61可以在第一实施方式中的变更处理中通过控制加热器44、未图示的冷却部来如第二实施方式所涉及的变更处理那样变更药液的温度。由此，例如能够进一步缩短第一蚀刻处理所需的时间。另外，能够进一步提高第二蚀刻处理中的处理精度。
(第三实施方式)
接着，参照图6来说明第三实施方式所涉及的基板处理。图6是第三实施方式所涉及的基板处理的说明图。
当进行第一蚀刻处理、第二蚀刻处理时，钨膜101中含有的钨、氮化钛膜102中含有的钛等金属溶出至药液中，由此药液的金属浓度逐渐上升。在使用金属浓度高的药液进行了蚀刻处理的情况下，例如具有蚀刻速率发生变动或对产品晶圆的电气特性产生影响的风险。因而，优选的是抑制药液的金属浓度的上升。
在此，每当一系列的基板处理结束时，将处理槽10内的药液全部排出并且替换为不含有金属的新的药液，由此能够抑制金属浓度的上升。然而，从削减药液的使用量的观点或削减药液更换所需的时间的观点出发，这样的方法并不优选。
因此，如图6所示，控制部61可以在一系列的基板处理中进行抑制药液的金属浓度的上升以使药液的金属浓度不超过阈值TH的金属浓度抑制处理。
具体地说，控制部61在一系列的基板处理中将处理槽10内的药液的一部分从排液线路47排出，并且从药液供给部30向处理槽10供给不含有金属的新的药液。像这样，在一系列的基板处理中，将含有金属的药液的一部分置换为不含有金属的新的药液，由此能够抑制药液的金属浓度的上升。在一系列的基板处理中进行该金属浓度抑制处理，因此能够缩短药液更换所需的时间。另外，不将药液的全部更换为新的药液，将药液的一部分更换为新的药液，由此能够抑制药液的使用量。
控制部61例如可以在从开始第一蚀刻处理起经过了预先设定的时间的情况下开始金属抑制处理。在此，“预先设定的时间”例如为处理槽10内的药液的金属浓度从0ppm达到阈值TH为止的时间，预先通过实验等计算该“预先设定的时间”。此外，还有时在含有金属的药液(金属浓度为阈值TH的药液)贮存在处理槽10中的状态下开始一系列的基板处理。在该情况下，控制部61可以使金属抑制处理与第一蚀刻处理同时开始。
另外，能够通过上述实验等计算出金属浓度的时间变化率。控制部61基于该信息来控制第二阀48和第一阀33，由此能够以适当的量、适当的定时进行药液的置换，以使药液的金属浓度收敛于以阈值TH为中心的阈值范围内。
(第四实施方式)
在上述的实施方式中，设为利用一个处理槽10来进行第一蚀刻处理和第二蚀刻处理，但第一蚀刻处理和第二蚀刻处理也可以在不同的处理槽中进行。图7是表示第四实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
如图7所示，第四实施方式所涉及的基板处理装置1A具备第一蚀刻处理装置70、第二蚀刻处理装置80以及搬送装置90。
第一蚀刻处理装置70具备第一蚀刻处理用的处理槽71(下面记载为“第一处理槽71”)和基板升降机构72。另外，第二蚀刻处理装置80具备第二蚀刻处理用的处理槽81(下面记载为“第二处理槽81”)和基板升降机构82。
处理槽71、81能够收容一个基板组的晶圆W。在第一处理槽71中贮存蚀刻速率为第一蚀刻速率的药液(下面记载为“第一药液”)。另外，在第二处理槽81中贮存蚀刻速率为第二蚀刻速率的药液(下面记载为“第二药液”)。
基板升降机构72、82与后述的搬送装置90之间进行基板组的交接。另外，基板升降机构72、82通过使基板组下降来使基板组浸在处理槽71、81中。另外，基板升降机构72、82通过使基板组上升来从处理槽71、81中提起基板组。
第一蚀刻处理装置70通过使基板组浸在贮存于第一处理槽71的第一药液中来进行第一蚀刻处理。另外，第二蚀刻处理装置80通过使基板组浸在贮存于第二处理槽81的第二药液中来进行第二蚀刻处理。
搬送装置90在第一蚀刻处理装置70与第二蚀刻处理装置80之间进行基板组的搬送。搬送装置90具备导轨91、移动体92以及基板保持体93。导轨91沿第一蚀刻处理装置70和第二蚀刻处理装置80的排列方向延伸。移动体92构成为能够一边保持多个晶圆W一边沿导轨91移动。基板保持体93设置于移动体92，保持以立起姿势前后排列的多个晶圆W。
接着，参照图8和图9来说明第一处理槽71和第二处理槽81的结构。图8是表示第四实施方式所涉及的第一处理槽71的结构的图。另外，图9是表示第四实施方式所涉及的第二处理槽81的结构的图。
如图8所示，第一处理槽71与上述的处理槽10(参照图2)同样地具备内槽11和外槽12。
第一处理槽71具备循环部40A。循环部40A使处理液在内槽11与外槽12之间循环。循环部40A具备循环路41、喷嘴42、泵43、过滤器46以及温度调整部49。
循环路41将内槽11与外槽12连接。循环路41的一端与外槽12连接，循环路41的另一端与配置于内槽11的内部的喷嘴42连接。
泵43、过滤器46以及温度调整部49设置于循环路41上。泵43用于将外槽12内的第一药液送出至循环路41。过滤器46从在循环路41中流动的第一药液中去除杂质。
温度调整部49例如为加热器或电子恒温器等，将在循环路41中流动的第一药液的温度调整为设定的温度。泵43和温度调整部49由控制部61进行控制。
另外，第一处理槽71具备第一药液供给部30A。第一药液供给部30A具备第一药液供给源31A、第一药液供给线路32A、第一阀33A以及第一切换部34A。
第一药液供给源31A供给第一药液。第一药液为含有磷酸、醋酸、硝酸以及水来作为成分的药液，是将各成分按以第一蚀刻速率(>第二蚀刻速率)蚀刻钨膜101(参照图1)的混合比混合而成的药液。
第一药液供给线路32A与第一药液供给源31A连接，用于将从第一药液供给源31A供给的第一药液供给至第一处理槽71的内槽11或外槽12。第一阀33A设置于第一药液供给线路32A上，用于将第一药液供给线路32A打开和关闭。第一切换部34A设置于第一药液供给线路32A上，用于将在第一药液供给线路32A中流动的第一药液的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。
第一阀33A及第一切换部34A与控制部61电连接，由控制部61进行控制。例如，控制部61在向空的状态的第一处理槽71中储存第一药液的情况下，控制第一阀33A和第一切换部34A，来从第一药液供给源31A向内槽11供给新的第一药液。另外，控制部61在对第一处理槽71进行第一药液的补充的情况下，控制第一阀33A和第一切换部34A，来从第一药液供给源31A向外槽12供给新的第一药液。
另外，第一处理槽71具备单独供给部50A。单独供给部50A除了具备上述的单独供给部50的结构以外，还具备第三切换部54a～第六切换部54d。第三切换部54a设置于水供给线路52a上，用于将在水供给线路52a中流动的水的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。第四切换部54b设置于磷酸供给线路52b上，用于将在磷酸供给线路52b中流动的磷酸的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。
第五切换部54c设置于醋酸供给线路52c上，用于将在醋酸供给线路52c中流动的醋酸的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。第六切换部54d设置于硝酸供给线路52d上，用于将在硝酸供给线路52d中流动的硝酸的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。
另外，单独供给部50A除了具备上述的单独供给部50的结构以外，还具备第三流量调整部55a～第六流量调整部55d。第三流量调整部55a～第六流量调整部55d构成为包括流量调整阀、流量计等。
第三流量调整部55a设置于水供给线路52a上，用于调整向内槽11或外槽12供给的水的流量。第四流量调整部55b设置于磷酸供给线路52b上，用于调整向内槽11或外槽12供给的磷酸的流量。第五流量调整部55c设置于醋酸供给线路52c上，用于调整向内槽11或外槽12供给的醋酸的流量。第六流量调整部55d设置于硝酸供给线路52d上，用于调整向内槽11或外槽12供给的硝酸的流量。
第三阀53a～第六阀53d、第三切换部54a～第六切换部54d以及第三流量调整部55a～第六流量调整部55d与控制部61电连接，由控制部61进行开闭控制。
例如，在向空的状态的第一处理槽71储存新的第一药液的情况下，控制部61控制第三阀53a～第六阀53d、第三切换部54a～第六切换部54d来向内槽11供给水、磷酸、醋酸以及硝酸。另外，在对第一处理槽71进行第一药液的补充的情况下，控制部61控制第三阀53a～第六阀53d、第三切换部54a～第六切换部54d来向外槽12供给水、磷酸、醋酸以及硝酸。
接着，对第二处理槽81的结构进行说明。如图9所示，第二处理槽81具备与上述的第一处理槽81同样的内槽11、外槽12以及循环部40A。
另外，第二处理槽81具备第二药液供给部30B。第二药液供给部30B具备第二药液供给源31B、第二药液供给线路32B以及第一阀33B。
第二药液供给源31B供给第二药液。第二药液为含有磷酸、醋酸、硝酸以及水来作为成分的药液，是将各成分按以第二蚀刻速率(<第一蚀刻速率)蚀刻钨膜101的混合比混合而成的药液。
第二药液供给线路32B与第二药液供给源31B连接，用于将来自第二药液供给源31B的第二药液供给至第二处理槽81的内槽11或外槽12。第一阀33B设置于第二药液供给线路32B上，用于将第二药液供给线路32B打开和关闭。第一切换部34B设置于第二药液供给线路32B上，用于将在第二药液供给线路32B中流动的第二药液的流出目的地在内槽11与外槽12之间进行切换。第一阀33B及第一切换部34B与控制部61电连接，由控制部61进行控制。
另外，第二处理槽81具备单独供给部50B。单独供给部50B具有与上述的单独供给部50A相同的结构，因此省略此处的说明。
在第四实施方式所涉及的基板处理装置1A中，首先，在第一处理槽71中进行第一蚀刻处理。在第一蚀刻处理中，使用基板升降机构72来使多个晶圆W下降，由此使多个晶圆W浸在贮存于第一处理槽71的内槽11的第一药液中。
接下来，在基板处理装置1A中，进行将结束了第一蚀刻处理的多个晶圆W向第二处理槽81搬送的搬送处理。在搬送处理中，首先，通过使基板升降机构72上升来从第一处理槽71提起多个晶圆W。之后，从基板升降机构72向搬送装置90传递多个晶圆W。接下来，搬送装置90从第一处理装置71向第二处理装置81移动，来将所保持的多个晶圆W向基板升降机构82传递。
接下来，在基板处理装置1A中，在第二处理槽81中进行第二蚀刻处理。在第二蚀刻处理中，利用基板升降机构82使多个晶圆W下降并且浸在贮存于第二处理槽81的内槽11的第二药液中。
像这样，第一蚀刻处理和第二蚀刻处理可以分别在不同的处理槽(第一处理槽71和第二处理槽81)中进行。
(其它实施方式)
在上述的实施方式中，对第一膜为钨膜101的情况的例子进行了说明，但第一膜不一定必须为钨膜101。例如，第一膜也可以为钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜或镍膜。像这样，根据实施方式所涉及的基板处理，能够高效地蚀刻具有钼膜等除钨膜101以外的第一膜和第二膜的基板。
在第一膜为钼膜的情况下，药液(第一药液和第二药液)的温度优选为常温(例如为20℃±10℃)以下。钼相当于贱金属，离子化倾向高，比较容易氧化。因此，通过使用常温以下的药液，能够抑制钼膜的蚀刻速度过快而使得钼膜被过度地蚀刻。
在第一膜为钼膜并且如第二实施方式那样通过使药液的温度降低来变更药液的蚀刻速率的情况下，控制部61可以使药液的温度例如从25℃降低至20℃。另外，控制部61可以使药液的温度从常温(例如25℃)降低至常温以下的温度(例如5℃)。像这样，通过使药液的温度降低至常温以下的温度，能够进一步使钼膜的蚀刻速度减缓。
在第一膜为钼膜的情况下，处理槽10不一定必须具备水的供给系统(水供给源51a、水供给线路52a以及第三阀53a)。在第一处理槽71和第二处理槽81中也同样。
另外，在上述的实施方式中，对第二膜为氮化钛膜102的情况的例子进行了说明，但第二膜不限定于氮化钛膜102。例如，第二膜也可以为氮化钽膜。根据实施方式所涉及的基板处理，能够高效地蚀刻具有第一膜和第二膜的基板，所述第二膜是氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方。
形成在晶圆W上的膜的种类不限定于上述的实施方式的例子。例如，在第一实施方式和第二实施方式中，对使用含有多个成分的药液的情况的例子进行了说明，但药液例如也可以为仅包含氢氟酸等单一成分的药液。另外，在上述的第一实施方式和第二实施方式中，示出了一个膜被另一个膜覆盖的情况的例子，但也可以是多个膜露出。
在上述的实施方式中，说明了使第二蚀刻处理中的蚀刻速率(第二蚀刻速率)比第一蚀刻处理中的蚀刻速率(第一蚀刻速率)低的情况的例子。但不限于此，可以使第二蚀刻处理中的蚀刻速率(第二蚀刻速率)比第一蚀刻处理中的蚀刻速率(第一蚀刻速率)高。例如，当在第一蚀刻处理中高精度地蚀刻了存在于多个膜中的某个膜的不需要的高度差之后，有时想要在第二蚀刻处理中在短时间内蚀刻多个膜。在这样的情况下，优选使第二蚀刻处理中的蚀刻速率(第二蚀刻速率)比第一蚀刻处理中的蚀刻速率(第一蚀刻速率)高。
另外，在上述的实施方式中，对通过使多个晶圆W浸在贮存于处理槽10的药液中来统一地蚀刻多个晶圆W的情况的例子进行了说明。但不限于此，例如可以使晶圆W保持于能够将一张晶圆W以能够旋转的方式保持的保持部，并且从配置于该保持部的上方的喷嘴对旋转的晶圆W供给药液，由此对晶圆W进行蚀刻。
另外，在上述的实施方式中，对进行使用药液来蚀刻晶圆W的所谓的湿蚀刻的情况的例子进行了说明，但蚀刻晶圆W的方法不限定于湿蚀刻，也可以为干蚀刻。
如上述的那样，实施方式所涉及的基板处理方法包括第一蚀刻工序(作为一例为第一蚀刻处理)、变更工序(作为一例为变更处理)以及第二蚀刻工序(作为一例为第二蚀刻处理)。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜(作为一例为钨膜101)和第二膜(作为一例为氮化钛膜102)的基板(作为一例为晶圆W)。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
由此，例如通过使第二蚀刻速率比第一蚀刻速率低，能够缩短第一蚀刻处理中的处理时间并且提高第二蚀刻处理的处理精度。因而，根据实施方式所涉及的基板处理方法，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。
第二蚀刻速率可以比第一蚀刻速率低。由此，能够缩短第一蚀刻处理中的处理时间并且提高第二蚀刻处理的处理精度。
在第一蚀刻工序和第二蚀刻工序中，可以通过向基板供给含有多个成分(作为一例为磷酸、醋酸、硝酸以及水)的药液来蚀刻基板。在该情况下，在变更工序中，可以通过变更多个成分的混合比来使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。像这样，能够通过变更药液中的多个成分的混合比来变更蚀刻速率。
第一膜可以为钨膜(作为一例为钨膜101)、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，第二膜可以为氮化钛膜(作为一例为氮化钛膜102)和氮化钽膜中的任一方。另外，药液可以含有磷酸、醋酸、硝酸以及水。在该情况下，在变更工序中，可以通过使药液中的水的混合比降低来使钨膜的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。
像这样，通过使药液中的水的混合比降低，相比于变更其它成分的混合比的情况而言能够在短时间内使第一膜的蚀刻速率降低。
在第一蚀刻工序和第二蚀刻工序中，可以通过使基板浸在贮存于处理槽(作为一例为处理槽10)的药液中来蚀刻基板。在该情况下，在变更工序中，可以通过从处理槽排出药液的一部分并且向处理槽供给相比该药液的而言水的混合比少的新的药液，来使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。
像这样，通过将水分浓度高的药液从处理槽排出，能够在更短的时间内使水的混合比降低。即，能够在更短的时间内使钨膜的蚀刻速率降低。
在第一蚀刻工序和第二蚀刻工序中，可以通过向基板供给药液来蚀刻基板。在该情况下，在变更工序中，可以通过将药液的温度从第一温度变更为比第一温度低的第二温度来使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。像这样，能够通过变更药液的温度来变更蚀刻速率。
第二膜(作为一例为氮化钛膜102)可以被第一膜(作为一例为钨膜101)覆盖。在该情况下，在第一蚀刻工序中可以按第一蚀刻速率蚀刻第一膜，在变更工序中在第二膜从第一膜露出之前使第一膜的蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。
由此，例如能够不用考虑第一膜与第二膜的选择比地以更高的蚀刻速率在短时间内蚀刻第一膜，直至第二膜露出为止。另外，在第二膜露出后，例如能够以期望的选择比(作为一例为1：1)同时蚀刻第一膜和第二膜。
在第一蚀刻工序中，可以使基板浸在贮存蚀刻速率为第一蚀刻速率的第一药液的第一处理槽中。另外，在第二蚀刻工序中，可以使基板浸在贮存蚀刻速率为第二蚀刻速率的第二药液的第二处理槽中。另外，在变更工序中，可以通过使基板从第一处理槽向第二处理槽移动来使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。由此，例如不用进行液更换就能够对基板进行第一蚀刻处理和第二蚀刻处理。
另外，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例为基板处理装置1)具备供给部(作为一例为药液供给部30和单独供给部50)、变更部(作为一例为第二阀48、单独供给部50、加热器44、未图示的冷却部)以及控制部(作为一例为控制部61)。供给部向具有第一膜(作为一例为钨膜101)和第二膜(作为一例为氮化钛膜102)的基板(作为一例为晶圆W)供给药液。变更部变更供给部供给药液的供给条件(作为一例为药液中的各成分的混合比、药液的温度)。控制部执行使用药液以第一蚀刻速率蚀刻基板的第一蚀刻处理、通过控制变更部来将蚀刻速率变更为与第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率的变更处理、以及使用药液来以第二蚀刻速率蚀刻基板的第二蚀刻处理。由此，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。
药液可以含有多个成分(作为一例为磷酸、醋酸、硝酸以及水)。在该情况下，也可以是，变更部(作为一例为第二阀48和单独供给部50)能够变更药液中的多个成分的混合比。另外，控制部可以控制变更部来变更多个成分的混合比，由此使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。像这样，能够通过变更药液中的多个成分的混合比来变更蚀刻速率。
也可以是，变更部(作为一例为加热器44、未图示的冷却部)能够变更药液的温度。在该情况下，控制部可以控制变更部来将药液的温度从第一温度变更为比第一温度低的第二温度，由此使蚀刻速率从第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。像这样，能够通过变更药液的温度来变更蚀刻速率。
实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例为基板处理装置1A)可以具备第一处理槽(作为一例为第一处理槽71)和第二处理槽(作为一例为第二处理槽81)。第一处理槽贮存蚀刻速率为第一蚀刻速率的作为药液的第一药液。第二处理槽贮存蚀刻速率为第二蚀刻速率的作为药液的第二药液。另外，供给部可以具备第一药液供给部和第二药液供给部。第一药液供给部向第一处理槽供给第一药液。第二药液供给部向所述第二处理槽供给第二药液。在该情况下，变更部可以为使基板从第一处理槽向第二处理槽移动的移动机构(作为一例为搬送装置90)。由此，例如不用进行液更换就能够对基板进行第一蚀刻处理和第二蚀刻处理。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够由多种方式具体实现。另外，上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (6)

1.一种基板处理方法，包括以下工序：
第一蚀刻工序，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板；
变更工序，将蚀刻速率从所述第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率；以及
第二蚀刻工序，以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板，
其中，在所述第一蚀刻工序开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，
在所述第一蚀刻工序中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻工序中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，
在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给含有多个成分的药液来蚀刻所述基板，
所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，
所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，
所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，
在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，
所述基板处理方法还具有更换工序，在更换工序中，进行控制以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在从第一蚀刻工序开始起经过了预先设定的时间的情况下，执行将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给新的所述药液的控制。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
所述预先设定的时间是所述处理槽内的药液的金属浓度从0ppm达到所述阈值为止的时间，预先通过实验计算该预先设定的时间。
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
在利用所述金属浓度为所述阈值的所述药液开始进行基板处理的情况下，与所述第一蚀刻工序同时地执行将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给新的所述药液的控制。
5.一种基板处理装置，具备：
供给部，其向具有第一膜和第二膜的基板供给药液；
变更部，其变更所述供给部供给所述药液的供给条件；以及
控制部，其执行使用所述药液以第一蚀刻速率蚀刻所述基板的第一蚀刻处理、通过控制所述变更部来将蚀刻速率变更为与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率的变更处理、以及使用所述药液以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板的第二蚀刻处理，
其中，所述药液含有多个成分，
在所述第一蚀刻处理开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，
在所述第一蚀刻处理中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻处理中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，
在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过向所述基板供给所述药液来蚀刻所述基板，
所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，
所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，
所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，
在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，
所述控制部还执行更换处理，在更换处理中，控制所述变更部以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。
6.一种存储介质，是存储有在计算机上运行来控制基板处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，
所述程序在被执行时使计算机控制所述基板处理装置，以进行根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法。
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