JPWO2021039449A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

本開示による基板処理装置（１）は、液処理槽（６１，６２，７１，７２，９１）と、疎水化ガス供給部（４１０，４４０，４５０）とを備える。液処理槽は、処理液を貯留し、複数の基板（Ｗ）を処理液に浸漬することによって複数の基板を液処理する。疎水化ガス供給部は、液処理後の複数の基板に疎水化剤のガスを供給する。

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板を乾燥させる乾燥処理では、基板の表面に形成された回路パターン（以下、単に「パターン」と呼称する）が液体の表面張力により倒壊するおそれがある。そこで、乾燥処理に先立ち、基板の表面を疎水化する技術が提案されている。この技術によれば、基板の表面を疎水化することで、パターンに表面張力が作用しにくくなるため、パターンの倒壊を抑制することができる。

特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置において、基板の表面に疎水化処理液を供給して基板の表面を疎水化させる技術が開示されている。

特開２０１４−１９７６３８号公報

本開示は、複数の基板を一括で処理するバッチ式の基板処理装置において、パターンの倒壊を抑制することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、液処理槽と、疎水化ガス供給部とを備える。液処理槽は、処理液を貯留し、複数の基板を処理液に浸漬することによって複数の基板を液処理する。疎水化ガス供給部は、液処理後の複数の基板に疎水化剤のガスを供給する。

本開示によれば、複数の基板を一括で処理するバッチ式の基板処理装置において、パターンの倒壊を抑制することができる。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２は、第１実施形態に係るエッチング処理用の処理槽の模式的な断面図である。 図３は、第１実施形態に係る乾燥処理用の処理槽の模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図５は、乾燥処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図６は、搬入処理の動作例を示す図である。 図７は、リンス処理の動作例を示す図である。 図８は、置換処理の動作例を示す図である。 図９は、置換処理の動作例を示す図である。 図１０は、移動処理の動作例を示す図である。 図１１は、疎水化ガス供給処理の動作例を示す図である。 図１２は、ＩＰＡガス供給処理の動作例を示す図である。 図１３は、搬出処理の動作例を示す図である。 図１４は、第２実施形態に係る乾燥処理用の処理槽の模式的な断面図である。 図１５は、第２実施形態に係る置換処理の動作例を示す図である。 図１６は、第３実施形態に係るエッチング処理用の処理槽の模式的な断面図である。 図１７は、第４実施形態に係るリンス処理用の処理槽の模式的な断面図である。 図１８は、第４実施形態における変形例に係るリンス処理用の処理槽の模式的な断面図である。

以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

（第１実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
まず、第１実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。

図１に示すように、第１実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。

キャリア搬入出部２は、キャリアステージ２０と、キャリア搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。

キャリアステージ２０は、外部から搬送された複数のキャリア９を載置する。キャリア９は、複数（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。キャリア搬送機構２１は、キャリアステージ２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４間でキャリア９の搬送を行う。

キャリア載置台２４に載置されたキャリア９からは、処理される前の複数のウェハＷが後述する基板搬送機構３０によりロット処理部６に搬出される。また、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９には、処理された複数のウェハＷが基板搬送機構３０によりロット処理部６から搬入される。

ロット形成部３は、基板搬送機構３０を有し、ロットを形成する。ロットは、１または複数のキャリア９に収容されたウェハＷを組合せて同時に処理される複数（たとえば、５０枚）のウェハＷで構成される。１つのロットを形成する複数のウェハＷは、互いの板面を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。

基板搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９とロット載置部４との間で複数のウェハＷを搬送する。

ロット載置部４は、ロット搬送台４０を有し、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。ロット搬送台４０は、ロット形成部３で形成された処理される前のロットを載置する搬入側ロット載置台４１と、ロット処理部６で処理されたロットを載置する搬出側ロット載置台４２とを有する。搬入側ロット載置台４１および搬出側ロット載置台４２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで載置される。

ロット搬送部５は、ロット搬送機構５０を有し、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送機構５０は、レール５１と、移動体５２と、基板保持体５３とを有する。

レール５１は、ロット載置部４およびロット処理部６に渡って、Ｘ軸方向に沿って配置される。移動体５２は、複数のウェハＷを保持しながらレール５１に沿って移動可能に構成される。基板保持体５３は、移動体５２に設けられ、起立姿勢で前後に並んだ複数のウェハＷを保持する。

ロット処理部６は、１ロット分の複数のウェハＷに対し、エッチング処理や洗浄処理、乾燥処理などを一括で行う。ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置６０と、洗浄処理装置７０と、基板保持体洗浄処理装置８０と、乾燥処理装置９０とが、レール５１に沿って並んで設けられる。

エッチング処理装置６０は、１ロット分の複数のウェハＷに対してエッチング処理を一括で行う。洗浄処理装置７０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して洗浄処理を一括で行う。基板保持体洗浄処理装置８０は、基板保持体５３の洗浄処理を行う。乾燥処理装置９０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して乾燥処理を一括で行う。なお、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０、基板保持体洗浄処理装置８０および乾燥処理装置９０の台数は、図１の例に限られない。

エッチング処理装置６０は、エッチング処理用の処理槽６１と、リンス処理用の処理槽６２と、基板昇降機構６３，６４とを備える。

処理槽６１は、起立姿勢で配列された１ロット分のウェハＷを収容可能であり、エッチング処理用の薬液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。処理槽６１の詳細については後述する。

処理槽６２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構６３，６４には、ロットを形成する複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

エッチング処理装置６０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構６３で保持し、処理槽６１のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。エッチング処理は、たとえば、１時間〜３時間程度行われる。

処理槽６１においてエッチング処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽６２に搬送される。そして、エッチング処理装置６０は、搬送されたロットを基板昇降機構６４にて保持し、処理槽６２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽６２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で洗浄処理装置７０の処理槽７１に搬送される。

洗浄処理装置７０は、洗浄用の処理槽７１と、リンス処理用の処理槽７２と、基板昇降機構７３，７４とを備える。洗浄用の処理槽７１には、洗浄用の薬液（以下、「洗浄薬液」とも呼称する）が貯留される。洗浄薬液は、たとえば、ＳＣ−１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）などである。

リンス処理用の処理槽７２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構７３，７４には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

洗浄処理装置７０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構７３にて保持し、処理槽７１の洗浄液に浸漬させることによって洗浄処理を行う。

処理槽７１において洗浄処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽７２に搬送される。そして、洗浄処理装置７０は、搬送されたロットを基板昇降機構７４にて保持し、処理槽７２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽７２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で乾燥処理装置９０の処理槽９１に搬送される。

乾燥処理装置９０は、処理槽９１と、基板昇降機構９２とを有する。処理槽９１には、乾燥処理用の処理ガスが供給される。基板昇降機構９２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

乾燥処理装置９０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構９２で保持し、処理槽９１内に供給される乾燥処理用の処理ガスを用いて乾燥処理を行う。処理槽９１で乾燥処理されたロットは、ロット搬送部５でロット載置部４に搬送される。

第１実施形態に係る基板処理装置１では、かかる乾燥処理において、１ロット分の複数のウェハＷを疎水化することにより、これら複数のウェハＷの表面に形成されたパターンの倒壊を抑制することとしている。この点については後述する。

基板保持体洗浄処理装置８０は、ロット搬送機構５０の基板保持体５３に洗浄用の処理液を供給し、さらに乾燥ガスを供給することで、基板保持体５３の洗浄処理を行う。

制御部７は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。制御部７は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。

制御部７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含み、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。制御部７は、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体８を有する。記憶媒体８には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御する上記プログラムが格納される。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体８にインストールされたものであってもよい。

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜エッチング処理用の処理槽の構成＞
次に、エッチング処理に用いられる処理槽６１について図２を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係るエッチング処理用の処理槽６１の模式的な断面図である。

処理槽６１では、所定のエッチング液を用いて、ウェハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうちシリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液にシリコン（Ｓｉ）含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として用いられる。

エッチング液中のシリコン濃度を調整する手法としては、リン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法（シーズニング）や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法を用いることができる。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整してもよい。

図２に示すように、エッチング処理用の処理槽６１は、内槽１０１と、外槽１０２とを備える。内槽１０１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にエッチング液を貯留する。複数のウェハＷにより形成されるロットは、内槽１０１に浸漬される。外槽１０２は、上方が開放され、内槽１０１の上部周囲に配置される。外槽１０２には、内槽１０１からオーバーフローしたエッチング液が流入する。

処理槽６１は、リン酸水溶液供給系１０３と、シリコン供給系１０４と、ＤＩＷ供給系１０５とを備える。

リン酸水溶液供給系１０３は、リン酸水溶液供給源１３１と、供給路１３２と、バルブ１３３と、流量調整器１３４とを有する。リン酸水溶液供給源１３１は、リン酸濃度が所望の濃度に濃縮されたリン酸水溶液を供給する。供給路１３２は、リン酸水溶液供給源１３１と外槽１０２とを接続し、リン酸水溶液供給源１３１から外槽１０２にリン酸水溶液を供給する。バルブ１３３は、供給路１３２に設けられ、供給路１３２を開閉する。流量調整器１３４は、供給路１３２に設けられ、供給路１３２を流れるリン酸水溶液の流量を調整する。

シリコン供給系１０４は、シリコン供給源１４１と、供給路１４２と、バルブ１４３と、流量調整器１４４とを有する。シリコン供給源１４１は、シリコン含有化合物水溶液を供給する。供給路１４２は、シリコン供給源１４１と外槽１０２とを接続し、シリコン供給源１４１から外槽１０２にシリコン含有化合物水溶液を供給する。バルブ１４３は、供給路１４２に設けられ、供給路１４２を開閉する。流量調整器１４４は、供給路１４２に設けられ、供給路１４２を流れるシリコン含有化合物水溶液の流量を調整する。流量調整器１４４によってシリコン含有化合物水溶液の供給量が調整されることで、エッチング液のシリコン濃度が調整される。

ＤＩＷ供給系１０５は、ＤＩＷ供給源１５１と、供給路１５２と、バルブ１５３と、流量調整器１５４とを有する。ＤＩＷ供給系１０５は、エッチング液を加熱することで蒸発した水分を補給するため、外槽１０２にＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）を供給する。供給路１５２は、ＤＩＷ供給源１５１と外槽１０２とを接続し、ＤＩＷ供給源１５１から外槽１０２に所定温度のＤＩＷを供給する。バルブ１５３は、供給路１５２に設けられ、供給路１５２を開閉する。流量調整器１５４は、供給路１５２に設けられ、供給路１５２を流れるＤＩＷの流量を調整する。流量調整器１５４によってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液の温度、リン酸濃度およびシリコン濃度が調整される。

処理槽６１は、循環部１０６を備える。循環部１０６は、内槽１０１と外槽１０２との間でエッチング液を循環させる。循環部１０６は、循環路１６１と、複数の処理液供給ノズル１６２と、フィルタ１６３と、ヒータ１６４と、ポンプ１６５とを備える。

循環路１６１は、外槽１０２と内槽１０１とを接続する。循環路１６１の一端は、外槽１０２に接続され、循環路１６１の他端は、内槽１０１の内部に配置された複数の処理液供給ノズル１６２に接続される。

フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、循環路１６１に設けられる。フィルタ１６３は、循環路１６１を流れるエッチング液から不純物を除去する。ヒータ１６４は、循環路１６１を流れるエッチング液を、エッチング処理に適した温度に加熱する。ポンプ１６５は、外槽１０２内のエッチング液を循環路１６１に送り出す。ポンプ１６５、ヒータ１６４およびフィルタ１６３は、上流側からこの順番で設けられる。

循環部１０６は、エッチング液を外槽１０２から循環路１６１および複数の処理液供給ノズル１６２経由で内槽１０１内へ送る。内槽１０１内に送られたエッチング液は、内槽１０１からオーバーフローすることで、再び外槽１０２へと流出する。このようにして、エッチング液は、内槽１０１と外槽１０２との間を循環する。

なお、循環部１０６は、ヒータ１６４によってエッチング液を加熱することにより、エッチング液を沸騰状態としてもよい。

＜乾燥処理用の処理槽の構成＞
次に、乾燥処理に用いられる処理槽９１について図３を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係る乾燥処理用の処理槽９１の模式的な断面図である。

図３に示すように、処理槽９１は、液処理槽２００と、乾燥処理槽３００と、気体供給部４００とを備える。

（液処理槽２００について）
液処理槽２００は、貯留槽２０１と、オーバーフロー槽２０２と、シール槽２０３とを備える。液処理槽２００は、垂直姿勢（縦向きの状態）で並べられた１ロット分の複数のウェハＷを収容可能である。かかる液処理槽２００では、内部に貯留された処理液に１ロット分の複数のウェハＷを浸漬させることにより、１ロット分の複数のウェハＷを一括で処理する液処理が行われる。ここでは、処理液としてＤＩＷが用いられるものとする。具体的には、液処理槽２００では、１ロット分の複数のウェハＷに対し、ＤＩＷを用いたリンス処理が行われる。

貯留槽２０１には、貯留槽２０１に処理液を供給する処理液供給部２０４と、貯留槽２０１から処理液を排出する排液機構２０５とが設けられる。

処理液供給部２０４は、複数（ここでは、２つ）の吐出部２１０と、複数の吐出部２１０にＤＩＷを供給するＤＩＷ供給系２２０と、複数の吐出部２１０にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するＩＰＡ供給系２３０とを備える。複数の吐出部２１０は、貯留槽２０１の内側底部に配置される。

ＤＩＷ供給系２２０は、供給路２２１と、ＤＩＷ供給源２２２と、バルブ２２３と、流量調整器２２４とを備える。供給路２２１は、複数の吐出部２１０とＤＩＷ供給源２２２とを接続する。ＤＩＷ供給源２２２は、複数の吐出部２１０に対して常温のＤＩＷを供給する。バルブ２２３は、供給路２２１に設けられ、供給路２２１を開閉する。流量調整器２２４は、供給路２２１に設けられ、供給路２２１を流れるＤＩＷの流量を調整する。

ＩＰＡ供給系２３０は、供給路２３１と、ＩＰＡ供給源２３２と、バルブ２３３と、流量調整器２３４とを備える。供給路２３１は、複数の吐出部２１０とＩＰＡ供給源２３２とを、たとえば供給路２２１を介して接続する。ＩＰＡ供給源２３２は、複数の吐出部２１０に対して常温のＩＰＡを供給する。バルブ２３３は、供給路２３１に設けられ、供給路２３１を開閉する。流量調整器２３４は、供給路２３１に設けられ、供給路２３１を流れるＩＰＡの流量を調整する。

排液機構２０５は、排液口２５１と、排液路２５２と、バルブ２５３とを備える。排液口２５１は、貯留槽２０１の内側底部中央に設けられる。排液路２５２は、排液口２５１に接続される。バルブ２５３は、排液路２５２の中途部に設けられ、排液路２５２を開閉する。

オーバーフロー槽２０２は、貯留槽２０１の上端外周部に形成され、貯留槽２０１からオーバーフローした処理液を貯留する。シール槽２０３は、オーバーフロー槽２０２の上端外周部に形成され、たとえば水等の液体を貯留する。シール槽２０３に貯留された液体に後述するシール壁３３３を浸漬させることにより、液処理槽２００の内部と外部とを遮断することができる。

（乾燥処理槽３００について）
乾燥処理槽３００は、液処理槽２００の上部に配置され、貯留槽２０１と連通する内部空間を有する。乾燥処理槽３００は、本体部３０１と、蓋部３０２と、遮蔽部３０３とを備える。本体部３０１は、上方および下方が開口している。本体部３０１には、複数（ここでは、２つ）の排気口３１１が設けられている。複数の排気口３１１は、排気路３１２に接続されており、乾燥処理槽３００内の雰囲気は、排気口３１１および排気路３１２を介して外部へ排出される。

蓋部３０２は、本体部３０１の上方に配置され、本体部３０１の上部開口を閉塞する。蓋部３０２は、図示しない移動機構によって昇降可能に構成されており、蓋部３０２を上昇させることにより、複数のウェハＷを乾燥処理槽３００に搬入したり乾燥処理槽３００から搬出したりすることができる。

遮蔽部３０３は、本体部３０１と液処理槽２００との間に配置される。遮蔽部３０３は、遮蔽扉３３１と、筐体３３２とを備える。遮蔽扉３３１は、図示しない移動機構によって筐体３３２の内部を水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に移動可能に構成されており、本体部３０１の下部開口を閉塞または開放する。

筐体３３２は、液処理槽２００と本体部３０１との間に介在し、内部に遮蔽扉３３１を収容する。筐体３３２の上部には、本体部３０１の下部開口と連通する開口が形成され、筐体３３２の下部には、貯留槽２０１の上方領域と連通する開口が形成される。

筐体３３２の下部には、下方に向かって突出するシール壁３３３が設けられている。シール壁３３３は、シール槽２０３に貯留された液体に浸漬される。これにより、液処理槽２００の内部と外部とを遮断することができる。

（気体供給部４００について）
気体供給部４００は、乾燥処理槽３００の内部に配置された複数（ここでは、２つ）の吐出部４１０と、供給路４１５と、供給路４１５を介して吐出部４１０に接続される加熱部４２０とを備える。また、気体供給部４００は、液状の疎水化剤（以下、「疎水化液」とも呼称する）を供給するための疎水化液供給系４３０と、ＩＰＡを供給するためのＩＰＡ供給系４４０と、Ｎ２ガスを供給するためのＮ２供給系４５０とを備える。疎水化液供給系４３０、ＩＰＡ供給系４４０およびＮ２供給系４５０は、加熱部４２０に接続される。

疎水化液供給系４３０は、疎水化液供給源４３１と、供給路４３２と、バルブ４３３とを備える。疎水化液供給源４３１は、疎水化液を供給する。供給路４３２は、加熱部４２０と疎水化液供給源４３１とを接続する。バルブ４３３は、供給路４３２に設けられ、供給路４３２を開閉する。

疎水化液としては、たとえば、シリル化剤またはシランカップリング剤の疎水化剤を用いることができる。具体的には、トリメトキシフェニルシラン、テトラエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどを疎水化剤として用いることができる。また、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）、ＤＭＳＤＭＡ（ジメチルシリルジメチルアミン）、ＴＭＳＤＥＡ（トリメチルシリルジエチルアミン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジンラザン）、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−テトラメチルジシラザン）などを疎水化剤として用いることができる。

ウェハＷの表面を疎水化させることで、ウェハＷ上に残存する処理液とパターンとの接触角度を９０°に近づけることができる。これにより、パターンに作用する表面張力が低減されるため、パターンの倒壊が生じ難くなる。

ＩＰＡ供給系４４０は、ＩＰＡ供給源４４１と、供給路４４２と、バルブ４４３とを備える。ＩＰＡ供給源４４１は、液状のＩＰＡを供給する。供給路４４２は、加熱部４２０とＩＰＡ供給源４４１とを接続する。バルブ４４３は、供給路４４２に設けられ、供給路４４２を開閉する。

Ｎ２供給系４５０は、Ｎ２供給源４５１と、供給路４５２と、バルブ４５３とを備える。Ｎ２供給源４５１は、不活性ガスであるＮ２ガスを供給する。供給路４５２は、加熱部４２０とＮ２供給源４５１とを接続する。バルブ４５３は、供給路４５２に設けられ、供給路４５２を開閉する。

バルブ４３３とバルブ４５３とを開くと、加熱部４２０には、疎水化液とＮ２ガスとが供給される。この場合、加熱部４２０は、疎水化液とＮ２ガスとの混合流体を加熱することにより、疎水化剤の蒸気（以下、「疎水化ガス」とも呼称する）を生成する。生成された疎水化ガスは、供給路４１５を介して吐出部４１０に供給され、吐出部４１０から乾燥処理槽３００の内部に吐出される。乾燥処理槽３００は密閉されているため、吐出部４１０から吐出された疎水化ガスは、乾燥処理槽３００の内部に充満する。

一方、供給路４４２とバルブ４５３とを開くと、加熱部４２０には、ＩＰＡとＮ２ガスとが供給される。この場合、加熱部４２０は、ＩＰＡとＮ２ガスとの混合流体を加熱することにより、ＩＰＡの蒸気（以下、「ＩＰＡガス」とも呼称する）を生成する。生成されたＩＰＡガスは、供給路４１５を介して吐出部４１０に供給され、吐出部４１０から乾燥処理槽３００の内部に吐出される。疎水化ガスと同様、ＩＰＡガスも乾燥処理槽３００の内部に充満する。

（基板昇降機構９２について）
基板昇降機構９２は、保持体９２１と、保持体９２１を支持するシャフト９２２と、シャフト９２２を昇降させる移動機構９２３とを備える。保持体９２１は、１ロット分の複数のウェハＷを垂直姿勢で且つ水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に一定の間隔で並べられた状態で保持する。シャフト９２２は、鉛直方向に沿って延在し、下部において保持体９２１を支持する。シャフト９２２は、蓋部３０２の上部に設けられた図示しない開口に対して摺動可能に挿通される。

移動機構９２３は、たとえばモータ、ボールネジ、シリンダ等を備えており、シャフト９２２を鉛直方向に沿って移動させる。移動機構９２３がシャフト９２２を昇降させることにより、シャフト９２２に支持された保持体９２１が昇降する。これにより、保持体９２１に保持された複数のウェハＷは、貯留槽２０１と乾燥処理槽３００との間で移動することができる。

＜基板処理装置の具体的動作＞
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１の具体的動作について図４〜図１３を参照して説明する。図４は、第１実施形態に係る基板処理装置１が実行する処理の手順の一例を示すフローチャートである。図５は、乾燥処理の手順の一例を示すフローチャートである。また、図６は、搬入処理の動作例を示す図であり、図７は、リンス処理の動作例を示す図であり、図８および図９は、置換処理の動作例を示す図である。また、図１０は、移動処理の動作例を示す図であり、図１１は、疎水化ガス供給処理の動作例を示す図であり、図１２は、ＩＰＡガス供給処理の動作例を示す図であり、図１３は、搬出処理の動作例を示す図である。

図４に示すように、基板処理装置１では、まず、エッチング処理装置６０においてエッチング処理が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、ロット搬送機構５０の基板保持体５３が、ロット搬送台４０に形成されたロットを受け取り、受取ったロットを、ロット搬送機構５０の移動体５２がエッチング処理装置６０の処理槽６１の前まで搬送する。その後、基板昇降機構６３が、搬送されたロットを受け取り、受け取ったロットを処理槽６１に貯留されたエッチング液に浸漬する。

その後、基板保持体５３がロットを受け取り、受取ったロットを、移動体５２が処理槽６２の前まで搬送する。そして、基板昇降機構６４が、搬送されたロットを受け取り、受け取ったロットを処理槽６２に貯留されたリンス液（ＤＩＷ）に浸漬する。

つづいて、基板処理装置１では、洗浄処理装置７０において洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。具体的には、ロット搬送機構５０の基板保持体５３が、エッチング処理後のロットを受け取り、受け取ったロットを、ロット搬送機構５０の移動体５２が洗浄処理装置７０の処理槽７１の前まで搬送する。その後、基板昇降機構７３が、搬送されたロットを受け取り、受け取ったロットを処理槽７１に貯留された洗浄液に浸漬する。

その後、基板保持体５３がロットを受け取り、受取ったロットを、移動体５２が処理槽７２の前まで搬送する。そして、基板昇降機構７４が、搬送されたロットを受け取り、受け取ったロットを処理槽７２に貯留されたリンス液（ＤＩＷ）に浸漬する。

つづいて、基板処理装置１では、乾燥処理装置９０において乾燥処理が行われる（ステップＳ１０３）。

まず、乾燥処理装置９０では、ロットを貯留槽２０１へ搬入する搬入処理が行われる（ステップＳ２０１）。具体的には、基板昇降機構９２の保持体９２１が、ロット搬送機構５０の基板保持体５３からロットを受け取る（図６参照）。その後、乾燥処理装置９０は、図示しない移動機構を用いて蓋部３０２を下降させるとともに、移動機構９２３を用いてシャフト９２２を下降させる。これにより、乾燥処理槽３００の本体部３０１の上部開口が蓋部３０２によって塞がれて、乾燥処理槽３００が密閉状態となる。

つづいて、乾燥処理装置９０では、リンス処理が行われる（ステップＳ２０２）。具体的には、乾燥処理装置９０は、移動機構９２３を用いてシャフト９２２を下降させることにより、貯留槽２０１に貯留されたＤＩＷにロットを浸漬させる（図７参照）。これにより、１ロット分の複数のウェハＷがＤＩＷによってリンス処理される。

つづいて、乾燥処理装置９０では、置換処理が行われる（ステップＳ２０３）。具体的には、乾燥処理装置９０は、排液機構２０５のバルブ２５３（図３参照）を開くことにより、貯留槽２０１に貯留されたＤＩＷを排液口２５１から排出する（図８参照）。その後、乾燥処理装置９０は、ＩＰＡ供給系２３０のバルブ２３３を開くことにより、吐出部２１０からＩＰＡを吐出して、貯留槽２０１にＩＰＡを貯留する。これにより、貯留槽２０１に配置されたロットは、ＩＰＡに浸漬される。そして、リンス処理において複数のウェハＷに付着したＤＩＷがＩＰＡに置換される（図９参照）。

このように、第１実施形態に係る基板処理装置１では、疎水化ガス供給処理に先立ち、複数のウェハＷに付着したＤＩＷをＩＰＡに置換することとしている。

本願発明者は、ＤＩＷを付着させたウェハＷに疎水化ガス（ＴＭＤＭＡのガス）を供給した場合と、ウェハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換したうえで同様の疎水化ガスを供給した場合とで、ウェハＷの表面に形成されたパターンの倒壊率を比較する実験を行った。その結果、前者のパターン倒壊率が３４．２％であったのに対し、後者のパターン倒壊率は、０．５％であった。この結果から明らかなように、ウェハＷに付着したＤＩＷをＩＰＡに置換する置換処理を行うことで、置換処理を行わない場合と比較して、パターン倒壊を好適に抑制することができる。なお、ＩＰＡへの置換によりパターン倒壊率が低減した理由の一つとしては、疎水化ガスが水との接触によって失活し、これによってウェハＷの疎水化が十分に果たされなくなることが、ＩＰＡへの置換によって抑制されるためと考えられる。

ここでは、ＤＩＷによるリンス処理を行った後、貯留槽２０１内のＤＩＷを排出したうえで、貯留槽２０１にＩＰＡを貯留して置換処理を行う場合の例について説明した。これに限らず、乾燥処理装置９０は、たとえば、貯留槽２０１にＤＩＷが貯留された状態で、または、貯留槽２０１からＤＩＷを排出しながら、貯留槽２０１にＩＰＡを貯留してもよい。すなわち、ＤＩＷによるリンス処理とＩＰＡによる置換処理とは部分的に重複して行われてもよい。また、乾燥処理装置９０は、ＩＰＡとＤＩＷとの混合液を予め貯留槽２０１に貯留しておき、かかる混合液にロットを浸漬させてもよい。乾燥処理装置９０は、少なくともＩＰＡ濃度が９０％以上の処理液にロットを浸漬させればよい。

また、基板処理装置１は、必ずしも乾燥処理装置９０の液処理槽２００においてリンス処理を行うことを要しない。すなわち、乾燥処理装置９０は、貯留槽２０１に予めＩＰＡを貯留しておき、かかるＩＰＡにロットを浸漬させることにより、リンス処理を行うことなく置換処理を行ってもよい。なお、この場合、洗浄処理装置７０での洗浄処理においてウェハＷに付着したＤＩＷがＩＰＡに置換されることとなる。

また、ここでは、ＩＰＡを用いて置換処理を行うこととしたが、置換処理は、ＩＰＡ以外の有機溶剤を用いて行われてもよい。具体的には、置換処理に用いられる有機溶剤としては、親水基および疎水基を有する両親媒性の有機溶剤が用いられることが好ましい。このような有機溶剤としては、たとえば、ＩＰＡ以外に、エタノールやアセトンなどが挙げられる。

ステップＳ２０３の置換処理を終えると、乾燥処理装置９０では、移動処理が行われる（ステップＳ２０４）。具体的には、基板昇降機構９２が、移動機構９２３を用いてシャフト９２２を上昇させることにより、保持体９２１に保持されたロットを貯留槽２０１から引き上げる（図１０参照）。これにより、ロットは、乾燥処理槽３００内に配置される。

つづいて、乾燥処理装置９０では、疎水化ガス供給処理が行われる（ステップＳ２０５）。具体的には、まず、乾燥処理装置９０は、乾燥処理槽３００の本体部３０１の下部開口を閉塞する位置に遮蔽扉３３１を移動させる。これにより、乾燥処理槽３００が蓋部３０２および遮蔽扉３３１によって密閉された状態となる（図１１参照）。その後、乾燥処理装置９０は、吐出部４１０から加熱された疎水化ガス（蒸気）を吐出する。

疎水化ガスは、乾燥処理槽３００内に充満し、常温のウェハＷに接触することでウェハＷの表面で結露してウェハＷに付着する。これにより、ウェハＷに残留するＩＰＡが疎水化剤（液体）に置換されて、ウェハＷの表面が疎水化される。ウェハＷの表面が疎水化されることで、ウェハＷの表面に形成されたパターンの倒壊が抑制される。

つづいて、乾燥処理装置９０では、ＩＰＡガス供給処理が行われる（ステップＳ２０６）。具体的には、乾燥処理装置９０は、吐出部４１０からの疎水化ガスの吐出を停止し、吐出部４１０から加熱されたＩＰＡガス（蒸気）を吐出する（図１２参照）。これにより、ウェハＷに残留する疎水化剤（液体）がＩＰＡに置換され、ＩＰＡが揮発することで、ウェハＷが乾燥する。

このように、ウェハＷに残留する疎水化剤を表面自由エネルギーが小さいＩＰＡに置換することで、パターンの倒壊をさらに抑制することができる。また、ウェハＷに残留する疎水化剤をＩＰＡに置換することにより、疎水化剤由来の不純物をＩＰＡによってウェハＷの表面から洗い流すことができるため、乾燥処理後のウェハＷに残存するパーティクルの量を低減することができる。

なお、乾燥処理装置９０は、必ずしもＩＰＡガス供給処理を行うことを要しない。この場合、乾燥処理装置９０は、ＩＰＡガス供給処理に代えて、吐出部４１０からＮ２ガスを吐出することによってウェハＷを乾燥させてもよい。Ｎ２ガスは、加熱部４２０によって加熱されることが好ましい。

つづいて、乾燥処理装置９０では、搬出処理が行われる（ステップＳ２０７）。具体的には、乾燥処理装置９０は、蓋部３０２および基板昇降機構９２を上昇させる（図１３参照）。そして、乾燥処理装置９０は、乾燥処理後のロットをロット搬送機構５０の基板保持体５３に渡す。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る乾燥処理装置について図１４を参照して説明する。図１４は、第２実施形態に係る乾燥処理用の処理槽の模式的な断面図である。また、図１５は、第２実施形態に係る置換処理の動作例を示す図である。

図１４に示すように、第２実施形態に係る処理槽９１Ａは、処理液供給部２０４Ａを備える。処理液供給部２０４Ａは、上述した複数の吐出部２１０の他に、複数の吐出部２４０を備える。複数の吐出部２１０が貯留槽２０１の内部に配置されるのに対し、複数の吐出部２４０は、貯留槽２０１の上方に配置される。複数の吐出部２１０は、ＤＩＷ供給系２２０に接続され、複数の吐出部２４０は、ＩＰＡ供給系２３０に接続される。

このように、第２実施形態に係る処理槽９１Ａは、貯留槽２０１の内部に配置された複数の吐出部２１０からＤＩＷを吐出し、貯留槽２０１の上方に配置された複数の吐出部２４０からＩＰＡを吐出するように構成される。

複数の吐出部２４０には、たとえば、スプレー用ノズルチップが用いられる。複数の吐出部２４０は、貯留槽２０１の内部に向けてＩＰＡをシャワー状に吐出（噴霧）する。

なお、複数の吐出部２４０は、少なくとも、複数の吐出部２１０よりも上方に配置されていればよく、必ずしも貯留槽２０１の外部に配置されることを要しない。

図１５に示すように、第２実施形態に係る乾燥処理装置９０は、ウェハＷに付着したＤＩＷをＩＰＡに置換する置換処理において、貯留槽２０１内に配置された複数のウェハＷに対し、複数の吐出部２４０からＩＰＡをシャワー状に吐出する。

このように、ＩＰＡを貯留槽２０１に貯留するのではなく、噴霧によってウェハＷに供給するようにすることで、置換処理におけるＩＰＡの消費量を抑えることができる。

（第３実施形態）
上述した第１、第２実施形態では、乾燥処理装置９０にて行われる乾燥処理時においてウェハＷの疎水化を行う場合の例について説明したが、ウェハＷを疎水化するタイミングは、乾燥処理時に限定されない。

たとえば、基板処理装置１は、エッチング処理装置６０にて行われるエッチング処理時においてウェハＷの疎水化を行ってもよい。図１６は、第３実施形態に係るエッチング処理用の処理槽の模式的な断面図である。

図１６に示すように、第３実施形態に係る処理槽６１Ｂは、疎水化液供給系１０７を備える。疎水化液供給系１０７は、疎水化液供給源１７１と、供給路１７２と、バルブ１７３と、流量調整器１７４とを有する。疎水化液供給源１７１は、疎水化液を供給する。供給路１７２は、疎水化液供給源１７１と外槽１０２とを接続し、疎水化液供給源１７１から外槽１０２に疎水化液を供給する。バルブ１７３は、供給路１７２に設けられ、供給路１７２を開閉する。流量調整器１７４は、供給路１７２に設けられ、外槽１０２へ供給される疎水化液の流量を調整する。

このように、第３実施形態に係る基板処理装置によれば、処理槽６１Ｂに疎水化液供給系１０７を設けることにより、たとえば、複数のウェハＷのエッチング処理中に、複数のウェハＷの疎水化処理を並行して行うことができる。

たとえば、処理槽６１Ｂは、疎水化液が混合されたエッチング液を内槽１０１に貯留してもよい。すなわち、処理槽６１Ｂは、疎水化液が混合されたエッチング液を用いて、エッチング処理の開始時から疎水化処理を開始させてもよい。また、処理槽６１Ｂは、内槽１０１にエッチング液を貯留させておき、エッチング処理が開始された後で、疎水化液供給系１０７から内槽１０１への疎水化液の供給を開始してもよい。この場合、内槽１０１内における疎水化液の濃度を徐々に高くしていくことで、エッチング処理から疎水化処理へ徐々に移行させることができる。

このように、疎水化処理は、エッチング処理用の処理槽６１Ｂにおいて行われてもよい。これにより、たとえば、乾燥処理装置９０における乾燥処理後のパターン倒壊だけでなく、エッチング処理装置６０から洗浄処理装置７０への搬送時や洗浄処理装置７０から乾燥処理装置９０への搬送時におけるパターン倒壊も抑制することができる。

また、疎水化処理は、上述したエッチング処理用の処理槽６１と同様の構成を有する洗浄処理用の処理槽７１において行われてもよい。洗浄処理用の処理槽７１は、リン酸水溶液供給系１０３、シリコン供給系１０４およびＤＩＷ供給系１０５に代えて、洗浄薬液供給部を備える。洗浄薬液供給部は、洗浄薬液供給源と、供給路と、バルブと、流量調整器とを有する。洗浄薬液供給源は、洗浄薬液として、たとえばＳＣ１を供給する。供給路は、洗浄薬液供給源と外槽とを接続し、洗浄薬液供給源から外槽にリン酸水溶液を供給する。バルブは、供給路に設けられ、供給路を開閉する。流量調整器は、供給路に設けられ、外槽へ供給される洗浄薬液の流量を調整する。

かかる処理槽７１に対して、上述した疎水化液供給系１０７を設けることで、洗浄処理と並行して疎水化処理を行うことができる。

（第４実施形態）
基板処理装置１は、エッチング処理装置または洗浄処理装置が備えるリンス処理用の処理槽において疎水化処理を行ってもよい。この点について、エッチング処理装置が備えるリンス処理用の処理槽を例に挙げて説明する。図１７は、第４実施形態に係るリンス処理用の処理槽の模式的な断面図である。

図１７に示すように、第４実施形態に係るリンス処理用の処理槽６２Ｃは、内槽６０１と、外槽６０２とを備える。また、処理槽６２Ｃは、処理液供給部６０３を備える。

処理液供給部６０３は、複数の吐出部６１０と、ＤＩＷ供給系６２０と、ＩＰＡ供給系６３０と、疎水化液供給系６４０とを備える。

ＤＩＷ供給系６２０は、ＤＩＷ供給源６２１と、供給路６２２と、バルブ６２３と、流量調整器６２４とを備える。ＤＩＷ供給源６２１は、ＤＩＷを供給する。供給路６２２は、ＤＩＷ供給源６２１と複数の吐出部６１０とを接続し、ＤＩＷ供給源６２１から複数の吐出部６１０にＤＩＷを供給する。バルブ６２３は、供給路６２２に設けられ、供給路６２２を開閉する。流量調整器６２４は、供給路６２２に設けられ、供給路６２２を流れるＤＩＷの流量を調整する。

ＩＰＡ供給系６３０は、ＩＰＡ供給源６３１と、供給路６３２と、バルブ６３３と、流量調整器６３４とを備える。ＩＰＡ供給源６３１は、ＩＰＡを供給する。供給路６３２は、ＩＰＡ供給源６３１と複数の吐出部６１０とを接続し、ＩＰＡ供給源６３１から複数の吐出部６１０にＩＰＡを供給する。バルブ６３３は、供給路６３２に設けられ、供給路６３２を開閉する。流量調整器６３４は、供給路６３２に設けられ、供給路６３２を流れるＩＰＡの流量を調整する。

疎水化液供給系６４０は、疎水化液供給源６４１と、供給路６４２と、バルブ６４３と、流量調整器６４４とを備える。疎水化液供給源６４１は、疎水化液を供給する。供給路６４２は、疎水化液供給源６４１と複数の吐出部６１０とを接続し、疎水化液供給源６４１から複数の吐出部６１０に疎水化液を供給する。バルブ６４３は、供給路６４２に設けられ、供給路６４２を開閉する。流量調整器６４４は、供給路６４２に設けられ、供給路６４２を流れる疎水化液の流量を調整する。

かかる処理槽６２Ｃでは、たとえば、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび疎水化液の混合液が内槽６０１に貯留される。この場合、かかる混合液に複数のウェハＷを浸漬させることによってリンス処理と疎水化処理とを並行して行うことができる。ここで、ＤＩＷおよび疎水化液だけでなく、ＩＰＡも含有させている理由は、疎水化液がＤＩＷに溶けにくいためである。すなわち、疎水化液およびＤＩＷの両方に親和性を有するＩＰＡを加えることで、疎水化液のＤＩＷへの溶け込みを促進させることができる。

処理槽６２Ｃでは、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび疎水化液の混合液を用いて複数のウェハＷのリンス処理および疎水化処理を行った後、ＤＩＷを用いて複数のウェハＷのリンス処理を再度行ってもよい。この場合、たとえば、処理槽６２Ｃの図示しない排液口から混合液を排出した後、ＤＩＷ供給系６２０から供給されるＤＩＷを内槽６０１に貯留することによって、複数のウェハＷをＤＩＷに浸漬させればよい。

図１８は、第４実施形態における変形例に係るリンス処理用の処理槽の模式的な断面図である。図１８に示すように、変形例に係る処理槽６２Ｄは、処理液供給部６０３Ｄ，６０４を備える。

処理液供給部６０４は、内槽６０１の内側底部に配置された複数の吐出部６１０と、ＤＩＷ供給系６２０Ｄとを備え、ＤＩＷ供給系６２０Ｄから供給されるＤＩＷを複数の吐出部６１０から吐出することにより、内槽６０１にＤＩＷを貯留する。なお、ＤＩＷ供給系６２０Ｄの構成は、ＤＩＷ供給系６２０の構成と同様である。

処理液供給部６０３Ｄは、複数の吐出部６５０と、ＤＩＷ供給系６２０と、ＩＰＡ供給系６３０と、疎水化液供給系６４０とを備える。ＤＩＷ供給系６２０、ＩＰＡ供給系６３０および疎水化液供給系６４０は、複数の吐出部６５０に接続され、それぞれＤＩＷ，ＩＰＡおよび疎水化液を複数の吐出部６５０に供給する。複数の吐出部６５０は、内槽６０１の上方に配置され、ＤＩＷ，ＩＰＡおよび疎水化液の混合液を内槽６０１の内部に向けてシャワー状に吐出する。

変形例に係る処理槽６２Ｄでは、たとえば、内槽６０１に貯留されたＤＩＷを用いてリンス処理を行った後、図示しない排液口からＤＩＷを排出する。その後、変形例に係る処理槽６２Ｄでは、複数の吐出部６５０からＤＩＷ，ＩＰＡおよび疎水化液の混合液をシャワー状に吐出することによってリンス処理後の複数のウェハＷに疎水化液を供給する。

このように、処理槽６２Ｄは、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび疎水化液の混合液をシャワー状に吐出することによって複数のウェハＷを疎水化してもよい。

（その他の実施形態）
上述した第１，第２実施形態では、乾燥処理装置９０において、複数のウェハＷに対して疎水化剤のガスを供給する場合の例について説明したが、乾燥処理装置９０は、疎水化剤の液体を複数のウェハＷに供給してもよい。この場合、たとえば、処理液供給部２０４に疎水化液供給系４３０と同様の供給系を設けて、貯留槽２０１にＤＩＷ、ＩＰＡおよび疎水化液の混合液を貯留するようにすればよい。これにより、リンス処理と並行して疎水化処理を行うことができる。

上述した各実施形態では、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０および乾燥処理装置９０において疎水化処理を行う場合の例について説明した。これに限らず、基板処理装置１は、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０および乾燥処理装置９０とは別に、疎水化処理を行うための専用の処理槽を備えていてもよい。

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、液処理槽（一例として、処理槽６１，６２，７１，７２，９１）と、疎水化ガス供給部（一例として、吐出部４１０、ＩＰＡ供給系４４０およびＮ２供給系４５０）とを備える。液処理槽は、処理液（一例として、ＤＩＷ、ＩＰＡ、エッチング液、洗浄液等）を貯留し、複数の基板（一例として、ウェハＷ）を処理液に浸漬することによって複数の基板を液処理する。疎水化ガス供給部は、液処理後の複数の基板に疎水化剤のガス（一例として、疎水化ガス）を供給する。これにより、複数の基板を一括で処理するバッチ式の基板処理装置において、パターンの倒壊を抑制することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、乾燥処理槽（一例として、乾燥処理槽３００）と、移動機構（一例として、移動機構９２３）とをさらに備えていてもよい。乾燥処理槽は、液処理槽（一例として、液処理槽２００）の上部に配置され、複数の基板の乾燥処理を行う。移動機構は、複数の基板を液処理槽から引き上げて乾燥処理槽へ移動させる。この場合、疎水化ガス供給部は、乾燥処理槽の内部に疎水化剤のガスを供給してもよい。疎水化ガスを乾燥処理槽内に充満させることで、基板に疎水化剤を効率よく付着させることができる。

実施形態に係る基板処理装置は、乾燥処理槽の内部に有機溶剤の蒸気（一例として、ＩＰＡガス）を供給する有機溶剤供給部（一例として、吐出部４１０、疎水化液供給系４３０およびＮ２供給系４５０）をさらに備えていてもよい。

基板に残留する疎水化剤を表面自由エネルギーが小さい有機溶剤に置換することで、パターンの倒壊をさらに抑制することができる。また、基板に残留する疎水化剤を有機溶剤に置換することにより、疎水化剤由来の不純物を有機溶剤によって基板の表面から洗い流すことができるため、乾燥処理後の基板に残存するパーティクルの量を低減することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、液処理槽に処理液を供給する処理液供給部（一例として、処理液供給部２０４）を備えていてもよい。この場合、処理液供給部は、有機溶剤（一例として、ＩＰＡ）を供給する有機溶剤供給系（一例として、ＩＰＡ供給系２３０）を備えていてもよい。基板に付着した水を有機溶剤に置換することにより、パターン倒壊を好適に抑制することができる。

処理液供給部は、水（一例として、ＤＩＷ）を供給する水供給系（一例として、ＤＩＷ供給系２２０）をさらに備えていてもよい。この場合、処理液供給部は、液処理槽の内部に配置され、有機溶剤供給系および水供給系に接続される吐出部（一例として、吐出部２１０）をさらに備えていてもよい。これにより、たとえば、水と有機溶剤との混合液を液処理槽に貯留しておき、かかる混合液に複数の基板を浸漬させることによって複数の基板に有機溶剤を付着させることができる。また、液処理槽に水を貯留しておき、複数の基板を水に浸漬させた後、液処理槽から水を排出し、その後、液処理槽に有機溶剤を貯留して、複数の基板を有機溶剤に浸漬させることができる。

処理液供給部は、有機溶剤吐出部（一例として、吐出部２４０）と、水吐出部（一例として、吐出部２１０）とを備えていてもよい。有機溶剤吐出部は、有機溶剤供給系に接続され、有機溶剤を液処理槽の内部に吐出する。水吐出部は、水供給系に接続され、水を液処理槽の内部に吐出する。

有機溶剤吐出部は、水吐出部よりも上方に配置され、有機溶剤を液処理槽の内部に向けてシャワー状に吐出してもよい。有機溶剤をシャワー状に吐出して複数の基板に供給することで、有機溶剤の消費量を抑えることができる。

実施形態に係る基板処理装置は、処理液供給部（一例として、リン酸水溶液供給系１０３、シリコン供給系１０４、ＤＩＷ供給系１０５、循環部１０６および疎水化液供給系１０７）を備えていてもよい。処理液供給部は、液処理槽（一例として、内槽１０１）に処理液を供給する。この場合、処理液供給部は、複数の基板の薬液処理に用いられる薬液（一例として、エッチング液）を供給する薬液供給系（一例として、リン酸水溶液供給系１０３、シリコン供給系１０４およびＤＩＷ供給系１０５）と、疎水化剤の液体を供給する疎水化液供給系（一例として、疎水化液供給系１０７）とを備えていてもよい。薬液処理が行われる処理槽において複数の基板の疎水化も行うことで、たとえば、薬液処理が行われる処理槽から他の処理槽への複数の基板の搬送中におけるパターン倒壊を抑制することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、処理液供給部（一例として、処理液供給部６０３，６０３Ｄ）を備えていてもよい。処理液供給部は、液処理槽（一例として、処理槽６２，６２Ｄ）に処理液を供給する。この場合、処理液供給部は、複数の基板のリンス処理に用いられる水を供給する水供給系（一例として、ＤＩＷ供給系６２０，６２０Ｄ）と、疎水化剤の液体を供給する疎水化液供給系（一例として、疎水化液供給系６４０）とを備えていてもよい。リンス処理が行われる処理槽において複数の基板の疎水化も行うことで、たとえば、リンス処理が行われる処理槽から他の処理槽への複数の基板の搬送中におけるパターン倒壊を抑制することができる。

処理液供給部は、有機溶剤（一例として、ＩＰＡ）を供給する有機溶剤供給系（一例として、ＩＰＡ供給系６３０）をさらに備えていてもよい。疎水化剤および水の両方に親和性を有する有機溶剤を加えることで、疎水化剤の水への溶け込みを促進させることができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理装置
６０ エッチング処理装置
７０ 洗浄処理装置
９０ 乾燥処理装置
６１，６２，７１，７２，９１ 処理槽
９２ 基板昇降機構
２００ 液処理槽
２０４ 処理液供給部
３００ 乾燥処理槽
４００ 気体供給部
４１０ 吐出部
４２０ 加熱部
４３０ 疎水化液供給系
４４０ ＩＰＡ供給系
４５０ Ｎ２供給系

Claims (16)

1. 処理液を貯留し、複数の基板を前記処理液に浸漬することによって前記複数の基板を液処理する液処理槽と、
   前記液処理後の前記複数の基板に疎水化剤のガスを供給する疎水化ガス供給部と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記液処理槽の上部に配置され、前記複数の基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、
   前記複数の基板を前記液処理槽から引き上げて前記乾燥処理槽へ移動させる移動機構と
   をさらに備え、
   前記疎水化ガス供給部は、
   前記乾燥処理槽の内部に前記疎水化剤のガスを供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記乾燥処理槽の内部に有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤供給部
   をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記液処理槽に前記処理液を供給する処理液供給部
   を備え、
   前記処理液供給部は、
   有機溶剤を供給する有機溶剤供給系
   を備える、請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記処理液供給部は、
   水を供給する水供給系
   をさらに備える、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記処理液供給部は、
   前記液処理槽の内部に配置され、前記有機溶剤供給系および前記水供給系に接続される吐出部
   をさらに備える、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液供給部は、
   前記有機溶剤供給系に接続され、前記有機溶剤を前記液処理槽の内部に吐出する有機溶剤吐出部と、
   前記水供給系に接続され、前記水を前記液処理槽の内部に吐出する水吐出部と
   を備える、請求項５に記載の基板処理装置。
8. 前記有機溶剤吐出部は、
   前記水吐出部よりも上方に配置され、前記有機溶剤を前記液処理槽の内部に向けてシャワー状に吐出する、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記液処理槽に前記処理液を供給する処理液供給部
   を備え、
   前記処理液供給部は、
   前記複数の基板の薬液処理に用いられる薬液を供給する薬液供給系と、
   前記疎水化剤の液体を供給する疎水化液供給系と
   を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
10. 前記液処理槽に前記処理液を供給する処理液供給部
    を備え、
    前記処理液供給部は、
    前記複数の基板のリンス処理に用いられる水を供給する水供給系と、
    前記疎水化剤の液体を供給する疎水化液供給系と
    を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記処理液供給部は、
    有機溶剤を供給する有機溶剤供給系
    をさらに備える、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 処理液を貯留し、複数の基板を前記処理液に浸漬することによって前記複数の基板を液処理する液処理槽と、
    前記液処理槽に前記処理液を供給する処理液供給部と、
    前記複数の基板に疎水化剤のガスを供給する疎水化ガス供給部と、
    前記処理液供給部および前記疎水化ガス供給部を制御する制御部と
    を備え、
    前記処理液供給部は、
    有機溶剤を供給する有機溶剤供給系
    を備え、
    前記制御部は、
    前記処理液供給部を制御して、前記有機溶剤供給系から供給される前記有機溶剤を前記液処理槽に供給することによって前記液処理槽に配置された前記複数の基板に対して前記有機溶剤を供給した後、前記疎水化ガス供給部を制御して、前記複数の基板に前記疎水化剤のガスを供給する、基板処理装置。
13. 前記液処理槽の上部に配置され、前記複数の基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、
    前記複数の基板を前記液処理槽から引き上げて前記乾燥処理槽へ移動させる移動機構と、
    前記乾燥処理槽の内部に有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤供給部と
    を備え、
    前記疎水化ガス供給部は、
    前記乾燥処理槽の内部に前記疎水化剤のガスを供給し、
    前記制御部は、
    前記液処理槽に配置された前記複数の基板に対して前記有機溶剤を供給した後、前記移動機構を制御して、前記複数の基板を前記液処理槽から引き上げ、その後、前記疎水化ガス供給部を制御して、前記乾燥処理槽の内部に前記疎水化剤のガスを供給し、その後、前記有機溶剤供給部を制御して、前記乾燥処理槽の内部に前記有機溶剤の蒸気を供給する、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 液処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させることによって前記複数の基板を液処理する工程と、
    前記液処理する工程の後、前記複数の基板に疎水化剤のガスを供給する工程と
    を含む、基板処理方法。
15. 前記疎水化剤のガスを供給する工程の前に、前記液処理する工程によって前記複数の基板に付着した前記処理液としての水を有機溶剤に置換する工程
    をさらに含み、
    前記液処理する工程は、
    前記処理液としての水を前記液処理槽に貯留することによって前記液処理槽に貯留された前記水に前記複数の基板を浸漬させる、請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記置換する工程は、
    前記液処理する工程によって前記水が付着した前記複数の基板に対して前記有機溶剤をシャワー状に吐出する、請求項１５に記載の基板処理方法。

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