JP2002075956A - 板状基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents
板状基板の処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JP2002075956A JP2002075956A JP2000266013A JP2000266013A JP2002075956A JP 2002075956 A JP2002075956 A JP 2002075956A JP 2000266013 A JP2000266013 A JP 2000266013A JP 2000266013 A JP2000266013 A JP 2000266013A JP 2002075956 A JP2002075956 A JP 2002075956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- plate
- gap
- processing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】板状基板の処理において、装置構成の簡易・小
形化、使用処理液量の縮減化、異物再付着の大幅軽減化
を図る。 【解決手段】対向する親水性表面間の隙間部に処理液が
充填された第１、第２の処理部と、該第１、第２の処理
部間にあって処理液または被処理基板に対し外力を与え
る第３の処理部とを備え、該第１、第２の処理部がそれ
ぞれ、上記親水性表面を有した第１の部材と、該第１の
部材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の部
材の隙間部に略連続する隙間部を形成し処理液を該端部
近傍において該第１の部材側にはじく第２の部材とを有
した構成とする。
形化、使用処理液量の縮減化、異物再付着の大幅軽減化
を図る。 【解決手段】対向する親水性表面間の隙間部に処理液が
充填された第１、第２の処理部と、該第１、第２の処理
部間にあって処理液または被処理基板に対し外力を与え
る第３の処理部とを備え、該第１、第２の処理部がそれ
ぞれ、上記親水性表面を有した第１の部材と、該第１の
部材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の部
材の隙間部に略連続する隙間部を形成し処理液を該端部
近傍において該第１の部材側にはじく第２の部材とを有
した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、液晶基板や半導
体基板等の板状基板の流体処理技術に係り、特に、基板
を流体により外部雰囲気から遮断して処理する技術に関
する。
体基板等の板状基板の流体処理技術に係り、特に、基板
を流体により外部雰囲気から遮断して処理する技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、従来の液晶基板等の製作時の流
体処理工程としては、パターンを形成するためにレジス
トや窒化膜等をマスクとし薄膜を薬液でエッチング除去
するウエットエッチング工程、レジストをアッシングし
た後のレジスト残渣を除去する残渣処理工程、異物を酸
化とエッチングにより除去するためのアルカリ性酸化剤
添加水溶液による処理工程、異物を除去するために純水
や弱アルカリ性水溶液等の流体やブラシ等で洗浄する洗
浄工程等が代表的なものとしてある。上記流体処理工程
では、被処理基板を大気中で回転させながら、薬液や純
水をスプレーしながら超音波またはブラシ等で処理した
後、不活性ガスをスプレーし高速で回転させながら乾燥
する方法や、また、被処理基板の薄膜化や大型化等に伴
い、被処理基板を搬送しながら大気中で洗浄や乾燥の処
理を行う、いわゆる平流方式の方法が用いられている。
体処理工程としては、パターンを形成するためにレジス
トや窒化膜等をマスクとし薄膜を薬液でエッチング除去
するウエットエッチング工程、レジストをアッシングし
た後のレジスト残渣を除去する残渣処理工程、異物を酸
化とエッチングにより除去するためのアルカリ性酸化剤
添加水溶液による処理工程、異物を除去するために純水
や弱アルカリ性水溶液等の流体やブラシ等で洗浄する洗
浄工程等が代表的なものとしてある。上記流体処理工程
では、被処理基板を大気中で回転させながら、薬液や純
水をスプレーしながら超音波またはブラシ等で処理した
後、不活性ガスをスプレーし高速で回転させながら乾燥
する方法や、また、被処理基板の薄膜化や大型化等に伴
い、被処理基板を搬送しながら大気中で洗浄や乾燥の処
理を行う、いわゆる平流方式の方法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においてはいずれも、基板処理が大気中で行われ
るため、これに起因した欠点がある。例えば、上記回転
方式の場合は、乾燥処理時に発生した気流の乱れによっ
て、処理チャンバ内に付着した汚染物が巻き上げられて
基板面に再付着するという問題があるし、また、上記平
流方式の場合も、ブラシや超音波スプレーによって飛散
した汚染物が、いったん洗浄された基板の表面に再び付
着するという問題がある。また、基板の大型化に伴い、
処理チャンバの大型化や、装置の設置面積の増大や、処
理用薬液の使用量増大等の問題も生じている。本発明の
課題点は、（１）装置構成が簡単で小形化できること、
（２）処理液の使用量も少なくできること、（３）処理
むらのない高精度処理が可能なこと、（４）飛散した異
物等の基板への再付着を防止または大幅軽減できるこ
と、等である。本発明の目的は、かかる課題点を解決し
た板状基板の処理技術を提供することにある。
来技術においてはいずれも、基板処理が大気中で行われ
るため、これに起因した欠点がある。例えば、上記回転
方式の場合は、乾燥処理時に発生した気流の乱れによっ
て、処理チャンバ内に付着した汚染物が巻き上げられて
基板面に再付着するという問題があるし、また、上記平
流方式の場合も、ブラシや超音波スプレーによって飛散
した汚染物が、いったん洗浄された基板の表面に再び付
着するという問題がある。また、基板の大型化に伴い、
処理チャンバの大型化や、装置の設置面積の増大や、処
理用薬液の使用量増大等の問題も生じている。本発明の
課題点は、（１）装置構成が簡単で小形化できること、
（２）処理液の使用量も少なくできること、（３）処理
むらのない高精度処理が可能なこと、（４）飛散した異
物等の基板への再付着を防止または大幅軽減できるこ
と、等である。本発明の目的は、かかる課題点を解決し
た板状基板の処理技術を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題点を解決するた
めに本発明では、 （１）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液
または上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部
と、該第２の処理部の後に配され対向する親水性表面間
の隙間部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、
該第１、第３の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有
する第１の部材と、該第１の部材の端部側にあって対向
する撥水性表面が該第１の部材の上記親水性表面間の隙
間部に略連続する隙間部を形成し処理液を該端部近傍に
おいて該第１の部材側にはじく第２の部材とを有した構
成とし、上記板状基板を、上記第１の処理部の上記各隙
間部、上記第２の処理部、及び上記第３の処理部の上記
各隙間部を通すことにより、流体処理する構成とする。 （２）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液
または上記板状基板に対して外力を与え該基板の表面か
ら少なくとも異物を強制除去する第２の処理部と、該第
２の処理部の処理動作によって飛散した処理液を吸い込
む飛散液吸込部と、上記第２の処理部の後に配され対向
する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第３の
処理部とを備え、かつ、該第１、第３の処理部はそれぞ
れ、上記親水性表面を有する第１の部材と、該第１の部
材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の部材
の上記親水性表面間の隙間部に略連続する隙間部を形成
し処理液を該端部近傍において該第１の部材側にはじく
第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、上記
第１の処理部の上記隙間部、上記第２の処理部、及び上
記第３の処理部の上記隙間部を通すことにより、少なく
とも異物を除去するとともに、該除去したものの該基板
への再付着を減らすようにする。
めに本発明では、 （１）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液
または上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部
と、該第２の処理部の後に配され対向する親水性表面間
の隙間部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、
該第１、第３の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有
する第１の部材と、該第１の部材の端部側にあって対向
する撥水性表面が該第１の部材の上記親水性表面間の隙
間部に略連続する隙間部を形成し処理液を該端部近傍に
おいて該第１の部材側にはじく第２の部材とを有した構
成とし、上記板状基板を、上記第１の処理部の上記各隙
間部、上記第２の処理部、及び上記第３の処理部の上記
各隙間部を通すことにより、流体処理する構成とする。 （２）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液
または上記板状基板に対して外力を与え該基板の表面か
ら少なくとも異物を強制除去する第２の処理部と、該第
２の処理部の処理動作によって飛散した処理液を吸い込
む飛散液吸込部と、上記第２の処理部の後に配され対向
する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第３の
処理部とを備え、かつ、該第１、第３の処理部はそれぞ
れ、上記親水性表面を有する第１の部材と、該第１の部
材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の部材
の上記親水性表面間の隙間部に略連続する隙間部を形成
し処理液を該端部近傍において該第１の部材側にはじく
第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、上記
第１の処理部の上記隙間部、上記第２の処理部、及び上
記第３の処理部の上記隙間部を通すことにより、少なく
とも異物を除去するとともに、該除去したものの該基板
への再付着を減らすようにする。
【０００５】（３）板状基板を流体で処理する板状基板
の処理装置を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液
が充填された第１の処理部と、処理液または上記板状基
板に対して外力を与えるようブラシが回転する回転ブラ
シを備えた第２の処理部と、該回転ブラシの回転で飛散
した処理液を吸い込む飛散液吸込手段と、上記第２の処
理部の後に配され対向する親水性表面間の隙間部に処理
液が充填された第３の処理部と、上記処理液を少なくと
も上記第１、第２、第３の処理部のいずれかに供給する
処理液供給手段と、該供給した処理液を吸い込む処理液
吸込手段と、上記基板の表面に不活性ガスを噴射する第
４の処理部とを備え、かつ、該第１、第３の処理部はそ
れぞれ、上記親水性表面を有する第１の部材と、該第１
の部材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の
部材の上記親水性表面間の隙間部に略連続する隙間部を
形成し処理液を該端部近傍において該第１の部材側には
じく第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、
上記第１の処理部の上記隙間部、上記第２の処理部、上
記第３の処理部の上記隙間部及び上記第４の処理部を通
すことにより、少なくとも異物を除去するとともに、該
除去したものの該基板への再付着を減らすようにする。 （４）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、上記処理液または上記板状基板に対
し超音波スプレーから処理液が噴射される第２の処理部
と、該噴射で飛散した処理液を吸い込む飛散液吸込手段
と、上記第２の処理部の後に配され対向する親水性表面
間の隙間部に処理液が充填された第３の処理部と、上記
処理液を少なくとも上記第１、第２、第３の処理部のい
ずれかに供給する処理液供給手段と、該供給した処理液
を吸い込む処理液吸込手段と、上記基板の表面に不活性
ガスを噴射する第４の処理部とを備え、かつ、該第１、
第３の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有する第１
の部材と、該第１の部材の端部側にあって対向する撥水
性表面が該第１の部材の上記親水性表面間の隙間部に略
連続する隙間部を形成し処理液を該端部近傍において該
第１の部材側にはじく第２の部材とを有した構成とし、
上記板状基板を、上記第１の処理部の上記隙間部、上記
第２の処理部、上記第３の処理部の上記隙間部及び上記
第４の処理部を通すことにより、少なくとも異物を除去
するとともに、該除去したものの該基板への再付着を減
らすようにする。
の処理装置を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液
が充填された第１の処理部と、処理液または上記板状基
板に対して外力を与えるようブラシが回転する回転ブラ
シを備えた第２の処理部と、該回転ブラシの回転で飛散
した処理液を吸い込む飛散液吸込手段と、上記第２の処
理部の後に配され対向する親水性表面間の隙間部に処理
液が充填された第３の処理部と、上記処理液を少なくと
も上記第１、第２、第３の処理部のいずれかに供給する
処理液供給手段と、該供給した処理液を吸い込む処理液
吸込手段と、上記基板の表面に不活性ガスを噴射する第
４の処理部とを備え、かつ、該第１、第３の処理部はそ
れぞれ、上記親水性表面を有する第１の部材と、該第１
の部材の端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の
部材の上記親水性表面間の隙間部に略連続する隙間部を
形成し処理液を該端部近傍において該第１の部材側には
じく第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、
上記第１の処理部の上記隙間部、上記第２の処理部、上
記第３の処理部の上記隙間部及び上記第４の処理部を通
すことにより、少なくとも異物を除去するとともに、該
除去したものの該基板への再付着を減らすようにする。 （４）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填され
た第１の処理部と、上記処理液または上記板状基板に対
し超音波スプレーから処理液が噴射される第２の処理部
と、該噴射で飛散した処理液を吸い込む飛散液吸込手段
と、上記第２の処理部の後に配され対向する親水性表面
間の隙間部に処理液が充填された第３の処理部と、上記
処理液を少なくとも上記第１、第２、第３の処理部のい
ずれかに供給する処理液供給手段と、該供給した処理液
を吸い込む処理液吸込手段と、上記基板の表面に不活性
ガスを噴射する第４の処理部とを備え、かつ、該第１、
第３の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有する第１
の部材と、該第１の部材の端部側にあって対向する撥水
性表面が該第１の部材の上記親水性表面間の隙間部に略
連続する隙間部を形成し処理液を該端部近傍において該
第１の部材側にはじく第２の部材とを有した構成とし、
上記板状基板を、上記第１の処理部の上記隙間部、上記
第２の処理部、上記第３の処理部の上記隙間部及び上記
第４の処理部を通すことにより、少なくとも異物を除去
するとともに、該除去したものの該基板への再付着を減
らすようにする。
【０００６】（５）板状基板を流体で処理する板状基板
の処理装置を、親水性表面が第１の隙間を隔て互いに対
向して配され該第１の隙間部に処理液が充填された第１
の処理部と、該第１の処理部の後に配され撥水性表面が
隙間を隔てて互いに対向して配され該隙間部に不活性ガ
スが充填されるガス充填部と、親水性表面が第２の隙間
を隔てて互いに対向して配され該第２の隙間部に処理液
が充填された第２の処理部と、上記板状基板の表面に不
活性ガスを噴射する第３の処理部と、を備え、上記ガス
充填部によって上記第１の処理部の処理液と上記第２の
処理部の処理液とが混合しないようにした状態で、上記
板状基板を、上記第１の処理部、上記ガス充填部、上記
第２の処理部、及び第３の処理部を通すことにより、流
体処理するようにした構成とする。 （６）上記（１）から（５）において、上記親水性表面
間の距離を略６ｍｍ以下とする。 （７）上記（３）または（４）において、上記処理液供
給手段と上記処理液吸込手段のそれぞれを、上記第１の
処理部及び上記第３の処理部に設ける。 （８）上記（７）において、上記処理液供給手段と上記
処理液吸込手段を、上記板状基板の移動方向に対し、該
処理液供給手段が後側に、該処理液吸込手段が前側にな
るように配する。 （９）上記（１）から（５）において、上記第１の処理
部に充填される処理液と、上記第２の処理部に充填され
る処理液とが異なるようにする。
の処理装置を、親水性表面が第１の隙間を隔て互いに対
向して配され該第１の隙間部に処理液が充填された第１
の処理部と、該第１の処理部の後に配され撥水性表面が
隙間を隔てて互いに対向して配され該隙間部に不活性ガ
スが充填されるガス充填部と、親水性表面が第２の隙間
を隔てて互いに対向して配され該第２の隙間部に処理液
が充填された第２の処理部と、上記板状基板の表面に不
活性ガスを噴射する第３の処理部と、を備え、上記ガス
充填部によって上記第１の処理部の処理液と上記第２の
処理部の処理液とが混合しないようにした状態で、上記
板状基板を、上記第１の処理部、上記ガス充填部、上記
第２の処理部、及び第３の処理部を通すことにより、流
体処理するようにした構成とする。 （６）上記（１）から（５）において、上記親水性表面
間の距離を略６ｍｍ以下とする。 （７）上記（３）または（４）において、上記処理液供
給手段と上記処理液吸込手段のそれぞれを、上記第１の
処理部及び上記第３の処理部に設ける。 （８）上記（７）において、上記処理液供給手段と上記
処理液吸込手段を、上記板状基板の移動方向に対し、該
処理液供給手段が後側に、該処理液吸込手段が前側にな
るように配する。 （９）上記（１）から（５）において、上記第１の処理
部に充填される処理液と、上記第２の処理部に充填され
る処理液とが異なるようにする。
【０００７】（１０）板状基板を流体で処理する板状基
板の処理方法として、親水性表面が隙間を隔て互いに対
向状態で配され該隙間部に処理液が充填された部分で板
状基板に対し第１の処理を行うステップと、該第１の処
理後に該充填された処理液または板状基板に対して外力
を与え該被処理基板の表面から少なくとも異物を除去す
るステップと、該異物除去動作で飛散した処理液を吸い
込むステップと、該異物除去動作後に親水性表面が隙間
を隔て互いに対向して配され該隙間部に処理液が充填さ
れた部分で第２の処理を行うステップと、上記板状基板
の表面に不活性ガスを噴射するステップと、を経て、該
板状基板から少なくとも異物を除去するとともに、該除
去したものの該基板への再付着を減らすようにする。 （１１）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する部材表面間の隙間部に処理液が充填された
第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液ま
たは上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部
と、上記第２の処理部の後に配され対向する部材表面間
の隙間部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、
該第１、第３の処理部をそれぞれ、上記処理液が表面間
の隙間部に充填される第１の部材と、該第１の部材の端
部側にあって該処理液の表面張力を該第１の部材表面に
よる場合よりも大きくする表面を有し該第１の部材の表
面間の上記隙間部に略連続する第２の隙間部を形成する
第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、上記
第１の処理部の上記各隙間部、上記第２の処理部、及び
上記第３の処理部の上記各隙間部を通すことにより、流
体処理するようにする。
板の処理方法として、親水性表面が隙間を隔て互いに対
向状態で配され該隙間部に処理液が充填された部分で板
状基板に対し第１の処理を行うステップと、該第１の処
理後に該充填された処理液または板状基板に対して外力
を与え該被処理基板の表面から少なくとも異物を除去す
るステップと、該異物除去動作で飛散した処理液を吸い
込むステップと、該異物除去動作後に親水性表面が隙間
を隔て互いに対向して配され該隙間部に処理液が充填さ
れた部分で第２の処理を行うステップと、上記板状基板
の表面に不活性ガスを噴射するステップと、を経て、該
板状基板から少なくとも異物を除去するとともに、該除
去したものの該基板への再付着を減らすようにする。 （１１）板状基板を流体で処理する板状基板の処理装置
を、対向する部材表面間の隙間部に処理液が充填された
第１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液ま
たは上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部
と、上記第２の処理部の後に配され対向する部材表面間
の隙間部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、
該第１、第３の処理部をそれぞれ、上記処理液が表面間
の隙間部に充填される第１の部材と、該第１の部材の端
部側にあって該処理液の表面張力を該第１の部材表面に
よる場合よりも大きくする表面を有し該第１の部材の表
面間の上記隙間部に略連続する第２の隙間部を形成する
第２の部材とを有した構成とし、上記板状基板を、上記
第１の処理部の上記各隙間部、上記第２の処理部、及び
上記第３の処理部の上記各隙間部を通すことにより、流
体処理するようにする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面を
用いて説明する。図１は、本発明における処理部の基本
構成の説明図であって一構成例を示し、（ａ）は斜視
図、（ｂ）はその断面図である。図１において、１は第
１の撥水性部材、２は処理液吸引口、３は第１の親水性
部材、４は処理液、５は処理液供給口、６は第２の親水
性部材、７は第２の撥水性部材、１８は処理する板状基
板、１９は該板状基板１８の搬送方向、２１は第１の下
部撥水性部材、２２は第１の下部処理液の吸引口、２３
は第１の下部親水性部材、２４は第１の下部処理液、２
５は第１の下部処理液の供給口、２６は第２の下部親水
性部材、２７は第２の下部撥水性部材、１０２は処理液
吸引用パイプ、１０５は処理液供給用パイプである。被
処理基板１８の搬送方向１９に沿って、第１の撥水性部
材１と、第１の下部撥水性部材２１と、処理液吸引口２
と、第１の下部処理液の吸引口２２と、第１の親水性部
材３と、第１の下部親水性部材２３と、処理液供給口５
と、第１の下部処理液の供給口２５と、第２の親水性部
材６と、第２の下部親水性部材２６と、第２の撥水性部
材７と、第２の下部撥水性部材２７とを配し、該第１の
撥水性部材１と第１の下部撥水性部材２１とを対向さ
せ、第１の親水性部材３と第１の下部親水性部材２３と
を対向させ、第２の親水性部材６と第２の下部親水性部
材２６とを対向させ、第２の撥水性部材７と第２の下部
撥水性部材２７とを対向させてある。該第１の親水性部
材３と第１の下部親水性部材２３との対向部、及び、第
２の親水性部材６と第２の下部親水性部材２６との対向
部に形成される隙間部には、上記処理液供給口５と第１
の下部処理液の供給口２５から処理液４、２４が隙間部
に供給され、過剰の処理液は処理液吸引口２及び第１の
下部処理液の吸引口２２から外部側に排出される。処理
液の外部側への排出にあたっては、処理液吸引口２から
の液だけを処理液吸引パイプ１０２を通してもよいし、
第１の下部処理液の吸引口２２からの処理液もいっしょ
に該処理液吸引パイプ１０２を通すようにしてもよい。
上記処理液供給口５と上記第１の下部処理液の供給口２
５から供給する処理液についても同様で、処理液供給パ
イプ１０５から、該処理液供給口５と該第１の下部処理
液の供給口２５とに処理液を供給してもよいし、また
は、各供給口５、２５へそれぞれ別個の供給パイプから
供給するようにしてもよい。該処理液の供給及び吸引
は、板状基板１８の幅方向に略平均化されて液の流れが
発生するように行われるのが望ましい。第１の撥水性部
材１と第１の下部撥水性部材２１の対向部、及び第２の
撥水性部材７と第２の下部撥水性部材２７の対向部で
は、処理液４、２４が、第１の親水性部材３と第１の下
部親水性部材２３との対向部間隙間部、及び第２の親水
性部材６と第２の下部親水性部材２６との対向部隙間部
の方向にはじかれ、該処理液の該部における表面張力が
高められる。該状態で、基板１８を上記処理液中を通
し、洗浄等の処理を行う。板状基板１８の搬送移動中
に、処理液４、２４は、処理液供給口５と第１の下部処
理液の供給口２５とから絶えず供給しかつ処理液吸引口
２及び第１の下部処理液の吸引口２２から絶えず外部に
排出するようにして隙間部において流れを形成するよう
にしてもよいし、または、処理時に供給も排出もしない
状態にしておいてもよい。本実施例の構成では、処理液
の流れを形成する場合は、該流れの方向は該基板１８の
搬送方向とは逆の方向になるようにし、基板１８に対す
る液の流れの相対速度が上がるようにする等して、基板
面から異物等が除去され易いようにしてある。また、第
１の親水性部材３と第１の下部親水性部材２３との対向
部、及び、第２の親水性部材６と第２の下部親水性部材
２６との対向部に形成される隙間部の寸法（対向面間距
離）は略６ｍｍ以下がよい。基板１８は搬送移動中に表
裏面が一定の時間処理液と接し、処理液により同時に処
理される。被処理基板１８が親水性の場合、第２の撥水
性部材７に隣接して外側に不活性ガス供給口を配し、そ
こで基板１８に該不活性ガスを噴射することで基板面に
付いている処理液や残滓等を除去できる。以下、本発明
の実施例として、上記図１のような基本ユニットに不活
性ガス供給構成を組合わせた構成例（第１の実施例）、
回転ブラシを組合わせた構成例（第２の実施例）、及び
超音波スプレーユニットを組合わせた構成例（第３の実
施例）を示す。各実施例では、ウェットエッチング処
理、残渣処理、薬液洗浄処理、異物除去洗浄処理等が可
能である。
用いて説明する。図１は、本発明における処理部の基本
構成の説明図であって一構成例を示し、（ａ）は斜視
図、（ｂ）はその断面図である。図１において、１は第
１の撥水性部材、２は処理液吸引口、３は第１の親水性
部材、４は処理液、５は処理液供給口、６は第２の親水
性部材、７は第２の撥水性部材、１８は処理する板状基
板、１９は該板状基板１８の搬送方向、２１は第１の下
部撥水性部材、２２は第１の下部処理液の吸引口、２３
は第１の下部親水性部材、２４は第１の下部処理液、２
５は第１の下部処理液の供給口、２６は第２の下部親水
性部材、２７は第２の下部撥水性部材、１０２は処理液
吸引用パイプ、１０５は処理液供給用パイプである。被
処理基板１８の搬送方向１９に沿って、第１の撥水性部
材１と、第１の下部撥水性部材２１と、処理液吸引口２
と、第１の下部処理液の吸引口２２と、第１の親水性部
材３と、第１の下部親水性部材２３と、処理液供給口５
と、第１の下部処理液の供給口２５と、第２の親水性部
材６と、第２の下部親水性部材２６と、第２の撥水性部
材７と、第２の下部撥水性部材２７とを配し、該第１の
撥水性部材１と第１の下部撥水性部材２１とを対向さ
せ、第１の親水性部材３と第１の下部親水性部材２３と
を対向させ、第２の親水性部材６と第２の下部親水性部
材２６とを対向させ、第２の撥水性部材７と第２の下部
撥水性部材２７とを対向させてある。該第１の親水性部
材３と第１の下部親水性部材２３との対向部、及び、第
２の親水性部材６と第２の下部親水性部材２６との対向
部に形成される隙間部には、上記処理液供給口５と第１
の下部処理液の供給口２５から処理液４、２４が隙間部
に供給され、過剰の処理液は処理液吸引口２及び第１の
下部処理液の吸引口２２から外部側に排出される。処理
液の外部側への排出にあたっては、処理液吸引口２から
の液だけを処理液吸引パイプ１０２を通してもよいし、
第１の下部処理液の吸引口２２からの処理液もいっしょ
に該処理液吸引パイプ１０２を通すようにしてもよい。
上記処理液供給口５と上記第１の下部処理液の供給口２
５から供給する処理液についても同様で、処理液供給パ
イプ１０５から、該処理液供給口５と該第１の下部処理
液の供給口２５とに処理液を供給してもよいし、また
は、各供給口５、２５へそれぞれ別個の供給パイプから
供給するようにしてもよい。該処理液の供給及び吸引
は、板状基板１８の幅方向に略平均化されて液の流れが
発生するように行われるのが望ましい。第１の撥水性部
材１と第１の下部撥水性部材２１の対向部、及び第２の
撥水性部材７と第２の下部撥水性部材２７の対向部で
は、処理液４、２４が、第１の親水性部材３と第１の下
部親水性部材２３との対向部間隙間部、及び第２の親水
性部材６と第２の下部親水性部材２６との対向部隙間部
の方向にはじかれ、該処理液の該部における表面張力が
高められる。該状態で、基板１８を上記処理液中を通
し、洗浄等の処理を行う。板状基板１８の搬送移動中
に、処理液４、２４は、処理液供給口５と第１の下部処
理液の供給口２５とから絶えず供給しかつ処理液吸引口
２及び第１の下部処理液の吸引口２２から絶えず外部に
排出するようにして隙間部において流れを形成するよう
にしてもよいし、または、処理時に供給も排出もしない
状態にしておいてもよい。本実施例の構成では、処理液
の流れを形成する場合は、該流れの方向は該基板１８の
搬送方向とは逆の方向になるようにし、基板１８に対す
る液の流れの相対速度が上がるようにする等して、基板
面から異物等が除去され易いようにしてある。また、第
１の親水性部材３と第１の下部親水性部材２３との対向
部、及び、第２の親水性部材６と第２の下部親水性部材
２６との対向部に形成される隙間部の寸法（対向面間距
離）は略６ｍｍ以下がよい。基板１８は搬送移動中に表
裏面が一定の時間処理液と接し、処理液により同時に処
理される。被処理基板１８が親水性の場合、第２の撥水
性部材７に隣接して外側に不活性ガス供給口を配し、そ
こで基板１８に該不活性ガスを噴射することで基板面に
付いている処理液や残滓等を除去できる。以下、本発明
の実施例として、上記図１のような基本ユニットに不活
性ガス供給構成を組合わせた構成例（第１の実施例）、
回転ブラシを組合わせた構成例（第２の実施例）、及び
超音波スプレーユニットを組合わせた構成例（第３の実
施例）を示す。各実施例では、ウェットエッチング処
理、残渣処理、薬液洗浄処理、異物除去洗浄処理等が可
能である。
【０００９】図２は、本発明の第１の実施例を示す。本
第１の実施例は、薬液処理用の構成例であって、上記図
１に述べたような基本構成のユニットを２基用い、該ユ
ニット相互間に不活性ガス供給部を配した構成である。
第１のユニットでは板状基板１８に対し薬液処理を行
い、不活性ガス領域を経て、第２のユニットでは該基板
１８に対しリンス処理を行うようになっている。該不活
性ガス領域では、該不活性ガスにより、該第１、第２の
ユニット内部に充填された処理液（薬液、リンス液）を
互いに遮断状態にし、互いに混じり合わないようにする
とともに、該第１のユニットから搬送されてくる基板１
８に付着した処理液（薬液）除去する。図２において、
被処理基板としての板状基板１８の上部には、第１の上
部撥水性部材１、第１の上部処理液の上部吸引口２、第
１の上部親水性部材３、第１の上部処理液の供給口５、
第２の上部親水性部材６、第２の上部撥水性部材７、第
１の上部不活性ガスの供給口８、第３の上部撥水性部材
９、第２の上部処理液の上部吸引口１０、第３の上部親
水性部材１１、第２の上部処理液の上部供給口１３、第
４の上部親水性部材１４、第４の上部撥水性部材１５、
第２の上部不活性ガス供給口１６、第５の上部撥水性部
材１７が配され、同板状基板１８の下部には、第１の下
部撥水性部材２１、第１の下部処理液の下部吸引口２
２、第１の下部親水性部材２３、第１の下部処理液の供
給口２５、第２の下部親水性部材２６、第２の下部撥水
性部材２７、第１の下部不活性ガスの供給口２８、第３
の下部撥水性部材２９、第２の下部処理液の下部吸引口
３０、第３の下部親水性部材３１、第２の下部処理液の
下部供給口３３、第４の下部親水性部材３４、第４の下
部撥水性部材３５、第２の下部不活性ガス供給口３６、
第５の下部撥水性部材３７が配されている。第１の上部
撥水性部材１、第１の上部処理液の上部吸引口２、第１
の上部親水性部材３、第１の上部処理液の供給口５、第
２の上部親水性部材６、及び第２の上部撥水性部材７
と、それぞれに対向配置された第１の下部撥水性部材２
１、第１の下部処理液の下部吸引口２２、第１の下部親
水性部材２３、第１の下部処理液の供給口２５、第２の
下部親水性部材２６、及び第２の下部撥水性部材２７が
上記第１のユニットを構成し、第３の上部撥水性部材
９、第２の上部処理液の上部吸引口１０、第３の上部親
水性部材１１、第２の上部処理液の上部供給口１３、第
４の上部親水性部材１４、及び第４の上部撥水性部材１
５と、それぞれに対向配置された第３の下部撥水性部材
２９、第２の下部処理液の下部吸引口３０、第３の下部
親水性部材３１、第２の下部処理液の下部供給口３３、
第４の下部親水性部材３４、及び第４の下部撥水性部材
３５が上記第２のユニットを構成している。本実施例で
は、第１の上部処理液４及び第１の下部処理液２４は、
例えばエッチング処理や洗浄処理に用いられる薬液であ
り、第２の上部処理液１２及び第２の下部処理液３２
は、例えばリンス用に用いられる純水である。第１の下
部処理液２４や第２の下部処理液３２は、基板１８の裏
面のエッチングや洗浄等、基板の裏面処理に対して有効
である。基板１８が第１の処理液（薬液）４、２４の領
域を通過するときはエッチング処理や洗浄処理等が行わ
れ、第２の処理液（純水）１２、３２の領域を通過する
ときはリンス処理等が行われる。第１の上部不活性ガス
供給口８及び第１の下部不活性ガス供給口２８から供給
される不活性ガスは、第１の処理液（薬液）４、２４と
第２の処理液１２、３２（純水）との間を遮断して両処
理液が互いに混じり合わないようするとともに、基板１
８から第１の処理液や処理残滓を除去する。混合しない
処理液はそれぞれ容易に再利用が可能であるし、特に、
第２の処理液１２、３２（純水）においては基板１８の
リンス効率を向上させ得る。また、第２の上部不活性ガ
ス供給口１６及び第２の下部不活性ガス供給口３６から
供給される不活性ガスは、基板１８から第２の処理液や
処理残滓を除去する。上記のように、板状基板１８は、
搬送される過程で、上記第１のユニットでは第１の処理
液（薬液）による処理、上記最初の不活性ガス領域では
該第１の処理液の除去、上記第２のユニットでは第２の
処理液（純水）による処理、上記第２の不活性ガス領域
では該第２の処理液の除去がそれぞれ行われ、一連の処
理を終える。本実施例によれば、構成が簡単で装置の小
形化を図り易い。処理液の使用量も少なくできる。さら
に、処理液の再利用も可能である。飛散した汚染物の基
板への再付着も軽減または防止できるし、処理流体によ
り基板を外部雰囲気から遮断することにより処理むらを
なくした高精度処理も可能である。なお、上記実施例で
は、基本構成のユニットを２基用いる構成としたが、本
発明はこれに限定されず、３基以上のユニットを用いて
構成するようにしてもよい。該ユニット内の構成も、図
１や図２に示した構成には限定されず、例えば、配列す
る親水性部材の数を増やした構成等であってもよい。
第１の実施例は、薬液処理用の構成例であって、上記図
１に述べたような基本構成のユニットを２基用い、該ユ
ニット相互間に不活性ガス供給部を配した構成である。
第１のユニットでは板状基板１８に対し薬液処理を行
い、不活性ガス領域を経て、第２のユニットでは該基板
１８に対しリンス処理を行うようになっている。該不活
性ガス領域では、該不活性ガスにより、該第１、第２の
ユニット内部に充填された処理液（薬液、リンス液）を
互いに遮断状態にし、互いに混じり合わないようにする
とともに、該第１のユニットから搬送されてくる基板１
８に付着した処理液（薬液）除去する。図２において、
被処理基板としての板状基板１８の上部には、第１の上
部撥水性部材１、第１の上部処理液の上部吸引口２、第
１の上部親水性部材３、第１の上部処理液の供給口５、
第２の上部親水性部材６、第２の上部撥水性部材７、第
１の上部不活性ガスの供給口８、第３の上部撥水性部材
９、第２の上部処理液の上部吸引口１０、第３の上部親
水性部材１１、第２の上部処理液の上部供給口１３、第
４の上部親水性部材１４、第４の上部撥水性部材１５、
第２の上部不活性ガス供給口１６、第５の上部撥水性部
材１７が配され、同板状基板１８の下部には、第１の下
部撥水性部材２１、第１の下部処理液の下部吸引口２
２、第１の下部親水性部材２３、第１の下部処理液の供
給口２５、第２の下部親水性部材２６、第２の下部撥水
性部材２７、第１の下部不活性ガスの供給口２８、第３
の下部撥水性部材２９、第２の下部処理液の下部吸引口
３０、第３の下部親水性部材３１、第２の下部処理液の
下部供給口３３、第４の下部親水性部材３４、第４の下
部撥水性部材３５、第２の下部不活性ガス供給口３６、
第５の下部撥水性部材３７が配されている。第１の上部
撥水性部材１、第１の上部処理液の上部吸引口２、第１
の上部親水性部材３、第１の上部処理液の供給口５、第
２の上部親水性部材６、及び第２の上部撥水性部材７
と、それぞれに対向配置された第１の下部撥水性部材２
１、第１の下部処理液の下部吸引口２２、第１の下部親
水性部材２３、第１の下部処理液の供給口２５、第２の
下部親水性部材２６、及び第２の下部撥水性部材２７が
上記第１のユニットを構成し、第３の上部撥水性部材
９、第２の上部処理液の上部吸引口１０、第３の上部親
水性部材１１、第２の上部処理液の上部供給口１３、第
４の上部親水性部材１４、及び第４の上部撥水性部材１
５と、それぞれに対向配置された第３の下部撥水性部材
２９、第２の下部処理液の下部吸引口３０、第３の下部
親水性部材３１、第２の下部処理液の下部供給口３３、
第４の下部親水性部材３４、及び第４の下部撥水性部材
３５が上記第２のユニットを構成している。本実施例で
は、第１の上部処理液４及び第１の下部処理液２４は、
例えばエッチング処理や洗浄処理に用いられる薬液であ
り、第２の上部処理液１２及び第２の下部処理液３２
は、例えばリンス用に用いられる純水である。第１の下
部処理液２４や第２の下部処理液３２は、基板１８の裏
面のエッチングや洗浄等、基板の裏面処理に対して有効
である。基板１８が第１の処理液（薬液）４、２４の領
域を通過するときはエッチング処理や洗浄処理等が行わ
れ、第２の処理液（純水）１２、３２の領域を通過する
ときはリンス処理等が行われる。第１の上部不活性ガス
供給口８及び第１の下部不活性ガス供給口２８から供給
される不活性ガスは、第１の処理液（薬液）４、２４と
第２の処理液１２、３２（純水）との間を遮断して両処
理液が互いに混じり合わないようするとともに、基板１
８から第１の処理液や処理残滓を除去する。混合しない
処理液はそれぞれ容易に再利用が可能であるし、特に、
第２の処理液１２、３２（純水）においては基板１８の
リンス効率を向上させ得る。また、第２の上部不活性ガ
ス供給口１６及び第２の下部不活性ガス供給口３６から
供給される不活性ガスは、基板１８から第２の処理液や
処理残滓を除去する。上記のように、板状基板１８は、
搬送される過程で、上記第１のユニットでは第１の処理
液（薬液）による処理、上記最初の不活性ガス領域では
該第１の処理液の除去、上記第２のユニットでは第２の
処理液（純水）による処理、上記第２の不活性ガス領域
では該第２の処理液の除去がそれぞれ行われ、一連の処
理を終える。本実施例によれば、構成が簡単で装置の小
形化を図り易い。処理液の使用量も少なくできる。さら
に、処理液の再利用も可能である。飛散した汚染物の基
板への再付着も軽減または防止できるし、処理流体によ
り基板を外部雰囲気から遮断することにより処理むらを
なくした高精度処理も可能である。なお、上記実施例で
は、基本構成のユニットを２基用いる構成としたが、本
発明はこれに限定されず、３基以上のユニットを用いて
構成するようにしてもよい。該ユニット内の構成も、図
１や図２に示した構成には限定されず、例えば、配列す
る親水性部材の数を増やした構成等であってもよい。
【００１０】図３は、本発明の第２の実施例を示す。本
第２の実施例は、回転ブラシを用いた場合の構成例であ
って、上記第１の実施例の場合と同様、図１に述べたよ
うな基本構成のユニットを２基用い、該ユニット相互間
に回転ブラシ４９、７９による処理部を配した構成であ
る。本実施例では、第１のユニットで板状基板１８に対
し純水等により洗浄処理を行い、回転ブラシによる処理
を経て、第２のユニットでも該基板１８に対し純水等に
よるリンス処理を行うようになっている。本実施例では
回転ブラシとしてロール型のブラシを用いる。該回転ブ
ラシによる処理工程では、ブラシが回転動作により処理
液（純水）または上記板状基板に対して外力を与え、強
制的に基板１８の面から処理液や異物等を除去するとと
もに、いったん基板面から除去されて処理液中に入った
異物等が基板面に再付着しないようにする。該回転ブラ
シの回転で飛散した処理液を吸い込むようにした構成も
設けてあり、該飛散処理液も基板１８に再付着しないよ
うにもしてある。図３において、板状基板１８の上部に
は、第１の上部撥水性部材４１、第１の上部処理液の上
部吸引口４２、第１の上部親水性部材４３、第１の上部
処理液の供給口４５、第２の上部親水性部材４６、第２
の上部処理液吸引口４７、第１の上部飛沫飛散防止板４
８、上部回転ブラシ４９、第２の上部処理液供給口５
０、第２の上部飛沫飛散防止板５１、第３の上部処理液
供給口５２、第３の上部親水性部材５３、第４の上部処
理液吸引口５４、第４の上部親水性部材５６、第３の上
部処理液供給口５７、第５の上部親水性部材５８、第２
の上部撥水性部材５９、上部不活性ガス供給口６０、第
３の上部撥水性部材６１が配され、同板状基板１８の下
部には、第１の下部撥水性部材７１、第１の下部処理液
の上部吸引口７２、第１の下部親水性部材７３、第１の
下部処理液の供給口７５、第２の下部親水性部材７６、
下部回転ブラシ４９、第２の下部処理液吸引口８０、第
２の下部処理液供給口８１、第３の下部親水性部材８
３、第４の下部処理液吸引口８４、第４の下部親水性部
材８６、第３の下部処理液供給口８７、第５の下部親水
性部材８８、第２の下部撥水性部材８９、下部不活性ガ
ス供給口９０、第３の下部撥水性部材９１が配されてい
る。第１の上部撥水性部材４１、第１の上部処理液の上
部吸引口４２、第１の上部親水性部材４３、第１の上部
処理液の供給口４５、及び第２の上部親水性部材４６
と、それぞれに対向配置された第１の下部撥水性部材７
１、第１の下部処理液の上部吸引口７２、第１の下部親
水性部材７３、第１の下部処理液の供給口７５、及び第
２の下部親水性部材７６が上記第１のユニットを構成
し、第３の上部親水性部材５３、第４の上部処理液吸引
口５４、第４の上部親水性部材５６、第３の上部処理液
供給口５７、第５の上部親水性部材５８、及び第２の上
部撥水性部材５９と、それぞれに対向配置された第３の
下部親水性部材８３、第４の下部処理液吸引口８４、第
４の下部親水性部材８６、第３の下部処理液供給口８
７、第５の下部親水性部材８８、及び第２の下部撥水性
部材８９が上記第２のユニットを構成している。第１の
ユニットで洗浄した基板１８から、回転ブラシ４９、７
９で異物等の除去や処理液の除去を行い、第２のユニッ
トで該基板１８をリンスし、さらに、上部不活性ガス供
給口６０及び下部不活性ガス供給口９０から供給される
不活性ガスによって、基板１８から処理液や異物等の除
去を行う。上部回転ブラシ４９の回転で発生する処理液
の飛沫は、第１の上部飛沫飛散防止板４８と第２の上部
飛沫飛散防止板５１で飛散が遮られ、かつ、第２の上部
処理液吸引口４７と第３の上部処理液吸引口５２に吸い
込まれて外部側に排出されるようになっている。これに
より、該飛沫が装置周囲に飛散したり、基板１８に再付
着したりするのが軽減または防止される。
第２の実施例は、回転ブラシを用いた場合の構成例であ
って、上記第１の実施例の場合と同様、図１に述べたよ
うな基本構成のユニットを２基用い、該ユニット相互間
に回転ブラシ４９、７９による処理部を配した構成であ
る。本実施例では、第１のユニットで板状基板１８に対
し純水等により洗浄処理を行い、回転ブラシによる処理
を経て、第２のユニットでも該基板１８に対し純水等に
よるリンス処理を行うようになっている。本実施例では
回転ブラシとしてロール型のブラシを用いる。該回転ブ
ラシによる処理工程では、ブラシが回転動作により処理
液（純水）または上記板状基板に対して外力を与え、強
制的に基板１８の面から処理液や異物等を除去するとと
もに、いったん基板面から除去されて処理液中に入った
異物等が基板面に再付着しないようにする。該回転ブラ
シの回転で飛散した処理液を吸い込むようにした構成も
設けてあり、該飛散処理液も基板１８に再付着しないよ
うにもしてある。図３において、板状基板１８の上部に
は、第１の上部撥水性部材４１、第１の上部処理液の上
部吸引口４２、第１の上部親水性部材４３、第１の上部
処理液の供給口４５、第２の上部親水性部材４６、第２
の上部処理液吸引口４７、第１の上部飛沫飛散防止板４
８、上部回転ブラシ４９、第２の上部処理液供給口５
０、第２の上部飛沫飛散防止板５１、第３の上部処理液
供給口５２、第３の上部親水性部材５３、第４の上部処
理液吸引口５４、第４の上部親水性部材５６、第３の上
部処理液供給口５７、第５の上部親水性部材５８、第２
の上部撥水性部材５９、上部不活性ガス供給口６０、第
３の上部撥水性部材６１が配され、同板状基板１８の下
部には、第１の下部撥水性部材７１、第１の下部処理液
の上部吸引口７２、第１の下部親水性部材７３、第１の
下部処理液の供給口７５、第２の下部親水性部材７６、
下部回転ブラシ４９、第２の下部処理液吸引口８０、第
２の下部処理液供給口８１、第３の下部親水性部材８
３、第４の下部処理液吸引口８４、第４の下部親水性部
材８６、第３の下部処理液供給口８７、第５の下部親水
性部材８８、第２の下部撥水性部材８９、下部不活性ガ
ス供給口９０、第３の下部撥水性部材９１が配されてい
る。第１の上部撥水性部材４１、第１の上部処理液の上
部吸引口４２、第１の上部親水性部材４３、第１の上部
処理液の供給口４５、及び第２の上部親水性部材４６
と、それぞれに対向配置された第１の下部撥水性部材７
１、第１の下部処理液の上部吸引口７２、第１の下部親
水性部材７３、第１の下部処理液の供給口７５、及び第
２の下部親水性部材７６が上記第１のユニットを構成
し、第３の上部親水性部材５３、第４の上部処理液吸引
口５４、第４の上部親水性部材５６、第３の上部処理液
供給口５７、第５の上部親水性部材５８、及び第２の上
部撥水性部材５９と、それぞれに対向配置された第３の
下部親水性部材８３、第４の下部処理液吸引口８４、第
４の下部親水性部材８６、第３の下部処理液供給口８
７、第５の下部親水性部材８８、及び第２の下部撥水性
部材８９が上記第２のユニットを構成している。第１の
ユニットで洗浄した基板１８から、回転ブラシ４９、７
９で異物等の除去や処理液の除去を行い、第２のユニッ
トで該基板１８をリンスし、さらに、上部不活性ガス供
給口６０及び下部不活性ガス供給口９０から供給される
不活性ガスによって、基板１８から処理液や異物等の除
去を行う。上部回転ブラシ４９の回転で発生する処理液
の飛沫は、第１の上部飛沫飛散防止板４８と第２の上部
飛沫飛散防止板５１で飛散が遮られ、かつ、第２の上部
処理液吸引口４７と第３の上部処理液吸引口５２に吸い
込まれて外部側に排出されるようになっている。これに
より、該飛沫が装置周囲に飛散したり、基板１８に再付
着したりするのが軽減または防止される。
【００１１】本第２の実施例においても、装置構成の簡
易化と寸法の小形化を図り易い。処理液の使用量も少な
くできる。さらに、処理液の再利用も可能である。飛散
した処理液や異物等の基板への再付着も防止できるし、
処理流体により基板を外部雰囲気から遮断することによ
り処理むらをなくした高精度処理も可能である。特に本
実施例では、処理液や異物等を確実に基板から除去でき
かつ再付着も大幅軽減または防止できるため、これらの
除去率を大きく改善できる。なお、図３の実施例では、
基本構成のユニットを２基用いる構成としたが、本発明
はこれには限定されず、３基以上のユニットを用いる構
成であってもよい。該ユニット内の構成も、図１や図３
に示した構成には限定されず、配列する親水性部材の数
を増やした構成等であってもよい。また、回転ブラシも
複数箇所に設け、回転ブラシ処理工程を複数備えるよう
にしてもよい。
易化と寸法の小形化を図り易い。処理液の使用量も少な
くできる。さらに、処理液の再利用も可能である。飛散
した処理液や異物等の基板への再付着も防止できるし、
処理流体により基板を外部雰囲気から遮断することによ
り処理むらをなくした高精度処理も可能である。特に本
実施例では、処理液や異物等を確実に基板から除去でき
かつ再付着も大幅軽減または防止できるため、これらの
除去率を大きく改善できる。なお、図３の実施例では、
基本構成のユニットを２基用いる構成としたが、本発明
はこれには限定されず、３基以上のユニットを用いる構
成であってもよい。該ユニット内の構成も、図１や図３
に示した構成には限定されず、配列する親水性部材の数
を増やした構成等であってもよい。また、回転ブラシも
複数箇所に設け、回転ブラシ処理工程を複数備えるよう
にしてもよい。
【００１２】図４は、本発明の第３の実施例を示す。本
第３の実施例は、超音波スプレーユニットを用いた場合
の構成であって、図１に述べたような基本構成のユニッ
トを２基用い、該ユニット相互間に超音波スプレーユニ
ットを配した構成である。上記第２の実施例に対し、回
転ブラシ４９、７９に替えて超音波スプレー９３、９５
を用いている点が異なる。本第３の実施例でも、板状基
板１８に対し、第１のユニットで純水等による洗浄処理
を行い、超音波スプレー９３、９５での純水等による洗
浄処理を経て、第２のユニットで純水等によるリンス処
理を行う。超音波スプレー９３、９５から噴射される純
水等の処理液はその噴射力によって、該噴射口の下方に
ある処理液４４、５５、７４、８５または上記板状基板
１８の表面及び裏面に対して外力を与えるようになって
いる。該外力によって該部の該処理液４４、５５、７
４、８５は攪拌状態かまたはそれに近い状態にされて該
基板１８の表面を洗浄するし、超音波スプレー９３、９
５からの噴射液が直接に該基板１８表面に当たる場合
も、該噴射液が該基板面を洗浄する。上部超音波スプレ
ー９３からの噴射で発生する処理液の飛沫は、第１の上
部飛沫飛散防止板４８と第２の上部飛沫飛散防止板５１
で飛散が遮られ、かつ、第２の上部処理液吸引口４７と
第３の上部処理液吸引口５２に吸い込まれて外部側に排
出されるようになっている。これにより、該飛沫が装置
周囲に飛散したり、基板１８に再付着したりするのを軽
減または防止することができる。
第３の実施例は、超音波スプレーユニットを用いた場合
の構成であって、図１に述べたような基本構成のユニッ
トを２基用い、該ユニット相互間に超音波スプレーユニ
ットを配した構成である。上記第２の実施例に対し、回
転ブラシ４９、７９に替えて超音波スプレー９３、９５
を用いている点が異なる。本第３の実施例でも、板状基
板１８に対し、第１のユニットで純水等による洗浄処理
を行い、超音波スプレー９３、９５での純水等による洗
浄処理を経て、第２のユニットで純水等によるリンス処
理を行う。超音波スプレー９３、９５から噴射される純
水等の処理液はその噴射力によって、該噴射口の下方に
ある処理液４４、５５、７４、８５または上記板状基板
１８の表面及び裏面に対して外力を与えるようになって
いる。該外力によって該部の該処理液４４、５５、７
４、８５は攪拌状態かまたはそれに近い状態にされて該
基板１８の表面を洗浄するし、超音波スプレー９３、９
５からの噴射液が直接に該基板１８表面に当たる場合
も、該噴射液が該基板面を洗浄する。上部超音波スプレ
ー９３からの噴射で発生する処理液の飛沫は、第１の上
部飛沫飛散防止板４８と第２の上部飛沫飛散防止板５１
で飛散が遮られ、かつ、第２の上部処理液吸引口４７と
第３の上部処理液吸引口５２に吸い込まれて外部側に排
出されるようになっている。これにより、該飛沫が装置
周囲に飛散したり、基板１８に再付着したりするのを軽
減または防止することができる。
【００１３】図５は上記超音波スプレー９３の具体的構
成例であって、（ａ）はスポット型スプレーの場合、
（ｂ）はライン型スプレーの場合の例である。スポット
型スプレーでは、基板１８の略幅方向（搬送方向に交叉
する方向）に複数のスプレー９３ａを配し、供給用パイ
プ１１０ａから送られた処理液を基板面方向に噴射し、
該噴射液が基板１８の幅方向の全面をカバーするように
なっている。また、ライン型スプレーでは、スリット状
（ライン型）の噴射口が基板１８の略幅方向の面をカバ
ーするように配し、供給用パイプ１１０ｂから送られた
処理液を基板面方向に噴射するようになっている。超音
波スプレー９５についても、超音波スプレー９３の場合
とほぼ同じである。本第３の実施例においても、装置構
成の簡易化と寸法の小形化を図り易い。処理液の使用量
も少なくできる。さらに、処理液の再利用も可能であ
る。飛散した処理液や異物等の基板への再付着も防止で
きるし、処理流体により基板を外部雰囲気から遮断する
ことにより処理むらをなくした高精度処理も可能であ
る。特に本実施例では、処理液や異物等を確実に基板か
ら除去できかつ再付着も大幅軽減または防止できるた
め、それらの除去率を改善できる。なお、図４の実施例
構成では、基本構成のユニットを２基用いる構成とした
が、本発明はこれには限定されず、３基以上のユニット
を用いる構成であってもよい。また、該ユニット内の構
成も、図１や、図４、図５に示した構成には限定され
ず、例えば、配列する親水性部材の数を増やした構成等
であってもよい。また、超音波スプレーを工程上の複数
箇所に設け、複数回の超音波洗浄を行うようにしてもよ
い。超音波スプレーの構成も上記とは別の構成のもので
あってもよい。上記ユニットの構成や組合わせ、処理液
の種類や供給方法、吸引の条件、回転ブラシの構成や回
転速度、超音波スプレーの構成や液噴射の条件、基板搬
送速度等は、処理対象の基板の種類や状態等に対応させ
て変えるようにすると、基板面の損傷防止や、処理効率
の改善等を図ることができる。
成例であって、（ａ）はスポット型スプレーの場合、
（ｂ）はライン型スプレーの場合の例である。スポット
型スプレーでは、基板１８の略幅方向（搬送方向に交叉
する方向）に複数のスプレー９３ａを配し、供給用パイ
プ１１０ａから送られた処理液を基板面方向に噴射し、
該噴射液が基板１８の幅方向の全面をカバーするように
なっている。また、ライン型スプレーでは、スリット状
（ライン型）の噴射口が基板１８の略幅方向の面をカバ
ーするように配し、供給用パイプ１１０ｂから送られた
処理液を基板面方向に噴射するようになっている。超音
波スプレー９５についても、超音波スプレー９３の場合
とほぼ同じである。本第３の実施例においても、装置構
成の簡易化と寸法の小形化を図り易い。処理液の使用量
も少なくできる。さらに、処理液の再利用も可能であ
る。飛散した処理液や異物等の基板への再付着も防止で
きるし、処理流体により基板を外部雰囲気から遮断する
ことにより処理むらをなくした高精度処理も可能であ
る。特に本実施例では、処理液や異物等を確実に基板か
ら除去できかつ再付着も大幅軽減または防止できるた
め、それらの除去率を改善できる。なお、図４の実施例
構成では、基本構成のユニットを２基用いる構成とした
が、本発明はこれには限定されず、３基以上のユニット
を用いる構成であってもよい。また、該ユニット内の構
成も、図１や、図４、図５に示した構成には限定され
ず、例えば、配列する親水性部材の数を増やした構成等
であってもよい。また、超音波スプレーを工程上の複数
箇所に設け、複数回の超音波洗浄を行うようにしてもよ
い。超音波スプレーの構成も上記とは別の構成のもので
あってもよい。上記ユニットの構成や組合わせ、処理液
の種類や供給方法、吸引の条件、回転ブラシの構成や回
転速度、超音波スプレーの構成や液噴射の条件、基板搬
送速度等は、処理対象の基板の種類や状態等に対応させ
て変えるようにすると、基板面の損傷防止や、処理効率
の改善等を図ることができる。
【００１４】以下、（１）図２に示す第１の実施例によ
りレジストの残渣（残滓）処理を行った場合の薬液使用
量の実測結果例と、（２）図３に示す第２の実施例によ
りブラシ洗浄を行った場合の異物除去の実測結果例につ
き説明する。（１）の場合、被処理基板としては、非晶
質Ｓｉを成膜後、ホト、現像、エッチング、アッシング
を行ってパターンニングした基板を用い、第１の上部処
理液としてモノエタノールアミンを用い、第２の上部処
理液及び第２の下部処理液としては純水を用い、該第１
の上部処理液は被処理基板と親水性部材の間に十分に充
填した状態で供給は停止した。比較のために行った従来
の通常のスピン方式処理においても、処理液は、被処理
基板の全面が該処理液で覆われた状態で供給を停止し
た。かかる条件下で、本発明方式の装置と従来方式の装
置のそれぞれにつき、基板に対して薬液処理とリンス処
理とを行った結果、消費された処理液の量（レジスト残
渣処理に必要な残渣処理液使用量）は、本発明方式の場
合が０．５Ｌ、従来方式の場合が５．０Ｌで、本発明で
の薬液消費量は従来方式に比べ大幅に減少し１／１０と
なった。また、（２）の場合、被処理基板としては、全
面に非晶質Ｓｉ膜を成膜した基板を用い、洗浄される異
物としてはガラスの粉砕粒子を用い、予め被処理基板上
に５００個程度を付着させておいた。洗浄後再付着した
異物と、除去されずに残った残留異物との区別は、異物
検査装置の異物座標において、処理前と処理後の座標状
態を比較することで区別した。また、本発明との比較に
は従来の通常の平流方式のブラシ洗浄処理装置を用い
た。実験の結果、ブラシ洗浄による再付着異物数は、本
発明方式の場合が１２個、従来方式の場合が８９個で、
本発明の場合、異物の再付着数が著しく減少した。従っ
て、上記実測結果からも、本発明の顕著な効果が確認さ
れた。
りレジストの残渣（残滓）処理を行った場合の薬液使用
量の実測結果例と、（２）図３に示す第２の実施例によ
りブラシ洗浄を行った場合の異物除去の実測結果例につ
き説明する。（１）の場合、被処理基板としては、非晶
質Ｓｉを成膜後、ホト、現像、エッチング、アッシング
を行ってパターンニングした基板を用い、第１の上部処
理液としてモノエタノールアミンを用い、第２の上部処
理液及び第２の下部処理液としては純水を用い、該第１
の上部処理液は被処理基板と親水性部材の間に十分に充
填した状態で供給は停止した。比較のために行った従来
の通常のスピン方式処理においても、処理液は、被処理
基板の全面が該処理液で覆われた状態で供給を停止し
た。かかる条件下で、本発明方式の装置と従来方式の装
置のそれぞれにつき、基板に対して薬液処理とリンス処
理とを行った結果、消費された処理液の量（レジスト残
渣処理に必要な残渣処理液使用量）は、本発明方式の場
合が０．５Ｌ、従来方式の場合が５．０Ｌで、本発明で
の薬液消費量は従来方式に比べ大幅に減少し１／１０と
なった。また、（２）の場合、被処理基板としては、全
面に非晶質Ｓｉ膜を成膜した基板を用い、洗浄される異
物としてはガラスの粉砕粒子を用い、予め被処理基板上
に５００個程度を付着させておいた。洗浄後再付着した
異物と、除去されずに残った残留異物との区別は、異物
検査装置の異物座標において、処理前と処理後の座標状
態を比較することで区別した。また、本発明との比較に
は従来の通常の平流方式のブラシ洗浄処理装置を用い
た。実験の結果、ブラシ洗浄による再付着異物数は、本
発明方式の場合が１２個、従来方式の場合が８９個で、
本発明の場合、異物の再付着数が著しく減少した。従っ
て、上記実測結果からも、本発明の顕著な効果が確認さ
れた。
【００１５】なお、上記実施例では、親水性表面と撥水
性表面とをそれぞれ別個の部材で構成したが、本発明は
これに限定されず、両表面を１つの部材上に形成するよ
うにしてもよい。また、上記実施例では、処理液または
上記板状基板に対して外力を与える手段として、回転ブ
ラシ、または超音波スプレーの構成例としたが、本発明
はこれに限定されず、他の手段であってもよい。また、
これら手段を適宜組合わせて併用するようにしてもよ
い。また、上記実施例では、基板の両面を処理する構成
としているが、本発明は、基板の片面を処理する構成で
あってもよい。さらにまた、上記各実施例では各ユニッ
トを直線状に配列し隙間部を直線状に形成するようにし
ているが、本発明はこれに限定されず、処理対象の形
状、材質、設置環境等により、直線状以外の隙間部とな
るようにしてもよい。さらに、処理対象としては、基板
以外の例えばパネルなどであってもよいし、また、形状
も、板状以外のものであってもよい。さらにまた、貫通
状の隙間部に処理液を保持する手段として、撥水性部材
を用いる構成としたが、他の技術を用いる構成であって
もかまわない。
性表面とをそれぞれ別個の部材で構成したが、本発明は
これに限定されず、両表面を１つの部材上に形成するよ
うにしてもよい。また、上記実施例では、処理液または
上記板状基板に対して外力を与える手段として、回転ブ
ラシ、または超音波スプレーの構成例としたが、本発明
はこれに限定されず、他の手段であってもよい。また、
これら手段を適宜組合わせて併用するようにしてもよ
い。また、上記実施例では、基板の両面を処理する構成
としているが、本発明は、基板の片面を処理する構成で
あってもよい。さらにまた、上記各実施例では各ユニッ
トを直線状に配列し隙間部を直線状に形成するようにし
ているが、本発明はこれに限定されず、処理対象の形
状、材質、設置環境等により、直線状以外の隙間部とな
るようにしてもよい。さらに、処理対象としては、基板
以外の例えばパネルなどであってもよいし、また、形状
も、板状以外のものであってもよい。さらにまた、貫通
状の隙間部に処理液を保持する手段として、撥水性部材
を用いる構成としたが、他の技術を用いる構成であって
もかまわない。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、装置の小形化、処理液
の節減、処理液や異物の除去率の改善、処理むらの防止
等が可能となる。
の節減、処理液や異物の除去率の改善、処理むらの防止
等が可能となる。
【図１】本発明における処理液充填部の基本構造を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図５】超音波スプレーノズルの配列構成例を示す図で
ある。
ある。
１…第１の上部撥水性部材、 ２…第１の上部処理液の
上部吸引口、 ３…第１の上部親水性部材、 ４…第１
の上部処理液、 ５…第１の上部処理液の上部供給口、
６…第２の上部親水性部材、 ７…第２の上部撥水性
部材、 ８…第１の上部不活性気体供給口、 １５…第
４の上部撥水性部材、 １６…第２の上部不活性気体供
給口、 １８…板状基板、 ２１…第１の下部撥水性部
材、 ２２…第１の下部処理液の下部吸引口、 ２３…
第１の下部親水性部材、 ２４…第１の下部処理液、
２５…第１の下部処理液の下部供給口、 ２６…第２の
下部親水性部材、 ２７…第２の下部撥水性部材、 ３
５…第４の下部撥水性部材、 ３６…第２の下部不活性
気体供給口、 ４７…第２の上部処理液吸引口、４８…
第１の上部飛沫飛散防止板、 ４９…上部回転ブラシ、
５１…第２の上部飛沫飛散防止板、 ５２…第３の上
部処理液吸引口、 ７９…下部回転ブラシ、 ９３…上
部超音波スプレー、 ９５…下部超音波スプレー、 ９
３ａ…スポット型スプレー、 ９３ｂ…ライン型スプレ
ー。
上部吸引口、 ３…第１の上部親水性部材、 ４…第１
の上部処理液、 ５…第１の上部処理液の上部供給口、
６…第２の上部親水性部材、 ７…第２の上部撥水性
部材、 ８…第１の上部不活性気体供給口、 １５…第
４の上部撥水性部材、 １６…第２の上部不活性気体供
給口、 １８…板状基板、 ２１…第１の下部撥水性部
材、 ２２…第１の下部処理液の下部吸引口、 ２３…
第１の下部親水性部材、 ２４…第１の下部処理液、
２５…第１の下部処理液の下部供給口、 ２６…第２の
下部親水性部材、 ２７…第２の下部撥水性部材、 ３
５…第４の下部撥水性部材、 ３６…第２の下部不活性
気体供給口、 ４７…第２の上部処理液吸引口、４８…
第１の上部飛沫飛散防止板、 ４９…上部回転ブラシ、
５１…第２の上部飛沫飛散防止板、 ５２…第３の上
部処理液吸引口、 ７９…下部回転ブラシ、 ９３…上
部超音波スプレー、 ９５…下部超音波スプレー、 ９
３ａ…スポット型スプレー、 ９３ｂ…ライン型スプレ
ー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２ ６４３Ｄ ６４３ ６４４Ｅ ６４４ 21/306 Ｊ (72)発明者 大澤 俊之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 佐野 靖 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 菊池 廣 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA24 FA30 2H090 JC19 3B116 AA02 AB14 AB32 AB42 BA02 BA15 BB02 BB03 BB24 BB32 BB62 BB72 BB83 3B201 AA02 AB14 AB32 AB42 BA02 BA15 BB02 BB03 BB24 BB32 BB62 BB72 BB83 5F043 BB27 CC16 EE04 EE05 EE07 EE27 EE33 EE36 EE40
Claims (11)
- 【請求項１】板状基板を流体で処理する板状基板の処理
装置において、 対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第
１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液また
は上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部と、
該第２の処理部の後に配され対向する親水性表面間の隙
間部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、該第
１、第３の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有する
第１の部材と、該第１の部材の端部側にあって対向する
撥水性表面が該第１の部材の隙間部に略連続する隙間部
を形成し処理液を該端部近傍において該第１の部材側に
はじくようにした第２の部材とを有して構成され、 上記板状基板を、上記第１の処理部の上記各隙間部、上
記第２の処理部、及び上記第３の処理部の上記各隙間部
を通すことにより、上記処理液で流体処理するようにし
た構成を特徴とする板状基板の処理装置。 - 【請求項２】板状基板を流体で処理する板状基板の処理
装置において、 対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第
１の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液また
は上記板状基板に対して外力を与え該基板の表面から少
なくとも異物を強制除去する第２の処理部と、該第２の
処理部の処理動作によって飛散した処理液を吸い込む飛
散液吸込部と、上記第２の処理部の後に配され対向する
親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第３の処理
部とを備え、かつ、該第１、第３の処理部はそれぞれ、
上記親水性表面を有する第１の部材と、該第１の部材の
端部側にあって対向する撥水性表面が該第１の部材の上
記親水性表面間の隙間部に略連続する隙間部を形成し処
理液を該端部近傍において該第１の部材側にはじく第２
の部材とを有して構成され、 上記板状基板を、上記第１の処理部の上記隙間部、上記
第２の処理部、及び上記第３の処理部の上記隙間部を通
すことにより、少なくとも異物を除去するとともに、該
除去したものの該基板への再付着を減らすようにしたこ
とを特徴とする板状基板の処理装置。 - 【請求項３】板状基板を流体で処理する板状基板の処理
装置において、 対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第
１の処理部と、処理液または上記板状基板に対して外力
を与えるようブラシが回転する回転ブラシを備えた第２
の処理部と、該回転ブラシの回転で飛散した処理液を吸
い込む飛散液吸込手段と、上記第２の処理部の後に配さ
れ対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された
第３の処理部と、上記処理液を少なくとも上記第１、第
２、第３の処理部のいずれかに供給する処理液供給手段
と、該供給した処理液を吸い込む処理液吸込手段と、上
記基板の表面に不活性ガスを噴射する第４の処理部とを
備え、かつ、該第１、第３の処理部はそれぞれ、上記親
水性表面を有する第１の部材と、該第１の部材の端部側
にあって対向する撥水性表面が該第１の部材の上記親水
性表面間の隙間部に略連続する隙間部を形成し処理液を
該端部近傍において該第１の部材側にはじく第２の部材
とを有して構成され、 上記板状基板を、上記第１の処理部の上記隙間部、上記
第２の処理部、上記第３の処理部の上記隙間部及び上記
第４の処理部を通すことにより、少なくとも異物を除去
するとともに、該除去したものの該基板への再付着を減
らすようにしたことを特徴とする板状基板の処理装置。 - 【請求項４】板状基板を流体で処理する板状基板の処理
装置において、 対向する親水性表面間の隙間部に処理液が充填された第
１の処理部と、上記処理液または上記板状基板に対し超
音波スプレーから処理液が噴射される第２の処理部と、
該噴射で飛散した処理液を吸い込む飛散液吸込手段と、
上記第２の処理部の後に配され対向する親水性表面間の
隙間部に処理液が充填された第３の処理部と、上記処理
液を少なくとも上記第１、第２、第３の処理部のいずれ
かに供給する処理液供給手段と、該供給した処理液を吸
い込む処理液吸込手段と、上記基板の表面に不活性ガス
を噴射する第４の処理部とを備え、かつ、該第１、第３
の処理部はそれぞれ、上記親水性表面を有する第１の部
材と、該第１の部材の端部側にあって対向する撥水性表
面が該第１の部材の上記親水性表面間の隙間部に略連続
する隙間部を形成し処理液を該端部近傍において該第１
の部材側にはじく第２の部材とを有して構成され、 上記板状基板を、上記第１の処理部の上記隙間部、上記
第２の処理部、上記第３の処理部の上記隙間部及び上記
第４の処理部を通すことにより、少なくとも異物を除去
するとともに、該除去したものの該基板への再付着を減
らすようにしたことを特徴とする板状基板の処理装置。 - 【請求項５】板状基板を流体で処理する板状基板の処理
装置において、 親水性表面が第１の隙間を隔て互いに対向して配され該
第１の隙間部に処理液が充填された第１の処理部と、該
第１の処理部の後に配され撥水性表面が隙間を隔てて互
いに対向して配され該隙間部に不活性ガスが充填される
ガス充填部と、親水性表面が第２の隙間を隔てて互いに
対向して配され該第２の隙間部に処理液が充填された第
２の処理部と、上記板状基板の表面に不活性ガスを噴射
する第３の処理部と、を備え、上記ガス充填部によって
上記第１の処理部の処理液と上記第２の処理部の処理液
とが混合しないようにした状態で、上記板状基板を、上
記第１の処理部、上記ガス充填部、上記第２の処理部、
及び第３の処理部を通すことにより、流体処理するよう
にした構成を特徴とする板状基板の処理装置。 - 【請求項６】上記親水性表面間の距離が略６ｍｍ以下と
される請求項１から５のいずれかに記載の板状基板の処
理装置。 - 【請求項７】上記処理液供給手段と上記処理液吸込手段
はそれぞれ、上記第１の処理部及び上記第３の処理部に
設けられる請求項３または請求項４に記載の板状基板の
処理装置。 - 【請求項８】上記処理液供給手段と上記処理液吸込手段
は、上記板状基板の移動方向に対し、該処理液供給手段
が後側に、該処理液吸込手段が前側になるように配され
る請求項７に記載の板状基板の処理装置。 - 【請求項９】上記第１の処理部に充填される処理液と、
上記第２の処理部に充填される処理液とが異なっている
請求項１から５のいずれかに記載の板状基板の処理装
置。 - 【請求項１０】板状基板を流体で処理する板状基板の処
理方法において、 親水性表面が隙間を隔て互いに対向状態で配され該隙間
部に処理液が充填された部分で板状基板に対し第１の処
理を行うステップと、該第１の処理後に該充填された処
理液または板状基板に対して外力を与え該被処理基板の
表面から少なくとも異物を除去するステップと、該除去
動作で飛散した処理液を吸い込むステップと、該除去動
作後に親水性表面が隙間を隔て互いに対向して配され該
隙間部に処理液が充填された部分で第２の処理を行うス
テップと、上記板状基板の表面に不活性ガスを噴射する
ステップと、を経て、該板状基板から少なくとも異物を
除去するとともに、該除去したものの該基板への再付着
を減らすようにすることを特徴とする板状基板の処理方
法。 - 【請求項１１】板状基板を流体で処理する板状基板の処
理装置において、 対向する部材表面間の隙間部に処理液が充填された第１
の処理部と、該第１の処理部の後に配され処理液または
上記板状基板に対して外力を与える第２の処理部と、上
記第２の処理部の後に配され対向する部材表面間の隙間
部に処理液が充填された第３の処理部とを備え、該第
１、第３の処理部はそれぞれ、上記処理液が表面間の隙
間部に充填される第１の部材と、該第１の部材の端部側
にあって該処理液の表面張力を該第１の部材表面による
場合よりも大きくする表面を有し該第１の部材の表面間
の上記隙間部に略連続する第２の隙間部を形成する第２
の部材とを有して構成され、 上記板状基板を、上記第１の処理部の上記各隙間部、上
記第２の処理部、及び上記第３の処理部の上記各隙間部
を通すことにより、流体処理するようにした構成を特徴
とする板状基板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000266013A JP4444474B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 板状基板の処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000266013A JP4444474B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 板状基板の処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075956A true JP2002075956A (ja) | 2002-03-15 |
| JP4444474B2 JP4444474B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=18753186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000266013A Expired - Fee Related JP4444474B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 板状基板の処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4444474B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531322A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | ラム リサーチ コーポレーション | 互いに適合性を有する薬剤を用いた基板のブラシスクラブおよび近接洗浄乾燥手順、近接基板前処理手順、並びに、その方法、装置、および、システム |
| JP2012195385A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP2019117952A (ja) * | 2019-04-16 | 2019-07-18 | 株式会社ホロン | 被洗浄体の異物除去装置およびその異物除去方法 |
| CN111630634A (zh) * | 2018-01-30 | 2020-09-04 | 株式会社斯库林集团 | 处理液吐出配管以及基板处理装置 |
| JPWO2022024252A1 (ja) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000266013A patent/JP4444474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531322A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | ラム リサーチ コーポレーション | 互いに適合性を有する薬剤を用いた基板のブラシスクラブおよび近接洗浄乾燥手順、近接基板前処理手順、並びに、その方法、装置、および、システム |
| KR101312571B1 (ko) | 2004-03-31 | 2013-09-30 | 램 리써치 코포레이션 | 호환성 화학물을 이용하는 기판 브러시 스크러빙과 근접 세정-건조 시퀀스, 근접 기판 준비 시퀀스, 및 이를 구현하기 위한 방법, 장치, 및 시스템 |
| JP2012195385A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| KR101605700B1 (ko) | 2011-03-15 | 2016-03-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| CN111630634A (zh) * | 2018-01-30 | 2020-09-04 | 株式会社斯库林集团 | 处理液吐出配管以及基板处理装置 |
| CN111630634B (zh) * | 2018-01-30 | 2024-08-20 | 株式会社斯库林集团 | 处理液吐出配管以及基板处理装置 |
| JP2019117952A (ja) * | 2019-04-16 | 2019-07-18 | 株式会社ホロン | 被洗浄体の異物除去装置およびその異物除去方法 |
| JPWO2022024252A1 (ja) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | ||
| JP7552697B2 (ja) | 2020-07-29 | 2024-09-18 | 日本電信電話株式会社 | タスク優先度制御システム、タスク優先度制御システムのデータ退避方法、およびプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4444474B2 (ja) | 2010-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100445041B1 (ko) | 습식 처리 장치 | |
| KR100458211B1 (ko) | 세정장치 | |
| KR100629767B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 세정유닛 | |
| KR100890503B1 (ko) | 예비 토출장치 | |
| KR100982492B1 (ko) | 기판 세정용 이류체 분사 노즐 | |
| JP2003151948A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
| KR101335885B1 (ko) | 비접촉 부상 반송 기능을 가지는 기판 처리 장치 | |
| KR19990088484A (ko) | 반도체장치의세정장비및반도체장치의세정방법 | |
| KR20100050397A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법 | |
| JP2002075956A (ja) | 板状基板の処理装置及び処理方法 | |
| WO2003071594A1 (fr) | Dispositif de traitement de substrats de type support | |
| JP3511106B2 (ja) | スリットノズルの洗浄装置 | |
| JP2004335671A (ja) | 枚葉式２流体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
| JP2007059417A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002113430A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH10340876A (ja) | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 | |
| JPH01140727A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| KR20180111358A (ko) | 스팀 재사용 노즐 | |
| JP2000279900A (ja) | 化学処理装置 | |
| JP3745863B2 (ja) | ウエットエッチング処理方法およびその処理装置 | |
| KR100548639B1 (ko) | 흡입모듈이 구비된 세정장치 및 그를 이용한 세정방법 | |
| JP2002159922A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
| JP3331390B2 (ja) | 基板の洗浄装置 | |
| JPH11145096A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2002045800A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070703 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070703 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091126 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |