JP2016009727A - 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 355
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 110
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 76
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 56
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 329
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 87
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 78
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100165186 Caenorhabditis elegans bath-34 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
また、本発明の他の好適な実施形態によれば、基板処理装置の動作を制御するコンピュータからなる制御装置により実行可能なプログラムを記憶する記憶媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータにより実行されると、前記制御装置が、前記基板処理装置に上記の基板処理方法を実行させる記憶媒体が提供される。
(1)洗浄処理装置が、ウエハ配列方向に関する乾燥ガスノズル140と配列されたウエハWとの相対位置を調節する調節手段を有している。
調節手段としては、以下のいずれか一つを採用することができる。
(1−1)ウエハ搬送装置22のチャックロッド22aと、ウエハガイド124との間でウエハの受け渡しを行う際に(図7に示す状況)、チャックロッド22aの位置をウエハWの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるチャックロッド水平移動機構。このようなチャックロッド水平移動機構が、図7に参照符号22bにより概略的に示されている。
(1−2)ウエハ搬送装置22のチャックロッド22aと、ウエハガイド124との間でウエハの受け渡しを行う際に(図7に示す状況)、ウエハガイド124の位置をウエハWの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるウエハガイド水平移動機構。このようなウエハガイド水平移動機構が、図7に参照符号124bにより概略的に示されている。
(1−3)乾燥ガスノズル140を、ウエハWの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるノズル水平移動機構。このようなノズル水平移動機構が、図10に参照符号1402により概略的に示されている。
上記(1−1)及び(1−2)の場合、(2)各保持棒1241に、バッチサイズよりも少なくとも1つ多い数の保持溝1244が形成されている。
ウエハガイド水平移動機構またはノズル水平移動機構を採用する場合(上記(1−2)及び(1−3の場合))には、このような水平移動機構を洗浄槽122または乾燥室123内の雰囲気に曝される位置に設けることも可能ではあるが、図7及び図10に示すようにそのような雰囲気に曝されない位置に設ける方が好ましい。各水平移動機構は、所望の精度で位置決めを行うことができるリニアアクチュエータ、例えばボールねじを用いて実現することができる。
19,211,212 基板配列装置
122 液処理部(洗浄槽)
123 乾燥処理部(乾燥室)
137,139 乾燥チャンバ
22 基板搬送装置(ウエハ搬送装置)
22b 基板搬送装置の移動機構
124 基板保持具(ウエハガイド)
124b 基板保持具の移動機構
1244 基板保持具の基板保持溝
140 ノズル(乾燥ガスノズル)
140A 第1ノズル
140B 第2ノズル
1401 ノズルの吐出口
1402 ノズルの移動機構
163 切換装置(切換弁)
40 制御部
Claims (11)
- 複数の基板にまとめて乾燥処理を施す基板処理方法において、
基板の配列パターンとして、第1配列パターン及び第2配列パターンのいずれか一方を選択する選択工程と、
前記選択工程により選択された配列パターンに従い、複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成して水平方向に配列して、前記1配列パターンで基板が配列された第1基板配列、または、第2配列パターンで基板が配列された第2基板配列のいずれかを形成する配列工程と、
前記配列工程で形成された基板配列を維持したまま、前記複数の基板をまとめて基板保持具によって保持する保持工程と、
前記基板保持具により基板を保持した状態で、基板の前記配列ピッチの2倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有する少なくとも1つのノズルから乾燥促進ガスを吐出して、吐出された乾燥促進ガスに前記基板を接触させる乾燥促進ガス供給工程と、
を備え、
前記第1基板配列では、当該第1基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第1方向を向くとともに裏面が前記第1方向と逆方向の第2方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向き、かつ当該第1基板配列の他方の端の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向いており、
前記第2基板配列では、当該第2基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第1方向を向くとともに裏面が前記第2方向を向き、かつ当該第2基板配列の他方の端の基板の表面が前記第1方向を向くとともに裏面が前記第2方向を向いており、
前記基板処理方法は、前記選択工程で選択された前記第1の配列パターンまたは前記第2の配列パターンに応じて調整を行うことにより、乾燥促進ガス供給工程が実行されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している前記ノズルの吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする調整工程をさらに備えている、基板処理方法。 - 前記配列工程は基板配列装置により行われ、前記保持工程は、前記基板配列装置から基板を受け取った基板搬送装置が、前記基板保持具に基板を渡すことを含み、前記基板搬送装置は、前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、
前記基板保持具は、前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の枚数よりも1つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記調整工程は、前記基板搬送装置の前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す際に、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡すときの前記基板保持部材の位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項1記載の基板処理方法。 - 前記配列工程は基板配列装置により行われ、前記保持工程は、前記基板配列装置から基板を受け取った基板搬送装置が、前記基板保持具に基板を渡すことを含み、前記基板搬送装置は、前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、
前記基板保持具は、前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の枚数よりも1つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記調整工程は、前記基板搬送装置の前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す際に、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡すときの前記基板保持具の位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項1記載の基板処理方法。 - 前記調整工程は、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記ノズルの位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記ノズルが2つ設けられ、これら2つのノズルのうちの第1ノズルの吐出口の位置は、第2ノズルの吐出口の位置に対して、吐出口の配列方向に沿って前記配列ピッチに相当する距離だけずれており、
前記調整工程は、前記第1配列パターンで基板が配列されているときに前記乾燥促進ガスを基板に供給するノズルとして前記第1のノズルを選択し、前記第2配列パターンで基板が配列されているときに前記乾燥促進ガスを基板に供給するノズルとして第2のノズルを選択することを含む、請求項1記載の基板処理方法。 - 基板処理装置の動作を制御するコンピュータからなる制御装置により実行可能なプログラムを記憶する記憶媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータにより実行されると、前記制御装置が、前記基板処理装置に請求項1から7うちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させる記憶媒体。
- バッチ式の基板処理装置であって、
複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成した状態で水平方向に配列する基板配列装置と、
前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板にまとめて予め決められた乾燥処理を施す乾燥処理部と、
前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、前記基板配列装置及び前記乾燥処理部との間で、前記複数の基板の基板をまとめて搬送する基板搬送装置と、
前記基板処理装置の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記基板配列装置は、少なくとも、第1配列パターンで基板が配列された第1基板配列と、第2配列パターンで基板が配列された第2基板配列とを形成することができ、
前記第1基板配列では、当該第1基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第1方向を向くとともに裏面が前記第1方向と逆方向の第2方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向き、かつ当該第1基板配列の他方の端の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向いており、
前記第2基板配列では、当該第2基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第2方向を向くとともに裏面が前記第1方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第1方向を向くとともに裏面が前記第2方向を向き、かつ当該第2基板配列の他方の端の基板の表面が前記第1方向を向くとともに裏面が前記第2方向を向いており、
前記乾燥処理部は、
乾燥チャンバと、
前記乾燥チャンバ内で、前記基板配列装置により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて保持する基板保持具であって、前記基板搬送装置との間で、前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて受け渡しすることが可能な基板保持具と、
前記基板配列装置による基板の配列ピッチの2倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有し、各吐出口から乾燥チャンバ内に乾燥促進ガスを吐出する少なくとも1つのノズルと、
を有しており、
前記基板処理装置はさらに、前記基板保持具により保持された基板と前記乾燥ガスを吐出する前記ノズルの吐出口との間における基板の配列方向に関する相対的位置関係を調整する調整手段をさらに備え、
前記制御部は、前記基板保持具により保持されている基板が前記第1配列パターンで配列されているか前記第2配列パターンで配列されているかに応じて前記調整手段を制御し、これにより、前記ノズルから前記乾燥促進ガスが吐出されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする、基板処理装置。 - 前記基板保持具は、前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の枚数よりも1つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第1基板配列及び前記第2基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記基板搬送装置は、前記基板保持部材を、前記基板の配列方向に沿って前記基板保持具に対して進退させる移動機構を有し、
前記制御装置は、前記基板搬送装置の前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項7記載の基板処理装置。 - 前記基板保持具を、前記基板の配列方向に沿って進退させる移動機構が設けられ、
前記制御部は、前記基板保持具の前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項7記載の基板処理装置。 - 前記ノズルを、前記基板の配列方向に沿って進退させる移動機構が設けられ、
前記制御部は、前記ノズルの前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第1配列パターンで基板が配列されているときと前記第2配列パターンで基板が配列されているときとで、前記ノズルの位置を前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項7記載の基板処理装置。 - 前記ノズルは少なくとも2つ設けられ、これら2つのノズルのうちの第1ノズルの吐出口の位置は、第2ノズルの吐出口の位置に対して、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずれており、
前記第1ノズルからの吐出と第2ノズルからの吐出を切り換える切換装置が設けられ、
前記制御部は、前記切換装置を前記調整手段として用い、前記第1配列パターンで基板が配列されているときに第1のノズルを用い、前記第2配列パターンで基板が配列されているときに第2のノズルを用いる、請求項7記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014128586A JP6144236B2 (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014128586A JP6144236B2 (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016009727A true JP2016009727A (ja) | 2016-01-18 |
JP2016009727A5 JP2016009727A5 (ja) | 2016-09-01 |
JP6144236B2 JP6144236B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=55227112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014128586A Active JP6144236B2 (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6144236B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021039449A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023041246A (ja) | 2021-09-13 | 2023-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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JP2003174075A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Semi Techno:Kk | 基板のピッチ変換装置 |
-
2014
- 2014-06-23 JP JP2014128586A patent/JP6144236B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6144236B2 (ja) | 2017-06-07 |
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