KR101605700B1 - 액처리 장치, 액처리 방법 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 - Google Patents

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Abstract

장척 노즐에 의해 복수의 처리액을 공급하여 기판을 균일하게 처리할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다. 기판 보지부와, 회전 구동부와, 처리액 공급부(70)와, 처리액 공급부를 이동시키는 이동 구동부(123)를 구비하고, 처리액 공급부(70)는 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되고, 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 공급부(81)와, 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있고, 제 1 처리액 공급부(81)와 평행하게 설치된, 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급부(83)로 이루어지고, 이동 구동부(123)는 처리액 공급부를 제 1 위치와 제 2 위치로, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이동시킨다.

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM FOR STORING PROGRAM EXECUTING THE LIQUID PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스 및 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에서는 반도체 웨이퍼 또는 글라스 기판 등의 각종의 기판으로 처리액을 공급하여 처리를 행하는 프로세스가 다용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예를 들면 처리액에 의한 세정 처리, 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등을 들 수 있다.
상기한 바와 같은 세정 처리 등의 프로세스를 기판에 대하여 행하는 액처리 장치로서는 매엽식의 복수의 액처리 유닛과 반송 장치를 구비한 것이 이용되고 있다. 반송 장치는 이들 액처리 유닛으로의 기판의 반입출을 행한다.
액처리 유닛은, 예를 들면 기판 보지(保持) 수단, 회전 수단, 처리액 공급 노즐을 가진다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 기판 보지 수단은 기판을 보지한다. 회전 수단은 기판 보지 수단에 보지된 기판을 회전시킨다. 처리액 공급 노즐은 기판의 상면의 중심을 향해 약액을 공급한다. 액처리 유닛은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 기판 보지 수단에 보지하고, 기판을 회전 수단에 의해 회전시킨 상태에서, 처리액 공급 노즐에 의해, 예를 들면 기판의 표면으로 약액을 공급하여 처리를 행한다.
일본특허공개공보 2005-353739호
그러나, 상기한 액처리 장치에서의 액처리 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다.
기판 상의 소정의 방향을 따라 장척(長尺)으로 형성된 장척 노즐을 이용하여, 기판으로 복수 종류의 처리액을 공급하는 경우가 있다. 그러나, 하나의 장척 노즐을 기판의 회전 중심을 통과하는 직선 상에 배치하여, 하나의 장척 노즐에 의해 공급되는 처리액이 기판의 회전 중심에 도달하도록 하면, 다른 장척 노즐을 기판의 회전 중심 상에 배치할 수 없다. 따라서, 다른 장척 노즐에 의해 공급되는 처리액을 기판의 회전 중심에 도달시킬 수 없기 때문에, 기판을 균일하게 처리할 수 없을 우려가 있다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 장척 노즐에 의해 복수의 처리액을 공급하여 기판을 균일하게 처리할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다.
상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 다음에 기술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 처리액에 의해 처리하는 액처리 장치에 있어서, 기판을 회전 가능하게 보지하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부에 보지되어 있는 기판을 회전 구동하는 회전 구동부와, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액 공급부를 이동시키는 이동 구동부를 구비하고, 상기 처리액 공급부는 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 상기 기판으로 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 공급부와, 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있고, 상기 제 1 처리액 공급부와 평행하게 설치된, 상기 기판으로 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급부와, 상기 제 1 처리액 공급부와 상기 제 2 처리액 공급부로 이루어지고, 상기 이동 구동부는 처리액 공급부를 제 1 위치와 제 2 위치로, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이동시키는 액처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 회전하고 있는 기판을 처리액에 의해 처리하는 액처리 방법에 있어서, 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 1 처리액 공급부에 의해, 상기 기판으로 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급 공정과, 상기 제 1 처리액 공급부와 동일한 노즐부에 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 2 처리액 공급부에 의해, 상기 기판으로 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급 공정을 가지고, 상기 제 1 공급 공정에서, 상기 제 1 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하도록 상기 노즐부를 제 1 위치로 이동시키고, 상기 제 2 공급 공정에서, 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하도록 상기 노즐부를 제 2 위치로 이동시키는 액처리 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 장척 노즐에 의해 복수의 처리액을 공급하여 기판을 균일하게 처리할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액처리 장치의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 액처리 유닛의 개략 구성을 도시한 일부 단면을 포함하는 정면도이다.
도 3은 보지 부재, 웨이퍼, 상면측 노즐부 및 압압(押壓) 기구의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 4는 상면측 노즐부, 압압 기구 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도이다.
도 5는 상면측 노즐부를 확대하여 도시한 정면도 및 저면도(그 1)이다.
도 6은 상면측 노즐부를 확대하여 도시한 정면도 및 저면도(그 2)이다.
도 7은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 보지 부재, 웨이퍼 및 상면측 노즐부의 개략 구성을 도시한 평면도(그 1)이다.
도 8은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 1)이다.
도 9는 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 2)이다.
도 10은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 보지 부재, 웨이퍼 및 상면측 노즐부의 개략 구성을 도시한 평면도(그 2)이다.
도 11은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 3)이다.
도 12는 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 4)이다.
도 13은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 보지 부재, 웨이퍼 및 상면측 노즐부의 개략 구성을 도시한 평면도(그 3)이다.
도 14는 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 5)이다.
도 15는 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도(그 6)이다.
도 16은 보지 부재, 웨이퍼 및 상면측 노즐부의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 17은 상면측 노즐부 및 웨이퍼의 주변을 확대하여 도시한 측면도이다.
이어서, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면과 함께 설명한다. 여기서는, 본 발명을 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 ‘웨이퍼’라고 기술함)의 표면 세정을 행하는 액처리 장치에 적용할 경우에 대하여 나타낸다.
(실시예)
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 실시예에 따른 액처리 장치의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
이 액처리 장치(10)는 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(WC)를 재치(載置)하고, 웨이퍼(W)의 반입·반출을 행하는 반입출 스테이션(기판 반입출부)(1)과, 웨이퍼(W)에 세정 처리를 실시하기 위한 처리 스테이션(액처리부)(2)을 구비하고 있다. 반입출 스테이션(기판 반입출부)(1) 및 처리 스테이션(액처리부)(2)은 인접하여 설치되어 있다.
반입출 스테이션(1)은 캐리어 재치부(11), 반송부(12), 전달부(13) 및 하우징(14)을 가지고 있다. 캐리어 재치부(11)는 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 4 개의 웨이퍼 캐리어(WC)를 재치한다. 반송부(12)는 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 전달부(13)는 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 하우징(14)은 반송부(12) 및 전달부(13)를 수용한다.
반송부(12)는 반송 기구(15)를 가지고 있다. 반송 기구(15)는 웨이퍼(W)를 보지(保持)하는 웨이퍼 보지 암(15a) 및 웨이퍼 보지 암(15a)을 전후로 이동시키는 기구를 가지고 있다. 또한, 반송 기구(15)는 웨이퍼 캐리어(WC)의 배열 방향인 X 방향으로 연장되는 수평 가이드(17)를 따라 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 도시하지 않은 수직 가이드를 따라 이동시키는 기구, 수평면 내에서 회전시키는 기구를 가지고 있다. 이 반송 기구(15)에 의해, 웨이퍼 캐리어(WC)와 전달부(13)의 사이에서 웨이퍼(W)가 반송된다.
전달부(13)는 전달 스테이지(19) 상에 웨이퍼(W)를 재치 가능한 재치부를 복수 구비한 전달 선반(20)을 가지고 있다. 전달부(13)는 이 전달 선반(20)을 개재하여 처리 스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
처리 스테이션(2)은 직육면체 형상을 이루는 하우징(21)을 가지고 있다. 하우징(21) 내에는 그 중앙에 웨이퍼 캐리어(WC)의 배열 방향인 X 방향으로 직교하는 Y 방향을 따라 연장되는 반송로를 구성하는 반송실(21a)과, 반송실(21a)의 양측에 설치된 2 개의 유닛실(21b, 21c)을 가지고 있다. 유닛실(21b, 21c)에는 각각 반송실(21a)을 따라 6 개씩 합계 12 개의 액처리 유닛(22)이 수평으로 배열되어 있다.
반송실(21a)의 내부에는 반송 기구(24)가 설치되어 있다. 반송 기구(24)는 웨이퍼(W)를 보지하는 웨이퍼 보지 암(24a) 및 웨이퍼 보지 암(24a)을 전후로 이동시키는 기구를 가지고 있다. 또한, 반송 기구(24)는 반송실(21a)에 설치된 수평 가이드(25)를 따라 Y 방향으로 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 도시하지 않은 수직 가이드를 따라 이동시키는 기구, 수평면 내에서 회전시키는 기구를 가지고 있다. 이 반송 기구(24)에 의해, 각 액처리 유닛(22)에 대한 웨이퍼(W)의 반입출을 행하도록 되어 있다.
이어서, 본 실시예에 따른 액처리 장치에 탑재된 액처리 유닛(22)에 대하여 설명한다.
도 2는 액처리 유닛(22)의 개략 구성을 도시한 일부 단면을 포함하는 정면도이다. 또한, 도 2는 액처리 유닛(22)을 도 1에서의 Y 방향을 따라 본 도면이다. 또한, 도 2에서 도시를 용이하게 하기 위하여 압압 기구(100)를 파선에 의해 도시하고 있다.
액처리 유닛(22)은 회전 플레이트(30), 보지 부재(40), 회전 구동부(50), 기판 승강 부재(60), 하면측 공급 기구(65), 상면측 공급 기구(70), 압압 기구(100), 이동 기구(120) 및 제어부(200)를 가진다.
회전 플레이트(30)는 플레이트(31) 및 회전축(32)을 가진다. 플레이트(31)는 수평하게 또한 회전 가능하게 설치되고, 중앙에 원형의 홀(31a)을 가진다. 회전축(32)은 플레이트(31)로부터 하방을 향해 연장되도록 설치되어 있고, 중심에 홀(32a)이 형성된 원통 형상을 가진다.
보지 부재(40)는 플레이트(31) 상에 설치되어 있다. 보지 부재(40)는, 예를 들면 보지 부재(40)의 내주측에 복수 개소 설치된 보지 클로(41)에 의해 웨이퍼(W)의 단부(端部)를 사이에 두고 보지한다.
또한, 회전 플레이트(30) 및 보지 부재(40)는 본 발명에서의 기판 보지부에 상당한다.
또한, 회전 플레이트(30)의 주위에는 배액 컵(35)이 설치되어 있고, 배액 컵(35)으로 배출된 처리액 등은 배액 컵(35)에 형성된 액 배출구(36)로부터 배출된다. 또한, 회전 플레이트(30)의 주위에는 배액 컵(35)과 연통하도록, 도시하지 않은 배기 컵이 설치되어 있고, 배기 컵 내의 가스는 배기 컵에 접속된 배기관을 거쳐 배기된다.
회전 구동부(50)는 모터(51)를 가진다. 모터(51)는 회전축(32)의 외주에 베어링(33)을 개재하여 접촉하도록 설치되어 있다. 회전 구동부(50)는 모터(51)에 의해 회전축(32)을 회전시킴으로써 플레이트(31) 및 보지 부재(40)를 회전시킨다.
기판 승강 부재(60)는 플레이트(31)의 홀(31a) 및 회전축(32)의 홀(32a) 내에 승강 가능하게 설치되어 있다. 기판 승강 부재(60)는 리프트축(61)을 가진다. 리프트축(61)은 기판 승강 부재(60)로부터 하방으로 연장되어 있다. 기판 승강 부재(60)는 상면에 복수, 예를 들면 3 개의 도시하지 않은 리프트 핀을 가지고 있다. 리프트축(61)의 하측 부분에는 실린더 기구(62)가 접속되어 있고, 실린더 기구(62)에 의해 기판 승강 부재(60)를 승강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 승강시켜 반송 기구(24)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 행해진다.
또한, 기판 승강 부재(60)는 웨이퍼(W)의 하면측으로 처리액 등을 공급하는 하면측 공급 기구(65)와 일체로 설치되어 있어도 좋다. 도 2에 도시한 예에서는 기판 승강 부재(60)와 하면측 공급 기구(65)가 일체로 설치되어 있는 예를 나타낸다.
하면측 공급 기구(65)는 하면측 노즐부(66)를 가진다. 하면측 노즐부(66)는 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 하방에 승강 가능하게 설치되어 있다. 하면측 노즐부(66)는 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 하면측으로 처리액 등을 공급한다. 하면측 노즐부(66)는 공급 유로(67)를 개재하여, 처리액, 린스액 등을 전환 가능하게 공급하는 공급원(68)에 접속되어 있다. 하면측 노즐부(66)는 후술하는 상면측 공급 노즐부(71)와 마찬가지로 처리액을 토출하는 복수의 토출구(69)가 배열된 것이어도 좋다.
상면측 공급 기구(70)는 상면측 노즐부(71), 처리액 공급원(72, 73, 74) 및 가스 공급원(75)을 가진다.
상면측 노즐부(71)는 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 상방에 X 방향을 따라 장척(長尺)으로 형성되어 있다. 상면측 노즐부(71)는 X 방향과 직교하는 Y 방향으로 수평 이동 가능하게 설치되어 있고, 또한 승강 가능하게 설치되어 있다. 상면측 노즐부(71)는 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 상면측으로 처리액 등을 공급한다. 상면측 노즐부(71)의 상세한 구성은 도 3 및 도 4를 이용하여 후술한다.
처리액 공급원(72)은 처리액 공급 유로(76)를 개재하여 상면측 노즐부(71)에 접속되어 있고, 상면측 노즐부(71)로 처리액을 공급한다. 처리액 공급원(73)은 처리액 공급 유로(77)를 개재하여 상면측 노즐부(71)에 접속되어 있고, 상면측 노즐부(71)로 린스액을 공급한다. 처리액 공급원(74)은 처리액 공급 유로(78)를 개재하여 상면측 노즐부(71)에 접속되어 있고, 상면측 노즐부(71)로 유기 용제를 공급한다. 가스 공급원(75)은 가스 공급 유로(79)를 개재하여 상면측 노즐부(71)에 접속되어 있고, 상면측 노즐부(71)로 가스를 공급한다.
압압 기구(100)는 상면측 노즐부(71)와 대략 평행하게 설치되어 있다. 압압 기구(100)의 상세한 구성에 대해서는 도 3 및 도 4를 이용하여 후술한다.
이동 기구(120)는 상면측 노즐부용 암(121), 승강 구동부(122) 및 이동 구동부(123)를 가진다. 승강 구동부(122)는 회전 플레이트(30), 보지 부재(40) 및 배액 컵(35)에 의해 구성되는 처리 용기의 외방에 설치되어 있고, 상하로 이동할 수 있도록 되어 있다. 상면측 노즐부용 암(121)은 상면측 노즐부(71)와 승강 구동부(122)를 접속시키도록 설치되어 있다. 또한, 이동 구동부(123)는 승강 구동부(122)와 상면측 노즐부 암(121)에 접속된 상태로, 일체로 수평 이동 가능하게 설치되어 있다. 즉, 이동 기구(120)는 상면측 노즐부용 암(121)을 개재하여 승강 구동부(122)에 의해 상면측 노즐부(71)를 승강시키고, 또한 이동 구동부(123)에 의해 상면측 노즐부(71)를 수평 이동시킨다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 이동 기구(120)의 상면측 노즐부용 암(121)은 압압 기구(100)의 암(107)과 접속되어 있다. 그리고, 이동 기구(120)는 승강 구동부(122)에 의해 압압 기구(100)를 승강시키고, 또한 이동 구동부(123)에 의해 압압 기구(100)를 수평 이동시킨다.
이어서, 도 3 내지 도 6을 참조하여, 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
도 3은 보지 부재(40), 웨이퍼(W), 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 4는 상면측 노즐부(71), 압압 기구(100) 및 웨이퍼(W)의 주변을 확대하여 도시한 측면도이다. 또한, 도 4는 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)를 도 2에서 보고 있는 방향과 직교하는 방향을 따라 본 도면이다. 따라서, 도 2가, 예를 들면 도 1에서의 Y 방향을 따라 본 도면일 경우에는 도 4는 도 1에서의 - X 방향을 따라 본 도면이다.
도 5 및 도 6은 상면측 노즐부(71)를 확대하여 도시한 정면도 및 저면도이다. 도 5 및 도 6에서 (a)는 정면도를 나타내고, (b)는 저면도를 나타낸다. 또한, 도 5의 (a) 및 도 6의 (a)는 상면측 노즐부(71)를 도 2에서 지면(紙面) 내측으로부터 앞측을 향해 본 도면이다.
상면측 노즐부(71)는 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)를 가진다.
처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는 X 방향을 따라 장척으로 형성되어 있다. 또한, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는 도 3에 도시한 바와 같이 상면측 노즐(71)로서 일체로, X 방향과 직교하는 Y 방향으로 수평 이동 가능하게 설치되어 있다. 구체적으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는 일체로 형성된 상면측 노즐부(71)의 내부에 개별로 형성된 유로 및 노즐 홀이다. 그리고, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는 이동 구동부(123)에 의해 X 방향과 직교하는 Y 방향으로 수평 이동한다. 또한, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)의 이동 방향은 Y 방향에 한정되지 않고, X 방향과 상이한 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있으면 된다. 또한, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는 각 공급부에 대응하여 설치된 각 노즐의 집합체여도 좋다.
처리액 공급부(81)는 밸브(V1, V2)를 포함하는 전환 기구(86)를 개재하여, 처리액(T1)을 공급하는 처리액 공급원(72a) 또는 린스액(R)을 공급하는 처리액 공급원(73)으로 전환 가능하게 접속되어 있다. 처리액 공급부(82)는 밸브(V3, V4)를 포함하는 전환 기구(87)를 개재하여, 처리액(T2)을 공급하는 처리액 공급원(72b) 또는 린스액(R)을 공급하는 처리액 공급원(73)으로 전환 가능하게 접속되어 있다. 처리액 공급부(83)는 밸브(V5)를 개재하여, 처리액(T3)을 공급하는 처리액 공급원(74)에 접속되어 있다. 가스 공급부(84, 85)는 밸브(V6, V7)를 포함하는 가스 전환 기구(88)를 개재하여, 가스 공급원(75)에 전환 가능하게 접속되어 있다.
또한, 처리액 공급부(81)는 본 발명에서의 제 1 처리액 공급부에 상당하고, 처리액 공급부(83)는 본 발명에서의 제 2 처리액 공급부에 상당하고, 처리액 공급부(82)는 본 발명에서의 제 3 처리액 공급부에 상당한다. 또한, 가스 공급부(84)는 본 발명에서의 제 1 가스 공급부에 상당하고, 가스 공급부(85)는 본 발명에서의 제 2 가스 공급부에 상당한다.
처리액 공급부(81)는 웨이퍼(W) 상에 처리액(T1)을 토출하는 복수의 처리액 토출구(91a)가 배열되어 이루어지는 처리액 토출구열(91)을 포함한다. 처리액 공급부(81)는 복수의 처리액 토출구(91a)를 거쳐 웨이퍼(W)로 처리액(T1)을 공급한다.
또한, 처리액 공급부(81)는, 전술한 바와 같이, 밸브(V1, V2)를 포함하는 전환 기구(86)를 개재하여, 처리액 공급원(72a 또는 73)으로 전환 가능하게 접속되어 있다. 따라서, 처리액 토출구(91a)는 처리액(T1) 또는 린스액(R)을 토출할 수 있다. 그리고, 처리액 공급부(81)는 복수의 처리액 토출구(91a)를 거쳐 웨이퍼(W)로 처리액(T1) 또는 린스액(R)을 전환하여 공급할 수 있다.
처리액 공급부(82)는 웨이퍼(W) 상에 처리액(T2)을 토출하는 복수의 처리액 토출구(92a)가 배열되어 이루어지는 처리액 토출구열(92)을 포함한다. 처리액 공급부(82)는 복수의 처리액 토출구(92a)를 거쳐 웨이퍼(W)로 처리액(T2)을 공급한다.
또한, 처리액 공급부(82)는, 전술한 바와 같이, 밸브(V3, V4)를 포함하는 전환 기구(87)를 개재하여, 처리액 공급원(72b 또는 73)으로 전환 가능하게 접속되어 있다. 따라서, 처리액 토출구(92a)는 처리액(T2) 또는 린스액(R)을 토출할 수 있다. 그리고, 처리액 공급부(82)는 복수의 처리액 토출구(92a)를 거쳐 웨이퍼(W)로 처리액(T2) 또는 린스액(R)을 전환하여 공급할 수 있다.
처리액(T1)으로서 알칼리계의 처리액, 예를 들면 암모니아 과산화수소(SC1) 등을 이용할 수 있다. 처리액(T2)으로서 산계의 처리액, 예를 들면 황산 과산화수소(SPM), 희불산(DHF) 등을 이용할 수 있다. 혹은, 처리액(T1)이 산계의 처리액이고, 처리액(T2)이 알칼리계의 처리액이어도 좋다.
처리액 공급부(83)는 웨이퍼(W) 상에 유기 용제를 토출하는 복수의 처리액 토출구(93a)가 배열되어 이루어지는 처리액 토출구열(93)을 포함한다. 처리액 공급부(83)는 복수의 처리액 토출구(93a)를 거쳐 웨이퍼(W)로 처리액(T3)을 공급한다.
또한, 이하에서는 처리액(T3)으로서 유기 용제(OS)를 공급하는 예에 대하여 설명한다.
유기 용제(OS)로서, 예를 들면 IPA(이소프로필 알코올), HFE(하이드로 플루오르 에테르) 등의 린스액보다 표면 장력이 작은 각종의 유기 용제를 이용할 수 있다.
처리액 토출구(91a)는 처리액 토출구열(93)과 대략 평행하게 배열되어 있다. 즉, 처리액 토출구열(91)은 복수의 처리액 토출구(91a)가 처리액 토출구열(93)과 대략 평행하게, 즉 대략 X 방향으로 배열되어 이루어진다.
처리액 토출구(92a)는 처리액 토출구열(93)을 중심으로 하여 처리액 토출구열(91)과 반대측으로서 처리액 토출구열(93)과 대략 평행하게 배열되어 있다. 즉, 처리액 토출구열(92)은 복수의 처리액 토출구(92a)가 처리액 토출구열(93)을 중심으로 하여 처리액 토출구열(91)과 반대측으로서 처리액 토출구열(93)과 대략 평행하게, 즉 대략 X 방향으로 배열된다.
복수의 처리액 토출구(91a)는 처리액 공급부(81)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상으로 이동할 시에, 소정의 처리액 토출구(91a)로부터 토출되는 처리액(T1)이 대략 회전 중심(C) 상에 도달하도록 배열되어 있다. 예를 들면, 처리액 공급부(81)가 Y 방향으로 이동하여 직선(CL) 상에 배치될 시에, 소정의 처리액 토출구(91a)가 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심(C) 상에 배치된다. 이에 의해, 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 웨이퍼(W)의 상면 전체 면으로 충분히 처리액(T1)을 공급할 수 있다.
또한, 복수의 처리액 토출구(92a)는 처리액 공급부(82)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상으로 이동할 시에, 소정의 처리액 토출구(92a)로부터 토출되는 처리액(T2)이 대략 회전 중심(C) 상에 도달하도록 배열되어 있다. 예를 들면, 처리액 공급부(82)가 Y 방향으로 이동하여 직선(CL) 상에 배치될 시에, 소정의 처리액 토출구(92a)가 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심(C) 상에 배치된다. 이에 의해, 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 웨이퍼(W)의 표면 전체 면으로 충분히 처리액(T2)을 공급할 수 있다.
또한, 복수의 처리액 토출구(93a)는 처리액 공급부(83)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상으로 이동할 시에, 소정의 처리액 토출구(93a)로부터 토출되는 유기 용제가 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심(C) 상에 도달하도록 배열되어 있다. 예를 들면, 처리액 공급부(83)가 Y 방향으로 이동하여 직선(CL) 상에 배치될 시에, 소정의 처리액 토출구(92a)가 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심(C) 상에 배치된다. 이에 의해, 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 웨이퍼(W)의 상면 전체 면으로 충분히 유기 용제를 공급할 수 있다.
가스 공급부(84)는 가스를 토출하는 복수의 가스 토출구(94a)가 배열되어 이루어지는 가스 토출구열(94)를 포함한다. 가스 공급부(84)는 복수의 가스 토출구(94a)를 거쳐 가스를 공급한다.
가스 공급부(85)는 가스를 토출하는 복수의 가스 토출구(95a)가 배열되어 이루어지는 가스 토출구열(95)을 포함한다. 가스 공급부(85)는 복수의 가스 토출구(95a)를 거쳐 가스를 공급한다.
가스로서, 예를 들면 질소(N2) 가스 등의 각종의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
가스 토출구(94a)는 처리액 토출구열(93)과 처리액 토출구열(91)의 사이에 배열되어 있다. 즉, 가스 토출구열(94)은 복수의 가스 토출구(94a)가 처리액 토출구열(93)과 처리액 토출구열(91)의 사이에 대략 X 방향으로 배열되어 이루어진다.
가스 토출구(95a)는 처리액 토출구열(93)과 처리액 토출구열(92)의 사이에 배열되어 있다. 즉, 가스 토출구열(95)은 복수의 가스 토출구(95a)가 처리액 토출구열(93)과 처리액 토출구열(92)의 사이에 대략 X 방향으로 배열되어 이루어진다.
가스 공급부(84)는 가스 토출구(94a)가 처리액 토출구(91a)측을 향하도록 형성되어 있다. 즉, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각은 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각을 비켜난 위치를 향해, 처리액 공급부(81)측에 가스를 토출한다. 구체적으로, 각각의 복수의 가스 토출구(94a)가 배열 방향을 따라 인접하는 2 개의 처리액 토출구(91a)의 사이에 위치하도록 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리액 공급부(81)에 의해 처리액(T1) 또는 린스액(R)을 공급할 시, 상면측 노즐부(71)에 부착된 처리액(T1) 또는 린스액(R)이 가스 토출구(94a)로부터 토출된 가스에 의해 제거되기 때문에, 처리액(T1) 또는 린스액(R)이 상면측 노즐부(71)의 하면(도 4에서 사선으로 나타낸 영역 I)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 토출구(94a)로부터 처리액 토출구(93a)와는 반대 방향을 향해 가스를 토출하게 되기 때문에, 처리액(T1) 또는 린스액(R)이 처리액 토출구(93a)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각이 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각을 비켜난 위치에서, 처리액 공급부(81)측을 향해 가스를 토출하기 때문에, 처리액 토출구(91a)로부터 토출되는 처리액(T1)의 흐름을 방해하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각은 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각의 주변에 가스를 토출한다. 여기서, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각이 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각의 주변에 가스를 토출한다는 것은 복수의 가스 토출구(94a)의 각각으로부터 토출된 가스가 복수의 처리액 토출구(91a)에 직접 접촉하지 않는 것을 의미한다. 따라서, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각이, 배열 방향을 따라 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각과 동일한 위치에 배치되어 있어도, 처리액 토출구(91a)에 가스가 직접 접촉하지 않는 방향을 향하고 있으면 된다.
또한, 처리액 토출구(91a)의 주변이란, 상면측 노즐부(71)의 하방으로 돌출된 부분의 하면, 측면 및 하방으로 돌출된 부분의 주위의 부분의 표면을 의미한다. 구체적으로, 도 4에서의 영역 I에 상당한다.
마찬가지로, 가스 공급부(85)는 가스 토출구(95a)가 처리액 토출구(92a)측을 향하도록 설치되어 있다. 즉, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각은 복수의 처리액 토출구(92a)의 각각을 비켜난 위치를 향해 처리액 공급부(82)측에 가스를 토출한다. 구체적으로, 각각의 복수의 가스 토출구(95a)가 배열 방향을 따라 인접하는 2 개의 처리액 토출구(92a)의 사이에 위치하도록 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리액 공급부(82)에 의해 처리액(T2) 또는 린스액(R)을 공급할 시, 상면측 노즐부(71)에 부착된 처리액(T2) 또는 린스액(R)이 가스 토출구(95a)로부터 토출된 가스에 의해 제거되기 때문에, 처리액(T2) 또는 린스액(R)이 상면측 노즐부(71)의 하면(도 4에서 사선으로 나타낸 영역 II)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 처리액 공급부(82)에 의해 처리액(T2) 또는 린스액(R)을 공급할 시, 가스 토출구(95a)로부터 처리액 토출구(93a)와는 반대 방향을 향해 가스를 토출하게 되기 때문에, 처리액(T2) 또는 린스액(R)이 처리액 토출구(93a)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각이, 복수의 처리액 토출구(92a)의 각각을 비켜난 위치에서, 처리액 공급부(82)측을 향해 가스를 토출하기 때문에, 처리액 토출구(92a)로부터 토출되는 처리액(T2)의 흐름을 방해하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각은 복수의 처리액 토출구(92a)의 각각의 주변에 가스를 토출하도록 배열되어 있다. 여기서, 처리액 토출구(92a)의 주변이란, 상면측 노즐부(71)의 하방으로 돌출된 하면, 측면 및 하방으로 돌출된 부분의 주위의 부분의 표면을 의미한다. 구체적으로, 도 4에서의 영역 II에 상당한다.
또한, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각은 처리액 토출구열(93)의 배열 방향을 따라 처리액 토출구(91a)와 처리액 토출구(93a)의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 복수의 처리액 토출구(91a)와 복수의 처리액 토출구(93a)는 처리액 토출구열(93)의 배열 방향을 따라 교호로 배열하도록 형성되어 있다. 이에 따라, 처리액 공급부(81)에 의해 처리액(T1) 또는 린스액(R)을 공급할 시, 처리액(T1) 또는 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 더 확실히 방지할 수 있다.
마찬가지로, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각은 처리액 토출구열(93)의 배열 방향을 따라 처리액 토출구(92a)와 처리액 토출구(93a)의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 복수의 처리액 토출구(92a)와 복수의 처리액 토출구(93a)는 처리액 토출구열(93)의 배열 방향을 따라 교호로 배열하도록 형성되어 있다. 이에 따라, 처리액 공급부(82)에 의해 처리액(T2) 또는 린스액(R)을 공급할 시, 처리액(T2) 또는 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 더 확실히 방지할 수 있다.
또한, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각은 배열 방향을 따라 처리액 토출구(93a)의 각각의 위치와 동일한 위치에 배열되어 있어도 좋다. 이에 의해, 처리액(T1) 또는 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
마찬가지로, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각도, 배열 방향을 따라 처리액 토출구(93a)의 각각의 위치와 동일한 위치에 배열되어 있어도 좋다. 이에 의해, 처리액(T2) 또는 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
압압 기구(100)는 웨이퍼(W) 상에서, 예를 들면 X 방향을 따라 장척으로 형성되어 있고, 또한 웨이퍼(W) 상에서 X 방향과 상이한, 예를 들면 Y 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 압압 기구(100)는 웨이퍼(W)를 상방으로부터 하방을 향해 압압한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)를 보지 부재(40)에 압압할 수 있기 때문에, 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나거나 보지 부재(40)로부터 외주 방향으로 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
압압 기구(100)는 압압 기구(100)의 하면(100a)에 가스를 토출하기 위한 토출구(101)와, 가스를 흡인하기 위한 흡인구(102)가 형성되어 있어도 좋다. 토출구(101)에는 토출구(101)를 통해 가스를 공급하는 공급원(103)이 밸브(104)를 개재하여 접속되어 있어도 좋고, 흡인구(102)에는 흡인구(102)를 통해 가스를 흡인하는 흡인원(105)이 밸브(106)를 개재하여 접속되어 있어도 좋다. 토출구(101)에 의해 압압용 가스를 하방을 향해 토출하고, 또한 흡인구(102)를 거쳐 가스를 흡인함으로써, 웨이퍼(W)를 상방으로부터 하방을 향해 압압하도록 해도 좋다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 휘어져 있을 경우에도 웨이퍼(W)의 휨을 교정하여 평탄하게 한 상태로 웨이퍼(W)를 보지할 수 있기 때문에, 처리액에 의한 처리를 웨이퍼(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 하면을, 예를 들면 도시하지 않은 브러시에 의해 세정할 경우, 브러시를 웨이퍼(W)에 접촉시킬 때의 압력을 웨이퍼(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다.
또한, 압압 기구(100)는 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라 상면측 노즐부(71)보다 상류측에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 상면측 노즐부(71)로부터 공급된 각 처리액, 린스액, 유기 용제의 흐름을 방해하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 압압 기구(100)는 압압 기구(100)에 고정되어 있는 암(107)이 상면측 노즐부용 암(121)과 접속 기구(140)를 개재하여 접속되어 있어도 좋다. 접속 기구(140)는 가동 부재(141)와 탄성 부재(142)를 가진다. 가동 부재(141)의 상측 부분(141a)은 상면측 노즐부용 암(121)에 고정되어 있다. 가동 부재(141)의 중간 부분(141b)은, 예를 들면 암(107)에 형성된 홀(107a)을 관통하여 상하 이동 가능하게 설치되어 있다. 가동 부재(141)의 하측 부분(141c)은 가동 부재(141)가 암(107)에 대하여 가장 상측으로 상대 변위할 시, 암(107)의 하면(107b)과 접촉하도록 설치되어 있다. 탄성 부재(142)는 가동 부재(141)와 암(107)의 상면(107c)의 사이에 설치되어 있다. 탄성 부재(142)는 암(107)을 상면측 노즐부용 암(121)에 대하여 상하 방향으로 탄성 변위 가능하게 설치하기 위한 것이다.
이러한 구성을 가지는 접속 기구(140)를 설치함으로써, 이동 기구(120)의 승강 구동부(122)에 의해 상면측 노즐부(71)가 하단 위치에 있을 시에, 압압 기구(100)는 상면측 노즐부(71)에 대하여 상하 방향으로 탄성 변위 가능하게 배치되어 있다. 또한, 이동 기구(120)의 승강 구동부(122)에 의해 상면측 노즐부(71)가 상단 위치에 있을 시에, 압압 기구(100)는 하측 부분(141c)이 암(107)의 하면(107b)과 접촉한 상태로 배치되어 있다.
또한, 이동 기구(120)의 이동 구동부(123)에 의해, 압압 기구(100)도 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)와 일체로 수평 이동된다.
제어부(200)는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 콘트롤러(201)를 가지고 있고, 액처리 장치(10)의 각 구성부가 이 프로세스 콘트롤러(201)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 또한, 프로세스 콘트롤러(201)에는 공정관리자가 액처리 장치(10)의 각 구성부를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행하는 키보드 및 액처리 장치(10)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(202)가 접속되어 있다. 또한, 프로세스 콘트롤러(201)에는 액처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 콘트롤러(201)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램 및 처리 조건에 따라 액처리 장치(10)의 각 구성부에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램, 즉 레시피가 저장된 기억부(203)가 접속되어 있다. 레시피는 기억부(203) 내의 기억 매체(기록 매체)에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드 디스크 또는 반도체 메모리여도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 개재하여 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다.
그리고, 필요에 따라 유저 인터페이스(202)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(203)로부터 호출하여 프로세스 콘트롤러(201)에 실행시킴으로써, 프로세스 콘트롤러(201)의 제어 하에서 각 부재를 제어하고, 액처리 장치(10)에서의 원하는 처리가 행해진다.
이어서, 도 7부터 도 15를 참조하여, 상기한 제어부(200)에 의해 액처리 유닛(22)을 이용하여 행해지는 액처리 방법에 대하여 설명한다.
도 7, 도 10 및 도 13은 본 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 보지 부재(40), 웨이퍼(W) 및 상면측 노즐부(71)의 개략 구성을 도시한 평면도이다. 도 8, 도 9, 도 11, 도 12, 도 14 및 도 15는 본 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정에서의 상면측 노즐부(71) 및 웨이퍼(W)의 주변을 확대하여 도시한 측면도이다. 또한, 도 7에 도시한 평면도는 도 8 및 도 9에 도시한 측면도와 대응하고 있고, 도 10에 도시한 평면도는 도 11 및 도 12에 도시한 측면도와 대응하고 있고, 도 13에 도시한 평면도는 도 14 및 도 15에 도시한 측면도와 대응하고 있다. 또한, 도 7부터 도 12에서는 상면측 노즐부(71)에 대하여 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 축소하여 도시하고 있다. 또한, 도 8, 도 9, 도 11, 도 12, 도 14, 도 15에서는 도 7, 도 10 및 도 13에 도시한 압압 기구(100)의 도시를 생략하고 있다.
미리, 반입출 스테이션(1)의 캐리어 재치부(11)에 재치된 웨이퍼 캐리어(WC)로부터 반송 기구(15)에 의해 1 매의 웨이퍼(W)를 취출하여 전달 선반(20)의 재치부에 재치하고, 이 동작을 연속적으로 행한다. 전달 선반(20)의 재치부에 재치된 웨이퍼(W)는 처리 스테이션(2)의 반송 기구(24)에 의해 순차적으로 반송되어, 소정의 액처리 유닛(22)으로 반입된다. 이 때, 상면측 노즐부(71)는 웨이퍼(W)의 반입을 방해하지 않는 위치로 상승되어 있다. 그리고, 액처리 유닛(22)에서 웨이퍼(W)는 기판 승강 부재(60)로 전달되어 강하하고, 보지 부재(40)에 의해 보지된다. 이 후, 상면측 노즐부(71)는 웨이퍼(W) 근처까지 하강한다.
이어서, 도 7 및 도 8에 도시한 공정에서는 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)를 회전 구동부(50)에 의해 회전시키고, 또한 가스 공급부(84)에 의해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(81)에 의해 웨이퍼(W)로 처리액(T1)을 공급한다(제 1 처리액 공급 공정).
또한, 제 1 처리액 공급 공정은 본 발명에서의 제 1 공급 공정에 상당한다.
처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 처리액(T1)이 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달하도록, 처리액 공급부(81)를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다(제 1 위치). 본 실시예에서는 장척으로 형성되어 있는 처리액 공급부(81)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상에 배치되도록, 처리액 공급부(81)를 포함하는 상면측 노즐부(71) 전체를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다.
그리고, 밸브(V1, V2)를 포함하는 전환 기구(86)를 전환함으로써, 처리액 공급원(72a)을 처리액 공급부(81)에 접속시킨다. 그리고, 가스 공급부(84)에 의해, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각으로부터 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각을 비켜난 위치를 향해 처리액 공급부(81)측에 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액(T1)을 공급한다. 이에 의해, 처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 처리액(T1)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달시킬 수 있다. 또한, 처리액(T1)이 상면측 노즐부(71)(영역 I)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이 때의 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 500 ~ 1500 rpm으로 하고, 처리액(T1)의 유량을, 예를 들면 1000 ~ 1500 sccm으로 할 수 있다.
또한, 제 1 처리액 공급 공정에서는 가스 공급부(85)로부터도, 즉 복수의 가스 토출구(95a)의 각각으로부터도 가스를 토출하고 있다. 이에 의해, 처리액(T1)이 웨이퍼(W) 상으로부터 튀어 올라, 상면측 노즐부(71)(영역 II)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 9에 도시한 공정에서는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 또한 가스 공급부(84)에 의해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(81)에 의해 웨이퍼(W)로 린스액(R)을 공급한다(제 1 린스액 공급 공정). 또한, 도 9에 도시한 공정에서의 보지 부재(40), 웨이퍼(W), 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)의 개략 구성을 도시한 평면도는 도 7과 동일하다.
우선, 밸브(V1)를 닫음으로써, 처리액 공급부(81)로부터의 처리액(T1)의 공급을 정지한다.
그리고, 처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 린스액(R)이 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달하도록, 처리액 공급부(81)를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨 상태인 채로 한다. 본 실시예에서는 장척으로 형성되어 있는 처리액 공급부(81)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상에 배치되도록, 처리액 공급부(81)를 포함하는 상면측 노즐부(71) 전체를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨 채로 한다.
그리고, 밸브(V2)를 개방함으로써, 처리액 공급원(73)을 처리액 공급부(81)에 접속시킨다. 그리고, 가스 공급부(84)에 의해, 복수의 가스 토출구(94a)의 각각으로부터 복수의 처리액 토출구(91a)의 각각을 비켜난 위치를 향해 처리액 공급부(81)측에 가스를 토출하고 있는 상태에서, 린스액(R)을 공급한다. 이에 의해, 처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 린스액(R)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달시킬 수 있다. 또한, 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이 때의 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 500 ~ 1500 rpm으로 하고, 린스액(R)의 유량을, 예를 들면 1000 ~ 1500 sccm으로 할 수 있다.
또한, 제 1 린스액 공급 공정에서는 가스 공급부(85)로부터도, 즉 복수의 가스 토출구(95a)의 각각으로부터도 가스를 토출하고 있다.
이어서, 도 10 및 도 11에 도시한 공정에서는 웨이퍼(W)를 회전시키고 있고, 또한 가스 공급부(85)에 의해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(82)에 의해 웨이퍼(W)로 처리액(T2)을 공급한다(제 2 처리액 공급 공정).
또한, 제 2 처리액 공급 공정은 본 발명에서의 제 3 공급 공정에 상당한다.
우선, 전환 기구(86)의 밸브(V1, V2)를 닫음으로써, 처리액 공급부(81)로부터의 린스액(R)의 공급을 정지한다.
그리고, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 처리액(T2)이 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달하도록, 처리액 공급부(82)를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다(제 3 위치). 본 실시예에서는 장척으로 형성되어 있는 처리액 공급부(82)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상에 배치되도록, 처리액 공급부(82)를 포함하는 상면측 노즐부(71) 전체를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다.
또한, 밸브(V3, V4)를 포함하는 전환 기구(87)를 전환함으로써, 처리액 공급원(72b)을 처리액 공급부(82)에 접속시킨다. 그리고, 가스 공급부(85)에 의해, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각으로부터 복수의 처리액 토출구(92a)의 각각을 비켜난 위치를 향해 처리액 공급부(82)측에 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액(T2)을 공급한다. 이에 의해, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 처리액(T2)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달시킬 수 있다. 또한, 처리액(T2)이 상면측 노즐부(71)(영역 II)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이 때의 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 500 ~ 1500 rpm으로 하고, 처리액(T2)의 유량을, 예를 들면 1000 ~ 1500 sccm으로 할 수 있다.
또한, 제 2 처리액 공급 공정에서는 가스 공급부(84)로부터도, 즉 복수의 가스 토출구(94a)의 각각으로부터도 가스를 토출하고 있다. 이에 의해, 처리액(T2)이 웨이퍼(W) 상으로부터 튀어 올라, 상면측 노즐부(71)(영역 I)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 12에 도시한 공정에서는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 또한 가스 공급부(85)에 의해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(82)에 의해 웨이퍼(W)로 린스액(R)을 공급한다(제 2 린스액 공급 공정). 또한, 도 12에 도시한 공정에서의 보지 부재(40), 웨이퍼(W), 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)의 개략 구성을 도시한 평면도는 도 10과 동일하다.
우선, 밸브(V3)를 닫음으로써, 처리액 공급부(82)에 의한 처리액(T2)의 공급을 정지한다.
그리고, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 린스액(R)이 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달하도록, 처리액 공급부(82)를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨 상태인 채로 한다. 본 실시예에서는 장척으로 형성되어 있는 처리액 공급부(82)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상에 배치되도록, 처리액 공급부(82)를 포함하는 상면측 노즐부(71) 전체를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨 채로 한다.
그리고, 밸브(V4)를 개방함으로써, 처리액 공급원(73)을 처리액 공급부(82)에 접속시킨다. 그리고, 가스 공급부(85)에 의해, 복수의 가스 토출구(95a)의 각각으로부터 복수의 처리액 토출구(92a)의 각각을 비켜난 위치를 향해 처리액 공급부(82)측에 가스를 토출하고 있는 상태에서, 린스액(R)을 공급한다. 이에 의해, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 린스액(R)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달시킬 수 있다. 또한, 린스액(R)이 처리액 공급부(83)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이 때의 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 500 ~ 1500 rpm으로 하고, 린스액(R)의 유량을, 예를 들면 1000 ~ 1500 sccm으로 할 수 있다.
또한, 제 2 린스액 공급 공정에서는 가스 공급부(84)로부터, 즉 복수의 가스 토출구(94a)의 각각으로부터 가스를 토출하고 있다.
이어서, 도 13 및 도 14에 도시한 공정에서는 웨이퍼(W)를 회전시키고 있는 상태에서, 처리액 공급부(83)에 의해 웨이퍼(W)로 유기 용제(OS)를 공급한다(유기 용제 공급 공정).
또한, 유기 용제 공급 공정은 본 발명에서의 제 2 공급 공정에 상당한다.
우선, 전환 기구(87)의 밸브(V3, V4)를 닫음으로써, 처리액 공급부(82)로부터의 린스액(R)의 공급을 정지한다.
그리고, 처리액 공급부(83)에 의해 공급되는 유기 용제(OS)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달하도록, 처리액 공급부(83)를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다(제 2 위치). 본 실시예에서는 장척으로 형성되어 있는 처리액 공급부(83)가 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)을 통과하는 직선(CL) 상에 배치되도록, 처리액 공급부(83)를 포함하는 상면측 노즐부(71) 전체를 이동 구동부(123)에 의해 이동시킨다.
또한, 밸브(V5)를 열어, 처리액 공급원(74)을 처리액 공급부(83)에 접속시킨다. 그리고, 처리액 공급부(83)에 의해 유기 용제(OS)를 공급한다. 이에 의해, 처리액 공급부(83)에 의해 공급되는 유기 용제(OS)를 웨이퍼(W)의 회전 중심(C)에 도달시킬 수 있다.
또한, 유기 용제 공급 공정에서는 가스 공급부(84, 85)로부터, 즉 복수의 가스 토출구(94a, 95a)의 각각으로부터 가스를 토출하고 있다.
이어서, 도 15에 도시한 공정에서는 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 유기 용제(OS)를 털어내기 건조한다(건조 공정). 또한, 도 15에 도시한 공정에서의 보지 부재(40), 웨이퍼(W), 상면측 노즐부(71) 및 압압 기구(100)의 개략 구성을 도시한 평면도는 도 13과 동일하다.
우선, 밸브(V5)를 닫음으로써, 처리액 공급부(83)로부터의 유기 용제(OS)의 공급을 정지한다.
그리고, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 유기 용제(OS)를 털어내어 건조시킨다. 이 때의 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 1000 ~ 1500 rpm으로 할 수 있다.
이 후, 회전 구동부(50)가 정지되고, 보지 부재(40)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 회전도 정지된다. 그리고, 상면측 노즐부(71)를 상승시켜, 반송 기구(24)에 의해 액처리 유닛(22)으로부터 웨이퍼(W)를 반출한다. 이 후, 전달 선반(20)에 재치하고, 전달 선반(20)으로부터 반송 기구(15)에 의해 웨이퍼 캐리어(WC)로 되돌린다.
이상의 일련의 공정에 의해, 1 매의 웨이퍼(W)의 처리가 종료한다.
이상, 본 실시예에 따르면, 제 1 처리액 공급 공정 및 제 1 린스액 공급 공정에서, 처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 처리액(T1) 및 린스액(R)이 웨이퍼의 회전 중심에 도달하도록 처리액 공급부(81)를 이동시킨다. 또한, 제 2 처리액 공급 공정 및 제 2 린스액 공급 공정에서, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 처리액(T2) 및 린스액(R)이 웨이퍼의 회전 중심에 도달하도록 처리액 공급부(82)를 이동시킨다. 또한, 유기 용제 공급 공정에서, 처리액 공급부(83)에 의해 공급되는 유기 용제가 웨이퍼의 회전 중심에 도달하도록 처리액 공급부(83)를 이동시킨다. 이에 의해, 복수의 장척 노즐에 의해 공급되는 처리액 모두 웨이퍼의 회전 중심에 도달시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼를 균일하게 처리할 수 있다.
또한, 각각의 처리액 토출구를 향해 가스를 토출하므로, 각각의 처리액 토출구로부터 공급된 처리액이 다른 처리액 토출구에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 처리액(T1, T2)으로서, 예를 들면 170℃ 정도의 고온의 황산 과산화수소(SPM) 또는 예를 들면 80℃ 정도의 고온의 암모니아 과산화수소(SC1)가 처리액 토출구로부터 토출될 경우에, SPM의 토출구에 SC1이 부착되거나 SC1의 토출구에 SPM가 부착되는 것을 방지할 수 있어, 토출구가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 처리액 토출구(93a)로부터 유기 용제를 토출할 시에, 토출된 유기 용제에 린스액이 혼입하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼로 공급된 유기 용제에 린스액이 혼입하여 웨이퍼에 워터 마크가 발생하고, 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 처리액(T1, T2)으로서 암모니아 과산화수소(SC1)를 처리액 공급부(81, 82)에 의해 웨이퍼로 공급한 다음, 처리액 토출구(93a)로부터 유기 용제를 토출할 시에, 암모니아 과산화수소(SC1)에 포함되어 있던 암모니아가 처리액 토출구(93a)의 주변에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 암모니아 성분이 웨이퍼에 남아, 워터 마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 처리액을 토출하고 있지 않은 노즐의 처리액 토출구를 향해서도 상시 가스를 토출하고 있으므로, 처리액 토출구의 근방에서 산 / 알칼리 분위기가 공존하지 않는다. 이 때문에, 처리액 토출구에 결정(염)이 생성되어 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리액 토출구에 부착된 결정이 웨이퍼에 낙하하여, 웨이퍼 표면에 파티클이 되어 부착하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 처리액 토출구의 내부에 처리액(T1, T2)이 부착되는 것도 방지할 수 있다.
또한, 처리액 공급부(81, 82, 83), 가스 공급부(84, 85)는, 예를 들면 장척으로 형성된 하우징에 띠 형상으로 토출구가 형성된 것이어도 좋다.
또한, 본 실시예에 따른 액처리 장치에서는 상면측 공급 노즐부(71)가 처리액 공급부(82) 및 가스 공급부(85)를 가지고 있지 않고, 처리액 공급부(81, 83) 및 가스 공급부(84)만을 가지고 있어도 좋다. 또한, 본 실시예에 따른 액처리 방법에서는 제 2 처리액 공급 공정 및 제 2 린스액 공급 공정을 가지고 있지 않고, 제 1 처리액 공급 공정, 제 1 린스액 공급 공정 및 유기 용제 공급 공정만을 가지고 있어도 좋다.
(실시예의 변형예)
이어서, 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 액처리 장치에 대하여 설명한다.
본 변형예에 따른 액처리 장치는 상면측 노즐부가 처리액 공급부(83), 가스 공급부(84, 85)를 가지고 있지 않다는 점에서, 실시예에 따른 액처리 장치와 상이하다. 또한, 처리액 공급부(81, 82)가 별체로 수평면 내로 이동 가능하게 설치되어 있는 점에서 실시예에 따른 액처리 장치와 상이하다. 또한, 압압 기구를 가지고 있지 않다는 점에서 실시예에 따른 액처리 장치와 상이하다. 따라서, 본 변형예에 따른 액처리 장치 중 상면측 노즐부 이외의 부분은 압압 기구를 가지고 있지 않다는 점을 제외하고, 실시예의 액처리 장치와 동일 구조를 가지고 있기 때문에 설명을 생략한다.
도 16은 보지 부재(40), 웨이퍼(W) 및 상면측 노즐부(71a)의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 17은 상면측 노즐부(71a) 및 웨이퍼(W)의 주변을 확대하여 도시한 측면도이다. 또한, 도 17은 상면측 노즐부(71a)를 도 2에서 보고 있는 방향과 직교하는 방향을 따라 본 도면이다. 따라서, 도 2가, 예를 들면 도 1에서의 Y 방향을 따라 본 도일 경우에는 도 17은 도 1에서의 - X 방향을 따라 본 도면이다.
도 16 및 도 17에 도시한 바와 같이, 상면측 노즐부(71a)는 처리액 공급부(81, 82)를 가진다. 처리액 공급부(81, 82)는 실시예의 상면측 노즐부(71)에서의 처리액 공급부(81, 82)와 동일 구조를 가지고 있기 때문에 설명을 생략한다.
처리액 공급부(81, 82)는 X 방향을 따라 장척으로 형성되어 있다. 또한, 처리액 공급부(81, 82)는 도 16에 도시한 바와 같이 X 방향과 직교하는 Y 방향으로 독립적으로 수평 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 처리액 공급부(81, 82)는 각각 이동 구동부(123a, 123b)에 의해, X 방향과 직교하는 Y 방향으로 독립적으로 수평 이동된다. 또한, 처리액 공급부(81, 82)는 Y 방향 대신에 X 방향과 상이한 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있으면 된다.
본 변형예에 따른 액처리 방법은 실시예에 따른 액처리 방법의 각 공정 중 유기 용제 공급 공정을 가지고 있지 않다.
또한, 본 변형예에 따른 액처리 방법에서는 제 1 처리액 공급 공정 및 제 1 린스액 공급 공정에서, 가스 공급부에 의해 처리액 공급부(81)측을 향해 가스를 토출하지 않는다. 또한, 제 2 처리액 공급 공정 및 제 2 린스액 공급 공정에서, 가스 공급부에 의해 처리액 공급부(82)측을 향해 가스를 토출하지 않는다.
본 변형예에서도, 제 1 처리액 공급 공정 및 제 1 린스액 공급 공정에서, 처리액 공급부(81)에 의해 공급되는 처리액(T1) 및 린스액(R)이 웨이퍼의 회전 중심에 도달하도록 처리액 공급부(81)를 이동시킨다. 또한, 제 2 처리액 공급 공정 및 제 2 린스액 공급 공정에서도, 처리액 공급부(82)에 의해 공급되는 처리액(T2) 및 린스액(R)이 웨이퍼의 회전 중심에 도달하도록, 처리액 공급부(82)를 이동시킨다. 이에 의해, 복수의 장척 노즐에 의해 공급되는 처리액 모두 웨이퍼의 회전 중심에 도달시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼를 균일하게 처리할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술했지만, 본 발명은 이러한 특정의 실시예에 한정되지 않고, 특허 청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형·변경이 가능하다.
10 : 액처리 장치
22 : 액처리 유닛
30 : 회전 플레이트
40 : 보지 부재
50 : 회전 구동부
81 ~ 83 : 처리액 공급부
84, 85 : 가스 공급부
91a, 92a, 93a : 처리액 토출구
94a, 95a : 가스 토출구
123 : 이동 구동부
200 : 제어부

Claims (16)

  1. 기판을 처리액에 의해 처리하는 액처리 장치에 있어서,
    기판을 회전 가능하게 보지(保持)하는 기판 보지부와,
    상기 기판 보지부에 보지되어 있는 기판을 회전 구동하는 회전 구동부와,
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리액 공급부를 이동시키는 이동 구동부
    를 구비하고,
    상기 처리액 공급부는, 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있고, 상기 기판으로 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 공급부와, 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있고, 상기 제 1 처리액 공급부와 평행하게 설치되며, 상기 기판으로 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급부로 이루어지고,
    상기 이동 구동부는 처리액 공급부를 제 1 위치와 제 2 위치로, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이동시키고,
    상기 제 1 처리액 공급부는, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 1 처리액 토출구를 거쳐 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 제 2 처리액 공급부는, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 2 처리액 토출구를 거쳐 상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 복수의 제 1 처리액 토출구와 상기 복수의 제 2 처리액 토출구는 상기 제 1 방향을 따라 교호로 배열되도록 형성되어 있는
    것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위치는, 상기 제 1 처리액을 공급할 시에는 상기 제 1 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하는 위치이며, 상기 제 2 위치는, 상기 제 2 처리액을 공급할 시에는 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하는 위치인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 액처리 장치는,
    상기 제 1 처리액 공급부와 상기 제 2 처리액 공급부의 사이에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 복수의 제 1 가스 토출구를 통해 가스를 공급하는 제 1 가스 공급부를 더 가지고,
    상기 복수의 제 1 가스 토출구의 각각은, 상기 제 1 처리액 공급부측을 향해 가스를 토출하도록 배열되어 있는 액처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 가스 토출구의 각각은, 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 2 개의 상기 제 1 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 액처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 가스 토출구의 각각은, 상기 제 1 처리액 토출구와 상기 제 2 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 액처리 장치.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 공급부는,
    상기 제 2 처리액 공급부를 중심으로 하여 상기 제 1 처리액 공급부와 반대측에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 복수의 제 3 처리액 토출구를 통해 상기 기판으로 제 3 처리액을 공급하는 제 3 처리액 공급부를 더 가지고,
    상기 액처리 장치는,
    상기 제 3 처리액 공급부와 상기 제 2 처리액 공급부의 사이에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 복수의 제 2 가스 토출구를 통해 가스를 공급하는 제 2 가스 공급부
    를 더 가지고,
    상기 복수의 제 2 가스 토출구의 각각은, 상기 제 3 처리액 공급부측을 향해 가스를 토출하도록 배열되어 있고,
    상기 이동 구동부는, 상기 제 3 처리액을 공급할 시에는 상기 제 3 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하는 제 3 위치로, 상기 처리액 공급부를 상기 이동 구동부에 의해 이동시키는 것인 액처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 가스 토출구의 각각은, 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 2 개의 상기 제 3 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 액처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 가스 토출구의 각각은, 상기 제 3 처리액 토출구와 상기 제 2 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하도록 배열되어 있는 액처리 장치.
  9. 회전하고 있는 기판을 처리액에 의해 처리하는 액처리 방법에 있어서,
    제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 1 처리액 공급부에 의해, 상기 기판으로 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급 공정과,
    상기 제 1 처리액 공급부와 동일한 노즐부에 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 2 처리액 공급부에 의해, 상기 기판으로 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급 공정
    을 가지고,
    상기 제 1 처리액 공급부는, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 1 처리액 토출구를 거쳐 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 제 2 처리액 공급부는, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 2 처리액 토출구를 거쳐 상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 복수의 제 1 처리액 토출구와 상기 복수의 제 2 처리액 토출구는 상기 제 1 방향을 따라 교호로 배열되도록 형성되어 있고,
    상기 제 1 공급 공정에서, 상기 제 1 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하도록 상기 노즐부를 제 1 위치로 이동시키고,
    상기 제 2 공급 공정에서, 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하도록 상기 노즐부를 제 2 위치로 이동시키는 액처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 공급 공정은, 상기 제 1 처리액 공급부와 상기 제 2 처리액 공급부의 사이에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 1 가스 공급부에 의해, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 1 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 1 처리액 공급부측을 향해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 1 처리액 공급부에 의해, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 1 처리액 토출구를 통해 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 제 2 공급 공정은, 상기 제 2 처리액 공급부에 의해, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 2 처리액 토출구를 통해 상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 것인 액처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 공급 공정은, 상기 복수의 제 1 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 2 개의 상기 제 1 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 1 처리액을 공급하는 것인 액처리 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 공급 공정은, 상기 복수의 제 1 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 1 처리액 토출구와 상기 제 2 처리액 토출구와의 사이의 위치에서 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 1 처리액을 공급하는 것인 액처리 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 처리액 공급부를 중심으로 하여 상기 제 1 처리액 공급부와 반대측에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 3 처리액 공급부에 의해, 상기 기판으로 제 3 처리액을 공급하는 제 3 공급 공정을 더 가지고,
    상기 제 3 공급 공정은, 상기 제 3 처리액 공급부와 상기 제 2 처리액 공급부의 사이에서 상기 제 1 방향을 따라 장척으로 형성되어 있는 제 2 가스 공급부에 의해, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 2 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 3 처리액 공급부측을 향해 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 3 처리액 공급부에 의해, 상기 제 1 방향으로 배열되어 있는 복수의 제 3 처리액 토출구를 통해 상기 기판으로 상기 제 3 처리액을 공급하는 것이며,
    상기 제 3 공급 공정에서, 상기 제 3 처리액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하도록 상기 노즐부를 제 3 위치로 이동시키는 액처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 공급 공정은, 상기 복수의 제 2 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 1 방향을 따라 인접하는 2 개의 상기 제 3 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 3 처리액을 공급하는 것인 액처리 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 공급 공정은, 상기 복수의 제 2 가스 토출구의 각각으로부터 상기 제 3 처리액 토출구와 상기 제 2 처리액 토출구의 사이의 위치에서 가스를 토출하고 있는 상태에서, 상기 제 3 처리액을 공급하는 것인 액처리 방법.
  16. 컴퓨터에 청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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