KR100445041B1 - 습식 처리 장치 - Google Patents

습식 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100445041B1
KR100445041B1 KR10-2001-0050654A KR20010050654A KR100445041B1 KR 100445041 B1 KR100445041 B1 KR 100445041B1 KR 20010050654 A KR20010050654 A KR 20010050654A KR 100445041 B1 KR100445041 B1 KR 100445041B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening surface
liquid
introduction
recovery
processed
Prior art date
Application number
KR10-2001-0050654A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020017982A (ko
Inventor
미쯔모리겐이찌
다다히로 오미
Original Assignee
알프스 덴키 가부시키가이샤
다다히로 오미
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알프스 덴키 가부시키가이샤, 다다히로 오미 filed Critical 알프스 덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20020017982A publication Critical patent/KR20020017982A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100445041B1 publication Critical patent/KR100445041B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B08B3/123—Cleaning travelling work, e.g. webs, articles on a conveyor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

액체 절약형 노즐을 최적 조건에서 사용할 수 있는 습식 처리 장치를 제공한다.
피처리 기판 (W) 을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 도입 개구면 (8a) 및 상기 피처리물을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 회수 개구면 (9a) 을 가지고, 이들 개구면은 서로 동일면이며, 또한 장변 방향이 평행하게 배치되는 노즐 (1) 을 가진다.
기판 (W) 을 노즐 (1) 에 대해서 이동시키면서, 도입 개구면 (8a) 과 기판 (W) 의 피처리면 사이에 처리액을 도입하고, 회수 개구면 (9a) 과 기판 (W) 의 피처리면 사이로부터 처리액을 흡인하여 회수한다.
이 때의 도입 개구면 (8a) 으로부터 기판 (W) 의 피처리면을 거쳐 회수 개구면 (9a) 에 흐르는 처리액 (L) 의 유량은, 도입 개구면 (8a) 의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 으로 제어되고 있다.

Description

습식 처리 장치{WET TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 예컨대, 반도체 디바이스, 액정 표시 패널 등의 제조 프로세스에 있어서의 세정, 에칭 등의 습식 처리 공정에 있어서, 피처리물 위에 처리액을 공급하기 위한 습식 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스, 액정 표시 패널 등의 전자 기기의 분야에 있어서는, 그 제조 프로세스 중에 피처리물인 반도체 기판이나 유리 기판을 세정 처리하는 공정이 필수이다. 세정 공정에 있어서는, 제조 공정 중의 여러 가지 제거 대상 물질을 제거하기 위해서, 초순수 (超純水), 전해 이온수, 오존수, 수소수 등 여러 가지 세정액을 사용한 세정이 실시되지만, 이들 세정액은 세정 장치의 노즐로부터 기판 위에 공급된다. 그런데, 종래 일반적인 세정용 노즐을 사용한 경우, 세정액의 사용량이 많아진다는 문제가 있었다. 예컨대, 500 ㎜ 각의 기판의 세정을 전해 이온수 등의 세정액을 사용하여 실시하고, 이러한 세정액에 의한 세정과 린스 세정수에 의한 린스를 실시한 후의 기판 위의 파티클의 잔존량으로서 0.5 개/㎠ 레벨의 청정도를 달성하고자 하면, 25 내지 30 리터/분 정도의 세정액 및 린스 세정액을 사용해야 하였다.
그래서, 종래형에 비하여 세정액의 사용량을 대폭 삭감할 수 있는 액체 절약형 세정용 노즐로서, 피처리 기판 위에 처리액을 공급하여 피처리 기판의 습식 처리를 실시할 때에 사용하는 습식 처리용 노즐로서, 일단에 처리액을 도입하기 위한 도입구를 가지는 도입 통로와, 일단에 사용 후의 처리액을 외부에 배출하기 위한 배출구를 가지는 배출 통로가 형성되고, 이들 도입 통로와 배출 통로의 각각의 타단에, 피처리 기판을 향해서 개구하는 도입 개구부와 배출 개구부가 형성된 습식처리용 노즐이 이미 출원되어 있다.
그리고, 상기 출원들에서는 이 습식 처리용 노즐을 사용한 습식 처리용 노즐 장치로서, 습식 처리용 노즐과, 상기 도입 개구부를 통하여 상기 피처리 기판에 접촉된 처리액을 처리한 후에, 상기 배출 통로 밖으로 흐르지 않도록 상기 피처리 기판과 접촉하고 있는 처리액의 압력과 대기압의 차이를 제어하고 상기 배출 통로를 통하여 흡인 배출하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식 처리용 노즐 장치가 제공되고 있다.
또한, 이 습식 처리용 노즐을 사용한 습식 처리 장치로서, 상기 습식 처리용 노즐과, 상기 피처리 기판의 피처리면을 따라서 상기 습식 처리용 노즐과 상기 피처리 기판을 상대 이동시킴으로써 상기 피처리 기판의 피처리면 전역을 처리하기 위한 노즐 또는 피처리 기판의 이동 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치가 제공되고 있다.
즉, 상기 출원의 습식 처리 장치 등에 따르면, 처리액을 공급한 부분 이외에 처리액을 접촉시키지 않고 피처리 기판 위로부터 제거할 수 있으며, 액체 절약형 노즐을 실현할 수 있다. 또한, 피처리 기판의 피처리면을 따라서 습식 처리용 노즐과 피처리 기판을 상대 이동시키는 이동 수단을 구비함으로써, 피처리 기판의 피처리면 전역을 처리할 수 있는 것이다.
이같이, 이미 처리액의 사용량을 대폭 삭감하면서 처리액의 전체면을 세정 가능한 습식 처리 장치가 개발되고 있었다. 그러나, 이러한 습식 처리 장치의실제의 사용 조건은 반드시 충분하게 검토되고 있지 않았다.
즉, 액체 절약형이라고는 해도, 실제로 어느 정도의 유량으로 처리액을 공급하면 최적으로 처리할 수 있을지, 피처리 기판과 습식 처리 노즐의 상대적인 이동 속도는 어느 정도로 하면 좋을지 등의 모든 조건은 개개의 습식 처리 장치에 있어서 시행 착오적으로 결정되고 있고, 사용 조건의 결정에 시간이 걸릴 뿐만 아니라, 반드시 적절하지 않은 조건에서 사용될 가능성도 있었다.
본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서, 상기와 같은 액체 절약형 습식 처리 장치에 있어서의 적절한 사용 조건을 분명하게 하고, 최적의 조건에서 사용할 수 있는 습식 처리 장치를 제공하여, 더욱 효과적이고 또한 효율적인 습식 처리를 가능하게 하는 것을 과제로 한다.
도 1 은 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 전체 구성을 나타내는 평면도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시 형태의 세정용 노즐의 외관을 나타내는 사시도.
도 3 은 동 세정용 노즐의 하면도.
도 4 는 도 3 의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따르는 단면도.
도 5 는 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 세정액 도입 수단을 설명하기 위한 도.
도 6 은 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 세정액 조제 수단을 설명하기 위한 도.
도 7 은 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도.
도 8 은 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도.
도 9 는 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도.
도 10 은 본 발명의 실시 형태에 관한 습식 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도.
도 11 은 본 발명의 제 2 실시 형태의 세정용 노즐을 나타내는 하면도.
도 12 는 XII-XII 선을 따르는 단면도.
도 13 은 유량과 세정 효과의 실험 결과를 나타내는 도.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
1, 15 : 세정용 노즐 (습식 처리용 노즐) 6 : 세정액 도입관
6a : 도입구 7 : 세정액 회수관
7a : 회수구 8 : 도입 개구부
8a : 도입 개구면 9 : 회수 개구부
9a : 회구 개구면
10 : 초음파 진동자 (초음파 진동 부여 수단)
12 : 세정액 공급 부재 (처리액 공급 부재)
13 : 세정액 회수 부재 (처리액 회수 부재)
16 : 소수층 30 : 세정액 도입 회수 수단
50 : 세정액 조제 수단 L : 세정액 (처리액)
W : 기판 (피처리 기판)
본 발명자들은 상기의 과제를 해결하기 위해서, 우선 유량에 대해서 검토하였다. 최적의 유량은 도입 개구면으로부터 회수 개구면으로 처리액이 균일하게 흐르는 것, 그 유량으로 충분하게 습식 처리할 수 있는 것으로부터 결정된다. 그리고, 습식 처리 노즐과 피처리물의 상대 이동 방향과 직교하는 방향의 단위 길이 당 최적 유량을 검토할 필요성을 발견하고, 실험에 의해 그 값을 구하였다.
즉, 본 발명의 습식 처리 장치는 피처리물을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 도입 개구면 및 상기 피처리물을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 회수 개구면을 가지고, 상기 도입 개구면과 회수 개구면은 서로 동일면이며 또한 장변 방향이 평행하게 배치되는 노즐과,
상기 도입 개구면과 상기 피처리물의 피처리면 사이에 처리액을 도입하기 위한 도입 유로를 가지는 처리액 도입 수단과,
상기 회수 개구면과 상기 피처리물의 피처리면 사이로부터 처리액을 흡인하여 회수하기 위한 흡인 펌프와 회수 유로를 가지는 처리액 회수 수단과,
상기 피처리물의 피처리면을 따라서, 또한 상기 도입 개구면 및 회수 개구면의 단변 방향으로, 상기 노즐과 상기 피처리물을 상대 이동시키기 위한 노즐 또는 피처리물의 이동 수단을 구비하고,
상기 도입 개구면으로부터 상기 피처리물의 피처리면을 거쳐 상기 회수 개구면에 흐르는 처리액의 유량이 상기 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 으로 제어되고 있는 것을 특징으로 한다.
즉, 0.02 L/분 보다 작은 유량에서는, 처리액이 피처리물의 피처리면에 충분하게 퍼지지 않음과 함께, 치환도 충분하게 이루어지지 않는다. 또한, 0.3 L/분 보다 큰 유량인 경우에는, 잉여의 처리액이 피처리면 이외로 유출됨과 함께, 피처리면 위에 있어서의 안정된 처리액의 흐름이 손상되어, 오히려 처리액의 치환이 불충분하게 된다.
본 발명에 따르면, 처리액이 피처리물의 피처리면에 충분하게 퍼짐과 함께 치환도 충분하게 이루어지며, 또한 잉여의 처리액이 피처리면 이외로 유출되지도 않는다. 따라서, 피처리물의 습식 처리가 효과적으로 이루어진다.
또한, 적은 처리액으로 처리가 가능하기 때문에, 배관, 밸브, 순수 등의 처리액 제조 설비 등이 소형화되어, 습식 처리 장치 전체의 소형화가 가능해짐과 함께, 처리 비용의 삭감도 가능하다.
본 발명에 있어서, 유량의 제어는 상기 도입 유로 및/또는 회수 유로의 단면적을 조정함으로써 이룰 수 있다. 여기서, 각 유로 단면적의 조정 방법으로는, 유로를 형성하는 배관 도중에 조정 밸브를 설치하거나, 단면적이 큰 유로와 작은 유로를 전환하는 등의 방법을 적절하게 채용할 수 있다.
또한, 그 밖의 유량 제어 방법으로서는 유체용 매스플로 컨트롤러를 사용하는 등의 방법을 적절하게 채용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 도입 개구면 및 회수 개구면 각각의 장변의 길이는 상기 피처리물의 상기 장변에 평행하는 방향의 폭 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 이동 수단에 의한 노즐과 상기 피처리물의 상대 이동을 한 방향으로 한 번 실시하는 것만으로, 피처리물의 피처리면 전체면의 처리가 가능하다. 그 때문에, 피처리물 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 이동 수단에 의한 상대적인 이동 속도는 0.5 내지 20 ㎝ /초로 하는 것이 바람직하다. 즉, 이러한 이동 속도가 0.5 ㎝/초 이하이면, 피처리면 전체의 처리 시간이 쓸데없이 길어질 뿐만 아니라, 처리 중에 기포가 발생하는 경우, 피처리면에 기포가 부착되어 처리가 충분하게 이루어지지 않는 부분이 발생한다.
또한, 이러한 이동 속도가 20 ㎝/초 보다 크면, 발생하는 전단력 (剪斷力) 에 의해 피처리면 위의 처리액층을 파괴하고, 피처리면 중에 처리가 충분하게 이루어지지 않는 부분이 발생한다. 또한, 처리 장치 전체의 진동이 커지는 등의 문제가 일어나기 쉽다.
본 발명에 있어서, 상기 각각의 개구면과 상기 피처리물의 피처리면의 거리는 0.5 내지 6 ㎜ 인 것이 바람직하다. 즉, 이러한 거리가 0.5 ㎜ 보다 작으면, 처리액이 이동하기 위한 저항이 너무 커져, 상기 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 의 유량을 확보하는 것이 어려워진다. 또한, 처리 장치의 진동에 의해 노즐과 피처리물이 접촉되는 일도 일어나기 쉽다.
한편, 이러한 거리가 6 ㎜ 보다 커지면 각 개구면과 피처리면 사이에 처리액을 유지하는 것이 용이하지 않아 공기의 유입이 발생하기 쉬우며, 노즐과 피처리물 사이에 안정되게 처리액을 흐르게 할 수 없게 된다. 그 결과, 처리되지 않는 부분이 발생한다.
본 발명에 있어서, 상기 각각의 개구면의 단변은 0.01 내지 2 ㎝ 인 것이 바람직하다. 즉, 상기 각각의 개구면의 단변이 0.01 ㎝ 보다 작으면, 처리액이 이동하기 위한 저항이 너무 커져, 상기 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 의 유량을 확보하는 것이 어려워진다.
또한, 상기 각각의 개구면의 단변이 2 ㎝ 보다 크면, 도입 개구면으로부터 피처리면으로의 처리액의 공급이나 회수 개구면으로부터의 피처리면 위의 처리액의 회수가 균일하게 이루어지기 어려워지고, 나아가서는 피처리면 위의 유량이 불균일하게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 도입 개구면과 회수 개구면 사이에, 상기 피처리물 위의 처리액에 초음파 진동을 부여하기 위한 초음파 진동 부여 수단을 설치할 수있다. 이 경우, 피처리물의 피처리면 위의 처리액에 초음파 진동을 부여할 수 있고, 세정 등의 습식 처리의 효율이 보다 향상한다.
본 발명에 있어서, 상기 처리액의 산화 환원 전위 제어 수단이나 pH 제어 수단을 가질 수 있다. 이 경우, 처리액의 조성, 농도를 최적의 것으로 유지할 수 있기 때문에, 작은 유량에서도 충분한 처리 효율을 확보할 수 있다.
발명의 실시 형태
[제 1 실시 형태]
이하, 본 발명의 제 1 실시 형태를 도 1 내지 도 10 을 참조하여 설명한다.
도 1 은 본 실시 형태의 세정 장치 (습식 처리 장치) 의 전체 구성을 나타내는 평면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 세정 장치는 세정용 노즐 (1) 과 피처리물인 피처리 기판 (W) (이하, 간단히 기판이라 함) 을 이동 방향 (A 또는 A') 으로 이동시키는 이동 수단 (도시하지 않음) 과, 세정액 도입 회수 수단 (30) 과, 세정액 조제 수단 (50) 으로 구성되어 있다.
도 1 에 있어서, 부호 31 은 세정액 도입 회수 수단 (30) 의 도입 유로이고, 단부가 두 개의 유로로 분기하여 세정용 노즐 (1) 에 접속되어 있다. 또한, 부호 32 는 세정액 도입 회수 수단 (30) 의 회수 유로이고, 이것도 또한 단부가 두 개의 유로로 분기하여 세정용 노즐 (1) 에 접속되어 있다.
부호 33 은 세정액 조제 수단 (50) 으로부터 세정액 도입 회수 수단 (30) 으로의 공급 유로이다. 또한, 부호 34 는 세정액 도입 회수 수단 (30) 의 배출 유로이다.
본 실시 형태에 있어서의 세정용 노즐 (1) 은 도 2 내지 도 4 에 나타내는 바와 같이 케이싱 (2) 이 그 폭 방향으로 세 개의 영역으로 분할되어 있고, 양단이 각각 세정액 도입부 (3), 세정액 회수부 (4) 이며, 중앙이 초음파 진동자 수용부 (5) 이다.
세정액 도입부 (3) 의 상면에 세정액 도입관 (6) 이 노즐의 길이 방향으로 사이를 두고 두 개 설치되고, 동일하게 세정액 회수부 (4) 의 상면에는 세정액 회수관 (7) 이 두 개 설치되어 있다.
각 세정액 도입관 (6, 6) 의 상단은 개구하여 여기로부터 세정액 (L) (처리액) 을 도입하기 위한 도입구 (6a, 6a) 로 되어 있고, 도 1 의 도입 유로 (31) 는 이 도입구 (6a, 6a) 에 접속된다. 마찬가지로, 각 세정액 회수관 (7, 7) 의 상단은 개구하여 여기에서부터 사용 후의 세정액 (L) 을 외부로 회수하기 위한 회수구 (7a, 7a) 가 형성되어 있으며, 도 1 의 회수 유로 (32) 는 이 회수구 (7a, 7a) 에 접속된다.
세정액 도입부 (3) 의 내부는 세정액 도입관 (6, 6) 과 연통하는 도입 개구부 (8) 이고, 그 하단은 기판 (W) 을 향해서 개구하는 도입 개구면 (8a) 으로 되어 있다. 도입 개구면 (8a) 은 장변이 LN, 단변이 d1인 대략 직사각형이다.
마찬가지로 세정액 회수부 (4) 의 내부는 회수 개구부 (9) 이고, 그 하단은 기판 (W) 을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 회수 개구면 (9a) 으로 되어 있다. 회수 개구면 (9a) 은 장변이 LN, 단변이 d2인 대략 직사각형이다.
도입 개구면 (8a) 과 회수 개구면 (9a) 은 서로 동일면이며, 또한 장변 방향이 평행하게 배치되어 있다. 그리고, 그 장변의 길이는 서로 같고 (LN), 단변의 길이 (d1와 d2) 는 거의 같게 형성되어 있다. 또한, 이들 장변의 길이 (LN) 는 기판 (W) 의 폭 (LW) 과 동등 또는 약간 길게 되어 있다. 단변의 길이 (d1와 d2) 는 본 실시 형태에서는 각각 0.01 내지 2 ㎝ 로 되어 있다.
또한, 기판 (W) 의 이동 방향은 상기 각 단변에 평행하게 도 3 의 오른쪽에서 왼쪽을 향하는 A 방향이나, 역 방향인 A' 방향으로 해도 된다.
또한, 초음파 진동자 수용부 (5) 의 내부에는 세정액 (L) 에 초음파 진동을 부여함으로써 초음파 세정을 실시하기 위한 초음파 진동자 (10) (초음파 진동 부여 수단) 가 수용되어 있다. 초음파 진동자 수용부 (5) 의 중앙에는 초음파 진동자 (10) 를 구동하기 위한 케이블 (11) 이 설치되어 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 도입 개구부 (8) 의 내부에는 다공질재로 이루어지는 세정액 공급 부재 (12) (처리액 공급 부재) 가 도입 개구면 (8a) 을 하단면으로 하여 장입되어 있다. 다공질재로서 구체적으로는 불소 수지, 폴리에틸렌 등의 플라스틱, SUS 316 등의 금속, 알루미나, 실리콘 산화물 등의 세라믹스, 표면에 친수기를 가지게 하는 친수 처리를 실시한 플라스틱, TiO2와 같은 금속 산화물 등의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 산화물, 알루미나, 친수 처리를 실시한 플라스틱 등과 같은 친수성 재료이면 보다 바람직하다. 혹은 세정액 공급 부재 (12) 전체를 친수성 재료로 하지 않아도, 적어도 기판 (W) 위의 세정액 (L) 에 접하는 부분만을 친수성 재료로 형성해도 되고, 표면을 친수성 처리해도 된다. 어떻든 세정액 공급 부재 (12) 가 다공질재로 형성됨에 따라 세정액 도입관 (6) 으로부터 도입 개구부 (8) 내에 세정액 (L) 이 공급되었을 때에 세정액 공급 부재 (12) 의 다수의 관통 구멍을 통하여 기판 (W) 위에 세정액 (L) 이 균등하게 공급되도록 되어 있다.
한편, 회수 개구부 (9) 의 내부에도 회수 개구면 (9a) 을 하단면으로 하여 다공질재로 이루어지는 세정액 회수 부재 (13) (처리액 회수 부재) 가 장입되어 있다. 세정액 회수 부재 (13) 에 사용되는 다공질재도, 세정액 공급 부재 (12) 에 사용되는 것과 동일한 재료를 사용할 수 있다. 다만, 하나의 노즐 내에서 세정액 공급 부재 (12) 와 세정액 회수 부재 (13) 에 사용되는 다공질재가 동종이거나 이종이어도 전혀 지장없다. 세정액 회수 부재 (13) 가 다공질재로 형성됨으로써 기판 (W) 위에 남는 사용 후의 세정액 (L) 이 세정액 회수 부재 (13) 의 다수의 관통 구멍으로부터 흡인되고, 세정액 회수관 (7) 을 통하여 노즐 외부로 회수되도록 되어 있다.
도입 개구면 (8a), 초음파 진동자 수용부 (5) 의 하면, 회수 개구면 (9a) 은 서로 동일면으로 형성되어 있다. 이들 면과 기판 (W) 의 피세정면 (피처리면) 의 거리는 본 실시 형태에서는 0.5 내지 6 ㎜ 로 되어 있다.
이어서, 본 실시 형태에 있어서의 세정액 도입 회수 수단 (30) 의 구성을 도 5 를 사용하여 설명한다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 도입 유로 (31) 에는 공급 유로 (33) 측으로부터 액체 이송 펌프 (35), 감압 제어 밸브 등으로 이루어지는 액체 압력 제어 장치 (36), 조정 밸브 (액체 유량 제어 장치) (37) 가 순차적으로 끼어 장착되어 있다. 이들 공급 유로 (33) 와, 액체 이송 펌프 (35), 액체 압력 제어 장치 (36), 조정 밸브 (37), 도입 유로 (31) 로부터 세정액 도입 수단 (처리액 도입 수단) 이 구성되어 있다. 그리고, 액체 이송 펌프 (35) 를 작동시킴으로써 세정액 조제 수단 (50) 으로 조제된 세정액 (L) 이 세정용 노즐 (1) 에 도입되도록 되어 있다. 또한, 세정액 조제 수단 (50) 에서 나온 세정액 (L) 의 압력이 충분하게 높으면, 액체 이송 펌프 (35) 는 생략해도 된다.
또한, 회수 유로 (32) 에는 배출 유로 (34) 측으로부터 흡인 펌프 (38), 조정 밸브 (액체 유량 제어 장치) (39) 가 순차적으로 끼어 장착되어 있다. 이들 배출 유로 (34) 와 흡인 펌프 (38), 조정 밸브 (39), 회수 유로 (32) 로 세정액 회수 수단 (처리액 회수 수단) 이 구성되어 있다. 그리고, 흡인 펌프 (38) 를 작동시킴으로써 세정용 노즐 (1) 로부터 세정액 (L) 이 회수되고, 배출되도록 되어 있다.
상기 액체 압력 제어 장치 (36) 는 흡인 펌프 (38) 의 흡인력을 조정함으로써, 세정용 노즐 (1) 과 기판 (W) 의 피세정면 사이에 유지되는 세정액 (L) 의 압력과 대기압의 차이를 제어하고, 세정액 (L) 을 확실하게 회수할 수 있도록 하는 것이다.
또한, 조정 밸브 (37, 39) 는 도입 유로 (31), 회수 유로 (32) 의 단면적을 조정함으로써 세정용 노즐 (1) 에 도입되고, 회수되는 세정액의 유량을 도입 개구면 (8a) 의 장변 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 으로 제어하기 위한 것이다.
이어서, 본 실시 형태에 있어서의 세정액 조제 수단 (50) 의 구성을 도 6 을 사용하여 설명한다. 도 6 에 있어서, 부호 51 은 혼합조이고, 이 혼합조 (51) 에 세정액 (L) 의 종류에 따른 각종 재료의 공급관이 접속되어 있다. 구체적으로는, 부호 52 는 산 공급관, 부호 53 은 알칼리 공급관, 부호 54 는 순수 공급관, 부호 55 는 산화성 가스 공급관, 부호 56 은 환원성 가스 공급관이다. 또한, 도면에 나타내는 바와 같이, 각각의 공급관에 컨트롤러 (도시하지 않음) 에 의해 개폐가 제어되는 각각의 개폐 밸브 (62 내지 66) 가 끼어 장착되어 있다.
또한, pH 측정 장치 (71) 의 센서 (72) 와 산화 환원 전위 측정 장치 (73) 의 센서 (74) 가 혼합조 (51) 중의 세정액 (L) 에 침지되어 있고, 어떠한 측정 장치의 출력값도 상기 컨트롤러에 입력되도록 되어 있다.
그리고, 상기 컨트롤러는 pH 측정 장치 (71) 의 출력값에 기초하여 개폐 밸브 (62, 63) 의 개폐를, 산화 환원 전위 측정 장치 (73) 의 출력값에 기초하여 개폐 밸브 (65, 66) 의 개폐를 각각 제어하도록 되어 있다. 그 결과, 원하는 pH 나 산화 환원 전위를 부여하는 세정액 (L) 을 혼합조 (51) 내에서 조제할 수 있도록 되어 있다 (pH 제어 수단, 산화 환원 전위 제어 수단).
혼합조 출구 (81) 에는 전술한 공급 유로 (33) 가 접속되어 있고, 전술한 바와 같이 액체 이송 펌프 (35) 를 작동함으로써, 조제된 세정액 (L) 이 세정액 도입 회수 수단 (30) 을 통하여 세정용 노즐 (1) 로 도입되도록 되어 있다.
이어서, 상기 구성의 세정 장치의 동작 (시퀀스) 의 일례를 도 7 내지 도 10 을 사용하여 설명한다.
기판 (W) 은 도 2 내지 도 10 에 나타내는 이동 방향 (A) 의 방향으로, 도시하지 않는 이동 수단에 의해 0.5 내지 20 ㎝/초 의 속도로 이동된다. 그리고, 우선 처음에 도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 좌단이 도입 개구면 (8a) 을 하단면으로 하는 세정액 공급 부재 (12) 의 하측에 도달한 부분에서 액체 이송 펌프 (35) 를 작동시킨다. 그러면, 세정액 공급 부재 (12) 로부터 기판 (W) 위에 세정액 (L) 이 공급된다. 이 시점에서는 초음파 진동자 (10) 는 작동시키지 않는다.
또한, 기판 (W) 이 이동하면, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 초음파 진동자 (10) 의 하측에 세정액 (L) 이 유입되지만, 이 시점에서도 아직 초음파 진동자 (10) 는 작동시키지 않는다.
또한, 기판 (W) 이 이동하고, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 회수 개구면 (9a) 을 하단면으로 하는 세정액 회수 부재 (13) 의 하측에 도달한 시점에서 흡인 펌프 (38) 를 작동시키며, 세정액 공급 부재 (12) 로부터 기판 (W) 위에 공급된 세정액 (L) 을 세정액 회수 부재 (13) 로부터 회수한다. 이 단계에서 세정액 (L) 은 기판 (W) 위를 정상적으로 흐르도록 되기 때문에, 이와 동시에 초음파 진동자 (10) 를 작동시킴으로써 기판 (W) 의 초음파 세정이 실시된다.
이 때의 도입 개구면 (8a) 으로부터 기판 (W) 의 피처리면을 거쳐 회수 개구면 (9a) 에 흐르는 세정액의 정상적인 유량이 도입 개구면 (8a) 의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 이 되도록 조정 밸브 (37, 39) 가 조정된다.
마지막으로, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 우단이 세정액 공급부재 (12) 의 하측을 통과하여 지나간 부분에서, 액체 이송 펌프 (35) 의 작동을 정지시켜 세정액 (L) 의 공급을 정지시킴과 동시에, 초음파 진동자 (10) 를 정지시킨다. 그리고, 마지막으로 기판 (W) 위에 남은 세정액 (L) 을 세정액 회수 부재 (13) 로부터 회수한다. 이같이 하여 기판 (W) 이 세정용 노즐 (1) 에 대해서 도 7 내지 도 10 의 도면 상의 오른쪽에서 왼쪽으로 이동함으로써 기판 (W) 상면의 전역을 초음파 세정할 수 있다.
본 실시 형태의 세정 장치의 경우, 도입 개구면으로부터 상기 피처리물의 피처리면을 거쳐 상기 회수 개구면으로 흐르는 처리액의 유량이 상기 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분으로 제어되고 있기 때문에, 세정액이 기판 (W) 의 피처리면 전체에 충분하게 퍼지고 또한 안정되게 흐름과 함께 거의 전량의 세정액을 회수할 수 있다.
또한, 도입 개구면 (8a) 의 장변의 길이 (LN) 는, 기판 (W) 의 폭 (LW) 과 동등 또는 약간 길게 되어 있기 때문에, 기판 (W) 이 세정용 노즐 (1) 에 대해서 한 방향으로 한 번만 이동하는 것만으로 기판 (W) 의 피처리면 전역의 세정이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에서는 이동 수단에 의한 기판 (W) 의 이동 속도가 0.5 내지 20 ㎝/초 가 되어 있기 때문에, 기포 부착이나 처리액층 파괴의 문제도 발생하지 않고, 피처리면 전체의 처리를 단시간으로 충분하게 실시할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 세정용 노즐 (1) 의 도입 개구면 (8a) 및 회수 개구면 (9a) 과, 기판 (W) 의 피처리면의 거리를 0.5 내지 6 ㎜ 로 하였기 때문에,0.02 내지 0.3 L/분 의 유량을 확보하기 쉬움과 함께, 안정된 흐름으로 할 수 있다. 또한, 처리 장치의 진동에 의해 노즐과 피처리물이 접촉하는 것도 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 세정용 노즐 (1) 의 도입 개구면 (8a), 회수 개구면 (9a) 의 각각의 단변을 0.01 내지 2 ㎝ 로 하였기 때문에, 0.02 내지 0.3 L/분 의 유량을 확보하기 쉽고, 또한 도입 개구면 (8a) 으로부터 기판 (W) 의 피처리면으로의 처리액 (L) 의 공급이나 회수 개구면 (9a) 으로부터의 피처리면 위의 처리액 (L) 의 회수를 균일하게 실시하기 쉽다.
또한, 본 실시 형태에서는 세정용 노즐 (1) 의 도입 개구면 (8a) 과 회수 개구면 (9a) 사이에, 기판 위의 처리액에 초음파 진동을 부여하기 위한 초음파 진동 부여 수단을 설치하였기 때문에, 피처리면 위의 처리액 (L) 에 초음파 진동을 부여할 수 있어, 세정 효율이 향상된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 처리액의 산화 환원 전위나 pH 의 제어를 실시하기 때문에, 처리액의 조성, 농도를 최적의 것으로 유지할 수 있다. 이로써, 적은 유량으로도 충분한 처리 효율을 확보할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 세정 장치에 있어서의 세정용 노즐 (1) 에서는 세정액 (L) 이 도입 유로 (31) 로부터 기판 위에 직접 흘러 떨어지는 것이 아니라, 다공질재로 이루어지는 세정액 공급 부재 (12) 의 다수의 관통 구멍을 통하여 기판 (W) 위에 공급된다. 이로써, 세정액 (L) 은 세정액 공급 부재 (12) 의 기판 (W) 에 대향하는 면 전체로부터 거의 균등하게 공급되게 되고, 거의 균등한 속도를 가지고기판 (W) 위에 어느 정도 넓은 면적으로 한결같이 또한 급속으로 공급된다. 그리고, 다수의 관통 구멍을 가지는 세정액 회수 부재 (13) 에 의해 세정액 (L) 은 세정액 회수 부재 (13) 의 기판 (W) 에 대향하는 면 전체로부터 거의 균등하게 회수되게 된다. 이들 세정액 공급 부재 (12), 세정액 회수 부재 (13) 의 쌍방의 작용에 의해 본 실시 형태의 세정용 노즐 (1) 에서는 액체의 정체가 거의 발생하지 않기 때문에 그에 따라 파티클이 정체되지 않고, 세정 효율이 향상된 것이 된다.
또한, 세정액 공급 부재 (12) 나 세정액 회수 부재 (13) 를 친수성 재료로 형성한 경우, 세정액 (L) 이 세정액 공급 부재 (12) 나 세정액 회수 부재 (13) 와 기판 (W) 사이의 공간 전체에 퍼지기 쉬워지고, 기판 (W) 위에 신속하게 세정액 (L) 을 공급하며, 신속하게 회수할 수 있다. 이에 의해 세정 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
[제 2 실시 형태]
이하, 본 발명의 제 2 실시 형태를 도 11, 도 12 를 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 세정 장치의 전체 구성은 도 1 에 나타낸 제 1 실시 형태에 관한 세정 장치와 거의 동일하지만, 세정용 노즐 (1) 대신에 세정용 노즐 (15) 을 사용한 점만이 다르다.
또한, 세정용 노즐 (15) 의 기본 구성은 제 1 실시 형태에 있어서의 세정용 노즐 (1) 과 동일하고, 세정용 노즐 (1) 에 소수성 재료로 이루어지는 층을 부가한 점이 다를 뿐이다. 따라서, 도 11, 도 12 에 있어서 도 3, 도 4 와 공통의 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명은 생략한다.
본 실시 형태의 세정용 노즐 (15) 의 경우, 도 11, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 세정액 공급 부재 (12) 의 주위 및 세정액 회수 부재 (13) 의 주위가 소수성 재료로 이루어지는 소수층 (16) 으로 각각 덮여 있다. 여기서의 소수성 재료에는 예컨대, 테프론 수지, 실리콘 수지, 폴리에틸렌 수지 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 도입 개구면 (8a), 회수 개구면 (9a) 은 이 소수층 (16) 의 하단부에 둘러싸인 부분이 된다. 본 실시 형태에서는 세정액 공급 부재 (12) 및 세정액 회수 부재 (13) 의 주위 전체를 소수층 (16) 으로 덮었지만, 반드시 전체를 덮을 필요는 없고, 적어도 기판 (W) 에 대향하는 측의 단부를 덮어두면 된다.
본 실시 형태의 세정 장치에 있어서는, 처리액 (L) 의 균일한 배분에 관해서는 제 1 실시 형태와 동등한 작용 효과를 나타낸다. 또한, 소수성 재료로 이루어지는 층을 세정용 노즐 (15) 에 부가한 효과로서, 대기에 해방된 도입 개구면 (8a) 이나 회수 개구면 (9a) 의 주변부의 부분에서 세정액 (L) 의 습윤성이 작아지기 때문에 세정액 (L) 이 솟아오르듯이 하여 노즐 (15) 과 기판 (W) 사이에 유지된다. 그 결과, 대기에 해방된 도입 개구면 (8a) 이나 회수 개구면 (9a) 으로부터 노즐 외부로 누설되려고 하는 세정액 (L) 의 흐름이 억제된다. 따라서, 세정액 (L) 의 유지에 관한 제어성이 대폭 향상하고, 노즐 외부로의 액체 누설을 확실하게 방지할 수 있다.
상기 각 실시 형태는 세정 장치로써 구성하였지만, 본 발명의 습식 처리 장치는 이 외에 에칭, 현상, 박리, 도금 처리 등, 여러 가지 습식 처리용 장치로써 구성할 수 있다.
또한, 상기 각 실시 형태에서는 세정액 노즐의 하측에 피처리물을 배치하는 구성으로 하였지만, 노즐이나 피처리물의 위치 관계에 특별히 제한은 없고, 예컨대 도입 개구면이나 회수 개구면을 상방향으로 한 노즐의 상방에 피처리물을 배치할 수도 있다.
또한, 상기 각 실시 형태에서는 대략 직육면체의 도입 개구부나 회수 개구부의 개구측 단면을 각각 도입 개구면, 회수 개구면이라 하였지만, 각각의 개구면의 형상을 대략 직사각형으로 하는 것 외에 노즐의 구체적 형상에 특별히 한정은 없다. 또한, 노즐로 처리액을 공급하는 위치나 회수하는 위치에도 특별히 한정은 없고, 예컨대 노즐의 측면에 도입관이나 회수관을 설치해도 좋다.
[실시예]
제 2 실시 형태의 장치를 사용하여 유량과 세정 효과의 관계를 조사하였다. 실험 조건은 하기와 같다.
① 피처리 기판 (피처리물) 으로는 550 ㎜ ×650 ㎜ (두께 0.7 ㎜) 의 유리제 기판의 표면을 알루미나 입자 (입경 0.1 내지 2.0 ㎛) 로 강제 오염시킨 것을 사용하였다. 구체적으로는 알루미나 입자를 약간의 IPA (이소프로필알코올) 에 분산시키고, 그 후 순수에 분산시킨 것을 분무기에 의해 내뿜었다. 건조는 질소 가스를 내뿜어 실시하였다. 그리고, 0.5 ㎛ 이상의 파티클로서 약 100,000 개/기판 의 오염 상태로 한 것을 피처리 기판으로 하였다.
② 도입 개구면 및 회수 개구면은 모두 장변 600 ㎜, 단변 10 ㎜ 의 직사각형으로 하였다.
③ 세정액 공급 부재, 세정액 회수 부재로는 세라믹스제 다공질 부재의 주위를 소수성 재료인 불소 수지로 덮은 것을 사용하였다.
④ 기판의 이동 속도는 20 ㎜/초 로 하였다.
⑤ 도입 개구면 및 회수 개구면과 기판의 거리는 3 ㎜ 로 하였다.
⑥ 초음파 진동자에 의해 1 MHz 의 초음파 진동을 부여하였다.
⑦ 세정액으로는 암모니아수에 수소 가스를 용해시킨 것을 암모니아 농도 약 40 ppm, 수소 가스 농도 약 1.3 ppm 이 되도록 pH 약 10, 산화 환원 전위-580 ㎷ 로 제어한 액을 사용하였다.
⑧ 유량은 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.01 내지 0.5 L/분 의 범위에서 변화시켰다.
⑨ 세정 후의 건조는 에어 나이프를 사용하였다.
도 13 에 상기 실험 결과를 나타낸다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 0.01 L/분 에서는 세정액이 너무 적고 파티클의 제거가 충분하게 실시될 수 없었다. 또한, 0.5 mL/분 에서도 충분한 파티클의 제거가 실시될 수 없었다. 이것은 세정액의 공급이 한 방향으로 잘 제어되어 실시될 수 없기 때문에, 파티클이 재부착하기 때문이라고 생각된다.
한편, 0.02 내지 0.3 L/분 에서는 충분한 파티클 제거가 이루어졌다. 이것은 기판의 피처리면 전체면에 세정액이 충분하게 퍼짐과 함께, 정상적인 흐름에 의해 치환도 충분하게 이루어지기 때문이라고 생각된다.
또한, 본 실시예에서는 파티클의 세정이라는 습식 처리를 실시하였지만, 다른 습식 처리에서도 처리액이 피처리면에 충분하게 퍼지고 또한 치환되는 것이 중요하다.따라서, 본 실시예에서 확인된 「도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 이라는 최적 유량은 다른 습식 처리 장치의 경우에도 적용할 수 있는 것이다.
이상, 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명에 의해 액체 절약형 습식 처리 장치에 있어서의 적절한 사용 조건이 분명해졌다. 그 때문에, 이러한 최적의 조건에서 사용할 수 있는 습식 처리 장치를 제공함으로써 효과적이고 또한 효율적인 습식 처리를 실현할 수 있다.

Claims (9)

  1. 피처리물을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 도입 개구면 및 상기 피처리물을 향해서 개구하는 대략 직사각형의 회수 개구면을 가지고, 상기 도입 개구면과 회수 개구면은 서로 동일면이며, 또한 장변 방향이 평행하게 배치되는 노즐과,
    상기 도입 개구면과 상기 피처리물의 피처리면 사이에 처리액을 도입하기 위한 도입 유로를 가지는 처리액 도입 수단과,
    상기 회수 개구면과 상기 피처리물의 피처리면 사이로부터 처리액을 흡인하여 회수하기 위한 흡인 펌프와 회수 유로를 가지는 처리액 회수 수단과,
    상기 피처리물의 피처리면을 따라서, 또한 상기 도입 개구면 및 회수 개구면의 단변 방향으로 상기 노즐과 상기 피처리물을 상대 이동시키기 위한 노즐 또는 피처리물의 이동 수단을 구비하고,
    상기 도입 개구면으로부터 상기 피처리물의 피처리면을 거쳐 상기 회수 개구면에 흐르는 처리액의 유량이, 상기 도입 개구면의 장변 방향 1 ㎝ 당 0.02 내지 0.3 L/분 으로 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유량의 제어가 상기 도입 유로 및/또는 회수 유로의 단면적을 조정함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도입 개구면 및 회수 개구면 각각의 장변의 길이가 상기 피처리물의 상기 장변에 평행하는 방향의 폭 이상인 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 이동 수단에 의한 상대적인 이동 속도가 0.5 내지 20 ㎝ /초 인 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 개구면과 상기 피처리물의 피처리면의 거리가 0.5 내지 6 ㎜ 인 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 개구면의 단변이 0.01 내지 2 ㎝ 인 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도입 개구면과 회수 개구면 사이에 상기 피처리물 위의 처리액에 초음파 진동을 부여하기 위한 초음파 진동 부여 수단이 설치된 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액의 산화 환원 전위 제어 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액의 pH 제어 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식 처리 장치.
KR10-2001-0050654A 2000-08-30 2001-08-22 습식 처리 장치 KR100445041B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00261949 2000-08-30
JP2000261949A JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2000-08-30 ウェット処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020017982A KR20020017982A (ko) 2002-03-07
KR100445041B1 true KR100445041B1 (ko) 2004-08-18

Family

ID=18749705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0050654A KR100445041B1 (ko) 2000-08-30 2001-08-22 습식 처리 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6629540B2 (ko)
EP (1) EP1184091B1 (ko)
JP (1) JP2002075947A (ko)
KR (1) KR100445041B1 (ko)
CN (1) CN1162895C (ko)
DE (1) DE60113491T2 (ko)
TW (1) TW506009B (ko)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19960591A1 (de) * 1999-12-16 2001-06-21 Laser & Med Tech Gmbh Wand- und Boden-Kavitationsreiniger
US7584761B1 (en) * 2000-06-30 2009-09-08 Lam Research Corporation Wafer edge surface treatment with liquid meniscus
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
KR20030083779A (ko) * 2002-04-22 2003-11-01 주식회사 디엠에스 액정표시소자용 처리장치 및 처리방법
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7293571B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7252097B2 (en) * 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7597765B2 (en) * 2002-09-30 2009-10-06 Lam Research Corporation Post etch wafer surface cleaning with liquid meniscus
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7513262B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7614411B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7520285B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
TWI245739B (en) * 2002-12-05 2005-12-21 Ibm Method and device for flowing a liquid on a surface
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
DE112004002879A5 (de) * 2004-03-22 2007-05-24 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
CN1933759B (zh) * 2004-03-31 2010-12-15 兰姆研究有限公司 利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统
US20050247673A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-10 International Business Machines Corporation Confinement of fluids on surfaces
JP2006088033A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Future Vision:Kk ウェット処理装置
US8032979B2 (en) * 2005-09-17 2011-10-11 Hydramaster North America, Inc. Heat exchanger
JP4840020B2 (ja) * 2005-10-14 2011-12-21 ソニー株式会社 基板の処理方法
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
KR100834827B1 (ko) * 2006-11-16 2008-06-04 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정장치 및 그의 세정방법
JP4810411B2 (ja) * 2006-11-30 2011-11-09 東京応化工業株式会社 処理装置
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
JP5427792B2 (ja) * 2008-02-08 2014-02-26 ラム リサーチ コーポレーション メニスカスによるウエハー表面処理において近接ヘッドに対する流体の流速をほぼ一定にする装置
CN101610641B (zh) * 2008-06-19 2011-06-29 富葵精密组件(深圳)有限公司 湿处理系统及湿处理方法
US9659796B2 (en) * 2008-07-24 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rinsing wafers using composition-tunable rinse water in chemical mechanical polish
JP2011243769A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Tokyo Electron Ltd 基板のエッチング方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6903441B2 (ja) * 2016-03-31 2021-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP7260322B2 (ja) * 2019-02-18 2023-04-18 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP2022068575A (ja) * 2020-10-22 2022-05-10 株式会社ディスコ 洗浄装置
CN112474586B (zh) * 2020-11-23 2021-08-10 宁波格劳博智能工业有限公司 一种叠片数码电芯储运装置智能清洗检测生产线

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186079A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Nissan Motor Co Ltd 基板表面処理装置
JPH10163153A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
JPH10177978A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JPH11253897A (ja) * 1998-03-11 1999-09-21 Alps Electric Co Ltd 除塵装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3461843A (en) * 1967-11-21 1969-08-19 Stanford Research Inst Toner application apparatus
US3574261A (en) * 1968-09-24 1971-04-13 Grace W R & Co Apparatus and method for drying permeable webs
US3801387A (en) * 1971-10-18 1974-04-02 Chemcut Corp Etchant remover apparatus and method
DE3404125A1 (de) * 1984-02-07 1985-08-08 Krupp Stahl Ag, 4630 Bochum Vorrichtung zum absaugen von fluessigkeiten von warenbahnen
US4842000A (en) * 1987-05-21 1989-06-27 Valmet-Dominion Inc. Fabric cleaning
US4949424A (en) * 1989-01-23 1990-08-21 William Shero Carpet cleaning system
AT393468B (de) * 1990-03-01 1991-10-25 Prodinger Karl Dipl Ing Dr Vorrichtung zur behandlung, insbesondere zur reinigung, von oberflaechen
DE4018074C2 (de) * 1990-06-06 1995-09-14 Voith Gmbh J M Vorrichtung zum Reinigen eines umlaufenden Papiermaschinensiebes
DE4121032A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden, insbesondere leiterplatten
US5293663A (en) * 1991-10-15 1994-03-15 Food Industry Equipment International, Inc. Fluid cleaning system
US5339842A (en) * 1992-12-18 1994-08-23 Specialty Coating Systems, Inc. Methods and apparatus for cleaning objects
EP0725177A4 (en) * 1994-07-07 1996-12-27 Komatsu Seiren Co APPARATUS FOR TREATING TISSUE
US5614264A (en) * 1995-08-11 1997-03-25 Atotech Usa, Inc. Fluid delivery apparatus and method
DE19530989C1 (de) * 1995-08-23 1997-03-13 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Filmstrippen
JP3369418B2 (ja) 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JP3773145B2 (ja) * 1997-09-04 2006-05-10 富士写真フイルム株式会社 ウェブ洗浄及び除電装置
DE19923591A1 (de) * 1999-05-21 2000-11-23 Fleissner Maschf Gmbh Co Vorrichtung mit einem Düsenbalken zur Erzeugung von Flüssigkeitsstrahlen zur Strahlbeaufschlagung der Fasern einer Warenbahn

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186079A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Nissan Motor Co Ltd 基板表面処理装置
JPH10163153A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
JPH10177978A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JPH11253897A (ja) * 1998-03-11 1999-09-21 Alps Electric Co Ltd 除塵装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1184091B1 (en) 2005-09-21
CN1162895C (zh) 2004-08-18
JP2002075947A (ja) 2002-03-15
US6629540B2 (en) 2003-10-07
TW506009B (en) 2002-10-11
CN1340848A (zh) 2002-03-20
KR20020017982A (ko) 2002-03-07
US20020023671A1 (en) 2002-02-28
EP1184091A1 (en) 2002-03-06
DE60113491T2 (de) 2006-06-29
DE60113491D1 (de) 2006-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100445041B1 (ko) 습식 처리 장치
US6230722B1 (en) Liquid feed nozzle, wet treatment, apparatus and wet treatment method
US5571337A (en) Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
JP3653198B2 (ja) 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
CN101369522B (zh) 一种用于处理衬底的方法
JP3177736B2 (ja) 処理装置
JP3511441B2 (ja) 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3511442B2 (ja) 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JP2006196781A (ja) 基板表面処理装置
JP3768789B2 (ja) 超音波振動子及びウエット処理用ノズル並びにウエット処理装置
KR100385906B1 (ko) 웨트처리용 노즐 및 노즐장치와 웨트처리장치
KR100330806B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 세척장치 및 방법
JP2001196345A (ja) 基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置
JP4076755B2 (ja) ウエット処理装置およびウエット処理方法
KR100525601B1 (ko) 습식처리장치
KR100502751B1 (ko) 웨트처리장치 및 웨트처리방법
JP2002075956A (ja) 板状基板の処理装置及び処理方法
KR20030057175A (ko) 웨이퍼의 후면 세정장치
JPH11340192A (ja) ウエット処理装置
JP3068404B2 (ja) 半導体基板洗浄装置
JP3035451B2 (ja) 基板の表面処理装置
JP3977616B2 (ja) ウェット処理装置及びウェット処理方法
CN218918801U (zh) 一种应用马兰戈尼效应的晶圆清洗干燥装置
KR20100094153A (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
KR20080031465A (ko) 웨이퍼의 경사 에지에 대한 최소 지지 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110803

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee